JP2002203910A5 - - Google Patents
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Claims (15)
- 第１の電圧を出力する能力を有する第１の回路と、
第２の電圧を出力する能力を有する第２の回路と、
前記第１の回路と前記第２の回路との間に接続され、それぞれゲート絶縁膜を有する複数のトランジスタにより構成される第３の回路とを具備し、
前記複数のトランジスタは、電流駆動能力が互いに異なる直列接続された第１、第２のトランジスタを有することを特徴とする電圧切り替え回路。 - 前記第１、第２のトランジスタは、異なるウエルに形成されていることを特徴とする請求項１記載の電圧切り替え回路。
- 前記第１、第２のトランジスタのうち一方は半導体基板上に形成され、他方は半導体基板と同極性のウエルに形成されることを特徴とする請求項１記載の電圧切り替え回路。
- 前記第１、第２のトランジスタは、同極性であることを特徴とする請求項１記載の電圧切り替え回路。
- 前記第２の電圧は、前記第１の電圧よりも高い電圧であり、かつ前記第２の電圧は、電源電圧より高い電圧であることを特徴とする請求項１記載の電圧切り替え回路。
- 前記第１の電圧は、電源電圧以下の電圧であることを特徴とする請求項５記載の電圧切り替え回路。
- 前記第１、第２のトランジスタは、しきい値電圧が互いに異なることを特徴とする請求項１、４、６のいずれか１つに記載の電圧切り替え回路。
- 前記第１、第２のトランジスタは、チャネル部への不純物注入工程が互いに異なることを特徴とする請求項１または６に記載の電圧切り替え回路。
- 前記第１、第２のトランジスタは、チャネル部への不純物注入工程が同じであることを特徴とする請求項１または６に記載の電圧切り替え回路。
- 前記第１、第２のトランジスタは、ゲート絶縁膜厚が異なることを特徴とする請求項９記載の電圧切り替え回路。
- 前記第２の回路側に前記第２のトランジスタが接続され、前記第２のトランジスタのゲート絶縁膜厚は、前記第１のトランジスタのゲート絶縁膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項６記載の電圧切り替え回路。
- 前記第２の回路側に前記第２のトランジスタが接続され、前記第２のトランジスタのしきい値電圧は、前記第１のトランジスタのしきい値電圧よりも低いことを特徴とする請求項６記載の電圧切り替え回路。
- 前記第１、第２のトランジスタは、デプレッション型トランジスタであることを特徴とする請求項６記載の電圧切り替え回路。
- 第１の電圧を出力する能力を有する第１の回路と、
第２の電圧を出力する能力を有する第２の回路と、
前記第１の回路と前記第２の回路との間に接続され、それぞれゲート絶縁膜を有する複数のトランジスタにより構成される第３の回路とを具備し、
前記複数のトランジスタは、電流駆動能力が互いに異なる直列接続された第１、第２のデプレッション型のトランジスタを有することを特徴とする電圧切り替え回路。 - 第１の電圧を出力する能力を有する第１の回路と、
第２の電圧を出力する能力を有する第２の回路と、
前記第１の回路と前記第２の回路との間に接続され、直列接続された第１、第２のトランジスタにより構成される第３の回路とを具備し、
前記第１のトランジスタは第１のゲート絶縁膜を有し、前記第２のトランジスタは第２のゲート絶縁膜を有し、前記第２のゲート絶縁膜厚が前記第１のゲート絶縁膜厚よりも厚いことを特徴とする電圧切り替え回路。
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