JP4735259B2 - フォトニック結晶の構造 - Google Patents
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Description
[図2]図1のフォトニック結晶の構成要素の一部を斜めから見た模式図である。
[図3]図3(a)は、本発明の第一の実施の形態の第1の実施例を説明する模式図であり、フォトニック結晶を斜めから見た図である。図3(b)は、図3(a)のフォトニック結晶を横からみた断面を模式的に示す図である。
[図4]図4(a)は、本発明の第一の実施の形態の第2の実施例を説明する模式図であり、フォトニック結晶を斜めから見た図である。図4(b)は、図4(a)のフォトニック結晶を横から見た断面を模式的に示す図である。
[図5]本発明の第1の実施の形態の第3の実施例を説明するフォトニック結晶の断面を模式的に示す図である。
[図6]本発明の第1の実施の形態の第4の実施例を説明するフォトニック結晶の断面を模式的に示す図である。
[図7]本発明の第1の実施の形態の第5の実施例を説明するフォトニック結晶スラブの断面を模式的に示す図である。
[図8]欠陥を有するフォトニック結晶スラブの断面を模式的に示す図であり、本発明の第1の実施の形態の第6の実施例を説明するための図である。
[図9]本発明の第2の実施の形態の第1の実施例を説明するフォトニック結晶スラブの断面を模式的に示す図である。
[図10]本発明の第2の実施の形態の第2の実施例を説明するフォトニック結晶の断面を模式的に示す図である。
[図11]本発明の第2の実施の形態の第3の実施例を説明するフォトニック結晶スラブの構造断面を模式的に示す図である。
[図12]本発明の第2の実施の形態の第4の実施例を説明するフォトニック結晶の断面を模式的に示す図である。
[図13]本発明の第2の実施の形態の第5の実施例を説明するフォトニック結晶の断面を模式的に示す図である。
[図14]本発明の第2の実施の形態の第6の実施例を説明するフォトニック結晶の断面を模式的に示す図である。
[図15]従来技術によるフォトニック結晶スラブの構造を説明する模式図である。
2 原子誘電体柱
3、8 フォトニック結晶
4 誘電体柱格子
5、11、26、28 有機樹脂
6、10 シリコン円柱
7、9、12 二酸化シリコン膜
13 フォトニック結晶スラブ
33 シリコン円柱上層
34 二酸化シリコン増幅層
35 シリコン円柱下層
・フォトニック結晶を伝搬する光の波長や強度、
・フォトニック結晶スラブに照射される光の波長や強度、
・フォトニック結晶スラブの温度、
・フォトニック結晶スラブに印加される、電界、電流、電荷、内部応力、外部応力等、あらゆる条件を含む。
Claims (3)
- 誘電率が周期変化している2方向を含む周期平面と平行な方向に入射した光が成すブロッホ波の中の何れの回折光(0次回折光を含む)よりも伝搬中の光の波長が長くなるような誘電体材料をクラッドに用いて、個々の回折波に関するコア層の透過屈折率をクラッドの屈折率よりも大きくすることによって実現される全反射の効果により、厚み方向に光を閉じ込めるフォトニック結晶であって、
屈折率分布と構造が共に厚み方向に鏡映対称な原子誘電体柱を有し、
前記原子誘電体柱は、2次元格子状に配列されて誘電体柱格子を成し、
前記誘電体柱格子は、少なくとも厚み方向に一様な屈折率分布を有する周囲誘電体の中に配置され、
前記周囲誘電体は、屈折率が等しい2種類以上の誘電体材料が、厚み方向に非対称に分布してなる、ことを特徴とするフォトニック結晶。 - 前記周囲誘電体の一部又は全部に、前記フォトニック結晶の厚み方向に鏡映対称な位置に配置された有機媒質を備え、
前記有機媒質の一部の屈折率が、前記一部の周囲の前記有機媒質と、前記誘電体柱格子の周期面と平行な方向に、異なっている欠陥を有する、ことを特徴とする請求項1に記載のフォトニック結晶。 - 前記原子媒質と前記背景媒質の全部又は一部に、光増幅媒質が添加されている、ことを特徴とする請求項1に記載のフォトニック結晶。
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