JPS60123084A - 半導体光発生装置 - Google Patents
半導体光発生装置Info
- Publication number
- JPS60123084A JPS60123084A JP58231742A JP23174283A JPS60123084A JP S60123084 A JPS60123084 A JP S60123084A JP 58231742 A JP58231742 A JP 58231742A JP 23174283 A JP23174283 A JP 23174283A JP S60123084 A JPS60123084 A JP S60123084A
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- semiconductor laser
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- emitting semiconductor
- diffraction grating
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18386—Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体レーザを用い、光情報処理・光通信分
野において光ディスク、分波器１分岐器等の様々な民生
機器への展開が可能であり、将来的表重要デバイスとな
り得る半導体光発生装置に関するものである。
野において光ディスク、分波器１分岐器等の様々な民生
機器への展開が可能であり、将来的表重要デバイスとな
り得る半導体光発生装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、半導体レーザは素子特性の向上とともに、小型で
かつコヒーレントな光源として注目を集め、光フアイバ
通信システム等の光情報処理用光源として急速に実用化
が進められてきた。
かつコヒーレントな光源として注目を集め、光フアイバ
通信システム等の光情報処理用光源として急速に実用化
が進められてきた。
まだ、光通信システムにおいて光ファイバに伝搬されて
いる信号光を複数に分配し、各々独立に複数の光ファイ
バに伝搬させる機能を有する光分配器も盛んに開発が進
められてきた。
いる信号光を複数に分配し、各々独立に複数の光ファイ
バに伝搬させる機能を有する光分配器も盛んに開発が進
められてきた。
従来、この種のシステムとしては第１図及び第２図に示
すものがあった。図において、１は半導体レーザ、２は
出力信号光を光ファイバの端面上に収束させるレンズ媒
体、３．５−１． ｔｓ−２１ｄ光フアイバ、４−１
、４−２．４−３は二乗屈折率分布形レンズ、６はハー
フミラ−１７は信号光である。
すものがあった。図において、１は半導体レーザ、２は
出力信号光を光ファイバの端面上に収束させるレンズ媒
体、３．５−１． ｔｓ−２１ｄ光フアイバ、４−１
、４−２．４−３は二乗屈折率分布形レンズ、６はハー
フミラ−１７は信号光である。
通常、これらの用途に半導体レーザを用いる場合には、
第１図に示すように半導体レーザ１から出射された信号
光を半導体レーザ１とは独立に設置されたレンズ媒体２
で集束した後に光フアイバ３等の外部導波路へ結合させ
ることが多い。また、さらに光ファイバ３に伝搬されて
いる信号を複数の光ファイバに分配する際には、第２図
に示すように光ファイバ３から出た信号光は二乗屈折率
レンズ４−１によってコリメートされた後、レンズの中
心軸に対して４５°の角度に置かれたノ・−フ・ミラー
６によって一部は反射され、一部は透過される。反射さ
れた信号光は二乗屈折率分布形レンズ４−３によって収
束され、光ファイバ６−２に結合される。また透過した
光は同様に二乗屈折率形レンズ４−２によって収束され
、光ファイバ５−１に結合される。従来の光分配器を光
通信システムは以上のように構成されていた。
第１図に示すように半導体レーザ１から出射された信号
光を半導体レーザ１とは独立に設置されたレンズ媒体２
で集束した後に光フアイバ３等の外部導波路へ結合させ
ることが多い。また、さらに光ファイバ３に伝搬されて
いる信号を複数の光ファイバに分配する際には、第２図
に示すように光ファイバ３から出た信号光は二乗屈折率
レンズ４−１によってコリメートされた後、レンズの中
心軸に対して４５°の角度に置かれたノ・−フ・ミラー
６によって一部は反射され、一部は透過される。反射さ
れた信号光は二乗屈折率分布形レンズ４−３によって収
束され、光ファイバ６−２に結合される。また透過した
光は同様に二乗屈折率形レンズ４−２によって収束され
、光ファイバ５−１に結合される。従来の光分配器を光
通信システムは以上のように構成されていた。
しかしながら、上述のシステムでは以下のような欠点を
有していた。第１に、面発光型ではない通常の半導体レ
ーザでは、共振器の出射端面上の大きさが数μｍ程度と
きわめて小さいために回折効果により出射ビームが数十
炭鉱がってしまう。
有していた。第１に、面発光型ではない通常の半導体レ
ーザでは、共振器の出射端面上の大きさが数μｍ程度と
きわめて小さいために回折効果により出射ビームが数十
炭鉱がってしまう。
しだがって、このようなレーザから出射された光ビーム
を外部導波路との結合効率を高めるために真円度よく収
束させるだめには、外部に設置された特殊な光学系が必
要とされ、系全体が大型化してしまうという欠点を有し
ていた。第２に、上述のような光分配器の構成では信号
光はハーフ・ミラーによる反射光・透過光の２分配のみ
にしか分配できないため、さらに分配数を増やすだめに
は同様の構成をもつ光分配器を以後の系にそう人しなく
てはならず、系全体が大型化・複雑化するという欠点を
有していた。
を外部導波路との結合効率を高めるために真円度よく収
束させるだめには、外部に設置された特殊な光学系が必
要とされ、系全体が大型化してしまうという欠点を有し
ていた。第２に、上述のような光分配器の構成では信号
光はハーフ・ミラーによる反射光・透過光の２分配のみ
にしか分配できないため、さらに分配数を増やすだめに
は同様の構成をもつ光分配器を以後の系にそう人しなく
てはならず、系全体が大型化・複雑化するという欠点を
有していた。
発明の目的
本発明の目的は、上述の欠点を除去することができる、
すなわち半導体レーザとその出力信号光を複数に分配す
る機能あるいはレンズのように光を収束する機能を有す
る光結合器とを一体化した、小型で高性能な半導体光発
生装置を提供することを目的としている。
すなわち半導体レーザとその出力信号光を複数に分配す
る機能あるいはレンズのように光を収束する機能を有す
る光結合器とを一体化した、小型で高性能な半導体光発
生装置を提供することを目的としている。
発明の構成
上述の目的を達成するために本発明によれば、半導体レ
ーザとして光を狭山射角かつ大放射面積で取り出しが可
能な面発光半導体レーザを用い、共振器として面発光半
導体レーザの活性層上に複数の光導波層の積層された周
期構造体よりなるものを用いることによシ、面発光半導
体レーザから出射した信号光は、面発光半導体レーザ出
射端面に形成された透過型回折格子を通過することによ
り高い次数捷で強度が高く分配され、外部の光学系を必
要としない小型で安定な光分配器としての機能を有する
半導体光発生装置を実現できることとなる。
ーザとして光を狭山射角かつ大放射面積で取り出しが可
能な面発光半導体レーザを用い、共振器として面発光半
導体レーザの活性層上に複数の光導波層の積層された周
期構造体よりなるものを用いることによシ、面発光半導
体レーザから出射した信号光は、面発光半導体レーザ出
射端面に形成された透過型回折格子を通過することによ
り高い次数捷で強度が高く分配され、外部の光学系を必
要としない小型で安定な光分配器としての機能を有する
半導体光発生装置を実現できることとなる。
実施例の説明
本発明における、外部光学系を必要としないで直接に信
号光を複数に分配させ得る機能を有する半導体光発生装
置の構造を第３図に示す。図中８は面発光半導体レーザ
、９は基板面、１０は基板、１１は活性層、１２は積層
型′光導波層、１３は共振器内におけるレーザ光、１４
はコリメート状態で出射する出力光を複数に分配する透
過型回折格子、１６は透過型回折格子１４により分配さ
れた出力信号光である。
号光を複数に分配させ得る機能を有する半導体光発生装
置の構造を第３図に示す。図中８は面発光半導体レーザ
、９は基板面、１０は基板、１１は活性層、１２は積層
型′光導波層、１３は共振器内におけるレーザ光、１４
はコリメート状態で出射する出力光を複数に分配する透
過型回折格子、１６は透過型回折格子１４により分配さ
れた出力信号光である。
この面発光半導体レーザは、基板面９と活性層１１上に
エピタキシャル成長された回折格子機能をもつ積層型光
導波層１２とを両弁振器面としてレーザ発振作用を有す
ることを特徴とする。このレーザの発振波長は、活性層
１１の利得範囲内で周期構造を持つ積層型光導波層１２
の厚み及び屈折率を変えることで任意に選択することが
できる。
エピタキシャル成長された回折格子機能をもつ積層型光
導波層１２とを両弁振器面としてレーザ発振作用を有す
ることを特徴とする。このレーザの発振波長は、活性層
１１の利得範囲内で周期構造を持つ積層型光導波層１２
の厚み及び屈折率を変えることで任意に選択することが
できる。
通常の半導体レーザと異り面発光半導体レーザは、出力
信号を大面積かつコリメート状態で取り出すことが可能
であるため、透過型回折格子１４を用いて出力信号光を
分配する際にはスポットサイズを小さくできるという利
点がある。
信号を大面積かつコリメート状態で取り出すことが可能
であるため、透過型回折格子１４を用いて出力信号光を
分配する際にはスポットサイズを小さくできるという利
点がある。
固体表面上に周期的凹凸を形成する方法として、光集積
回路用の微細な周期が必要とされる場合には、通常、ホ
ログラフィ−を応用した干渉露光法や電子ビーム露光法
等が利用されるが、本実施例の場合周期が１０μｍ程度
と大きいため、マスク露光、を用いたフォトリソ技術で
対応し得る。所望する周期の回折格子が作製可能なマス
クを用いて、面発光半導体レーザの発光領域を含む表面
上にレジスト回折格子を作成する。
回路用の微細な周期が必要とされる場合には、通常、ホ
ログラフィ−を応用した干渉露光法や電子ビーム露光法
等が利用されるが、本実施例の場合周期が１０μｍ程度
と大きいため、マスク露光、を用いたフォトリソ技術で
対応し得る。所望する周期の回折格子が作製可能なマス
クを用いて、面発光半導体レーザの発光領域を含む表面
上にレジスト回折格子を作成する。
次に、作成したレジスト回折格子をマスクとして適当な
エツチング液によりエツチング処理を行うことにより、
この回折格子パターンを面発光半導体レーザ８の発光表
面上に転写することができる。作成した回折格子１４の
形状及び深さは、信号光を分配する時の回折効率と密接
な関係があるため、信号光の分配数を増やすためには、
材質、結晶方位に応じた適当なエツチング液及びエツチ
ング条件を考慮する必要がある。
エツチング液によりエツチング処理を行うことにより、
この回折格子パターンを面発光半導体レーザ８の発光表
面上に転写することができる。作成した回折格子１４の
形状及び深さは、信号光を分配する時の回折効率と密接
な関係があるため、信号光の分配数を増やすためには、
材質、結晶方位に応じた適当なエツチング液及びエツチ
ング条件を考慮する必要がある。
この回折格子は透過型回折格子として働き、回折光は高
い次数のものまで強度が高いという特徴を有している。
い次数のものまで強度が高いという特徴を有している。
第３図において、面発光半導体レーザ８から出射した信
号光は、この透過型回折格子１４を通過することによっ
て回折作用を受け、回折格子からある距離ｄだけ離れた
位置に結像する。
号光は、この透過型回折格子１４を通過することによっ
て回折作用を受け、回折格子からある距離ｄだけ離れた
位置に結像する。
発振波長λ、回折格子の周期；ｌ、結像した信号光のパ
ターン間隔、Δの間には、 Δ−ｄ−，の関係式が成立する。
ターン間隔、Δの間には、 Δ−ｄ−，の関係式が成立する。
ここで、ｄ及びΔは使用するファイバの径に合わせて任
意に設定することができる。
意に設定することができる。
上述の方法によれば、本装置は面発光半導体レーザの出
射端面上に直接に形成された透過型回折格子により出射
した信号光を自ら分配する機能を有し、複数のファイバ
等の外部光伝送路との直接高効率結合が可能と彦る。
射端面上に直接に形成された透過型回折格子により出射
した信号光を自ら分配する機能を有し、複数のファイバ
等の外部光伝送路との直接高効率結合が可能と彦る。
発明の効果
本発明によれば、光源自体が出射した信号光を複数に分
配する機能を有するため、光分配器等外部光学系が不要
になり装置を小型化・安定化することができ、また、光
学部品の配置精度の問題を低減できるため、光源と光伝
送路の結合効率を高めることができる。そして、それら
の結果として光フアイバ通信システムや光情報処理用の
小型でかつ高性能な半導体光発生装置を実現できる。
配する機能を有するため、光分配器等外部光学系が不要
になり装置を小型化・安定化することができ、また、光
学部品の配置精度の問題を低減できるため、光源と光伝
送路の結合効率を高めることができる。そして、それら
の結果として光フアイバ通信システムや光情報処理用の
小型でかつ高性能な半導体光発生装置を実現できる。
第１図は半導体レーザの出力光を光学素子へ結合するだ
めの従来例の概略構成図、第２図は光ファイバに伝搬し
ている信号光の光分配器の概略構成図、第３図は本発明
の実施例の半導体光発生装置の概略構成図である。 ８・・・・・・面一発光半導体レーザ、９・・・・・・
基板面、１０・・・・・基板、１１・・・・活性層、１
２・・・・・・積層型光導波層、１３・・・・共振器内
におけるレーザ光、１４・ 透過型回折格子、１５・・
・・・・分配された出方信号光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第
１ 図 第２図
めの従来例の概略構成図、第２図は光ファイバに伝搬し
ている信号光の光分配器の概略構成図、第３図は本発明
の実施例の半導体光発生装置の概略構成図である。 ８・・・・・・面一発光半導体レーザ、９・・・・・・
基板面、１０・・・・・基板、１１・・・・活性層、１
２・・・・・・積層型光導波層、１３・・・・共振器内
におけるレーザ光、１４・ 透過型回折格子、１５・・
・・・・分配された出方信号光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第
１ 図 第２図
Claims (2)
- （１）半導体レーザと光結合器とを備え、前記半導体レ
ーザが出力光を基板上のエピタキシャル成長面と垂直に
取シ出し得る面発光半導体レーザであり、前記光結合器
が前記半導体レーザの出力光を取り出すり・出射端面上
に形成された透過型回折格子を有することを特徴とする
半導体光発生装置。 - （２）面発光半導体レーザが基板の一主面上に形成され
た活性層と、前記活性層上に形成された複数の光導波層
の積層された周期構造体とを含み、前記基板の一主面と
垂直に光を出射させることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の半導体光発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58231742A JPS60123084A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | 半導体光発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58231742A JPS60123084A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | 半導体光発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60123084A true JPS60123084A (ja) | 1985-07-01 |
Family
ID=16928325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58231742A Pending JPS60123084A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | 半導体光発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60123084A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4894833A (en) * | 1988-08-09 | 1990-01-16 | General Electric Company | Surface emitting lasers with combined output |
| JPH04505224A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-09-10 | ナショナル リサーチ カウンシル オブ カナダ | モノリシック半導体高調波レーザ光源 |
| WO1994013043A1 (de) * | 1992-12-03 | 1994-06-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Oberflächenemittierende laserdiode |
| WO1994013044A1 (de) * | 1992-12-03 | 1994-06-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Abstimmbare oberflächenemittierende laserdiode |
| EP0709938A3 (en) * | 1994-10-31 | 1997-10-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Device for coupling waveguides, device for beam bundling, and device for optical disks |
| WO1998057402A1 (en) * | 1997-06-11 | 1998-12-17 | Honeywell Inc. | Resonant reflector for improved optoelectronic device performance and enhanced applicability |
| US6727520B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-04-27 | Honeywell International Inc. | Spatially modulated reflector for an optoelectronic device |
| US6782027B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-08-24 | Finisar Corporation | Resonant reflector for use with optoelectronic devices |
| US6836501B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-12-28 | Finisar Corporation | Resonant reflector for increased wavelength and polarization control |
| WO2007088164A2 (en) * | 2006-02-03 | 2007-08-09 | University College Cork - National University Of Ireland | Vertical cavity surface emitting laser device |
| JP2013502716A (ja) * | 2009-08-20 | 2013-01-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 角度選択的なフィードバックを有する縦キャビティ面発光レーザー装置 |
| US8599897B2 (en) | 2000-12-29 | 2013-12-03 | Finisar Corporation | Tunable detector |
-
1983
- 1983-12-08 JP JP58231742A patent/JPS60123084A/ja active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4894833A (en) * | 1988-08-09 | 1990-01-16 | General Electric Company | Surface emitting lasers with combined output |
| JPH04505224A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-09-10 | ナショナル リサーチ カウンシル オブ カナダ | モノリシック半導体高調波レーザ光源 |
| JP2693269B2 (ja) * | 1990-06-29 | 1997-12-24 | ナショナル リサーチ カウンシル オブ カナダ | モノリシック半導体高調波レーザ光源 |
| WO1994013043A1 (de) * | 1992-12-03 | 1994-06-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Oberflächenemittierende laserdiode |
| WO1994013044A1 (de) * | 1992-12-03 | 1994-06-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Abstimmbare oberflächenemittierende laserdiode |
| EP0672310A1 (de) * | 1992-12-03 | 1995-09-20 | Siemens Ag | Oberflächenemittierende laserdiode. |
| EP0709938A3 (en) * | 1994-10-31 | 1997-10-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Device for coupling waveguides, device for beam bundling, and device for optical disks |
| EP1309051A1 (en) * | 1997-06-11 | 2003-05-07 | Honeywell Inc. | Resonant reflector for improved optoelectronic device performance and enhanced applicability |
| WO1998057402A1 (en) * | 1997-06-11 | 1998-12-17 | Honeywell Inc. | Resonant reflector for improved optoelectronic device performance and enhanced applicability |
| US6727520B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-04-27 | Honeywell International Inc. | Spatially modulated reflector for an optoelectronic device |
| US6782027B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-08-24 | Finisar Corporation | Resonant reflector for use with optoelectronic devices |
| US6836501B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-12-28 | Finisar Corporation | Resonant reflector for increased wavelength and polarization control |
| US7266135B2 (en) | 2000-12-29 | 2007-09-04 | Finisar Corporation | Method for producing laser with resonant reflector |
| US7288421B2 (en) | 2000-12-29 | 2007-10-30 | Finisar Corporation | Method for forming an optoelectronic device having an isolation layer |
| US7760786B2 (en) | 2000-12-29 | 2010-07-20 | Finisar Corporation | Laser with resonant reflector |
| US8599897B2 (en) | 2000-12-29 | 2013-12-03 | Finisar Corporation | Tunable detector |
| WO2007088164A2 (en) * | 2006-02-03 | 2007-08-09 | University College Cork - National University Of Ireland | Vertical cavity surface emitting laser device |
| WO2007088164A3 (en) * | 2006-02-03 | 2008-01-24 | Univ College Cork Nat Univ Ie | Vertical cavity surface emitting laser device |
| JP2013502716A (ja) * | 2009-08-20 | 2013-01-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 角度選択的なフィードバックを有する縦キャビティ面発光レーザー装置 |
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