JP2002324936A5 - - Google Patents
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- 半導体基板上に、第１の光電素子を形成する工程、
前記第１の光導波路素子に第１のレジスト層を設ける工程、
その上に前記第１のレジスト層が設けられていない部分の前記第１の光導波路素子をエッチングして除去する工程、
前記半導体基板上の前記エッチング除去された領域に、第２の光導波路素子を形成し、前記第１の光導波路素子と前記第２の光導波路素子とがバットジョイントするようにする工程、
前記第１の光導波路素子と接する前記第２の光導波路素子の端部およびその近くの領域を結晶欠陥領域およびその近傍領域として除去するする工程、
前記除去した領域を埋めるようにバットジョイントによりバルクの第３の光導波路素子を設ける工程とを有し、
前記第３の光導波路素子は、前記第１および第２の光導波路素子と光学的に接続していることを特徴とする半導体光集積素子の製造方法。 - 前記第１と第２の光導波路素子が、ＭＱＷ構造を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体光集積素子の製造方法。
- 前記第１乃至第３の光導波路素子の光導波路上にはそれぞれクラッド層が設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体光集積素子の製造方法。
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