JP3846228B2 - 導波路 - Google Patents
導波路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3846228B2 JP3846228B2 JP2001172042A JP2001172042A JP3846228B2 JP 3846228 B2 JP3846228 B2 JP 3846228B2 JP 2001172042 A JP2001172042 A JP 2001172042A JP 2001172042 A JP2001172042 A JP 2001172042A JP 3846228 B2 JP3846228 B2 JP 3846228B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- line defect
- photonic crystal
- total reflection
- confined
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1225—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths comprising photonic band-gap structures or photonic lattices
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、導波路に関し、特に、フォトニック結晶線欠陥導波路と全反射閉じこめ型導波路の接続部を有する構造の導波路にあって、その光結合効率を高めるための導波路に関する。
【0002】
【従来の技術】
フォトニック結晶(photonic crystal)は、周期的に誘電率が大きく変調された人工光学結晶であり、一般に、光がそのフォトニック結晶内のどの方向にも伝播できないフォトニック・バンド・ギャップ(PBG)と呼ばれる角振動数帯域を有する。
【0003】
図7は、2次元フォトニック結晶の構造例を示す。
この2次元三角格子フォトニック結晶体3は、高誘電率媒質1の中に微細径のフォトニック結晶の孔2を三角格子状に配列した構造を有している。高誘電率媒質1には、通常、半導体(その多くは比誘電率が約12)が用いられる。この2次元三角格子フォトニック結晶体3の場合、PBGが得られる孔のピッチ(または格子定数)と孔径の組み合わせの目安は、例えば、「フォトニック・クリスタルズ・モデリング・ザ・フロー・オブ・ライト」の125〜126頁(「J.D.Joannopoulos,R.D.Meade and J.N.Winn,Photonic Crystals,Modeling the Flowof Light」Princeton University Press、pp.125〜126)に開示されている。孔の半径をr、フォトニック結晶の円孔のピッチをa、光の角振動数をω、真空中の光速をcとするとき、例えば、誘電率11.4の誘電体基板に三角格子状にフォトニック結晶の円孔を配列する場合であれば、(r/a)が0.48で、{(ω×a)/(2π×c)}が0.5程度のときに、電界の振動方向と孔が伸びている向きの関係に依らず、PBGが生じる。
【0004】
図8は図7の2次元三角格子フォトニック結晶体3を用いて作られたフォトニック結晶線欠陥導波路の一例を示す。
このフォトニック結晶線欠陥導波路5は、図7の2次元三角格子フォトニック結晶体3の2枚を近接配置した構造を有している。高誘電率媒質1の中には、多数の孔2が三角格子状に配列されている。この多数の孔2の中間部に1列の無孔部分、すなわち、線欠陥部4が形成されている。これにより、PBG内の角振動数の光は、線欠陥部4以外の完全結晶部分を伝搬することはできないが、線欠陥部4の部分は伝搬できるようになる。すなわち、この線欠陥部4は導波路として働くことになる。
【0005】
図8に示したフォトニック結晶線欠陥導波路5は、光を導くだけでなく、フォトニック結晶の性質を反映して、小さな群速度、或いは群速度の波長分散などの性質を示すので、この性質を利用した光デバイスの形成が考えられる。しかしながら、フォトニック結晶線欠陥導波路5は、光を導く導波路としての性質にのみ着目した場合、全反射閉じ込め型導波路に劣ることがある。
【0006】
図9は、全反射閉じ込め型導波路の構成を示す。この全反射閉じ込め型導波路10は、光ファイバと同様に、一端に導入した光を他端に導くことができる。全反射閉じ込め型導波路10は表面の滑らかな誘電体線路であり、構造が単純で、図8のフォトニック結晶線欠陥導波路5よりも構造揺らぎが少ないため、設計通りの形状を作製し易い。そのため、フォトニック結晶線欠陥導波路5よりも損失の少ない導波路を作製し易い。しかしながら、全反射閉じ込め型導波路10はフォトニック結晶線欠陥導波路5が持つ小さい群速度、群速度の波長分散などの性質は強くないので、全反射閉じ込め型導波路10とフォトニック結晶線欠陥導波路5の互いの利点を生かすため、フォトニック結晶線欠陥導波路5とチャネル導波路を接続することが考えられる。
【0007】
図10は、従来の導波路を示す。この導波路は、図9に示した全反射閉じ込め型導波路と図8に示したフォトニック結晶線欠陥導波路を接続した構造を有している。
図8に示した構造のフォトニック結晶線欠陥導波路5の線欠陥部4の端面11には、チャネル導波路としての全反射閉じ込め型導波路10の端面が接続されている。線欠陥部4の端面11は、線欠陥部4の部分とこれ以外の部分を含めて、線欠陥部の近傍で平面である。全反射閉じ込め型導波路10の表面12,13とフォトニック結晶線欠陥導波路5の端面11が接続する接続部14,15の角度は90°である。全反射閉じ込め型導波路10の材料は、フォトニック結晶線欠陥導波路5の高誘電率媒質1と同一の高誘電率媒質16を用いている。
【0008】
全反射閉じ込め型導波路10は、高誘電率媒質16で形成されているので、全反射閉じ込め型導波路10における光の閉じ込めが強く、全反射閉じ込め型導波路10を伝搬する光の横方向分布(プロファイル)の幅は、ほぼ全反射閉じ込め型導波路10に等しくなるが、フォトニック結晶線欠陥導波路5を伝搬する光の幾らかは線欠陥部4の部分から横の孔の列に広がる。そのため、この広がった光のプロファイルに全反射閉じ込め型導波路10の伝搬光のプロファイルを合わせるため、全反射閉じ込め型導波路10の幅はフォトニック結晶線欠陥導波路5の幅に比べて大きく設定されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の導波路によると、全反射閉じ込め型導波路10とフォトニック結晶線欠陥導波路5の接続部は、全反射閉じ込め型導波路10の幅がフォトニック結晶線欠陥導波路5の幅に比べて広くとられているため、全反射閉じ込め型導波路10の中心付近では、フォトニック結晶線欠陥導波路5の中心付近(線欠陥部4付近)との連続性が保たれるのに対して、全反射閉じ込め型導波路10の中心から離れた周辺付近では、全反射閉じ込め型導波路10側の一様な構造からフォトニック結晶線欠陥導波路5側の孔の周期配列構造への接続になるため、構造上の不連続が生じる。フォトニック結晶自体はPBG内の角振動数の光を透過させないので、全反射閉じ込め型導波路10の線欠陥部4の幅の外に分布する光の電磁界エネルギーは、フォトニック結晶線欠陥導波路5の端面11の近傍で反射してしまい、フォトニック結晶線欠陥導波路5に入射できない。そのため、全反射閉じ込め型導波路10とフォトニック結晶線欠陥導波路5では、伝搬光のプロファイルが近いにも関わらず、光結合効率が悪いという問題があった。
【0010】
したがって、本発明の目的は、全反射閉じ込め型導波路とフォトニック結晶線欠陥導波路とを高い光結合効率で接続することが可能な導波路を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の目的を達成するため、第1の特徴として、高誘電率媒質内にフォトニック結晶による孔が所定のパターンで2つのグループに分けて配列され、前記2つのグループの境界部には前記孔を有しない線欠陥部が形成されたフォトニック結晶線欠陥導波路と、前記フォトニック結晶線欠陥導波路の前記線欠陥部の幅と同一又は略同一の幅を有して前記線欠陥部の端面に接続される全反射閉じ込め型導波路を備えることを特徴とする導波路であって、前記全反射閉じ込め型導波路は、その導波光の幅方向の波数分布が、前記フォトニック結晶線欠陥導波路の導波光の幅方向の波数分布と異なっており、前記線欠陥部の軸線に対して0度を除く角度をもって斜めに接続されていることを特徴とする導波路を提供する。
【0012】
この構成によれば、フォトニック結晶線欠陥導波路上に形成された線欠陥部と、これに接続される全反射閉じ込め型導波路の幅が同一又は略同一であるため、フォトニック結晶線欠陥導波路と全反射閉じ込め型導波路の接続部における反射に起因する結合損失が低減され、光結合効率を高めることが可能になる。
【0013】
本発明は、上記の目的を達成するため、第2の特徴として、高誘電率媒質内にフォトニック結晶による孔を所定のパターンで2つのグループに分けて配列され、前記2つのグループの境界部には前記孔を有しない線欠陥部が形成されたフォトニック結晶線欠陥導波路と、前記フォトニック結晶線欠陥導波路の前記線欠陥部の幅と同一又は略同一の幅を有して前記線欠陥部の端面に接続される全反射閉じ込め型導波路を備えることを特徴とする導波路であって、前記フォトニック結晶線欠陥導波路は、全反射閉じ込め型導波路を接続する側の端面に沿うフォトニック結晶の一列が半円形に切断された構造であることを特徴とする導波路を提供する。
【0014】
この構成によれば、フォトニック結晶線欠陥導波路上に形成された線欠陥部と、これに接続される全反射閉じ込め型導波路の幅が同一又は略同一であるため、フォトニック結晶線欠陥導波路と全反射閉じ込め型導波路の接続部における反射に起因する結合損失が低減され、光結合効率を高めることが可能になる。更に、フォトニック結晶線欠陥導波路は、全反射閉じ込め型導波路を接続する側の側面に沿うフォトニック結晶の一列が半円形に切断されているため、線欠陥部の端面が幅方向に広がりを持たない構造になり、フォトニック結晶表面への漏洩による損失が低減する。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について図面を基に説明する。図1による導波路は、2次元三角格子フォトニック結晶による線欠陥導波路と全反射閉じ込め型導波路を接続して構成されている。
【0018】
導波路100は、フォトニック結晶線欠陥導波路110と全反射閉じ込め型導波路120からなり、全反射閉じ込め型導波路120はフォトニック結晶線欠陥導波路110の端面130に、これと一直線上になる様に接続されている。フォトニック結晶線欠陥導波路110は、母体媒質(高誘電率媒質)111と、この中に三角格子状に配列された多数のフォトニック結晶の孔112が設けられた構成になっている。ただし、母体媒質111の中間部の所定幅には孔112は設けられておらず、この部分には線欠陥部113が形成されている。母体媒質111には、半導体(一般には、比誘電率が約12のシリコン)が用いられる。全反射閉じ込め型導波路120は母体媒質111と同一の材料が用いられ、その幅Wは線欠陥部113とほぼ同一にされる。
【0019】
全反射閉じ込め型導波路120は、その一端面が線欠陥部113の側面(端面130)に接続されるが、線欠陥部113とは一直線上(同一軸線上)になり、かつ同一平面になるように接続される。そして、全反射閉じ込め型導波路120の表面(側面)121,122と端面130は直角または、ほぼ直角になっている。
【0020】
図1の構成においては、全反射閉じ込め型導波路120の幅Wとフォトニック結晶線欠陥導波路110の線欠陥部113の幅がほぼ等しく、かつ、材料が同一で連続している。このため、全反射閉じ込め型導波路120を伝搬してきた光は、殆ど全てがフォトニック結晶線欠陥導波路110の線欠陥部113に入光する。線欠陥部113の部分に入った光は、周囲に配列された孔112で回折されるが、この回折によって全反射閉じ込め型導波路120からの伝搬光の入射方向と逆向きに回折され、全反射閉じ込め型導波路120に反射光として戻る光の割合は、伝搬光のプロファイルを合わせることを優先した図9の構造よりも小さくなり、結果として光結合効率は本発明の方が高くなる。
【0021】
〔参考例〕フォトニック結晶線欠陥導波路110の母体材料(母体媒質111)として誘電率11.4のシリコン(Si)を用い、三角格子(孔112)のピッチを0.7μm、孔112の直径を0.64μmとし、更に、線欠陥部113の幅を0.57μmとした。全反射閉じ込め型導波路120の幅Wは、線欠陥部113の幅と同じ0.57μmとした。また、フォトニック結晶線欠陥導波路110の端面130と、この端面130に最も近い孔112との間の距離(領域114,115)を0.06μmとした。
【0022】
上記した各部の寸法のもとに、数値計算シミュレーションを実施した。その結果、PBG内の角振動数を有する光に対して、フォトニック結晶線欠陥導波路110と全反射閉じ込め型導波路120の結合損失として、0.5dBが得られた。全反射閉じ込め型導波路120の幅を2.2μmとし、他の構造や数値は同じとした従来構造の場合、同じ角振動数の光に対して2.3dBの結合損失があり、1.8dB改善できることがわかった。
【0023】
〔実施例〕ここで、第1の実施の形態に対応した実施例について説明する。図2は、図1の導波路の変形例を示す。図2においては、図1と同一であるものには同一引用数字を用いたので、重複する説明は省略する。図1においては、線欠陥部113と全反射閉じ込め型導波路120の接続角は0°、すなわち一直線であったが、本実施の形態では、或る角度θを持たせている。導波路の幅方向の波数分布が、全反射閉じ込め型導波路120とフォトニック結晶線欠陥導波路110で異なる場合、このように角度θを設けることによって一致性が向上し、光結合効率が向上する場合がある。
【0024】
図3は、本発明の第2の実施の形態を示す。本実施の形態においても、図3においては、図1と同一であるものには同一引用数字を用いたので、ここでは重複する説明を省略する。
上記第1の実施の形態の構造においては、フォトニック結晶線欠陥導波路110の端面130と、この端面130に最も近い孔112a,112bとの間の距離は、全反射閉じ込め型導波路120とフォトニック結晶線欠陥導波路110の光結合効率を向上させるために重要である。この距離が大きくなると、全反射閉じ込め型導波路120とフォトニック結晶線欠陥導波路110の線欠陥部113までの距離が遠くなり、全反射閉じ込め型導波路120を伝搬してきた光の一部が、端面130と最も近い孔112a,112bの列との間の領域114,115に回り込み、光結合効率を低下させる。この問題を解決するのが、図3に示す第2の実施の形態である。
【0025】
図3に示すように、線欠陥部113を含むフォトニック結晶、即ち、フォトニック結晶線欠陥導波路140の端面141は、線欠陥部113と交差し、かつ、フォトニック結晶線欠陥導波路140の全反射閉じ込め型導波路120に寄った各孔112を横切るように切断する面である。全反射閉じ込め型導波路120は、その端面141の線欠陥部113の部分に接続されている。全反射閉じ込め型導波路120の幅Wは、線欠陥部113の幅に等しくし、或いはほぼ等しくしている。端面141の線欠陥部113の部分の両脇に位置する半円孔の表面142,143は、全反射閉じ込め型導波路120の表面121,122と滑らかに接続されている。
【0026】
図3の実施の形態によれば、フォトニック結晶線欠陥導波路140の全反射閉じ込め型導波路120に接続される端面141が側面方向(線欠陥部113の幅方向又は図の上下方向)に広がりを持たない構造になり、全反射閉じ込め型導波路120の伝搬光の一部がフォトニック結晶線欠陥導波路140の線欠陥部113の脇の結晶表面に漏れることがないため、光結合損失が向上する。
【0027】
図4は、図3の導波路の変形例を示す。図4においては、図1〜図3に示したと同一であるものには同一引用数字を用いたので、ここでは重複する説明を省略する。
図3においては、線欠陥部113と全反射閉じ込め型導波路120の接続角は0°、即ち一直線であるが、図4に示すように、角度θを持たせることにより、図2と同様に、導波路の幅方向の波数分布が、全反射閉じ込め型導波路120とフォトニック結晶線欠陥導波路140で異なる場合、このように角度θを設けることにより、光結合効率が向上する場合がある。
【0028】
ここで、本発明の第2の実施の形態に対応した実施例について説明する。
フォトニック結晶線欠陥導波路140の母体材料(母体媒質)として誘電率11.4のシリコン(Si)を用い、三角格子(孔112)のピッチを0.7μm、孔112の直径を0.64μmとした。このとき、線欠陥部113の幅は0.57μmとした。全反射閉じ込め型導波路120の幅Wは、線欠陥部113の幅と同一の0.57μmとした。
【0029】
上記した各部の寸法のもとに、数値計算シミュレーションを実施した。PBG内の角振動数を有する光に対して、フォトニック結晶線欠陥導波路140と全反射閉じ込め型導波路120の結合損失として、0.3dBが得られた。上記第1の実施の形態で得られた結合損失0.5dBに対し、本実施の形態では結合損失が0.2dB改善されていた。
【0030】
図3において、全反射閉じ込め型導波路120とフォトニック結晶線欠陥導波路140の接続部は、端面141の線欠陥部113以外の部分においてフォトニック結晶の劈開面が露出した構造になっている。これは図4においても同様である。このように、フォトニック結晶の劈開面が露出した構造は、機械的強度が弱いことが問題になることがある。これを解決する構造について次に説明する。
【0031】
図5は、第2の参考例を示し、フォトニック結晶の劈開面の機械的強度を高めた導波路となっている。図5の構造は、図1(又は図3)の構造において、全反射閉じ込め型導波路120との接続部以外のフォトニック結晶の周囲に孔112の無い、母体媒質111のみの周辺保護部151,152を付加してフォトニック結晶線欠陥導波路150を形成している。この周辺保護部151,152の機械的強度は、孔の有るフォトニック結晶部分よりも高いので、フォトニック結晶部分を破損から保護することができる。
【0032】
更に、図5の構造には、図3の接続部の構造よりも光結合損失を低減するための工夫が施されている。図5のA−A’面から右側は、図3に示すフォトニック結晶線欠陥導波路140と同じであるが、図5では、A−A’面、即ち、全反射閉じ込め型導波路120とフォトニック結晶線欠陥導波路150が接続されている位置を通る面よりも全反射閉じ込め型導波路120の側(図5の左側)にもフォトニック結晶の孔153の複数個を周辺保護部151,152の付け根部に設けている。
【0033】
このようにすると、全反射閉じ込め型導波路120からの光は、線欠陥部113に入った後、線欠陥部113の周囲に配列された孔112で回折され、線欠陥部113の両側に配列された孔112を通り抜け、全反射閉じ込め型導波路120の側の表面から放射していく光の割合が低減される。これにより、フォトニック結晶線欠陥導波路150と全反射閉じ込め型導波路120の接続部の光結合損失を低減できる。
【0034】
ここで、図5の構造に対応した第2の参考例について説明する。フォトニック結晶線欠陥導波路150の母体材料(母体媒質)を誘電率11.4のシリコン(Si)、三角格子(孔112)のピッチを0.7μm、孔112の直径を0.64μm、線欠陥3の幅を0.57μmとした。上記した各部の寸法のもとに、数値計算シミュレーションを実施した。その結果、結合損失として0.2dBが得られた。
【0035】
図5においても、全反射閉じ込め導波路120をフォトニック結晶線欠陥導波路150に対して図2又は図4に示したように、斜めに接続し、更に結合損失を低減することができる。
【0036】
上記各実施の形態においては、2次元フォトニック結晶について述べたが、本発明は、擬似的な2次元フォトニック結晶であるスラブ型フォトニック結晶にも適用できることは言うもまでもない。このとき、全反射閉じこめ型導波路も有限の厚みを持つので、特にチャネル導波路と呼ばれる。
【0037】
図6は、スラブ型フォトニック結晶の構造を示す。図中、60は母体媒質であり、61は孔、62は劈開面を示す。この様な有限の厚みを有するフォトニック結晶の場合でも、本発明による全反射閉じ込め型導波路とフォトニック結晶線欠陥導波路の接続部の断面は、2次元フォトニック結晶の場合と同じである。
【0038】
また、上記実施の形態においては、三角格子フォトニック結晶について述べたが、正方格子や長方格子や斜方格子などのフォトニック結晶の格子の形態が三角格子から微妙に異なる格子のフォトニック結晶についても本発明を適用できることは明らかである。
【0039】
さらに、フォトニック結晶線欠陥導波路の線欠陥部は、一列のみの線欠陥としたが、2列以上の幅の広い線欠陥についても本発明が適用できることは言うまでもない。また、上記各実施例においては、シリコン(Si)を母体材料(母体媒質)として用いたが、他の材料、特に、化合物半導体を用いてもよいことは言うまでもない。
【0040】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の導波路によれば、フォトニック結晶線欠陥導波路に全反射閉じ込め型導波路を接続して構成される導波路において、フォトニック結晶線欠陥導波路上に形成された線欠陥部と、これに接続される全反射閉じ込め型導波路の幅を同一又は略同一にしたため、フォトニック結晶線欠陥導波路と全反射閉じ込め型導波路の接続部における反射に起因する結合損失が低減され、光結合効率を高めることが可能になる。
【0041】
また、本発明の他の導波路によれば、フォトニック結晶線欠陥導波路上に形成された線欠陥部と、これに接続される全反射閉じ込め型導波路の幅を同一又は略同一にし、フォトニック結晶線欠陥導波路と全反射閉じ込め型導波路の接続部における反射に起因する結合損失を低減した構造にしたため、光結合効率を高めることが可能になる。更に、フォトニック結晶線欠陥導波路は、全反射閉じ込め型導波路を接続する側の側面に沿うフォトニック結晶の一列が半円形に切断された構造にしたため、線欠陥部の端面が幅方向に広がりを持たない構造になり、フォトニック結晶表面への漏洩による損失を低減できる。
【0042】
さらに、本発明の他の導波路によれば、フォトニック結晶線欠陥導波路上に形成された線欠陥部と、これに接続される全反射閉じ込め型導波路の幅が同一であるため、フォトニック結晶線欠陥導波路と全反射閉じ込め型導波路の接続部における反射に起因する結合損失が低減され、光結合効率を高めることが可能になる。更に、全反射閉じ込め型導波路の両側を埋めるように保護部を形成したことにより、光結合損失が低減すると同時に、接合部近傍のフォトニック結晶の機械的強度を増すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の参考例を示す断面図である。
【図2】図1の導波路の変形例である第1の実施の形態を示す断面図である。
【図3】本発明の第2の実施の形態を示す断面図である。
【図4】図3の導波路の変形例を示す断面図である。
【図5】第2の参考例を示す断面図である。
【図6】スラブ型フォトニック結晶を示す斜視図である。
【図7】2次元フォトニック結晶の構造例を示す断面図である。
【図8】フォトニック結晶線欠陥導波路の一例を示す断面図である。
【図9】全反射閉じ込め型導波路の構成を示す断面図である。
【図10】従来の導波路を示す断面図である。
【符号の説明】
1 高誘電率媒質
2 フォトニック結晶の孔
3 2次元三角格子フォトニック結晶
4 線欠陥部
5 フォトニック結晶線欠陥導波路
10 全反射閉じ込め型導波路
100 導波路
110,140,150 フォトニック結晶線欠陥導波路
111 母体媒質(高誘電率媒質)
112,112a,112b,153 孔
113 線欠陥部
120 全反射閉じ込め型導波路
130,141 端面
151,152 周辺保護部
Claims (3)
- 高誘電率媒質内にフォトニック結晶による孔が所定のパターンで2つのグループに分けて配列され、前記2つのグループの境界部には前記孔を有しない線欠陥部が形成されたフォトニック結晶線欠陥導波路と、前記フォトニック結晶線欠陥導波路の前記線欠陥部の幅と同一又は略同一の幅を有して前記線欠陥部の端面に接続される全反射閉じ込め型導波路を備えることを特徴とする導波路であって、前記全反射閉じ込め型導波路は、その導波光の幅方向の波数分布が、前記フォトニック結晶線欠陥導波路の導波光の幅方向の波数分布と異なっており、前記線欠陥部の軸線に対して0度を除く角度をもって斜めに接続されていることを特徴とする導波路。
- 高誘電率媒質内にフォトニック結晶による孔が所定のパターンで2つのグループに分けて配列され、前記2つのグループの境界部には前記孔を有しない線欠陥部が形成されたフォトニック結晶線欠陥導波路と、前記フォトニック結晶線欠陥導波路の前記線欠陥部の幅と同一又は略同一の幅を有して前記線欠陥部の端面に接続される全反射閉じ込め型導波路を備えることを特徴とする導波路であって、
前記フォトニック結晶線欠陥導波路は、全反射閉じ込め型導波路を接続する側の端面に沿うフォトニック結晶の一列が半円形に切断された構造であることを特徴とする導波路。 - 前記全反射閉じ込め型導波路は、その導波光の幅方向の波数分布が、前記フォトニック結晶線欠陥導波路の導波光の幅方向の波数分布と異なっており、前記線欠陥部の軸線に対して0度を除く角度をもって斜めに接続されていることを特徴とする請求項2記載の導波路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001172042A JP3846228B2 (ja) | 2001-06-07 | 2001-06-07 | 導波路 |
US10/162,764 US6795621B2 (en) | 2001-06-07 | 2002-06-06 | Waveguide comprising a connection of a photonic-crystal line-defect-waveguide to a total reflection confinement waveguide |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001172042A JP3846228B2 (ja) | 2001-06-07 | 2001-06-07 | 導波路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002365453A JP2002365453A (ja) | 2002-12-18 |
JP3846228B2 true JP3846228B2 (ja) | 2006-11-15 |
Family
ID=19013724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001172042A Expired - Fee Related JP3846228B2 (ja) | 2001-06-07 | 2001-06-07 | 導波路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6795621B2 (ja) |
JP (1) | JP3846228B2 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6728457B2 (en) * | 2002-07-10 | 2004-04-27 | Agilent Technologies, Inc. | Waveguides in two dimensional slab photonic crystals with noncircular holes |
US20060153500A1 (en) * | 2002-08-14 | 2006-07-13 | Javier Marti Sendra | Coupling system between dielectric optical guides and planar photonic crystal guides |
ES2199693B1 (es) * | 2002-08-14 | 2005-05-01 | Universidad Politecnica De Valencia | Sistema de acoplamiento entre guias opticas dielectricas y guias en cristales fotonicos planares. |
US7421176B2 (en) * | 2003-03-04 | 2008-09-02 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Waveguide element using photonic crystal |
JPWO2004081627A1 (ja) * | 2003-03-14 | 2006-06-15 | 日本電気株式会社 | フォトニック結晶光導波路への光入射方法およびその構造 |
JP2004347991A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Sony Corp | フォトニッククリスタルファイバ、光制御装置、投影装置およびフォトニッククリスタルファイバの製造方法 |
WO2005022222A1 (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-10 | Kyoto University | エアブリッジ構造を有する2次元フォトニック結晶及びその製造方法 |
JP4063740B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2008-03-19 | 国立大学法人京都大学 | エアブリッジ構造を有する2次元フォトニック結晶及びその製造方法 |
US7248770B2 (en) * | 2003-11-04 | 2007-07-24 | Mesophotonics Limited | Photonic band structure devices |
JP4398275B2 (ja) * | 2003-11-25 | 2010-01-13 | 株式会社リコー | 光制御素子 |
DE10359666B4 (de) * | 2003-12-18 | 2011-06-16 | Eastman Kodak Co. | Verfahren und Fixiereinrichtung zum Fixieren von Toner auf einem Bedruckstoff |
JP4208754B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2009-01-14 | 株式会社リコー | 光遅延素子 |
JP4278597B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2009-06-17 | 株式会社リコー | 光制御素子 |
JPWO2006073194A1 (ja) * | 2005-01-06 | 2008-06-12 | 日本電気株式会社 | 光導波路、光デバイス及び光通信装置 |
JP4793660B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2011-10-12 | 日本電気株式会社 | 導波路の結合構造 |
US20080057442A1 (en) * | 2006-09-06 | 2008-03-06 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | Method and apparatus for manufacturing band stop filter |
CN100582656C (zh) * | 2006-12-27 | 2010-01-20 | 清华大学 | 微位移传感器 |
US8189968B2 (en) * | 2008-08-28 | 2012-05-29 | Board Of Regents, The University Of Texas | Multimode interference coupler for use with slot photonic crystal waveguides |
KR101012505B1 (ko) * | 2008-12-04 | 2011-02-08 | 인하대학교 산학협력단 | 광자결정 도파로 입사부 구조 |
KR101107624B1 (ko) | 2010-07-02 | 2012-01-25 | 인하대학교 산학협력단 | 경계 홀 삽입을 통하여 스트립 도파로와의 결합효율이 향상된 광자결정 도파로 구조 |
US9086583B1 (en) * | 2012-07-18 | 2015-07-21 | Wei Jiang | Systems and methods for controlling and measuring modes possessing even and odd symmetry in a photonic crystal waveguide |
JP6281867B2 (ja) * | 2013-03-04 | 2018-02-21 | 国立大学法人大阪大学 | テラヘルツ波コネクタおよびテラヘルツ波集積回路、および導波路およびアンテナ構造 |
JP6279983B2 (ja) * | 2014-06-17 | 2018-02-14 | 日本電信電話株式会社 | 光回路 |
CN104459989B (zh) * | 2014-12-10 | 2017-03-08 | 深圳市浩源光电技术有限公司 | 基于平板光子晶体的高消光比te光开关 |
CN111157491B (zh) * | 2020-01-10 | 2021-09-14 | 燕山大学 | 一种光子晶体微腔与光波导侧向耦合的阵列传感结构 |
US10955614B1 (en) * | 2020-01-14 | 2021-03-23 | Globalfoundries U.S. Inc. | Optical fiber coupler structure having manufacturing variation-sensitive transmission blocking region |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9710062D0 (en) * | 1997-05-16 | 1997-07-09 | British Tech Group | Optical devices and methods of fabrication thereof |
US6134369A (en) * | 1999-03-31 | 2000-10-17 | Matsushita Electric Industrial Co. | Compact optical waveguide |
JP3456166B2 (ja) * | 1999-06-23 | 2003-10-14 | 日本電気株式会社 | フォトニック結晶を用いた光結合素子および光結合方法 |
JP3925769B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2007-06-06 | 関西ティー・エル・オー株式会社 | 2次元フォトニック結晶及び合分波器 |
EP1512994B1 (en) * | 2000-12-27 | 2007-04-04 | Nippon Telegraph and Telephone Corporation | Photonic crystal waveguide |
US6944384B2 (en) * | 2001-01-12 | 2005-09-13 | California Institute Of Technology | Methods for controlling positions of the guided modes of the photonic crystal waveguides |
US6957003B2 (en) * | 2002-06-27 | 2005-10-18 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Creating large bandwidth line defects by embedding dielectric waveguides into photonic crystal slabs |
-
2001
- 2001-06-07 JP JP2001172042A patent/JP3846228B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-06-06 US US10/162,764 patent/US6795621B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002365453A (ja) | 2002-12-18 |
US6795621B2 (en) | 2004-09-21 |
US20020191933A1 (en) | 2002-12-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3846228B2 (ja) | 導波路 | |
US8208776B2 (en) | Optical control device | |
CA2669977C (en) | Planar lightwave circuit with continuously varying mode coupling means | |
JP3809167B2 (ja) | モード変換用フォトニック結晶構造 | |
US7164823B2 (en) | Optical isolator using photonic crystal | |
WO1994016345A1 (en) | Low-loss optical and optoelectronic integrated circuits | |
JP2008052109A (ja) | 光機能素子 | |
KR101515870B1 (ko) | 손실을 감소시킨 유전체 도파관 교차부 | |
US7760979B2 (en) | System and method for low loss waveguide bends | |
JP5273051B2 (ja) | フォトニック結晶体 | |
US6690876B2 (en) | Three-dimensional photonic crystal waveguide apparatus | |
JP3800088B2 (ja) | フォトニック結晶導波路 | |
KR100927657B1 (ko) | 포토닉스 소자 | |
US6201913B1 (en) | Integrated optical power splitter and manufacturing method therefor | |
JP4948185B2 (ja) | 平面光波回路 | |
JPH11167032A (ja) | 曲がり光導波路回路 | |
JP4518987B2 (ja) | 光導波路素子 | |
EP3872542B1 (en) | Device for the emission of arbitrary optical beam profiles from waveguides into two-dimensional space | |
JP2006323137A (ja) | 光合流分岐回路及び光合分波回路 | |
JP4956741B2 (ja) | フォトニック結晶導波路 | |
JP3903886B2 (ja) | フォトニック結晶導波路 | |
JP7134443B2 (ja) | 光偏向デバイス | |
US8693820B2 (en) | Flat optical waveguide with connections to channel and input optical waveguides | |
JP4372588B2 (ja) | 光制御素子 | |
JP6685548B2 (ja) | スポットサイズ変換器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040521 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041221 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050217 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051004 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20051104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20051104 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20051215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060516 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060531 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060712 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060801 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060814 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090901 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100901 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110901 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120901 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130901 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |