JPH09182440A - 電源装置 - Google Patents
電源装置Info
- Publication number
- JPH09182440A JPH09182440A JP7342950A JP34295095A JPH09182440A JP H09182440 A JPH09182440 A JP H09182440A JP 7342950 A JP7342950 A JP 7342950A JP 34295095 A JP34295095 A JP 34295095A JP H09182440 A JPH09182440 A JP H09182440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- switching element
- circuit
- diode
- rectifier circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/40—Arrangements for reducing harmonics
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイオードを用いて整流回路を構成した従来
の装置よりも損失の低減を図った電源装置を提供する。 【解決手段】 本電源装置１Ａは、交流電源端子２ａ，
２ｂと、この交流電源端子２ａ，２ｂに接続された整流
回路３Ａと、この整流回路３Ａに接続された力率改善回
路５から構成されている。整流回路３Ａは、ドレイン電
流に対してオン抵抗の小さいスイッチング素子Ｑ1 乃至
Ｑ4 を用いて構成されている。これにより、ダイオード
を用いて整流回路を構成した従来の装置よりも損失の低
減を図ることができる。
の装置よりも損失の低減を図った電源装置を提供する。 【解決手段】 本電源装置１Ａは、交流電源端子２ａ，
２ｂと、この交流電源端子２ａ，２ｂに接続された整流
回路３Ａと、この整流回路３Ａに接続された力率改善回
路５から構成されている。整流回路３Ａは、ドレイン電
流に対してオン抵抗の小さいスイッチング素子Ｑ1 乃至
Ｑ4 を用いて構成されている。これにより、ダイオード
を用いて整流回路を構成した従来の装置よりも損失の低
減を図ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電源装置に関し、
より詳しくは、損失の低減に関する。
より詳しくは、損失の低減に関する。
【０００２】
【従来の技術】ブリッジ回路は、スイッチング電源を初
めとしたほとんどの電源装置に組み込まれている。
めとしたほとんどの電源装置に組み込まれている。
【０００３】図５はその従来の電源装置の一例を示す回
路図である。
路図である。
【０００４】同図に示す従来の電源装置１０は、交流電
源端子１２ａ，１２ｂと、この交流電源端子１２ａ，１
２ｂに接続された整流回路１３と、この整流回路１３に
接続された力率改善回路（アクティブフィルター）１５
と、この力率改善回路１５に接続されたＤＣ／ＤＣコン
バータ１６とから構成されている。
源端子１２ａ，１２ｂと、この交流電源端子１２ａ，１
２ｂに接続された整流回路１３と、この整流回路１３に
接続された力率改善回路（アクティブフィルター）１５
と、この力率改善回路１５に接続されたＤＣ／ＤＣコン
バータ１６とから構成されている。
【０００５】この整流回路１３は、ダイオードＤ1 乃至
Ｄ4 でブリッジを構成している。
Ｄ4 でブリッジを構成している。
【０００６】このブリッジ回路の損失は、電流（ダイオ
ード電流）を正弦波だとすると、次の式(1) の通りとな
る。
ード電流）を正弦波だとすると、次の式(1) の通りとな
る。
【０００７】 Ｐｄ＝１．８×ｌｅ・Ｖｆ …(1) 但し、ｌｅ；電流実効値 Ｖｆ；順方向ダイオード電圧
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の電源装置１０
は、整流回路１３にダイオードＤ1 乃至Ｄ4 を用いたも
のであるから、損失が大きいという問題があった。
は、整流回路１３にダイオードＤ1 乃至Ｄ4 を用いたも
のであるから、損失が大きいという問題があった。
【０００９】そこで、本発明は、上記に鑑みたものであ
り、ダイオードを用いて整流回路を構成した従来の装置
よりも損失の低減を図った電源装置を提供することを目
的とする。
り、ダイオードを用いて整流回路を構成した従来の装置
よりも損失の低減を図った電源装置を提供することを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、交流電源端子と、この交流電源端子に接続
された整流回路と、この整流回路に接続された力率改善
回路とを有する電源装置において、前記整流回路をドレ
イン電流に対してオン抵抗の小さいスイッチング素子を
用いて構成したことを特徴とするものである。
に本発明は、交流電源端子と、この交流電源端子に接続
された整流回路と、この整流回路に接続された力率改善
回路とを有する電源装置において、前記整流回路をドレ
イン電流に対してオン抵抗の小さいスイッチング素子を
用いて構成したことを特徴とするものである。
【００１１】整流回路を従来のようにダイオードからな
るブリッジ回路により構成した場合、この回路の損失Ｐ
ｄは、電流（ダイオード電流）を正弦波だとすると、次
式の通りとなる。
るブリッジ回路により構成した場合、この回路の損失Ｐ
ｄは、電流（ダイオード電流）を正弦波だとすると、次
式の通りとなる。
【００１２】Ｐｄ＝１．８×ｌｅ・Ｖｆ 但し、ｌｅ；電流実効値 Ｖｆ；順方向ダイオード電圧
【００１３】一方、整流回路を本発明のようにドレイン
電流に対してオン抵抗の小さいスイッチング素子を用い
て構成した場合、この回路の損失は、電流（ドレイン電
流）を正弦波とすると、次式の通りとなる。
電流に対してオン抵抗の小さいスイッチング素子を用い
て構成した場合、この回路の損失は、電流（ドレイン電
流）を正弦波とすると、次式の通りとなる。
【００１４】Ｐm ＝２×Ｒon・ｌｅ2 但し、Ｒon；スイッチング素子のオン抵抗（Ω） ｌｅ；電流実効値
【００１５】すなわち、スイッチング素子にオン抵抗Ｒ
onがＲon＜０．９×Ｖf ／ｌｅとなるものを選択すれ
ば、Ｐm ＜Ｐd となり、従来よりも損失を低減すること
ができる。
onがＲon＜０．９×Ｖf ／ｌｅとなるものを選択すれ
ば、Ｐm ＜Ｐd となり、従来よりも損失を低減すること
ができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。
を参照して詳細に説明する。
【００１７】図１は本発明の実施の第１の形態に係る電
源装置の回路図である。
源装置の回路図である。
【００１８】本電源装置１Ａは、例えば５０Ｈｚの商用
の交流入力電圧Ｅが印加される一対の交流電源端子２
ａ，２ｂと、この交流電源端子２ａ，２ｂに接続された
整流回路３Ａと、この整流回路３Ａを駆動する駆動回路
４Ａと、この整流回路３Ａに接続された力率改善回路
（アクティブフィルター）５と、この力率改善回路５に
接続されたＤＣ／ＤＣコンバータ６とを有して構成され
ている。
の交流入力電圧Ｅが印加される一対の交流電源端子２
ａ，２ｂと、この交流電源端子２ａ，２ｂに接続された
整流回路３Ａと、この整流回路３Ａを駆動する駆動回路
４Ａと、この整流回路３Ａに接続された力率改善回路
（アクティブフィルター）５と、この力率改善回路５に
接続されたＤＣ／ＤＣコンバータ６とを有して構成され
ている。
【００１９】整流回路３Ａは、ドレイン電流に対してオ
ン抵抗の充分小さい、例えばＰ−ＭＯＳＦＥＴ（ＭＯＳ
型電界効果トランジスタ）からなる４つのスイッチング
素子Ｑ1 乃至Ｑ4 から構成されている。
ン抵抗の充分小さい、例えばＰ−ＭＯＳＦＥＴ（ＭＯＳ
型電界効果トランジスタ）からなる４つのスイッチング
素子Ｑ1 乃至Ｑ4 から構成されている。
【００２０】駆動回路４Ａは、交流電源を降圧伝達する
トランスＴ1 を用いてスイッチング素子Ｑ1 乃至Ｑ4 を
駆動するものである。トランスＴ1 は、１次巻線４ａ及
び第１乃至第４の２次巻線４ｂ乃至４ｅを備えている。
このトランスＴ1 の１次巻線４ａには、一対の交流電源
ライン７ａ，７ｂが接続されている。第１の２次巻線４
ｂには、スイッチング素子Ｑ1 を駆動するダイオードＤ
11，抵抗Ｒ1 ，Ｒ11を接続している。第２の２次巻線４
ｃには、スイッチング素子Ｑ2 を駆動するダイオードＤ
12，抵抗Ｒ2 ，Ｒ12を接続している。第３の２次巻線４
ｄには、スイッチング素子Ｑ3 を駆動するダイオードＤ
13，抵抗Ｒ3 ，Ｒ13を接続している。第４の２次巻線４
ｅには、スイッチング素子Ｑ4 を駆動するダイオードＤ
14，抵抗Ｒ4 ，Ｒ14を接続している。
トランスＴ1 を用いてスイッチング素子Ｑ1 乃至Ｑ4 を
駆動するものである。トランスＴ1 は、１次巻線４ａ及
び第１乃至第４の２次巻線４ｂ乃至４ｅを備えている。
このトランスＴ1 の１次巻線４ａには、一対の交流電源
ライン７ａ，７ｂが接続されている。第１の２次巻線４
ｂには、スイッチング素子Ｑ1 を駆動するダイオードＤ
11，抵抗Ｒ1 ，Ｒ11を接続している。第２の２次巻線４
ｃには、スイッチング素子Ｑ2 を駆動するダイオードＤ
12，抵抗Ｒ2 ，Ｒ12を接続している。第３の２次巻線４
ｄには、スイッチング素子Ｑ3 を駆動するダイオードＤ
13，抵抗Ｒ3 ，Ｒ13を接続している。第４の２次巻線４
ｅには、スイッチング素子Ｑ4 を駆動するダイオードＤ
14，抵抗Ｒ4 ，Ｒ14を接続している。
【００２１】力率改善回路５は、例えば、コンデンサＣ
1 ，Ｃ2 と、チョークコイルＬ1 と、図示しない制御回
路により制御されるスイッチング素子Ｑ5 と、逆流阻止
用ダイオードＤ5 とを具備している。
1 ，Ｃ2 と、チョークコイルＬ1 と、図示しない制御回
路により制御されるスイッチング素子Ｑ5 と、逆流阻止
用ダイオードＤ5 とを具備している。
【００２２】次に、本電源装置１Ａの動作を図２の波形
図を参照して説明する。
図を参照して説明する。
【００２３】一対の交流電源端子２ａ，２ｂにＡＣ電圧
Ｅが印加されると、トランスＴ1 の２次巻線４ｂ乃至４
ｅに生ずる電圧により、整流回路３Ａの各スイッチング
素子Ｑ1 乃至Ｑ4 がオン／オフ動作する。すなわち、ス
イッチング素子Ｑ1 とスイッチング素子Ｑ4 とが同時に
オンし、スイッチング素子Ｑ2 とスイッチング素子Ｑ3
とが同時にオンし、スイッチング素子Ｑ1 ，Ｑ4 に発生
する電圧ＶQ1，ＶQ4及びスイッチング素子Ｑ2 ，Ｑ3 に
発生する電圧ＶQ2，ＶQ3は、同図に示すようになる。
Ｅが印加されると、トランスＴ1 の２次巻線４ｂ乃至４
ｅに生ずる電圧により、整流回路３Ａの各スイッチング
素子Ｑ1 乃至Ｑ4 がオン／オフ動作する。すなわち、ス
イッチング素子Ｑ1 とスイッチング素子Ｑ4 とが同時に
オンし、スイッチング素子Ｑ2 とスイッチング素子Ｑ3
とが同時にオンし、スイッチング素子Ｑ1 ，Ｑ4 に発生
する電圧ＶQ1，ＶQ4及びスイッチング素子Ｑ2 ，Ｑ3 に
発生する電圧ＶQ2，ＶQ3は、同図に示すようになる。
【００２４】例えば、電圧Ｅが負のときは、ダイオード
Ｄ11及びＤ14がオンする。ダイオードＤ11がオンする
と、抵抗Ｒ1 を通してスイッチング素子Ｑ1 のゲートに
電圧が加わり、スイッチング素子Ｑ1 がオンする。これ
と同時に、ダイオードＤ14がオンすると、抵抗Ｒ4 を通
してスイッチング素子Ｑ4 のゲートに電圧が加わり、ス
イッチング素子Ｑ4 がオンする。また、これと逆相で
は、ダイオードＤ12及びＤ13がオンする。ダイオードＤ
12がオンすると、抵抗Ｒ2 を通してスイッチング素子Ｑ
2 のゲートに電圧が加わり、スイッチング素子Ｑ2 がオ
ンする。これと同時に、ダイオードＤ13がオンすると、
抵抗Ｒ3 を通してスイッチング素子Ｑ3 のゲートに電圧
が加わり、スイッチング素子Ｑ3 がオンする。
Ｄ11及びＤ14がオンする。ダイオードＤ11がオンする
と、抵抗Ｒ1 を通してスイッチング素子Ｑ1 のゲートに
電圧が加わり、スイッチング素子Ｑ1 がオンする。これ
と同時に、ダイオードＤ14がオンすると、抵抗Ｒ4 を通
してスイッチング素子Ｑ4 のゲートに電圧が加わり、ス
イッチング素子Ｑ4 がオンする。また、これと逆相で
は、ダイオードＤ12及びＤ13がオンする。ダイオードＤ
12がオンすると、抵抗Ｒ2 を通してスイッチング素子Ｑ
2 のゲートに電圧が加わり、スイッチング素子Ｑ2 がオ
ンする。これと同時に、ダイオードＤ13がオンすると、
抵抗Ｒ3 を通してスイッチング素子Ｑ3 のゲートに電圧
が加わり、スイッチング素子Ｑ3 がオンする。
【００２５】このとき、ブリッジを構成するスイッチン
グ素子Ｑ1 乃至Ｑ4 の損失は、電流（ドレイン電流）を
正弦波とすると、次の式(2) の通りとなる。
グ素子Ｑ1 乃至Ｑ4 の損失は、電流（ドレイン電流）を
正弦波とすると、次の式(2) の通りとなる。
【００２６】 Ｐm ＝２×Ｒon・ｌｅ2 …(2) 但し、Ｒon；Ｐ−ＭＯＳＦＥＴのオン抵抗（Ω） ｌｅ；電流実効値
【００２７】すなわち、前記式(1) と式(2) との比較か
ら明らかなように、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴをＲon＜０．９×
Ｖf ／ｌｅとなるものを選択すれば、Ｐm ＜Ｐd とな
り、従来のダイオードＤ1 乃至Ｄ4 より構成された整流
回路１３よりも損失を低減することができる。例えば、
ｌｅ＝１Ａ、Ｖf ＝１．０Ｖの場合は、Ｒon＜０．９Ω
のＰ−ＭＯＳＦＥＴを選択すれば、損失を小さくするこ
とができる。
ら明らかなように、Ｐ−ＭＯＳＦＥＴをＲon＜０．９×
Ｖf ／ｌｅとなるものを選択すれば、Ｐm ＜Ｐd とな
り、従来のダイオードＤ1 乃至Ｄ4 より構成された整流
回路１３よりも損失を低減することができる。例えば、
ｌｅ＝１Ａ、Ｖf ＝１．０Ｖの場合は、Ｒon＜０．９Ω
のＰ−ＭＯＳＦＥＴを選択すれば、損失を小さくするこ
とができる。
【００２８】このような本装置１Ａによれば、スイッチ
ング素子Ｑ1 乃至Ｑ4 にドレイン電流に対してＲonの充
分小さいＰ−ＭＯＳＦＥＴを用いることにより、損失を
小さくすることができる。これは、駆動回路４Ａの損失
（通常０．１Ｗ程度）を含んでも充分小さくなる。例え
ば、ｌｅ＝１Ａ、Ｖf ＝１．０Ｖの場合に、Ｒon＝０．
１８Ωを選択すれば、Ｐd ＝１．８Ｗ、Ｐm ＝０．３６
Ｗとなり、損失を充分小さくすることができる。
ング素子Ｑ1 乃至Ｑ4 にドレイン電流に対してＲonの充
分小さいＰ−ＭＯＳＦＥＴを用いることにより、損失を
小さくすることができる。これは、駆動回路４Ａの損失
（通常０．１Ｗ程度）を含んでも充分小さくなる。例え
ば、ｌｅ＝１Ａ、Ｖf ＝１．０Ｖの場合に、Ｒon＝０．
１８Ωを選択すれば、Ｐd ＝１．８Ｗ、Ｐm ＝０．３６
Ｗとなり、損失を充分小さくすることができる。
【００２９】図３は本発明の実施の第２の形態に係る電
源装置の回路図である。
源装置の回路図である。
【００３０】本電源装置１Ｂは、例えば５０Ｈｚの商用
の交流入力電圧Ｅが印加される一対の交流電源端子２
ａ，２ｂと、この交流電源端子２ａ，２ｂに１次巻線８
ａが接続されたトランスＴ2 と、このトランスＴ2 の第
１及び第２の２次巻線８ｂ，８ｃに接続された整流回路
３Ｂと、この整流回路３Ｂを駆動する駆動回路４Ｂと、
整流回路３Ｂに接続された図１と同様の力率改善回路５
と、この力率改善回路５に接続されたＤＣ／ＤＣコンバ
ータ６とを有して構成されている。
の交流入力電圧Ｅが印加される一対の交流電源端子２
ａ，２ｂと、この交流電源端子２ａ，２ｂに１次巻線８
ａが接続されたトランスＴ2 と、このトランスＴ2 の第
１及び第２の２次巻線８ｂ，８ｃに接続された整流回路
３Ｂと、この整流回路３Ｂを駆動する駆動回路４Ｂと、
整流回路３Ｂに接続された図１と同様の力率改善回路５
と、この力率改善回路５に接続されたＤＣ／ＤＣコンバ
ータ６とを有して構成されている。
【００３１】整流回路３Ｂは、ドレイン電流に対してオ
ン抵抗の充分小さい、例えばＰ−ＭＯＳＦＥＴ（ＭＯＳ
型電界効果トランジスタ）からなる２つのスイッチング
素子Ｑ6 ，Ｑ7 から構成されている。
ン抵抗の充分小さい、例えばＰ−ＭＯＳＦＥＴ（ＭＯＳ
型電界効果トランジスタ）からなる２つのスイッチング
素子Ｑ6 ，Ｑ7 から構成されている。
【００３２】駆動回路４Ｂは、交流電源を降圧伝達する
トランスＴ2 を用いてスイッチング素子Ｑ6 ，Ｑ7 を駆
動するものである。トランスＴ2 の第３の２次巻線８ｄ
にスイッチング素子Ｑ6 を駆動するダイオードＤ15，抵
抗Ｒ5 ，Ｒ15を接続し、トランスＴ2 の第４の２次巻線
８ｅにスイッチング素子Ｑ7 を駆動するダイオード
Ｄ16，抵抗Ｒ6 ，Ｒ16を接続している。
トランスＴ2 を用いてスイッチング素子Ｑ6 ，Ｑ7 を駆
動するものである。トランスＴ2 の第３の２次巻線８ｄ
にスイッチング素子Ｑ6 を駆動するダイオードＤ15，抵
抗Ｒ5 ，Ｒ15を接続し、トランスＴ2 の第４の２次巻線
８ｅにスイッチング素子Ｑ7 を駆動するダイオード
Ｄ16，抵抗Ｒ6 ，Ｒ16を接続している。
【００３３】次に、本電源装置１Ｂの動作を図４の波形
図を参照して説明する。
図を参照して説明する。
【００３４】一対の交流電源端子２ａ，２ｂにＡＣ電圧
Ｅが印加されると、トランスＴ2 の２次巻線８ｂ乃至８
ｅに生ずる電圧により、整流回路３Ｂの各スイッチング
素子Ｑ6 ，Ｑ7 がオン／オフ動作する。すなわち、スイ
ッチング素子Ｑ6 ，Ｑ7 が交互にオンし、スイッチング
素子Ｑ6 ，Ｑ7 に発生する電圧ＶQ6，ＶQ7は、同図に示
すようになる。
Ｅが印加されると、トランスＴ2 の２次巻線８ｂ乃至８
ｅに生ずる電圧により、整流回路３Ｂの各スイッチング
素子Ｑ6 ，Ｑ7 がオン／オフ動作する。すなわち、スイ
ッチング素子Ｑ6 ，Ｑ7 が交互にオンし、スイッチング
素子Ｑ6 ，Ｑ7 に発生する電圧ＶQ6，ＶQ7は、同図に示
すようになる。
【００３５】例えば、電圧Ｅが正のときは、ダイオード
Ｄ15がオンし、抵抗Ｒ5 を通してスイッチング素子Ｑ6
のゲートに電圧が加わり、スイッチング素子Ｑ6 がオン
する。また、これと逆相では、ダイオードＤ16がオン
し、抵抗Ｒ6 を通してスイッチング素子Ｑ7 のゲートに
電圧が加わり、スイッチング素子Ｑ7 がオンする。
Ｄ15がオンし、抵抗Ｒ5 を通してスイッチング素子Ｑ6
のゲートに電圧が加わり、スイッチング素子Ｑ6 がオン
する。また、これと逆相では、ダイオードＤ16がオン
し、抵抗Ｒ6 を通してスイッチング素子Ｑ7 のゲートに
電圧が加わり、スイッチング素子Ｑ7 がオンする。
【００３６】このような本装置１Ｂによれば、図１に示
す装置１Ａと同様に、スイッチング素子Ｑ6 ，Ｑ7 にオ
ン抵抗の充分小さいＰ−ＭＯＳＦＥＴを用いることによ
り、損失の低減を図ることができる。また、トランスＴ
2 を主トランスと共通にしているため、スイッチング素
子駆動用のトランスを新たに設ける必要がない。
す装置１Ａと同様に、スイッチング素子Ｑ6 ，Ｑ7 にオ
ン抵抗の充分小さいＰ−ＭＯＳＦＥＴを用いることによ
り、損失の低減を図ることができる。また、トランスＴ
2 を主トランスと共通にしているため、スイッチング素
子駆動用のトランスを新たに設ける必要がない。
【００３７】なお、本発明は、上記の実施の形態に限定
されず、種々な実施の形態が可能である。
されず、種々な実施の形態が可能である。
【００３８】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、整
流回路をドレイン電流に対してオン抵抗の小さいスイッ
チング素子を用いて構成しているので、ダイオードを用
いて整流回路を構成した従来の装置よりも損失の低減を
図ることができる。
流回路をドレイン電流に対してオン抵抗の小さいスイッ
チング素子を用いて構成しているので、ダイオードを用
いて整流回路を構成した従来の装置よりも損失の低減を
図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の第１の形態に係る電源装置の回
路図
路図
【図２】図１の電源装置の動作を説明するための波形図
【図３】本発明の実施の第２の形態に係る電源装置の回
路図
路図
【図４】図３の電源装置の動作を説明するための波形図
【図５】従来の電源装置の回路図
１Ａ，１Ｂ 電源装置 ２ａ，２ｂ 交流電源端子 ３，９ 整流回路 ４，１０ 駆動回路 ５ 力率改善回路 Ｑ1 乃至Ｑ4 ，Ｑ6 ，Ｑ7 スイッチング素子
Claims (2)
- 【請求項１】 交流電源端子と、この交流電源端子に接
続された整流回路と、この整流回路に接続された力率改
善回路とを有する電源装置において、前記整流回路をド
レイン電流に対してオン抵抗の小さいスイッチング素子
を用いて構成したことを特徴とする電源装置。 - 【請求項２】 前記スイッチング素子を、前記交流電源
を降圧伝達するトランスを用いた駆動回路によって駆動
することを特徴とする請求項１記載の電源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7342950A JPH09182440A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7342950A JPH09182440A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 電源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09182440A true JPH09182440A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18357775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7342950A Pending JPH09182440A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 電源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09182440A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000048301A1 (fr) * | 1999-02-09 | 2000-08-17 | Ntt Data Corporation | Alimentation |
| JP2008539688A (ja) * | 2005-04-27 | 2008-11-13 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 機械エネルギを電気エネルギに変換する装置 |
| EP2237402A1 (en) | 2008-01-31 | 2010-10-06 | Daikin Industries, Ltd. | Power transformer |
-
1995
- 1995-12-28 JP JP7342950A patent/JPH09182440A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000048301A1 (fr) * | 1999-02-09 | 2000-08-17 | Ntt Data Corporation | Alimentation |
| JP2008539688A (ja) * | 2005-04-27 | 2008-11-13 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 機械エネルギを電気エネルギに変換する装置 |
| EP2237402A1 (en) | 2008-01-31 | 2010-10-06 | Daikin Industries, Ltd. | Power transformer |
| CN105763093A (zh) * | 2008-01-31 | 2016-07-13 | 大金工业株式会社 | 电功率转换装置 |
| CN105763091A (zh) * | 2008-01-31 | 2016-07-13 | 大金工业株式会社 | 电功率转换装置 |
| CN105763092A (zh) * | 2008-01-31 | 2016-07-13 | 大金工业株式会社 | 电功率转换装置 |
| CN105763072A (zh) * | 2008-01-31 | 2016-07-13 | 大金工业株式会社 | 电功率转换装置 |
| CN105871222A (zh) * | 2008-01-31 | 2016-08-17 | 大金工业株式会社 | 电功率转换装置 |
| US10148197B2 (en) | 2008-01-31 | 2018-12-04 | Daikin Industries, Ltd. | Power converter having switching elements formed of unipolar devices using a wideband gap semiconductor |
| US10931207B2 (en) | 2008-01-31 | 2021-02-23 | Daikin Industries, Ltd. | Power converter having switching elements formed of unipolar devices using a wideband gap semiconductor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100481065B1 (ko) | 동기 정류에 대한 향상된 리셋팅을 제공하는 싱글엔드 순방향 직류-직류 변환기 | |
| JP2004215371A (ja) | 電源回路 | |
| JPH07298610A (ja) | スイッチング電源装置 | |
| JPH09182440A (ja) | 電源装置 | |
| JPH1118426A (ja) | スイッチング電源回路 | |
| JP2988405B2 (ja) | スイッチング電源回路 | |
| JPH0993917A (ja) | 同期整流回路 | |
| JP4201161B2 (ja) | スイッチング電源装置 | |
| JP2740476B2 (ja) | Ｆｅｔ整流回路 | |
| JP3341441B2 (ja) | スイッチング電源装置 | |
| JP6898216B2 (ja) | 多出力絶縁電源装置 | |
| JPH11146645A (ja) | 電源装置 | |
| WO2000038305A9 (en) | A synchronous flyback converter | |
| KR20030005785A (ko) | 스너버 회로 | |
| JP3211380B2 (ja) | 電力変換装置 | |
| JP2805861B2 (ja) | 電源装置 | |
| JPH10248249A (ja) | Ｄｃ／ｄｃコンバータ | |
| JP2002281756A (ja) | スイッチングコンバータ回路 | |
| JPH09205768A (ja) | 同期整流回路 | |
| JP2002136121A (ja) | スイッチング電源装置 | |
| JP3409042B2 (ja) | Ｄｃ／ｄｃコンバータ | |
| JPS6049413A (ja) | 高圧電源装置 | |
| JPH05260738A (ja) | フォワードコンバータ | |
| JPH0956157A (ja) | 電源装置 | |
| JPH09215325A (ja) | 直流電源装置 |