JP3522248B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0008—Arrangements for reducing power consumption
- H03K19/0016—Arrangements for reducing power consumption by using a control or a clock signal, e.g. in order to apply power supply
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
- H03K2217/0036—Means reducing energy consumption
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電源供給用のトラ
ンジスタスイッチを有する半導体集積回路装置(IC)
に関するものである。 【0002】 【従来の技術】一般に、ICはMOSFETなどのトラ
ンジスタを多数含んで構成されるが、携帯機器などに適
用されるICにおいては、その消費電力を制限すること
が特に求められている。 【0003】図6は、消費電力を削減した従来のICの
回路構成を示す図である。この従来のICでは、消費電
力を低減するために、その電源電位Vccを例えば3v
の低い値としている。なお、Vgndはグランド電位で
ある。消費電力は電源電圧の2乗に比例するから、電源
電位Vccを低くすることにより、消費電力の削減に有
効である。ただ、電源電圧Vccの低下に伴い、CMO
Sなどで構成されるトランジスタ回路ブロック10にお
けるトランジスタ回路の回路遅延が増大してしまうか
ら、この回路遅延の増加を避けるために、電源電圧の低
下に対応して、回路ブロック10のトランジスタ、例え
ばCMOSFETのスレッショルド電圧Vthも低下さ
せている。これにより回路遅延を増大させずに消費電力
を削減している。 【0004】しかし、このようにスレッショルド電圧V
thを低下させると、オフしているMOSFETのリー
ク電流が増える結果、待機時電力が増大することになる
から、待機時の消費電力を低減する必要がある。このた
めに、パワースイッチとして、スレッショルド電圧Vt
hの高いP型MOSFET11及びN型MOSFET1
2を使用して、回路ブロック10へ電源を供給するよう
にしている。このP型MOSFET11及びN型MOS
FET12の使用により待機時のリーク電流は抑制され
ている。 【0005】 【発明が解決しようとする課題】この従来のICでは、
回路ブロック10のCMOSなどのMOSFETのスレ
ッショルド電圧Vthは低い値に設定されているのに対
して、パワースイッチとして使用されるP型MOSFE
T11及びN型MOSFET12のスレッショルド電圧
Vthは高い値に設定しなければならない。したがっ
て、このP型MOSFET11及びN型MOSFET1
2のみのスレッショルド電圧Vthを、他のMOSFE
Tのスレッショルド電圧Vthより高い値にするため
に、ICの製造工程において、特別にマスクを用意し、
余分のイオン打ち込み工程を必要とする。 【0006】本発明は、斯かる実情に鑑み、パワースイ
ッチとして使用される絶縁ゲート型電界効果トランジス
タ(以下、MOSFETとして、説明する)を、他の回
路ブロックのMOSFETと同一の工程で製造可能なも
のとし、かつそのスレッショルド電圧を高くして、待機
時の消費電力を低減したICを提供することを目的とす
る。 【0007】 【課題を解決するための手段】本発明の請求項1記載の
ICは、トランジスタ回路ブロックへ電源を供給する電
源供給用トランジスタスイッチを有するICにおいて、
前記電源供給用トランジスタスイッチをMOSFETと
し、そのMOSFETのゲートに一側が接続されたコン
デンサと、前記MOSFETのゲートに一側が接続され
た強誘電体コンデンサとを備えて構成していることを特
徴としている。 【0008】この請求項1記載のICによれば、電源供
給用トランジスタスイッチをMOSFETとし、そのM
OSFETのゲートに一側が接続されたコンデンサと、
前記MOSFETのゲートに一側が接続された強誘電体
コンデンサとを備えて構成しているから、これらコンデ
ンサ及び強誘電体コンデンサの他側間に所定極性の電圧
を印加して、強誘電体コンデンサを特定方向に分極させ
ることにより、電源供給用トランジスタスイッチのMO
SFETのスレッショルド電圧を高くすることができ
る。したがって、電源供給用トランジスタスイッチのM
OSFETを、トランジスタ回路ブロックのトランジス
タと同一の製造工程により形成することができ、かつ電
源供給用トランジスタスイッチのMOSFETのリーク
電流を小さくし、待機時の消費電力を低減することがで
きる。 【0009】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図を
参照して説明する。 【0010】図1は、本発明の実施の形態にかかる、I
Cの回路構成を示す図である。図1において、トランジ
スタ回路ブロック10は、多数のCMOSFETなどで
構成されており、電力消費を低減するために電源電位V
ccとグランド電位Vgnd間の電源電圧は、低い電
圧、例えば1v〜2vとされている。この電源電圧が低
い値とされることによるトランジスタ回路の動作が遅延
することを避けるために、内部のトランジスタのスレッ
ショルド電圧Vthを低い値(低Vth)に設定してい
る。これにより電源電位Vccを低い値としても、トラ
ンジスタ回路ブロック10の動作時間が遅延することを
防止している。 【0011】電源供給用トランジスタスイッチ回路20
は、電源電位Vccとトランジスタ回路ブロック10と
の間に接続され、そのオンによりトランジスタ回路ブロ
ック10に電源を供給し、オフにより電源供給を停止す
る。電源供給用トランジスタスイッチ回路30は、トラ
ンジスタ回路ブロック10とグランド電位Vgndとの
間に接続され、そのオンによりトランジスタ回路ブロッ
ク10に電源を供給し、オフにより電源供給を停止す
る。 【0012】このトランジスタスイッチ回路20は、P
型MOSFET21と、そのゲートG1と第1入力端子
22との間にコンデンサC1が接続され、またそのゲー
トG1と第2入力端子23との間に強誘電体コンデンサ
Cf1が接続されている。同様に、トランジスタスイッ
チ回路30は、N型MOSFET31と、そのゲートG
2と第1入力端子32との間にコンデンサC2が接続さ
れ、またそのゲートG2と第2入力端子33との間に強
誘電体コンデンサCf1が接続されている。 【0013】なお、コンデンサC1、C2及び強誘電体
コンデンサCf1、Cf2は、第1入力端子22、32
及び第2入力端子23、33に接続されるとしている
が、これら第1、第2入力端子22〜33は説明の便宜
上設けたものであり、これら入力端子を設けることな
く、IC内の他の回路素子などに接続することができ
る。 【0014】これらP型MOSFET21及びN型MO
SFET31は、トランジスタ回路ブロック10の内部
のMOSFETと同時に作り込まれており、したがって
それ自体のスレッショルド電圧Vthはやはり低い値
(低Vth)になっている。 【0015】この図1に示したICを使用するに際し
て、まず、トランジスタスイッチ回路20及びトランジ
スタスイッチ回路30のイニシャライズを行う。 【0016】このイニシャライズは、図2に示されるよ
うに、第2入力端子23に電源電位Vccなどの高電位
(Hレベル)を印加し、第1入力端子22にグランド電
位Vgndなどの低電位(Lレベル)を印加する。強誘
電体コンデンサCf1はその分極特性にヒステリシスを
有しているから、電圧を印加した後に電圧を零としても
電圧の印加方向に応じた極性の自発残留分極を持つ。こ
の場合には、第2入力端子23にHレベル、第1入力端
子22にLレベルを印加するから、強誘電体コンデンサ
Cf1は図中矢印の方向に自発残留分極が発生し、強誘
電体コンデンサCf1とコンデンサC1との中点、即ち
P型MOSFET21のゲートG1にその自発残留分極
に応じた正電荷が発生し、蓄積される。このゲートG1
に蓄積された正電荷は、第1入力端子22,第2入力端
子23への電圧印加を中止しても、残留し続ける。 【0017】また、第1入力端子32に高電位(Hレベ
ル)で第2入力端子33に低電位(Lレベル)を印加す
ることにより、強誘電体コンデンサCf2は図中矢印の
方向に自発残留分極が発生し、コンデンサC2と強誘電
体コンデンサCf2との中点、即ちN型MOSFET3
1のゲートG2にその自発残留分極に応じた負電荷が発
生し、蓄積される。このゲートG2に蓄積された負電荷
は、第1入力端子32、第2入力端子33への電圧印加
を中止しても、残留し続ける。 【0018】したがって、一度イニシャライズした後
は、強誘電体コンデンサCf1、強誘電体コンデンサC
f2の自発残留分極は保持されるので、第2入力端子2
3、33はオープン状態にしておくことでよい。 【0019】このように、P型MOSFET21のゲー
トG1に正電荷が、N型MOSFET31のゲートG2
に負電荷が蓄積されている状態では、それぞれのスレッ
ショルド電圧Vthは、蓄積されている電荷に応じて高
い値(高Vth)として振る舞うことになる。 【0020】図3は、本発明の電源供給用トランジスタ
スイッチ回路におけるゲート電圧−ドレイン電流の特性
について、実験した結果を示す特性図である。この特性
図は、N型MOSFETを用いたトランジスタスイッチ
回路におけるもので、図1,図2でのトランジスタスイ
ッチ回路30に相当する。 【0021】図3において、イニシャライズ前の特性、
即ちN型MOSFETそのものの特性と、イニシャライ
ズ後の特性、即ちN型MOSFETのゲートに負電荷を
蓄積した後の特性とを比較する。その比較の結果は、図
から明白なように、イニシャライズ後の特性が、イニシ
ャライズ前の特性をゲート電圧を大きくした方向に全体
としてシフトしている。そのシフト量は、この実験例で
は約350mVである。 【0022】このように、トランジスタスイッチ回路に
おけるゲート電圧−ドレイン電流の特性が、イニシャラ
イズによって、シフトしていることは、取りも直さず、
スレッショルド電圧Vthが約350mVだけ高くなっ
ていることを示している。 【0023】なお、P型MOSFETを用いたトランジ
スタスイッチ回路でも、同様のことがいえるから、トラ
ンジスタスイッチ回路20及びトランジスタスイッチ回
路30を直列に用いることにより、スレッショルド電圧
Vthは等価的にさらに高いものとなる。 【0024】さて、トランジスタスイッチ回路20、3
0がイニシャライズされた後、このICを動作させるに
は、図4のように、第1入力端子22にLレベルを印加
すると、ゲートG1の正電荷はLレベルが印加されてい
る間、コンデンサC1に吸収され、ゲートG1は十分に
低電位になり、P型MOSFET21は完全にオンす
る。このとき、第1入力端子32にはHレベルが印加さ
れ、ゲートG2の負電荷はHレベルが印加されている
間、コンデンサC2に吸収され、ゲートG2は十分に高
電位になり、N型MOSFET31は完全にオンする。 【0025】このオン時のP型MOSFET21、N型
MOSFET31の電圧降下、即ちオン電圧は、スレッ
ショルド電圧Vthに関わらず、非常に低い電圧に設定
できるから、トランジスタ回路ブロック10にはほぼ電
源電位Vccが供給され、何らの支障なく動作する。 【0026】次に、このICを待機状態(スタンバイ状
態)にする場合には、図5のように、第1入力端子22
にHレベルを印加する。ゲートG1には、動作時にコン
デンサC1に吸収されていた正電荷が再び回復し、P型
MOSFET21のスレッショルド電圧Vthは高い値
(高Vth)になる。そして、第1入力端子22にHレ
ベルが印加されているから、P型MOSFET21はオ
フ状態となる。このP型MOSFET21のスレッショ
ルド電圧Vthは高い値となっているから、リーク電流
は低い値に抑制される。このとき、第1入力端子32に
は、Lレベルが印加される。ゲートG2には、動作時に
コンデンサC2に吸収されていた負電荷が再び回復し、
N型MOSFET31のスレッショルド電圧Vthは高
い値(高Vth)になる。そして、第1入力端子32に
Lレベルが印加されているから、N型MOSFET31
はオフ状態となり、そのスレッショルド電圧Vthは高
い値となっているから、リーク電流は低い値に抑制され
る。 【0027】一旦、イニシャライズを行った後は、P型
MOSFET21のゲートG1及びN型MOSFET3
1のゲートG2の正電荷及び負電荷は保持されるから、
動作状態及び待機状態を繰り返し行うことができる。 【0028】このように待機時のP型MOSFET2
1,N型MOSFET31のリーク電流は小さい値に抑
制されるから、トランジスタ回路ブロック10の内部の
トランジスタのスレッショルド電圧Vthを低い値(低
Vth)に設定していても、ICの待機時の消費電力は
小さい値に抑制することができる。 【0029】なお、以上の実施の形態では、トランジス
タスイッチ回路20とトランジスタスイッチ回路30の
両方を用いることとして説明しているが、いずれか一方
のみを用いてトランジスタ回路ブロック10への電源供
給を行うこととしてもよい。また、トランジスタスイッ
チ回路20及びトランジスタスイッチ回路30は、トラ
ンジスタ回路ブロック10の数に対応してそれぞれ設け
ることができる。 【0030】本発明では、コンデンサC1,C2及び強
誘電体コンデンサCf1,Cf2が必要となるが、コン
デンサはICにおいて通常の手法で形成することができ
るし、また、強誘電体コンデンサは強誘電体メモリ用に
設けられている強誘電体素子を流用するなどしてもよい
し、別に設けることもできる。 【0031】 【発明の効果】本発明の半導体集積回路装置によれば、
電源供給用トランジスタスイッチをMOSFETとし、
そのMOSFETのゲートに一側が接続されたコンデン
サと、前記MOSFETのゲートに一側が接続された強
誘電体コンデンサとを備えて構成しているから、これら
コンデンサ及び強誘電体コンデンサの他側間に所定極性
の電圧を印加して、強誘電体コンデンサを特定方向に分
極させることにより、電源供給用トランジスタスイッチ
のMOSFETのスレッショルド電圧を高くすることが
できる。したがって、電源供給用トランジスタスイッチ
のMOSFETを、トランジスタ回路ブロックのトラン
ジスタと同一の製造工程により形成することができ、か
つ電源供給用トランジスタスイッチのMOSFETのリ
ーク電流を小さくし、待機時の消費電力を低減すること
ができる。
ンジスタスイッチを有する半導体集積回路装置(IC)
に関するものである。 【0002】 【従来の技術】一般に、ICはMOSFETなどのトラ
ンジスタを多数含んで構成されるが、携帯機器などに適
用されるICにおいては、その消費電力を制限すること
が特に求められている。 【0003】図6は、消費電力を削減した従来のICの
回路構成を示す図である。この従来のICでは、消費電
力を低減するために、その電源電位Vccを例えば3v
の低い値としている。なお、Vgndはグランド電位で
ある。消費電力は電源電圧の2乗に比例するから、電源
電位Vccを低くすることにより、消費電力の削減に有
効である。ただ、電源電圧Vccの低下に伴い、CMO
Sなどで構成されるトランジスタ回路ブロック10にお
けるトランジスタ回路の回路遅延が増大してしまうか
ら、この回路遅延の増加を避けるために、電源電圧の低
下に対応して、回路ブロック10のトランジスタ、例え
ばCMOSFETのスレッショルド電圧Vthも低下さ
せている。これにより回路遅延を増大させずに消費電力
を削減している。 【0004】しかし、このようにスレッショルド電圧V
thを低下させると、オフしているMOSFETのリー
ク電流が増える結果、待機時電力が増大することになる
から、待機時の消費電力を低減する必要がある。このた
めに、パワースイッチとして、スレッショルド電圧Vt
hの高いP型MOSFET11及びN型MOSFET1
2を使用して、回路ブロック10へ電源を供給するよう
にしている。このP型MOSFET11及びN型MOS
FET12の使用により待機時のリーク電流は抑制され
ている。 【0005】 【発明が解決しようとする課題】この従来のICでは、
回路ブロック10のCMOSなどのMOSFETのスレ
ッショルド電圧Vthは低い値に設定されているのに対
して、パワースイッチとして使用されるP型MOSFE
T11及びN型MOSFET12のスレッショルド電圧
Vthは高い値に設定しなければならない。したがっ
て、このP型MOSFET11及びN型MOSFET1
2のみのスレッショルド電圧Vthを、他のMOSFE
Tのスレッショルド電圧Vthより高い値にするため
に、ICの製造工程において、特別にマスクを用意し、
余分のイオン打ち込み工程を必要とする。 【0006】本発明は、斯かる実情に鑑み、パワースイ
ッチとして使用される絶縁ゲート型電界効果トランジス
タ(以下、MOSFETとして、説明する)を、他の回
路ブロックのMOSFETと同一の工程で製造可能なも
のとし、かつそのスレッショルド電圧を高くして、待機
時の消費電力を低減したICを提供することを目的とす
る。 【0007】 【課題を解決するための手段】本発明の請求項1記載の
ICは、トランジスタ回路ブロックへ電源を供給する電
源供給用トランジスタスイッチを有するICにおいて、
前記電源供給用トランジスタスイッチをMOSFETと
し、そのMOSFETのゲートに一側が接続されたコン
デンサと、前記MOSFETのゲートに一側が接続され
た強誘電体コンデンサとを備えて構成していることを特
徴としている。 【0008】この請求項1記載のICによれば、電源供
給用トランジスタスイッチをMOSFETとし、そのM
OSFETのゲートに一側が接続されたコンデンサと、
前記MOSFETのゲートに一側が接続された強誘電体
コンデンサとを備えて構成しているから、これらコンデ
ンサ及び強誘電体コンデンサの他側間に所定極性の電圧
を印加して、強誘電体コンデンサを特定方向に分極させ
ることにより、電源供給用トランジスタスイッチのMO
SFETのスレッショルド電圧を高くすることができ
る。したがって、電源供給用トランジスタスイッチのM
OSFETを、トランジスタ回路ブロックのトランジス
タと同一の製造工程により形成することができ、かつ電
源供給用トランジスタスイッチのMOSFETのリーク
電流を小さくし、待機時の消費電力を低減することがで
きる。 【0009】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図を
参照して説明する。 【0010】図1は、本発明の実施の形態にかかる、I
Cの回路構成を示す図である。図1において、トランジ
スタ回路ブロック10は、多数のCMOSFETなどで
構成されており、電力消費を低減するために電源電位V
ccとグランド電位Vgnd間の電源電圧は、低い電
圧、例えば1v〜2vとされている。この電源電圧が低
い値とされることによるトランジスタ回路の動作が遅延
することを避けるために、内部のトランジスタのスレッ
ショルド電圧Vthを低い値(低Vth)に設定してい
る。これにより電源電位Vccを低い値としても、トラ
ンジスタ回路ブロック10の動作時間が遅延することを
防止している。 【0011】電源供給用トランジスタスイッチ回路20
は、電源電位Vccとトランジスタ回路ブロック10と
の間に接続され、そのオンによりトランジスタ回路ブロ
ック10に電源を供給し、オフにより電源供給を停止す
る。電源供給用トランジスタスイッチ回路30は、トラ
ンジスタ回路ブロック10とグランド電位Vgndとの
間に接続され、そのオンによりトランジスタ回路ブロッ
ク10に電源を供給し、オフにより電源供給を停止す
る。 【0012】このトランジスタスイッチ回路20は、P
型MOSFET21と、そのゲートG1と第1入力端子
22との間にコンデンサC1が接続され、またそのゲー
トG1と第2入力端子23との間に強誘電体コンデンサ
Cf1が接続されている。同様に、トランジスタスイッ
チ回路30は、N型MOSFET31と、そのゲートG
2と第1入力端子32との間にコンデンサC2が接続さ
れ、またそのゲートG2と第2入力端子33との間に強
誘電体コンデンサCf1が接続されている。 【0013】なお、コンデンサC1、C2及び強誘電体
コンデンサCf1、Cf2は、第1入力端子22、32
及び第2入力端子23、33に接続されるとしている
が、これら第1、第2入力端子22〜33は説明の便宜
上設けたものであり、これら入力端子を設けることな
く、IC内の他の回路素子などに接続することができ
る。 【0014】これらP型MOSFET21及びN型MO
SFET31は、トランジスタ回路ブロック10の内部
のMOSFETと同時に作り込まれており、したがって
それ自体のスレッショルド電圧Vthはやはり低い値
(低Vth)になっている。 【0015】この図1に示したICを使用するに際し
て、まず、トランジスタスイッチ回路20及びトランジ
スタスイッチ回路30のイニシャライズを行う。 【0016】このイニシャライズは、図2に示されるよ
うに、第2入力端子23に電源電位Vccなどの高電位
(Hレベル)を印加し、第1入力端子22にグランド電
位Vgndなどの低電位(Lレベル)を印加する。強誘
電体コンデンサCf1はその分極特性にヒステリシスを
有しているから、電圧を印加した後に電圧を零としても
電圧の印加方向に応じた極性の自発残留分極を持つ。こ
の場合には、第2入力端子23にHレベル、第1入力端
子22にLレベルを印加するから、強誘電体コンデンサ
Cf1は図中矢印の方向に自発残留分極が発生し、強誘
電体コンデンサCf1とコンデンサC1との中点、即ち
P型MOSFET21のゲートG1にその自発残留分極
に応じた正電荷が発生し、蓄積される。このゲートG1
に蓄積された正電荷は、第1入力端子22,第2入力端
子23への電圧印加を中止しても、残留し続ける。 【0017】また、第1入力端子32に高電位(Hレベ
ル)で第2入力端子33に低電位(Lレベル)を印加す
ることにより、強誘電体コンデンサCf2は図中矢印の
方向に自発残留分極が発生し、コンデンサC2と強誘電
体コンデンサCf2との中点、即ちN型MOSFET3
1のゲートG2にその自発残留分極に応じた負電荷が発
生し、蓄積される。このゲートG2に蓄積された負電荷
は、第1入力端子32、第2入力端子33への電圧印加
を中止しても、残留し続ける。 【0018】したがって、一度イニシャライズした後
は、強誘電体コンデンサCf1、強誘電体コンデンサC
f2の自発残留分極は保持されるので、第2入力端子2
3、33はオープン状態にしておくことでよい。 【0019】このように、P型MOSFET21のゲー
トG1に正電荷が、N型MOSFET31のゲートG2
に負電荷が蓄積されている状態では、それぞれのスレッ
ショルド電圧Vthは、蓄積されている電荷に応じて高
い値(高Vth)として振る舞うことになる。 【0020】図3は、本発明の電源供給用トランジスタ
スイッチ回路におけるゲート電圧−ドレイン電流の特性
について、実験した結果を示す特性図である。この特性
図は、N型MOSFETを用いたトランジスタスイッチ
回路におけるもので、図1,図2でのトランジスタスイ
ッチ回路30に相当する。 【0021】図3において、イニシャライズ前の特性、
即ちN型MOSFETそのものの特性と、イニシャライ
ズ後の特性、即ちN型MOSFETのゲートに負電荷を
蓄積した後の特性とを比較する。その比較の結果は、図
から明白なように、イニシャライズ後の特性が、イニシ
ャライズ前の特性をゲート電圧を大きくした方向に全体
としてシフトしている。そのシフト量は、この実験例で
は約350mVである。 【0022】このように、トランジスタスイッチ回路に
おけるゲート電圧−ドレイン電流の特性が、イニシャラ
イズによって、シフトしていることは、取りも直さず、
スレッショルド電圧Vthが約350mVだけ高くなっ
ていることを示している。 【0023】なお、P型MOSFETを用いたトランジ
スタスイッチ回路でも、同様のことがいえるから、トラ
ンジスタスイッチ回路20及びトランジスタスイッチ回
路30を直列に用いることにより、スレッショルド電圧
Vthは等価的にさらに高いものとなる。 【0024】さて、トランジスタスイッチ回路20、3
0がイニシャライズされた後、このICを動作させるに
は、図4のように、第1入力端子22にLレベルを印加
すると、ゲートG1の正電荷はLレベルが印加されてい
る間、コンデンサC1に吸収され、ゲートG1は十分に
低電位になり、P型MOSFET21は完全にオンす
る。このとき、第1入力端子32にはHレベルが印加さ
れ、ゲートG2の負電荷はHレベルが印加されている
間、コンデンサC2に吸収され、ゲートG2は十分に高
電位になり、N型MOSFET31は完全にオンする。 【0025】このオン時のP型MOSFET21、N型
MOSFET31の電圧降下、即ちオン電圧は、スレッ
ショルド電圧Vthに関わらず、非常に低い電圧に設定
できるから、トランジスタ回路ブロック10にはほぼ電
源電位Vccが供給され、何らの支障なく動作する。 【0026】次に、このICを待機状態(スタンバイ状
態)にする場合には、図5のように、第1入力端子22
にHレベルを印加する。ゲートG1には、動作時にコン
デンサC1に吸収されていた正電荷が再び回復し、P型
MOSFET21のスレッショルド電圧Vthは高い値
(高Vth)になる。そして、第1入力端子22にHレ
ベルが印加されているから、P型MOSFET21はオ
フ状態となる。このP型MOSFET21のスレッショ
ルド電圧Vthは高い値となっているから、リーク電流
は低い値に抑制される。このとき、第1入力端子32に
は、Lレベルが印加される。ゲートG2には、動作時に
コンデンサC2に吸収されていた負電荷が再び回復し、
N型MOSFET31のスレッショルド電圧Vthは高
い値(高Vth)になる。そして、第1入力端子32に
Lレベルが印加されているから、N型MOSFET31
はオフ状態となり、そのスレッショルド電圧Vthは高
い値となっているから、リーク電流は低い値に抑制され
る。 【0027】一旦、イニシャライズを行った後は、P型
MOSFET21のゲートG1及びN型MOSFET3
1のゲートG2の正電荷及び負電荷は保持されるから、
動作状態及び待機状態を繰り返し行うことができる。 【0028】このように待機時のP型MOSFET2
1,N型MOSFET31のリーク電流は小さい値に抑
制されるから、トランジスタ回路ブロック10の内部の
トランジスタのスレッショルド電圧Vthを低い値(低
Vth)に設定していても、ICの待機時の消費電力は
小さい値に抑制することができる。 【0029】なお、以上の実施の形態では、トランジス
タスイッチ回路20とトランジスタスイッチ回路30の
両方を用いることとして説明しているが、いずれか一方
のみを用いてトランジスタ回路ブロック10への電源供
給を行うこととしてもよい。また、トランジスタスイッ
チ回路20及びトランジスタスイッチ回路30は、トラ
ンジスタ回路ブロック10の数に対応してそれぞれ設け
ることができる。 【0030】本発明では、コンデンサC1,C2及び強
誘電体コンデンサCf1,Cf2が必要となるが、コン
デンサはICにおいて通常の手法で形成することができ
るし、また、強誘電体コンデンサは強誘電体メモリ用に
設けられている強誘電体素子を流用するなどしてもよい
し、別に設けることもできる。 【0031】 【発明の効果】本発明の半導体集積回路装置によれば、
電源供給用トランジスタスイッチをMOSFETとし、
そのMOSFETのゲートに一側が接続されたコンデン
サと、前記MOSFETのゲートに一側が接続された強
誘電体コンデンサとを備えて構成しているから、これら
コンデンサ及び強誘電体コンデンサの他側間に所定極性
の電圧を印加して、強誘電体コンデンサを特定方向に分
極させることにより、電源供給用トランジスタスイッチ
のMOSFETのスレッショルド電圧を高くすることが
できる。したがって、電源供給用トランジスタスイッチ
のMOSFETを、トランジスタ回路ブロックのトラン
ジスタと同一の製造工程により形成することができ、か
つ電源供給用トランジスタスイッチのMOSFETのリ
ーク電流を小さくし、待機時の消費電力を低減すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態にかかるICの回路構成を
示す図。 【図2】トランジスタスイッチ回路のイニシャライズを
行う状態を示す図。 【図3】トランジスタスイッチ回路のゲート電圧−ドレ
イン電流の特性を示す図。 【図4】ICの動作状態を示す図。 【図5】ICの待機状態を示す図。 【図6】消費電力を削減した従来のICの回路構成を示
す図。 【符号の説明】 10 トランジスタ回路ブロック 20 電源供給用トランジスタスイッチ回路 30 電源供給用トランジスタスイッチ回路 21 P型MOSFET 31 N型MOSFET 22、32 第1入力端子 23、33 第2入力端子 C1,C2 コンデンサ Cf1,Cf2 強誘電体コンデンサ G1、G2 ゲート
示す図。 【図2】トランジスタスイッチ回路のイニシャライズを
行う状態を示す図。 【図3】トランジスタスイッチ回路のゲート電圧−ドレ
イン電流の特性を示す図。 【図4】ICの動作状態を示す図。 【図5】ICの待機状態を示す図。 【図6】消費電力を削減した従来のICの回路構成を示
す図。 【符号の説明】 10 トランジスタ回路ブロック 20 電源供給用トランジスタスイッチ回路 30 電源供給用トランジスタスイッチ回路 21 P型MOSFET 31 N型MOSFET 22、32 第1入力端子 23、33 第2入力端子 C1,C2 コンデンサ Cf1,Cf2 強誘電体コンデンサ G1、G2 ゲート
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(56)参考文献 特開 平6−29834(JP,A)
特開 平11−330390(JP,A)
特開 平11−340806(JP,A)
特開2001−168209(JP,A)
特開 平5−235348(JP,A)
特開 平11−40759(JP,A)
特開2003−92533(JP,A)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
H01L 21/822
H01L 27/04
H02M 1/08
H03K 17/22
H03K 19/00
H01L 27/06
H01L 27/105
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 トランジスタ回路ブロックへ電源を供給
する電源供給用トランジスタスイッチを有する半導体集
積回路装置において、前記電源供給用トランジスタスイ
ッチを絶縁ゲート型電界効果トランジスタとし、その絶
縁ゲート型電界効果トランジスタのゲートに一側が接続
されたコンデンサと、前記絶縁ゲート型電界効果トラン
ジスタのゲートに一側が接続された強誘電体コンデンサ
とを備えて構成していることを特徴とする半導体集積回
路装置。
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- 2001-10-15 JP JP2001316700A patent/JP3522248B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2002
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2004
- 2004-09-01 US US10/932,643 patent/US7012460B2/en not_active Expired - Fee Related
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