JP2002218765A - スイッチング電源回路 - Google Patents
スイッチング電源回路Info
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- JP2002218765A JP2002218765A JP2001013000A JP2001013000A JP2002218765A JP 2002218765 A JP2002218765 A JP 2002218765A JP 2001013000 A JP2001013000 A JP 2001013000A JP 2001013000 A JP2001013000 A JP 2001013000A JP 2002218765 A JP2002218765 A JP 2002218765A
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- Japan
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- switching
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- supply circuit
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- switching power
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
- H02M7/538—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a push-pull configuration
- H02M7/53803—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a push-pull configuration with automatic control of output voltage or current
- H02M7/53806—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a push-pull configuration with automatic control of output voltage or current in a push-pull configuration of the parallel type
-
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- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/12—Arrangements for reducing harmonics from ac input or output
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 新たな部品を追加せずにノイズ低減効果の高
いスイッチング電源回路を提供することを課題とする。 【解決手段】 トランス１には一次側巻線２および二次
側巻線３が設けられている。一次側巻線２のセンタタッ
プ４には直流電源５の一端が接続されている。一次側巻
線２の両端は、それぞれスイッチング素子を構成するト
ランジスタＱ１，Ｑ２のドレインに接続されている。ま
た、トランジスタＱ１，Ｑ２のソースは、直流電源５の
他端に接続されている。トランジスタＱ１，Ｑ２のゲー
トは、それぞれゲート抵抗Ｒ１，Ｒ２の一端に接続され
ている。ゲート抵抗Ｒ１，Ｒ２の他端は、制御回路６に
接続され、ゲート抵抗Ｒ２の抵抗値がゲート抵抗Ｒ１の
抵抗値に比べて大きくなっている。
いスイッチング電源回路を提供することを課題とする。 【解決手段】 トランス１には一次側巻線２および二次
側巻線３が設けられている。一次側巻線２のセンタタッ
プ４には直流電源５の一端が接続されている。一次側巻
線２の両端は、それぞれスイッチング素子を構成するト
ランジスタＱ１，Ｑ２のドレインに接続されている。ま
た、トランジスタＱ１，Ｑ２のソースは、直流電源５の
他端に接続されている。トランジスタＱ１，Ｑ２のゲー
トは、それぞれゲート抵抗Ｒ１，Ｒ２の一端に接続され
ている。ゲート抵抗Ｒ１，Ｒ２の他端は、制御回路６に
接続され、ゲート抵抗Ｒ２の抵抗値がゲート抵抗Ｒ１の
抵抗値に比べて大きくなっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、スイッチング電
源回路に係り、特にプッシュプル型スイッチング電源回
路に関する。
源回路に係り、特にプッシュプル型スイッチング電源回
路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、スイッチング電源回路において、
プッシュプル型スイッチング電源回路が一般的に用いら
れている。このプッシュプル型スイッチング電源回路に
おいて、他の構成のスイッチング電源回路と同様に、ラ
ジオ等（例えばＡＭ帯）に影響を与えるノイズが発生す
る。したがって、プッシュプル型スイッチング電源回路
では、このノイズの発生を防止するための種々の対応策
が用いられてきた。例えば、スイッチング電源回路にノ
イズフィルタを追加した構成にすることによりノイズの
発生を防止している。また、特開平７−６７３３４号公
報に開示されているようにＬＣ共振回路からなる共振型
の構成にすることにより、あるいは特開平９−２２４３
７５号公報に開示されているように２次整流回路及び３
次整流回路を追加することによりノイズの発生を防止し
ている。
プッシュプル型スイッチング電源回路が一般的に用いら
れている。このプッシュプル型スイッチング電源回路に
おいて、他の構成のスイッチング電源回路と同様に、ラ
ジオ等（例えばＡＭ帯）に影響を与えるノイズが発生す
る。したがって、プッシュプル型スイッチング電源回路
では、このノイズの発生を防止するための種々の対応策
が用いられてきた。例えば、スイッチング電源回路にノ
イズフィルタを追加した構成にすることによりノイズの
発生を防止している。また、特開平７−６７３３４号公
報に開示されているようにＬＣ共振回路からなる共振型
の構成にすることにより、あるいは特開平９−２２４３
７５号公報に開示されているように２次整流回路及び３
次整流回路を追加することによりノイズの発生を防止し
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たいずれの構成のプッシュプル型スイッチング電源回路
であっても、新たな部品を追加する必要があり、スイッ
チング電源回路はコストの高いものになってしまうとい
う問題点がある。この発明は、このような課題を解決す
るためになされたもので、新たな部品を追加せずにノイ
ズ低減効果の高いスイッチング電源回路を提供すること
を目的とする。
たいずれの構成のプッシュプル型スイッチング電源回路
であっても、新たな部品を追加する必要があり、スイッ
チング電源回路はコストの高いものになってしまうとい
う問題点がある。この発明は、このような課題を解決す
るためになされたもので、新たな部品を追加せずにノイ
ズ低減効果の高いスイッチング電源回路を提供すること
を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明に係るスイッチ
ング電源回路は、スイッチング周波数で交互にオン、オ
フするスイッチング動作を行うスイッチング素子からな
る一組以上のスイッチング手段を備え、一組のスイッチ
ング手段のそれぞれのスイッチング素子が互いに異なる
スイッチング動作を行うことによりスイッチング電流の
スペクトル分布において、スイッチング周波数の２倍の
周波数の成分がスイッチング周波数の成分以下の大きさ
になるようにしてスペクトル分布全体としてのノイズレ
ベルを低減するものである。また、この発明に係るスイ
ッチング電源回路は、一組のスイッチング手段のそれぞ
れのスイッチング素子に、抵抗値が異なる抵抗がそれぞ
れ接続され、これらの抵抗値の相違によりスイッチング
素子が異なるスイッチング動作を行ってもよい。さら
に、この発明に係るスイッチング電源回路は、トランス
を備え、このトランスの一次側巻線にスイッチング手段
が接続されていてもよい。
ング電源回路は、スイッチング周波数で交互にオン、オ
フするスイッチング動作を行うスイッチング素子からな
る一組以上のスイッチング手段を備え、一組のスイッチ
ング手段のそれぞれのスイッチング素子が互いに異なる
スイッチング動作を行うことによりスイッチング電流の
スペクトル分布において、スイッチング周波数の２倍の
周波数の成分がスイッチング周波数の成分以下の大きさ
になるようにしてスペクトル分布全体としてのノイズレ
ベルを低減するものである。また、この発明に係るスイ
ッチング電源回路は、一組のスイッチング手段のそれぞ
れのスイッチング素子に、抵抗値が異なる抵抗がそれぞ
れ接続され、これらの抵抗値の相違によりスイッチング
素子が異なるスイッチング動作を行ってもよい。さら
に、この発明に係るスイッチング電源回路は、トランス
を備え、このトランスの一次側巻線にスイッチング手段
が接続されていてもよい。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて説明する。図１に示されるように、この
発明の実施の形態に係るスイッチング電源回路におい
て、トランス１には一次側巻線２および二次側巻線３が
設けられている。一次側巻線２のセンタタップ４には直
流電源５の一端が接続されている。一次側巻線２の両端
は、それぞれ一組のスイッチング手段を構成するスイッ
チング素子としてのトランジスタＱ１，Ｑ２のドレイン
に接続されている。また、トランジスタＱ１，Ｑ２のソ
ースは、直流電源５の他端に接続されている。トランジ
スタＱ１，Ｑ２のゲートは、それぞれゲート抵抗Ｒ１，
Ｒ２の一端に接続されている。ゲート抵抗Ｒ１，Ｒ２の
他端は、制御回路６に接続されている。ここで、ゲート
抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗値については、Ｒ１の抵抗値が３
０Ωで、Ｒ２の抵抗値が１００Ωであり、Ｒ２の抵抗値
がＲ１の抵抗値に比べて大きくなっている。
図面に基づいて説明する。図１に示されるように、この
発明の実施の形態に係るスイッチング電源回路におい
て、トランス１には一次側巻線２および二次側巻線３が
設けられている。一次側巻線２のセンタタップ４には直
流電源５の一端が接続されている。一次側巻線２の両端
は、それぞれ一組のスイッチング手段を構成するスイッ
チング素子としてのトランジスタＱ１，Ｑ２のドレイン
に接続されている。また、トランジスタＱ１，Ｑ２のソ
ースは、直流電源５の他端に接続されている。トランジ
スタＱ１，Ｑ２のゲートは、それぞれゲート抵抗Ｒ１，
Ｒ２の一端に接続されている。ゲート抵抗Ｒ１，Ｒ２の
他端は、制御回路６に接続されている。ここで、ゲート
抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗値については、Ｒ１の抵抗値が３
０Ωで、Ｒ２の抵抗値が１００Ωであり、Ｒ２の抵抗値
がＲ１の抵抗値に比べて大きくなっている。
【０００６】次に、実施の形態に係るスイッチング電源
回路の動作の説明の便宜のため、このように構成された
スイッチング電源回路において、ゲート抵抗Ｒ２の抵抗
値をゲート抵抗Ｒ１の抵抗値と同じにした場合の動作を
説明する。このスイッチング電源回路は、図２に示され
るように、制御回路６がトランジスタＱ１，Ｑ２を交互
にオン、オフさせる動作を繰り返す。トランジスタＱ１
をオンしてから次にオンするまでの周期をＴ＝０．０１
２５msecとして、スイッチング周波数ｆ＝１／Ｔ=８０k
ＨｚでトランジスタＱ１，Ｑ２が交互にオン、オフされ
る。この際、直流電源５からの電流Ｉ０が、センタタッ
プ４から一次側巻線２の各端へ交互に流れるスイッチン
グ電流として、一次側巻線２に流れる。ゲート抵抗Ｒ
１，Ｒ２の抵抗値が同じ場合は、トランジスタＱ１，Ｑ
２のスイッチング動作は同じになるため、トランス１の
一次側巻線２に流れる電流Ｉ０の波形Ｓ０は、すべてほ
ぼ同じになる。その波形Ｓ０は、スイッチング周波数ｆ
の２倍の周波数２ｆで繰り返して発生する。図３に示さ
れるように、この電流Ｉ０の波形Ｓ０のスペクトル分布
は、スイッチング周波数ｆの２倍の周波数２ｆ及びその
整数倍（４ｆ，６ｆ，…）の成分の値が大きくなってい
る。一方、スイッチング周波数ｆ及びその奇数倍（３
ｆ，５ｆ，…）の成分の値が非常に小さくなっている。
スイッチング周波数ｆの２倍の周波数２ｆの成分の値が
大きいため、これに連動してその整数倍（４ｆ，６ｆ，
…）の成分の値も大きく、電流Ｉ０は全体としてノイズ
レベルが大きく、ＡＭラジオ等に影響を与えるようなノ
イズが発生する。
回路の動作の説明の便宜のため、このように構成された
スイッチング電源回路において、ゲート抵抗Ｒ２の抵抗
値をゲート抵抗Ｒ１の抵抗値と同じにした場合の動作を
説明する。このスイッチング電源回路は、図２に示され
るように、制御回路６がトランジスタＱ１，Ｑ２を交互
にオン、オフさせる動作を繰り返す。トランジスタＱ１
をオンしてから次にオンするまでの周期をＴ＝０．０１
２５msecとして、スイッチング周波数ｆ＝１／Ｔ=８０k
ＨｚでトランジスタＱ１，Ｑ２が交互にオン、オフされ
る。この際、直流電源５からの電流Ｉ０が、センタタッ
プ４から一次側巻線２の各端へ交互に流れるスイッチン
グ電流として、一次側巻線２に流れる。ゲート抵抗Ｒ
１，Ｒ２の抵抗値が同じ場合は、トランジスタＱ１，Ｑ
２のスイッチング動作は同じになるため、トランス１の
一次側巻線２に流れる電流Ｉ０の波形Ｓ０は、すべてほ
ぼ同じになる。その波形Ｓ０は、スイッチング周波数ｆ
の２倍の周波数２ｆで繰り返して発生する。図３に示さ
れるように、この電流Ｉ０の波形Ｓ０のスペクトル分布
は、スイッチング周波数ｆの２倍の周波数２ｆ及びその
整数倍（４ｆ，６ｆ，…）の成分の値が大きくなってい
る。一方、スイッチング周波数ｆ及びその奇数倍（３
ｆ，５ｆ，…）の成分の値が非常に小さくなっている。
スイッチング周波数ｆの２倍の周波数２ｆの成分の値が
大きいため、これに連動してその整数倍（４ｆ，６ｆ，
…）の成分の値も大きく、電流Ｉ０は全体としてノイズ
レベルが大きく、ＡＭラジオ等に影響を与えるようなノ
イズが発生する。
【０００７】次に、ゲート抵抗Ｒ２の抵抗値がゲート抵
抗Ｒ１の抵抗値に比べて大きくなっている実施の形態に
係るスイッチング電源回路の動作を説明する。このスイ
ッチング電源回路は、図４に示されるように、制御回路
６がスイッチング周波数ｆでトランジスタＱ１，Ｑ２を
交互にオン、オフさせる動作を繰り返す。トランジスタ
Ｑ１がオンされた場合、一次側巻線２に流れる電流Ｉの
波形Ｓ１は、ほぼ垂直な立ち上がり波形ＳＳ１を描く。
一方、トランジスタＱ２がオンされた場合、一次側巻線
２に流れる電流Ｉの波形Ｓ２は、垂直に対して傾斜した
立ち上がり波形ＳＳ２を描く。このように、ゲート抵抗
Ｒ２の抵抗値がゲート抵抗Ｒ１の抵抗値に比べて大きく
なっているので、トランジスタＱ１，Ｑ２のスイッチン
グ動作が互いに異なったものになり、波形Ｓ１と波形Ｓ
２とは異なった波形になる。その波形Ｓ１，Ｓ２は、ス
イッチング周波数ｆでそれぞれ繰り返して発生する。
抗Ｒ１の抵抗値に比べて大きくなっている実施の形態に
係るスイッチング電源回路の動作を説明する。このスイ
ッチング電源回路は、図４に示されるように、制御回路
６がスイッチング周波数ｆでトランジスタＱ１，Ｑ２を
交互にオン、オフさせる動作を繰り返す。トランジスタ
Ｑ１がオンされた場合、一次側巻線２に流れる電流Ｉの
波形Ｓ１は、ほぼ垂直な立ち上がり波形ＳＳ１を描く。
一方、トランジスタＱ２がオンされた場合、一次側巻線
２に流れる電流Ｉの波形Ｓ２は、垂直に対して傾斜した
立ち上がり波形ＳＳ２を描く。このように、ゲート抵抗
Ｒ２の抵抗値がゲート抵抗Ｒ１の抵抗値に比べて大きく
なっているので、トランジスタＱ１，Ｑ２のスイッチン
グ動作が互いに異なったものになり、波形Ｓ１と波形Ｓ
２とは異なった波形になる。その波形Ｓ１，Ｓ２は、ス
イッチング周波数ｆでそれぞれ繰り返して発生する。
【０００８】図５に示されるように、電流Ｉの波形Ｓ
１，Ｓ２のスペクトル分布は、スイッチング周波数の２
倍の周波数２ｆの成分の値がスイッチング周波数ｆの成
分の値以下になっている。また、スイッチング周波数ｆ
の２倍の周波数２ｆの整数倍（４ｆ，６ｆ，…）の成分
の値が図３に比べて小さくなっていて電流Ｉのスペクト
ル分布全体としてのノイズレベルが下がっている。した
がって、この実施の形態に係るスイッチング電源回路を
車載した場合、ラジオ等に影響を与えるようなノイズが
ゲート抵抗Ｒ１の抵抗値とゲート抵抗Ｒ２の抵抗値とが
同じ場合に比べ小さくなる。
１，Ｓ２のスペクトル分布は、スイッチング周波数の２
倍の周波数２ｆの成分の値がスイッチング周波数ｆの成
分の値以下になっている。また、スイッチング周波数ｆ
の２倍の周波数２ｆの整数倍（４ｆ，６ｆ，…）の成分
の値が図３に比べて小さくなっていて電流Ｉのスペクト
ル分布全体としてのノイズレベルが下がっている。した
がって、この実施の形態に係るスイッチング電源回路を
車載した場合、ラジオ等に影響を与えるようなノイズが
ゲート抵抗Ｒ１の抵抗値とゲート抵抗Ｒ２の抵抗値とが
同じ場合に比べ小さくなる。
【０００９】このように、トランス１の一次側巻線２に
流れる電流Ｉの成分のうち、スイッチング周波数の２倍
の周波数２ｆの成分の値がスイッチング周波数ｆの成分
の値以下になるまで、ゲート抵抗Ｒ２の抵抗値をゲート
抵抗Ｒ１の抵抗値に比べて大きくして、トランジスタＱ
１，Ｑ２のスイッチング動作をアンバランスさせること
によって、電流Ｉのスペクトル分布全体としてのノイズ
レベルを下げることができる。
流れる電流Ｉの成分のうち、スイッチング周波数の２倍
の周波数２ｆの成分の値がスイッチング周波数ｆの成分
の値以下になるまで、ゲート抵抗Ｒ２の抵抗値をゲート
抵抗Ｒ１の抵抗値に比べて大きくして、トランジスタＱ
１，Ｑ２のスイッチング動作をアンバランスさせること
によって、電流Ｉのスペクトル分布全体としてのノイズ
レベルを下げることができる。
【００１０】なお、上述した実施の形態のように、ゲー
ト抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗値をわずかに異なるものにする
もののほか、トランジスタＱ１，Ｑ２のスイッチング動
作をアンバランスさせる方法として、トランジスタＱ
１，Ｑ２自体の特性を異なるものしてもよい。また、ト
ランジスタＱ１，Ｑ２のドライブ回路の特性を異なるも
のにしてもよい。さらに、制御回路６によりトランジス
タＱ１，Ｑ２のドライブ信号を異なったものにしてもよ
い。さらに、図１に示すようなプッシュプル型スイッチ
ング電源回路について説明したが、そのほか、フルブリ
ッジ回路やハーフブリッジ回路によって、スイッチング
周波数の２倍の周波数２ｆの成分の値がスイッチング周
波数ｆの成分の値以下になるようにしてもよい。
ト抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗値をわずかに異なるものにする
もののほか、トランジスタＱ１，Ｑ２のスイッチング動
作をアンバランスさせる方法として、トランジスタＱ
１，Ｑ２自体の特性を異なるものしてもよい。また、ト
ランジスタＱ１，Ｑ２のドライブ回路の特性を異なるも
のにしてもよい。さらに、制御回路６によりトランジス
タＱ１，Ｑ２のドライブ信号を異なったものにしてもよ
い。さらに、図１に示すようなプッシュプル型スイッチ
ング電源回路について説明したが、そのほか、フルブリ
ッジ回路やハーフブリッジ回路によって、スイッチング
周波数の２倍の周波数２ｆの成分の値がスイッチング周
波数ｆの成分の値以下になるようにしてもよい。
【００１１】
【発明の効果】この発明によれば、スイッチング周波数
で交互にオン、オフするスイッチング動作を行うスイッ
チング素子からなる一組以上のスイッチング手段を備
え、一組のスイッチング手段のそれぞれのスイッチング
素子が互いに異なるスイッチング動作を行うことにより
スイッチング電流のスペクトル分布において、スイッチ
ング周波数の２倍の周波数の成分がスイッチング周波数
の成分以下の大きさになるようにしているので、新たな
部品を追加せずにノイズ低減効果の高いスイッチング電
源回路を提供することができる。
で交互にオン、オフするスイッチング動作を行うスイッ
チング素子からなる一組以上のスイッチング手段を備
え、一組のスイッチング手段のそれぞれのスイッチング
素子が互いに異なるスイッチング動作を行うことにより
スイッチング電流のスペクトル分布において、スイッチ
ング周波数の２倍の周波数の成分がスイッチング周波数
の成分以下の大きさになるようにしているので、新たな
部品を追加せずにノイズ低減効果の高いスイッチング電
源回路を提供することができる。
【図１】 この発明の実施の形態に係るスイッチング電
源回路の構成を示す図である。
源回路の構成を示す図である。
【図２】 図１のスイッチング電源回路において、二つ
のゲート抵抗値を同じにした場合の、トランジスタの動
作及び１次巻線に発生する電流の波形を示すタイムチャ
ートである。
のゲート抵抗値を同じにした場合の、トランジスタの動
作及び１次巻線に発生する電流の波形を示すタイムチャ
ートである。
【図３】 図１のスイッチング電源回路において、二つ
のゲート抵抗値を同じにした場合の、１次巻線に発生す
る電流のスペクトル分布を示すチャートである。
のゲート抵抗値を同じにした場合の、１次巻線に発生す
る電流のスペクトル分布を示すチャートである。
【図４】 実施の形態に係るスイッチング電源回路にお
いて、トランジスタの動作及び１次巻線に発生する電流
の波形を示すタイムチャートである。
いて、トランジスタの動作及び１次巻線に発生する電流
の波形を示すタイムチャートである。
【図５】 実施の形態に係るスイッチング電源回路にお
いて、１次巻線に発生する電流のスペクトル分布を示す
チャートである。
いて、１次巻線に発生する電流のスペクトル分布を示す
チャートである。
１…トランス、２…一次側巻線、５…直流電源、ｆ…ス
イッチング周波数、Ｑ１，Ｑ２…トランジスタ、Ｒ１，
Ｒ２…ゲート抵抗。
イッチング周波数、Ｑ１，Ｑ２…トランジスタ、Ｒ１，
Ｒ２…ゲート抵抗。
Claims (3)
- 【請求項１】 スイッチング周波数で交互にオン、オフ
するスイッチング動作を行うスイッチング素子からなる
一組以上のスイッチング手段を備え、 一組のスイッチング手段のそれぞれのスイッチング素子
が互いに異なるスイッチング動作を行うことによりスイ
ッチング電流のスペクトル分布において、スイッチング
周波数の２倍の周波数の成分がスイッチング周波数の成
分以下の大きさになるようにしてスペクトル分布全体と
してのノイズレベルを低減することを特徴としたスイッ
チング電源回路。 - 【請求項２】 一組のスイッチング手段のそれぞれのス
イッチング素子に、抵抗値が異なる抵抗がそれぞれ接続
され、 これらの抵抗値の相違によりスイッチング素子が異なる
スイッチング動作を行う請求項１に記載のスイッチング
電源回路。 - 【請求項３】 前記スイッチング電源回路は、トランス
を備え、このトランスの一次側巻線に前記スイッチング
手段が接続される請求項１または２に記載のスイッチン
グ電源回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001013000A JP4556331B2 (ja) | 2001-01-22 | 2001-01-22 | スイッチング電源回路 |
| US10/053,190 US6693804B2 (en) | 2001-01-22 | 2002-01-15 | Switching power supply circuit |
| CA002368598A CA2368598C (en) | 2001-01-22 | 2002-01-18 | Switching power supply circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001013000A JP4556331B2 (ja) | 2001-01-22 | 2001-01-22 | スイッチング電源回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002218765A true JP2002218765A (ja) | 2002-08-02 |
| JP4556331B2 JP4556331B2 (ja) | 2010-10-06 |
Family
ID=18879927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001013000A Expired - Fee Related JP4556331B2 (ja) | 2001-01-22 | 2001-01-22 | スイッチング電源回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6693804B2 (ja) |
| JP (1) | JP4556331B2 (ja) |
| CA (1) | CA2368598C (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2644300C (en) | 2003-04-23 | 2013-07-23 | John Geoffrey Chan | Electric toothbrushes |
| DE102005023290A1 (de) * | 2005-05-20 | 2006-11-23 | Sma Technologie Ag | Bidirektionaler Batteriewechselrichter |
| US8289734B2 (en) * | 2009-10-15 | 2012-10-16 | Ansaldo Sts Usa, Inc. | Output apparatus to output a vital output from two sources |
| US8437149B2 (en) * | 2009-12-23 | 2013-05-07 | University Of New Hampshire | Fully resonant power supply |
| CN102437767B (zh) * | 2011-12-22 | 2014-01-29 | 广州金升阳科技有限公司 | 一种自激推挽式变换器 |
| US11088609B2 (en) * | 2014-11-14 | 2021-08-10 | Keithley Instruments, Llc | Low noise power supply MOSFET gate drive scheme |
| US9847724B2 (en) * | 2015-10-06 | 2017-12-19 | Keithley Instruments, Llc | Power supply having reduced transformer commutation noise |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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