JP2002170910A - 接続材料 - Google Patents
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Abstract
接続する際に、ショルダータッチ現象を生じさせないよ
うに接続する。 【解決手段】 フィルム状のフレキシブル回路基板3と
ベアICチップ4とを接続するための接続材料として、
絶縁性接着剤とその中に分散された鱗片状又は繊維状の
絶縁性フィラーとを含むものを使用する。ここで、鱗片
状又は繊維状の絶縁性フィラーのアスペクト比は少なく
とも20である。
Description
基板とベアICチップとを接続するための接続材料であ
って、ショルダータッチ現象を実質的に生じさせない接
続材料に関する。
に、ドライバICをテープ状基板に搭載したテープキャ
リアパッケージ(TCP)が従来使用されていたが、配
線の狭ピッチ化に対応できるようにすると共に液晶表示
素子モジュールへの組み込みの際の加工操作を容易化で
きるようにするために、TCP用のテープ状基板よりも
更に薄いフィルム状のフレキシブル回路基板の導体パタ
ーンに、ベアICチップをフェイスダウン式に直接実装
すること(CHIP ON FILM (COF))が行われるように
なっている。
示すように、絶縁性フィルム1とその上に形成された導
体パターン2とからなるフィルム状のフレキシブル回路
基板3の当該導体パターン2に対し、ベアICチップ4
のバンプ5を位置合わせし、両者の間に、熱硬化性接着
フィルム中に異方性導電接続用導電粒子を分散させてな
る異方性導電フィルム6を挟持させて熱圧着することが
行われている。
フィルム6を用いてベアICチップ4を接続すると、フ
ィルム状のフレキシブル回路基板3の絶縁性フィルム1
が接続後に熱収縮し、図4に示すように、ベアICチッ
プ4の外側に位置するフレキシブル回路基板3がベアI
Cチップ4側に反るという現象が生ずる。従来は、ベア
ICチップ4のバンプ高さが20μm程度あるために、
ベアICチップ4とフレキシブル回路基板3の導体パタ
ーン2とが接触することがなかった。
更に微細化するにつれ、端子数が増加し、端子の狭ピッ
チ化がますます進行し、ベアICチップのバンプ径が小
さくなると共に、バンプ高さも従来の半分程度に非常に
低くなってきているため、図5に示すように、ベアIC
チップ4とフレキシブル回路基板3の導体パターン2と
が接触する場合が生ずる。ベアICチップ4の下面には
パッシべーション膜7が形成されているので接触しても
ショートすることはないが、ウエハからベアICチップ
4を切り出すために設けられるスクライブライン部分8
にはパッシべーション膜7を形成できないために、特
に、ベアICチップ4のショルダーエッジ部9でショー
トしてしまう場合(ショルダータッチ現象)があり、隣
接する導体パターン2の絶縁抵抗値が大きく低下すると
いう問題がある。
Cチップとを接続する際に、ショルダータッチ現象を生
じさせない接続材料を提供することを目的とする。
のフレキシブル回路基板とベアICチップとを接続する
ための接続材料の中に、鱗片状又は繊維状の絶縁性フィ
ラーを配合することにより、本発明の目的を達成できる
ことを見出し、本発明を完成させるに至った。
ベアICチップとを接続するための接続材料であって、
絶縁性接着剤とその中に分散された鱗片状又は繊維状の
絶縁性フィラーとを含むことを特徴とする接続材料を提
供する。
板とベアICチップとを接続するためのものであって、
絶縁性接着剤中に鱗片状又は繊維状の絶縁性フィラーが
分散したものである。鱗片状又は繊維状の絶縁性フィラ
ー10は、図1に示すように、ベアICチップ4のショ
ルダーエッジ部9と、フレキシブル回路基板3の導体パ
ターン2との間に挟まれたときに、押し出されることな
くその場に止まり易いので、両者の直接的な接触(ショ
ルダータッチ現象)を防止することができる。なお、球
状の絶縁性フィラーの場合には、それらの間に挟まれた
ときに非常に移動し易いので、ショルダータッチ現象を
防止することができない。
性フィラー10としては、ベアICチップ4のショルダ
ーエッジ部9とフレキシブル回路基板3の導体パターン
2との間に押し出されることなく挟まれ易くするため
に、アスペクト比が好ましくは少なくとも20以上、よ
り好ましくは30以上のものを使用する。ここで、アス
ペクト比は、鱗片状絶縁性フィラーの場合には、図2
(a)に示すように、厚みをtとし、平面の大きさ(平
面を円に近似したときの直径に相当)をΦとしたとき
に、Φ/tで定義される比であり、一方、繊維状絶縁性
フィラーの場合には、図2(b)に示すように、径をh
とし、長さをLとしたときに、L/hで定義される比で
ある。
を前提として、接続材料に異方性接続用導電粒子を配合
した場合に、その導電粒子による電気的接続を阻害して
不具合が発生しないようにするために、鱗片状絶縁性フ
ィラーの厚み(t)は3μm以下が好ましく、平面の大
きさ(Φ)は60μm以下とすることが好ましい。ま
た、繊維状絶縁性フィラーの径(h)は1μm以下が好
ましく、長さ(L)は20μm以下とすることが好まし
い。
の具体例としては、マイカ、タルク、ベントナイト等を
挙げることができ、中でも充填性、電気絶縁性の点でマ
イカが好ましい。また、繊維状絶縁性フィラーの具体例
としては、チタン酸カリウムウィスカ、ガラス繊維、ホ
ウ酸アルミニウムウィスカ、アラミド繊維、炭化ケイ素
ウィスカ等を挙げることができ、中でも入手容易性、配
合物の物性の点でチタン酸カリウムウィスカが好まし
い。
合量は、少なすぎるとショルダータッチ現象の防止効果
が十分でなく、多すぎると電気的接続の妨げとなるの
で、絶縁性接着剤等の絶縁性フィラー以外の成分100
重量部に対して絶縁性フィラーを好ましくは5〜95重
量部、より好ましくは20〜90重量部である。
としては、従来よりフレキシブル回路基板とベアICチ
ップとを接続するために用いられている絶縁性接着剤を
使用することができる。そのような絶縁性接着剤は、種
々の熱硬化性樹脂、例えば、mアクリル酸エステル重合
体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、エチレン
−アクリル酸共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合
体、ポリエチレン、エチレン−プロピレン共重合体、ア
クリロニトリル−ブタジエン共重合体、スチレン−ブタ
ジエンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチ
レンブロック共重合体、カルボキシル化スチレン−エチ
レン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、エポキ
シ化スチレン−エチレン−ブタジエン−スチレンブロッ
ク共重合体、スチレン−イソプレンブロック共重合体、
ポリブタジエン、エチレン−スチレン−ブチレンブロッ
ク共重合体、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマ
ール、フェノキシ樹脂、ポリエステル、ポリウレタン、
ポリアミド、ポリビニルアセタール、ポリビニルエーテ
ル、ポリサルフォン、NBR、SBR、クロロプレンゴ
ム、シアネートエステル重合体、エポキシ樹脂、シリコ
ーン樹脂、フェノール樹脂等から構成することができ
る。あるいは光硬化性樹脂も使用することができる。こ
れらは単独であるいは2種以上併用して用いることもで
き、必要に応じて硬化剤や硬化触媒も使用することがで
きる。
剤、例えば粘着付与剤、老化防止剤、分散剤等を必要に
応じて配合することができる。粘着付与剤としては、テ
ルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、ロジン類、キシ
レン樹脂、アルキルフェノール樹脂、ジシクロペンタジ
エン樹脂、クロマン樹脂、芳香族系石油樹脂等が挙げら
れる。老化防止剤としては、アルキルフェノール類、メ
ルカプト類、ホスファイト類、アミン類が挙げられる。
また、分散剤としては、ノニオン系、カチオン系、アニ
オン系、両性の界面活性剤が挙げられる。
機能させる場合には、異方性接続用導電粒子を含有させ
る。このような異方性接続用導電粒子としては、従来よ
り異方性導電接続の際に使用されているものを利用で
き、例えば、金、ニッケル、半田などの金属粒子、樹脂
ポリマー核を金属メッキ被覆した粒子や更に金属メッキ
の表面を絶縁被覆した粒子等を使用することができる。
これらの導電性粒子の粒径は、適宜選択することができ
る。
配合量は、少なすぎると確実な導通が確保しにくくな
り、多すぎると粒子同士が接触して異方性接続が困難に
なることも予想されるので、異方性導電接続用導電粒子
を配合する前の接続材料100重量部に対して、異方性
導電接続用導電粒子を1〜20重量部、好ましくは3〜
12重量部とする。
片状又は繊維状絶縁性フィラーを常法により分散させる
ことにより製造することができる。また、更に、異方性
接続用導電粒子も分散させることにより、異方性導電接
続材料を製造することができる。これらの接続材料の使
用形態としては、必要に応じて、フィルムとして、ペー
ストとして、あるいは高粘性液体として使用することが
できる。
を用いて、フレキシブル回路基板とベアICチップとを
接続して得られる接続構造体は、ショルダータッチ現象
が防止された、接続信頼性の高いものとなる。ここで、
フレキシブル回路基板とベアICチップとしては、従来
のフレキシブル回路基板とベアICチップと同様のもの
を使用することができるが、特にバンプ高さが低いベア
ICチップや配線ピッチが狭いフレキシブル回路基板も
使用することができる。
る。
より均一に混合し、得られた混合物を、シリコーン処理
を施したポリエチレンテレフタレートフィルムに乾燥厚
が30μmとなるように塗工し、乾燥することにより異
方性導電接続フィルムを作製した。
プピッチが85μmのICチップ(チップサイズ6.3
mm角;メッキバンプサイズ45×45μm、バンプ間
隔40μm、バンプ高さ10μm)と、12μm厚の銅
パターン端子(Ni/Auメッキあり)が設けられた2
5μm厚のポリイミド絶縁フィルム上との間に位置合わ
せをして挟み込み、190℃の温度、160Nの圧力で
10秒間圧着し、接続構造体を得た。得られた接続構造
体について、4端子法により銅パターン端子の初期接触
抵抗値とICチップと銅パターン端子との間の絶縁抵抗
値とを判定した。得られた結果を表2に示す。
用的には100mΩ以下であることが望まれる。また、
絶縁抵抗値は高いほど好ましく、実用的には1×106
Ω以上であることが望まれる。
絶縁性フィラーを含有する実施例1〜7の接続材料は、
初期接触抵抗及び絶縁抵抗の双方の値とも実用上好まし
いものであった。
を含有せず、球状絶縁性フィラーを含有する比較例1〜
4の接続材料は、初期接触抵抗に関しては問題がない
が、絶縁抵抗については1×106Ωを下回っており、
ショルダータッチ現象が十分に防止できていないことが
分かる。
ル回路基板とベアICチップとを接続する際に、ショル
ダータッチ現象を生じさせないように接続することがで
きる。
チップとフレキシブル回路基板とのショルダーエッジ部
の部分拡大図である。
の斜視図(a)と繊維状絶縁性フィラーの斜視図(b)
である。
ブル回路基板、4 ベアICチップ、5 バンプ、6
異方性導電フィルム、7 パッシべーション膜、8 ス
クライブライン部分、9 ショルダーエッジ部、10
絶縁性フィラー
Claims (8)
- 【請求項1】 フレキシブル回路基板とベアICチップ
とを接続するための接続材料であって、絶縁性接着剤と
その中に分散された鱗片状又は繊維状の絶縁性フィラー
とを含むことを特徴とする接続材料。 - 【請求項2】 鱗片状又は繊維状の絶縁性フィラーのア
スペクト比が少なくとも20である請求項1記載の接続
材料。 - 【請求項3】 鱗片状絶縁性フィラーがマイカである請
求項1又は2記載の接続材料。 - 【請求項4】 繊維状絶縁性フィラーがチタン酸カリウ
ムウィスカである請求項1又は2記載の接続材料。 - 【請求項5】 接続材料中に、絶縁性フィラー以外の成
分100重量部に対して絶縁性フィラーを20〜90重
量部含有する請求項1〜4のいずれかに記載の接続材
料。 - 【請求項6】 請求項1〜5のいずれかに記載の接続材
料100重量部に対して異方性導電接続用導電粒子を1
〜20重量部含有する異方性導電接続材料。 - 【請求項7】 請求項1〜5のいずれかに記載の接続材
料で、フレキシブル回路基板とベアICチップとが接続
されている接続構造体。 - 【請求項8】 請求項6の異方性導電接続材料で、フレ
キシブル回路基板とベアICチップとが接続されている
接続構造体。
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