JP4564450B2 - 立体集積光導波路素子及びその製造方法 - Google Patents
立体集積光導波路素子及びその製造方法 Download PDFInfo
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Description
また、特許文献2には、化合物半導体のメサ型導波路をシリカ保護膜で覆い、その上にSOGを用いて平坦化する技術が開示されている。この特許文献2に示す技術は、SOG膜上に化合物半導体を3次元的に積層させることはできない。
このように、従来平坦化のための技術は、上述の文献を含めて種々存在するのであるが、ガラス導波路のように材料が限定され、3次元積層構造になじまない、あるいは埋め込み型ではなくメサ型構造である、というようにそれぞれ問題を残しており、図7に示すような埋め込み型の3次元積層構造の光導波路についての平坦化技術については、所望のものがないという現状である。
〔実施形態〕
図1は、立体集積光導波路素子の一例を示し、2段の導波路層を形成した場合の構造を示す。ここでは、単結晶InGaAsP/InP系材料を用いて、光導波路として発光、受光、増幅からなる各機能を有する能動素子の集積化を可能とした化合物半導体光導波路を例にとって説明する。なお、化合物半導体光導波路は、種々な光導波路の中でも能動光素子との単結晶による集積化を可能とする導波路であり、この導波路の3次元である立体となる集積化を達成できたことによる技術的効果はきわめて大きい。
次に、図2(e)に示すようにオーバクラッド層4の上部埋め込み層4u上に盛り上り部4aの領域を除いてマスク12を施す。この場合、マスク12の開口は、図2(b)に示すコアの回路パターンに対応するマスク3について、例えばその回路パターンの幅を所定幅広げることにより得られる。このマスク12の広がり幅の決定方法は、図2(d)に示すようにコア2aに対し下部埋め込み層4d及び上部埋め込み層4uからなるオーバクラッド層4を実際に成膜して盛り上り部4aを測定し、この盛り上り部4a応じて成膜装置ごとに条件出しをして決定することになる。なお、回路パターンの幅の広がりは、必ずしも一様に拡張すればよいわけではなく、例えば基板面の結晶方向に応じて拡張する程度を変化させるようなマスクパターンの設計も場合によっては必要である。
また、上記説明においては、能動素子を搭載しやすい等の点からInP/InGaAsP系材料からなる化合物半導体光導波路を例示して述べたのであるが、エッチングマスクを利用してエッチングストップ層によるエッチング制御が可能な埋め込み型の光導波路を立体的に集積できる構造であれば他の材料でも良い。
Claims (5)
- アンダークラッド層とこのアンダークラッド層上にパターニングされたコアとこのコアを覆うオーバクラッド層とからなる埋め込み型の導波路層が複数段積層された立体集積光導波路素子において、
最上段以外の少なくとも一つの段の上記導波路層の上記オーバクラッド層は、上記コアを覆う下部埋め込み層、エッチングストップ層あるいはエッチングモニタ層、及び上記下部埋め込み層の上記コアに当たる盛り上り部の領域を除いた一部上部埋め込み層を順に有し、上記オーバクラッド層の上面は、上記盛り上り部上の上記エッチングストップ層あるいはエッチングモニタ層と上記一部上部埋め込み層の上面とによって構成されて平坦面とされていることを特徴とする立体集積光導波路素子。 - 上記一部上部埋め込み層は、第1上部埋め込み層、エッチングストップ層あるいはエッチングモニタ層、第2上部埋め込み層を有することを特徴とする請求項1に記載の立体集積光導波路素子。
- 上記エッチングストップ層あるいはエッチングモニタ層は、上記コアと同一材であり、その厚さは、光導波路として作用しない厚さであることを特徴とする請求項1または2に記載の立体集積光導波路素子。
- アンダークラッド層上にパターニングされたコアを形成した後このコアを含むアンダークラッド層を覆うオーバクラッド層を成長させる工程にて形成される導波路層を複数段積み重ねた立体集積光導波路素子の製造方法において、
最上段以外の少なくとも一つの段の上記導波路層の上記オーバクラッド層の形成には、上記コアが形成された上記アンダークラッド層上に下部埋め込み層を形成する工程と、この下部埋め込み層上にエッチングストップ層あるいはエッチングモニタ層を形成する工程と、このエッチングストップ層上あるいはエッチングモニタ層上に上記下部埋め込み層の上記コアに当たる盛り上り部の厚さに一致する膜厚の上部埋め込み層を形成する工程と、上記盛り上り部の領域の上記上部埋め込み層を上記エッチングストップ層あるいはエッチングモニタ層が露出するまでエッチングして除去する工程と、を加えたことを特徴とする立体集積光導波路素子の製造方法。 - 上記上部埋め込み層を形成する工程は、第1上部埋め込み層を形成する工程と、この第1上部埋め込み層上に更なるエッチングストップ層あるいはエッチングモニタ層を形成する工程と、このエッチングストップ層あるいはエッチングモニタ層上に第2上部埋め込み層を形成する工程とを有し、
上記更なるエッチングストップ層あるいはエッチングモニタ層除去工程は、上記盛り上り部上の上記第2上部埋め込み層をエッチング除去する工程と、上記第2上部埋め込み層の除去により露出された上記更なるエッチングストップ層あるいはエッチングモニタ層を除去する工程と、上記盛り上り部の傾斜部における上記除去された上記第2上部埋め込み層の縁より高い傾斜位置より内側の上記第1上部埋め込み層を除去する工程とを有することを特徴とする請求項4に記載の立体集積光導波路素子の製造方法。
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JPS6296909A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多層光回路及びその製造方法 |
JPH05307200A (ja) * | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 導波路型光スイッチ及びその製造方法 |
JP2001091775A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 積層型石英系光導波路の製造方法 |
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