JP2007003969A - 光学素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】 小型で高性能な光学素子を提供する。
【解決手段】 開口31と、少なくとも一方の表面30aに周期的に形成された凹凸形状(同心円状の溝32)とを有し、その凹凸形状の存在によって表面30aに入射されて開口31を透過する光の強度が増強される構造とされた導電性フィルム30と、屈折率周期構造を有するフォトニック結晶20とを備える。フォトニック結晶20には光導波路と、その光導波路と光結合する欠陥構造(点状欠陥22)とが形成され、導電性フィルム30はフォトニック結晶20上に配置されて開口31が欠陥構造と近接される。
【選択図】 図1
【解決手段】 開口31と、少なくとも一方の表面30aに周期的に形成された凹凸形状(同心円状の溝32)とを有し、その凹凸形状の存在によって表面30aに入射されて開口31を透過する光の強度が増強される構造とされた導電性フィルム30と、屈折率周期構造を有するフォトニック結晶20とを備える。フォトニック結晶20には光導波路と、その光導波路と光結合する欠陥構造(点状欠陥22)とが形成され、導電性フィルム30はフォトニック結晶20上に配置されて開口31が欠陥構造と近接される。
【選択図】 図1
Description
この発明は光インターコネクションなどに用いる微小な光学素子に関し、特にフォトニック結晶を用いる光学素子に関する。
屈折率の異なる2種類以上の物質が周期的に配列されてなるフォトニック結晶は、光のふるまいを高度に制御することが可能な材料として注目されている。フォトニック結晶を用いると、波長以下の空間領域に効率よく光を閉じ込めたり、急峻な角度であっても低損失で光の進行を曲げたりすることができるため、光学素子の大きさを従来と比較して非常に小さくすることができる。
このようなフォトニック結晶を用いた光学素子を実用化するためには、例えば光ファイバなどの外部光学系との光結合を行うことが必要となる。特許文献1には2次元フォトニック結晶スラブの面外からスラブ面に垂直に光を入射してスラブ面内へ光結合させる技術が開示されている。
このようなフォトニック結晶を用いた光学素子を実用化するためには、例えば光ファイバなどの外部光学系との光結合を行うことが必要となる。特許文献1には2次元フォトニック結晶スラブの面外からスラブ面に垂直に光を入射してスラブ面内へ光結合させる技術が開示されている。
一方、光の波長未満の径を有する開口列をもった金属フィルムを使用して、開口列を透過する光の透過率を著しく高める光伝送技術が特許文献2や特許文献3に開示されている。
これによれば、金属フィルムに開口を周期的な配列で設けることにより、あるいは開口と連携して金属フィルム上に周期的な表面形状を設けることにより、金属フィルムに照射された光の、金属フィルムに設けた波長未満の直径を有する1つ以上の開口を通過する光強度が、そのような周期的な開口や表面形状がない場合に比べて大幅に増加するものとなっている。実験的な検証によれば、光強度の増加率は1000倍にも達することがあると言われ、このような光強度の増強は金属フィルムに入射する光が金属フィルムに励起される表面プラズモンモードと共振的に相互作用する時に起こると言われている。
特開2001−272555号公報
特開平11−72607号公報
特開2000−171763号公報
これによれば、金属フィルムに開口を周期的な配列で設けることにより、あるいは開口と連携して金属フィルム上に周期的な表面形状を設けることにより、金属フィルムに照射された光の、金属フィルムに設けた波長未満の直径を有する1つ以上の開口を通過する光強度が、そのような周期的な開口や表面形状がない場合に比べて大幅に増加するものとなっている。実験的な検証によれば、光強度の増加率は1000倍にも達することがあると言われ、このような光強度の増強は金属フィルムに入射する光が金属フィルムに励起される表面プラズモンモードと共振的に相互作用する時に起こると言われている。
ところで、特許文献1に記載されているような2次元フォトニック結晶スラブの面外から垂直に光を入射してスラブ面内へ光結合させる方法では、光を結合させるために2次元フォトニック結晶スラブ中に導入されている欠陥部分の大きさが使用する光の波長と比較して非常に小さく、例えば光の波長が1.5μmの時、欠陥の大きさは0.5μm程度となっている。従って、通常のレンズでは光の波長以下には集光できないので、このような欠陥部分における結合損失は極めて大きくなってしまうという問題がある。
一方、特許文献2等に開示されている技術は、光の波長よりも小さな開口から非常に効率よく光を透過させることができるものであるが、開口を透過した光は当然に広がるものであって、開口を透過した光を低損失で効率よく使う(光結合させる)ことができるような構成は示されていない。
一方、特許文献2等に開示されている技術は、光の波長よりも小さな開口から非常に効率よく光を透過させることができるものであるが、開口を透過した光は当然に広がるものであって、開口を透過した光を低損失で効率よく使う(光結合させる)ことができるような構成は示されていない。
この発明の目的はこのような状況に鑑み、フォトニック結晶を用いるものであって、非常に小さな領域で光結合を極めて低損失で行えるようにして、光損失が小さく、小型で高性能な光学素子を提供することにある。
請求項1の発明によれば、開口と少なくとも一方の表面に周期的に形成された凹凸形状とを有し、その凹凸形状の存在によって一方の表面に入射されて開口を透過する光の強度が増強される構造とされた導電性フィルムと、屈折率周期構造を有するフォトニック結晶とを備え、フォトニック結晶には光導波路と、その光導波路と光結合する欠陥構造とが形成され、導電性フィルムはフォトニック結晶上に配置されて、開口が前記欠陥構造と近接されているものとされる。
請求項2の発明では請求項1の発明において、フォトニック結晶の、導電性フィルムが配置されている側と反対側の面にミラーが配置される。
請求項2の発明では請求項1の発明において、フォトニック結晶の、導電性フィルムが配置されている側と反対側の面にミラーが配置される。
請求項3の発明では請求項1の発明において、前記凹凸形状が開口を中心とする同心円状をなすものとされる。
請求項4の発明では請求項1の発明において、開口の径が入射される光の波長より小さいものとされる。
請求項5の発明では請求項1の発明において、前記欠陥構造が点状欠陥とされ、その点状欠陥の径が開口の径より小さいものとされる。
請求項4の発明では請求項1の発明において、開口の径が入射される光の波長より小さいものとされる。
請求項5の発明では請求項1の発明において、前記欠陥構造が点状欠陥とされ、その点状欠陥の径が開口の径より小さいものとされる。
この発明によれば、外部から入射した光は極めて低損失でフォトニック結晶の光導波路に結合するものとなり、よって小型で高性能な光学素子を提供することができる。
以下、この発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図1はこの発明による光学素子の第1の実施形態を示したものであり、光学素子は基板10と、基板10上に形成されたフォトニック結晶20と、フォトニック結晶20に近接して配置された導電性フィルム30とを備えるものとされ、導電性フィルム30は基板40上に設けられ、基板40を介してフォトニック結晶20上に配置されているものとされる。なお、図2は図1に示した光学素子を2つに分離して示したものである。
まず、導電性フィルム30の構成について説明する。
図1はこの発明による光学素子の第1の実施形態を示したものであり、光学素子は基板10と、基板10上に形成されたフォトニック結晶20と、フォトニック結晶20に近接して配置された導電性フィルム30とを備えるものとされ、導電性フィルム30は基板40上に設けられ、基板40を介してフォトニック結晶20上に配置されているものとされる。なお、図2は図1に示した光学素子を2つに分離して示したものである。
まず、導電性フィルム30の構成について説明する。
導電性フィルム30には円形の開口31が貫通形成され、さらに一方の表面(上面)30aに溝32が形成されている。溝32は図1では開口31を中心とする同心円状をなすように形成され、これにより導電性フィルム30の上面30aに周期的な凹凸形状が形成されている。光は導電性フィルム30の上面30aに照射される。導電性フィルム30は金属もしくは比較的導電率の高い半導体材料からなるものとされ、好ましくはアルミニウムや銀、金、クロム等がその材料に用いられる。
図1では導電性フィルム30の上面30aに周期Λの同心円状をなす溝32が形成されているが、他方の表面(下面)30bにもそのような溝が形成されていてもよい。また、ここでは開口31の周囲に同心円状に溝32を設けているが、周期的な凹凸形状はこれに限らず、くぼみや突起が2次元格子状に配列されたものや、溝やリブが1次元配列あるいは2次元格子状に配列されたものであってもよい。なお、このような凹凸形状は例えば導電性フィルムにイオンミリング等の手法によって直接形成することができ、また各種の転写法などによっても形成することができる。
図1では導電性フィルム30の上面30aに周期Λの同心円状をなす溝32が形成されているが、他方の表面(下面)30bにもそのような溝が形成されていてもよい。また、ここでは開口31の周囲に同心円状に溝32を設けているが、周期的な凹凸形状はこれに限らず、くぼみや突起が2次元格子状に配列されたものや、溝やリブが1次元配列あるいは2次元格子状に配列されたものであってもよい。なお、このような凹凸形状は例えば導電性フィルムにイオンミリング等の手法によって直接形成することができ、また各種の転写法などによっても形成することができる。
さらに、図1では開口31の形状が円形とされているが、開口31は例えば楕円形や長方形等の他の形状とすることもできる。なお、フォトニック結晶に光を入射させるべく、フォトニック結晶に導入される欠陥構造はその大きさが使用する光の波長以下であることが多く、その点で開口31は波長より小さな直径をもつことが好ましい。開口31が楕円形や長方形である場合には、少なくともその短軸方向の長さが波長よりも小さいことが望ましい。開口31の位置に関しては周期的な凹凸形状の中央に位置するのが望ましいが、その位置ずれがΛ/4以下であれば大きな問題は発生しない。
ここで、凹凸形状の周期Λについて、表面プラズモンモードを考慮した上で好ましい寸法について説明する。入射光の波長をλとすると、凹凸形状が形成された面に垂直に光を入射させた場合の表面プラズモンモードが効果的に励起される条件は次式で表される。
λ=Λ・(εmεd)1/2/(εm+εd)1/2 …(1)
ここで、εmは導電性フィルムの誘電率、εdは導電性フィルムに隣接する誘電媒体の誘電率を表す。
例えば導電性フィルムとして銀を用い、凹凸形状の周期Λを1500nmとした場合、波長λ:1580nm付近に光透過強度のピークが現れた。また、凹凸形状の周期Λを1300nmとした場合、波長λ:1370nm付近に光透過強度のピークが現れた。この結果は(1)式と照らし合わせると、銀の空気側の表面における表面プラズモンモードによる光透過強度の増強現象として説明できる。
λ=Λ・(εmεd)1/2/(εm+εd)1/2 …(1)
ここで、εmは導電性フィルムの誘電率、εdは導電性フィルムに隣接する誘電媒体の誘電率を表す。
例えば導電性フィルムとして銀を用い、凹凸形状の周期Λを1500nmとした場合、波長λ:1580nm付近に光透過強度のピークが現れた。また、凹凸形状の周期Λを1300nmとした場合、波長λ:1370nm付近に光透過強度のピークが現れた。この結果は(1)式と照らし合わせると、銀の空気側の表面における表面プラズモンモードによる光透過強度の増強現象として説明できる。
このように使用する光源の波長に合わせて凹凸形状の周期を決めることで光学素子を伝送する光を好適に増強することができる。なお、上記のように光源の波長に対して凹凸形状の周期を調整しなくても何らかの周期構造が設けられていれば、凹凸形状を設けない場合に比べ、光の増強は起こる。
なお、実際の製造を前提とした現実的な構造を考えると、例えば導電性フィルムの上面が空気、下面が導電性フィルムを支持する基体(基板)である場合等、導電性フィルムの両側が必ずしも同じ誘電媒体でない状態が考えられる。その場合は(1)式に基づき、それぞれの誘電媒体に適した周期の凹凸形状を形成してもよい。
なお、実際の製造を前提とした現実的な構造を考えると、例えば導電性フィルムの上面が空気、下面が導電性フィルムを支持する基体(基板)である場合等、導電性フィルムの両側が必ずしも同じ誘電媒体でない状態が考えられる。その場合は(1)式に基づき、それぞれの誘電媒体に適した周期の凹凸形状を形成してもよい。
以下、作製方法を含め、数値例を示して具体的実施例について説明する。
光学素子を図1及び2に示す構成とした。
基板10及び基板10上に位置するフォトニック結晶20の作製には、Si基板上にSiO2層を介してSi層を形成したSOI(Silicon on Insulator)ウエハを用いた。Si層の上に電子ビーム露光用のレジストを塗布した。そして、電子ビーム露光装置を用い、図2に示したような円が周期的に配列されたレジストパターンを形成した。この時、円を一列配列しない状態の線状欠陥及び円の直径が少し大きい欠陥構造(点状欠陥)も同時に形成した。その後、円内のレジストを現像除去して、円孔レジストパターンを形成した。さらに、反応性イオンビームエッチング装置を用いて、Si層をエッチングして2次元フォトニック結晶スラブを作製した。この時、三角格子状に配列した空気孔21の配列周期は0.42μm、Si層よりなるスラブ厚は0.256μmで、周期配列した空気孔21の直径は0.244μmとし、点状欠陥22の直径は0.47μmとした。なお、図2中、23は線状欠陥によって形成された光導波路を示し、この光導波路23と光結合するよう点状欠陥22が設けられている。また、24はSiO2層を示し、25はSi層を示す。
基板10及び基板10上に位置するフォトニック結晶20の作製には、Si基板上にSiO2層を介してSi層を形成したSOI(Silicon on Insulator)ウエハを用いた。Si層の上に電子ビーム露光用のレジストを塗布した。そして、電子ビーム露光装置を用い、図2に示したような円が周期的に配列されたレジストパターンを形成した。この時、円を一列配列しない状態の線状欠陥及び円の直径が少し大きい欠陥構造(点状欠陥)も同時に形成した。その後、円内のレジストを現像除去して、円孔レジストパターンを形成した。さらに、反応性イオンビームエッチング装置を用いて、Si層をエッチングして2次元フォトニック結晶スラブを作製した。この時、三角格子状に配列した空気孔21の配列周期は0.42μm、Si層よりなるスラブ厚は0.256μmで、周期配列した空気孔21の直径は0.244μmとし、点状欠陥22の直径は0.47μmとした。なお、図2中、23は線状欠陥によって形成された光導波路を示し、この光導波路23と光結合するよう点状欠陥22が設けられている。また、24はSiO2層を示し、25はSi層を示す。
次に、導電性フィルム30として、厚さ0.3μmの銀膜を基板40上にDCスパッタ法で成膜した。基板40はSiO2よりなるものとし、その厚さは0.3μmとした。この銀膜よりなる導電性フィルム30上に集束イオンビーム(FIB)加工を用いて凹凸形状をなす周期1.5μm、深さ0.2μmの同心円状の溝32を形成した。溝32の幅はちょうど1周期の半分となるように設定した。また、溝32の数は3あるいは4とした。そして、この後、同心円状をなす溝32の中央にFIB加工により直径0.1μm〜1.6μmの範囲で開口31を形成した。
このような構造の導電性フィルム30が設けられた基板40をフォトニック結晶20の表面に静電接合技術を用いて貼り合わせることによって光学素子を作製した。この時、フォトニック結晶20の点状欠陥22の中心と導電性フィルム30の開口31の中心が一致するようにアライメントを行った。
作製した光学素子の開口31にフォトニック結晶20の点状欠陥22に対応する波長1.587μmのレーザ光を入射させ、フォトニック結晶20の光導波路23に結合する光強度をフォトダイオードによりモニタした。結果を図3の表1に示す。光導波路23に結合する光強度は入射光の光強度に対する比率として示している。なお、図示を省略しているが、フォトダイオードは光導波路23の延伸方向の一方の端面に対向して配置した。
作製した光学素子の開口31にフォトニック結晶20の点状欠陥22に対応する波長1.587μmのレーザ光を入射させ、フォトニック結晶20の光導波路23に結合する光強度をフォトダイオードによりモニタした。結果を図3の表1に示す。光導波路23に結合する光強度は入射光の光強度に対する比率として示している。なお、図示を省略しているが、フォトダイオードは光導波路23の延伸方向の一方の端面に対向して配置した。
図4はこの発明による光学素子の第2の実施形態の要部構成を図1Bと同様に示したものであり、この光学素子では導電性フィルム30の上面30a及び下面30bにそれぞれ同心円状をなす溝32,33が形成され、つまり導電性フィルム30の両面に周期的な凹凸形状が形成されたものとなっている。このような構成の光学素子を、導電性フィルム30の両面に凹凸形状を作製する点を除いて実施例1と同様に作製した。
導電性フィルム30を成膜するSiO2よりなる基板40上に予めFIB加工を用いて凹凸形状を形成し、これにより基板40上に周期1.4μm、高さ0.2μmの同心円状の凸部41が存在するようにした。凸部41の幅はちょうど1周期の半分となるように設定し、凸部41の数は3とした。次に、この基板40上に銀膜をDCスパッタ法で成膜した。これにより、凸部41と対応して導電性フィルム30の下面30bに同心円状をなす深さ0.2μmの3つの溝33が形成されることになる。
導電性フィルム30を成膜するSiO2よりなる基板40上に予めFIB加工を用いて凹凸形状を形成し、これにより基板40上に周期1.4μm、高さ0.2μmの同心円状の凸部41が存在するようにした。凸部41の幅はちょうど1周期の半分となるように設定し、凸部41の数は3とした。次に、この基板40上に銀膜をDCスパッタ法で成膜した。これにより、凸部41と対応して導電性フィルム30の下面30bに同心円状をなす深さ0.2μmの3つの溝33が形成されることになる。
次に、この導電性フィルム30の上面30aにFIB加工を用いて周期1.5μm、深さ0.2μmの同心円状の溝32を下面30bの同心円状の溝33の中心と一致させて形成した。溝32の幅はちょうど1周期の半分となるように設定し、溝32の数は3とした。そして、溝32の中央にFIB加工により直径0.6μmの開口31を形成した。
このような構造の導電性フィルム30が設けられた基板40を実施例1と同一仕様のフォトニック結晶20の表面に静電接合技術を用いて貼り合わせることによって光学素子を作製した。この時、フォトニック結晶20の点状欠陥22の中心と導電性フィルム30の開口31の中心が一致するようにアライメントを行った。
このような構造の導電性フィルム30が設けられた基板40を実施例1と同一仕様のフォトニック結晶20の表面に静電接合技術を用いて貼り合わせることによって光学素子を作製した。この時、フォトニック結晶20の点状欠陥22の中心と導電性フィルム30の開口31の中心が一致するようにアライメントを行った。
作製した光学素子の開口31に実施例1の場合と同様、波長1.587μmのレーザ光を入射させ、光導波路に結合する光強度をフォトダイオードによりモニタした。結果を表1に示す。
図5はこの発明による光学素子の第3の実施形態の要部構成を図4と同様に示したものであり、この光学素子ではフォトニック結晶20の、導電性フィルム30が配置されている側と反対側の面にミラー(ミラー構造体)50が配置され、フォトニック結晶20が導電性フィルム30とミラー構造体50との間に挟まれた構造となっている。この光学素子を以下のようにして作製した。
基板10にはSi基板を用い、その上にミラー構造体50として、SiO2層51とSi層52をスパッタ法により2層ずつ成膜して交互積層構造とした。それぞれの厚さはSiO2層51が0.265μm、Si層52が0.106μmとした。さらに、フォトニック結晶20用としてSiO2層24とSi層25をスパッタ法により成膜し、このSi層25に対して実施例1と同様にレジストパターン形成、エッチング加工を施して実施例1と同一仕様の2次元フォトニック結晶スラブを作製した。
基板10にはSi基板を用い、その上にミラー構造体50として、SiO2層51とSi層52をスパッタ法により2層ずつ成膜して交互積層構造とした。それぞれの厚さはSiO2層51が0.265μm、Si層52が0.106μmとした。さらに、フォトニック結晶20用としてSiO2層24とSi層25をスパッタ法により成膜し、このSi層25に対して実施例1と同様にレジストパターン形成、エッチング加工を施して実施例1と同一仕様の2次元フォトニック結晶スラブを作製した。
導電性フィルム30は実施例1と同一仕様のものを同様に作製し、フォトニック結晶20に実施例1と同様に貼り合わせて光学素子を作製した。
作製した光学素子の開口31に実施例1,2の場合と同様に波長1.587μmのレーザ光を入射させ、光導波路に結合する光強度をフォトダイオードによりモニタした。結果を表1に示す。
作製した光学素子の開口31に実施例1,2の場合と同様に波長1.587μmのレーザ光を入射させ、光導波路に結合する光強度をフォトダイオードによりモニタした。結果を表1に示す。
フォトニック結晶20の点状欠陥22の中心と導電性フィルム30の開口31の中心を多少ずらしてアライメントを行った点を除いて、実施例1と同様に光学素子を作製した。
点状欠陥22の中心と開口31の中心のずれ量を点状欠陥22の直径のほぼ半分である0.23μmとした時、実施例1と同様にモニタして得た光導波路に結合する光強度は15%であった。また、ずれ量を点状欠陥22の直径と同じ0.47μmとした時、光導波路に結合する光強度は2%となった。
[比較例]
実施例1と同様にフォトニック結晶20を作製し、導電性フィルム30を配置しないで光学素子とした。
点状欠陥22の中心と開口31の中心のずれ量を点状欠陥22の直径のほぼ半分である0.23μmとした時、実施例1と同様にモニタして得た光導波路に結合する光強度は15%であった。また、ずれ量を点状欠陥22の直径と同じ0.47μmとした時、光導波路に結合する光強度は2%となった。
[比較例]
実施例1と同様にフォトニック結晶20を作製し、導電性フィルム30を配置しないで光学素子とした。
図6はこの導電性フィルム30のない光学素子を示したものであり、光学素子の開口(ここではフォトニック結晶20の点状欠陥22)に実施例1と同様、波長1.587μmのレーザ光を入射させ、光導波路23に結合する光強度をフォトダイオードによりモニタした。結果を表1に示す。
・実施例1及び比較例を参照すると、次のことがわかる。
導電性フィルム30を用いることによってフォトニック結晶20の光導波路23に結合する光強度が著しく増加する。これは図7に示したようなメカニズムであると考えられる。図7Bに示したように導電性フィルムがない場合にはフォトニック結晶20中に設けた点状欠陥22部分以外にも光が照射されて、その光は反射や透過してしまい、損失となる。これに対し、図7Aに示したように導電性フィルム30を設けることによって、点状欠陥22に光が集光される現象が起こり、よって損失となる透過光や反射光が著しく低減されるものとなる。
・実施例1及び比較例を参照すると、次のことがわかる。
導電性フィルム30を用いることによってフォトニック結晶20の光導波路23に結合する光強度が著しく増加する。これは図7に示したようなメカニズムであると考えられる。図7Bに示したように導電性フィルムがない場合にはフォトニック結晶20中に設けた点状欠陥22部分以外にも光が照射されて、その光は反射や透過してしまい、損失となる。これに対し、図7Aに示したように導電性フィルム30を設けることによって、点状欠陥22に光が集光される現象が起こり、よって損失となる透過光や反射光が著しく低減されるものとなる。
また、実施例1より導電性フィルム30上の溝32の数を変化させても光導波路23に結合する光強度はそれほど変化がなく、溝32の数は特に限定する必要がないことがわかる。
さらに、開口31の直径は点状欠陥22の直径よりも大きい方が効果的であることがわかる。また、開口31の直径は入射される光の波長よりも小さい方がより効果的であることもわかる。なお、入射光ビームの直径を変化させても同様に効果があることがわかる。
・実施例1と実施例2を比較すると、次のことがわかる。
さらに、開口31の直径は点状欠陥22の直径よりも大きい方が効果的であることがわかる。また、開口31の直径は入射される光の波長よりも小さい方がより効果的であることもわかる。なお、入射光ビームの直径を変化させても同様に効果があることがわかる。
・実施例1と実施例2を比較すると、次のことがわかる。
導電性フィルム30の両面に溝を形成することによって、さらに効果的にフォトニック結晶20の光導波路23に光結合させることができる。これはフォトニック結晶20の点状欠陥22付近から反射した光が再び導電性フィルム30の下面30bに設けた溝33によって集光されて点状欠陥22に入射され、結果的に光結合効率があがるものと考えられる。
・実施例1と実施例3を比較すると、次のことがわかる。
フォトニック結晶20が導電性フィルム30とミラー構造体50の間に配置されていることによって、さらに効果的にフォトニック結晶20の光導波路23に光結合させることができる。これはフォトニック結晶20の点状欠陥22付近から透過した光を反射させて再び点状欠陥22に戻すことが起こっているものと考えられる。
・実施例1と実施例3を比較すると、次のことがわかる。
フォトニック結晶20が導電性フィルム30とミラー構造体50の間に配置されていることによって、さらに効果的にフォトニック結晶20の光導波路23に光結合させることができる。これはフォトニック結晶20の点状欠陥22付近から透過した光を反射させて再び点状欠陥22に戻すことが起こっているものと考えられる。
なお、フォトニック結晶20の光導波路23と光結合する欠陥構造として、上述した各実施形態ではフォトニック結晶20中に単一の点状欠陥22を設けた構成となっているが、欠陥構造はこれに限らず、例えば複数の点状欠陥が配列されてなる領域とすることもできる。
Claims (5)
- 開口と、少なくとも一方の表面に周期的に形成された凹凸形状とを有し、その凹凸形状の存在によって一方の表面に入射されて前記開口を透過する光の強度が増強される構造とされた導電性フィルムと、
屈折率周期構造を有するフォトニック結晶とを備え、
前記フォトニック結晶には光導波路と、その光導波路と光結合する欠陥構造とが形成されており、
前記導電性フィルムは前記フォトニック結晶上に配置されて、前記開口が前記欠陥構造と近接されていることを特徴とする光学素子。 - 請求項1記載の光学素子において、
前記フォトニック結晶の、前記導電性フィルムが配置されている側と反対側の面にミラーが配置されていることを特徴とする光学素子。 - 請求項1記載の光学素子において、
前記凹凸形状は前記開口を中心とする同心円状をなすものとされていることを特徴とする光学素子。 - 請求項1記載の光学素子において、
前記開口の径は前記入射される光の波長より小さいことを特徴とする光学素子。 - 請求項1記載の光学素子において、
前記欠陥構造が点状欠陥とされ、その点状欠陥の径は前記開口の径より小さいことを特徴とする光学素子。
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