JP2002151758A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2002151758A5
JP2002151758A5 JP2000347446A JP2000347446A JP2002151758A5 JP 2002151758 A5 JP2002151758 A5 JP 2002151758A5 JP 2000347446 A JP2000347446 A JP 2000347446A JP 2000347446 A JP2000347446 A JP 2000347446A JP 2002151758 A5 JP2002151758 A5 JP 2002151758A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
magnetic
ferromagnetic
alloy
magnetic field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000347446A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2002151758A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2000347446A priority Critical patent/JP2002151758A/ja
Priority claimed from JP2000347446A external-priority patent/JP2002151758A/ja
Publication of JP2002151758A publication Critical patent/JP2002151758A/ja
Publication of JP2002151758A5 publication Critical patent/JP2002151758A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2000347446A 2000-11-09 2000-11-09 強磁性トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁気抵抗効果型ヘッド Pending JP2002151758A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000347446A JP2002151758A (ja) 2000-11-09 2000-11-09 強磁性トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁気抵抗効果型ヘッド

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000347446A JP2002151758A (ja) 2000-11-09 2000-11-09 強磁性トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁気抵抗効果型ヘッド

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002151758A JP2002151758A (ja) 2002-05-24
JP2002151758A5 true JP2002151758A5 (enrdf_load_stackoverflow) 2005-08-18

Family

ID=18821173

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000347446A Pending JP2002151758A (ja) 2000-11-09 2000-11-09 強磁性トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁気抵抗効果型ヘッド

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002151758A (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6714446B1 (en) * 2003-05-13 2004-03-30 Motorola, Inc. Magnetoelectronics information device having a compound magnetic free layer
JP4665382B2 (ja) * 2003-09-08 2011-04-06 ソニー株式会社 磁気メモリ
JP4759911B2 (ja) * 2003-09-09 2011-08-31 ソニー株式会社 磁気記憶素子及び磁気メモリ
JP4742490B2 (ja) * 2003-09-09 2011-08-10 ソニー株式会社 磁気メモリ
WO2005098953A1 (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Nec Corporation 磁化方向制御方法、及びそれを応用したmram
JP4868198B2 (ja) 2004-08-19 2012-02-01 日本電気株式会社 磁性メモリ
WO2006022197A1 (ja) 2004-08-25 2006-03-02 Nec Corporation メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ
US7813164B2 (en) 2004-08-26 2010-10-12 Nec Corporation Magneto resistance element and magnetic random access memory
US7817462B2 (en) 2005-03-29 2010-10-19 Nec Corporation Magnetic random access memory
WO2007015355A1 (ja) * 2005-08-02 2007-02-08 Nec Corporation Mram
JP2007294737A (ja) 2006-04-26 2007-11-08 Hitachi Ltd トンネル磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ
JP2009026400A (ja) 2007-07-20 2009-02-05 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 差動磁気抵抗効果型磁気ヘッド
JP5383145B2 (ja) 2008-10-15 2014-01-08 エイチジーエスティーネザーランドビーブイ 磁気再生ヘッド
JP5734772B2 (ja) * 2011-07-04 2015-06-17 株式会社日立製作所 スピン蓄積素子、磁気ヘッド及び磁気記録装置
US9029965B2 (en) 2012-12-03 2015-05-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and system for providing magnetic junctions having a thermally stable and easy to switch magnetic free layer
US8890267B2 (en) 2012-12-03 2014-11-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and system for providing magnetic junctions having a graded magnetic free layer

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW538429B (en) Semiconductor memory device utilizing tunneling magneto resistive effect and method for manufacturing the same
JP3677455B2 (ja) 不揮発性磁気記憶装置およびその製造方法
US6956765B2 (en) Magneto-resistance effect element, magnetic memory and magnetic head
JP5068939B2 (ja) 磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルおよびその製造方法、ならびに磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイおよびその製造方法
JP2002151758A5 (enrdf_load_stackoverflow)
TW492185B (en) Nonvolatile semiconductor memory device and method for recording information
KR100954507B1 (ko) 자기저항 효과 소자 및 자기 메모리 장치
KR100408576B1 (ko) 기억 셀 어레이 및 그의 제조 방법
US20120155154A1 (en) Three-Dimensional Magnetic Random Access Memory With High Speed Writing
JP2006005356A (ja) 磁気トンネル接合素子およびその形成方法、磁気メモリ構造ならびにトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド
JPWO2011111473A1 (ja) 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
JP2003124446A (ja) マルチビット磁気メモリセル
US8456903B2 (en) Magnetic memory with porous non-conductive current confinement layer
JP2006032973A (ja) 磁気メモリセルおよびその製造方法ならびに磁気メモリセルアレイ
JP2007294737A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2005303298A (ja) 磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセル、磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイ、ならびに磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルの選択記録方法
JP2008218829A (ja) 磁気抵抗素子及びその製造方法
JP5147212B2 (ja) 磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ
US20060138509A1 (en) Magnetic random access memory with lower switching field through indirect exchange coupling
JP2008294420A (ja) 磁気抵抗素子及びその製造方法
JP2003197875A (ja) 磁気記憶装置
JP2007324172A (ja) 磁気メモリ装置及びその製造方法
KR100615089B1 (ko) 낮은 구동 전류를 갖는 자기 램
WO2011081051A1 (ja) 磁気メモリセル及び磁気メモリ
TW200306022A (en) Magnetic memory