JP2006514431A - 面発光型半導体レーザの導波路構造の製造方法及び面発光型半導体レーザ - Google Patents
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Abstract
【課題】 価格的にも妥当でかつ大きな生産性(歩留まり)で製造することが可能であり、更にその横方向のビームプロファイルが横方向の導波(路)によって広範囲において調整可能なように構成されたとりわけInP系面発光型レーザダイオードの提供。
【解決手段】 第1のnドープ半導体層(2)と少なくとも1つのpドープ半導体層(4、5)とによって包囲されるとともにpn接合を有する活性層(3)と、該活性層(3)のp側に位置するとともに第2のnドープ半導体層(8)に隣接するトンネル接合(7)とを有する面発光型半導体レーザの導波路構造の製造方法であって、第1のエピタキシャル成長プロセスにおいて、前記少なくとも1つのpドープ半導体層(4、5)上に、nドープ遮断層(6、6a)が形成され、次いで、該nドープ遮断層(6、6a)が、アパーチャ(10)の形成のために、部分的に刻削され、そして第2のエピタキシャル成長プロセスにおいて、前記トンネル接合(7)のために提供される層が、前記遮断層(6、6a)及び前記アパーチャ(10)上に形成されることを特徴とする。
【解決手段】 第1のnドープ半導体層(2)と少なくとも1つのpドープ半導体層(4、5)とによって包囲されるとともにpn接合を有する活性層(3)と、該活性層(3)のp側に位置するとともに第2のnドープ半導体層(8)に隣接するトンネル接合(7)とを有する面発光型半導体レーザの導波路構造の製造方法であって、第1のエピタキシャル成長プロセスにおいて、前記少なくとも1つのpドープ半導体層(4、5)上に、nドープ遮断層(6、6a)が形成され、次いで、該nドープ遮断層(6、6a)が、アパーチャ(10)の形成のために、部分的に刻削され、そして第2のエピタキシャル成長プロセスにおいて、前記トンネル接合(7)のために提供される層が、前記遮断層(6、6a)及び前記アパーチャ(10)上に形成されることを特徴とする。
Description
本発明は、面発光型半導体レーザの導波路構造の製造方法及び当該半導体レーザに関する。
面発光型レーザダイオード(英語のVertical-Cavity Surface-Emitting Laser:VCSEL)は、半導体チップの面に対し垂直に光の放出が行われるタイプの半導体レーザである。従来の端面発光型レーザダイオードと比べて、面発光型レーザダイオードは複数の利点を有する。例えば、電気エネルギの消費が少ない、オン・ウエハでレーザダイオードを直接検査することが可能、光ファイバに容易に結合(差込入射)可能、(複数の)単一縦モードスペクトル、複数の面発光型レーザダイオードを組合せて二次元のマトリックス(アレー)を形成することが可能等である。
光ファイバを用いた通信技術の分野では、波長依存性の分散ないし吸収の観点から、凡そ1.3〜2μmの波長領域、とりわけ1.31μm又は1.55μm付近の波長のVCSELに対する需要がある。とりわけ1.3μmより長い波長領域のための、種々の有用な特性を有する長波長レーザダイオードは、従来は、InP系化合物半導体で製造されていた。GaAs系VCSELは、1.3μm未満のより短い波長領域に適する。従来は、以下のような対策が図られていた:
1.55μmで1mWの出力で放射する連続波VCSELは、例えば、複数の変成層(metamorphen Schichten)ないし複数のミラーを有するInP基板から構成される(IEEE Photonics Technology Letters, Volume 11, Number 6, June 1999, 629〜631頁)。この場合、横方向の(光)導波(路)は、プロトンインプランテーションによって達成(形成)される。
ただ1つのエピタキシャル成長プロセスによって形成されるVCSELであって、1.5〜1.6μmの波長で0.45mWの出力を有し光放射側に変性ミラーを有するVCSELは、“High Performance 1.6 μm Single-Epitaxy Top-Emitting VCSEL”, (Conference on Lasers & Electro-Optics (CLEO) 2000, San Francisco, USA, Post-Deadline Paper CPD 12, pp. 23-24) から既知である。このVCSELでは、電流ガイド(路)及び(光)導波(路)は、選択的酸化によって達成(形成)されていた。
空気−半導体ミラーを有するVCSEL(分布ブラッグ反射器(Distributed Bragg Reflectors)のためのInP-空隙(Luftspalt)-DBRs)は、IEEE ISLC 2002、145〜146頁において提案されている。このVCSELでは、活性層(活性領域)と上部DBRミラーとの間にトンネル接合が形成され、トンネル接合層の部分的エッチング(ないしアンダーエッチング:Unteraetzen)によって電流制限が達成される。(エッチングされずに)残存するトンネル接合領域を包囲する空隙は、光学場(光電界)の導波路として使用される。
更に、第26回欧州光通信国際会議 ECOC2000の刊行物“88℃, Continuous-Wave Operation of 1.55 μm Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers”から、アンチモン系ミラー(複数)を有するVCSELが知られている。このVCSELでは、部分的にエッチングされたInGaAs活性層は、何れもAlGaAsSb−DBR−ミラーと接続するnドープされた2つのInP層によって包囲されている。この場合、選択性部分的エッチングにより、横方向の導波路が形成される。
US 2001/050934 A1
BOUCART J ET AL: IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, Vol.11, No.6, June 1999, pp.629-631
尤も、出力、作動温度領域、単一モード出力及び変調バンド幅に関し最良の特性を有するのは、埋込トンネル接合(英語のBuried Tunnel Junction:BTJ)を有するVCSELである。埋込トンネル接合の製造及び構造は、図1を参酌して以下説明する。分子線エピタクシ(英語のMolecular Beam Epitaxy:MBE)によって、小さいバンドギャップを有する高ドープp+/n+層対101、102が形成される。この2つの層の間に、実効トンネル接合(eigentlicher Tunnelkontakt)103が形成される。反応性イオンエッチング(英語のReactive Ion Etching:RIE)によって、実質的にn+ドープ層102、トンネル接合103及び一部又は全部のp+ドープ層101にわたって円形又は楕円形(の横断面の筒状)の領域が形成される。この領域は、第2のエピタクシ過程においてnドープInP(層104)によって被覆成長(堆積)されるため、トンネル接合103は「埋め込め」られる。被覆成長(堆積)層104とp+ドープ層101との間の接合領域は、電圧を印加する際、遮断層(バリア層:Sperrschicht)(ないし電流狭窄層)として作用する。電流は、典型的には3×10−6Ωcm2の抵抗を有するトンネル接合を流れる。このため、電流の流れを、活性層108の実効領域(eigentlicher Bereich)に制限することができる。更に、電流は高抵抗のpドープ層から低抵抗のnドープ層へ流れるので、熱の発生も少ない。
トンネル接合の被覆成長(堆積)により僅かに厚さの変化が生じるが、この厚さ変化は横方向の導波(路)に関し不都合な作用を及ぼすため、とりわけアパーチャがより大きい場合、より高次の横モードが容易に発生する。従って、とりわけ光ファイバ光通信技術において必要とされる単一モードでの作動を実現するためには、小さなアパーチャとこれに応じた小さなレーザ出力しか使用することができない。
埋込トンネル接合(複数)を有するVCSELの例及び応用は、例えば、“Low-threshold index-guided 1.5 μm long wavelength vertical-cavity surface-emitting laser with high efficiency”, Applied Physics Letter, Volume 76, Number 16, 2179頁〜2181頁、2000年4月17日;“Long Wavelength Buried-Tunnel-Junction Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers”, Adv. in Solid State Phys. 41, 75〜85頁, 2001年; “Vertical-cavity surface-emitting laser diodes at 1.55 μm with large output power and high operation temperature”, Electronics Letters, Volume 37, Number 21, 1295頁〜1296頁, 2001年10月11日;“90℃ Continuous-Wave Operation of 1.83 μm Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers”, IEEE Photonics Technology Letters, Volume 12, Number 11, 1435頁〜1437頁, 2000年11月;及び“High-speed modulation up to 10 Gbit/s with 1.55 μm wavelength InGaAlAs VCSELs”, Electronics Letters, Volume 38, Number 20, 2002年9月26日に記載されている。共振器長さ(Resonatorlaenge)の横方向の変化が、横方向の導波(路)に利用されている。
以下に、図1に示した埋込トンネル接合の構造から出発し、上記の文献に記載されているInP系VCSELの構造を図2を用いて簡単に説明する。
埋込トンネル接合(BTJ)は、図2に示した構造では図1に示したものと(積層方向に関し)反対向きに配されているため、活性層106は、p+ドープ層101とn+ドープ層102との間の直径DBTJを有するトンネル接合の上方に配されている。レーザビームは、矢印116で示された方向に出射する。活性層106は、pドープ層105(InAlAs)とnドープ層108(InAlAs)とによって包囲されて(挟まれて)いる。活性層106の上方に配された前部ミラー109は、凡そ35層対のInGaAlAs/InAlAsを有するエピタキシャルDBRから構成されるため、反射率は凡そ99.4%になる。後部ミラー112は、DBRとしての誘電性積層体から構成されかつ金層で封鎖(鍍金)されるので、反射率は凡そ99.75%になる。絶縁層113は、n−InP層104と、多くの場合金又は銀で構成されるp側コンタクト層114とが直接接触するのを阻止する(DE 101 07 349 A1参照)。符号111は、リング状構造化p側コンタクト層を示す。
誘電性ミラー112と組込(一体型)コンタクト層114とヒートシンク115とを組合せることにより、エピタキシャル多層構造と比べて熱伝導性は著しく大きくすることができる。電流は、コンタクト層114を介してないし組込(一体型)ヒートシンク115及びn側電極110を介して流入する。図2に示したタイプのVCSELの製造に関する更なる詳細及び特性については、上掲した各文献を参照されたい。
上述の提案されたVCSELダイオード、とりわけ凡そ1.3〜2μmの波長領域のためのVCSELダイオードに関しては、その横方向のビームプロファイル(Strahlungsprofil)を横方向の導波(路)によって広い範囲にわたって調整可能であることが要求されている。その製造は、この場合も、通常のエピタキシャル被覆成長(堆積)によって実行されることが望まれる。そのため、とりわけAl不含有InP系VCSELは、1μm超の波長に対して適することが望まれる。
GaAs系VCSELでは、これは凡そ1.3μm未満の波長領域でしか使用することができないのであるが、横方向の導波(路)は、選択的に酸化されたAlAs層(複数)によって形成される(“Advances in Selective Wet Oxidation of AlGaAs Alloys”, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Vol. 3, No. 3, 1997年6月, 916頁〜926頁参照)。この文献に記載されたVCSELは、有機金属気層成長法(MOVPE=Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)によってエピタクシ的に製造されたGaAs−AlGaAs多層から形成されている。AlGaAs層のウエット酸化によって、VCSELの中央部に(開放された)酸化されていない1つのアパーチャを有する埋込酸化層(複数)が形成される。しかしながら、この方法をInP系VCSELに適用することは、これまではまだ成功することができていなかった。というのは、この場合、AlAsは、格子定数不整合(Gitterkonstanten-Fehlanpassung)のため、そもそも配することができないか或いはごく薄い層としてしか配することができないからであり、また例えばAlGaSb等の他の酸化可能な材料は、これまでのところ、まだ十分な質の酸化層を生成できないからである。そのため、長波長VCSELでは、横方向の導波(路)のための他の方法が使用された。例えば、上記の文献に関連して既に説明したような、共振器長さの横方向の変化、選択的にエッチングされた層、プロトンインプランテーション又は変成AlAs層である。
従って、本発明の課題は、価格的にも妥当でかつ大きな生産性(歩留まり)で製造することが可能であり、更にその横方向のビームプロファイルが横方向の導波(路)によって広範囲において調整可能なように構成された、とりわけInP系の、面発光型レーザダイオードを提供することである。更に、アパーチャがより大きい場合であっても、単一横モードが安定的にかつより大きな出力で作動可能であることが望ましい。
上記の課題は、独立請求項に記載の面発光型半導体レーザの導波路構造の製造方法及び独立請求項に記載の面発光型半導体レーザによって解決される。更なる実施形態は、各従属請求項及び以下の説明から明らかとなる。
第1のnドープされた半導体層(nドープ半導体層)と少なくとも1つのpドープされた半導体層(pドープ半導体層)とによって包囲される(挟まれる)とともにpn接合を有する活性層(領域)と、該活性層のp側に位置するとともに第2のnドープ半導体層に隣接するトンネル接合とを有する面発光型半導体レーザの導波路構造を製造するための本発明の方法は、まず、第1のエピタキシャル成長プロセスにおいて、上記少なくとも1つのpドープ半導体層上にnドープ遮断(バリア)層を形成し、次いで、該nドープ遮断層をアパーチャの形成のために部分的に除去し、そして、第2のエピタキシャル成長プロセスにおいて、上記トンネル接合のために設けられる層を、上記遮断層及び上記アパーチャ上に形成することを提案する。
従って、本発明の方法によって、アパーチャの領域の外部においては、以下のエピタキシャル構造が形成される。即ち、(下から順に、)活性層に隣接するpドープ半導体層、nドープ遮断層、高pドープ半導体層及び高nドープ半導体層から構成されるトンネル接合、及び第2のnドープ半導体層から構成されるエピタキシャル構造が形成される。この被覆成長(堆積)構造内では、電流(極性は上が+で下が−)は、(遮断層が存在しない)アパーチャの領域内でしか流れることができない。というのは、その(アパーチャの領域の)外部には、遮断作用を有するp−n−p−n構造が存在するからである。とりわけ、遮断層と活性層との間の遮断層とpドープ半導体層との間の境界面は良好に遮断されている。このため、活性層の内部のレーザ活性領域ないしレーザ活性層は、横方向に関し、アパーチャの形状・寸法によってほぼ規定される。同時に、同様にアパーチャによって規定される横方向の導波路は、遮断層の層厚を適切に選択することにより形成することができる。従って、横方向の導波路は、横方向に関し、レーザ活性領域に正確に調整されることとなる(自動自己調整)。
本発明の遮断層は、好ましくは隣接するpドープ半導体層に対し選択的に(pドープ半導体層よりも優先的に)エッチング可能なnドープされた材料から構成される。例えば、このpドープ半導体層はInPから構成され、遮断層はInGaAsPから構成される。リソグラフィプロセス及びエッチングプロセスにおいて、円形、楕円形、方形、矩形又はその他の形状のアパーチャが、隣接するpドープ半導体層に到るまで遮断層に貫通形成される。
ここで注意すべきことは、トンネル接合層は、トンネル効果のために必要とされるほどに高濃度にドーピングされ及び/又はバンドギャップが小さいので、通常、レーザビームに対し高度に吸収性に作用する、ということである。従って、活性層は、アパーチャの(領域の)内部、即ちレーザ活性領域においては、増幅作用を最大化するために、電界強度の縦方向(上下方向)の強度分布の極大(ないし最大)の位置に配され、他方、トンネル接合は、アパーチャの(領域の)内部においては、損失を最小化するために、電界強度の縦方向の強度分布の極小(ないし最小)の位置に配されることができると目的に適う。これに対し、アパーチャの(領域の)外部におけるトンネル接合層の縦方向位置は遮断層の厚さに依存するが、例えば電界の極大の位置にも電界の極小の位置にも位置することが可能である。相応に、遮断層の層厚は、ほぼゼロから、電界のある極小の位置からその隣の極大の位置までの距離(即ち隣り合う2つの極大の位置の間又は隣り合う2つの極小の位置の間の距離の半分)に相当する大きさまでの範囲から選択することができる。遮断層は複数の単層(Einzelschichten)から構成されていると目的に適うであろう。
更に幾つかの実施例に関連して以下に詳細に説明するように、アパーチャの(領域の)外部におけるトンネル接合の縦方向位置が電界の極大の位置に位置する場合、基底(基本)モードはアパーチャに制限され、より高次のモードは、その電界裾野部(Feldauslaeufer:電界分布の中心部から離隔した裾野の部分)の強度がより大きいため、(その電界分布の中心部から離隔した)外側領域において著しく減衰されるので発振することができない。これに対し、遮断層の厚さを非常に小さくして、アパーチャの(領域の)外部におけるトンネル接合の縦方向位置を電界の極小の位置に配すると、(光)導波(路)ないし光波案内(路)(Wellenfuehrung)はそもそも生じないか或いはごく僅かしか生じない。そのため、遮断層の層厚を、とりわけ上述の範囲に、選択することにより、横方向の(光)導波(路)及びモード選択を広い範囲において常に調整することができる。
本発明のとりわけ従属請求項から導き出される更なる実施形態を、後述する実施例と関連して説明する。尤も、本発明を以下の具体的な実施例に限定して解すべきではない。
既知のBTJ−VCSELの製造及び構造は、本書の導入部において図1及び図2に関して既に詳細に説明した。従って、以下では、とりわけ本発明の半導体レーザの製造及び構造の相違点について主として説明する。
図3は、本発明のWG−VCSEL(WG=Waveguide)のためのエピタキシャル出発構造体の典型例を示す。基板1上には、第1のエピタキシャル成長プロセスにおいて、下から順に、nドープされた半導体層(nドープ半導体層)としてのエピタキシャルブラッグミラー2、活性層3及びpドープされた半導体層(pドープ半導体層)4が形成される。基板は、この実施例では、nドープInPから構成される。pドープ半導体層は、この実施例では、InP層又はInAlAs層である。層4がInAlAsから構成される場合、更に、pドープInP又はInGaAs層5を任意的に設けることもできる。pドープ半導体層の上には、本発明により、nドープ遮断層6が形成される。遮断層6は、pドープ層5又はpドープ層5が存在しない場合はpドープ層4の材料に対し選択的にエッチング可能な材料から構成されることが好ましい。例えば、隣接層4ないし5はInPから構成され、遮断層6はInGaAsPから構成される。
図4は、(第1のエピタキシャル成長プロセスに)後続するリソグラフィプロセス及びエッチングプロセスの結果を示す。これらのプロセスの間に、円形、楕円形、方形、矩形又はその他の形状のアパーチャ10が、遮断層6に、隣接するpドープ半導体層5に至るまで貫通形成される。図4では、例えば、直径wを有する円形のアパーチャ10が形成されている。遮断層6の残存する円環状の領域については、以下、符号6aを付して説明する。
上述の既知のBTJ−VCSELの場合と同様に、第2のエピタキシャルステップ(プロセス)において、まず、(下から順に、)例えばそれぞれ1つの高pドープInGaAs層及び高nドープInGaAs層から構成されるトンネル接合のために設けられる層7、好ましくはInPから構成される上部nドープ閉じ込め層8、及び好ましくは高nドープInGaAsから構成される任意的なnコンタクト層9が形成される。図5及び図6は、選択可能な2つの結果を示すが、プロセスパラメータに応じて又はエピタクシ方法に応じて、アパーチャ10の横方向の構造(Strukturierung)を、平坦化(図5:層8及び層9の上面部の2つの破線に挟まれた領域を参照)又は大幅に保存(図6:層8及び層9の陥凹部を参照)することができる。エピタクシ方法は、例えば、MBE(Molecular Beam Epitaxy)、CBE(Chemical Beam Epitaxy)、MOVPE(Metal Organic Vapour Phase Epitaxy)である。
上述のとおり、被覆成長(堆積)構造体内では、電流(極性は、上方を+とし下方を−とする)は、アパーチャ10の領域内しか流れることができない。というのは、このアパーチャ10の(領域の)外部では、半導体層5、6、7、8の遮断作用を有するp−n−p−n構造が存在するからである。とりわけ、pドープ半導体層と遮断層6との間の境界面10aは良好な遮断作用を奏する。このため、レーザ活性層3の内部のレーザ活性領域は、横方向に関して、アパーチャ10の形状・寸法によってほぼ規定される。同時に、アパーチャ10によって同様に規定される横方向の導波路は、遮断層6の層厚を相応に選択することにより形成することができる。従って、横方向の導波路は、横方向に関し、レーザ活性領域に正確に調整されることとなる。これについては、図8及び図9を用いて以下説明する。
図8では、遮断層6aの層厚dは、拡大して図示された層構造の右端に併記されたような電界強度の縦方向(上下方向)の強度分布の(隣り合う)2つの極小の位置の間の距離の半分の大きさにほぼ等しい。図8に示した構造は、強い導波(光波案内)を可能とする。弱い導波(光波案内)は、図9に示したような環状遮断層6aの層厚dが極めて小さい場合の構造によって得られる。
ここで注意すべきことは、トンネル接合層7は、トンネル効果のために必要な高濃度のドーピング及び/又は小さいバンドギャップのために、通常、レーザビームに対して著しく吸収性に作用するということである。何れにせよ、アパーチャ10の(領域の)内部、即ちレーザ活性領域においては、活性層3(図8及び図9の断面A)及びアパーチャ10の領域内のトンネル接合7(図8及び図9の断面B)は、それぞれ、(電界強度の縦方向の強度分布の)極大の位置及び極小の位置に配置される。従って、活性層が極大の位置に位置するため増幅作用は最大化され、他方、トンネル接合が極小の位置に位置するため損失は最少化される。
これに対し、アパーチャ10の(領域の)外部におけるトンネル接合7の縦方向位置(断面C)は、遮断層6aの層厚dに依存し、例えば電界の極大の位置(図8)又は電界の極小の位置(図9)に位置しうる。電界の極大の位置に位置する場合、外部領域(即ちアパーチャ10の外部)に存在するレーザ場(Laserfeld)の部分は、著しく減衰され及び/又は、トンネル接合層7の屈折率が外被層/閉じ込め層8の屈折率と異なる場合は有効屈折率が変化される。光学的増幅の半径方向の傾き(変化率)ないしアパーチャ10の縁部における損失によって、基底(基本)モードはアパーチャ10に制限され、より高次のモードは、その電界裾野部(Feldauslaeufer:電界分布の中心部から離隔した裾野の部分)の強度がより大きいため、外側領域において著しく減衰されるので発振することができない。従って、図8のような構造は、高出力の単一モードによる作動を可能とする。
弱い導波(光波案内)に関する他方の極端な事例を図9に示した。遮断層6aの層厚dとしてきわめて小さいものが選択されると、導波(光波案内)はそもそも生じないか、生じても極めて小さい。アパーチャ10の(領域の)外部における減衰は僅かであり、より高次のモードは大きく減衰されることはなく、従って発振し得る。
図8及び図9は、本発明の遮断層6aの層厚dの選択によって、本発明のWG−VCSELにおける横方向の導波(光波案内)及びモード選択が広い範囲にわたって常に調整可能であることを示している。
図7は、導波路を有する本発明の半導体レーザ(WG−VCSEL)の完成構造を示す。図5又は図6に示した構造から開始されるこの完成構造の製造プロセスは、本書の導入部において具体的に説明したBTJ−VCSELから既知の技術に相応する。従って、その詳細についてはここでは省略する。完成したWG−VCSELでは、初めに存在していたn−InP−基板1は完全に除去され、n側コンタクト(電極)15が設けられた。nドープ閉じ込め層8の上には、誘電性ミラー12を包囲する環状のp側コンタクト層9aが設けられる。p側コンタクト11(例えばAu/Ti/Pt/Au)は、(例えばSi3N4又はAl2O3からなる)絶縁・パッシベーション層14によってnドープ閉じ込め層8から分離される。この構造の上には、組込(一体型)金製ヒートシンク13が覆い被さるように配される。n側コンタクト15は、例えば、Ti/Ptから構成される。n側コンタクト15の側において、レーザ光が半導体レーザから射出される。
ここで注意すべきことは、図7では均一な層として記載されている活性層3は、大抵は、例えば11層の薄層(5層の量子(井戸)膜と6層の障壁層)からなる積層構造から構成される、ということである。
本発明は、横方向の導波(光波案内)及びモード選択に関し常時調整可能な領域を有する導波路構造を有するVCSELの製造を可能とする。単一モードの出力は、従来のレーザダイオードに比べてより大きい。
1 基板
2 第1のnドープ半導体層
3 活性層
4 pドープ半導体層
5 pドープ半導体層
6 遮断(バリア)層
6a (円環状)遮断層
7 トンネル接合
8 第2のnドープ半導体層
9 nコンタクト層
10 アパーチャ
11 p側コンタクト
12 誘電性ミラー
2 第1のnドープ半導体層
3 活性層
4 pドープ半導体層
5 pドープ半導体層
6 遮断(バリア)層
6a (円環状)遮断層
7 トンネル接合
8 第2のnドープ半導体層
9 nコンタクト層
10 アパーチャ
11 p側コンタクト
12 誘電性ミラー
Claims (21)
- 第1のnドープ半導体層(2)と少なくとも1つのpドープ半導体層(4、5)とによって包囲されるとともにpn接合を有する活性層(3)と、該活性層(3)のp側に位置するとともに第2のnドープ半導体層(8)に隣接するトンネル接合(7)とを有する面発光型半導体レーザの導波路構造の製造方法であって、
第1のエピタキシャル成長プロセスにおいて、前記少なくとも1つのpドープ半導体層(4、5)上に、nドープ遮断層(6、6a)が形成され、次いで、該nドープ遮断層(6、6a)が、アパーチャ(10)の形成のために部分的に除去され、そして
第2のエピタキシャル成長プロセスにおいて、前記トンネル接合(7)のために設けられる層が、前記遮断層(6、6a)及び前記アパーチャ(10)上に形成されること
を特徴とする製造方法。 - 前記遮断層(6、6a)の層厚(d)は、0<d≦λ/2の範囲から選択されること、ここに、dは前記遮断層(6、6a)の層厚、λは電界強度の縦方向の強度分布の2つの極小間の距離を表す、
を特徴とする請求項1に記載の製造方法。 - 遮断層(6、6a)として、隣接するpドープ半導体層(4、5)に対して選択的にエッチング可能な材料が選択されること
を特徴とする請求項1又は2に記載の製造方法。 - 前記遮断層(6、6a)は、InGaAsP又はInGaAsから形成され、かつ前記隣接するpドープ半導体層(4、5)はInPから形成されること
を特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の製造方法。 - 前記活性層(3)は、前記電界強度の縦方向強度分布の極大の位置に配され、かつ前記トンネル接合(7)は、前記アパーチャ(10)の領域内では、前記電界強度の縦方向強度分布の極小の位置に配されること
を特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の製造方法。 - 前記トンネル接合(7)は、前記アパーチャ(10)の領域の外部では、前記電界強度の縦方向強度分布の極大の位置に配されること
を特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の製造方法。 - 第1のnドープ半導体層(2)と少なくとも1つのpドープ半導体層(4、5)とによって包囲されるとともにpn接合を有する活性層(3)と、該活性層(3)のp側に位置するとともに第2のnドープ半導体層(8)に隣接するトンネル接合(7)とを有する面発光型半導体レーザであって、
前記トンネル接合(7)のために設けられる層と前記少なくとも1つのpドープ半導体層(4、5)との間に、アパーチャ(10)を形成する領域を除き、nドープ遮断層(6、6a)を有すること
を特徴とする半導体レーザ。 - 前記アパーチャ(10)の領域内では、前記トンネル接合(7)は、前記pドープ半導体層(4、5)上に直接配されること
を特徴とする請求項7に記載の半導体レーザ。 - 前記遮断層(6、6a)の層厚(d)は、0<d<λ/2であること、ここに、dは前記遮断層(6、6a)の層厚、λは電界強度の縦方向の強度分布の2つの極小間の距離を表す、
を特徴とする請求項7又は8に記載の半導体レーザ。 - 前記遮断層(6、6a)は、前記隣接するpドープ半導体層(4、5)に対して選択的にエッチング可能な材料から形成されること
を特徴とする請求項7〜9の何れか一項に記載の半導体レーザ。 - 前記遮断層は、InGaAsから形成され、かつ前記隣接するpドープ半導体層(4、5)はInPから形成されること
を特徴とする請求項7〜10の何れか一項に記載の半導体レーザ。 - 前記活性層(3)は、前記電界強度の縦方向強度分布の極大の位置に配され、かつ前記トンネル接合(7)は、前記アパーチャ(10)の領域内では、前記電界強度の縦方向強度分布の極小の位置に配されること
を特徴とする請求項7〜11の何れか一項に記載の半導体レーザ。 - 前記トンネル接合(7)は、前記アパーチャ(10)の領域の外部では、前記電界強度の縦方向強度分布の極大の位置に配されること
を特徴とする請求項7〜12の何れか一項に記載の半導体レーザ。 - 前記トンネル接合(7)に隣接する前記第2のnドープ半導体層(8)には、更なるnドープコンタクト層(9)が少なくとも部分的に隣接すること
を特徴とする請求項7〜13の何れか一項に記載の半導体レーザ。 - 前記トンネル接合(7)に隣接する前記第2のnドープ半導体層(8)には、誘電体ミラー(12)が少なくとも部分的に隣接すること
を特徴とする請求項7〜14の何れか一項に記載の半導体レーザ。 - 前記第1のnドープ半導体層(2)は、nドープエピタキシャルブラッグミラーとして形成されること
を特徴とする請求項7〜15の何れか一項に記載の半導体レーザ。 - 前記少なくとも1つのpドープ半導体層(4、5)として、pドープInP層又はpドープInAlAs層(4)を有すること
を特徴とする請求項7〜16の何れか一項に記載の半導体レーザ。 - 前記少なくとも1つのpドープ半導体層(4、5)として、pドープInAlAs層(4)と、pドープInP層又はpドープInGaAs層(5)を有すること
を特徴とする請求項7〜17の何れか一項に記載の半導体レーザ。 - 前記トンネル接合(7)のために提供される層は、それぞれ1つの高pドープInGaAs層及び高nドープInGaAs層から形成されること
を特徴とする請求項7〜18の何れか一項に記載の半導体レーザ。 - 前記トンネル接合(7)に隣接する前記第2のnドープ半導体層は、InPから形成されること
を特徴とする請求項7〜19の何れか一項に記載の半導体レーザ。 - 前記コンタクト層(9)は、高nドープInGaAsから形成されること
を特徴とする請求項7〜20の何れか一項に記載の半導体レーザ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10304432 | 2003-02-04 | ||
DE10317970A DE10317970B4 (de) | 2003-02-04 | 2003-04-17 | Verfahren zur Herstellung einer Wellenleiterstruktur in einem oberflächenemittierenden Halbleiterlaser und oberflächenemittierender Halbleiterlaser |
PCT/EP2003/012968 WO2004070899A2 (de) | 2003-02-04 | 2003-11-19 | Verfahren zur herstellung einer wellenleiterstruktur in einem oberflächenemittierenden halbleiterlaser und oberflächenemittierender halbleiterlaser |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006514431A true JP2006514431A (ja) | 2006-04-27 |
JP2006514431A5 JP2006514431A5 (ja) | 2006-12-14 |
Family
ID=32851832
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004567748A Withdrawn JP2006514431A (ja) | 2003-02-04 | 2003-11-19 | 面発光型半導体レーザの導波路構造の製造方法及び面発光型半導体レーザ |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7376163B2 (ja) |
EP (1) | EP1590865B1 (ja) |
JP (1) | JP2006514431A (ja) |
KR (1) | KR20050090468A (ja) |
AU (1) | AU2003293705A1 (ja) |
CA (1) | CA2514134A1 (ja) |
DE (1) | DE50306282D1 (ja) |
WO (1) | WO2004070899A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020005005A1 (ko) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 표면방출발광 레이저소자, 이를 포함하는 발광장치 및 이의 제조방법 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6561367B2 (ja) * | 2014-02-26 | 2019-08-21 | 学校法人 名城大学 | npn型窒化物半導体発光素子の製造方法 |
US10033158B1 (en) | 2016-12-19 | 2018-07-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor laser, laser assembly and method of making a semiconductor laser |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5625637A (en) * | 1991-03-28 | 1997-04-29 | Seiko Epson Corporation | Surface emitting semiconductor laser and its manufacturing process |
JPH065975A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ |
US5805624A (en) * | 1996-07-30 | 1998-09-08 | Hewlett-Packard Company | Long-wavelength infra-red vertical cavity surface-emitting laser on a gallium arsenide substrate |
FR2761822B1 (fr) * | 1997-04-03 | 1999-05-07 | Alsthom Cge Alcatel | Laser semiconducteur a emission de surface |
US6931042B2 (en) | 2000-05-31 | 2005-08-16 | Sandia Corporation | Long wavelength vertical cavity surface emitting laser |
WO2002017445A1 (en) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Regents Of The University Of California, The | Heat spreading layers for vertical cavity surface emitting lasers |
US6771680B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-08-03 | Agilent Technologies, Inc | Electrically-pumped, multiple active region vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) |
-
2003
- 2003-11-19 US US10/544,333 patent/US7376163B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-19 AU AU2003293705A patent/AU2003293705A1/en not_active Abandoned
- 2003-11-19 CA CA002514134A patent/CA2514134A1/en not_active Abandoned
- 2003-11-19 DE DE50306282T patent/DE50306282D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-19 WO PCT/EP2003/012968 patent/WO2004070899A2/de active IP Right Grant
- 2003-11-19 KR KR1020057014286A patent/KR20050090468A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-11-19 EP EP03789059A patent/EP1590865B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-19 JP JP2004567748A patent/JP2006514431A/ja not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020005005A1 (ko) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 표면방출발광 레이저소자, 이를 포함하는 발광장치 및 이의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050090468A (ko) | 2005-09-13 |
AU2003293705A8 (en) | 2004-08-30 |
EP1590865A2 (de) | 2005-11-02 |
EP1590865B1 (de) | 2007-01-10 |
WO2004070899A3 (de) | 2004-12-29 |
AU2003293705A1 (en) | 2004-08-30 |
WO2004070899A2 (de) | 2004-08-19 |
DE50306282D1 (de) | 2007-02-22 |
US20060078029A1 (en) | 2006-04-13 |
CA2514134A1 (en) | 2004-08-19 |
US7376163B2 (en) | 2008-05-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061027 |
|
A621 | Written request for application examination |
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|
A761 | Written withdrawal of application |
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