JP2008251796A - 磁気記録装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】
強磁性細線に磁区を形成することにより記録を行なう、新たな構成を有する磁気記録装置を提供する。
【解決手段】
磁気記録装置は、強磁性材料から形成され、多数の磁区を構成することができる強磁性細線と、強磁性細線に電流を供給し、磁区を移動することのできる磁区移動回路と、強磁性細線の所定箇所に結合され、該当する磁区の情報を読み出すことのできる読み出し素子と、強磁性細線の所定箇所に磁気的に結合された磁化固定層と電気的接続とを含み、電流印加により磁化固定層の磁化情報を強磁性細線に供給することで、任意の磁区を書き込むことのできる書き込み素子と、を有する。
【選択図】 図1
強磁性細線に磁区を形成することにより記録を行なう、新たな構成を有する磁気記録装置を提供する。
【解決手段】
磁気記録装置は、強磁性材料から形成され、多数の磁区を構成することができる強磁性細線と、強磁性細線に電流を供給し、磁区を移動することのできる磁区移動回路と、強磁性細線の所定箇所に結合され、該当する磁区の情報を読み出すことのできる読み出し素子と、強磁性細線の所定箇所に磁気的に結合された磁化固定層と電気的接続とを含み、電流印加により磁化固定層の磁化情報を強磁性細線に供給することで、任意の磁区を書き込むことのできる書き込み素子と、を有する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、磁気記録装置に関し、特に複数の磁区を含む強磁性細線を用いて磁気記録を行なう磁気記録装置に関する。
不揮発性磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)が、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)、フラッシュ(FLASH)メモリに代わる次世代の超大容量不揮発性メモリの有力候補として注目されている。MRAMは、複数のビット線と複数の書き込みワード線とを直交配置し、各交差部に磁気抵抗素子を記憶素子として配置した構成を有する。磁気抵抗素子は一対の強磁性層で形成される磁化固定層と磁化自由層とを対向配置し、磁化自由層を書き込み情報に従って磁化させる。磁気抵抗素子には、磁化固定層と磁化自由層とを絶縁層を介して対向させたトンネル磁気抵抗(TMR)素子と、磁化固定層と磁化自由層を非磁性金属層を介して対向させた巨大磁気抵抗(GMR)素子がある。
磁化固定層は、反強磁性層と強磁性層の積層、または積層フェリ構造で構成する。積層フェリ構造は、反強磁性層により磁化を固定した強磁性層の上に薄いRu層等の結合層を介して他の強磁性層を積層し、一対の強磁性層を反強磁性的(反平行磁化の状態)に結合した構成である。磁化自由層は、磁化を変更できる強磁性層で構成する。例えば、ビット線と書き込みワード線とに電流を流し、交差部の磁化自由層を合成誘導磁界によって磁化させる。対向する2層の強磁性層の磁化を平行か反平行に制限する構成とすると、自由磁化層の磁化が磁化固定層の磁化と平行の時電流に対する磁気抵抗素子の抵抗は低く、反平行の時電流に対する磁気抵抗素子の抵抗は高い。
特開2000−195250号は、ビット線と一体に構成されている細線状強磁性層上に複数個のメモリセルを配置することを提案する。メモリセルは、磁気記録層、トンネル障壁層、強磁性層を備える。例えば、2層の強磁性層を交差するように対向配置し、その外側に配線層を積層した構造を用いる。交差部が行列状に形成される構造の場合、磁化固定層を構成する強磁性層は交差部のみに配置してもよい。自由磁化層を構成する強磁性層に括れを形成して、磁壁を積極的にピン止めする構成も提案している。
特開2002−246566号は、書き込みワード線を非磁性導体と高透磁率を持つ磁性導体との複合構造とすることを提案する。
特開2002−299584号は、配線と強磁性層とを兼用する構成を提案している。例えば、ビット線を強磁性体で形成し、磁化固定層を兼ねさせる。ビット線の全体を強磁性体で作成する必要はなく、自由磁化層と対向する部分のみを強磁性体で作成してもよい。自由磁化層を配線として利用してもよい。
Phys. Rev. L. 92,p.077205-1 (2004)は、中間で円弧状に約90度曲げられ、両端に電極を接続した強磁性細線を形成し、磁界を印加して、一旦一方向に一様な磁化を生じさせ、次に逆方向に弱い磁界を印加して磁壁を形成したサンプルを作成している。強強磁性細線に電流を流すと、磁壁が電流と逆方向、すなわち電子の流れる方向に移動することが報告されている。実験に用いた強強磁性細線は、厚さ0.1μm未満、幅240nm、端部が磁壁の発生を防止するように先鋭化したx方向延在部の長さ10μm、y方向延在部の長さ10μm、x方向延在部とy方向延在部との接続部の円弧の半径約3μmである。
幅240nmの強磁性細線に逆向きの2つの磁区を形成すると、逆方向の磁区の間に渦型磁壁(vortex domain wall)が形成されることを磁力顕微鏡による観察とシミュレーションにより結論付けた。観察された磁壁はサブミクロンの寸法を有する。強磁性細線に電流を流すと、磁壁は電流方向と逆方向に、電流値に比例した距離移動する。磁壁を移動させる電流値には閾値が存在する。観察された閾値は、1.0×1012A/m2であった。
記録素子を行列上に配置し、誘導電流で情報を書き込むMRAMの構成は、決して完結とは言えず、どちらかといえば複雑である。
本発明の目的は、簡潔な、新たな構成を有する磁気記録装置を提供することである。
磁気メモリ装置を提供することである。
磁気メモリ装置を提供することである。
本発明の他の目的は、強磁性細線に磁区を形成することにより記録を行なう、新たな構成を有する磁気記録装置を提供することである。
本発明の1観点によれば、
強磁性材料から形成され、多数の磁区を構成することができる強磁性細線と、
前記強磁性細線に電流を供給し、磁区を移動することのできる磁区移動回路と、
前記強磁性細線の所定箇所に結合され、該当する磁区の情報を読み出すことのできる読み出し素子と、
前記強磁性細線の所定箇所に磁気的に結合された磁化固定層と電気的接続とを含み、電流印加により磁化固定層の磁化情報を強磁性細線に供給することで、任意の磁区を書き込むことのできる書き込み素子と、
を有する磁気記録装置
が提供される。
強磁性材料から形成され、多数の磁区を構成することができる強磁性細線と、
前記強磁性細線に電流を供給し、磁区を移動することのできる磁区移動回路と、
前記強磁性細線の所定箇所に結合され、該当する磁区の情報を読み出すことのできる読み出し素子と、
前記強磁性細線の所定箇所に磁気的に結合された磁化固定層と電気的接続とを含み、電流印加により磁化固定層の磁化情報を強磁性細線に供給することで、任意の磁区を書き込むことのできる書き込み素子と、
を有する磁気記録装置
が提供される。
電気的接続から電子流を供給することで磁区を書き込み、記録を行なうことができる。
本発明者らは、自由磁化層を強磁性細線で構成し、磁化方向が逆の2つの磁化固定層を磁気的に結合し、電子スピンの極性の異なる電子流を任意に供給することにより、強磁性細線に反平行の磁化のいずれかを選択的に書き込みできる磁気記録装置を発明した。強磁性細線には読み出し素子も結合し、電流駆動によって磁区を移動させ、読み出し素子から情報を読み出す。
図1A,1B,1Cは、実施例による磁気記録装置の平面図、および2種類の書き込み素子の断面図を示す。
図1Aにおいて、強磁性細線FMWは、幅方向には単一磁区のみ存在できる狭幅の強磁性層で形成され、幅方向を横断する磁壁によって画定される多数の磁区MDを長さ方向に形成することができる。強磁性細線幅は、限定的ではないが、例えば、60nm程度である。強磁性細線FMWの右端には書き込み素子として磁化固定層FDが結合され、所定箇所には読み出し素子として、トンネル磁気抵抗素子TMRが結合されている。パルス源PGの一方の端子は強磁性細線FMWの左端に接続され、他端はリードスイッチRSを介して強磁性細線FMWの右端内側部に接続されている。
リードスイッチRSをオンにすると、パルス源PGから発生するパルス電流を強磁性細線FMWに供給することができる。強磁性細線FMW内の磁区は、電流と逆方向(電子流の方向)に移動する。電流方向は反転できる。強磁性細線には、中央に記録部、両側に長さの和が記録部以上の記録部移動用収容部を形成する。従って、所望の磁区をトンネル磁気抵抗素子に対向させることができる。所望の磁区をトンネル磁気抵抗素子と対向させた状態でトンネル磁気抵抗素子TMRにトンネル電流を流せば、記録された情報を読み出すことができる。
磁化固定層FDは、強磁性細線に積層され、並列配置された、反平行の固定磁化を有する2種類の磁化固定層FD1(←),FD2(→)を含む。図では、強磁性細線FMWの記録部の右端が磁化固定層FDの左側に接する状態を示している。パルス源PGの他端は、リードスイッチRS、ライトスイッチWSを介して、磁化固定層FD1、FD2が結合した強磁性細線FMW右端2箇所にも接続される。リードスイッチRSをパス状態とし、ライトスイッチWSを選択することにより、磁化固定層FD1,FD2の選択された一方と結合した強磁性細線部に、磁化方向と同一の電子スピン回転の電子流を供給することができる。
強磁性体中の電子は、電子スピン回転が一方向に揃っており(これが強磁性の起源)、スピン偏極した電子と呼ばれる。強磁性体中を通過する電子は、この電子スピントルクを得て、磁化方向と同一の電子スピン回転となる。従って、磁化方向が反平行の強磁性層FD1,FD2からは、電子スピン回転方向が逆方向のスピン電子流を強磁性細線FMW記録部に注入できる。すなわち、ライトスイッチWSの切り替えにより、スピン回転方向の異なる電子流を注入することで、磁化方向の異なる磁区を任意に強磁性細線FMW記録部に形成することが可能となる。言い換えると、磁化固定層FDと磁気的に結合した強磁性細線部は、磁化固定層FDと同じ方向に磁化するので、その磁化を強磁性細線FMWの記録部に送り込むことができる。上述のように、磁化固定層FD1,FD2、ライトスイッチWS、強磁性細線への電気的接続は、強磁性細線FMWに所望の磁化を有する磁区を書き込む書き込み素子を構成する。
図1Bは、一方の磁化固定層FD1の断面図である。反強磁性層11の上に強磁性層12が積層され、その上に強磁性細線FMWが積層されている。反強磁性層11によって磁化を固定された強磁性層12が積層された強磁性細線部分の磁化を同方向に決める。
図1Cは、他方の磁化固定層FD2の断面図である。反強磁性層21の上に、強磁性層22、結合層23、強磁性層24が積層されて積層フェリ構造を構成し、その上に強磁性細線FMWが積層されている。強磁性層22の磁化方向は、反強磁性層21によって固定される。結合層23は、非磁性のRu等で形成され、厚さを選択することなどにより、両側の強磁性層22,24を反平行磁化状態に結合する層である。従って、強磁性層24は、強磁性層22と逆向きの磁化を持つ。
磁界を印加しつつ、アニールを行なうと、反強磁性層11,21に接する強磁性層12,22に同一方向の磁化を持たせることができる。強磁性層24は、積層フェリ構造により、強磁性層12,22と反平行の磁化を有するようになる。このようにして、反平行の固定磁化を有する磁化固定層FD1,FD2を形成することができる。磁化固定層FD1,FD2上に強磁性細線を積層、結合することにより、強磁性細線FMW内に反平行の磁化方向を有する領域を形成できる。磁化固定層と積層された強磁性層に電子流を供給すれば、所望磁化の磁区を送り出すことができる。
図2A〜2Nは、実施例による磁気記録装置の製造方法を示す。
図2Aに示すように、必要に応じてMOSトランジスタ等を形成したシリコン基板1の上に、例えば厚さ200nm程度の酸化シリコン膜2を化学気相堆積(CVD)等により堆積する。酸化シリコン膜2上に開口を有するレジストパターンを形成し、酸化シリコン膜2をドライエッチングすることにより、磁化固定層用の2つの溝3を形成する。その後、レジストパターンは除去する。
図2Bは、溝の上面図を示す。2つの磁化固定層用の溝3a、3bが形成される。破線は後に形成される強磁性細線の配置を示す。
図2Cに示すように、レジストや酸化膜等のマスク25で開口3a以外を覆った状態で、スパッタリングにより、磁化固定層を形成する、PtMn反強磁性層21を厚さ20nm、NiFe強磁性層22を厚さ20nm、Ru結合層23を厚さ0.8nm、NiFe強磁性層24を厚さ20nm、積層し、さらにCMP用のTa犠牲層26を厚さ10nm堆積する。
図2Dに示すように、化学機械研磨(CMP)により溝内の堆積層以外の堆積層をマスクと共に除去する。CMPにより、犠牲Ta層26は消滅し、NIFe強磁性層24の厚さは5nmとする。このようにして、溝3a内に、PtMn20nm/NiFe20nm/Ru0.8nm/NiFe5nmの積層フェリ構造を有する磁化固定層FD2が形成される(積層膜厚45.8nm)。
図2Eに示すように、同様のTa犠牲層を用いた工程により、溝3b内に厚さ40.8nmのPtMn反強磁性層11と厚さ5nmのNiFe強磁性層12を積層した磁化固定層FD1が形成される(積層膜厚45.8nm)。
図2Fに示すように、長手方向に磁場強度1Tの磁場を印加しながら、250℃で真空磁場アニールを行なうことにより、磁化方向を安定化する。磁化固定層FD1,FD2の最上層の強磁性層12,24の磁化方向は反対向きになる。
図2Gに示すように、基板上にスパッタリング等で、強磁性細線膜FMWとして厚さ20nmのNiFe層を堆積し、その上に読み出し素子を形成するためのMgOトンネル絶縁膜31を厚さ1.0nm、CoFeB強磁性層32を厚さ2.3nm、Ru結合層33を厚さ0.8nm、CoFe強磁性層34を厚さ1.7nm、PtMn反強磁性層35を厚さ20nm堆積する。TMR素子構造が形成される。CoFeB強磁性層32/Ru結合層33/CoFe強磁性層34/PtMn反強磁性層35は、積層フェリ構造を構成する。さらに、Ta接続電極層41を厚さ50nm堆積する。
図2Hに示すように、リソグラフィとドライエッチングにより接続金属層41、読み出し素子層TMR,強磁性細線層FMWを幅60nm、スペース60nmでパターニングする。次いで同様の工程により、接続金属層41、読み出し素子層TMRを例えば幅50nm長さ100nmの所定形状にパターニングする。この際は、強磁性細線層FMWでエッチングを終了するように、エッチングエンドポイントを制御する。
図2Iに示すように、基板上に酸化シリコン膜42を厚さ200nm程度CVD等で堆積し、CMP,エッチバック等により、表面を平坦化し、接続金属層41の表面を露出する。次いで、リソグラフィとドライエッチングにより、強磁性細線FMW表面に達するコンタクトホールCHを形成する。
図2Jに示すように、例えばCVDにより、バリアメタルとしてTiN層、導電性プラグ層としてW層を堆積して、コンタクトホールを埋め込み、エッチバック、CMP等により酸化シリコン膜42上の導電層を除去して、強磁性細線FMWに電気的に接続された導電性プラグ43をコンタクトホールに埋め込む。
図2Kは、基板の上面図を示す。表面に露出した接続金属層41、導電性プラグ43の配置が示されている。
図2Lに示すように、Cu層44を厚さ200nm程度成膜し、パターニングして上部電極44を形成する。
図2Mは、上部電極44の配置を示す上面図である。
図2Nに示すように、上部電極を覆って、酸化シリコン膜46を厚さ400nm程度CVD等によって堆積する。必要に応じてさらに配線などを形成する。このようにして、強磁性細線,読み出し素子,書き込み素子を備えた磁区移動型磁気記録装置が形成される。
なお、以上説明した構成は例示であり、種々の変更が可能である。例えば、図2A−2Nに示した工程では、強磁性細線上にTMR読み出し素子を形成し、磁壁移動に必要な電流値より小さい電流を強磁性細線を介してTMR読み出し素子に流すことにより情報読み出しを行なう形態を示したが、図1Aに示すように、TMR読み出し素子の反対側に読み出し用電極を形成してもよい。反強磁性層は、PtMnに限らず、IrMn,PdPtMn等の反強磁性材料で構成してもよい。強磁性層は、Co,Fe,Niのいずれか、またはこれらを含む合金の強磁性材料で形成することができる。積層フェリ構造の比磁性結合層はRuの他,Rh,Cu,Al,Au等の導電性非磁性材料により構成してもよい。トンネル絶縁層は、MgOの他,AlO,HfO,TiO,TaO等の絶縁材料により構成してもよい。読み出し素子をTMRで構成する場合を説明したが、トンネル絶縁膜を非磁性金属層に置換して、巨大磁気抵抗(GMR)素子で構成してもよい。
その他種々の変更、置換、改良、組合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
1 シリコン基板、
2 酸化シリコン膜、
3 溝、
11 反強磁性(PtMn)層、
12 強磁性(NiFe)層、
21 反強磁性(PtMn)層、
22 強磁性(NiFe)層、
23 結合(Ru)層、
24 強磁性(NiFe)膜、
26 犠牲(Ta)層、
FD 磁化固定層、
WS 書き込みスイッチ、
RS 読み出しスイッチ、
PG パルス源、
MD 磁区、
FMW 強磁性細線(NiFe層)、
TMR トンネル磁気抵抗素子、
31 トンネル絶縁(MgO)膜、
32 強磁性(CoFeB)層、
33 結合(Ru)層、
34 強磁性(CoFe)層、
35 反強磁性(PtMn)層、
41 電極(Ta)膜、
42 酸化シリコン膜、
43 導電性プラグ、
44 電極、
46 絶縁保護層。
2 酸化シリコン膜、
3 溝、
11 反強磁性(PtMn)層、
12 強磁性(NiFe)層、
21 反強磁性(PtMn)層、
22 強磁性(NiFe)層、
23 結合(Ru)層、
24 強磁性(NiFe)膜、
26 犠牲(Ta)層、
FD 磁化固定層、
WS 書き込みスイッチ、
RS 読み出しスイッチ、
PG パルス源、
MD 磁区、
FMW 強磁性細線(NiFe層)、
TMR トンネル磁気抵抗素子、
31 トンネル絶縁(MgO)膜、
32 強磁性(CoFeB)層、
33 結合(Ru)層、
34 強磁性(CoFe)層、
35 反強磁性(PtMn)層、
41 電極(Ta)膜、
42 酸化シリコン膜、
43 導電性プラグ、
44 電極、
46 絶縁保護層。
Claims (5)
- 強磁性材料から形成され、多数の磁区を構成することができる強磁性細線と、
前記強磁性細線に電流を供給し、磁区を移動することのできる磁区移動回路と、
前記強磁性細線の所定箇所に結合され、該当する磁区の情報を読み出すことのできる読み出し素子と、
前記強磁性細線の所定箇所に磁気的に結合された磁化固定層と電気的接続とを含み、電流印加により磁化固定層の磁化情報を強磁性細線に供給することで、任意の磁区を書き込むことのできる書き込み素子と、
を有する磁気記録装置。 - 前記書き込み素子が、磁化方向が反平行な2種類の磁化固定層と、いずれの磁化固定層を選択するかを決めるスイッチとを含む請求項1記載の磁気記録装置。
- 前記2種類の磁化固定層の一方は反強磁性層と、該反強磁性層に積層された第1強磁性層と、結合層と、第2強磁性層との積層を含み、積層フェリ構造を形成する請求項2記載の磁気記録装置。
- 前記2種類の磁化固定層の他方は反強磁性層と、該反強磁性層に積層された強磁性層との積層を含む請求項3記載の磁気記録装置。
- 前記読み出し素子は、トンネル磁気抵抗素子または巨大磁気抵抗素子を含む請求項1〜4のいずれか1項記載の磁気記録装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007090702A JP2008251796A (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 磁気記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007090702A JP2008251796A (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 磁気記録装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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ID=39976404
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2008251796A (ja) |
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---|---|---|---|---|
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US10084126B1 (en) | 2017-03-16 | 2018-09-25 | Toshiba Memory Corporation | Magnetic memory device |
-
2007
- 2007-03-30 JP JP2007090702A patent/JP2008251796A/ja not_active Withdrawn
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