JP2000314815A - コンパクト光導波路 - Google Patents
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Abstract
光を伝送する。 【解決手段】 本発明の光導波路は、第1の屈折率を有
するチャネルであり、第1の屈折率と異なる屈折率を有
する1つ以上の材料により周囲を包まれ、かつチャネル
および周囲の材料の屈折率により規定される臨界角より
も大きな角度を互いに対して有するように構成された第
1と第2の部分を有する、チャネルと、チャネルの第1
および第2の部分をつなぐように位置決めされるフォト
ニックバンドギャップ素子であって、導波路中を透過さ
れフォトニックバンドギャップ素子に臨界角よりも大き
な角度で入射する光に対して、反射体として作用するよ
うな形状に構成されたフォトニックバンドギャップ素子
とを有する。
Description
る。特に、フォトニックバンドギャップ素子を用いるこ
とにより、導波路の臨界角よりも大きい角度を曲がって
光を伝送する、フォトニックバンドギャップ素子コンパ
クト光導波路に関する。
へ伝送するのに普通に用いられる。光導波路の一つの形
態としては光ファイバーがある。光ファイバーは典型的
には、第1の屈折率n1を有するコア素子と、第2の屈
折率n2を有するクラッディングを含む。光ファイバー
は、光の全反射を介して最小の損失で透過する。
クラッディング間の障壁にコア素子とクラッディング素
子との間の屈折率差により規定される臨界角よりも小さ
な角度で入射する場合に発生する。臨界角θは方程式
(1)により規定される。 θ=cos-1(n2/n1) (1) 図1は、集積回路基板100中に形成された光導波路の
例の上面図である。集積回路基板100は屈折率n2を
有し、基板を通る光透過チャネル110は屈折率n1を
有する。基板周囲の空気は屈折率n3を有する。光を最
適に透過する為に、光導波路は、チャネル110中を透
過される光が臨界角より大きな角度でチャネル110の
端部に入射しないような形状を有している。もしこれが
発生すると、光は全反射されず、少なくとも光の一部が
チャネル110の壁面を通過して基板100中で散逸す
る。
に加えられた光の実質的に全部が、導波路を通って透過
され出力ポート130において導波路から出射すること
を確実にするために、導波路110は緩やかな屈曲部の
みで構成されている。従って、図1に示すように導波路
に水平方向に入射した光線112は、一連の反射114
および116を通じて、対応する垂直光線118に変わ
る。光線がチャネル112と基板110との間の障壁に
入射する角度θは、臨界角θよりも小さくなければなら
ない。このように、光線の角度変化の総和を90°にす
るためには、数回の反射が必要である。
以外の任意の経路を通じて送る場合には、従来技術によ
る集積回路では、方向変更の毎に緩やかな屈曲部が必要
となる。これらの緩やかな屈曲部は、集積回路の表面上
の、本来は信号処理回路またはその他の光学的要素によ
って占められるべき貴重な面積を占有してしまい得る。
バンドギャップ素子を反射体として用いることにより、
光ビームを臨界角よりも大きな角度で反射させることが
可能な光導波路を実現する。フォトニックバンドギャッ
プデバイスは、基板内に形成された2次元アレイ形状の
柱部(column)から形成される。柱部と基板との
誘電率は異なる。
のフォトニックバンドギャップデバイスは、光導波路中
の鋭い屈曲部の両側において形成される。
プデバイスを構成する柱部は、超高速レーザを用いるレ
ーザ加工により基板中に形成された柱状穴の形状をして
おり柱部は空気で満たされる。
ギャップデバイスが光に対してその偏光に関係無く動作
するよう、フォトニックバンドギャップ素子の列は三角
形状の集合として配列される。
路は、第1の屈折率を有する透過性の材料を第2の屈折
率を有する基板上に堆積させ、導波路の直線部分を規定
するよう超高速レーザを用いてチャネルを透過性の材料
中に切り込み、またフォトニックバンドギャップ素子を
規定するよう柱部を透過性の材料中に切り込むことによ
り、形成される。
路は、第1の屈折率を有する透過性の材料を第2の屈折
率を有する基板中のチャネル内に堆積させ、またフォト
ニックバンドギャップ素子を形成するよう超高速レーザ
を用いて柱部を透過性の材料中に切り込むことにより、
形成される。
路は、第1の屈折率を有する透過性の材料を第2の屈折
率を有する基板上に堆積させ、またフォトニックバンド
ギャップ素子を形成するよう超高速レーザを用いて柱部
を透過性の材料中に切り込むことにより、形成される。
の屈折率を有するチャネルであり、該第1の屈折率と異
なる屈折率を有する1つ以上の材料により周囲を包ま
れ、かつ該チャネルおよび該周囲の材料の屈折率により
規定される臨界角よりも大きな角度を互いに対して有す
るように構成された第1と第2の部分を有する、チャネ
ルと、該チャネルの該第1および第2の部分をつなぐよ
うに位置決めされるフォトニックバンドギャップ素子で
あって、該導波路中を透過され該フォトニックバンドギ
ャップ素子に該臨界角よりも大きな角度で入射する光に
対して、反射体として作用するような形状に構成された
フォトニックバンドギャップ素子と、を有する光導波路
が提供され、そのことにより上記目的が達成される。
前記チャネルの前記第1および第2の部分が接合され、
前記フォトニックバンドギャップ素子は、該屈曲部の該
内角と該外角にそれぞれ位置された第1および第2のフ
ォトニックバンドギャップ素子を含んでもよい。
導波路を通って透過される光の波長の約2分の1と等し
い直径を有する複数の柱状穴を含んでなり、該穴は該チ
ャネルに隣接して形成され、雰囲気で満たされていても
よい。
記柱状穴は、三角形状の集合として配列され、該柱状穴
間の間隔は、前記導波路を通って透過される前記光の波
長の約2分の1でもよい。
であって、第1の屈折率を有する透過性材料を、第2の
屈折率を有する基板上に堆積させる工程と、超高速レー
ザを用いてチャネルを前記透過層中に切り込むことによ
り、第3の屈折率を有する周囲の雰囲気で満たされた、
前記導波路の複数の直線部分を規定する工程であって、
該複数の直線部分は、該第1および該第3の屈折率によ
り規定される臨界角よりも大きい角度を有する屈曲部を
形成する、工程と、超高速レーザを用いて柱状穴を該透
過層中に切り込むことにより、該導波路の該複数の直線
部分をつなぐフォトニックバンドギャップ素子を規定す
る工程と、を含む、光導波路を形成する工程が提供さ
れ、そのことにより上記目的が達成される。
により前記フォトニックバンドギャップ素子を規定する
前記工程は、前記導波路を通じて透過される光の波長の
約2分の1に等しい直径を有する穴を切り込む工程と、
三角形状の集合に該穴を切り込む工程であって、該穴は
該導波路を通じて透過される該光の波長の約2分の1に
等しい間隔で配列される工程と、を含んでもよい。
であって、第1の屈折率を有する基板中にチャネルを形
成する工程であって、該チャネルは第1および第2の直
線部分ならびに該第1および該第2の直線部分よりも大
きい幅を有する第3の部分を有し、該第3の部分は該第
1および該第2の直線部分をつないでいる、工程と、第
2の屈折率を有する透過層を、該基板中の該チャネル内
に堆積させる工程と、超高速レーザを用いて該チャネル
の該第3の部分に堆積されている前記透過性材料に柱状
穴を切り込む工程であって、該柱状穴は、該チャネルの
該第3の部分のうち該チャネルの該第1および該第2の
部分の幅に対応する幅より外側にある位置に切り込ま
れ、該柱状穴はフォトニックバンドギャップ素子を形成
する、工程と、を含む光導波路を形成する方法が提供さ
れ、そのことにより上記目的が達成される。
より前記フォトニックバンドギャップ素子を規定する前
記工程は、前記導波路を通じて透過される光の波長の約
2分の1に等しい直径を有する穴を切り込む工程と、三
角形状の集合に該穴を切り込む工程であって、該穴は該
導波路を通って透過される該光の波長の約2分の1に等
しい間隔で配設される工程と、を含んでもよい。
であって、第1の屈折率を有する透過性材料を、第2の
屈折率を有する基板上に堆積させる工程と、該透過性材
料をエッチングすることによりチャネルを形成する工程
であって、該チャネルは第1および第2の直線部分なら
びに、該第1および第2の部分よりも大きな幅を有する
第3の部分を有しており、該第3の部分は該第1および
第2の部分をつないでいる、工程と、超高速レーザを用
いて該チャネルの該第3の部分に堆積されている該透過
性材料に柱状穴を切り込む工程であって、該柱状穴は、
該チャネルの該第3の部分のうち該チャネルの該第1お
よび第2の部分の幅に対応する幅より外側にある位置に
切り込まれており、該柱状穴はフォトニックバンドギャ
ップ素子を形成する、工程と、を含む、光導波路を形成
する方法が提供され、そのことにより上記目的が達成さ
れる。
により前記フォトニックバンドギャップ素子を規定する
前記工程は、前記導波路を通って透過される光の波長の
約2分の1に等しい直径を有する穴を切り込む工程と、
三角形状の集合に該穴を切り込む工程であって、該穴は
該導波路を通じて透過される該光の波長の約2分の1に
等しい間隔で配設される工程と、を含んでもよい。
の実施形態を例示する。この実施形態において導波路
は、基板202上に堆積された透過性層200中に形成
されている。透過性層200は屈折率n1を有する一
方、基板202は屈折率n2を有し、基板202および
透過性層200の周囲の雰囲気は屈折率n3を有する。
ンドレーザまたはフェムトセカンドレーザなどの超高速
レーザを用いた機械加工により、透過性層200中に設
けられている。雰囲気の屈折率は透過性層200の屈折
率と異なるので、これらのスロットは導波路直線部分を
規定する。さらに、スロット210は超高速レーザを用
いて機械加工されるので、滑らかな直線状であり得、透
過性層200の平面に対して実質的に垂直な側面を有し
得る。
ーザは例えば、800nmの波長と150fsのパルス
幅と1mJのパルスエネルギー(ピーク出力10-3J/
150×10-15sec=6.7GW)を有する、チタ
ンドープされたサファイアレーザー(Ti:Sapph
ire)で有り得る。
ーンを基板に形成することにより、導波路内の屈曲部の
外側に2次元フォトニックバンドギャップ素子221を
形成する。最後に、超高速レーザを用いて穴222を基
板に形成することにより、導波路内の屈曲部の内側に2
次元フォトニックバンドギャップ素子223を形成す
る。
ネル211の屈折率とは異なる屈折率を有する材料で包
囲されている。チャネルの下部には、屈折率n2を有す
る基板202がある。チャネル211の上部と両側面部
には、屈折率n3を有する雰囲気が存在している。この
ように、チャネルの直線部分に沿って、導波路は図1に
示したのと同様に作動する。
ドギャップ素子221および223によって規定される
急な屈曲部を有する。もし導波路の角部が、バンドギャ
ップ素子221および223ではなくスロット210と
同様のスロットで形成された場合、角部分のスロットに
入射する光は、チャネルの臨界角よりも大きい角度で到
達するので、全反射されない。全反射する代わりに、こ
の光は少なくとも部分的に、透過性層200のうち導波
路211の外側にある領域中に散逸される。
21および223は、透過性チャネル211の角部にお
いて反射面を形成する。フォトニックバンドギャップ素
子は、J.D.Joannopoulosらによる”P
hotonic Crystals”(Princet
on University Press,1995)
と題された参考書中に記載されており、同参考書中のフ
ォトニックバンドギャップ素子に関する教示内容を本明
細書中に参考として援用する。要約すれば、2次元フォ
トニックバンドギャップ素子は、第1の誘電率ε1を有
する材料で形成された柱部を、第1の誘電率ε2を有す
る材料中に配置することにより形成される。柱部は、偏
向される光の波長の2分の1程度のサイズと間隔で形成
される。この柱部のパターンは、特定の結晶中に存在す
る電子の量子力学的バンドギャップと同様の、光子エネ
ルギーレベルの禁制帯を形成する。この様に、禁制光子
レベルに対応する波長範囲内の光は、フォトニックバン
ドギャップ素子を通って伝播出来ないので、素子により
反射される。
ギャップ素子の特定の特性を決定する。例えば、図2に
示されている三角形パターンは、選択された周波数にお
ける光をTmモードとTeモードの両方で(すなわちそ
の偏光にかかわらず)反射する、バンドギャップを形成
する。バンドギャップ素子を形成する材料による誘電率
の違いは、素子の性能に影響を及ぼす。従って、基板材
料および空気に比較して、屈折率と誘電率の両方におい
て比較的大きな差を有する透過性の材料を用いるのが望
ましい。発明者らは、ケイ素(Si)および二酸化ケイ
素(SiO2)が、基板および透過性の材料としてそれ
ぞれうまく機能することを見出した。本発明においてバ
ンドギャップ素子円筒形状の柱部を三角形状の集合状に
形成集合することによりバンドギャップ素子を形成する
ことを示しているが、その他の集合形状(例 正方形ま
たはハニカム状)ならびにその他の柱部形状を用いるこ
とも考えられる。また、本実施形態例においては、透過
性層200に穴の列を形成し、これらの穴は透過性層2
00の誘電率よりも低い誘電率を有する雰囲気で満たさ
れている。あるいは、これらの穴を、透過性層200の
誘電率よりも高い誘電率を有する物質で埋めることも考
えられる。
素子221および223の動作を例示している。入射す
る光線211は、導波路チャネル211の直線部分のス
ロットとの境界部分に臨界角度より小さな角度で入射す
るので、ほとんど90°近い角度でバンドギャップ素子
221中で反射する(光線214)。しかし、その光子
エネルギーのため、光線214はバンドギャップ素子2
21中を通って伝播出来ない。その代わりに、光線21
4は光線216として反射される。この光線216はバ
ンドギャップ素子223に向かって方向付けられるが、
臨界角よりも小さな角度であるため、バンドギャップ素
子223によって反射される(光線218)。この光線
は導波路の出力ポート240から出力される。
は透過性層211の側面に入射し、全反射されてバンド
ギャップ素子221中に入する(光線234)。バンド
ギャップ素子221に臨界角よりも大きい角度で入射す
る光線234は、バンドギャップ素子から光線236と
して反射される。そしてこの光線は、バンドギャップ素
子221を形成する穴220のうちの1つの穴220の
側面により全反射され、出力ポート240において導波
路から出射する光線238を形成する。
レーザを用いることが有利である。なぜならば、超高速
レーザは非常に小さな寸法のスロットと穴を機械加工す
ることが可能だからである。加えて、超高速レーザのパ
ルスにより生じる損傷は、パルスからの熱は周囲の材料
に散逸しないため、局所化される傾向にある。加えて、
パルスの強度を調整することによって、超高速レーザ
は、加工中の材料に対して比較的高い切除許容限界を有
するようになり得る。これを行うことにより、ビームの
中心に近いパルス部分のみが加工材料に損傷を与えるの
に十分なエネルギーを有するようになる。このように、
超高速レーザにより作製された穴とスロットは、レーザ
ー光の波長よりも小さい寸法を有し得る。超高速レーザ
のこれらの特性は、上述のように、透過光の波長の約2
分の1のサイズおよび間隔を有する穴を透過性層200
内に形成する場合に有用である。周囲の材料に散逸する
熱は周囲の材料の屈折率を変化させることにより、光が
バンドギャップ素子の列に臨界角よりも小さい角度で入
射する際のバンドギャップ素子の特性を変化させ得るた
め、周囲の材料に熱を散逸させないという超高速パルス
のこの傾向は、フォトニックバンドギャップ素子の形成
のためにも有用である。すなわち超高速レーザは比較的
少量の熱しか散逸させず、周囲の材料の屈折率にはほと
んど変化は無いからである。
本実施形態においては、超高速レーザを用いて導波路の
両側に穴を形成する超高速レーザの代わりに、透過性層
200を化学的にエッチングして導波路チャネルの外側
部分を除去することにより、雰囲気と界接する導波路チ
ャネルの両側面において、全反射を可能にするような屈
折率差を得ている。導波路チャネルが基板202に対し
て実質的に垂直な端部を有するように形成されるよう、
異方性エッチャントを用いて透過性層のうちの使用され
ない部分を除去するのが望ましい。
および内側角部において、バンドギャップ素子221お
よび223を設けることが可能な面積を有するように形
成される。バンドギャップ素子221および223は、
図2および図3を参照して上述したのと同様の方法で形
成される。超高速レーザを用いて、透過性層200を貫
通して延び、かつ透過性層200中において例えば柱状
穴の三角格子を構成するような、柱部を形成する。これ
らの穴のサイズと間隔は導波路を通って透過される光の
波長のおよそ2分の1である。
この実施形態において、基板202を化学的にエッチン
グすることによりチャネルを形成し、透過性の材料をチ
ャネル内に堆積する。図4に示される導波路について
は、比較的鋭い端部を得るために、基板202内のチャ
ネルを異方性のエッチャントでエッチングするのが望ま
しい。このタイプの端部は、導波路を通って伝播する光
が導波路の側面から全反射されることを確実にし、この
光が上方に反射してチャネルの上面から外に出ることの
ないようにする。図4を参照して上述したように、バン
ドギャップ素子221および223は超高速レーザを用
いて、例えば透過性層200内に穴の三角格子を構成す
るように形成される。
ドギャップ素子を反射体として用いることにより、光ビ
ームを臨界角よりも大きな角度で反射させることを可能
にする。フォトニックバンドギャップデバイスは、基板
内に形成されている2次元アレイ形状の柱状穴である。
柱状穴は、空気または基板の誘電率と異なる誘電率を有
する材料で満たされる。光導波路は、直角の屈曲部を形
成し、第1と第2のフォトニックバンドギャップデバイ
スは、屈曲部の内側および外側両方に形成される。これ
により、導波路に入射する光は、光導波路を構成する材
料により規定される臨界角よりも大きな角度で偏向され
る。フォトニックバンドギャップ素子の柱状穴は、導波
路を通って透過される光の波長の約2分の1の直径を有
し、また導波路を通って透過される光の波長の約2分の
1の柱部間の間隔を有する三角形状の集合として配列さ
れる。光導波路は、第1の屈折率を有する透過性の材料
を第2の屈折率を有する基板上に堆積させ、導波路の直
線部分を規定するよう超高速レーザを用いてチャネルを
透過性の材料中に切り込み、またフォトニックバンドギ
ャップ素子を規定するようさらにその超高速レーザを用
いて柱部を透過性の材料中に切り込むことにより、形成
される。本発明のさらに別の実施例においては、光導波
路は、第1の屈折率を有する透過性の材料を第2の屈折
率を有する基板中のチャネル内に堆積させ、またフォト
ニックバンドギャップ素子を形成するよう超高速レーザ
を用いて柱部を透過性の材料中に切り込むことにより、
形成される。本発明の最後の実施例においては、光導波
路は、第1の屈折率を有するチャネルを形成している透
過性の材料を第2の屈折率を有する基板上に堆積させ、
またフォトニックバンドギャップ素子を形成するよう超
高速レーザを用いて柱部を透過性の材料中に切り込むこ
とにより、形成される。
ャップ素子を用いることにより、導波路の臨界角よりも
大きい角度を曲がって光を伝送する、フォトニックバン
ドギャップ素子コンパクト光導波路が提供される。
たが、改変された上記発明は、添付された請求項の範囲
を逸脱すること無く、実行し得る。
の斜視図
斜視図
Claims (10)
- 【請求項1】 光導波路であって、 第1の屈折率を有するチャネルであり、該第1の屈折率
と異なる屈折率を有する1つ以上の材料により周囲を包
まれ、かつ該チャネルおよび該周囲の材料の屈折率によ
り規定される臨界角よりも大きな角度を互いに対して有
するように構成された第1と第2の部分を有する、チャ
ネルと、 該チャネルの該第1および第2の部分をつなぐように位
置決めされるフォトニックバンドギャップ素子であっ
て、該導波路中を透過され該フォトニックバンドギャッ
プ素子に該臨界角よりも大きな角度で入射する光に対し
て、反射体として作用するような形状に構成されたフォ
トニックバンドギャップ素子と、 を有する、光導波路。 - 【請求項2】 内角と外角を有する屈曲部を形成するよ
う前記チャネルの前記第1および第2の部分が接合さ
れ、前記フォトニックバンドギャップ素子は、該屈曲部
の該内角と該外角にそれぞれ位置された第1および第2
のフォトニックバンドギャップ素子を含む、請求項1に
記載の光導波路。 - 【請求項3】 前記フォトニックバンドギャップ素子
は、導波路を通って透過される光の波長の約2分の1と
等しい直径を有する複数の柱状穴を含んでなり、該穴は
該チャネルに隣接して形成され、雰囲気で満たされてい
る、請求項1に記載の光導波路。 - 【請求項4】 前記フォトニックバンドギャップ素子の
前記柱状穴は、三角形状の集合として配列され、該柱状
穴間の間隔は、前記導波路を通って透過される前記光の
波長の約2分の1である、請求項3に記載の光導波路。 - 【請求項5】 光導波路を形成する方法であって、 第1の屈折率を有する透過性材料を、第2の屈折率を有
する基板上に堆積させる工程と、 超高速レーザを用いてチャネルを前記透過層中に切り込
むことにより、第3の屈折率を有する周囲の雰囲気で満
たされた、前記導波路の複数の直線部分を規定する工程
であって、該複数の直線部分は、該第1および該第3の
屈折率により規定される臨界角よりも大きい角度を有す
る屈曲部を形成する、工程と、 該超高速レーザを用いて柱状穴を該透過層中に切り込む
ことにより、該導波路の該複数の直線部分をつなぐフォ
トニックバンドギャップ素子を規定する工程と、を含
む、光導波路を形成する方法。 - 【請求項6】 前記柱状穴を前記透過層中に切り込むこ
とにより前記フォトニックバンドギャップ素子を規定す
る前記工程は、 前記導波路を通じて透過される光の波長の約2分の1に
等しい直径を有する穴を切り込む工程と、 三角形状の集合に該穴を切り込む工程であって、該穴は
該導波路を通じて透過される該光の波長の約2分の1に
等しい間隔で配列される工程と、 を含む、請求項5に記載の方法。 - 【請求項7】 光導波路を形成する方法であって、 第1の屈折率を有する基板中にチャネルを形成する工程
であって、該チャネルは第1および第2の直線部分なら
びに該第1および該第2の直線部分よりも大きい幅を有
する第3の部分を有し、該第3の部分は該第1および該
第2の直線部分をつないでいる、工程と、 第2の屈折率を有する透過層を、該基板中の該チャネル
内に堆積させる工程と、 超高速レーザを用いて該チャネルの該第3の部分に堆積
されている前記透過性材料に柱状穴を切り込む工程であ
って、該柱状穴は、該チャネルの該第3の部分のうち該
チャネルの該第1および該第2の部分の幅に対応する幅
より外側にある位置に切り込まれ、該柱状穴はフォトニ
ックバンドギャップ素子を形成する、工程と、 を含む、光導波路を形成する方法。 - 【請求項8】 前記透過性材料に柱状穴を切り込むこと
により前記フォトニックバンドギャップ素子を規定する
前記工程は、 前記導波路を通じて透過される光の波長の約2分の1に
等しい直径を有する穴を切り込む工程と、 三角形状の集合に該穴を切り込む工程であって、該穴は
該導波路を通って透過される該光の波長の約2分の1に
等しい間隔で配設される工程と、 を含む、請求項7に記載の方法。 - 【請求項9】 光導波路を形成する方法であって、 第1の屈折率を有する透過性材料を、第2の屈折率を有
する基板上に堆積させる工程と、 該透過性材料をエッチングすることによりチャネルを形
成する工程であって、該チャネルは第1および第2の直
線部分ならびに、該第1および第2の部分よりも大きな
幅を有する第3の部分を有しており、該第3の部分は該
第1および第2の部分をつないでいる、工程と、 超高速レーザを用いて該チャネルの該第3の部分に堆積
されている該透過性材料に柱状穴を切り込む工程であっ
て、該柱状穴は、該チャネルの該第3の部分のうち該チ
ャネルの該第1および第2の部分の幅に対応する幅より
外側にある位置に切り込まれており、該柱状穴はフォト
ニックバンドギャップ素子を形成する、工程と、 を含む、光導波路を形成する方法。 - 【請求項10】 前記透過性の材料に柱状穴を切り込む
ことにより前記フォトニックバンドギャップ素子を規定
する前記工程は、 前記導波路を通って透過される光の波長の約2分の1に
等しい直径を有する穴を切り込む工程と、 三角形状の集合に該穴を切り込む工程であって、該穴は
該導波路を通じて透過される該光の波長の約2分の1に
等しい間隔で配設される工程と、 を含む、請求項9に記載の方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004004545A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バンドギャップおよび構造内の伝達をチューニングするためにレーザ微細加工によって光結晶の屈折率を調整する方法 |
Families Citing this family (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9710062D0 (en) * | 1997-05-16 | 1997-07-09 | British Tech Group | Optical devices and methods of fabrication thereof |
US6735368B2 (en) * | 1997-05-16 | 2004-05-11 | Mesophotonics Limited | Optical delay device |
US6788863B2 (en) | 1997-05-16 | 2004-09-07 | Mesophotonics Limited | Optical delay device |
DE19720784A1 (de) * | 1997-05-17 | 1998-11-26 | Deutsche Telekom Ag | Integrierte optische Schaltung |
JP3522117B2 (ja) * | 1998-08-05 | 2004-04-26 | 日本電気株式会社 | 自己導波光回路 |
US6468823B1 (en) * | 1999-09-30 | 2002-10-22 | California Institute Of Technology | Fabrication of optical devices based on two dimensional photonic crystal structures and apparatus made thereby |
JP2001141946A (ja) * | 1999-11-16 | 2001-05-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 合分波素子 |
US6542682B2 (en) | 2000-08-15 | 2003-04-01 | Corning Incorporated | Active photonic crystal waveguide device |
US6684008B2 (en) * | 2000-09-01 | 2004-01-27 | The University Of British Columbia | Planar photonic bandgap structures for controlling radiation loss |
JP2002071982A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光素子、光偏向素子、光合波素子及び走査装置 |
WO2002099473A2 (en) * | 2001-01-12 | 2002-12-12 | California Institute Of Technology | Methods for controlling positions of the guided modes of the photonic crystal waveguides |
US6560006B2 (en) | 2001-04-30 | 2003-05-06 | Agilent Technologies, Inc. | Two-dimensional photonic crystal slab waveguide |
US6466709B1 (en) * | 2001-05-02 | 2002-10-15 | California Institute Of Technology | Photonic crystal microcavities for strong coupling between an atom and the cavity field and method of fabricating the same |
JP3846228B2 (ja) * | 2001-06-07 | 2006-11-15 | 日本電気株式会社 | 導波路 |
US6782169B2 (en) * | 2001-09-05 | 2004-08-24 | University Of Delaware | System for efficient coupling to photonic crystal waveguides |
US7120338B2 (en) * | 2001-09-10 | 2006-10-10 | California Institute Of Technology | Tuning the index of a waveguide structure |
US7082235B2 (en) * | 2001-09-10 | 2006-07-25 | California Institute Of Technology | Structure and method for coupling light between dissimilar waveguides |
US6990257B2 (en) * | 2001-09-10 | 2006-01-24 | California Institute Of Technology | Electronically biased strip loaded waveguide |
FR2829788B1 (fr) * | 2001-09-14 | 2006-02-10 | Piscines Desjoyaux Sa | Panneaux modulaires pour la realisation de bassin de piscine |
WO2003075054A1 (en) * | 2002-03-06 | 2003-09-12 | Pirelli & C. S.P.A. | Device for bending an optical beam, in particular in an optical integrated circuit |
US7233729B2 (en) * | 2002-03-06 | 2007-06-19 | Pirelli & C. S.P.A. | Method for guiding an electromagnetic radiation, in particular in an integrated optical device |
JP2005519321A (ja) * | 2002-03-06 | 2005-06-30 | ピレリ・アンド・チ・ソチエタ・ペル・アツィオーニ | 特に光集積回路で光ビームを交差するための装置 |
US7010208B1 (en) | 2002-06-24 | 2006-03-07 | Luxtera, Inc. | CMOS process silicon waveguides |
US20040013384A1 (en) * | 2002-07-17 | 2004-01-22 | Greg Parker | Optical waveguide structure |
AU2002950855A0 (en) * | 2002-08-19 | 2002-09-12 | Swinburne University Of Technology | Materials |
US20040081414A1 (en) * | 2002-10-28 | 2004-04-29 | Barker Delmar L. | Type of optical/RF transmission fiber constructed from left handed materials (LHM) with air core capable of high power transmission |
US20040086244A1 (en) | 2002-11-05 | 2004-05-06 | Zoorob Majd E. | Optical waveguide structure |
JP2004266280A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 半導体レーザおよび光ポンピングされる半導体装置 |
JP4735259B2 (ja) * | 2003-06-19 | 2011-07-27 | 日本電気株式会社 | フォトニック結晶の構造 |
US6804446B1 (en) * | 2003-11-18 | 2004-10-12 | University Of Alabama In Huntsville | Waveguide including at least one photonic crystal region for directing signals propagating therethrough |
US7315679B2 (en) * | 2004-06-07 | 2008-01-01 | California Institute Of Technology | Segmented waveguide structures |
US7224857B2 (en) * | 2004-12-20 | 2007-05-29 | Fujitsu Limited | Optical-routing boards for opto-electrical systems and methods and apparatuses for manufacturing the same |
US7760979B2 (en) * | 2005-02-17 | 2010-07-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | System and method for low loss waveguide bends |
WO2007030196A2 (en) | 2005-07-08 | 2007-03-15 | The Trustees Of Princeton University | Quasicrystalline structures and uses thereof |
US7826688B1 (en) | 2005-10-21 | 2010-11-02 | Luxtera, Inc. | Enhancing the sensitivity of resonant optical modulating and switching devices |
WO2007074876A1 (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-05 | Nec Corporation | 導波路の結合構造 |
US7470581B2 (en) * | 2006-07-27 | 2008-12-30 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electromagnetic waveguide |
US7724420B2 (en) * | 2006-10-10 | 2010-05-25 | Raytheon Company | Frequency modulation structure and method utilizing frozen shockwave |
US7292740B1 (en) | 2007-01-18 | 2007-11-06 | Raytheon Company | Apparatus and method for controlling transmission through a photonic band gap crystal |
US7991289B2 (en) * | 2008-03-28 | 2011-08-02 | Raytheon Company | High bandwidth communication system and method |
US9770862B2 (en) | 2008-09-10 | 2017-09-26 | Kyton, Llc | Method of making adhesion between an optical waveguide structure and thermoplastic polymers |
WO2010030587A2 (en) * | 2008-09-10 | 2010-03-18 | Lake Shore Cryotronics, Inc. | Compact fiber optic sensors and method of making same |
US9138948B2 (en) * | 2008-09-10 | 2015-09-22 | Kyton, Llc | Suspended and compact fiber optic sensors |
US20100119194A1 (en) * | 2008-11-13 | 2010-05-13 | Seagate Technology Llc | Optical Waveguide With Reflector |
EP2417483A1 (en) * | 2009-04-10 | 2012-02-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light guiding bend with curved slits |
USD758372S1 (en) | 2013-03-13 | 2016-06-07 | Nagrastar Llc | Smart card interface |
US9888283B2 (en) | 2013-03-13 | 2018-02-06 | Nagrastar Llc | Systems and methods for performing transport I/O |
CN104950388B (zh) * | 2014-09-29 | 2021-04-13 | 欧阳征标 | 圆孔式正方晶格光子晶体低折射率单补偿散射柱直角波导 |
US10677995B2 (en) | 2014-10-23 | 2020-06-09 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Optical fiber interface for optical device package |
US10534148B2 (en) | 2014-10-24 | 2020-01-14 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Optical interconnect device |
US10261256B2 (en) | 2015-01-28 | 2019-04-16 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Laser-written optical routing systems and method |
USD864968S1 (en) | 2015-04-30 | 2019-10-29 | Echostar Technologies L.L.C. | Smart card interface |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5600483A (en) * | 1994-05-10 | 1997-02-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Three-dimensional periodic dielectric structures having photonic bandgaps |
JPH10506756A (ja) * | 1994-10-05 | 1998-06-30 | マサチューセッツ インスティトゥート オブ テクノロジー | 一次元周期誘導体導波路を使用する共振微小空洞 |
EP0970397B1 (en) * | 1996-03-27 | 2005-06-29 | BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company | Optical demultiplexer comprising a diffraction grating |
-
1999
- 1999-03-31 US US09/282,723 patent/US6134369A/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-03-31 JP JP2000099615A patent/JP2000314815A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004004545A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バンドギャップおよび構造内の伝達をチューニングするためにレーザ微細加工によって光結晶の屈折率を調整する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6134369A (en) | 2000-10-17 |
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