JP6013851B2 - 基準電圧発生装置 - Google Patents
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Description
まず始めに、基準電圧発生装置の基本となる構造を図1(a)の模式的断面図を参照に説明する。
基準電圧発生装置は、D型NチャネルMOSトランジスタ(以下D型NMOSトランジスタ)14およびE型NチャネルMOSトランジスタ(以下E型NMOSトランジスタ)13を備える。
まず、D型NMOSトランジスタ14は、P型半導体基板1にP型ウェル拡散層3を備え、N型埋め込みチャネル層5を形成するために不純物添加は、例えば、イオン注入法でイオン種は砒素あるいは燐を添加する。このときのドーズ量は、トランジスタの閾値が所望のディプレション領域で動作するように適宜調整可能である。その後、ゲート酸化膜7を形成した後、N型ゲート電極8は、例えば、多結晶シリコン薄膜などで形成する。その後、N型高濃度ソース拡散層11およびN型高濃度ドレイン拡散層12を形成することで、D型NMOSトランジスタ14の構造が整う。
以上までの実施例の内容は、適宜組み合わせることも可能である。
2 E型NMOSトランジスタP型ウェル拡散層
3 D型NMOSトランジスタP型ウェル拡散層
4 E型NMOSトランジスタN型埋め込みチャネル層
5 D型NMOSトランジスタN型埋め込みチャネル層
6 E型NMOSトランジスタゲート酸化膜
7 D型NMOSトランジスタゲート酸化膜
8 N型ゲート電極
9 E型NMOSトランジスタN型高濃度ソース拡散層
10 E型NMOSトランジスタN型高濃度ドレイン拡散層
11 D型NMOSトランジスタN型高濃度ソース拡散層
12 D型NMOSトランジスタN型高濃度ドレイン拡散層
13 E型NMOSトランジスタ
14 D型NMOSトランジスタ
Claims (2)
- 第一のP型ウェル拡散層に設けられた、N型ゲート電極を有する、定電流を流すためのNチャネルディプレション型MOSトランジスタと、
前記Nチャネルディプレション型MOSトランジスタにダイオード接続された、第二のP型ウェル拡散層に設けられた、N型ゲート電極を有する、前記定電流に基づく基準電圧を発生するNチャネルエンハンスメント型MOSトランジスタと、
からなり、
前記Nチャネルディプレション型MOSトランジスタと前記Nチャネルエンハンスメント型MOSトランジスタとは、ともにN型埋め込みチャネルを備え、前記第二のP型ウェル拡散層の不純物濃度が前記第一のP型ウェル拡散層の不純物濃度より高いことを特徴とする基準電圧発生装置。 - 第一のP型ウェル拡散層に設けられた、N型ゲート電極を有する、定電流を流すためのNチャネルディプレション型MOSトランジスタと、
前記Nチャネルディプレション型MOSトランジスタにダイオード接続された、第二のP型ウェル拡散層に設けられた、N型ゲート電極を有する、前記定電流に基づく基準電圧を発生するNチャネルエンハンスメント型MOSトランジスタと、
からなり、
前記Nチャネルディプレション型MOSトランジスタと前記Nチャネルエンハンスメント型MOSトランジスタとは、ともにN型埋め込みチャネルを備え、前記Nチャネルエンハンスメント型MOSトランジスタのゲート酸化膜の膜厚が前記Nチャネルデプレッション型MOSトランジスタのゲート酸化膜の膜厚より厚いことを特徴とする基準電圧発生装置。
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