JP6636834B2 - 基準電圧発生回路 - Google Patents
基準電圧発生回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6636834B2 JP6636834B2 JP2016055585A JP2016055585A JP6636834B2 JP 6636834 B2 JP6636834 B2 JP 6636834B2 JP 2016055585 A JP2016055585 A JP 2016055585A JP 2016055585 A JP2016055585 A JP 2016055585A JP 6636834 B2 JP6636834 B2 JP 6636834B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nmos transistor
- type nmos
- gate electrode
- enhancement
- depletion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Description
電流源として機能するよう接続されるデプレション型NMOSトランジスタ(以下D型NMOS)は、ダイオード接続されるエンハンスメント型NMOSトランジスタ(以下E型NMOS)に定電流を流し込む。この定電流に基づき、前記E型NMOSに、基準電圧が発生する。図5は、従来の基準電圧発生回路の回路例を示した図である。図5の回路図では、基準電圧Vrefは、下記[数1]式のようになる。
M2 飽和結線されたNMOSトランジスタ
M3 カレントミラー用PMOSトランジスタ
M4 カレントミラー用PMOSトランジスタ
Claims (3)
- ゲート電極がダイオードを介して出力端子に結線されたデプレッション型NMOSトランジスタと、
前記デプレッション型NMOSトランジスタに直列に接続された、飽和結線された第1のエンハンスメント型NMOSトランジスタと、
前記デプレッション型NMOSトランジスタの前記ゲート電極にさらに接続された入力端子と、を有し、
前記デプレッション型NMOSトランジスタは、前記第1のエンハンスメント型NMOSトランジスタとゲート絶縁膜の材料および厚さ、ゲート電極の材料および含まれる不純物の種類と濃度、チャネル領域の不純物プロファイル、ソース領域及びドレイン領域の構造及び不純物プロファイルが同一である第2のエンハンスメント型NMOSトランジスタにおいて、ゲート電極と基板の間からトラップされていた電子が抜けること、あるいはホールがトラップされることにより見かけ上の閾値電圧が負となり、デプレッション型NMOSトランジスタとして動作するようになったものであることを特徴とする基準電圧発生回路。 - ゲート電極がダイオードを介してGNDに結線されたデプレッション型NMOSトランジスタと、
前記デプレッション型NMOSトランジスタと直列に接続された第1のエンハンスメント型PMOSトランジスタと、
飽和結線された第1のエンハンスメント型NMOSトランジスタと、
前記第1のエンハンスメント型NMOSトランジスタと直列に接続されるとともに、前記第1のエンハンスメント型PMOSトランジスタとミラー接続された第2のエンハンスメント型PMOSトランジスタと、
前記第1のエンハンスメント型NMOSトランジスタと前記第2のエンハンスメント型PMOSトランジスタとに接続されている出力端子と
前記デプレッション型NMOSトランジスタの前記ゲート電極にさらに接続された入力端子と、を有し、
前記デプレッション型NMOSトランジスタは、前記第1のエンハンスメント型NMOSトランジスタとゲート絶縁膜の材料および厚さ、ゲート電極の材料および含まれる不純物の種類と濃度、チャネル領域の不純物プロファイル、ソース領域及びドレイン領域の構造及び不純物プロファイルが同一である第2のエンハンスメント型NMOSトランジスタにおいて、ゲート電極と基板の間からトラップされていた電子が抜けること、あるいはホールがトラップされることにより見かけ上の閾値電圧が負となり、デプレッション型NMOSトランジスタとして動作するようになったものであることを特徴とする基準電圧発生回路。 - ゲート電極が出力端子に結線された第1のデプレッション型NMOSトランジスタと、
前記第1のデプレッション型NMOSトランジスタのソースに直列に接続された、ダイオードを介して飽和結線されたエンハンスメント型NMOSトランジスタと、
前記エンハンスメント型NMOSトランジスタのゲート電極にさらに接続された入力端子と、を有し、
前記エンハンスメント型NMOSトランジスタは、前記第1のデプレッション型NMOSトランジスタとゲート絶縁膜の材料および厚さ、ゲート電極の材料および含まれる不純物の種類と濃度、チャネル領域の不純物プロファイル、ソース領域及びドレイン領域の構造及び不純物プロファイルが同一である第2のデプレッション型NMOSトランジスタにおいて、ゲート電極と基板の間に電子がトラップされることにより見かけ上の閾値電圧が正となり、エンハンスメント型NMOSトランジスタとして動作するようになったものであることを特徴とする基準電圧発生回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016055585A JP6636834B2 (ja) | 2016-03-18 | 2016-03-18 | 基準電圧発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016055585A JP6636834B2 (ja) | 2016-03-18 | 2016-03-18 | 基準電圧発生回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017173878A JP2017173878A (ja) | 2017-09-28 |
JP6636834B2 true JP6636834B2 (ja) | 2020-01-29 |
Family
ID=59971270
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016055585A Expired - Fee Related JP6636834B2 (ja) | 2016-03-18 | 2016-03-18 | 基準電圧発生回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6636834B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108398978A (zh) * | 2018-03-02 | 2018-08-14 | 湖南大学 | 一种具有抗工艺角变化和宽电压追踪范围的电压基准电路 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59200320A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-13 | Hitachi Ltd | 基準電圧発生回路 |
JP3454693B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2003-10-06 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 半導体集積回路 |
US6005378A (en) * | 1998-03-05 | 1999-12-21 | Impala Linear Corporation | Compact low dropout voltage regulator using enhancement and depletion mode MOS transistors |
JP2002368107A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Ricoh Co Ltd | 基準電圧発生回路とそれを用いた電源装置 |
-
2016
- 2016-03-18 JP JP2016055585A patent/JP6636834B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017173878A (ja) | 2017-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5959220B2 (ja) | 基準電圧発生装置 | |
TWI746823B (zh) | 參考電壓產生裝置 | |
KR101688661B1 (ko) | 기준 전압 회로 | |
US9552009B2 (en) | Reference voltage generator having diode-connected depletion MOS transistors with same temperature coefficient | |
JP2007128395A (ja) | ハーフバンドギャップリファレンス回路 | |
KR20140105381A (ko) | 기준 전압 발생 회로 | |
TWI602280B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
JP2005109364A (ja) | 半導体装置 | |
JP6636834B2 (ja) | 基準電圧発生回路 | |
TWI791707B (zh) | 基準電壓產生裝置 | |
JP2008152632A (ja) | 基準電圧発生回路 | |
JP6013851B2 (ja) | 基準電圧発生装置 | |
US10860046B2 (en) | Reference voltage generation device | |
JP4847976B2 (ja) | 電界効果トランジスタを用いた基準電圧源回路 | |
JP2008066649A (ja) | 電圧源回路 | |
US10635126B2 (en) | Constant current circuit, semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device | |
JP6058960B2 (ja) | カレントミラー回路 | |
JP4249945B2 (ja) | 電界効果トランジスタを用いた基準電圧源回路 | |
JP2006352193A (ja) | 差動増幅器 | |
JP6532711B2 (ja) | 基準電流生成回路、及び降圧充電システム | |
JP2005142409A (ja) | 温度検出用半導体装置 | |
JP2004014625A (ja) | 電界効果トランジスタを用いた基準電圧源回路 | |
JP2007034977A (ja) | 基準電源回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190111 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191118 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191126 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191219 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6636834 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |