JP2007286340A - 光導波路デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光導波路デバイス10は、シリコン基板11上に形成された下部クラッド層12、コア層13及び上部クラッド層141,142を有する光導波路形成層15から成る光導波路部16と、光導波路形成層15の一部が除去されて成る光素子搭載部17とを有し、光導波路形成層15の一部の除去によって露出した光導波路部16の端面に光素子搭載部17に搭載された発光素子18が光学的に結合されるものである。マスク22となるクロム膜21は、上部クラッド層142上に設けられる。そのため、クロム膜21を形成する前に、下部クラッド層12及びコア層13などに高温の熱処理を施しても、クロム膜21には何ら影響を与えない。
【選択図】 図1
Description
11 シリコン基板(基板)
12 下部クラッド層
13 コア層
141 上部クラッド層(第一層)
142 上部クラッド層(第二層、台座ブロック層)
15 光導波路形成層
16 光導波路部
17 光素子搭載部
18 発光素子(光素子)
19 台座ブロック
20 アライメントマーカ
21 クロム膜(薄膜)
22 マスク
Claims (9)
- 基板上に形成された下部クラッド層、コア層、及び上部クラッド層を有する光導波路形成層から成る光導波路部と、前記光導波路形成層の一部が除去されて成る光素子搭載部とを有し、前記光導波路形成層の一部の除去によって露出した前記光導波路部の端面に、前記光素子搭載部に搭載された光素子が光学的に結合される光導波路デバイスにおいて、
前記上部クラッド層は一層又は二層以上から成り、
前記光素子搭載部は、前記下部クラッド層及び前記コア層が除去された前記基板上に設けられた前記上部クラッド層の少なくとも一層から成る台座ブロックと、この台座ブロック上に設けられた薄膜から成るマスクとを有し、
このマスクに前記光素子が接触することを特徴とする光導波路デバイス。 - 前記下部クラッド層及び前記コア層が、プラズマCVD膜から成ることを特徴とした請求項1記載の光導波路デバイス。
- 前記プラズマCVD膜は、成膜後に1000℃以上でアニール処理された膜である、
ことを特徴とする請求項2記載の光導波路デバイス。 - 前記上部クラッド層は積層された第一層及び第二層から成り、
前記光素子搭載部は、前記下部クラッド層、前記コア層及び前記第一層が除去された前記基板上に設けられた前記第二層から成る台座ブロックと、この台座ブロック上に設けられた薄膜から成るマスクとを有する、
ことを特徴とする請求項1、2又は3に記載の光導波路デバイス。 - 基板上に形成された下部クラッド層、コア層、及び上部クラッド層を有する光導波路形成層から成る光導波路部と、前記光導波路形成層の一部が除去されて成る光素子搭載部とを有し、前記光導波路形成層の一部の除去によって露出した前記光導波路部の端面に、前記光素子搭載部に搭載された光素子が光学的に結合され、前記上部クラッド層が一層又は二層以上から成る光導波路デバイスを製造する方法において、
前記基板上に少なくとも前記下部クラッド層及び前記コア層を積層する第一工程と、
前記光素子搭載部となる部分において少なくとも前記下部クラッド層及び前記コア層を除去する第二工程と、
前記光導波路部となる部分の上及び前記光素子搭載部となる部分の上に前記上部クラッド層の少なくとも一層を形成することにより、前記光素子搭載部となる部分の上に当該上部クラッド層の少なくとも一層から成る台座ブロック層を形成する第三工程と、
前記光素子搭載部となる部分において前記台座ブロック層上に薄膜から成るマスクを形成する第四工程と、
前記光素子搭載部となる部分において前記マスクを用いて当該マスク下以外の前記台座ブロック層を除去することにより台座ブロックを形成する第五工程と、
を含むことを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。 - 前記第一工程では、プラズマCVDによって前記基板上に前記下部クラッド層及び前記コア層を積層する、
ことを特徴とする請求項5記載の光導波路デバイスの製造方法。 - 前記第三工程よりも前に、前記下部クラッド層及び前記コア層を1000℃以上でアニールする工程、
を含むことを特徴とする請求項6記載の光導波路デバイスの製造方法。 - 前記上部クラッド層は積層された第一層及び第二層から成り、
前記第一工程では、プラズマCVDによって前記基板上に前記下部クラッド層及び前記コア層を積層し、これらの前記下部クラッド層及び前記コア層を1000℃以上でアニールした後、前記コア層上に前記第一層を形成し、
前記第二工程では、前記光素子搭載部となる部分において前記下部クラッド層、前記コア層及び前記第一層を除去し、
前記第三工程では、前記光導波路部となる部分の上及び前記光素子搭載部となる部分の上に前記第二層を形成することにより、前記光素子搭載部となる部分の上に当該第二層から成る台座ブロック層を形成する、
ことを特徴とする請求項5記載の光導波路デバイスの製造方法。 - 前記第二工程では、RIEによって前記下部クラッド層の途中まで除去した後、ウェットエッチングによって前記下部クラッド層の残りを除去することにより前記基板を露出させる、
ことを特徴とする請求項5、6、7又は8に記載の光導波路デバイスの製造方法。
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