JP2004523896A - 光電子デバイス用の空間変調された反射器 - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
本発明は、光電子デバイスの分野に関し、より詳細には、光電子デバイス用の共振反射器に関する。
【背景技術】
【0002】
現代技術において、例えば、通信システム、レーザプリンタ、コンパクトディスクプレーヤなどの様々な装置のための光源の選択肢として、広範囲にわたる従来型半導体レーザの使用法が発見されてきた。これらの応用例の多くの場合、半導体レーザは、光ファイバリンク又はさらには自由空間を介して、半導体受信機(例えばフォトダイオード)に結合される。この構成により、高速な通信経路を得ることができる。単一モード出力または縮小モード(reduced mode)出力を有するレーザは、とりわけ小さいスポットサイズを実現することができるので、これらの応用例の多くに特に適している。
【0003】
典型的な端面発光型半導体レーザは、狭バンドギャップの高屈折率層が、対向する主要面上で広バンドギャップの低屈折率層によって囲まれる2重ヘテロ構造である。低バンドギャップ層は、「活性層」と呼ばれ、バンドギャップの差及び屈折率の差が、電荷キャリア及び光エネルギーの双方を、活性層又は活性領域に閉じ込める働きをする。活性層の両端は、レーザ・キャビティを形成するミラー・ファセットを有する。クラッディング層は逆の伝導率タイプを有し、電流がこの構造を通過するとき、電子と正孔が活性層で結合し、光を生成する。
【0004】
過去10年間に台頭してきた他のタイプの半導体レーザは、面発光型レーザである。いくつかのタイプの面発光型レーザが開発されている。特に有望なそのようなレーザの1つは、「垂直キャビティ面発光型レーザ」(VCSEL:Vertical Cavity Surface Emitting Laser)と呼ばれる。(このレーザの説明については、例えば「Surface−emitting microlasers for photonic switching and interchip connections」、Optical Engineering、29、pp.210−214、March 1990を参照。)他の例として、参照により本明細書に組み込まれるYong H.Lee等による1992年5月19日発行の「Top−emitting Surface Emitting Laser Structures」という名称の米国特許第5,115,442号、および参照により本明細書に組み込まれる1995年12月12日にMary K.Hibbs−Brennerに発行された「Integrated Laser Power Monitor」という名称の米国特許第5,475,701号に留意されたい。さらに、「Top−surface−emitting GaAs four−quantum−well lasers emitting at 0.85μm」、Electronics Letters、26、pp.710−711、May 24、1990も参照されたい。)
垂直キャビティ面発光型レーザは、従来の端面発光型レーザに勝る、多数の性能上の利点および潜在的製造性上の利点を提供する。これらには、1次元アレイ及び2次元アレイに適用できること、ウェハレベルの適性、および通常は円対称な低発散ビームである望ましいビーム特性など、その幾何形状に関連する多くの利点が含まれる。
【0005】
VCSELは、通常、バルク層あるいは1つまたは複数の量子井戸層を有する活性領域を有する。活性領域の両側にはミラー・スタックがあり、ミラー・スタックは、通常、各層が(媒体中の)注目の波長でそれぞれ1/4波長の厚さとなるような特性を有する、交互配置された半導体層によって形成され、それによって、レーザ・キャビティのためのミラーが形成される。活性領域の両側には、逆の伝導率タイプの領域が存在し、レーザは、通常、活性領域を通過する電流を変化させることによって、オンおよびオフされる。
【0006】
高歩留まりの高性能VCSELが発表され、製品化において利用されている。頂面放射型のAlGaAsベースのVCSELは、半導体集積回路と同様に製造可能であり、低コストで大量に製造しやすく、既存のエレクトロニクス技術プラットフォームと統合しやすい。さらに、VCSELの一様性および再現可能性が、非常に高いデバイス歩留まりを与える、標準的な未変更の市販の金属有機気相エピタキシ(MOVPE)チャンバおよび分子線エピタキシ(MBE)を使用して、実証されている。
【0007】
VCSELは、高速な(例えばGbits/s)媒体距離(例えば最大約1000メートル)の単一チャネル又は多重チャネル・データリンク応用例や、多数の光および/または画像形成応用例で、性能上およびコスト上の利点を提供すると予想される。これは、潜在的に低コスト高性能の送信機に柔軟かつ望ましい特性を与える、VCSELの固有の幾何形状の結果として得られる。
【0008】
ほとんどの実用的な寸法のVCSELは、本質的に多(横)モードである。単一モードファイバに結合する際に、単一最低次モードVCSELが好まれ、単一最低次モードVCSELは、自由空間および/または波長感応性システムにとって有利であり、さらには標準的な50μmおよび62.5μmGRIN多モードファイバの帯域距離積の拡張に使用するのにも有益である。しかし、VCSELの短い光キャビティ(2λ)は、単一縦モード発光に有利であるが、多波長(10λ)の横方向寸法は、多重横モード動作を容易にする。
【0009】
高次モードは、通常、光キャビティまたはレイジング(lasing)・キャビティの中心から離れたところに、より高い横方向エネルギー濃度を有する。したがって、最低次円対称モードだけでレーザを強制的に発振させる最も自明な方法は、活性領域の横方向寸法を、高次モードがしきい値に達するのを防止するのに十分となるように小さく作成することである。しかし、このことにより、典型的なVCSELに対して約5μm未満の横方向寸法が必要となる。このような小さいエリアにより、抵抗が過剰となり、従来の製造方法によって得ることができる限界が圧迫される可能性がある。このことは、特に、横方向の散在が限定因子となる可能性のある約1μmよりも厚い注入深さに対して当てはまる。したがって、VCSELの現実的な寸法に対して、横モードの制御は、依然として難しい。
【0010】
VCSELで横モードを制御する一手法が、Hadley等の米国特許第5,903,590号で提案されている。Hadley等は、VCSELの光キャビティの周囲に延びるモード制御領域を設けることを提案している。このモード制御領域は、VCSELの中心付近の光キャビティ長とは異なる光キャビティ長を与える。これは、モード制御領域での反射率を減少させる助けになる。Hadley等の制限は、モード制御領域が中央の光キャビティの後に形成されることであり、それにより、処理ステップが著しく追加され、デバイスのコストが増大する。加えて、モード制御領域と光キャビティとの間に反射率の急激な変化が存在する。この急激な変化により回折効果が引き起こされる可能性があり、これにより、VCSELの効率および品質が低下する可能性がある。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【0011】
(発明の概要)
本発明は、著しい量の追加の処理ステップを必要とせずに、モード制御を向上させる共振反射器を提供することにより、従来技術の欠点の多くを克服する。本発明のいくつかの共振反射器はまた、共振反射器上の反射率の急激な変化を低減し又はなくする。これにより、多くの共振反射器、特に光電子デバイスのモード制御に使用される共振反射器で一般的な、望ましくない回折効果を低減することができる。
【0012】
本発明の1つの例示的実施形態では、共振反射器が、光電子デバイスの頂部ミラー層の頂部に設けられる。共振反射器を形成する際、第1材料層が、頂部ミラー層上に設けられる。次いで第1材料層は、好ましくは光電子デバイスの所望の光キャビティを取り囲む1つまたは複数の領域中の第1材料層をエッチング除去することによって、パターン形成される。次いで第2材料層が、第1材料層上に設けられる。第2材料層を、第1材料層のエッチング済み領域と非エッチング領域の両方の上に設けることが好ましいが、望むなら非エッチング領域上にだけ設けることもできる。
【0013】
関連実施形態では、光電子デバイスの頂部ミラー層は、上記で論じた第1材料層として働くことができる。したがって、頂部ミラー層を、好ましくは光電子デバイスの所望の光キャビティを取り囲む1つまたは複数の領域中の頂部ミラー層を少なくとも部分的にエッチングすることによって、パターン形成することができる。一実施形態では、頂部ミラー層の下の層は、エッチング・ストップ層として働くことができる。次いで、第2材料層が、頂部ミラー層上に設けられる。第2材料層を、頂部ミラー層のエッチング済み領域と非エッチング領域の両方の上に設けることが好ましいが、望むなら非エッチング領域上にだけ設けることもできる。
【0014】
第1材料層(または代替実施形態では頂部ミラー層)は、第2材料層の屈折率よりも大きい屈折率を有することが好ましく、第1材料層および第2材料層は、光電子デバイスの頂部ミラー層(または代替実施形態ではすぐ下の層)の屈折率よりも小さい屈折率を有することが好ましい。これにより、第1材料層(または頂部ミラー層)のエッチング済み領域に対応する領域での共振反射器の反射率が低下する。反射率の差を使用して、光電子デバイスについてのモード制御を実現することができる。
【0015】
本発明の別の例示的実施形態では、光電子デバイスの頂部ミラー層のうち1つまたは複数を下方にエッチングするが、すべてを貫かないことによって、共振反射器が形成される。好ましくは、エッチングされる領域は、光電子デバイスの所望の光キャビティを取り囲み、λ/4の奇数倍に対応する深さなど、所望の動作波長で共振反射器の反射率を低減する位相ずれを引き起こす深さを有する。いっそうの差別化をもたらすために、光電子デバイスの所望の光キャビティ上などの、頂部ミラー層の選択した非パターン形成領域上に、1つまたは複数の追加の層を有するキャップ・ミラーを設けることができる。頂部ミラー層の選択したパターン形成済み領域上に、金属層を設けることができる。金属層は、頂部接点層として働くことができる。
【0016】
本発明のさらに別の例示的実施形態では、光電子デバイスの光キャビティ上で屈折率が急激に変化しない共振反射器が提供される。好ましい実施形態では、この共振反射器は、例えば、第1屈折率を有する第1材料と、第2屈折率を有する第2材料との両方からの寄与を含む屈折率を有する少なくとも1つの共振反射器層を有する。好ましい実施形態では、第1材料は、第1領域に閉じ込められ、第2材料は、第2領域に閉じ込められ、第1領域と第2領域は、界面に沿って共に延びる。界面を光電子デバイスの光軸と非平行にすることにより、少なくとも光電子デバイスの光キャビティに沿って横方向から見たとき、共振反射器層の屈折率は、光キャビティ上で急激に変化しない。むしろ、ある屈折率から別の屈折率に滑らかに遷移する。これにより、共振反射器の屈折率の急激な変化によって引き起こされる回折効果を低減することができる。
【0017】
ある屈折率から別の屈折率への滑らかな遷移を有する共振反射器層を形成するために、いくつかの方法が企図される。1つの例示的方法では、ほぼ平坦な材料の第1層が、設けられ、次いでパターン形成され、所望の光キャビティ上に島が形成される。次いで島は、熱せられ、リフローされる。これにより、非平面の頂面を有する材料の第1層の島が得られる。次いで材料の第2層が、材料の第1層上に設けられる。材料の第1層の島は、非平面の頂面、好ましくは先細りの頂面を含むので、材料の第2層は、光電子デバイスの光軸と非平行な第1材料層との界面を形成する。前述のように、これにより、共振反射器の屈折率の急激な変化によって引き起こされる回折効果を低減することができる。
【0018】
別の例示的方法では、材料のほぼ平坦な第1層が設けられ、その後にフォトレジスト層が続く。次いでフォトレジスト層は、パターン形成され、好ましくはフォトレジストの島が形成される。次いでフォトレジストの島が、熱せられ、リフローされる。これにより、フォトレジスト層上に、非平面の頂面、好ましくは材料の第1層に向かって先細りになる頂面が得られる。次に、フォトレジスト層および材料の第1層が、指定の期間エッチングされる。エッチング液は、フォトレジスト層と材料の第1層との双方を選択的にエッチングし、それによって、フォトレジスト層の非平面の頂面の形状を、材料の第1層に転写させる。次いで、望むなら材料の第2層が、材料の第1層上に設けられる。材料の第1層は、フォトレジストの島の形状を帯び、したがって先細りの頂面を有するので、材料の第2層は、光電子デバイスの光軸と非平行な第1材料層との界面を形成する。前述のように、これにより、共振反射器の屈折率の急激な変化によって引き起こされる回折効果を低減することができる。
【0019】
本発明のさらに別の例示的方法では、ほぼ平坦な材料の第1層が設けられ、パターン形成され、材料の第1層の島が得られる。第1材料層の島は、頂部周縁によって画定される頂面まで延びる側面を有することが好ましい。次いでフォトレジスト層が、側面、頂部周縁、および頂面を含む、パターン形成された材料の第1層上に設けられる。頂面から側面に沿う段により、頂部周縁付近でフォトレジスト層が薄くなる。
【0020】
次いでフォトレジスト層および材料の第1層が、指定の期間エッチングされる。このエッチング工程の間、フォトレジスト層の薄い領域に隣接する材料の第1層の領域は、フォトレジスト層の厚い領域に隣接する領域よりも長い期間、エッチング液にさらされる。したがって、この例示的実施形態では、材料の第1層の頂部周縁は、頂部周縁から離れた領域よりも、多くエッチングされる。エッチング工程の後、材料の第2層を、材料の第1層上に設けることができる。
【0021】
上記の各実施形態では、材料の第2層を熱してリフローさせることにより、材料の第2層の頂面を平坦化することができる。あるいは、またはそれに加えて、化学機械研磨(CMP)工程を使用して、材料の第2層の頂面を平坦化することもできる。あるいは、望むなら材料の第2層の頂面を、本質的に非平面のままにすることもできる。
【0022】
本発明のその他の目的、及び、本発明の付随的な利点の多くは、添付の図面と共に考慮するときに、以下の詳細な説明によってより良く理解できるので、容易に理解するであろう。添付の図面では、同様の参照符号は、各図全体にわたって同様の部分を指す。
【発明を実施するための最良の形態】
【0023】
図1は、従来技術による平面電流ガイド式GaAs/AlGaAs上面発光型垂直キャビティレーザ10の概略図である。nドープトガリウム砒素(GaAs)基板14上に、n接点12が形成される。基板14は、第1タイプ(すなわちn型)の不純物でドープされる。n型ミラー・スタック16が、基板14上に形成される。スタック16上に、スペーサ18が形成される。スペーサ18は、活性領域22の周りに、底部閉込め層20と頂部閉込め層24を有する。p型ミラー・スタック26が、閉込め層24上に形成される。p金属層28が、スタック26上に形成される。発光領域は、パシベーション層30を有することができる。
【0024】
分離領域29は、活性領域を流れる電流27の領域を制限する。領域29は、深いH+イオン注入によって、形成することができる。直径「g」を設定して、所望の活性領域、すなわちVCSEL 10の利得開口を、設けることができる。さらに、p型ミラー・スタック26の所望の抵抗によって、特に非伝導領域29を通じて、直径「g」を設定することができる。したがって、非伝導領域29は、利得導波機能を実施する。直径「g」は、通常、注入ステップ中の横方向の散在などの製造上の制限によって制限される。
【0025】
スペーサ18は、ミラー・スタック16及び26の間に配置されたバルク領域または量子井戸活性領域を含むことができる。量子井戸活性領域22は、アルミニウム・ガリウム砒素(AlGaAs)障壁層とGaAs量子井戸層との交互層を有することができる。特にGaAsが透明である場合に発光波長(例えばλ=980nm)が望ましい場合、活性領域で、InGaAs量子井戸を使用することもできる。スタック16および26は、分布ブラッグ反射器(DBR:Distributed Bragg Reflector)スタックであり、ドープトAlGaAsおよび砒化アルミニウム(AlAs)の周期層を含むことができる。スタック16のAlGaAsは、基板14と同じタイプ不純物(例えばn型)でドープされ、スタック26のAlGaAsは、他の種類の不純物(例えばp型)でドープされる。
【0026】
金属接点層12および28は、レーザ・ダイオード10の適切な電気的バイアスを可能にするオーム接触である。接点12よりも高い正電圧が、接点28に与えられて、レーザ・ダイオード10に順方向バイアスがかけられるとき、活性領域22は、光31を放出し、光31は、スタック26を通過する。
【0027】
ほとんどの実用的な寸法のVCSELは、本質的に、多(横)モードである。単一モードファイバに結合する際に、単一最低次モードVCSELが好まれ、単一最低次モードVCSELは、自由空間および/または波長感応性システムにとって有利であり、さらには標準的な50μmおよび62.5μmGRIN多モードファイバの帯域距離積の拡張に使用するのにも有益である。しかし、VCSELの短い光キャビティ(2λ)は、単一縦モード発光に有利であるが、多波長(10λ)の横方向寸法は、多重横モード動作を容易にする。
【0028】
前述のように、高次モードは、通常、光キャビティまたはレイジング・キャビティの中心から離れたところに、より高い横方向エネルギー濃度を有する。したがって、最低次円対称モードだけでレーザを強制的に発振させる最も自明な方法は、活性領域の横方向寸法「g」を、高次モードがしきい値に達するのを防止するのに十分となるように小さく作成することである。しかし、このことにより、典型的なVCSELに対して約5μm未満の横方向寸法が必要となる。このような小さいエリアの結果、抵抗が過剰となり、従来の製造方法によって得ることができる限界が圧迫される可能性がある。このことは、特に、横方向の散在が限定因子となる可能性のある約1μmよりも厚い注入深さに対して、当てはまる。したがって、VCSELの現実的な寸法に対して、横モードの制御は、依然として難しい。
【0029】
光電子デバイスの横モードを制御する1つの例示的手法を図2に示す。図2は、頂部装着モード制御共振反射器50を備える、図1と同様の平面電流ガイド式GaAs/AlGaAs上面発光型垂直キャビティレーザの概略側断面図である。共振反射器50は、VCSEL 54の頂部ミラー層52の頂部に配置された、パターン形成済み第1材料層56を含む。図示するように、第2材料層58が、パターン形成済み第1材料層56上に、設けられる。
【0030】
第1材料層56は、第2材料層58の屈折率よりも大きい屈折率を有することが好ましく、第1材料層56および第2材料層58は、光電子デバイス54の頂部ミラー層52の屈折率よりも小さい屈折率を有することが好ましい。一例として、第1材料層56は、SiO2であり、第2材料層58は、Si3N4またはTiO2であり、頂部ミラー層52は、AlGaAsであるが、他の適切な材料系も、企図される。各層は、1/4波長(λ/4)の偶数倍の厚さであることが好ましい。これにより、第1材料層56中のエッチング済み領域60(図3B参照)に対応する領域、すなわち第2材料層58で充填される領域での共振反射器50の反射率が減少する。エッチング済み領域が所望の光キャビティを取り囲むように設計することにより、この反射率の差を使用して、VCSEL 54についてのモード制御を実現する助けとすることができる。
【0031】
次に図3Aを参照すると、共振反射器50を形成する際に、第1材料層56が、頂部ミラー層52上に設けられる。図3Bに示すように、第1材料層56は、好ましくはVCSEL 54の所望の光キャビティを取り囲む1つまたは複数の領域中の第1材料層56をエッチング除去することによって、パターン形成される。図3Cに示すように、第2材料層58が、第1材料層56上に設けられる。第2材料層58を、第1材料層56のエッチング済み領域60と非エッチング領域との両方の上に設けることが好ましいが、望むなら非エッチング領域上にだけ、設けることもできる。次いで第2材料層58の領域62aおよび62bなどの選択領域を、除去して、頂部ミラー層52へのアクセスを設けることができる。次いで、図3Dに示すように、接点層64を、頂部ミラー層52の露出領域上に設けることができる。接点層64は、頂部ミラー層52への電気的接点を提供することができる。
【0032】
関連実施形態では、光電子デバイスの頂部ミラー層は、上記で論じた第1材料層56として、働くことができる。したがって、頂部ミラー層を、好ましくは光電子デバイスの所望の光キャビティを取り囲む1つまたは複数の領域中の頂部ミラー層を少なくとも部分的にエッチングすることによって、パターン形成することができる。一実施形態では、頂部ミラー層の下の層52は、エッチング・ストップ層として、働くことができる。次いで、第2材料層58が、頂部ミラー層上に設けられる。第2材料層を、頂部ミラー層のエッチング済み領域と非エッチング領域との両方の上に設けることが好ましいが、望むなら非エッチング領域上にだけ、設けることもできる。この実施形態では、図2〜図3で56と符号を付けた領域は、層53と同じ網目パターンを有するべきであり、これらの領域の屈折率は、層52の屈折率よりも低くなるべきである。
【0033】
光電子デバイスの横モードを制御する別の例示的手法を図4に示す。図4は、別の例示的な頂部装着モード制御共振反射器70を備える、図1と同様の平面電流ガイド式GaAs/AlGaAs上面発光型垂直キャビティレーザの概略側断面図である。この実施形態では、共振反射器70は、光電子デバイスの頂部ミラー層72のうち1つまたは複数を下方にエッチングするが、すべてを貫かないことによって形成される。好ましくは、74に一般的に示すエッチング済み領域は、光電子デバイスの所望の光キャビティを取り囲み、λ/4の奇数倍に対応する深さなど、所望の動作波長で共振反射器70の反射率を低減する位相ずれを引き起こす深さを有する。いっそうの差別化をもたらすために、光電子デバイスの所望の光キャビティ上などの、頂部ミラー層72の選択した非パターン形成領域上に、1つまたは複数の追加の層を有するキャップ・ミラー76を設けることができる。キャップ・ミラー70は、従来の半導体DBRミラーの1つまたは複数の周期を含むことができ、またはより好ましくは、ナローバンド誘電体反射フィルタを含むことができる。頂部ミラー層72の選択した領域上に、金属層を設けることができる。金属層は、頂部接点層として、働くことができる。
【0034】
次に図5A〜5Bを参照すると、共振反射器70を形成する際に、頂部ミラー層72(または何らかの他の最上層)がパターン形成され、エッチングされ、1つまたは複数のエッチング済み領域74が形成される。エッチング済み領域74は、光電子デバイスの所望の光キャビティを取り囲むように形成することが好ましい。さらに、入射光中の位相ずれを引き起こす深さまで、エッチング領域74を下方にエッチングし、それによって、その領域中での共振反射器70の反射率を低減することが好ましい。
【0035】
次に、図5Cに示すように、キャップ・ミラー76が、パターン形成済み頂部ミラー層72上に、形成される。前述のように、頂部ミラー層72は、1つまたは複数の半導体DBRミラー周期および/またはナローバンド誘電体反射フィルタを含むことができる。いずれの場合でも、反射率のいっそうの差別化をもたらすために、光電子デバイスの所望の光キャビティに対応するエリア上を除いて、キャップ・ミラー76をエッチング除去することができる。このことを図5Dに示す。あるいは、周知のリフトオフ技法を使用してパターン形成済みキャップ・ミラー76を、形成することもできる。その後で、頂部ミラー層72の選択した領域上に、接点層80を設けることができる。接点層80は、頂部ミラー層72に対する電気的接点を提供することができる。
【0036】
光電子デバイスの横モードを制御する別の例示的手法を図6に示す。図6は、さらに別の例示的な頂部装着モード制御共振反射器90を備える、図1と同様の平面電流ガイド式GaAs/AlGaAs上面発光型垂直キャビティレーザの概略側断面図である。この例示的実施形態では、共振反射器90が有する屈折率は、光電子デバイスの光キャビティ上で、急激に変化しない。
【0037】
好ましい実施形態は、共振反射器90は、屈折率を有する少なくとも1つの共振反射器層92を有する。屈折率は、例えば第1屈折率を有する第1材料94と、第2屈折率を有する第2材料96との両方からの寄与を含むことができる。好ましい実施形態では、第1材料94は、第1領域に閉じ込められ、第2材料は、第2領域に閉じ込められ、第1領域と第2領域は、界面98に沿って共に延びる。界面98を光電子デバイスの光軸100と非平行にすることにより、少なくとも光電子デバイスの光キャビティに沿って横方向から見たとき、共振反射器層の屈折率は、光キャビティ上で急激に変化しない。むしろ、ある屈折率から別の屈折率に滑らかに遷移する。これにより、共振反射器の屈折率の急激な変化によって引き起こされる回折効果が低減される。図示するように、従来の半導体DBRミラーの1つまたは複数の周期、またはより好ましくはナローバンド誘電体反射フィルタ106を、共振反射器90の頂部に設けることができることも企図される。最後に、接点層102を、光キャビティの周囲に設けることができる。図示する実施形態では、接点層102は、頂部ミラー層104と直接接触し、頂部ミラー層104への電気的接点を提供する。
【0038】
ある屈折率から別の屈折率への滑らかな遷移をチャート110にさらに示す。チャート110のX軸は、チャートの上に示したデバイスの、光キャビティに沿った横方向の位置を表す。チャート110のY軸は、共振反射器90と、従来の半導体DBRミラーまたは誘電体反射フィルタ106とを含む頂部ミラーの反射率「R」に対応する。頂部ミラーの反射率「R」は、少なくとも共振反射器90の領域中では、共振反射器層90の屈折率に依存する。
【0039】
光電子デバイスの光キャビティに沿って横方向に左から右に移動すると、反射率は、第1の値112で始まる。共振反射器90、及び、従来の半導体DBRミラーまたは誘電体反射フィルタ106は、この領域まで延びないので、第1の値112を比較的小さく示す。接点層102もまた、この領域での反射率を低下させる可能性がある。
【0040】
共振反射器90の縁部では、反射率が値114まで増加する。値114は、共振反射器層90の第2材料96からの寄与と、従来の半導体DBRミラーまたは誘電体反射フィルタ106からの寄与とを含む。さらに右側に移動すると、第1材料94と第2材料96との相対的寄与により、共振反射器90の屈折率が、変化し始める。これにより、共振反射器90の反射率が、図示するように所望の光キャビティの中心に向かって滑らかに増加する。共振反射器90の反射率は、所望の光キャビティの中心またはその周りで最大値116に達することが好ましい。次いで共振反射器90の反射率は、所望の光キャビティの中心の右側に対して、上記と逆の形で減少する。図からわかるように、共振反射器90の屈折率、すなわち反射率は、光キャビティ上で急激に変化しない。むしろ、ある屈折率から別の屈折率に滑らかに遷移する。これにより、共振反射器の屈折率の急激な変化によって引き起こされる回折効果が低減される。
【0041】
図7A〜図7Dは、図6の共振反射器を作成する第1の例示的方法を示す概略側断面図である。この例示的実施形態では、ほぼ平坦な材料の第1層94が、例えば従来のDBRミラーの頂部ミラー層104上に、設けられる。頂部ミラー層104は、材料の第1層94の屈折率よりも高い屈折率を有することが好ましい。頂部ミラー層104は、例えばAlGaAsでよく、材料の第1層94は、例えばTiO2、Si3N4、あるいはポリアミドまたはベンゾシクロブテン(BCB)などのポリマーでよい。
【0042】
次いで図7Aに示すように、材料の第1層が、パターン形成される。これは、通常、従来のエッチング工程を用いて行われる。図7Bに示すように、次いでパターン形成された材料の第1層104が、熱せられ、リフローされる。これにより、非平面の頂面98が得られる。次いで図7Cに示すように、材料の第2層96が、材料の第1層94上に設けられる。材料の第2層96の頂面105は、ほぼ平面であることが好ましいが、望むなら非平面でもよい。材料の第2層96は、材料の第1層94の屈折率よりも低い屈折率を有することが好ましい。材料の第2層96は、例えばSiO2、ポリマー、またはその他の任意の適切な材料でよい。望むなら、材料の第2層96の頂面105を、例えば材料の第2層96のリフローイング、材料の第2層96の機械研磨、化学研磨、または化学機械研磨(CMP)などを含む任意の適切な方法を用いて、平坦化することができる。ある実施形態では、頂面105は、非平面のままにされる。
【0043】
好ましくは、材料の第2層96が、共振反射器の頂面全体に設けられ、頂部接点102が望まれる領域で、材料の第2層96がエッチング除去される。材料の第2層96をエッチングした後、接点層102が、頂部ミラー層104の露出領域上に、設けられる。接点層102は、頂部ミラー層104に対する電気的接点を提供する。図7Dに示すように、次いでキャップ・ミラー106を、材料の第2層96の上に設けることができる。キャップ・ミラー106は、従来の半導体DBRミラーの1つまたは複数の周期を含むことができ、またはより好ましくは、ナローバンド誘電体反射フィルタを含むことができる。
【0044】
図8A〜8Eは、図6の共振反射器を作成する別の例示的方法を示す概略側断面図である。この例示的実施形態では、図8Aに示すように、ほぼ平坦な材料の第1層94が、例えば従来のDBRミラーの頂部ミラー層104上に、設けられる。頂部ミラー層104は、材料の第1層94の屈折率よりも高い屈折率を有することが好ましい。頂部ミラー層104は、例えばAlGaAsでよく、材料の第1層94は、例えばTiO2、Si3N4、またはその他の任意の適切な材料でよい。次に、フォトレジスト層110が、材料の第1層94上に設けられ、パターン形成され、好ましくは光電子デバイスの所望の光キャビティの上にフォトレジストの島が形成される。
【0045】
図8Bに示すように、次いでフォトレジスト層110が、熱せられ、リフローされる。これにより、フォトレジスト層110上に、非平面の頂面が得られる。すなわち、フォトレジスト層110の頂面は、材料の第1層94に向かって先細りになる部分を有することができる。次に、図8Cに示すように、フォトレジスト層110および材料の第1層94が、指定の期間、エッチングされる。エッチング液が、フォトレジスト層110と材料の第1層94との双方を、選択的にエッチングすることが好ましい。これにより、フォトレジスト層110の非平面の頂面の形状が、材料の第1層94に転写される。
【0046】
図8Dに示すように、次いで材料の第2層96が、材料の第1層94上に設けられる。材料の第2層96は、材料の第1層94の屈折率よりも低い屈折率を有することが好ましい。好ましくは、材料の第2層96が、共振反射器の頂面全体に設けられ、頂部接点102が望まれる領域で、材料の第2層96が、エッチング除去される。材料の第2層96をエッチングした後は、接点層102が、頂部ミラー層104の露出領域上に設けられる。接点層102は、頂部ミラー層104に対する電気的接点を提供する。材料の第2層96の頂面は、ほぼ平面であることが好ましい。図8Eに示すように、望むならキャップ・ミラー106を、材料の第2層96の上に設けることができる。キャップ・ミラー106は、従来の半導体DBRミラーの1つまたは複数の周期を含むことができ、またはより好ましくは、ナローバンド誘電体反射フィルタを含むことができる。
【0047】
図9A〜9Eは、図6の共振反射器を作成するさらに別の例示的方法を示す概略側断面図である。この例示的実施形態では、図9Aに示すように、ほぼ平坦な材料の第1層94が、例えば従来のDBRミラーの頂部ミラー層104上に、設けられる。上記と同様に、頂部ミラー層104は、材料の第1層94の屈折率よりも高い屈折率を有することが好ましい。
【0048】
次に、図9Bに示すように、材料の第1層94が、パターン形成され、好ましくは光電子デバイスの所望の光キャビティの上に島が形成される。これにより、頂部周縁120によって画定される頂面116まで延びる側面118を有する材料の第1層94が得られる。次いでフォトレジスト層114が、側面118、頂部周縁120、および頂面116を含む、パターン形成された材料の第1層94上に設けられる。頂面116と側面118の間の段により、図示するように、パターン形成された材料の第1層94の側面118または頂面116沿いよりも、頂部周縁120付近で、フォトレジスト層114が薄くなる。
【0049】
図9Cに示すように、次いでフォトレジスト層114および材料の第1層94が、指定の期間、エッチングされる。このエッチング・ステップの間、フォトレジスト層114の薄い領域に隣接する材料の第1層94の領域は、フォトレジスト層114の厚い領域に隣接する領域よりも長期間、エッチング液にさらされる。したがって、図9Cに示すように、材料の第1層94の頂部周縁120は、頂部周縁120から離れた領域よりも多くエッチングされ、結果として先細りの縁部122が得られる。
【0050】
エッチング・ステップの後、図9Dに示すように、材料の第1層94上に、材料の第2層96を設けることができる。上記と同様に、材料の第2層96は、材料の第1層94の屈折率よりも低い屈折率を有することが好ましい。好ましくは、材料の第2層96が、共振反射器の頂面全体に設けられ、頂部接点102が望まれる領域で、材料の第2層96が、エッチング除去される。材料の第2層96をエッチングした後、接点層102が、頂部ミラー層104の露出領域上に設けられる。接点層102は、頂部ミラー層104に対する電気的接点を提供する。材料の第2層96の頂面は、ほぼ平面であることが好ましい。
【0051】
図9Eに示すように、望むならキャップ・ミラー106を材料の第2層96の上に設けることができる。キャップ・ミラー106は、従来の半導体DBRミラーの1つまたは複数の周期を含むことができ、またはより好ましくは、ナローバンド誘電体反射フィルタを含むことができる。
【0052】
図10は、図5A〜5Dに示すのと類似の、本発明の別の例示的実施形態を示す概略側断面図である。この実施形態では、最上層110は、光電子デバイスの頂部DBRミラー・スタックの頂部ミラー層または頂部ミラー層の頂部上の追加の層でよく、下方にエッチングすることができるが、すべてを貫かない。好ましくは、エッチングされる領域は、光電子デバイスの所望の光キャビティを取り囲み、λ/4の奇数倍に対応する深さなど、所望の動作波長で共振反射器の反射率を低減する位相ずれを引き起こす深さを有する。図5A〜5Dと同様に、いっそうの反射率の差別化をもたらすために、光電子デバイスの所望の光キャビティ上などの、層110の選択した非パターン形成領域上に、1つまたは複数の追加の層を有するキャップ・ミラー112を設けることができる。次いで層110のエッチング済み領域上に、金属層114を設けることができる。金属層は頂部接点として働くことができる。金属層114をキャップ・ミラー112まですべて、またはキャップ・ミラー112付近まで延長することにより、光電子デバイスについてのより良好な電流拡散を達成することができる。
【0053】
図11は、図5A〜5Dに示すのと類似の、本発明の別の例示的実施形態を示す概略側断面図である。この実施形態は、図10の実施形態と類似しているが、ここでは116と符号を付けた金属層が、層110のエッチング済み領域上と、キャップ・ミラー112上に延びる。後方照明デバイスでは、これにより、光電子デバイスについてのさらに良好な電流拡散を実現することができる。
【0054】
図12は、図8A〜8Eに示すのと類似の、本発明の別の例示的実施形態を示す概略側断面図である。光電子デバイスの光キャビティ上で急激に変化しない屈折率を有する共振反射器が提供される。この例示的共振反射器は、例えば第1屈折率を有する第1材料120と第2屈折率を有する第2材料122との両方からの寄与を含む屈折率を有する少なくとも1つの共振反射器層を含む。図示する実施形態では、第1材料120は、第1領域に閉じ込められ、第2材料122は、第2領域に閉じ込められ、第1領域と第2領域は、界面に沿って共に延びる。次いで金属層124が、構造全体の上に設けられる。後方照明デバイスでは、金属層124は、図8A〜8Eに示すデバイスと比較したとき、電流拡散を向上させることができる。
【0055】
本発明の好ましい実施形態を説明したので、本明細書から得られる教示を、頭記の特許請求の範囲内のさらに別の実施形態に適用できることを当業者は容易に理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【0056】
【図1】従来技術による平面電流ガイド式GaAs/AlGaAs上面発光型垂直キャビティレーザの概略図である。
【図2】本発明によるモード制御を向上させるための第1の例示的共振反射器を備える平面電流ガイド式GaAs/AlGaAs上面発光型垂直キャビティレーザの概略側断面図である。
【図3】図3Aは、図2の共振反射器を作成する例示的方法を示す概略側断面図である。
図3Bは、図2の共振反射器を作成する例示的方法を示す概略側断面図である。
図3Cは、図2の共振反射器を作成する例示的方法を示す概略側断面図である。
図3Dは、図2の共振反射器を作成する例示的方法を示す概略側断面図である。
【図4】本発明によるモード制御を向上させるための第2の例示的共振反射器を備える平面電流ガイド式GaAs/AlGaAs上面発光型垂直キャビティレーザの概略側断面図である。
【図5】図5Aは、図4の共振反射器を作成する例示的方法を示す概略側断面図である。
図5Bは、図4の共振反射器を作成する例示的方法を示す概略側断面図である。
図5Cは、図4の共振反射器を作成する例示的方法を示す概略側断面図である。
図5Dは、図4の共振反射器を作成する例示的方法を示す概略側断面図である。
【図6】本発明によるモード制御を向上させるためのさらに別の例示的共振反射器を備える平面電流ガイド式GaAs/AlGaAs上面発光型垂直キャビティレーザの概略側断面図である。
【図7】図7Aは、図6の共振反射器を作成する第1の例示的方法を示す概略側断面図である。
図7Bは、図6の共振反射器を作成する第1の例示的方法を示す概略側断面図である。
図7Cは、図6の共振反射器を作成する第1の例示的方法を示す概略側断面図である。
図7Dは、図6の共振反射器を作成する第1の例示的方法を示す概略側断面図である。
【図8】図8Aは、図6の共振反射器を作成する別の例示的方法を示す概略側断面図である。
図8Bは、図6の共振反射器を作成する別の例示的方法を示す概略側断面図である。
図8Cは、図6の共振反射器を作成する別の例示的方法を示す概略側断面図である。
図8Dは、図6の共振反射器を作成する別の例示的方法を示す概略側断面図である。
図8Eは、図6の共振反射器を作成する別の例示的方法を示す概略側断面図である。
【図9】図9Aは、図6の共振反射器を作成するさらに別の例示的方法を示す概略側断面図である。
図9Bは、図6の共振反射器を作成するさらに別の例示的方法を示す概略側断面図である。
図9Cは、図6の共振反射器を作成するさらに別の例示的方法を示す概略側断面図である。
図9Dは、図6の共振反射器を作成するさらに別の例示的方法を示す概略側断面図である。
図9Eは、図6の共振反射器を作成するさらに別の例示的方法を示す概略側断面図である。
【図10】図5A〜5Dに示すのと類似の、本発明の別の例示的実施形態を示す概略側断面図である。
【図11】図5A〜5Dに示すのと類似の、本発明の別の例示的実施形態を示す概略側断面図である。
【図12】図8A〜8Eに示すのと類似の、本発明の別の例示的実施形態を示す概略側断面図である。
Claims (13)
- 光電子デバイス(54)用の共振反射器(50)であって、
第1屈折率を有する第1材料層(56)であって、第1材料層(56)が、第1材料層(56)中に延びる1つまたは複数のパターン形成済み領域(60)を有し、選択されたパターン形成済み領域(60)が、第2屈折率を有する第2材料(58)で充填される、第1材料層(56)と、
第1材料層(56)に隣接して配置されたミラーであって、第3の屈折率を有する隣接ミラー層(52)を有するミラーと、
によって特徴付けられる共振反射器(50)。 - 請求項1に記載の共振反射器(50)であって、第1屈折率が、第2屈折率よりも大きく、第1屈折率および第2屈折率が、第3屈折率よりも小さい、共振反射器(50)。
- 請求項1に記載の共振反射器(50)であって、1つまたは複数のパターン形成済み領域(60)が、領域中の共振反射器(50)の反射率を低減する、共振反射器(50)。
- 請求項3に記載の共振反射器(50)であって、1つまたは複数のパターン形成済み領域(60)が、光電子デバイス(54)に対するモード制御を実現するように配置される、共振反射器。
- 光電子デバイス用(54)の共振反射器(50)を形成する方法であって、光電子デバイス(54)が頂部ミラーを有し、該方法は、
頂部ミラー(52)の上に、第1材料層(56)を設けるステップと、
第1材料層(56)中のパターンをエッチングして、1つまたは複数のパターン形成済み領域(60)を得るステップと、
1つまたは複数のパターン形成済み領域(60)上を含む第1材料層(56)上に、第2材料層(58)を設けるステップと、
によって特徴付けられる方法。 - 光電子デバイス(54)用の共振反射器(50)を形成する方法であって、光電子デバイス(54)が頂部ミラーを有し、該方法は、
頂部ミラーの頂部ミラー層(52)中のパターンをエッチングして、1つまたは複数のパターン形成済み領域を得るステップと、
1つまたは複数のパターン形成済み領域上を含む頂部ミラー層(52)上に、材料層(58)を設けるステップと、
によって特徴付けられる方法。 - 光電子デバイス用の共振反射器(70)であって、
頂部ミラー層(72)を有する第1ミラー領域であって、前記頂部ミラー層が、前記頂部ミラー層(72)中に延びるがすべてを貫かない1つまたは複数のパターン形成済み領域(74)と、1つまたは複数の非パターン形成領域(78)とを有する、第1ミラー領域と、
頂部ミラー層(74)の選択された非パターン形成領域(78)上に形成された第2ミラー領域(76)と、
によって特徴付けられる共振反射器(70)。 - 光軸(100)を有する光キャビティを有する光電子デバイス(10)用の共振反射器(90)であって、
光電子デバイス(10)の光キャビティの少なくとも一部にわたって延在する共振反射器層(92)であって、共振反射器層(92)が、第1屈折率を有する第1領域(94)と第2屈折率を有する第2領域(96)とを有し、第1領域(94)および第2領域(96)が、界面(98)に沿って共に延び、界面(98)の少なくとも一部が、光軸(100)と平行でない、共振反射器層(92)、
によって特徴付けられる共振反射器(90)。 - 請求項8に記載の共振反射器(90)であって、前記第1領域(94)が、光キャビティの中心に向かって配置され、光軸(100)と平行でない側縁を有し、前記第2領域(96)が、前記第1領域の側縁に沿って共に延在する側縁を有する、共振反射器(90)。
- 光電子(10)デバイス用の共振反射器(90)を形成する方法であって、
ほぼ平面の材料の第1層(94)を設けるステップと、
材料の第1層(94)上にフォトレジスト層(110)を設けて、パターン形成するステップと、
フォトレジスト層(110)を熱してリフローさせ、非平面であるフォトレジスト層(110)の頂面を得るステップと、
フォトレジスト層(110)および材料の第1層(94)をエッチングして、フォトレジスト層(110)の非平面頂面の形状を材料の第1層(94)に転写するステップと、
材料の第1層(94)上に材料の第2層(96)を設けるステップと、
によって特徴付けられる方法。 - 光電子デバイス(10)用の共振反射器(90)を形成する方法であって、
ほぼ平面の材料の第1層(94)を設けるステップと、
材料の第1層(94)をパターン形成するステップと、
材料の第1層(94)を熱してリフローさせ、非平面である頂面(98)を得るステップと、
材料の第1層(94)上に材料の第2層(96)を設けるステップと、
によって特徴付けられる方法。 - 請求項11に記載の方法であって、該方法はさらに、材料の第2層(96)を熱してリフローさせ、ほぼ平面である頂面を得るステップを含む方法。
- 光電子デバイス(10)用の共振反射器(90)を形成する方法であって、
ほぼ平面である材料の第1層(94)を設けるステップと、
材料の第1層(94)をパターン形成し、頂部コーナ(120)まで上方に延びる側縁(118)を得るステップと、
側縁(118)上および頂部コーナ(120)上を含むパターン形成済みの材料の第1層(94)上にフォトレジスト層(114)を設けるステップであって、フォトレジスト層(114)が、頂部コーナ(120)付近で薄くなる、ステップと、
フォトレジスト層(114)および材料の第1層(94)をエッチングするステップであって、まず頂部コーナ(120)付近のフォトレジスト層(114)をエッチングし、その結果、材料の第1層(94)の頂部コーナ(120)が、頂部コーナ(120)から離れた領域よりも多くエッチングされる(122)、ステップと、
材料の第1層(94)上に材料の第2層(96)を設けるステップと、
によって特徴付けられる方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/751,423 US6727520B2 (en) | 2000-12-29 | 2000-12-29 | Spatially modulated reflector for an optoelectronic device |
PCT/US2001/050214 WO2002059938A2 (en) | 2000-12-29 | 2001-12-20 | Spatially modulated reflector for an optoelectronic device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2004523896A true JP2004523896A (ja) | 2004-08-05 |
JP2004523896A5 JP2004523896A5 (ja) | 2005-12-22 |
Family
ID=25021913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002560170A Pending JP2004523896A (ja) | 2000-12-29 | 2001-12-20 | 光電子デバイス用の空間変調された反射器 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US6727520B2 (ja) |
EP (1) | EP1352455B1 (ja) |
JP (1) | JP2004523896A (ja) |
KR (1) | KR20040018249A (ja) |
AT (1) | ATE323959T1 (ja) |
AU (1) | AU2002246819A1 (ja) |
CA (1) | CA2433357A1 (ja) |
DE (1) | DE60118974T2 (ja) |
TW (1) | TW517417B (ja) |
WO (1) | WO2002059938A2 (ja) |
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- 2001-12-20 DE DE60118974T patent/DE60118974T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-20 CA CA002433357A patent/CA2433357A1/en not_active Abandoned
- 2001-12-20 JP JP2002560170A patent/JP2004523896A/ja active Pending
- 2001-12-20 AT AT01994427T patent/ATE323959T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-12-20 AU AU2002246819A patent/AU2002246819A1/en not_active Abandoned
- 2001-12-20 KR KR10-2003-7008908A patent/KR20040018249A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-12-28 TW TW090132789A patent/TW517417B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-04-07 US US10/819,775 patent/US20040188695A1/en not_active Abandoned
- 2004-04-07 US US10/819,654 patent/US7266135B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-07-19 US US11/776,504 patent/US7760786B2/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US8385381B2 (en) | 2005-07-04 | 2013-02-26 | Sony Corporation | Vertical cavity surface emitting laser |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1352455A2 (en) | 2003-10-15 |
WO2002059938A2 (en) | 2002-08-01 |
US20080037606A1 (en) | 2008-02-14 |
US7760786B2 (en) | 2010-07-20 |
CA2433357A1 (en) | 2002-08-01 |
US20020085610A1 (en) | 2002-07-04 |
US7266135B2 (en) | 2007-09-04 |
AU2002246819A1 (en) | 2002-08-06 |
TW517417B (en) | 2003-01-11 |
US6727520B2 (en) | 2004-04-27 |
WO2002059938A3 (en) | 2003-07-31 |
DE60118974D1 (de) | 2006-05-24 |
US20040188695A1 (en) | 2004-09-30 |
EP1352455B1 (en) | 2006-04-19 |
DE60118974T2 (de) | 2007-01-04 |
KR20040018249A (ko) | 2004-03-02 |
US20040191941A1 (en) | 2004-09-30 |
ATE323959T1 (de) | 2006-05-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20041122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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A621 | Written request for application examination |
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|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
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