JP2005519321A - 特に光集積回路で光ビームを交差するための装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光ビームを交差するための装置(400)は、第1の軸に沿って向けられた第1の入力光導波路(402’)と、第1の軸に対して傾斜された第2の軸に沿って向けられた第2の光導波路(403’)と、第1の軸及び前記第2の軸の交差部の光交差領域で規則的な周期性を有するフォトニック結晶(401)と、を少なくとも備える。更に、第1及び第2の入力光導波路(402’,403’)の夫々反対側で、出力ビームのため、第1及び第2の出力光導波路(402”,403”)が設けられる。
Description
本発明は、特に光集積回路で光ビームを交差するための装置に関する。
光遠距離通信システムでは、情報は、典型的には、例えば発光ダイオード(LED)又は半導体レーザー等の適切な光源により短い光パルスに符号化され、それらのパルスは、光ファイバーネットワークに沿って伝送され、光検出器によって受信される。多数の異なる信号を、異なる源からのパルスを織り交ぜることにより単一波長の光を使用して伝送することができる。これは、時分割多重技術(TDM)として知られた技術である。
単一の光ファイバーにより伝送することができるデータの量を増加させる簡単な方法は、入ってくる電子ビットを可能な限り短くすることである。現在の光長距離通信システムは、毎秒40ギガビットまでのデータレートを達成している。
近年では、伝送容量は、高密度波長分割多重技術(DWDM)を用いて増大された。この技術は、非常に安定した放射レーザーを要求し、受信器側では、非常に狭いライン幅のフィルターと、個々の波長チャンネルを分離し、それらを適切な目的地へと回送するための光学スイッチとが要求される。DWDMシステムにおける個々の構成部品の数の多さに起因して、光集積回路が開発された。光集積回路は、モノリシック又はハイブリッドのいずれであってもよく、典型的には半導体又は誘電体上で実現される能動及び受動の構成部品を備え、光電子式装置の間を連結して信号処理機能を提供するため使用される。
集積回路は集積部品及び導波路を実質的に2次元構造で設計することを提供するので、光集積回路における一つの問題は、異なる導波路の交差である。この問題は、複数の光入力が複数の光出力に向けられ、各入力をあらゆる出力に接続するため交差が必要となるような場合、例えば光スイッチングの場合に生じる。
上記問題は、例えば、米国特許番号6,198,860号で取り組まれており、該特許では、波長スケールにおける現在の集積化は、導波路が他の導波路の上方を単に通り過ぎることではなく、導波路の交差を必要としていると観察されている。3次元構造を実現することは、製造上の相当の困難さを追加するからである。導波路の交差に関する主要な問題は、クロストークである。これは、即ち、導波路で伝送される信号の一部分が交差する導波路内に再指向される望ましくない現象である。2つの交差する導波路が各々の信号を伝送するとき、クロストークが2つの信号の間の干渉を生じさせる。
米国特許番号6,198,860号は、2つの導波路の間の交差点において、フォトニック結晶共鳴器を設けることにより、この問題への解答を提供する。
フォトニック結晶は、空間の1、2又は3方向に沿って誘電率を周期的に変化(又は変調)させた誘電構成体である(従って当該結晶は、1次元、2次元又は3次元のフォトニック結晶と称される)。2次元フォトニック結晶は、典型的には、異なる屈折率の周期列の領域が実現されるところの誘電材料の一部分(例えば、光学的に薄いスラブ)を備える。これらの領域は、空気、又は、他の所定の物体若しくは材料が充填された柱体により形成されてもよい。
フォトニック結晶は、空間の1、2又は3方向に沿って誘電率を周期的に変化(又は変調)させた誘電構成体である(従って当該結晶は、1次元、2次元又は3次元のフォトニック結晶と称される)。2次元フォトニック結晶は、典型的には、異なる屈折率の周期列の領域が実現されるところの誘電材料の一部分(例えば、光学的に薄いスラブ)を備える。これらの領域は、空気、又は、他の所定の物体若しくは材料が充填された柱体により形成されてもよい。
フォトニック結晶は、一定の周波数範囲で光の伝播を制限するバンドギャップを有する。近年におけるそれらの発見は、光を操作するための従来の方法の再考察を引き起こし、多数の新規な光学装置のための提案へと導いた。特に、フォトニック結晶における直線欠陥(即ち、一つのラインに沿って結晶の周期性が壊れた部分)は、光が逃げるのを防止するため屈折率閉じ込めの代わりにバンドギャップ拘束に頼ることにより、バンドギャップ内の波長の光を案内することを可能にする。同様に、単一位置における欠陥(点欠陥)は、小さい領域に光を捕捉する共鳴空洞部を形成する。
米国特許番号6,198,860号で提案された導波路交差設計は、上記現象の両方を使用する。光は直線欠陥を通って交差領域へと案内されると共に、交差領域は共鳴空洞部を形成する単一欠陥を含むからである。図1は、米国特許番号6,198,860号に表されたような一つの可能な実施例を示す。フォトニック結晶10は、各々の直線欠陥により形成された、互いに垂直な第1及び第2の導波路11、12と、単一欠陥により形成された共鳴交差領域13と、を有する。単一欠陥は、結晶の他のロッドより大きい半径の誘電ロッドにより形成される。
案内されたモードに関心を払う限り、状況は、単純な1次元共鳴トンネルトンネル効果により説明され、交差導波路は、効果的に不可視のものとなる。特に、案内されるモードが導波路の一つから交差領域に入射されるとき、導波路の軸に関して対称的である共鳴状態に連結することだけしかできない。反対称である他の共鳴状態は、対称性によりモード案内されるものに直交する。これに対応して、対称的な共鳴状態は、入出力導波路へと崩壊することしかできなくなる。この状態は、交差導波路におけるモードに直交する。
この構成は、光学モードが、反射が存在せず、交差導波路への透過が0%である状態で、入力導波路から、交差の反対側にある出力導波路へ100%透過(スループット)で伝播することを可能にする。
本願出願人は、光学導波路が交わる際のクロストークを回避する問題に取り組み、代替の解決法を探してきた。
特に、本願出願人は、フォトニック結晶を使用した、可能となる異なるX交差構成を考察した。
特に、本願出願人は、フォトニック結晶を使用した、可能となる異なるX交差構成を考察した。
欠陥を有するフォトニック結晶装置の開発を別にして、規則的な周期性を有するフォトニック結晶(「規則的なフォトニック結晶」とも称される)における光の振る舞いが調査研究されてきた。規則的な周期性を有するフォトニック結晶を用いるという本発明の目的のために、フォトニック結晶は、その周期列の特性が、少なくとも意図した光伝播のその領域において変化しないことが意図されている。
1996−1、5月15日発行の、フィジカルレビューB、第53巻、19号の「周期的誘電構造体における光子合焦、内部拡散及び表面状態」と題された、P.エチゴイン及びR.T.フィリップスの論文は、2次元周期誘電構造体のバンド構成を計算するための方法を提供するため、半導体中の電子と、周期的誘電構造体における電磁波との間の類似性を利用する。その上、この論文は、音波フォノンの合焦の現象との類似性で、これらの構造の源ポイントにより放射された光子合焦の現象を取り扱い、所定の方向に沿って光を合焦させるため、波数ベクトルkのkx−kyダイアグラムがどのような形状を持つかを示している。
本願出願人は、光子合焦の応用は、理論的なレベルでのみ研究されたことを除いて、光集積回路での使用に限定されるであろうと観察した。
スコットランド、セント・アンドリューの、PECSIII会議(2001年6月)の議事録である、マルコ・ロンカー、ジェレナ・ビューコビッチ及びアクセル・シェラーの論文「平面フォトニック結晶の分散特性の3次元分析」は、平面(即ち2次元)フォトニック結晶は、一定の条件下で、第2のエネルギーバンド(即ち、基本バンドを越えるエネルギーバンド)において自動平行化効果を持ち得ることを示している。論文に開示されたように、これらの条件は、フィルターの群速度を決定する。
スコットランド、セント・アンドリューの、PECSIII会議(2001年6月)の議事録である、マルコ・ロンカー、ジェレナ・ビューコビッチ及びアクセル・シェラーの論文「平面フォトニック結晶の分散特性の3次元分析」は、平面(即ち2次元)フォトニック結晶は、一定の条件下で、第2のエネルギーバンド(即ち、基本バンドを越えるエネルギーバンド)において自動平行化効果を持ち得ることを示している。論文に開示されたように、これらの条件は、フィルターの群速度を決定する。
本願出願人は、一定期間に亘って、(平行化されているが)負の群速度を有する光のビームのための実用的な応用が示されてなかったと観察した。
本願出願人は、規則的なフォトニック結晶の光伝播特性を更に調査研究し、そのような構成をX交差目的のため使用する可能性について考察した。
本願出願人は、規則的なフォトニック結晶の光伝播特性を更に調査研究し、そのような構成をX交差目的のため使用する可能性について考察した。
本願出願人は、フォトニック結晶の幾何学的及び物理的特性、並びに、動作波長を好機に選択することにより、当該フォトニック結晶をクロストークを持っていないX交差装置として前記波長で使用することが可能となることを見出した。この特別な装置は、前述した導波路を持っていない。当該装置へと伝播するビームは、本発明の教えに従って設計されたフォトニック結晶の「光子案内」特性の効果に起因して、自動的に平行化するからである。平行化された伝播は、結晶軸に沿って可能となり、当該装置は、従って、フォトニック結晶の周期列が正方形形状を持つ場合に2つのビームの交差に適切となり、該周期列が三角形の形状を持つ場合には2又は3つのビームの交差に適切となる。
従って、本発明は、光ビームを交差するため、第1の軸に沿って向けられた第1の入力光導波路と、該第1の軸に対して傾斜された第2の軸に沿って向けられた第2の光導波路と、を少なくとも備え、第1の軸及び第2の軸の交差部において光交差領域を更に備えた装置に関し、該装置は、該光交差領域で規則的な周期性を有するフォトニック結晶を備える。
好ましくは、本装置は、交差領域に対して第1及び第2の入力光導波路の夫々反対側で、第1及び第2の軸に沿って各々向けられた、第1及び第2の出力光導波路を更に備える。
好ましくは、第1及び第2の軸は、各々、第1及び第2の結晶軸と同じ方向を有し、該第1及び第2の軸は、互いに垂直である。
上記フォトニック結晶は、光集積構造の正方形又は長方形部分で延在しており、第1及び第2の入力光導波路は、該部分の夫々のエッジに連結されている。
上記フォトニック結晶は、光集積構造の正方形又は長方形部分で延在しており、第1及び第2の入力光導波路は、該部分の夫々のエッジに連結されている。
上記フォトニック結晶は、正方形の形状に従って配列された周期列の孔を有していてもよい。
上記第1及び第2の方向は、π/3の角度を形成してもよく、上記フォトニック結晶は、光集積構造の略六角形部分で延在しており、第1及び第2の入力光導波路は、該部分の夫々のエッジに連結されていてもよい。
上記第1及び第2の方向は、π/3の角度を形成してもよく、上記フォトニック結晶は、光集積構造の略六角形部分で延在しており、第1及び第2の入力光導波路は、該部分の夫々のエッジに連結されていてもよい。
上記フォトニック結晶は、三角形の形状に従って配列された周期列の孔を有していてもよい。
本装置は、交差領域で第1及び第2の軸と交差する第3の軸に沿って向けられた、第3の入力光案内手段を更に備えていてもよい。
本装置は、交差領域で第1及び第2の軸と交差する第3の軸に沿って向けられた、第3の入力光案内手段を更に備えていてもよい。
本装置は、交差領域に対して第3の入力光案内手段の反対側で、第3の軸に沿って向けられた第3の出力光導波路を更に備えていてもよい。
上記第1及び第2の入力光導波路の少なくとも1つは、集積型の導波路、又は、その代わりに光ファイバーであってもよい。
上記第1及び第2の入力光導波路の少なくとも1つは、集積型の導波路、又は、その代わりに光ファイバーであってもよい。
好ましくは、上記光ビームは所定の波長を有し、上記フォトニック結晶は、第1の屈折率を有するバルク材料から作られ、該第1の屈折率とは異なる第2の屈折率及び所定の寸法を有する領域の周期列を備え、第1及び第2の屈折率の間の差異と、上記領域の寸法と、上記列の周期とは、フォトニック結晶の第1の既約ブリルアンゾーンの角度延長の2倍に相当する第1の角度範囲内における電磁放射の波数ベクトル等方分布から出発して、該波数ベクトルに対応する群速度ベクトルの少なくとも50%が第1の角度範囲の約三分の一である第2の角度範囲内に差し向けられるようにフォトニック結晶内の伝播の間に再配列され、且つ、該群速度ベクトルのモジュールの分布の最大半値幅が第2の角度範囲の約三分の二より小さくなるように互いに及び前記波長に対して関連付けられている。
上記光学導波路は、基板層上で実現され、うね状光学導波路、リブ状光学導波路、又は、直線欠陥領域を有するフォトニック結晶光学導波路を備える。
本発明の更なる詳細事項は、添付図面を参照して次の説明から得ることができる。
本発明の更なる詳細事項は、添付図面を参照して次の説明から得ることができる。
図1、2a及び2bを参照すると、誘電材料から作られ、周期列の孔2が実現されたバルクボディ2を備えるフォトニック結晶が1で指し示されている。2次元(2−D)フォトニック結晶が説明されているが、本発明の教えは、3次元(3−D)フォトニック結晶、即ち、球体等のバルクと異なる屈折率の領域の3次元分布を有する結晶にも同様に拡張することができる。
バルクの誘電材料は、好ましくは1.5よりも大きい屈折率を有する。可能となる材料は、SiO2、SiOxNy、GaAs、Siである。このリストは、図示の目的のためだけに掲げられたものであり、完全に網羅したわけではない。
好ましくは、孔2は、空気を含み、柱体状であり、互いに平行であり、同じ半径ρを有する。図2bに示されるように、孔2は、周期aを有する三角形列を形成するように配列されている。正三角形に従った配列が図示されているが、二等辺三角形に従った配列も同様に使用することができる。代替例として、正方形又は長方形の配列に従って孔2を配列してもよい。一般には、列の周期は、「セル」の周期であり、各セルは、三角形列に関して3つの孔を含み、正方形又は長方形列において4つの孔を含んでいる。
好ましい伝達方向は、結晶軸に一致する方向であることを示すことができる。三角形形状の場合には、結晶軸は、三角形の頂点を接続するものであり、正方形又は長方形の形状の場合には、結晶軸は、正方形又は長方形の対角線即ち対向する頂点を接続する軸に一致する。三角形列の形状の場合には、3つの結晶軸が60°(π/3)の角度で間隔を隔てており、正方形列の形状の場合には、2つの結晶軸が90°(π/2)の角度で間隔を隔てている。
以下の説明は、空気が充填された、円形断面の孔2を有するフォトニック結晶を参照しているが、本発明の教えは、孔が空気とは異なる所定の物質を含むか又は所定の誘電材料(バルク誘電材料とは異なる屈折率)のロッドにより置き換えられ、穴が円形とは異なる断面、例えば正方形の断面を持つ、フォトニック結晶にも拡張することができる。
上記によれば、フォトニック結晶1は、孔2の軸に平行なz軸に沿って変化せず、z軸に垂直なx−y平面で周期的に変化する構造を有する。
フォトニック結晶1を製造する方法は、当該技術分野で知られている方法を使用することができ、ここでは説明しないことにする。フォトニック結晶を製造する方法及びフォトニック結晶を備える装置は、例えば、米国特許番号5,526,449号、米国特許番号6,064,511号、及び、2000年10月、第18巻の第10号、光波技術ジャーナルに掲載された、ロンカー・T・ドール、J・バック及びビック及びシュレーラーによる論文「シリコンフォトニック結晶の光学導波路の設計及び製作」に記載されている。
フォトニック結晶1を製造する方法は、当該技術分野で知られている方法を使用することができ、ここでは説明しないことにする。フォトニック結晶を製造する方法及びフォトニック結晶を備える装置は、例えば、米国特許番号5,526,449号、米国特許番号6,064,511号、及び、2000年10月、第18巻の第10号、光波技術ジャーナルに掲載された、ロンカー・T・ドール、J・バック及びビック及びシュレーラーによる論文「シリコンフォトニック結晶の光学導波路の設計及び製作」に記載されている。
フォトニック結晶1の案内特性を決定するパラメータは、孔2の列の周期aと孔2の半径ρとの間の比率として定義された相対間隔R、誘電材料の屈折率n(又は、一般には、バルク誘電材料と物体即ち孔を充填する材料との間の屈折率の差異)、並びに、「正規化周波数」として知られ、かつ、周期aと案内されるべき電磁放射の波長λとの間の比率に比例するωnで指し示された更なるパラメータである。
「光子案内」又は「導波路」の状態は、フォトニック結晶1が該状態が達成されるように設計され、内部を伝播する該電磁放射が、電磁放射のエネルギーの大部分が、結晶軸の一つと一致する方向に流れるような波長を有する。以下、「光子案内」状態を電磁放射の周囲のベクトルパラメータ、即ちエネルギー伝播の方向に一致する方向を持つ群速度を参照することにより定義する。実際には、「光子案内」は、波数ベクトルの等方分布から出発して、前記分布が次のように変更されるようなとき生じる。即ち、
−群速度の所定のパーセンテージが、元々の角度範囲の所定のサブ範囲内に配向される。
−群速度のモジュールの角度分布は、考察された伝播軸に沿ってピーク値を示し、その最大半値幅が所定値よりも小さい。
−群速度の所定のパーセンテージが、元々の角度範囲の所定のサブ範囲内に配向される。
−群速度のモジュールの角度分布は、考察された伝播軸に沿ってピーク値を示し、その最大半値幅が所定値よりも小さい。
換言すれば、フォトニック結晶は、群速度が所望の伝播方向に向かって収束し、伝播するビームのエネルギーのほとんどが、そのように指向された群速度により運搬されるように設計される。
本発明の目的のため、フォトニック結晶内の所定方向における電磁放射の「光子案内」の条件は、フォトニック結晶の第1の(既約)ブリルアンゾーンの角度延長の2倍に相当する該電磁放射の波数ベクトルの第1の角度範囲内の等方分布から出発して、該波数ベクトルに対応する群速度ベクトルは、群速度ベクトルの少なくとも50%が第1の角度範囲の約三分の一である第2の角度範囲内に向けられるようになり、かつ、群速度ベクトルのモジュールの分布の最大半値幅が第2の角度範囲の約三分の二より小さくなるように、方向及びモジュールに関して再配列されている。
好ましい条件では、上記ベクトルのモジュールの分布の最大半値幅が、第2の角度範囲の約二分の一よりも小さい。
次に続く説明では、群速度の角度分布は、r(θ)に関して指し示されよう。
次に続く説明では、群速度の角度分布は、r(θ)に関して指し示されよう。
本説明の次のもので示されるように、「光子案内」の以前の定義では、分布r(θ)の最大半値幅は、分布のばらつきに等価なものとして考えられる。ここで、偏差σは、次のように定義される。
ここで、θiは、考えている方向に対する角度を示し、μは、その方向の回りの該分布の平均であり、三角形列に対して0、正方形列に対してπ/4に等しい。
光子案内のための好ましい条件は、偏差σの項で表すことができる。三角形の形状の場合では、結晶軸に沿った光子案内の好ましい条件は、第1の既約ブリルアンゾーンの角度延長の2倍である、上記軸の回りの60°(π/3)の角度範囲内の波数ベクトルの等方分布から出発して、上記波数ベクトルに対応する群速度ベクトルは、群速度ベクトルの少なくとも50%が上記軸の20°(π/9)の角度範囲内に向き付けられるようになり、上記軸の回りのモジュール分布の偏差σが約0.15ラジアン(即ち、σ2<〜0.022ラジアン2)より小さくなるように、モジュール及び方向に関して再配列される。約0.13ラジアンより小さいσ(即ち、σ2<〜0.017ラジアン2)に対してより良好な案内効果を観察することができ、約0.11ラジアンより小さいσ(即ち、σ2<〜0.012ラジアン2)に対して更により良好な案内効果を観察することができる。(σに関して)より多くの又はより少い拘束条件を選択することは、特別の要求及び条件、例えば、フォトニック結晶を通してカバーされるべき距離に依存し得る。
光子案内のための好ましい条件は、偏差σの項で表すことができる。三角形の形状の場合では、結晶軸に沿った光子案内の好ましい条件は、第1の既約ブリルアンゾーンの角度延長の2倍である、上記軸の回りの60°(π/3)の角度範囲内の波数ベクトルの等方分布から出発して、上記波数ベクトルに対応する群速度ベクトルは、群速度ベクトルの少なくとも50%が上記軸の20°(π/9)の角度範囲内に向き付けられるようになり、上記軸の回りのモジュール分布の偏差σが約0.15ラジアン(即ち、σ2<〜0.022ラジアン2)より小さくなるように、モジュール及び方向に関して再配列される。約0.13ラジアンより小さいσ(即ち、σ2<〜0.017ラジアン2)に対してより良好な案内効果を観察することができ、約0.11ラジアンより小さいσ(即ち、σ2<〜0.012ラジアン2)に対して更により良好な案内効果を観察することができる。(σに関して)より多くの又はより少い拘束条件を選択することは、特別の要求及び条件、例えば、フォトニック結晶を通してカバーされるべき距離に依存し得る。
正方形の形状の場合には、第1の既約ブリルアンゾーンの角度延長の2倍である、上記軸の回りの90°(π/2)の角度範囲内での波数ベクトルの等方分布から出発して、上記波数ベクトルに対応する群速度ベクトルが、それらの少なくとも50%が上記軸の回りの30°(π/6)の角度範囲内に差し向けられ(即ち、元の角度範囲の三分の一である角度範囲内)、上記軸の回りのモジュール分布の偏差σが約0.22ラジアン(即ち、σ2<〜0.049ラジアン2)となるように、モジュール及び方向に関して再配列されるとき、結晶軸に沿った「光子案内」の好ましい条件が生じる。約0.17ラジアン(即ち、σ2<〜0.029ラジアン2)より小さいσに対してより良好な案内効果を観察することができ、約0.12ラジアンより小さいσ(即ち、σ2<〜0.014ラジアン2)に対して更により良好な案内効果を観察することができる。
「光子案内」の下での伝播は、電磁放射が基本的なフォトニック結晶内の波長を有することを更に要求する。「光子案内」の上記条件が、(ω、kx及びky空間における)基本エネルギーバンドの表面が屈曲を示すところで達成されることを示すことができる。
従って、フォトニックバンドギャップ内の波長での光がフォトニック結晶内の欠陥ラインにより典型的に形成される局所化された不変の光学導波路を通って伝達される従来のフォトニック結晶に形成された導波路とは異なり、本発明に係るフォトニック結晶への導波路は、フォトニック基本結晶バンド内の波長で規則的な周期のフォトニック結晶の任意の領域で生じることができる。実際には、光ビームが本発明に係るフォトニック結晶内に伝播するように作られるとき、「仮想的導波路」が形成される。光ビームにより「観察される」特別の伝播条件が、それを平行化させるからである。
従って、本発明のフォトニック結晶は、従来のフォトニック結晶の直線欠陥領域等の物理的導波路構造を一切必要としないことがわかる。可能な伝播方向は結晶軸に対応する方向であるが、本発明のフォトニック結晶内で平行化された案内ビームの寸法及び位置は、入力された光ビームの寸法及び位置により決定され、これらに対応する。
従って、フォトニック結晶1が所定の波長で電磁放射を放射するのに適した光源に光学的に連結されている場合、及び、この波長が、光子案内のための条件を満足させるためのフォトニック結晶1の物理的特性に関するものである場合、この波長で光ビームを案内するのに適した装置を実現することができる。図2aは、既知の種類の第1の光学導波路5を用いてフォトニック結晶1に光学的に連結された光源4、例えば既知の種類のレーザー、例えば、光ファイバー又は集積型の光学導波路を概略的に示している。既知の種類の第2の光学導波路7は、第1の光学導波路5とは反対側にあるフォトニック結晶1に連結されている。更に概略的に表されているものは、光源4により発生された光ビーム6であり、該光ビームは、第1の光学導波路5を介してフォトニック結晶1に供給され、次に、フォトニック結晶1内へと略平行化された状態で伝播され、第2の光学導波路7を介してフォトニック結晶1から出て行く。
本発明のフォトニック結晶の更に重要な特徴は、異なる寸法及び方向の可能性がある複数の光ビームが、結晶内で同時に透過することができるということである。特に、「X交差」構造を形成するように互いに交差する結晶内の2以上の光ビームを透過させることが可能となる。本願出願人は、そのような交差構造では、2つのビームの電磁場の間の相互作用(即ち、クロストーク)は存在しないということを実証した。以下、可能なX交差構造を説明する。
本発明によるものと同じフォトニック結晶を、例えば互いから等しい間隔若しくは異なる間隔で隔てられ且つ同じ寸法若しくは異なる寸法を有する複数の平行な光ビームを案内するように、又は、(結晶軸と一致する)異なる方向に沿って伝播し且つ同じ方向又は異なる方向を有する複数の光ビームを案内するように、異なる仕方で適用することができる。後者の複数の光ビームは、結晶の同じ領域又は異なる領域で互いに交差し得る(例えば、第1の方向に伝播するビームが第2の方向に伝播する2つの更なるビームと、順次、交差し得る。3つの異なる方向に伝播する3つのビームが同じ領域で交差し得る)。
複数の光ビームが伝播されるとき、これらのビームは、これらの波長が本発明の教えに係るフォトニック結晶内で案内する光子に適したものである場合には、同じ波長又は異なる波長を持っていてもよい。
本願出願人は、「光子案内」の上記条件を達成する上で、関連するパラメータn、R及びωnの好ましい範囲は、三角形及び正方形の列形状に関して、次の通りであることを実証した。
−三角形列形状に関して
相対間隔R:0.15乃至0.5、より好ましくは、約0.20乃至0.45、更に好ましくは、約0.25乃至約0.4である。
−三角形列形状に関して
相対間隔R:0.15乃至0.5、より好ましくは、約0.20乃至0.45、更に好ましくは、約0.25乃至約0.4である。
屈折率n: 1.5乃至4.5、より好ましくは、2.5乃至3.5である。
正規化周波数ωn: 約0.17乃至0.42、より好ましくは、約0.25乃至0.40である。
−正方形列形状に関して
相対間隔R:0.15乃至0.5、より好ましくは、約0.20乃至0.45、更に好ましくは、約0.25乃至約0.4である。
正規化周波数ωn: 約0.17乃至0.42、より好ましくは、約0.25乃至0.40である。
−正方形列形状に関して
相対間隔R:0.15乃至0.5、より好ましくは、約0.20乃至0.45、更に好ましくは、約0.25乃至約0.4である。
屈折率n: 1.5乃至4.5、より好ましくは、2.5乃至3.5である。
正規化周波数ωn: 約0.17乃至0.42、より好ましくは、約0.25乃至0.40である。
正規化周波数ωn: 約0.17乃至0.42、より好ましくは、約0.25乃至0.40である。
以下で説明されるように、これらの3つのパラメータの間には関連性があり、これらのパラメータのうち2つが選択されると、第3のパラメータは固定される。
関連パラメータR、n及びωnの最適値の範囲を見出すために、次の方法を更に実行することができる。
関連パラメータR、n及びωnの最適値の範囲を見出すために、次の方法を更に実行することができる。
本方法は、所定の範囲内にあるパラメータR、n及びωnの値の可能な組み合わせから生じる群速度分布を分析し、上記教えによる光子案内を持つのに適した群速度分布を提供する1組の組み合わせを決定する、各工程を備える。
この目的のため、例えば、P.エッチングソン及びR.T.フィリップスの上記引用論文で提案されたモデル等のような結晶の理論的モデルを有利に適用することができる。このモデルは、最初に、n及びRの1組の値が確立されたとき結晶のバンドダイアグラムを決定するため使用することができ、次に、パラメータR、n及びωnの所定値が与えられたとき群速度の分布を決定するため使用することができる。
図1に示されるような2次元誘電構造、特にz軸よりもx軸及びy軸に沿って遙かに大きな延長部分を有する構造が与えられた場合、図3の図示の実施例におけるような電磁バンド構造が得られる。この電磁バンド構造では、Γ、M及びKが第1の既約ブリルアンゾーン(IBZ)を同定する周知のパラメータであり、連続実線がTEモードに対応し、破線がTMモードに対応している。TEモードに関しては、基本的なフォトニックバンド(即ち第1のバンド)が、ここではバンド1として示されており、基本バンドであるバンド1を第2のフォトニックバンドであるバンド2から分離するフォトニックバンドギャップPBGを同定することができる。
非等方性媒体における電磁伝播の理論から知られているように、エネルギーは、kと同じ方向には流れない。エネルギーが分散関係ω(k)により表されるとき、エネルギーは、群速度vg=∇k・ω(k)の方向に流れるということが容易に実証される。事実、ω(k)の勾配として得られるvgが、電磁波に関するポインティングベクトルS∝E×Hの方向と一致することを形式的に示すことができる。従って、電磁バンド構造は、ω=ω(k)という関係を提供し、該関係から、群速度vgを得ることができる。
所定のエネルギーに関して、2つの表面を形成することが可能となる。即ち、与えられたエネルギー値に等しい一定横軸の平面と3次元バンド表面(ω、kx及びky空間における)との交差により直接得られた、kx−ky平面で表された一定エネルギー表面と、全ての可能な群速度の位置により形成され、vgx−vgy平面で表された波表面と、である。波表面は、点源から生じるであろう波前面を表している。一定エネルギー表面の各点に対して、その対応する群速度が前記表面に垂直に向けられていることを示すことができる。前記P.エチゴイン及びR.T.フィリップスの論文は、光子合焦のためこれらの表面の可能な形状を示している。
結晶内で平行化された光を案内させるために、これらの表面は、特別の形状を持ち、特に、一定エネルギー表面(kx−ky平面において)は、最も広い可能な延長を備えた直線部分を持ち、群速度は、ダイアグラムの中心に関して外側に差し向けられる。より広く且つより平坦なものは、前記部分であり、より大きいものは、同じ方向を有する群速度の範囲となる(即ち、より平行化されたものは案内光となる)。三角形列の形状では、事実上平行化された状態で透過させるために、一定エネルギー表面は、直線部分が六角形のエッジを形成した状態で、略六角形状を持つ。正方形列の形状では、これとは異なり、一定エネルギー表面は、略正方形の形状を持ち、群速度は、4つのエッジに垂直な方向、即ち(π/2の)等しい角度で隔てられた4つの異なる方向に非常に集中される。
図4aは、三角形列の形状の場合に平行化される案内を持つことに適し、且つ、モノモードの電磁放射のTEモードに適した種類の一定エネルギー表面(kx−ky平面)を図解している。図4bは、対応する波表面vgx−vgy平面を示している。
シミュレーションでは、三角形列に対してπ/3、正方形列に対してπ/2の角度範囲にある、所定の結晶軸の回りの群速度の等方分布及び特に波数ベクトルの等方分布を、出発条件として考える必要があり、パラメータR、n及びωnを例えば次のように変更することができる。
パラメータRは、フォトニック結晶で大きなアスペクト比の孔の列を実現する際の現在の技術的な困難さを考慮することにより選択される範囲で変更することができる。適切な範囲は、例えば、0.15乃至0.45となる。
パラメータnは、例えばSiO2、SiOxNy及びGaAs等、フォトニック結晶の製造のため現在のところ最も適切な誘電材料のパラメータ値を含む値の範囲で変更されてもよい。例えば、その値は、1.5、2、2.5、3.25及び3.5を考えることができる。
第3のパラメータωnは、以下で説明されるように、所定の条件が満足されるまで、例えば第1のバンドの最大値ωn,maxから出発し、所定の範囲で所定の量(例えば、1・10−4)について変えられてもよい。
前述したシミュレーションモデルは、特定の範囲内で、R及びnの各対の値にこの段階で有利に適用することができ、その都度、群速度r(θ)の分布を最適化するωnの値を決定することができる。
特に、R及びnの各対に対して、平均値μ、偏差σ、高さΔh、尖度K、及び、考察された方向の回りに所定の角度範囲r(θ)内にある代表ポイントのパーセンテージの観点で群速度分布r(θ)が最適化されるまで、パラメータωnは所定量変動される。この角度範囲は、前述されたように、三角形列の形状に対してπ/9、正方形列に対してπ/6に等しくなるように選択される。特に、ωnの最適値は、σ及びKを最小にし、Δh及び角度範囲Δθ内にあるポイントのパーセンテージを最大にする値である。図5は、前記パラメータを示す群速度分布の表現を表し、次のように定義される(明瞭にするためσの定義が再び示される)。
ここで、三角形列に対してμ=0、及び、正方形列に対してμ=π/4である。また、
ωnがその最適値に等しいとき、群速度分布の曲率は、比較的鋭く、最大高さΔhを有する。ωnがその最適値に対して一方向又は他方向に変化するとき、当該分布は、Δhの突然の減少を経験し、尖度K及び偏差σの増大を経験する。特に、前記最適条件に対するパラメータωnの偏差は、当該分布の広がり、又は、曲線におけるリングの出現のいずれかを決定し、両方の条件が望ましくないと実証することができる。
ωnの最適値がn及びRの値の所定対に対して見い出されたとき、偏差σの値、並びに、n、R及びωnの3つ組の着目する値に関する特有の角度範囲内にあるポイントのパーセンテージの値が、光子案内のための上述した条件を満足させるか否かが判定される。
上記のように検出されたR、n及びωnの全ての3つ組の値により、光子を案内するのに適した、結晶構造、バルク材料及び波長が同定される。
図6は、基板207と、z方向に重ね合わせられた複数の層、特に、減結合層202、第1のクラッド層203、コア層204及び第2のクラッド層205とを備える光集積装置200を示している。コア層204の屈折率は、第1及び第2のクラッド層203、205の屈折率よりも高い。減結合層202の屈折率は、第1のクラッド層203の屈折率よりも低い。
図6は、基板207と、z方向に重ね合わせられた複数の層、特に、減結合層202、第1のクラッド層203、コア層204及び第2のクラッド層205とを備える光集積装置200を示している。コア層204の屈折率は、第1及び第2のクラッド層203、205の屈折率よりも高い。減結合層202の屈折率は、第1のクラッド層203の屈折率よりも低い。
その上、装置200は、基板207へとz方向下方に沿って、層205、204、203及び202と交差する、孔2の周期列を有し、かくして、フォトニック結晶201を形成する。フォトニック結晶201は、本発明に従って設計される。x−y平面で光子案内効果を提供することを除いて、装置200は、第1及び第2のクラッド層203、205に対するコア層204の屈折率の差異に起因して、コア層204の内部でz方向に光を拘束する。
フォトニック結晶201は、光の入出力のための異なる種類の従来の光学導波路でインターフェースが形成され得る。例えば、うね状光学導波路(浅いエッジ又は深いエッジを備え、後者は「メサ」としても知られている)、リブ状光学導波路、フォトニック結晶光学導波路(直線欠陥領域を備える)等が挙げられる。光の入出力は、光ファイバーを用いて、特に、ファイバーのコアをコア層204に直面させることによっても実行することもできる。図6の図示の例では、装置200は、フォトニック結晶201に一体接続されたメサ光学導波路210を備える。メサ光学導波路210は、フォトニック結晶201の結晶軸の一つに対応する方向に沿って延在し、製造プロセスにおいて、フォトニック結晶201と共に成長することができるように、フォトニック結晶201の層に対応する連続層を有する。
一例として、1550nmで作動するのに適した装置は、3.374の屈折率(25℃で測定された)を有するGaAsから作られた基板207と、3.25の屈折率(25℃で測定された)を有するAl0.37Ga0.63Asから作られたコア層204と、(異なるパーセンテージのAlを使用することにより)コア層204の屈折率よりも低い0.01の屈折率を有する第1及び第2のクラッド層203、205と、(異なるパーセンテージのAlを使用することにより)クラッド層203、205の屈折率よりも低い0.01の屈折率を有する減結合層202と、を備える。考えられるフォトニック結晶の特徴パラメータは、n=3.25、R=0.42、及び、ωn=0.26である。孔2の半径ρは、93nmであり、列の周期aは、311nmである。孔2は、三角形列に従って配列され、空気が充填される。
上記のような装置は、図4a及び図4bで表されたようなkx−ky及びvgx−vgyダイアグラムを提供する。
装置200は、図示の例だけであり、一般には、本発明に係るフォトニック結晶は、z方向に光を拘束することができる任意種類の平坦な導波路構造で使用することができる。
装置200は、図示の例だけであり、一般には、本発明に係るフォトニック結晶は、z方向に光を拘束することができる任意種類の平坦な導波路構造で使用することができる。
図7a及び図7bは、各々、孔2の三角形及び正方形配列の、本発明に係るフォトニック結晶を使用する2つの異なる交差装置300、400を図解する表現図である。特に、装置300は、二等辺三角形列形状の孔2の周期列を有する六角形のフォトニック結晶と、ここではx1、x2及びx3と指し示された結晶軸に沿って向き付けられた3対の両側光学導波路302、303、304と、を備える。光学導波路302、303、304の各対は、入力光学導波路302’、303’、304’と、出力光学導波路302”、303”、304”とを備える。光学導波路302、303及び304は、例えば、光集積回路における従来の光学導波路であってもよく、又は、フォトニック結晶の直線欠陥領域により形成されてもよい。代替例として、1つ以上の光学導波路203、303及び304の代わりに、フォトニック結晶のエッジに面する、対応する光ファイバー(図示せず)が設けられてもよい。
使用中には、夫々の信号を運び、光子案内に適した同じ波長又は接近した異なる波長を有する、3つの異なる光ビームA、B、Cが、入力光学導波路302’、303’、304’を介してフォトニック結晶301に供給され、フォトニック結晶301へと平行化された状態で伝播する。フォトニック結晶301の中心部では、3つのビームA、B及びCが互いに交差している。この交差は、ビーム間で相互の干渉無しに、即ちクロストーク無しに発生することが実証された。交差の後、これらのビームは、それらが装置から出ることができるように各々の出力光学導波路302”、303”、304”に達するべく伝播し続ける。
二等辺三角形列の形状の装置を、代わりに使用してもよく、結晶軸の方向と一致させるため、入出力導波路の方向は、これに従って変えられる。
より簡単で2つの光ビームのみを交差するのに適した装置を持つように、一対の光学導波路が装置300から省略されてもよいことを理解することができる。
より簡単で2つの光ビームのみを交差するのに適した装置を持つように、一対の光学導波路が装置300から省略されてもよいことを理解することができる。
装置400は、正方形の形状に従って配列された周期列の孔2を有する、正方形フォトニック結晶構造401と、ここではx及びyで指し示された結晶軸に沿って向き付けられた2対の両光学導波路402、403と、を備える。各対の光学導波路402、403は、入力光学導波路402’、403’と、出力光学導波路402”、403”と、を備える。光学導波路402、403は、例えば、光集積回路の従来の光学導波路であってもよく、又は、フォトニック結晶の直線欠陥領域により画成されてもよい。代替例として、光学導波路402、403の一方又は両方の平面では、フォトニック結晶のエッジに面する、対応する光ファイバー(図示せず)が設けられていてもよい。
使用中には、2つの異なる信号A及びBが、入力光学導波路402’、403’を介してフォトニック結晶401に供給され、フォトニック結晶401へと平行化された状態で伝播し、フォトニック結晶301の中心部で、相互作用無しに互いに交差し、各々の出力光学導波路302”、303”、304”に入るまで伝播し続ける。従って、2つの異なる光ビームが、互いに90°をなして2つの方向に沿ってクロストーク無しに互いに交差することができる。
長方形構造、及び/又は、孔2の列の長方形の形状を備える装置も同様に使用することができる。
フォトニック結晶301は簡単なフォトニック結晶スラブ、又は、図6に示すような多層装置のいずれであってもよい。その上、導波路は、図6の装置を参照して前述されたように、異なる種類を持っていてもよい。
フォトニック結晶301は簡単なフォトニック結晶スラブ、又は、図6に示すような多層装置のいずれであってもよい。その上、導波路は、図6の装置を参照して前述されたように、異なる種類を持っていてもよい。
X交差装置は、その最も簡単な形態では、互いに傾斜された2軸に沿って向けられた第1及び第2の入力光学導波路と、該軸の交差部において光交差領域に設けられたフォトニック結晶と、を要求するだけである。交差後、これらのビームは、例えば、前述されたように光学導波路内で再びそれらを伝送することにより、又は、後述されるように、その一方又は両方を曲げるように伝送させることにより、又は、更なる波案内前に光集積装置を用いて一方又は両方を処理することにより、任意の仕方で伝播されてもよい。
異なる光ビームは、同じ波長又は光子案内を可能にする異なる波長を持っていてもよい。
図8は、光ビームを鋭く曲げるための装置500を示す。装置500は、本発明に係るフォトニック結晶502をその一部分で形成する、屈折率n1の誘電材料のスラブ501を備える。ここで図示された特別の例では、フォトニック結晶502は、正方形形状を備える孔2の周期列を有し、このため、垂直方向の結晶軸x、yを有する。スラブ501の一部分は、空気の隙間505、即ち、屈折率n=1の空間領域を形成するように、既知の技術により除去された。フォトニック結晶502と空気隙間505との間のインターフェースは、反射表面506を形成する。表面506への垂線が2つの結晶軸x、yを二分するように表面506が配位されている。
図8は、光ビームを鋭く曲げるための装置500を示す。装置500は、本発明に係るフォトニック結晶502をその一部分で形成する、屈折率n1の誘電材料のスラブ501を備える。ここで図示された特別の例では、フォトニック結晶502は、正方形形状を備える孔2の周期列を有し、このため、垂直方向の結晶軸x、yを有する。スラブ501の一部分は、空気の隙間505、即ち、屈折率n=1の空間領域を形成するように、既知の技術により除去された。フォトニック結晶502と空気隙間505との間のインターフェースは、反射表面506を形成する。表面506への垂線が2つの結晶軸x、yを二分するように表面506が配位されている。
装置500は、n1とは異なる第2の屈折率n2を有する材料から作られた、既知の種類の第1及び第2の光学導波路507、508を更に備える。第1及び第2の光学導波路507、508は、結晶軸x及びyに沿って各々差し向けられ、フォトニック結晶502の境界で終わっている。
使用中には、2つの光学導波路の一つ、例えば、第1の光学導波路507は、光ビームAをフォトニック結晶502へと伝達する。フォトニック結晶502は、ビームAの波長が前述したように屈折率n1と、孔2の周期及び半径とに関連するような場合、ビームAを軸yに沿って反射表面506へと案内し、反射後に、軸xに沿って第2の光学導波路508へと案内し、そこで、従来通り、新たに伝達される。
反射表面は、例えば、空気とは異なるインターフェースを提供することにより、異なる仕方で形成され得ることがわかる。
孔の列も、異なる形状、例えば、長方形又は三角形等を持ち得る。三角形列の形状の場合には、反射は、反射表面への垂線が2つの考えられる伝播軸を二分する場合、異なる角度で発生することができる。例えば、孔が正三角形に従って配列されたとき、反射は、60°(π/3)又は120°(2π/3)で発生し得る。入出力光学導波路は、これに従って配位される。
(例1)
シミュレーションの第1の組では、光子案内を達成するため特徴パラメータR、n及びωnを如何に選択することができるかが示されている。前述したシミュレーションモデルが、前記パラメータの値の異なる組み合わせに対して群速度分布を決定するため使用された。(正)三角形の空気孔列と、群速度の初期の等方分布とを有するフォトニック結晶が、考えられた。当該分析は、TEモードの第1の分散バンドに限定され、極座標で群速度を表すことにより実行される。
孔の列も、異なる形状、例えば、長方形又は三角形等を持ち得る。三角形列の形状の場合には、反射は、反射表面への垂線が2つの考えられる伝播軸を二分する場合、異なる角度で発生することができる。例えば、孔が正三角形に従って配列されたとき、反射は、60°(π/3)又は120°(2π/3)で発生し得る。入出力光学導波路は、これに従って配位される。
(例1)
シミュレーションの第1の組では、光子案内を達成するため特徴パラメータR、n及びωnを如何に選択することができるかが示されている。前述したシミュレーションモデルが、前記パラメータの値の異なる組み合わせに対して群速度分布を決定するため使用された。(正)三角形の空気孔列と、群速度の初期の等方分布とを有するフォトニック結晶が、考えられた。当該分析は、TEモードの第1の分散バンドに限定され、極座標で群速度を表すことにより実行される。
三角形列に対してπ/3の角度範囲にあり、正方形列に対してπ/2の角度範囲にある所定の結晶軸の回りの群速度の等方分布が、考察された。
パラメータRは、0.15乃至0.45の間で0.3のステップ毎に変えられた。パラメータnに関しては、値1.5,2、2.5、3.25及び3.5が考察された。パラメータωnは、1・10−4のステップで変えられた。
パラメータRは、0.15乃至0.45の間で0.3のステップ毎に変えられた。パラメータnに関しては、値1.5,2、2.5、3.25及び3.5が考察された。パラメータωnは、1・10−4のステップで変えられた。
図9a乃至図9dは、R=0.21、及び、値2、2.5、3.25及び3.5の組で変化するnに対する群速度分布を示している。横軸は、角度(ラジアン単位)を表し、縦軸は、群速度の正規化値を示している。各グラフに対して、ωnの最適地は、このパラメータを1・10−4のステップ毎に変化させることにより見い出された。偏光TE及び基本フォトニックバンドにおける波長の電磁放射が考察された。
表1は、図9a乃至図9dの異なる曲線に対する、偏差の二乗値(σ2)と、尖度の値(K)と、群速度角度分布の高さの値(Δh)と、考察された伝播方向の回りに最初にπ/3の範囲にあり、π/9の角度範囲内に集中されたポイント(N)のパーセンテージの値と共に、nの値及びωnの最適値を報告している。
図9aの分布は、(上述した条件によれば)光子案内にとって適切ではないが、図9b乃至図9dの分布は、光子案内に適切であるσ及びNの値を有することを観察することができる。
図10a乃至図10dは、R=0.27、及び、上記のように変化するn(2、2.5、3.25及び3.5)のための群速度分布を示している。前述したように、最良の分布を提供するωnの値は、各グラフで選択された。
表2は、図10a乃至図10dの異なる曲線に対する、特徴パラメータの値を報告している。
4つの分布の全てが光子案内にとって適切であり、図10bの分布が好ましい条件であり、図10c及び図10dの分布が、光子案内にとってより好ましい条件であることを観察することができる。
表3は、シミュレーションの完全な結果を報告する。ここで、Rは、0.15乃至0.45の間で変動する。
特に、表3は、パラメータR、nの値の各々可能となる組み合わせに対して、案内効果を最大にすることを可能にするωnの値を示している。
特に、表3は、パラメータR、nの値の各々可能となる組み合わせに対して、案内効果を最大にすることを可能にするωnの値を示している。
表3では、σ及びNの値のみならず、群速度分布を特徴付ける他のパラメータも考慮に入れることにより、3つの領域が光子案内の好ましい条件を同定するため異なるラインにより範囲を定められた。特に、細いラインは、光子案内の可能となる条件を同定し、二重の細いラインが光子案内のより好ましい条件を同定し、太いラインが、光子案内の更に好ましい条件を同定している。
表4は、値(R,n)の各対毎に、各対毎に検出されたωnの最適値に関連した、即ち、表3の値に関連した、考察された伝播方向の回りのπ/9の角度範囲にある群速度分布のポイントのパーセンテージを示している。当該分析は、より関心のある値の範囲に制限された。光子案内の好ましい条件に対応する領域は、表3に示されるように、異なる種類のラインにより範囲を定められた。
表5は、表3の値の組に対応する分散σ2の値を示している。当該分析は、より関心のある値の範囲へと制限された。光子案内の異なる条件に対応する領域は、表3に示されるように、異なる種類のラインにより範囲が定められた。
上記例は、光子案内の条件を同定するR、n及びωnの値の3つ組を決定することが可能であることを示している。
(例2)
上記と同じシミュレーションが、正方形列の孔を有するフォトニック結晶に対して実行された。上記と異なって、最初、考えている伝播方向の回りにπ/2の範囲にあり、π/6の角度範囲内に集中されたポイントのパーセンテージが、考察された。パラメータR及びnは、各々、0.15乃至0.45の間、及び、2乃至3.5の間で、変えられた。表6は、このシミュレーションの結果を報告している。特に、表6は、パラメータR、nの値の各々可能となる組み合わせに対して、案内効果を最大にすることを可能にするωnの値を示している。
(例2)
上記と同じシミュレーションが、正方形列の孔を有するフォトニック結晶に対して実行された。上記と異なって、最初、考えている伝播方向の回りにπ/2の範囲にあり、π/6の角度範囲内に集中されたポイントのパーセンテージが、考察された。パラメータR及びnは、各々、0.15乃至0.45の間、及び、2乃至3.5の間で、変えられた。表6は、このシミュレーションの結果を報告している。特に、表6は、パラメータR、nの値の各々可能となる組み合わせに対して、案内効果を最大にすることを可能にするωnの値を示している。
上記のように、光子案内のため、可能となる条件及びより好ましい条件に対応する領域が、各々、太いライン及び細いラインにより、範囲が定められた。
(例3)
本発明に係るフォトニック結晶においてクロストーク無しのX交差は、数値シミュレーションにより実証された。
(例3)
本発明に係るフォトニック結晶においてクロストーク無しのX交差は、数値シミュレーションにより実証された。
当該シミュレーションは、0.372μmの周期aの、空気が充填された三角系列の孔を考察することにより、実行された。バルクの屈折率nは、3.5であり、正規化された間隔Rは、0.42であり、正規化された周波数ωnは、0.24である。約5μmの波長1550nmの2つの光ビームA、Bは、2つの結晶軸に沿って互いから60°をなして伝播される。モードTMのみが考察されている。伝播は、y=0μmで光が入力する、平面x−y内でシミュレーションされた。図11は、フォトニック結晶内の2つのビームA、Bの伝播を示している。これらのビームは、クロストークが存在しない状態で交差することがわかる。
(例4)
本発明の光子案内技術の柔軟性、特に、結晶の異なる位置で異なる寸法の光ビームを案内する可能性を実証するため、数値シミュレーションが実行された。例3と同じ条件が考察されている。異なる幅で1550nmの波長の3つの光ビームA、B、Cは、結晶の同じ方向に沿って伝播される。図12は、3つのビームA、B、Cの平行化された伝播を示す。
(例5)
本発明に係るフォトニック結晶と既知の種類の集積型光学導波路との間のインターフェースのところで光ビームの振る舞いを決定するため、更なる数値シミュレーションが実行された。図13は、平面x−yにおいて、本発明に係るフォトニック結晶800と、従来の集積型光学導波路801とを示している。そのインターフェースは、座標y=0のところのライン802により表される。
(例4)
本発明の光子案内技術の柔軟性、特に、結晶の異なる位置で異なる寸法の光ビームを案内する可能性を実証するため、数値シミュレーションが実行された。例3と同じ条件が考察されている。異なる幅で1550nmの波長の3つの光ビームA、B、Cは、結晶の同じ方向に沿って伝播される。図12は、3つのビームA、B、Cの平行化された伝播を示す。
(例5)
本発明に係るフォトニック結晶と既知の種類の集積型光学導波路との間のインターフェースのところで光ビームの振る舞いを決定するため、更なる数値シミュレーションが実行された。図13は、平面x−yにおいて、本発明に係るフォトニック結晶800と、従来の集積型光学導波路801とを示している。そのインターフェースは、座標y=0のところのライン802により表される。
フォトニック結晶800は、空気が充填された三角形列の孔と、3.5のバルク屈折率nとを有する。正規化された間隔Rは、0.33であり、作用波長は1550nmである。正規化された周波数ωnは、0.188である。
光学導波路801は、4.5μmの幅、3.5のコア屈折率、0.01の屈折率ステップと、を有するモノモードの光学導波路である。この光学導波路は、例えば、うね状光学導波路をシミュレートする。バルク材料は、フォトニック結晶のものと同じである。
入力ビームの正規化された強度は、インターフェース802から5μm離れた検出ポイントDPで検出されている。DPにおけるビーム強度は、入力ビーム強度の約98.76%であると観察された。インターフェース802における損失は小さいことも観察された。
図2bは、フォトニック結晶内の孔の可能な配列(この場合には三角形)を示す。
図3は、三角形の孔列を有するフォトニック結晶のためのエネルギーバンド図の表現図である。
図4a及び図4bは、フォトニック結晶内の導波路を観察するのに適した、波数ベクトルk及び群速度vgの図を示す。
図5は、結晶軸の方向における群速度vgの分布の表現図である。
図6は、本発明に係る電磁放射を案内するための装置の斜視図である。
図7a及び図7bは、本発明にしたがって作られた可能なX交差装置を示す。
図8は、本発明に係る、光ビームの鋭い曲がりを生成するたえの装置を示す。
図9a−dは、数値シミュレーションの結果に関する。
図10a−dは、数値シミュレーションの結果に関する。
図11は、数値シミュレーションの結果に関する。
図12は、数値シミュレーションの結果に関する。
図13は、数値シミュレーションの結果に関する。
Claims (14)
- 光ビームを交差するため、第1の軸(x1)に沿って向けられた第1の入力光導波路(302’;402’)と、前記第1の軸に対して傾斜された第2の軸(x2)に沿って向けられた第2の光導波路(303’;403’)と、を少なくとも備えた、装置(300;400)であって、
前記第1の軸及び前記第2の軸の交差部において光交差領域を更に備え、該光交差領域で規則的な周期性を有するフォトニック結晶(301)を備えることを特徴とする、装置。 - 前記交差領域に対して前記第1及び第2の入力光導波路(302’,303’;402’,403’)の夫々反対側で、前記第1及び第2の軸に沿って各々向けられた、第1及び第2の出力光導波路(302”,303”;402”,403”)を更に備える、請求項1に記載の装置。
- 前記第1及び第2の軸は、各々、第1及び第2の結晶軸と同じ方向を有する、請求項1に記載の装置。
- 前記第1及び第2の軸は、互いに垂直である、請求項1に記載の装置。
- 前記フォトニック結晶は、光集積構造の正方形又は長方形部分で延在しており、前記第1及び第2の入力光導波路は、該部分の夫々のエッジに連結されている、請求項4に記載の装置。
- 前記フォトニック結晶は、正方形の形状に従って配列された周期列の孔を有する、請求項4に記載の装置。
- 前記第1及び第2の方向は、π/3の角度を形成する、請求項1に記載の装置。
- 前記フォトニック結晶は、光集積構造の略六角形部分で延在しており、前記第1及び第2の入力光導波路は、該部分の夫々のエッジに連結されている、請求項7に記載の装置。
- 前記フォトニック結晶は、三角形の形状に従って配列された周期列の孔(2)を有する、請求項7に記載の装置。
- 前記交差領域で前記第1及び第2の軸と交差する第3の軸に沿って向けられた、第3の入力光案内手段(304’)を更に備える、請求項7に記載の装置。
- 前記交差領域に対して前記第3の入力光案内手段(304’)の反対側で、前記第3の軸に沿って向けられた第3の出力光導波路(304”)を更に備える、請求項10に記載の装置。
- 前記第1及び第2の入力光導波路の少なくとも1つは、集積型の導波路である、請求項1に記載の装置。
- 前記第1及び第2の入力光導波路の少なくとも1つは、光ファイバーである、請求項1に記載の装置。
- 前記光ビームは所定の波長を有し、前記フォトニック結晶は、第1の屈折率を有するバルク材料から作られ、該第1の屈折率とは異なる第2の屈折率及び所定の寸法を有する領域の周期列を備え、前記第1及び第2の屈折率の間の差異と、前記領域の寸法と、前記列の周期とは、前記フォトニック結晶の第1の既約ブリルアンゾーンの角度延長の2倍に相当する第1の角度範囲内における前記電磁放射の波数ベクトル等方分布から出発して、該波数ベクトルに対応する群速度ベクトルの少なくとも50%が前記第1の角度範囲の約三分の一である第2の角度範囲内に差し向けられるように前記フォトニック結晶内の伝播の間に再配列され、且つ、該群速度ベクトルのモジュールの分布の最大半値幅が前記第2の角度範囲の約三分の二より小さくなるように互いに及び前記波長に対して関連付けられている、請求項1に記載の装置。
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