JP2004523896A5 - - Google Patents

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  1. 光電子デバイス(54)用の共振反射器(50)であって、
    第1屈折率を有する第1材料層(56)であって、第1材料層(56)が、第1材料層(56)中に延びる1つまたは複数のパターン形成済み領域(60)を有し、選択されたパターン形成済み領域(60)が、第2屈折率を有する第2材料(58)で充填される、第1材料層(56)と、
    第1材料層(56)に隣接して配置されたミラーであって、第3の屈折率を有する隣接ミラー層(52)を有するミラーと、
    によって特徴付けられる共振反射器(50)。
  2. 光電子デバイス用(54)の共振反射器(50)を形成する方法であって、光電子デバイス(54)が頂部ミラーを有し、該方法は、
    頂部ミラー(52)の上に、第1材料層(56)を設けるステップと、
    第1材料層(56)中のパターンをエッチングして、1つまたは複数のパターン形成済み領域(60)を得るステップと、
    1つまたは複数のパターン形成済み領域(60)上を含む第1材料層(56)上に、第2材料層(58)を設けるステップと、
    によって特徴付けられる方法。
  3. 光電子デバイス(54)用の共振反射器(50)を形成する方法であって、光電子デバイス(54)が頂部ミラーを有し、該方法は、
    頂部ミラーの頂部ミラー層(52)中のパターンをエッチングして、1つまたは複数のパターン形成済み領域を得るステップと、
    1つまたは複数のパターン形成済み領域上を含む頂部ミラー層(52)上に、材料層(58)を設けるステップと、
    によって特徴付けられる方法。
  4. 光電子デバイス用の共振反射器(70)であって、
    頂部ミラー層(72)を有する第1ミラー領域であって、前記頂部ミラー層が、前記頂部ミラー層(72)中に延びるがすべてを貫かない1つまたは複数のパターン形成済み領域(74)と、1つまたは複数の非パターン形成領域(78)とを有する、第1ミラー領域と、
    頂部ミラー層(74)の選択された非パターン形成領域(78)上に形成された第2ミラー領域(76)と、
    によって特徴付けられる共振反射器(70)。
  5. 光軸(100)を有する光キャビティを有する光電子デバイス(10)用の共振反射器(90)であって、
    光電子デバイス(10)の光キャビティの少なくとも一部にわたって延在する共振反射器層(92)であって、共振反射器層(92)が、第1屈折率を有する第1領域(94)と第2屈折率を有する第2領域(96)とを有し、第1領域(94)および第2領域(96)が、界面(98)に沿って共に延び、界面(98)の少なくとも一部が、光軸(100)と平行でない、共振反射器層(92)、
    によって特徴付けられる共振反射器(90)。
  6. 光電子(10)デバイス用の共振反射器(90)を形成する方法であって、
    ほぼ平面の材料の第1層(94)を設けるステップと、
    材料の第1層(94)上にフォトレジスト層(110)を設けて、パターン形成するステップと、
    フォトレジスト層(110)を熱してリフローさせ、非平面であるフォトレジスト層(110)の頂面を得るステップと、
    フォトレジスト層(110)および材料の第1層(94)をエッチングして、フォトレジスト層(110)の非平面頂面の形状を材料の第1層(94)に転写するステップと、
    材料の第1層(94)上に材料の第2層(96)を設けるステップと、
    によって特徴付けられる方法。
  7. 光電子デバイス(10)用の共振反射器(90)を形成する方法であって、
    ほぼ平面の材料の第1層(94)を設けるステップと、
    材料の第1層(94)をパターン形成するステップと、
    材料の第1層(94)を熱してリフローさせ、非平面である頂面(98)を得るステップと、
    材料の第1層(94)上に材料の第2層(96)を設けるステップと、
    によって特徴付けられる方法。
  8. 光電子デバイス(10)用の共振反射器(90)を形成する方法であって、
    ほぼ平面である材料の第1層(94)を設けるステップと、
    材料の第1層(94)をパターン形成し、頂部コーナ(120)まで上方に延びる側縁(118)を得るステップと、
    側縁(118)上および頂部コーナ(120)上を含むパターン形成済みの材料の第1層(94)上にフォトレジスト層(114)を設けるステップであって、フォトレジスト層(114)が、頂部コーナ(120)付近で薄くなる、ステップと、
    フォトレジスト層(114)および材料の第1層(94)をエッチングするステップであって、まず頂部コーナ(120)付近のフォトレジスト層(114)をエッチングし、その結果、材料の第1層(94)の頂部コーナ(120)が、頂部コーナ(120)から離れた領域よりも多くエッチングされる(122)、ステップと、
    材料の第1層(94)上に材料の第2層(96)を設けるステップと、
    によって特徴付けられる方法。
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