JP4759911B2 - 磁気記憶素子及び磁気メモリ - Google Patents
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しかし、DRAMは電源を切ると情報が消えてしまう揮発性メモリであるため、情報が消えない不揮発のメモリが望まれている。
日経エレクトロニクス 2001.2.12号(第164頁−171頁)
しかしながら、Hseasyを減らすには限界があり、あまり小さくすると問題を生じる。
記録を行う前の状態では、図10Aに示すように、2層の磁性層の磁化Mα,Mβが反平行であり、いずれも磁性層の磁化容易軸方向Eに並んでいる。
この状態から、磁場を印加して、磁性層の磁化Mα,Mβの向きを反転させる。具体的には、図10Aに示すように、磁性層の磁化容易軸方向Eから左回り45°の向き(Y軸方向)に磁場HWを、右回り45°の向き(X軸方向)に磁場HBをそれぞれ印加する。
そして、図10Bに示すように、磁場HWと磁場HBを順次時間差を設けて印加することにより、磁性層の磁化Mα,Mβに回転の力が加わり、適当な大きさの磁場HW、HBで磁化Mα,Mβの向きを反転させることができる。
しかしながら、この場合、磁化の向きが反転するかどうかは、磁化Mα、Mβの初期状態によって可能かどうか変わる。
この場合は、2層の磁性層の磁化Mα,Mβが反平行である初期状態から、書き換えを行うと、書き換えの途中では、各磁性層の磁化Mα,Mβの向きが、それぞれ磁化容易軸方向Eに対してある程度の角度をなした状態となる。
そして、書き換え後は、各磁性層の磁化Mα,Mβの向きが、初期状態から反転しており、かつ互いに反平行になっている。
このようにして情報の記録が行われる。
この場合は、書き換え途中で、2層の磁化Mα,Mβの向きが、磁化容易軸方向Eに並んで平行になってしまう。
このため、書き換え後には、各磁性層の磁化Mα,Mβの向きが互いに反平行になるものの、初期状態から反転した右上図の状態と、初期状態と同じ状態である右下図の状態とのいずれの状態にもなり得る。
この構成の素子では、図11Aに示したように、初期状態を基準として、2層の磁化Mα,Mβの向きを反転させることにより記録を行うようにしているため、このように書き換え後にいずれの状態にもなり得ると、書き換え後の磁化状態が目的とする記録を達成するとは限らなくなってしまう。
即ち、書き換えにより、記録された情報が揮発してしまうことにもなる。
これにより、磁場が加わっていない状態では、記憶層を構成する磁性層の磁化の向きが互い違いであり、隣接する磁性層による相互作用によって記憶層の各磁性層の磁化の向きが安定している。
そして、例えば、記憶層の磁化容易軸方向に対して、それぞれ45度の角度をなす向きの外部磁場を時間差を設けて印加すれば、記憶層の各磁性層の磁化の向きを回転させることが可能であり、このように磁化の向きを回転させることによって、比較的小さい磁場で磁性層の磁化の向きを反転させて、記録を行うことが可能である。
即ち、強い磁場に対しても、記憶層に記録された磁化情報が失われないようにすることができ、広い磁場範囲で動作させることが可能になる。
そして、磁気記憶素子が、上述したように、比較的小さい磁場で記録を行うことが可能な特性を有するので、情報の記録に必要となる磁場を小さくすることができ、この磁場を発生させるために配線に流す電流を低減することが可能になる。
また、磁気記憶素子が、広い磁場範囲で安定して動作させることが可能な特性を有するので、磁気記憶素子の記憶層に磁化状態として記録された情報を、安定して保持することが可能になる。
これにより、磁気記憶素子を微細化しても、安定して記録を保持することが可能となるため、磁気記憶素子の微細化により高密度化を図り、磁気メモリの記憶容量の増大や磁気メモリの小型化を図ることが可能になる。
この磁気記憶素子10は、平面形状が円形状の磁性体から成る4層の磁性層11,12,13,14が、それぞれの間に非磁性層15を介して積層されて構成されている。
各磁性層11,12,13,14は、図中左右方向が磁化容易軸方向になるように配置されている。
即ち、隣り合う磁性層の磁化の向きが互いに反平行となっている。
即ち、磁化の大きさの分布が上下で対称となるように、それぞれの磁性層の磁化の大きさがほぼ等しいことが望ましい。磁化の大きさの差は、10%程度までは許容可能である。
なお、各磁性層11,12,13,14の磁化の大きさ(磁化量)は、飽和磁束密度と磁性層の体積の積で定義される。
そして、図2Bに示すように、磁場HWと磁場HBを順次時間差を設けて印加することにより、各磁性層11,12,13,14の磁化M1,M2,M3,M4に回転の力が加わり、適当な大きさの磁場HW、HBで磁化の向きを反転させることができる。
図2Aに示したと同じ状態の初期状態から、y軸方向の磁場HWとx軸方向の磁場HBを順次印加することにより、最下層の第1の磁性層11の磁化M1が右回りに半回転して、最上層の第4の磁性層14の磁化M4と平行に並び、磁化容易軸方向Eの右上向きになる。中間の第3の磁性層13の磁化M3は、右回りに回転するものの、第4の磁性層14との磁気的相互作用J3があるため、第1の磁性層11の磁化M1よりも手前までしか回転しない。また、中間の第2の磁性層12の磁化M2は、第1の磁性層11との磁気的相互作用J1があるため、第1の磁性層11の磁化M1が右上向きになったことにより、これと反発するように右回りに回転している。そして、この場合には、第2の磁性層12と第3の磁性層13との磁気的相互作用J2が比較的強いため、第2の磁性層12の磁化M2と第3第3の磁性層13の磁化M3とが反平行に近くなる。
さらに、印加された磁場がなくなり、書き換え後の状態では、第4の磁性層14の磁化M4が半回転して、磁化容易軸方向Eの左下向きになる。第3の磁性層13の磁化M3は右回りに回転して、磁化容易軸方向Eの右上向きになる。そして、第2の磁性層12の磁化M2は、第1の磁性層11との磁気的相互作用J1及び第3の磁性層13との磁気的相互作用J2等により、右回りに回転して磁化容易軸方向Eの左下向きになる。
これにより、初期状態から、4層の磁性層11,12,13,14の磁化M1,M2,M3,M4の向きが全て反転する。
このようにして、情報の記録(書き換え)が行われる。
この場合、最上層の第1の磁性層11の磁化M1と最下層の第4の磁性層14の磁化M4の変化は、図3Aと同様である。中間の第2の磁性層12の磁化M2及び第3の磁性層13の磁化M3は、書き換え途中の状態では、図3Aよりも左下寄りになっている。これは、第1の磁性層11と第2の磁性層12との間の磁気的相互作用J1、並びに第3の磁性層13と第4の磁性層14との間の磁気的相互作用J3が比較的強く、中間の磁性層12,13の磁化M2,M3が上下端の磁性層11,14の磁化M1,M4の向きに近づきにくいからと考えられる。
この場合も、書き換え後には、4層の磁性層11,12,13,14の磁化M1,M2,M3,M4の向きが全て反転している。
また、記憶層1に印加するX軸方向の磁場HB及びY軸方向の磁場HWの向きは、合成磁場が記憶層1の磁化容易軸方向Eとなるようにすればよく、これらをいずれも図2Aとは反対の向き(左向きと下向き)としてもよい。
これにより、磁場が加わっていない状態では、隣接する磁性層による相互作用J1,J2,J3によって記憶層1の各磁性層11,12,13,14の磁化M1,M2,M3,M4の向きが安定している。
従って、記憶層1の各磁性層11,12,13,14の磁化M1,M2,M3,M4の向きとして、即ち記憶層1の磁化状態として記録されている情報を安定して保持することができる。
これにより、比較的小さい磁場で磁化の向きを反転させて、記録を行うことが可能である。
これにより、磁場が印加される前の記録層1の各磁性層11,12,13,14の磁化M1,M2,M3,M4の向きが、中間の磁性層12,13の磁化M2,M3の向きに反映される。
即ち、強い磁場に対しても、記憶層1に記録された磁化情報が失われないようにすることができ、広い磁場範囲で安定して記録動作させることが可能になる。
これにより、配線に電流を流して磁気記憶素子10に電流磁場を印加する構成の磁気メモリでは、情報の記録に必要となる電流量を小さくすることができるため、消費電力の少ない磁気メモリを実現することができる。
図1の構成のように各磁性層の磁化容易軸方向が揃うように設定されていれば、平面形状が円形状等の形状異方性の小さい形状であっても構わない。
そして、平面形状を円形や楕円形とすれば、素子の作製が容易になるが、その他の形状であっても、本発明の効果は同様に得られる。
各磁気記憶素子10は、詳細な図示は省略するが、図1に示した4層の磁性体層11,12,13,14が非磁性層15を挟んで積層された記憶層1を有している。
磁気記憶素子10は、記憶層の磁化容易軸方向が、図2Bに示したと同様に、X軸方向及びY軸方向に対してそれぞれ45度をなすように配置されている。
その後、第1の配線41及び第2の配線42に流していた電流を、時間差を設けて順次停止すれば、さらに磁気記憶素子10の各磁性層11,12,13,14の磁化M1,M2,M3,M4の向きが変化して、図3A又は図3Bの書き込み後の状態に示したように、元の状態から磁化の向きが反転する。
この状態では、非磁性層15を介して隣接する磁性層の磁化が反平行となっており、相互作用J1,J2,J3により磁化の向きが安定しているため、記録された情報を安定して保持することができる。
そして、磁気記憶素子10にこれから新たに記録しようとする情報の内容と、既に磁気記憶素子10に記憶されている情報の内容が異なる場合には、これから記録する情報の内容に対応して、第1の配線41及び第2配線42に流す電流の向きを設定して、第1の配線41及び第2の配線42に時間差を設けて順次電流を流して、記憶層にX軸方向及びY軸方向の電流磁場を順次印加することにより、磁気記憶素子10の記憶層の各磁性層の磁化の向きを、新たに記録する情報の内容に対応した向きとすることができる。このようにして、磁気記憶素子10に記録を行うことができる。
一方の配線41或いは42が選択された磁気記憶素子10と共通であっても、他方の配線が共通でなければ磁気記憶素子10には一方の電流磁場しか印加されない。第1の配線41を流れる電流からの電流磁場(X軸方向の磁場)だけでは、電流磁場の印加によって、記憶層1の磁性層11,12,13,14の磁化M1,M2,M3,M4の向きが回転するが、特に中間の磁性層12,13の磁化M2,M3は反転するまでに至らないため、電流磁場を停止したときに、記憶層1の各磁性層11,12,13,14の磁化M1,M2,M3,M4の向きが反転せずに元の状態に戻る。第2の配線42を流れる電流からの電流磁場(Y軸方向の磁場)だけでも、同様に、記憶層1の各磁性層11,12,13,14の磁化M1,M2,M3,M4の向きが反転しない。
即ち、いずれの場合も、記憶層1に記録された磁化状態を保持することができる。
そして、記録容量を大きくするために磁気記憶素子を微小化するほど、保磁力が増大して記録を行うことが難しくなり、また磁化を安定して保持することが難しくなる傾向があるため、本実施の形態の磁気メモリ40は、記憶容量を増大させるために好適である。
ここで、本発明の磁気記憶素子の構成において、具体的に各磁性層の寸法や磁化量を設定して、特性がどのようになるか検討を行った。
図12Aに平面図を示すように、平面形状が直径1μmの円形状である磁気記憶素子50を構成し、磁気記憶素子50の各層を図12Bの断面図に示すように構成した。
磁気記憶素子50の上部では、2層の磁性層53,54が非磁性層58を介して積層されることにより、記憶層60が構成されている。磁気記憶素子50の下部では、2層の磁性層51,52が非磁性層56を介して積層されることにより、磁化固定層61が構成されている。磁化固定層61の下には、反強磁性層55が設けられ、磁化固定層61の磁性層51,52の磁化の向きを固定している。記憶層60と磁化固定層61の間には、トンネル絶縁膜57が形成されている。
記憶層60の各磁性層53,54は、いずれも厚さを5nm、飽和磁化量Msを800emu/cm3、材料の異方性磁場Hkを20Oeとした。
記憶層60の非磁性層58は、厚さを1nmとし、相互作用Jの大きさを0.02erg/cm2とした。
磁化固定層61の磁性層51,52は、いずれも厚さが2nm、飽和磁化量Msが1200emu/cm3となっている。
磁化固定層61の非磁性層56は、厚さが1nmで、相互作用Jが1erg/cm2になっている。
トンネル絶縁膜57は、厚さが1nmで、相互作用Jがゼロになっている。
図13の縦軸はY軸方向の磁場HWを示し、横軸はX軸方向の磁場HBを示している。
また、この磁気記憶素子50の記憶層60の磁化の向きの反転が可能であるかどうかは、磁化の向きの初期状態にも依存するため、図13では、初期状態に依存せず変化がない場合を×印で示し、一方の初期状態からしか磁化の向きの反転が起こらない場合を△印で示し、どちらの状態からでも反転する場合を○印で示している。
図6Aに平面図を示すように、平面形状が直径1μmの円形状である磁気記憶素子10を構成し、磁気記憶素子10の各層を図6Bの断面図に示すように構成した。
磁気記憶素子10の上部では、4層の磁性層11,12,13,14が非磁性層15を介して積層されることにより、記憶層1が構成されている。磁気記憶素子10の下部では、2層の磁性層21,23が非磁性層22を介して積層されることにより、磁化固定層16が構成されている。磁化固定層16の下には、反強磁性層18が設けられ、磁化固定層16の磁性層21,22の磁化の向きを固定している。記憶層20と磁化固定層16の間には、トンネル絶縁膜17が形成されている。
記憶層20の磁性層のうち、第1の磁性層11及び第4の磁性層14は、いずれも厚さを5nm、飽和磁化量Msを800emu/cm3、材料の異方性磁場Hkを20Oeとした。第2の磁性層12及び第3の磁性層13は、いずれも厚さを2nm、飽和磁化量Msを800emu/cm3、材料の異方性磁場Hkを20Oeとした。
記憶層20の非磁性層15は、厚さを1nmとし、相互作用Jの大きさを0.02erg/cm2とした。ただし、記憶層20の真ん中の非磁性層15は、相互作用Jの大きさを0.1erg/cm2とした。
磁化固定層16の磁性層21,22は、いずれも厚さが2nm、飽和磁化量Msが1200emu/cm3となっている。
磁化固定層16の非磁性層22は、厚さが1nmで、相互作用Jが1erg/cm2になっている。
トンネル絶縁膜17は、厚さが1nmで、相互作用Jがゼロになっている。
反強磁性層18は、厚さ20nmとした。
そこで、次に、磁性層の総膜厚を増やしたときの影響について、計算して調べた。
図8Aは、従来の2層の磁性層から成り、磁性層の膜厚を変化させた構成である。
記憶層60の各磁性層53,54は、いずれも飽和磁化量Msを800emu/cm3、材料の異方性磁場Hkを20Oeとして、厚さをt(nm)としている。記憶層60の非磁性層58は、厚さを2nm、相互作用Jの大きさを0.01erg/cm2としている。
一方、図8Bは、本発明の磁気記憶素子において、1層の磁性層31の膜厚を固定して、磁性層31の積層数を増やした構成である。
磁性層31は、厚さを2nm、飽和磁化量Msを800emu/cm3、材料の異方性磁場Hkを20Oeとしている。磁性層31の間の非磁性層32は、厚さを2nm、相互作用Jの大きさを0.01erg/cm2としている。
また、図8A及び図8Bのいずれの構成も、平面形状が直径100nmの円形状の磁気記憶素子とした。
図8Aの構成では、厚さt(nm)の磁性層を2層有するので、積算磁性層厚は2t(nm)となる。図8Bの構成では、厚さ2nmの磁性層をn層(nは偶数とする)積層するので、積算磁性層厚は2n(nm)となる。いずれの構成についても、積算磁性層厚が4nm〜20nmの範囲で4nm刻みになるように設定した。結果を図9に示す。
即ち、本発明の磁気記憶素子は、記録磁場を低く保ったままで、積算磁性層厚を大きくして記録保持特性を向上することが可能であることがわかる。
Claims (2)
- 情報を磁性体の磁化状態によって保持する記憶層が、4層の磁性層及び各前記磁性層間の非磁性層から成り、
各前記磁性層の磁化の大きさが、前記記憶層の上下に対称であり、
前記非磁性層を介して隣接する前記磁性層の磁化の向きが互いに反平行であり、
前記記憶層とトンネル絶縁膜と、磁化の向きが固定された磁化固定層とが積層され、
前記非磁性層を介して隣接する前記磁性層間に反強磁性的な相互作用が作用し、
1層目の磁性層と2層目の磁性層との間の前記相互作用の強さが、3層目の磁性層と4層目の磁性層との間の前記相互作用の強さと等しく、
1層目の磁性層と2層目の磁性層との間の前記相互作用の強さ、及び、3層目の磁性層と4層目の磁性層との間の前記相互作用の強さが、2層目の磁性層と3層目の磁性層との間の前記相互作用の強さに対して、大きい、或いは、小さい関係を有し、
1層目の磁性層と4層目の磁性層の磁化量が等しく、2層目の磁性層と3層目の磁性層の磁化量が等しく、
前記記憶層の前記磁性層の磁化容易軸方向から、左回り45°の向きの第1の磁場と、右回り45°の向きの第2の磁場とを、順次時間差を設けて印加することにより、前記記憶層の前記磁性層の磁化の向きが反転して、情報の記録がなされる
磁気記憶素子。 - 情報を磁性体の磁化状態によって保持する記憶層が、4層の磁性層及び各前記磁性層間の非磁性層から成り、
各前記磁性層の磁化の大きさが、前記記憶層の上下に対称であり、
前記非磁性層を介して隣接する前記磁性層の磁化の向きが互いに反平行であり、
前記記憶層とトンネル絶縁膜と、磁化の向きが固定された磁化固定層とが積層され、
前記非磁性層を介して隣接する前記磁性層間に反強磁性的な相互作用が作用し、
1層目の磁性層と2層目の磁性層との間の前記相互作用の強さが、3層目の磁性層と4層目の磁性層との間の前記相互作用の強さと等しく、
1層目の磁性層と2層目の磁性層との間の前記相互作用の強さ、及び、3層目の磁性層と4層目の磁性層との間の前記相互作用の強さが、2層目の磁性層と3層目の磁性層との間の前記相互作用の強さに対して、大きい、或いは、小さい関係を有し、
1層目の磁性層と4層目の磁性層の磁化量が等しく、2層目の磁性層と3層目の磁性層の磁化量が等しく、
前記記憶層の前記磁性層の磁化容易軸方向から、左回り45°の向きの第1の磁場と、右回り45°の向きの第2の磁場とを、順次時間差を設けて印加することにより、前記記憶層の前記磁性層の磁化の向きが反転して、情報の記録がなされる磁気記憶素子と、
互いに交差し、前記第1の磁場を前記記憶層に印加する第1の配線と、前記第2の磁場を前記記憶層に印加する第2の配線とを備え、
前記第1の配線と前記第2の配線とが交差する交点付近に、それぞれ前記磁気記憶素子が配置されて成る
磁気メモリ。
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