JPH02122665A - 電源バッテリの極性の反転に対して自己保護されている集積回路 - Google Patents

電源バッテリの極性の反転に対して自己保護されている集積回路

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JPH02122665A JP1235840A JP23584089A JPH02122665A JP H02122665 A JPH02122665 A JP H02122665A JP 1235840 A JP1235840 A JP 1235840A JP 23584089 A JP23584089 A JP 23584089A JP H02122665 A JPH02122665 A JP H02122665A
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    • H01L29/7831—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with multiple gate structure

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、電源バッテリの極性の反転に対して自己保護
されている集積回路に関する。
［従来の技術］ 周知のように、自動車の組立ラインにおいては、自動車
の電気システム用バッテリは、習慣的に、電気システム
及びそれに接続される装置の組立及び組込工程の最後に
各車に組み込まれる。
ライト、アクチュエータ等のいくつかの電気的な負荷は
、電子制御回路を介した、正極とアースとの間で通常は
駆動される。
上記電気システム内の上記電子制御回路への給電ケーブ
ルが思いがけなく逆にされるということが起こり得るの
で、組み込まれたバッテリの極性の反転という偶然を、
上記集積回路を損傷させることなく受は入れるという必
要がある。
この要求は、バッテリを接続する際に発生する誤接続の
可能性からも持ち上がっており、特に、抵抗性部品が、
それがその両端間の電圧降下分だけ供給電圧を下げると
いう理由で接続され得ないところのパワーアクチュエー
タを電気システムが含む場合、その要求が強い。
上記要求を満たすべく、従来の技術は、バッテリの極性
が反転させられた場合に上記集積回路を保護するための
一方向部品（特にダイオード）であって、電子制御回路
と正極との間に外部的に接続されるものを使用するとい
うことを提案している。
［発明が解決しようとする課題］ 上記の従来技術は、コスト的には有利である一方、ダイ
オードの両端間の電圧降下Ｖｄが、駆動されるべき電気
的負荷に利用される電圧を下げるという欠点を有してい
る。更に、ダイオードの両端間の電圧ＶＤに負荷を流れ
る電流■１を乗じたものに等しい量だけ浪費される電力
が増加するので、システム効率が悪くなる。
本発明の目的は、従来技術が有する上記欠点を除去する
ような構造及び性能を有する集積回路を提供することで
ある。
［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するため、本発明によれば、電源バッテ
リの極性の反転に対して自己保護されている集積回路が
提供され、該集積回路は、そのソース電極側が電気的負
荷を通してアースに接続されている第１のＤＭＯＳパワ
ートランジスタと、そのソース電極側が該バッテリの正
極に且つそのドレイン電極側が前記第１のＤＭＯＳパワ
ートランジスタのドレイン電極に接続されている第２の
保ｉＤＭｏｓパワートランジスタと、を具備し、前記第
１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタが共通の
ドレイン領域を有していることを特徴としている。
［実　施　例］ 以下、添付図面を参照して本発明の実施例について説明
する。
図面を参照するに、バッテリ２の極性の反転に対して自
己保護されている回路が、参照符号１で全体的且つ概略
的に示されている。回路１は、有利に集積回路の形をと
っている。
回路１は、ＤＭＯ８形の第１のパワートランジスタＴ１
を備えており、このパワートランジスタＴ１は、そのソ
ース電極側で、電気的負荷ＲＬに、その負荷を駆動すべ
く接続されている。
より具体的には、トランジスタＴ１は上記負荷ＲＬの一
端に接続されており、その負荷ＲＬの他端はアースに接
続されている。
回路１は、これもまたＤＭＯＳ形の、第２の保護トラン
ジスタＴ２も備えており、このトランジスタＴ２は、バ
ッテリ２の正極ＶＣと第１のトランジスタＴ１との間に
接続されている。そのトランジスタＴ２のソースＳ２は
上記正極ＶＣに接続されている一方、トランジスタＴｌ
、Ｔ２のゲート電極Ｇｌ、Ｇ２は、回路１を駆動する回
路部３の対応する出力にそれぞれ接続されている。
トランジスタＴ１及びＴ２のそれぞれのドレイン領域Ｄ
１及びＤ２は共通であり、且つ、それらは、集積化構造
体のＰ形半導体基板内の単一のＮ形のボッド（Ｎチャネ
ルＤＭＯ３の場合）上に形成されている。
更に、各トランジスタは、対応する固有のダイオードＤ
ＴＩ、ＤＴ２であって、各トランジスタのドレイン及び
ソース間に接続されており且つソースに向けて順方向に
バイアスされているものを含んでいる。更に、上記トラ
ンジスタの共通のドレインＤ１、Ｄ２と基板との間に、
基板に向けて順方向にバイアスされている寄生ダイオー
ドＤが存在する。
より具体的には、第２図に、好適な実施例としてのトラ
ンジスタＴ１及びＴ２の構造が示されており、それらは
、互いに間に入れられている、縦形高圧ＤＭＯＳトラン
ジスタ（ＶＤＭＯ３）及び横形低圧ＤＭＯＳトランジス
タ（ＬＤＭＯ８）である。
第２図から次のことが理解されよう。Ｐ形不純物を僅か
にドープされた半導体基板４上には、その基板とは逆に
ドープされた、具体的にはＮ＋形の埋込層９が形成され
ている。この埋込層９は、上記トランジスタＴ１及びＴ
２の双方によって共有されている上記ドレイン領域Ｄ１
−Ｄ２の低抵抗率部分を構成する。
エピタキシャル成長させられた埋込層９上には、埋込層
９と同じ形ではあるがそれより低い濃度でドープされた
、Ｎ−形の共通のドレインＤ１及びＤ２の領域６及び７
が形成されており、それらの中には、通常のゾーン（ソ
ースセルとも呼ばれる）８及び８ａが形成されている。
従って、本発明の回路は、縦形ＤＭＯＳトランジスタＴ
１の所謂ソースセル８と横形ＤＭＯＳトランジスタＴ２
のソースセル８ａとを交互に用いて形成されており、後
者は前者よりも低い固有直列抵抗を有している。
高濃度にドープされたＮ＋領領域フィンガとも呼ばれる
）５が形成されており、このＮ＋領域５は、縦形ＤＭＯ
３（７）Ｎ＋埋込層９を横形ＤＭＯＳフィンガの近傍に
おける面に接続することにより、ＬＤＭＯ８によってＶ
ＤＭＯ３からピックアップされた電子の流れのための低
抵抗率路を形成する。
供給電圧ＶＣが印加されると、第２のトランジスタＴ２
は、導通状態になり、そして、バッテリ２の極性が反転
した場合には、パワーアクチュエータＴ１が接続されて
いる集積回路１を保護する。
装置ドライバが動作すると、第２の保護トランジスタＴ
２を介して第１のトランジスタＴ１から供給される電流
１１が負荷ＲＬを流れる。
バッテリの極性が反転すると、第２のトランジスタは、
非導通状態になってドライバ及び負荷ＲＬの両方を保護
する。
第２のトランジスタの両端間の電圧降下Ｖは、ゲート電
極を適切にドライブすることにより、所望なだけ小さく
なされ得る。何故ならば、その電圧は、トランジスタＴ
２の固有抵抗と負荷を流れる電流■１との積であるから
である。集積回路１内の、第２のトランジスタによって
占められるシリコンの表面積に反比例する抵抗の値に鑑
み、トランジスタによって占められる表面積を増加させ
ることによって抵抗は十分に小さくさせられ得、それに
伴い、その両端子間の電圧降下、及び電力の浪費が減少
する。
更に、高電圧用の縦形ＤＭＯＳトランジスタと低電圧用
の横形ＤＭＯ８Ｉ−ランジスタとの組合せは、回路が、
あらゆる場合において１２〜２４ボルトの範囲内の低電
圧値を有するバッテリの極性の反転と６０ボルト程の高
いピーク電圧を誘導し得るあらゆるダンピング動作状態
の両方に適切に耐えることを可能にする。
更に別の利点は、本発明の回路が、そこに組み込まれて
いるトランジスタの性能を、特に全抵抗降下に関し、最
大にすることができ、もって、集積化に必要なシリコン
の表面積が最小にされ得るということである。ドレイン
領域は同じボッド内に形成され、これにより、２つのト
ランジスタは、別々のボッドに隔離される必要がなく、
従って、場所を取らない。
次に、第３図を参照して、本発明回路の変形実施例につ
いて説明する。なお、この変形実施例は、第３図におい
て、上述した実施例と同様の部分は同じ参照符号を付さ
れている。
この変形実施例は、回路１がダンピング動作状態に耐え
る必要がない場合に特に有用である。
この変形実施例では、回路１は、１対のＤＭＯ８形の低
圧横形トランジスタＴＩＯ及びＴｌｌを備えている。
より具体的には、僅かにＰドープされている半導体基板
４内には、その基板とは反対にＮ＋ドープされている埋
込層９が設けられており、この埋込層９は、対向してい
る横領域１２及び１３であって基板と同じＰ形ドーパン
トを高濃度に有するものと協働して、Ｎ−ドープされて
いるボッド１４であってトランジスタＴＩＯ及びＴ１１
の両方に共有されるドレイン領域を形成すべく適合され
ているものを画成している。
上記ボッド１４上には、横形ＤＭＯＳトランジスタの典
型的な構造として、型通りのソース領域１５及びゲート
１６が交互に形成されている。
第４図に示されている更に別の変形実施例においては、
回路１は、実質的にフィールドプレート機能をもたらす
いくつかの延長部を備えたゲート領域を有する横形ＤＭ
ＯＳトランジスタの対と結び付くことによって構成され
ている。実際、ブレーす技術を用いることにより、多結
晶質シリコンで作られるゲート電極がフィールド酸化物
上に延在且つ拡張させられ得、もって、高電圧に耐える
横形ＤＭＯＳトランジスタが提供される。反対に、フィ
ールド酸化物上のゲート電極の広がりを減少させること
により、低電圧用の横形ＤＭＯＳトランジスタが得られ
る。
更に、隣接するソース間の抵抗性のパスを短縮するため
、フィールド酸化物をもたらす現場技術を用いて、Ｎ＋
形の高濃度にドープされた領域１７がイオン注入によっ
て導入されており、この領域１７は、低圧ＤＭＯＳトラ
ンジスタの側のフィールド酸化物に自己整合させられて
いる。
上述した変形実施例は、最初に説明した実施例と同様に
動作して同様の利点を実質的にもたらす。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明に係る集積回路の配線図、第２図は、
本発明に係る集積回路の構造を概略的に示す断面図、並
びに 第３図及び第４図は、それぞれ、第１図及び第２図に示
されている集積回路の変形実施例を概略的に示す断面図
である。 １・・・集積回路 ２・・・バッテリ ３・・・回路部 ４・・・半導体基板 ６．７・・・ドレイン ８・・・ソース ９・・・埋込層 １４・・・ボッド １５・・・ソース １６・・・ゲート

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、電源バッテリの極性の反転に対して自己保護されて
    いる集積回路において、 そのソース電極側が電気的負荷（ＲＬ）を通してアース
    に接続されている第１のＤＭＯＳパワートランジスタ（
    Ｔ１）と、 そのソース電極側が該バッテリ（２）の正極（ＶＣ）に
    且つそのドレイン電極（Ｄ２）側が前記第１のＤＭＯＳ
    パワートランジスタ（Ｔ１）のドレイン電極（Ｄ１）に
    接続されている第２の保護ＤＭＯＳパワートランジスタ
    （Ｔ２）と、 を具備し、 前記第１のトランジスタ（Ｔｉ）及び前記第２のトラン
    ジスタ（Ｔ２）が共通のドレイン領域（Ｄ１、Ｄ２）を
    有していることを特徴とする集積回路。 ２、前記第１のトランジスタ（Ｔ１）が、縦形ＤＭＯＳ
    トランジスタである請求項１記載の集積回路。 ３、前記第１のトランジスタ（Ｔ１）が、高圧横形ＤＭ
    ＯＳトランジスタである請求項１記載の集積回路。 ４、前記第２のトランジスタ（Ｔ２）が、横形ＤＭＯＳ
    トランジスタである請求項２記載の集積回路。 ５、共通ドレイン領域（１４）内の、前記第１の縦形Ｄ
    ＭＯＳトランジスタ（Ｔ１）と前記第２の横形ＤＭＯＳ
    トランジスタ（Ｔ２）との間に、少なくとも１個のＮ＾
    ＋極性のフィンガ領域（１７）であって、当該集積回路
    の固有直列抵抗を下げるためのものを具備する請求項４
    記載の集積回路。 ６、前記第２の横形ＤＭＯＳトランジスタ（Ｔ２）の側
    に、フィールド酸化物に対して自己整合させられた、少
    なくとも１個のＮ＾＋ドープ領域（１７）であって、当
    該集積回路の固有直列抵抗を下げるためのものを具備す
    る請求項４記載の集積回路。
JP1235840A 1988-09-27 1989-09-13 電源バッテリの極性の反転に対して自己保護されている集積回路 Expired - Lifetime JP2905227B2 (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008244487A (ja) * 2008-04-21 2008-10-09 Renesas Technology Corp 複合型ｍｏｓｆｅｔ
WO2015114923A1 (ja) * 2014-01-31 2015-08-06 アルプス電気株式会社 半導体集積回路装置
JP2016207716A (ja) * 2015-04-16 2016-12-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびそれを用いた回路装置

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5151767A (en) * 1991-05-03 1992-09-29 North American Philips Corp. Power integrated circuit having reverse-voltage protection
DE4137452A1 (de) * 1991-11-14 1993-05-19 Bosch Gmbh Robert Verpolschutzanordnung fuer leistungsendstufen-feldeffekt-transistoren
EP0561451B1 (en) * 1992-03-16 1998-08-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Integrated semiconductor circuit including protection means
JP3216743B2 (ja) * 1993-04-22 2001-10-09 富士電機株式会社 トランジスタ用保護ダイオード
US5434739A (en) * 1993-06-14 1995-07-18 Motorola, Inc. Reverse battery protection circuit
DE4432957C1 (de) * 1994-09-16 1996-04-04 Bosch Gmbh Robert Schaltmittel
JP3485655B2 (ja) * 1994-12-14 2004-01-13 株式会社ルネサステクノロジ 複合型ｍｏｓｆｅｔ
DE19509024C1 (de) * 1995-03-13 1996-10-31 Sgs Thomson Microelectronics Integrierte Halbleiterschaltung (steuerbarer Halbleiterschalter) mit Schutz gegen zu negatives Potential
JP3593825B2 (ja) * 1996-11-08 2004-11-24 ソニー株式会社 半導体装置及びその製造方法、並びに固体撮像素子の製造方法
DE19803040A1 (de) * 1997-01-31 1998-08-06 Int Rectifier Corp Leistungsschaltung
US6781804B1 (en) * 1997-06-17 2004-08-24 Sgs-Thomson Microelectronics S.A. Protection of the logic well of a component including an integrated MOS power transistor
DE19817790A1 (de) * 1998-04-21 1999-12-09 Siemens Ag Verpolschutzschaltung
DE19938403C2 (de) * 1999-08-13 2002-03-14 Micronas Gmbh Schaltung
US6611410B1 (en) 1999-12-17 2003-08-26 Siemens Vdo Automotive Inc. Positive supply lead reverse polarity protection circuit
US6353345B1 (en) * 2000-04-04 2002-03-05 Philips Electronics North America Corporation Low cost half bridge driver integrated circuit with capability of using high threshold voltage DMOS
TW490907B (en) * 2000-11-14 2002-06-11 Silicon Touch Tech Inc Circuit with protection for inverted connection of power source polarity
US6650520B2 (en) * 2001-10-26 2003-11-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Power supply reverse bias protection circuit for protecting both analog and digital devices coupled thereto
US20060012342A1 (en) * 2002-07-17 2006-01-19 Mathews Associates, Inc. Self-heating battery that automatically adjusts its heat setting
US7327122B2 (en) * 2002-07-17 2008-02-05 Mathews Associates, Inc. Battery heating circuit
KR100448915B1 (ko) * 2002-07-26 2004-09-16 삼성전자주식회사 고전압 출력회로의 풀업 트랜지스터 어레이
US7012793B2 (en) * 2002-12-06 2006-03-14 Delta Electronics, Inc. Power converter with polarity reversal and inrush current protection circuit
FR2908570B1 (fr) * 2006-11-10 2009-03-06 E2V Semiconductors Soc Par Act Etage de sortie logique de circuit integre protege contre une inversion de batterie
US10522675B2 (en) 2012-01-25 2019-12-31 Infineon Technologies Ag Integrated circuit including field effect transistor structures with gate and field electrodes and methods for manufacturing and operating an integrated circuit
US8891218B2 (en) * 2012-10-12 2014-11-18 The Boeing Company Fault tolerant fail-safe link
JP7294127B2 (ja) * 2019-12-26 2023-06-20 株式会社オートネットワーク技術研究所 給電制御装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3712995A (en) * 1972-03-27 1973-01-23 Rca Corp Input transient protection for complementary insulated gate field effect transistor integrated circuit device
US3829709A (en) * 1973-08-31 1974-08-13 Micro Components Corp Supply reversal protecton circuit
US3940785A (en) * 1974-05-06 1976-02-24 Sprague Electric Company Semiconductor I.C. with protection against reversed power supply
JPS57162359A (en) * 1981-03-30 1982-10-06 Toshiba Corp Semiconductor device
DE3133518A1 (de) * 1981-08-25 1983-03-17 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt "elektronischer schalter"
US4423456A (en) * 1981-11-13 1983-12-27 Medtronic, Inc. Battery reversal protection
US4698582A (en) * 1986-07-23 1987-10-06 Motorola, Inc. Power driver having short circuit protection
JPS63219153A (ja) * 1987-03-06 1988-09-12 Matsushita Electronics Corp 半導体集積回路
JPH0748652B2 (ja) * 1987-07-23 1995-05-24 三菱電機株式会社 半導体回路装置の入力保護装置
IT1226439B (it) * 1988-07-05 1991-01-15 Sgs Thomson Microelectronics Circuito elettronico protetto da inversioni di polarita' della batteria di alimentazione.
IT1226438B (it) * 1988-07-05 1991-01-15 Sgs Thomson Microelectronics Circuito elettronico con dispositivo di protezione da variazioni di tensione della batteria di alimentazione.

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008244487A (ja) * 2008-04-21 2008-10-09 Renesas Technology Corp 複合型ｍｏｓｆｅｔ
WO2015114923A1 (ja) * 2014-01-31 2015-08-06 アルプス電気株式会社 半導体集積回路装置
US9559681B2 (en) 2014-01-31 2017-01-31 Alps Electric Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit device
JPWO2015114923A1 (ja) * 2014-01-31 2017-03-23 アルプス電気株式会社 半導体集積回路装置
JP2016207716A (ja) * 2015-04-16 2016-12-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびそれを用いた回路装置
US10250255B2 (en) 2015-04-16 2019-04-02 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and circuit arrangement using the same

Also Published As

Publication number Publication date
EP0360991A2 (en) 1990-04-04
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DE68917839D1 (de) 1994-10-06
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IT1227104B (it) 1991-03-15

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