JPWO2006073194A1 - 光導波路、光デバイス及び光通信装置 - Google Patents

光導波路、光デバイス及び光通信装置 Download PDF

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    • G02B6/1225Basic optical elements, e.g. light-guiding paths comprising photonic band-gap structures or photonic lattices

Abstract

光の進行方向と直交する2つの光導波モードの利用を可能にして設計の自由度を向上させたフォトニック結晶からなる光導波路及び光デバイスを提供する。フォトニック結晶からなる光導波路において、フォトニック結晶の分散関係において、最低周波数の光導波モードである屈折率ガイドモードを用いて光を伝搬する。または、光の進行方向と直交する2つの光導波モードのうち、第1の光導波モードに、線欠陥導波路モードを用い、第2の光導波モードに上記屈折率ガイドモードを用いて光を伝搬する。または、光の進行方向と直交する2つの光導波モードに、前記フォトニック結晶の分散関係において、最低周波数の光導波モードである屈折率ガイドモードをそれぞれ用いて光を伝搬する。

Description

本発明は、屈折率が異なる2種類以上の物質を、1次元、2次元又は3次元周期で配列して得られるフォトニック結晶からなる光導波路並びにそれを備えた光デバイス及び光通信装置に関する。
屈折率が異なる2種類以上の物質が、光の波長オーダー(通常0.3〜0.7μm)で多次元周期に配列されたフォトニック結晶は、フォトニックバンドギャップによる強い光閉じ込め効果が期待でき、これを利用した種々の光デバイス及び微小光回路等への応用が期待されている。また、フォトニック結晶に線状欠陥を設けることにより、フォトニック結晶内部に光導波路が形成されることも知られている(例えば、非特許文献1参照)。
J. D. Joannopoulos, P. R. Villeneuve, and S. Fan Photonic Crystal: putting a new twist on light, Nature 386巻 143頁 1997年 第51回応用物理学関係連合講演会予稿集、北川等、第3巻1169頁、講演番号31a-M-3 フィジカル・レビュー・レターズ(2001年)、納富等、第87巻第25号253902頁〜253905頁の図3
フォトニック結晶からなる光導波路内の電磁波(光)には、導波が可能な(光が伝搬する)光導波モードと、導波できない(光が伝搬しない)スラブモード又は放射モードとが存在する。
上述したフォトニック結晶に線状欠陥を設けることで得られる光導波路(以下、線欠陥光導波路と称す)は、線状欠陥を設けることで得られる2つのスラブモード帯に挟まれたフォトニックバンドギャップ中に形成される線欠陥導波路モードを光導波モードとして利用するのが一般的である。
そのため、従来のフォトニック結晶からなる光導波路では、光の進行方向と直交する2つの光導波モードのうち、フォトニックバンドギャップが形成されるような電界ベクトルを持つ一方の偏波光しか伝搬できず、光導波路及びそれを利用した光デバイスを設計する際の自由度が低いという問題点があった。
例えば、非特許文献2には、フォトニックバンドギャップにおける偏波無依存化を実現するフォトニック結晶構造が提案されている。しかしながら、フォトニック結晶からなる光導波路について、光の進行方向と直交する2つの光導波モードのいずれも導波可能な構成は実現されていなかった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、光の進行方向と直交する2つの光導波モードの利用を可能にして設計の自由度を向上させたフォトニック結晶からなる光導波路及び光デバイスを提供することを目的とする。
本願第1発明に係る光導波路は、屈折率が異なる2種類以上の物質を、1次元、2次元又は3次元周期で配列して得られるフォトニック結晶からなる光導波路において、
前記フォトニック結晶の分散関係において、最低周波数の光導波モードである屈折率ガイドモードを用いて光を伝搬することを特徴とする。(図1及び図3参照)
本願第2発明に係る光導波路は、屈折率が異なる2種類以上の物質を、1次元、2次元又は3次元周期で配列して得られるフォトニック結晶からなる光導波路において、
光の進行方向と直交する2つの光導波モードのうち、
第1の光導波モードに、線欠陥導波路モードを用い、
第2の光導波モードに、前記フォトニック結晶の分散関係において、最低周波数の光導波モードである屈折率ガイドモードを用いて光を伝搬することを特徴とする。(図9及び図11参照)
本願第3発明に係る光導波路は、屈折率が異なる2種類以上の物質を、1次元、2次元又は3次元周期で配列して得られるフォトニック結晶からなる光導波路において、
光の進行方向と直交する2つの光導波モードに、前記フォトニック結晶の分散関係において、最低周波数の光導波モードである屈折率ガイドモードを夫々用いて光を伝搬することを特徴とする。(図10参照)
本発明に係る光導波路では、フォトニック結晶の分散関係において、最低周波数の光導波モードである屈折率ガイドモードを光の伝搬に用いることで、光の進行方向にほぼ直交する方向の電界ベクトルを持つ2つの光導波モードの光を夫々伝搬できる。
本発明によれば、フォトニック結晶からなる光導波路において、光の進行方向にほぼ直交する方向の電界ベクトルを持つ2つの光導波モードを夫々利用できる。従って、光導波路及びそれを用いる各種光デバイスを設計する際の自由度が向上する。
フォトニック結晶に設けた線欠陥光導波路の一構成例を示す斜視図である。 図1に示した線欠陥光導波路内を伝搬する光の電界ベクトルの一例を示す斜視図である。 図2に示した光導波モードの分散関係を示すグラフである。 図2に示した光導波モードの光透過特性を示すグラフである。 図1に示した線欠陥光導波路内を伝搬する光の電界ベクトルの第二例を示す斜視図である。 図5に示した光導波モードの分散関係を示すグラフである。 図5に示した光導波モードの光透過特性を示すグラフである。 線欠陥光導波路が形成されるフォトニック結晶の他の構成例を示す斜視図である。 線欠陥光導波路が形成されるフォトニック結晶の他の構成例を示す斜視図である。 線欠陥光導波路が形成されるフォトニック結晶の他の構成例を示す斜視図である。 線欠陥光導波路が形成されるフォトニック結晶の他の構成例を示す斜視図である。 フォトニック結晶に形成した線欠陥光導波路内にTE−likeモードの光を線欠陥導波路モードにより伝搬するときの光透過特性を示すグラフである。 フォトニック結晶に形成した線欠陥光導波路内にTM−likeモードの光を屈折率ガイドモードにより伝搬するときの光透過特性を示すグラフである。 フォトニック結晶に形成した線欠陥光導波路内にTM−likeモードの光を屈折率ガイドモードにより伝搬するときのモードギャップに相当する波長帯を含む光透過特性を示すグラフである。 空孔にSiOを埋め込んだ構造を持つフォトニック結晶に形成した線欠陥光導波路内にTM−likeモードの光を屈折率ガイドモードにより伝搬するときのモードギャップに相当する波長帯を含む光透過特性を示すグラフである。 三角格子空孔型のフォトニック結晶に形成した線欠陥光導波路において、格子定数と空孔半径の比(r/a)をパラメータとして変化させたときのモードギャップの周波数の変化の様子を示すグラフである。 三角格子空孔型のフォトニック結晶に形成した線欠陥光導波路において、格子定数と空孔半径の比(r/a)をパラメータとして変化させたときのモードギャップのギャップ幅の変化の様子を示すグラフである。 本発明の光導波路を備えた光デバイスの一構成例を示す平面図である。 本発明の光導波路を備えた光スイッチの一構成例を示す斜視図である。 本発明の光導波路を備えた光合分波デバイスの一構成例を示す平面図である。 本発明の光導波路を備えた光通信装置の一構成例を示す斜視図である。
符号の説明
1、12、22、321、322、42 フォトニック結晶
2 線欠陥光導波路
3、5、7、10 フォトニック結晶領域
4、6、8、11 線欠陥領域
131、132、231〜234、331〜334 細線光導波路
141、142 インタフェース部
241、242 スポットサイズ変換器
25 マイクロヒータ
341、342 3dBカプラ
41 SOI基板
43 チャネル導波路
44 光ファイバー
次に、本発明の好適実施形態について添付の図面を参照して説明する。
(光導波路)
先ず、本発明の第1実施形態に係る光導波路について説明する。先ず、本実施形態の光導波路で利用する屈折率ガイドモードについて説明する。この屈折率ガイドモードは、フォトニック結晶に線状欠陥を設けることで形成される屈折率差によって光を導波する光導波モードである。
図1はフォトニック結晶に設けた線欠陥光導波路の一構成例を示す斜視図であり、図2は図1に示した線欠陥光導波路内を伝搬する光の電界ベクトルの一例を示す斜視図である。
図1に示す光導波路は、フォトニック結晶1として、多数の空孔10が配設されたシリコン(Si)からなるスラブ層を備え、その一部に空孔10が形成されない線状欠陥領域が設けられた構成である。なお、線状欠陥領域の屈折率はフォトニック結晶の平均屈折率よりも大きい値に設定される。この線状欠陥領域が線欠陥光導波路2となり、この線欠陥光導波路2内では、図1の矢印方向(Ei)に光が進行する。
ここで、線欠陥光導波路2内を進行する光の電界ベクトルの向きは、例えば、図2に示すように、フォトニック結晶1のスラブ面に対して平行であって、光の進行方向と直交する方向(図2のExベクトル)である。以下、フォトニック結晶1内を伝搬する光の電界ベクトルが図2に示すExベクトルの向きにあるとき、その光導波モードをTE−likeモードと呼ぶ。
図3は図2に示した光導波モードの分散関係を示すグラフである。図3に示すように、図1に示した線欠陥光導波路2内では、規格化波数k=0の近傍かつk≠0において、連続したスラブモード帯の下端周波数よりも更に低い周波数側に存在し、最低周波数の光導波モードである屈折率ガイドモードにより、TE−likeモードの光が伝搬する。このフォトニック結晶1に設けた線欠陥光導波路2内で、屈折率ガイドモードにより、TE−likeモードの光が伝搬する理由は以下による。
スラブモード帯の最低周波数に線欠陥光導波路の構造に基づく屈折率ガイドモードが存在することは、例えば、非特許文献3により既に明らかにされている。この屈折率ガイドモードは、線欠陥光導波路2の光の進行方向に対して直交する方向に有する屈折率差によって形成される。
線欠陥光導波路の構造に基づく屈折率ガイドモードは、図3のグラフから分かるように周波数帯がスラブモード帯と重なっている。そのため、従来、屈折率ガイドモードは、光(TE−likeモード)の伝搬損失が大きく、光導波モードとして利用できないと考えられていた。
しかしながら、この屈折率ガイドモードは、フォトニック結晶1を構成する物質を用いた単純な細線光導波路の分散関係と近い分散関係を備えている。そのため、屈折率ガイドモードの周波数帯がスラブモードに近接に又はスラブモード内に存在していても、光の進行方向と直交する面で弱い屈折率差を感じつつ光が伝搬する。
図4は図1に示した線欠陥導波路2の光透過特性をFDTD(Finite Difference Time Domain)法を用いて算出した結果を示すグラフである。
図4の(a)で示す光透過特性が平坦な周波数帯は線欠陥導波路モード領域であり、図4の(b)で示す光透過特性が平坦な周波数帯は屈折率ガイドモード領域である。
図4の(b)に示すように、屈折率ガイドモードは、従来よく知られたフォトニックバンドギャップ内に形成される線欠陥導波路モード(図4(a))と同様に、少ない伝搬損失で光を伝搬できる。すなわち、屈折率ガイドモードは、線欠陥導波路モードよりも低い周波数帯で光を伝搬させることが可能である。特に、規格化波数kがブリリアンゾーン端に近い領域では、スラブモード帯における波数との差が大きくなるため、両モード間の結合が弱くなって屈折率ガイドモードのみで光が伝搬する。
この屈折率ガイドモードは、フォトニック結晶の分散関係において規格化波数kが0.25以上0.5以下の範囲で光導波モードとして利用することが望ましい。以下、その理由を説明する。
上述したように、フォトニック結晶1中に設けた線欠陥光導波路2内を伝搬する屈折率ガイドモードの光は、その周波数帯がスラブモードに近接あるいはスラブモード内に存在していても、光の進行方向と直交する面で弱い屈折率差を感じつつ伝搬する。この屈折率ガイドモードは規格化波数kが0.25よりも少ない領域ではスラブモード内に存在している場合が多い。また、規格化波数kが0.25よりも少ない領域では屈折率ガイドモードによる光の閉じ込め効果が弱いため、導波光の伝搬損失が非常に大きくなり、数μm程度の距離を進行だけで伝搬光の強度が100分の1から1000分の1程度以下にまで低下してしまう。これに対して、規格化波数kが0.25以上では屈折率ガイドモードによる光の閉じ込め効果が強くなり、屈折率ガイドモードはスラブモードから離れて低周波数側に存在する。そのため、屈折率ガイドモードとしての性質が強く現れ、より低い損失で光を伝搬できる。この場合、光導波路中を数100μm以上進行した後でも伝搬光に殆ど伝搬損失が無いことを、本願発明者等はシミュレーション等により確認している。なお、規格化波数kの値は、第1ブリリアンゾーンである0から0.5までの値を考えれば、全ての波数について考えた場合と等価になる。従って、屈折率ガイドモードの規格化波数kは0.25以上0.5以下であることが望ましい。
次に、図1に示した線欠陥光導波路中を伝搬する他の光導波モードについて説明する。フォトニック結晶に設けた線欠陥光導波路中を伝搬する光の電界ベクトルは、図2に示したTE−likeモードの向きだけでなく、図5に示すようにフォトニック結晶のスラブ面に対して垂直であり、かつ光の進行方向と直交する(図5のExベクトル)向きもある。このとき、フォトニック結晶1に設けた線欠陥光導波路内では、図6に示すように連続したスラブモード帯の下端周波数よりも更に低周波数側に離れ、線欠陥光導波路の構造に基づいて形成される屈折率ガイドモードによって光を伝搬することができる。以下、線欠陥光導波路2内を伝搬する光の電界ベクトルが図5に示すExベクトルの向きにあるとき、その光導波モードをTM−likeモードと呼ぶ。屈折率ガイドモードによりTM−likeモードの光を伝搬できる理由は、上述したTE−likeモードの光を伝搬できる理由と同様である。
この屈折率ガイドモードにより伝搬するTM−likeモードの光も、図6に示すようにTE−likeモードの光と同様に周波数帯がスラブモード帯と重なっている。そのため、屈折率ガイドモードでは、従来、TM−likeモードの光も伝搬損失が大きいために光導波モードとして利用できないと考えられていた。
しかしながら、図7に示すFDTD法により求めた光透過特性の算出結果で示すように、TM−likeモードの伝搬損失も少なく、光導波モードとして利用可能である。
上述したように、従来よく知られた線欠陥導波路モードでは、光の進行方向と直交する2つの光導波モードのうち、フォトニックバンドギャップが形成されるような電界ベクトルを持つ一方の偏波光(TE−likeモード)しか伝搬できず、TM−likeモードの光を伝搬することができなかった。本発明の特徴である屈折率ガイドモードを用いた光導波路によれば、TE−likeモードだけでなくTM−likeモードの光も伝搬できるようになるため、光導波路及びそれを用いる光デバイスを設計する際の自由度が向上する。
なお、TM−likeモードの光を伝搬させる際、上述したTE−likeモードと同様に、屈折率ガイドモードは、規格化波数kが0.25以上0.5以下の範囲で光導波モードとして利用することが望ましい。
次に、上記TE−likeモード及びTM−likeモードの光を夫々伝搬させる光導波路の具体例について説明する。
上述したように、フォトニック結晶に設けた線欠陥光導波路2内では、従来からよく知られた線欠陥導波路モードを利用することでTE−likeモードの光を伝搬させることができる。更に、本発明の光導波路では、屈折率ガイドモードを利用することでTE−likeモード及びTM−likeモードの光を夫々伝搬させることができる。
その際、フォトニック結晶1の構造、フォトニック結晶1の格子定数、フォトニック結晶1を構成する2種類の物質の屈折率差、周期性(高屈折率物質と低屈折率物質の比率、周期構造)及びスラブ層厚をパラメータとして、フォトニック結晶1のバンド構造を最適に設定することで、TE−likeモード及びTM−likeモードの光を同程度の光強度を保ちながら線欠陥光導波路2内に夫々伝搬させることが可能であり、また、TE−likeモード及びTM−likeモードの光を同周波数帯で夫々伝搬させることも可能である。
具体的には、Si/SiO/Si基板(SOI基板)を用い、最上層のSi層の厚さを0.25μm程度、SiO層の厚さを1μm程度で形成する。また、上記基板に複数の空孔を三角格子状に形成することで、三角格子空孔型のフォトニック結晶を形成する。この格子定数は0.4μm程度とし、空孔径rはr/a=0.3程度とする。更に、光の進行方向に空孔を形成しない線状欠陥を設けることで、線欠陥光導波路2を形成する。そして、この線欠陥光導波路2の長さを20μmから600μm程度にする。このような構造にすると、従来、困難とされてきたフォトニック結晶1からなる光導波路に、TE−likeモード及びTM−likeモードの光を夫々伝搬させることが可能になる。
なお、上記説明では、フォトニック結晶1に設けた線欠陥光導波路2内にTE−likeモード及びTM−likeモードの光を夫々同周波数帯で伝搬させる例を示したが、TE−likeモード及びTM−likeモードの光を互いに異なる周波数帯で伝搬させることも可能である。
次に、本実施形態の線欠陥光導波路が形成されるフォトニック結晶の他の構成例について説明する。
図8に示す光導波路は、図1に示した光導波路を含む一般的なフォトニック結晶からなる光導波路の構成を示したものであり、線欠陥領域4を挟んでその両側にフォトニック結晶領域3が夫々形成された構成を有する。このような構成では、光の進行方向が+y方向になる。また、図8に示す光導波路は、図8のx方向の屈折率分布が線欠陥領域4で高くなる構成を有する。更に、フォトニック結晶領域3のスラブ構造とその上下方向(z軸方向)の屈折率分布を見たとき、フォトニック結晶領域3のスラブ面で屈折率が高くなる構造である。
図8に示すように、x軸及びz軸の両方向に線欠陥領域4の平均的な屈折率が高くなる構造を設けることで、x方向にほぼ平行な電界ベクトルを持つ光(TE−likeモード)とz方向にほぼ平行な電界ベクトルを持つ光(TM−likeモード)を夫々屈折率ガイドモードにより伝搬できる。
一方、図9に示す光導波路は、線欠陥領域6の幅と高さとを適宜決め、線欠陥領域6に比べてフォトニック結晶領域5のスラブ層を薄く形成した構成を有する。このような構成でも、図8に示す光導波路と同様に、x方向にほぼ平行な電界ベクトルを持つ光とz方向にほぼ平行な電界ベクトルを持つ光とを夫々屈折率ガイドモードで伝搬できる。より具体的には、上記三角格子空孔型のフォトニック結晶を用いて線欠陥光導波路を形成する場合、例えば、格子定数を0.38μm、孔径0.16μm、線欠陥領域の幅を0.25μm程度、フォトニック結晶領域のスラブ層厚を0.05μm程度で形成する。
また、図10に示す光導波路は、線欠陥領域8を挟んでその両側に形成されるフォトニック結晶領域7に、複数の正方格子ロッドを備えた正方格子ロッド型を用いた構成を有する。このような構成でも、図8に示す光導波路と同様に、x方向にほぼ平行な電界ベクトルを持つ光とz方向にほぼ平行な電界ベクトルを持つ光を夫々屈折率ガイドモードで伝搬できる。
更に、図11に示す光導波路は、フォトニック結晶領域10に、複数のロッド状の物質を所定の空隙を有して積層した3次元フォトニック結晶構造を使用した構成を有する。線欠陥領域11はフォトニック結晶領域10で囲まれる位置に、フォトニック結晶領域10よりも屈折率が高い物質を設けることで形成する。このような構成でも、図8に示す光導波路と同様に、光の進行方向とほぼ直交する方向に電界ベクトルを持つ2つの光を夫々屈折率ガイドモードで伝搬することができる。
次に、第1実施形態で示した光導波路の検証結果について説明する。
以下では、三角格子空孔型のフォトニック結晶に線欠陥光導波路を形成した試料を用いて、この光導波路の光透過特性を測定した結果を示す。なお、測定に用いる試料は、フォトニック結晶のスラブ層としてSiを用い、線状欠陥の両側に多数の空孔を有する所謂エアブリッジ構造である。各空孔にSiOからなる絶縁膜を埋め込んだ構成でも、以下に記載する効果と同様の効果を得ることができる。
先ず、波長帯が1550nm付近であり、電界ベクトルの向きがフォトニック結晶のスラブ面に対して平行なTE−likeモードの光を、線欠陥導波路モードにより試料中を伝搬させる。このときの上記線欠陥光導波路の光透過特性は図12に示すようになる。なお、図12では透過光のレベルが全体的に約−20dBとなっているが、これは線欠陥光導波路と該線欠陥光導波路へ光を入射するための光ファイバーとの結合損失が約−10dBであり、線欠陥光導波路と該線欠陥光導波路からの出射光を受光する光ファイバーとの結合損失が約−10dBのためである。従って、フォトニック結晶に形成した線欠陥光導波路自体の伝搬損失はほとんど無い。
次に、入射光の電界ベクトルの向きを90度回転させてフォトニック結晶のスラブ面に直交するTM−likeモードの光を試料に入射する。このときの線欠陥光導波路の光透過特性は図13に示すようになる。
図13に示すように、入射光の電界ベクトルの向きを90度回転させ、TM−likeモードの光を屈折率ガイドモードで伝搬させても、波長帯が1550nm付近の光の透過特性は図12に示したグラフと同程度となる。このように、フォトニック結晶に線状欠陥を設けることで形成される線欠陥光導波路は、光の進行方向とほぼ直交する方向に電界ベクトルを持つ2つの光に対して夫々同等の透過特性を有している。
次に、図1に示した線欠陥光導波路の屈折率ガイドモードが有するモードギャップについて説明する。
図3及び図6で示した屈折率ガイドモードの波数空間におけるブリリアンゾーン端では、この屈折率ガイドモードの光が折り返される(反射する)。即ち、ブリリアンゾーン端では、光の進行方向に対する屈折率による周期構造が存在するために、モードギャップが形成される。光導波モードがTE−likeモードの場合のモードギャップは図3に示すとおりであり、光導波モードがTM−likeモードの場合のモードギャップは図6に示すとおりである。
フォトニック結晶に形成した線欠陥光導波路内に屈折率ガイドモードにより光を伝搬させる場合、上述したように、フォトニック結晶の分散関係において、規格化波数kが0.25以上0.5以下の範囲では、光が少ない損失で伝搬する。一方、上記モ−ドギャップの周波数帯では、この線欠陥光導波路中を光が伝搬しない。
図14は、線欠陥光導波路内にスラブ面と直交する電界ベクトルを持つ光を入射した場合の光透過特性について、FDTD法により算出した結果を示す。
図14に示すように、TM−likeモードのモードギャップに相当する波長帯には光の透過率が顕著に低下する領域がある。
次に、フォトニック結晶の空孔にSiOを埋め込んだ構造を持つ試料を用いて光透過特性を測定した結果を図15に示す。
図15に示すように、波長1600nm近傍に波長幅10nm程度で光透過が急激に低下するモードギャップの存在が実際に観測される。
上記モードギャップの周波数及びギャップ幅を制御するためには、フォトニック結晶を構成する物質の屈折率差、フォトニック結晶の格子定数及び周期性を制御する必要がある。
図16は、モードギャップの周波数及びギャップ幅を制御する例として、三角格子空孔型のフォトニック結晶において、格子定数(a)と空孔半径(r)の比(r/a)をパラメータとして変化させたときのモードギャップの周波数の変化の様子を示す。図17は、(r/a)をパラメータとして変化させたときのギャップ幅(Δλ)の変化の様子を示す。なお、図16及び図17はいずれもFDTD法により算出した結果を示している。また、図16のband−1は規格化波数k=0.5におけるモードギャップ(図3参照)の下側の周波数(低周波数側)であり、図16のband−2は規格化波数k=0.5におけるモードギャップの上側の周波数(高周波数側)である。また、図17は1550nm帯の光を伝搬させたときの格子定数(a)と空孔半径(r)の比(r/a)の変化に対するギャップ幅(Δλ)の変化を示している。
図16及び図17のグラフから分かるように、格子定数(a)と空孔半径(r)の比(r/a)を変化させることで、モードギャップの周波数とギャップ幅を制御できる。また、ギャップ幅として1nm以上10nm以下の実用上有効な波長幅が得られることが分かる。
図18に図1に示したフォトニック結晶からなる線欠陥光導波路への光の挿入損失を低減するため、線欠陥光導波路に対する光の入出力部に周知のチャネル光導波路を設けた構成を示す。
図18に示す光導波路は、基板にSi/SiO/Si構造を有するSOIウエハ(Si層の厚さが0.25μm程度、SiO層の厚さが1μm程度)を用い、Si層にフォトニック結晶構造を備えた構成である。
フォトニック結晶12には、複数の空孔を三角格子状に配列した三角格子空孔型を用い、格子定数aを0.4μm程度、空孔径rをr/a=0.3程度とし、光の進行方向に空孔を設けないことで線欠陥光導波路を形成する。
また、線欠陥光導波路の光の入出力側には、Siからなる細線光導波路131、132を接続する。更に、細線光導波路131、132と線欠陥光導波路間には、光の結合損失を低減するために、長さ0.3μm程度の台形状のインタフェース部141、142を設ける。
基板に設ける空孔は、例えば空孔の形成領域に開口を有するレジストを電子ビーム露光法により形成し、このレジストをマスクにするドライエッチングによりSi層を除去することにより形成する。その後、空孔内に厚さ1μm程度でSiOを埋め込む。
このような構成において、細線光導波路131、132の端面に先球単一モード光ファイバーを接続し、波長が1550nm帯のTE−likeモード及びTM−likeモードの光を屈折率ガイドモードにより伝搬させると、光透過特性として上記図12〜図15と同様の結果が得られる。
このように、本発明の特徴である屈折率ガイドモードを利用する光導波路を使用すれば、TE−likeモード及びTM−likeモードの光に対して夫々同等の透過特性が得られるため、この光導波路を備える光デバイスの設計の自由度が向上する。
なお、フォトニック結晶12の物質には、Siに代えて、GaAs、InP、これらの化合物(例えば、GaInAsP等)又はAl化合物等の屈折率が3程度以上の物質を選択することも可能である。その場合、光透過波長を1550nm帯に設定するためには、格子定数と空孔径を夫々調整すればよい。
(光スイッチ)
次に、本発明の第1実施形態の屈折率ガイドモードを利用した光導波路を、光スイッチに適用した第2実施形態について、説明する。
図19に示すように、光スイッチは、フォトニック結晶22に設けられた2つの線欠陥光導波路と、2つの線欠陥導波路の入出力側に夫々接続される細線光導波路231〜234とを有する。線欠陥導波路の入出力側に夫々接続される細線光導波路231〜234の先端には、光のスポットサイズを変換するためのスポットサイズ変換器241、242が夫々接続される。
線欠陥導波路の入力側に接続される細線光導波路231、232は、スポットサイズ変換器241近傍の入力端で分岐し、線欠陥導波路の出力側に接続される細線光導波路233、234は、スポットサイズ変換器242の直前で合流している。また、線欠陥光導波路の一方の近傍にはマイクロヒータ25が設けられている。
このような構成において、スポットサイズ変換器241を通して入射された光は、細線光導波路231、232により2方向に分岐され、夫々フォトニック結晶からなる線欠陥光導波路へ入力される。
一方、2つの線欠陥光導波路から出力された光は、細線光導波路233、234で合波され、スポットサイズ変換器242を通して出力される。このとき、一方の線欠陥光導波路をマイクロヒータ25にて加熱することにより、フォトニック結晶の温度を変化させ、この線欠陥光導波路の実効的な屈折率を変化させる。この屈折率の変化によって2つの線欠陥光導波路から出力される光の位相差を0からπまで変化させることが可能になる。2つの光の位相差が0であるとき線欠陥光導波路の出力光は入力光と同じ光強度となり、位相差がπであるとき線欠陥光導波路の出力光は光強度が0になる。
このように、フォトニック結晶に2つの線欠陥光導波路を形成することで、光スイッチを実現できる。なお、本実施例では、この線欠陥光導波路内の光導波モードとして上述した屈折率ガイドモードを利用することはいうまでもない。
本実施形態によれば、本発明の特徴である屈折率ガイドモードを利用した光導波路を用いることにより、TE−likeモード及びTM−likeモードの光を夫々スイッチングすることが可能になるため、光スイッチを設計する際の自由度が向上する。
(光合分波デバイス)
次に、本発明の第1実施形態の屈折率ガイドモードを利用した光導波路を、光合分波デバイスに適用した第3実施形態について説明する。
図20に示すように、光合分波デバイスは、並列に配置され、線欠陥光導波路が形成された2つのフォトニック結晶321、322と、線欠陥導波路の入出力側に夫々接続される細線光導波路331〜334とを有する。線欠陥導波路の入出力側に夫々接続される細線光導波路331〜334は、入力側及び出力側でその一部が近接して配置されることで夫々方向性結合器を形成する。
細線光導波路331〜334のコアの間隔は0.2μm程度にし、結合部位の長さは2.5μm程度にする。この場合、完全結合長が5μm程度となり、方向性結合器として3dBカプラ341、342が形成される。細線光導波路331のポート1から入力された光は3dBカプラ341により2方向へ分岐される。このとき、線欠陥光導波路で形成される屈折率ガイドモードのバンドギャップ間に相当する波長では、分岐光が夫々線欠陥光導波路にて反射され、更に3dBカプラ341を通過することで合波された光が細線光導波路332のポート2よりドロップ光として出力される。
その他の波長光は、出力側の3dBカプラ342を通過することで合波され、細線光導波路334のポート4より出力される。また、細線光導波路333のポート3からポート2と同じ波長の光を入力することでポート4から合波させた光を出力させることも可能である。
本実施形態によれば、本発明の特徴である屈折率ガイドモードを利用した光導波路を用いることでTE−likeモード及びTM−likeモードの光を夫々合分波できるため、光合分波デバイスを設計する際の自由度が向上する。
(光通信装置)
次に、本発明の第1実施形態の屈折率ガイドモードを利用する光導波路を、光通信装置に適用した第4実施形態について、説明する。
図21に示すように、本実施形態の光通信装置は、SOI基板41上にフォトニック結晶42及びチャネル導波路43が形成され、フォトニック結晶42に形成された線欠陥光導波路にチャネル導波路43を介して光ファイバー44が接続された構成である。
一般に、光ファイバー44内では、電界ベクトルの向きが回転しつつ光が伝搬する。そのため、線欠陥光導波路へ入射される光の電界ベクトルの向きは不定となる。すなわち、線欠陥光導波路へ入射される光の電界ベクトルの向きは、図21の(1)、(2)、(3)で示すいずれの方向(Ex)も可能性がある。
本発明の実施形態の屈折率ガイドモードを利用した光導波路を使用することにより、どのような向きの電界ベクトルを持つ光が入射されても、伝搬損失を生じることなく線欠陥光導波路により光を伝搬できる。なお、図21では、フォトニック結晶42に形成された線欠陥光導波路の光の入力側の構成のみを示しているが、線欠陥光導波路の出力側に光ファイバーを接続した構成でもこの光ファイバーへ供給する光の電界ベクトルの向きを自由に設定することができる。
以上のように、本発明のフォトニック結晶からなる光導波路は、光導波路を備える各種光デバイスに適用して好適である。

Claims (7)

  1. 屈折率が異なる2種類以上の物質を、1次元、2次元又は3次元周期で配列して得られるフォトニック結晶からなる光導波路において、
    前記フォトニック結晶の分散関係において、最低周波数の光導波モードである屈折率ガイドモードを用いて光を伝搬することを特徴とする光導波路。
  2. 屈折率が異なる2種類以上の物質を、1次元、2次元又は3次元周期で配列して得られるフォトニック結晶からなる光導波路において、
    光の進行方向と直交する2つの光導波モードのうち、
    第1の光導波モードに、線欠陥導波路モードを用い、
    第2の光導波モードに、前記フォトニック結晶の分散関係において、最低周波数の光導波モードである屈折率ガイドモードを用いて光を伝搬することを特徴とする光導波路。
  3. 屈折率が異なる2種類以上の物質を、1次元、2次元又は3次元周期で配列して得られるフォトニック結晶からなる光導波路において、
    光の進行方向と直交する2つの光導波モードに、前記フォトニック結晶の分散関係において、最低周波数の光導波モードである屈折率ガイドモードをそれぞれ用いて光を伝搬することを特徴とする光導波路。
  4. 前記屈折率ガイドモードは、
    前記フォトニック結晶の分散関係において規格化波数kが0.25以上0.5以下の範囲であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光導波路。
  5. 光の進行方向に周期性を持つ請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光導波路。
  6. 請求項1乃至4のいずれか1項に記載のフォトニック結晶からなる光導波路を備えた光デバイス。
  7. 請求項1乃至4のいずれか1項に記載のフォトニック結晶からなる光導波路を備えた光通信装置。
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