JP2008218829A - 磁気抵抗素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】磁性層同士のショートを防ぐ。
【解決手段】磁気抵抗素子は、磁化の方向が固定された第１の固定層１３、第１の非磁性層１４、磁化の方向が変化する自由層１５、第２の非磁性層１６、磁化の方向が固定された第２の固定層１７が順に積層された積層体と、第２の非磁性層１６上で第２の固定層１７の側面に接しかつ第２の固定層１７を囲むように設けられ、かつ絶縁体からなる第１の側壁１９と、第１の非磁性層１４上で自由層１５及び第１の側壁１９の側面に接しかつ自由層１５及び第１の側壁１９を囲むように設けられ、かつ絶縁体からなる第２の側壁２０とを具備する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、磁気抵抗素子及びその製造方法に係り、例えば双方向に電流を供給することで情報を記録することが可能な磁気抵抗素子及びその製造方法に関する。

強磁性体を用いた磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ：Magnetic Random Access Memory）は、不揮発性、高速動作、大容量、低消費電力を備えた不揮発性メモリとして期待されている。ＭＲＡＭは、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ:Tunneling Magnetoresistive）効果を利用するＭＴＪ（Magnetic Tunnel Junction）素子を記憶素子として備え、このＭＴＪ素子の磁化状態により情報を記憶する。

従来型の配線電流による磁場でデータの書き込みを行うＭＲＡＭにおいては、ＭＴＪ素子サイズを縮小すると保持力が大きくなるために、書き込みに必要な電流が大きくなる傾向がある。この従来型ＭＲＡＭでは、大容量化に向けたセルサイズの微細化と低電流化の両立は困難である。

このような課題を克服する書き込み方式としてスピン角運動量移動（ＳＭＴ：Spin Momentum Transfer）書き込み方式を用いたスピン注入型ＭＲＡＭが提案されている。スピン注入型ＭＲＡＭでは、情報の書き込みは、ＭＴＪ素子に直接電流通電して、この電流の向きで自由層の磁化の方向を変化させることで行われる。また、自由層を挟むように配置された２つの固定層を具備するＭＴＪ素子では、スピントルクを増大させることができるため、ＭＴＪ素子の臨界電流密度を低減することができる。

このようなＭＴＪ素子を形成する場合、エッチング工程により、二重磁気トンネル接合をＭＴＪ素子ごとに分離する。しかし、接合分離の際のエッチングによる反応生成物が素子側面に付着して、自由層と固定層とがショートしてしまう。この自由層と固定層とのショートを回避するために、テーパーエッチングを行うことが考えられる。ところが、加工の断面形状がテーパー形状となり、固定層の２層化によるエッチング膜厚の増大化のためにテーパーエッチングにおける加工変換差が増大して、ＭＴＪ素子サイズが大きくなってしまう。

また、この種の関連技術として、ＭＴＪセルを形成する際に金属性ポリマー等の発生を防ぐことで、素子の特性及び信頼性を向上させる技術が開示されている（特許文献１参照）。
特開２００４−２１４６００号公報

本発明は、磁性層同士のショートを防ぐことが可能な磁気抵抗素子を提供する。

本発明の第１の視点に係る磁気抵抗素子は、磁化の方向が固定された第１の固定層、第１の非磁性層、磁化の方向が変化する自由層、第２の非磁性層、磁化の方向が固定された第２の固定層が順に積層された積層体と、前記第２の非磁性層上で前記第２の固定層の側面に接しかつ前記第２の固定層を囲むように設けられ、かつ絶縁体からなる第１の側壁と、前記第１の非磁性層上で前記自由層及び前記第１の側壁の側面に接しかつ前記自由層及び前記第１の側壁を囲むように設けられ、かつ絶縁体からなる第２の側壁とを具備する。

本発明の第２の視点に係る磁気抵抗素子の製造方法は、磁化の方向が固定された第１の固定層、第１の非磁性層、磁化の方向が変化する自由層、第２の非磁性層、磁化の方向が固定された第２の固定層を順に積層する工程と、前記第２の固定層上にハードマスクを形成する工程と、前記ハードマスクをマスクとして、前記第２の固定層をエッチングする工程と、前記第２の非磁性層上で前記第２の固定層の側面に、絶縁体からなる第１の側壁を形成する工程と、前記第１の側壁をマスクとして、前記第２の非磁性層及び前記自由層をエッチングする工程と、前記第１の非磁性層上で前記自由層及び前記第２の非磁性層の側面に、絶縁体からなる第２の側壁を形成する工程と、前記第２の側壁をマスクとして、前記第１の非磁性層及び前記第１の固定層をエッチングする工程とを具備する。

本発明によれば、磁性層同士のショートを防ぐことが可能な磁気抵抗素子を提供することができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。

図１は、本発明の一実施形態に係るＭＴＪ素子（磁気抵抗素子）１０の構成を示す平面図であり、図２は、図１に示したＩＩ−ＩＩ線に沿ったＭＴＪ素子１０の断面図である。

ＭＴＪ素子１０は、電流供給のために使用される配線に電気的に接続されたコンタクトプラグ１１上に設けられている。ＭＴＪ素子１０は、このコンタクトプラグ１１上に、下部電極１２、第１の固定層（或いは、ピン層ともいう）１３、第１のトンネルバリア層（非磁性層）１４、自由層（或いは、記録層ともいう）１５、第２のトンネルバリア層（非磁性層）１６、第２の固定層１７、上部電極１８が順に積層された積層構造を有する。

すなわち、本実施形態のＭＴＪ素子１０は、デュアルピン層構造（すなわち、自由層の両側にそれぞれ非磁性層を介して２つの固定層が配置される構造）を有する磁気抵抗素子の構成例である。ＭＴＪ素子１０の平面形状については特に限定されず、本実施形態では例えば円形を有している。

第１の固定層１３及び第２の固定層１７は、磁化（或いは、スピン）の方向が固定されている。また、第１の固定層１３と第２の固定層１７との容易磁化方向は、反平行（反対方向）に設定される。自由層１５は、磁化の方向が変化（反転）する。固定層１３、１７、及び自由層１５の容易磁化方向は膜面に垂直であってもよいし、膜面に平行であってもよい。

固定層１３、１７、及び自由層１５としては、強磁性体が用いられる。具体的には、固定層１３及び１７としてはそれぞれ、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、マンガン（Ｍｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）のうち１つ以上の元素を含む磁性体が用いられる。自由層１５としては、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）のうち１つ以上の元素を含む磁性体が用いられる。また、これらの磁性体に、ホウ素（Ｂ）などの元素を添加してもよい。下部電極１２、上部電極１８、及びコンタクトプラグ１１としては、タンタル（Ｔａ）などの導電体が用いられる。

第１のトンネルバリア層１４としては、酸化マグネシウム、或いは酸化アルミニウムなどの金属酸化物が用いられる。第２のトンネルバリア層１６としては、常磁性金属が用いられ、例えば銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、或いは銀（Ａｇ）が用いられる。第１のトンネルバリア層１４として金属酸化物を用いた場合には、ＴＭＲ効果を利用することができる。また、第２のトンネルバリア層１６として常磁性金属を用いた場合には、ＧＭＲ（Giant Magnetoresistive）効果を利用することが可能となる。ＭＲ比は、ＧＭＲに比べてＴＭＲの方が十分大きい。よって、データの読み出し時には、主にＴＭＲのＭＲ比を利用している。

なお、ＴＭＲ素子１０を構成する層は、積層順序が逆転していても構わない。この場合、第１のトンネルバリア層１４としては常磁性金属が用いられ、第２のトンネルバリア層１６としては金属酸化物が用いられる。また、トンネルバリア層１４及びトンネルバリア層１６それぞれに、金属酸化物を用いるようにしてもよい。この場合は、トンネルバリア層１４とトンネルバリア層１６とは、異なる膜厚に設定される。これは、データ読み出し時に、ＭＲ比に差を持たせるためである。

ＭＴＪ素子１０は、スピン注入型の磁気抵抗素子である。従って、ＭＴＪ素子１０に情報を書き込む、或いはＭＴＪ素子１０から情報を読み出す場合、ＭＴＪ素子１０は、膜面（或いは、積層面）に垂直な方向において、双方向に電流通電される。ＭＴＪ素子１０への情報の書き込みは、以下のように行われる。

固定層１３側から電子（すなわち、固定層１３から自由層１５へ向かう電子）を供給した場合、固定層１３の容易磁化方向と同じ方向にスピン偏極された電子と、固定層１７により反射されることで固定層１７の容易磁化方向と反対方向にスピン偏極された電子とが自由層１５に注入される。この場合、自由層１５の磁化の方向は、固定層１３の容易磁化方向と同じ方向に揃えられる。これにより、固定層１３と自由層１５との磁化の方向が平行配列となる。この平行配列のときはＭＴＪ素子１０の抵抗値は最も小さくなり、この場合をデータ“０”と規定する。

一方、固定層１７側から電子（すなわち、固定層１７から自由層１５へ向かう電子）を供給した場合、固定層１７の容易磁化方向と同じ方向にスピン偏極された電子と、固定層１３により反射されることで固定層１３の容易磁化方向と反対方向にスピン偏極された電子とが自由層１５に注入される。この場合、自由層１５の磁化の方向は、固定層１３の容易磁化方向と反対方向に揃えられる。これにより、固定層１３と自由層１５との磁化の方向が反平行配列となる。この反平行配列のときはＭＴＪ素子１０の抵抗値は最も大きくなり、この場合をデータ“１”と規定する。

次に、データの読み出しは、以下のように行われる。ＭＴＪ素子１０に読み出し電流を供給する。この読み出し電流は、自由層１５の磁化の方向が反転しない値（書き込み電流よりも小さい値）に設定される。この時のＭＴＪ素子１０の抵抗値の変化をセンスアンプにより検出する。

ところで、ＭＴＪ素子１０に含まれる積層構造（固定層１３、トンネルバリア層１４、自由層１５、トンネルバリア層１６、固定層１７を含む）は、その断面形状が階段状を有している。そして、階段状の積層構造の２つの段差部分にはそれぞれ、側壁１９、２０が設けられている。すなわち、側壁１９は、トンネルバリア層１６上に設けられ、かつ、固定層１７及び上部電極１８の側面に接触しかつ囲むように設けられている。また、側壁２０は、トンネルバリア層１４上に設けられ、かつ、自由層１５、トンネルバリア層１６及び側壁１９の側面に接触しかつ囲むように設けられている。側壁１９、２０としては、絶縁体が用いられ、例えばシリコン酸化膜、或いはシリコン窒化膜が用いられる。

断面形状において、自由層１５の膜面方向の長さは、固定層１３の膜面方向の長さ（或いは、トンネルバリア層１４の膜面方向の長さ）よりも、側壁２０の膜厚ｔ２の２倍値分短い。すなわち、固定層１３の側面と自由層１５の側面とが側壁２０の膜厚ｔ２分離れている。換言すると、自由層１５の面積は、固定層１３の面積（或いは、トンネルバリア層１４の面積）より小さい。これにより、固定層１３と自由層１５とのショートを防ぐことができる。

また、断面形状において、固定層１７の膜面方向の長さは、自由層１５の膜面方向の長さ（或いは、トンネルバリア層１６の膜面方向の長さ）よりも、側壁１９の膜厚ｔ１の２倍値分短い。すなわち、自由層１５の側面と固定層１７の側面とが側壁１９の膜厚ｔ１分離れている。換言すると、固定層１７の面積は、自由層１５の面積（或いは、トンネルバリア層１６の面積）より小さい。これにより、自由層１５と固定層１７とのショートを防ぐことができる。

また、ＭＴＪ素子１０の側面（具体的には、固定層１３、１７、及び自由層１５それぞれの側面）はテーパー形状ではなく、膜面に対して垂直である。

また、ＭＴＪ素子１０のサイズ（膜厚方向の最大長さ）は、固定層１７の膜面方向の長さに側壁１９及び２０の膜厚の２倍値を足した長さに抑えられる。これにより、磁性層同士のショートを防ぎつつ、ＭＴＪ素子の微細化が可能となる。

次に、ＭＴＪ素子１０の製造方法の一例について図面を参照しながら説明する。例えば半導体基板（図示せず）上には、ＭＴＪ素子１０の数に対応する複数のコンタクトプラグが形成され、これら複数のコンタクトプラグ１１の間は、層間絶縁層２１で満たされている。層間絶縁層２１としては、例えばシリコン酸化膜が用いられる。

図３及び図４に示すように、複数のコンタクトプラグ１１上に、下部電極１２、第１の固定層１３、第１のトンネルバリア層１４、自由層１５、第２のトンネルバリア層１６、第２の固定層１７を順に堆積する。固定層１３、１７、及び自由層１５としては、例えばＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金が用いられる。第１のトンネルバリア層１４としては酸化マグネシウム、第２のトンネルバリア層１６としては銅（Ｃｕ）が用いられる。

続いて、固定層１７上に、ＭＴＪ素子１０の数に対応する複数のハードマスク１８を形成する。ハードマスク１８は、その平面形状が、所望の固定層１７の平面形状と同じになるように形成される。本実施形態では、例えばハードマスク１８の平面形状は円形である。ハードマスク１８としては、導電体（例えば、タンタル）が用いられる。本実施形態では、ハードマスク１８は、上部電極として使用される。

続いて、図５及び図６に示すように、イオンミリング工程などにより、ハードマスク１８をマスクとして固定層１７のみをエッチングし、トンネルバリア層１６の上面を露出させる。

続いて、図７に示すように、装置全面に、シリコン窒化膜からなる絶縁膜１９を堆積する。この工程の際、絶縁膜１９が固定層１７及びハードマスク１８の側面に形成されるようにする。

続いて、図８及び図９に示すように、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）工程により、絶縁膜１９を異方性エッチングし、トンネルバリア層１６の上面を露出させる。これにより、固定層１７及びハードマスク１８の側面上に側壁１９が形成される。

続いて、図１０及び図１１に示すように、イオンミリング工程などにより、側壁１９をマスクとしてトンネルバリア層１６及び自由層１５をエッチングし、トンネルバリア層１４の上面を露出させる。この工程の際、固定層１７は側壁１９で覆われているため、エッチングによる反応生成物（エッチング生成物）が固定層１７に付着するのを防ぐことができる。これにより、固定層１７と自由層１５とがショートするのを防ぐことができる。

続いて、図１２に示すように、装置全面に、シリコン窒化膜からなる絶縁膜２０を堆積する。この工程の際、絶縁膜２０が自由層１５及びトンネルバリア層１６の側面に形成されるようにする。

続いて、図１３及び図１４に示すように、ＲＩＥ工程により、絶縁膜２０を異方性エッチングし、トンネルバリア層１４の上面を露出させる。これにより、自由層１５、トンネルバリア層１６、及び側壁１９の側面上に側壁２０が形成される。

続いて、図１５及び図１６に示すように、イオンミリング工程などにより、側壁２０をマスクとしてトンネルバリア層１４、固定層１３、及び下部電極１２をエッチングし、層間絶縁層２１の上面を露出させる。このようにして、ＭＴＪ膜が複数の磁気トンネル接合に分離される。この工程の際、自由層１５は側壁２０で覆われているため、エッチング生成物が自由層１５に付着するのを防ぐことができる。これにより、固定層１３と自由層１５とがショートするのを防ぐことができる。

続いて、図１７に示すように、装置全面に、層間絶縁層２１を堆積する。そして、ハードマスク１８上にコンタクトプラグを形成し、このコンタクトプラグ上に配線２３を形成する。このようにして、ＭＴＪ素子１０が形成される。

以上詳述したように本実施形態では、固定層１３の側面と自由層１５の側面との膜面方向の距離が、側壁２０の膜厚ｔ２分離れている。そして、この距離を埋めるように、トンネルバリア層１４上で自由層１５の側面上には、絶縁体からなる側壁２０が設けられている。これにより、固定層１３と自由層１５とのショートを防ぐことができる。

同様に、自由層１５の側面と固定層１７の側面との膜面方向の距離が、側壁１９の膜厚ｔ１分離れている。そして、この距離を埋めるように、トンネルバリア層１６上で固定層１７の側面上には、絶縁体からなる側壁１９が設けられている。これにより、固定層１７と自由層１５とのショートを防ぐことができる。

また、ＭＴＪ素子１０のサイズ（膜厚方向の最大長さ）は、固定層１７の膜面方向の長さに側壁１９及び２０の膜厚の２倍値を足した長さに抑えられる。これにより、磁性層同士のショートを防ぎつつ、ＭＴＪ素子の微細化が可能となる。本実施形態のＭＴＪ素子１０では、固定層１３、１７、及び自由層１５の膜厚が厚くなればなるほど、テーパーエッチングを用いて形成されたＭＴＪ素子に比べて、微細化の効果は大きくなる。

また、ハードマスク１８を用いてＭＴＪ素子１０を加工する場合の変換差である加工変換差（ハードマスク１８の膜面方向の長さとＭＴＪ素子の膜面方向の長さとの差）を側壁１９及び２０の膜厚の２倍値にまで低減することができる。

また、固定層１３、１７、及び自由層１５が面内磁化膜の場合、固定層１３からの漏れ磁場が発生する。しかし、本実施形態のＭＴＪ素子１０では、固定層１３の側面と自由層１５の側面とが側壁２０の膜厚ｔ２分離れているため、固定層１３からの漏れ磁場が自由層１５の磁化に与える影響を抑制することができる。同様の理由により、固定層１７からの漏れ磁場が自由層１５の磁化に与える影響を抑制することができる。

なお、前述したように、ＭＴＪ素子１０の平面形状については特に限定されない。他の一例として、ＭＴＪ素子１０の平面形状が楕円形である場合について説明する。図１８は、ＭＴＪ素子１０の他の一例を示す平面図である。図１９は、図１８に示したＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿ったＭＴＪ素子１０の断面図である。図２０は、図１８に示したＸＸ−ＸＸ線に沿ったＭＴＪ素子１０の断面図である。

下部電極１２、第１の固定層１３、第１のトンネルバリア層１４、自由層１５、第２のトンネルバリア層１６、第２の固定層１７、及び上部電極１８はそれぞれ、平面形状が楕円形である。そして、側壁１９は、トンネルバリア層１６上に設けられ、かつ、固定層１７及び上部電極１８の側面に接触しかつ囲むように設けられている。また、側壁２０は、トンネルバリア層１４上に設けられ、かつ、自由層１５、トンネルバリア層１６及び側壁１９の側面に接触しかつ囲むように設けられている。

この場合でも、断面形状において、自由層１５の膜面方向の長さは、固定層１３の膜面方向の長さ（或いは、トンネルバリア層１４の膜面方向の長さ）よりも、側壁２０の膜厚ｔ２の２倍値分短い。換言すると、自由層１５の面積は、固定層１３の面積（或いは、トンネルバリア層１４の面積）より小さい。

また、断面形状において、固定層１７の膜面方向の長さは、自由層１５の膜面方向の長さ（或いは、トンネルバリア層１６の膜面方向の長さ）よりも、側壁１９の膜厚ｔ１の２倍値分短い。換言すると、固定層１７の面積は、自由層１５の面積（或いは、トンネルバリア層１６の面積）より小さい。

図１８乃至２０に示すようＭＴＪ素子１０を構成した場合でも、平面形状が円形の場合と同様の効果を得ることができる。さらに、図１８乃至２０に示すような平面形状が楕円のＭＴＪ素子１０を形成する場合には、ハードマスク１８の平面形状を楕円形或いは長方形にすればよい。その他の製造工程は、前述した製造工程と同じである。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内で、構成要素を変形して具体化できる。また、実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を構成することができる。例えば、実施形態に開示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよいし、異なる実施形態の構成要素を適宜組み合わせてもよい。

本発明の一実施形態に係るＭＴＪ素子１０の構成を示す平面図。 図１に示したＩＩ−ＩＩ線に沿ったＭＴＪ素子１０の断面図。 本発明の一実施形態に係るＭＴＪ素子１０の製造工程を示す平面図。 図３に示したＩＶ−ＩＶ線に沿ったＭＴＪ素子１０の製造工程を示す断面図。 図３に続くＭＴＪ素子１０の製造工程を示す平面図。 図５に示したＶＩ−ＶＩ線に沿ったＭＴＪ素子１０の製造工程を示す断面図。 図６に続くＭＴＪ素子１０の製造工程を示す断面図。 図７に続くＭＴＪ素子１０の製造工程を示す平面図。 図８に示したＩＸ−ＩＸ線に沿ったＭＴＪ素子１０の製造工程を示す断面図。 図８に続くＭＴＪ素子１０の製造工程を示す平面図。 図１０に示したＸＩ−ＸＩ線に沿ったＭＴＪ素子１０の製造工程を示す断面図。 図１１に続くＭＴＪ素子１０の製造工程を示す断面図。 図１２に続くＭＴＪ素子１０の製造工程を示す平面図。 図１３に示したＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿ったＭＴＪ素子１０の製造工程を示す断面図。 図１３に続くＭＴＪ素子１０の製造工程を示す平面図。 図１５に示したＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿ったＭＴＪ素子１０の製造工程を示す断面図。 図１６に続くＭＴＪ素子１０の製造工程を示す断面図。 ＭＴＪ素子１０の他の一例を示す平面図。 図１８に示したＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿ったＭＴＪ素子１０の断面図。 図１８に示したＸＸ−ＸＸ線に沿ったＭＴＪ素子１０の断面図。

符号の説明

１０…ＭＴＪ素子、１１…コンタクトプラグ、１２…下部電極、１３…第１の固定層、１４…第１のトンネルバリア層、１５…自由層、１６…第２のトンネルバリア層、１７…第２の固定層、１８…上部電極、１８…ハードマスク、１９，２０…側壁、２１…層間絶縁層、２３…配線。

Claims (5)

1. 磁化の方向が固定された第１の固定層、第１の非磁性層、磁化の方向が変化する自由層、第２の非磁性層、磁化の方向が固定された第２の固定層が順に積層された積層体と、
   前記第２の非磁性層上で前記第２の固定層の側面に接しかつ前記第２の固定層を囲むように設けられ、かつ絶縁体からなる第１の側壁と、
   前記第１の非磁性層上で前記自由層及び前記第１の側壁の側面に接しかつ前記自由層及び前記第１の側壁を囲むように設けられ、かつ絶縁体からなる第２の側壁と、
   を具備することを特徴とする磁気抵抗素子。
2. 前記自由層の面積は、前記第１の非磁性層の面積よりも小さく、
   前記第２の固定層の面積は、前記第２の非磁性層の面積よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗素子。
3. 前記第１の固定層、前記自由層、及び前記第２の固定層の側面は、膜面に対して垂直であることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気抵抗素子。
4. 前記第１及び第２の非磁性層は、金属酸化物、或いは常磁性金属からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の磁気抵抗素子。
5. 磁化の方向が固定された第１の固定層、第１の非磁性層、磁化の方向が変化する自由層、第２の非磁性層、磁化の方向が固定された第２の固定層を順に積層する工程と、
   前記第２の固定層上にハードマスクを形成する工程と、
   前記ハードマスクをマスクとして、前記第２の固定層をエッチングする工程と、
   前記第２の非磁性層上で前記第２の固定層の側面に、絶縁体からなる第１の側壁を形成する工程と、
   前記第１の側壁をマスクとして、前記第２の非磁性層及び前記自由層をエッチングする工程と、
   前記第１の非磁性層上で前記自由層及び前記第２の非磁性層の側面に、絶縁体からなる第２の側壁を形成する工程と、
   前記第２の側壁をマスクとして、前記第１の非磁性層及び前記第１の固定層をエッチングする工程と、
   を具備することを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。

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