JP2002368334A - 面発光レーザ、フォトダイオード、それらの製造方法及びそれらを用いた光電気混載回路 - Google Patents

面発光レーザ、フォトダイオード、それらの製造方法及びそれらを用いた光電気混載回路

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Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003324233A (ja) * 2002-04-26 2003-11-14 Fuji Xerox Co Ltd 表面発光型半導体レーザ素子およびその製造方法
JP2005005600A (ja) * 2003-06-13 2005-01-06 Hamamatsu Photonics Kk 半導体受光素子
JP2005017684A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Nec Corp 光モジュールおよびその製造方法
JP2005129789A (ja) * 2003-10-24 2005-05-19 Hamamatsu Photonics Kk 半導体受光素子
JP2005129776A (ja) * 2003-10-24 2005-05-19 Hamamatsu Photonics Kk 半導体受光素子
WO2005067113A1 (ja) * 2004-01-07 2005-07-21 Hamamatsu Photonics K.K. 半導体発光素子及びその製造方法
JP2005303080A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Hamamatsu Photonics Kk 半導体発光素子及びその製造方法
US7113658B2 (en) 2003-09-08 2006-09-26 Seiko Epson Corporation Optical module, and optical transmission device
KR100703530B1 (ko) 2006-02-09 2007-04-03 삼성전자주식회사 면 발광 레이저
WO2007077740A1 (ja) * 2005-12-26 2007-07-12 Nec Corporation 半導体光素子
WO2007114384A1 (ja) * 2006-04-03 2007-10-11 The University Of Tokyo 信号伝送機器
JP2008227404A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Fuji Xerox Co Ltd 半導体素子および光学装置
US7496123B2 (en) 2006-08-17 2009-02-24 Fuji Xerox Co., Ltd. VCSEL with improved high frequency characteristics, semiconductor laser device, module, and optical transmission device
JP2010003885A (ja) * 2008-06-20 2010-01-07 Rohm Co Ltd 面発光レーザ
JP2010199217A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Fujitsu Ltd 多波長レーザ素子及びその製造方法
US7868408B2 (en) 2004-03-29 2011-01-11 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor light detecting element includes film which covers light receiving region near main surface of multilayer structure and electrode on main surface
JP2019536287A (ja) * 2017-01-19 2019-12-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ 半導体レーザおよびそのような半導体レーザの製造方法
WO2021200168A1 (ja) * 2020-03-31 2021-10-07 国立大学法人京都大学 ２次元フォトニック結晶レーザ
WO2023149087A1 (ja) * 2022-02-01 2023-08-10 ソニーグループ株式会社 面発光レーザ、面発光レーザアレイ及び光源装置
WO2023176308A1 (ja) * 2022-03-15 2023-09-21 ソニーグループ株式会社 発光装置、測距装置及び車載装置

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1300860C (zh) * 2003-02-25 2007-02-14 中国科学院半导体研究所 氮化镓基发光二极管n型层欧姆接触电极的制作方法
JP2005079385A (ja) * 2003-09-01 2005-03-24 Toshiba Corp 光半導体装置および光信号入出力装置
JP4164685B2 (ja) * 2004-07-06 2008-10-15 セイコーエプソン株式会社 光素子及びその製造方法
CN100485971C (zh) * 2006-09-06 2009-05-06 中国科学院微电子研究所 一种砷化镓pin二极管及其制作方法
WO2009117848A1 (en) * 2008-03-26 2009-10-01 Lattice Power (Jiangxi) Corporation Method for fabricating robust light-emitting diodes
CN104166190B (zh) * 2013-05-20 2017-07-11 赛恩倍吉科技顾问（深圳）有限公司 光通讯装置
TWI552386B (zh) * 2013-12-20 2016-10-01 新世紀光電股份有限公司 半導體發光結構及半導體封裝結構
US9588291B2 (en) * 2013-12-31 2017-03-07 Medlumics, S.L. Structure for optical waveguide and contact wire intersection
CN106611934A (zh) * 2015-10-21 2017-05-03 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 采用石墨烯进行电极搭桥的面发射激光器及其制备方法
CN106340809A (zh) * 2016-10-26 2017-01-18 中国科学院半导体研究所 一种共面电极的边发射半导体激光器
CN110731035B (zh) * 2017-05-29 2021-07-09 三菱电机株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法
CN109752804B (zh) * 2017-11-06 2020-11-10 松下知识产权经营株式会社 光模块构造体
CN108199256B (zh) * 2018-01-11 2020-01-21 长春理工大学 牢固倒封装微盘腔半导体激光器及其制作方法
CN111435781B (zh) * 2019-01-15 2022-03-18 中国科学院半导体研究所 垂直腔面发射半导体激光器结构
CN111799654B (zh) * 2020-09-09 2021-01-22 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 一种激光器及其制造方法与应用
CN111934201A (zh) * 2020-09-29 2020-11-13 武汉云岭光电有限公司 可调谐激光器硅基混合集成及可调谐激光器及其制备方法

Cited By (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7058104B2 (en) 2002-04-26 2006-06-06 Fuji Xerox Co., Ltd. Surface emitting semiconductor laser and method of fabricating the same
JP2003324233A (ja) * 2002-04-26 2003-11-14 Fuji Xerox Co Ltd 表面発光型半導体レーザ素子およびその製造方法
JP2005005600A (ja) * 2003-06-13 2005-01-06 Hamamatsu Photonics Kk 半導体受光素子
JP2005017684A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Nec Corp 光モジュールおよびその製造方法
US7113658B2 (en) 2003-09-08 2006-09-26 Seiko Epson Corporation Optical module, and optical transmission device
JP2005129789A (ja) * 2003-10-24 2005-05-19 Hamamatsu Photonics Kk 半導体受光素子
JP2005129776A (ja) * 2003-10-24 2005-05-19 Hamamatsu Photonics Kk 半導体受光素子
KR101195311B1 (ko) * 2004-01-07 2012-10-26 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
WO2005067113A1 (ja) * 2004-01-07 2005-07-21 Hamamatsu Photonics K.K. 半導体発光素子及びその製造方法
CN100461561C (zh) * 2004-01-07 2009-02-11 浜松光子学株式会社 半导体发光元件及其制造方法
JPWO2005067113A1 (ja) * 2004-01-07 2007-07-26 浜松ホトニクス株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
US7719017B2 (en) 2004-01-07 2010-05-18 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor light-emitting device and its manufacturing method
US7968429B2 (en) 2004-03-29 2011-06-28 Hamamatsu Photonics K.K. Method of manufacturing a semiconductor photodetector device by removing the semiconductor substrate on one surface after forming the light-transmitting layer on the opposing surface
US7868408B2 (en) 2004-03-29 2011-01-11 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor light detecting element includes film which covers light receiving region near main surface of multilayer structure and electrode on main surface
KR101184775B1 (ko) * 2004-04-13 2012-09-24 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
US8048700B2 (en) 2004-04-13 2011-11-01 Hamamatsu-shi Photonics K.K. Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof
US7723742B2 (en) 2004-04-13 2010-05-25 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof
CN100442614C (zh) * 2004-04-13 2008-12-10 浜松光子学株式会社 半导体发光元件及其制造方法
JP2005303080A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Hamamatsu Photonics Kk 半導体発光素子及びその製造方法
WO2007077740A1 (ja) * 2005-12-26 2007-07-12 Nec Corporation 半導体光素子
JP5034952B2 (ja) * 2005-12-26 2012-09-26 日本電気株式会社 半導体光素子
US7952172B2 (en) 2005-12-26 2011-05-31 Nec Corporation Semiconductor optical element
KR100703530B1 (ko) 2006-02-09 2007-04-03 삼성전자주식회사 면 발광 레이저
US8014638B2 (en) 2006-04-03 2011-09-06 The University Of Tokyo Signal transmission device
WO2007114384A1 (ja) * 2006-04-03 2007-10-11 The University Of Tokyo 信号伝送機器
US7496123B2 (en) 2006-08-17 2009-02-24 Fuji Xerox Co., Ltd. VCSEL with improved high frequency characteristics, semiconductor laser device, module, and optical transmission device
JP2008227404A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Fuji Xerox Co Ltd 半導体素子および光学装置
KR101111126B1 (ko) 2007-03-15 2012-02-24 후지제롯쿠스 가부시끼가이샤 반도체 소자 및 광학 장치
JP2010003885A (ja) * 2008-06-20 2010-01-07 Rohm Co Ltd 面発光レーザ
JP2010199217A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Fujitsu Ltd 多波長レーザ素子及びその製造方法
US8509277B2 (en) 2009-02-24 2013-08-13 Fujitsu Limited Optical device
JP2019536287A (ja) * 2017-01-19 2019-12-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ 半導体レーザおよびそのような半導体レーザの製造方法
US10797469B2 (en) 2017-01-19 2020-10-06 Osram Oled Gmbh Semiconductor laser and method for producing such a semiconductor laser
JP2022009737A (ja) * 2017-01-19 2022-01-14 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 半導体レーザおよびそのような半導体レーザの製造方法
JP7232883B2 (ja) 2017-01-19 2023-03-03 エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー 半導体レーザおよびそのような半導体レーザの製造方法
WO2021200168A1 (ja) * 2020-03-31 2021-10-07 国立大学法人京都大学 ２次元フォトニック結晶レーザ
WO2023149087A1 (ja) * 2022-02-01 2023-08-10 ソニーグループ株式会社 面発光レーザ、面発光レーザアレイ及び光源装置
WO2023176308A1 (ja) * 2022-03-15 2023-09-21 ソニーグループ株式会社 発光装置、測距装置及び車載装置

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Publication number Publication date
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