JP2002145693A - 単結晶引き上げ用c/cルツボとその製造方法 - Google Patents
単結晶引き上げ用c/cルツボとその製造方法Info
- Publication number
- JP2002145693A JP2002145693A JP2000334382A JP2000334382A JP2002145693A JP 2002145693 A JP2002145693 A JP 2002145693A JP 2000334382 A JP2000334382 A JP 2000334382A JP 2000334382 A JP2000334382 A JP 2000334382A JP 2002145693 A JP2002145693 A JP 2002145693A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- pyrolytic carbon
- carbon
- open pores
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5001—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with carbon or carbonisable materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
- C04B2111/00844—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for electronic applications
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
に優れた単結晶引き上げ用C/Cルツボとその製造方法
を提供する。 【解決手段】 C/C材の開気孔内がCVI法により気
相析出した熱分解炭素により充填され、熱分解炭素の充
填層が開気孔内の深層部から表層部にかけて疎から密の
組織構造へと次第に変化する傾斜機能組織を形成してな
るC/Cルツボ。その製造方法は炭素繊維に熱硬化性樹
脂を含浸し、硬化したルツボ成形体を非酸化性雰囲気下
で焼成炭化して得られたC/C材を基材とし、該基材を
CVI装置にセットして、系内の圧力および温度を段階
的に変更して原料炭化水素の熱分解条件を制御すること
により、C/C材の開気孔内の深層部から表層部にかけ
て疎から密の組織構造へと次第に変化する傾斜機能組織
の熱分解炭素層を充填する。
Description
法(以下「CZ法」という)によるシリコンなどの単結
晶引上げ装置に使用される石英ルツボを支持するために
用いる炭素繊維強化炭素複合材からなるC/Cルツボと
その製造方法に関する。
ンなどの単結晶は、通常CZ法により製造されている。
CZ法は、高純度の石英ルツボの中にシリコン多結晶を
入れ、石英ルツボを所定速度で回転させながらヒータに
よりシリコン多結晶を加熱溶融し、シリコン多結晶の溶
融液の表面に種結晶(シリコン単結晶)を接触させて、
所定速度で回転させながらゆっくりと引上げることによ
りシリコン多結晶の溶融液を凝固させて、シリコン単結
晶に成長させるものである。
は軟化し、強度も充分でないので、通常、石英ルツボは
炭素ルツボ内に嵌合され、炭素ルツボで石英ルツボを支
持することにより補強して用いられている。この石英ル
ツボを嵌合する炭素ルツボとしては高温強度が高く、耐
熱性や熱伝導率が大きい黒鉛材が一般的に使用されてい
る。しかしながら、黒鉛材は表面から黒鉛の微粉が離
脱、飛散し易いので装置内を浮遊してシリコン溶融液中
に混入し、シリコン単結晶の品質を低下させる難点があ
る。
なるために、加熱、冷却を繰り返し行っている間に加熱
時には石英ルツボが軟化して黒鉛ルツボに密着し、一方
冷却時には黒鉛ルツボの収縮量が石英ルツボの収縮量に
比べて大きくなることにより石英ルツボから内圧を受け
ることとなり、黒鉛ルツボの変形、割損などが生じる難
点もある。この熱膨張差による割損を防止するため、通
常、黒鉛ルツボは分割構成されているが、繰り返し使用
するための耐用回数が充分でなく、更に、近年における
装置の大型化に伴い耐用寿命が著しく短くなるという問
題がある。
2 )と黒鉛ルツボ(C)とは接触する嵌合面において反
応してSiOガスを発生し、発生したSiOガスは黒鉛
ルツボと反応し、特に黒鉛ルツボ表層部の開気孔内を浸
透しながら黒鉛ルツボ(C)と反応して黒鉛ルツボの開
気孔内を次第にSiC化していく。したがって、このよ
うな加熱処理が繰り返し行われると、黒鉛ルツボが徐々
にSiCへと転化して材質的に脆弱化してミクロクラッ
クが発生し易く、遂には黒鉛ルツボの割損を招くことと
なる。
率の差異が少ない炭素繊維強化炭素複合材(以下、C/
C材ともいう)を用いて炭素ルツボを構成することによ
り、上記の問題を解消する提案が行われており、例えば
実開昭63−7174号公報には、少なくとも側壁部分
が一体のC/C材により構成された単結晶引き上げ用ル
ツボが、また特開平9−263482号公報には、ルツ
ボ内側を炭素繊維クロス積層体または炭素繊維フェルト
積層体を用いたC/C材とし、ルツボ外側をフィラメン
トワインディング法により成形したC/C材で構成した
二層よりなるシリコン単結晶引き上げ用炭素繊維強化炭
素ルツボ、などが提案されている。
素材と同様に,高温加熱時に石英ルツボ(SiO2 )と
接触する嵌合面において、SiO2 +C→SiO+CO
の反応によりSiOガスを発生する。C/C材の表面に
は多くの微小開気孔が存在するため、発生したSiOガ
スはC/Cルツボの表層面の微小開気孔内に浸透しなが
ら気孔内壁面を次第に、SiO+2C→SiC+COの
反応によりSiC化するとともに、前記したSiO2 +
C→SiO+COの反応によりCを消耗していき、C/
Cルツボの損耗やミクロクラックが発生し、遂には割損
を招くことになる。
せることにより長時間の使用を可能とするために、特開
平10−59795号公報には、C/C材料を全部また
は一部に含んで形成される半導体単結晶引き上げ用ルツ
ボであって、前記C/C材料の少なくとも一部分に熱分
解炭素の被膜が形成され、前記被膜は開気孔の内面まで
生成することを特徴とする半導体単結晶引き上げ用ルツ
ボ、および、開気孔にCVD法によって0.2μm /hr
以下の析出速度で熱分解炭素の被膜を形成する製造方法
が提案されている。
内面に熱分解炭素の被膜を形成することによりSiC化
を抑制し、使用寿命の長期化を図るためには、SiOガ
スの拡散を防ぐために開気孔の内部にまで熱分解炭素を
析出、充填することが重要である。一般的に、原料炭化
水素を気相熱分解して炭素を析出させる場合、熱分解速
度は熱分解時の系内の圧力(真空度)や温度条件などに
大きく影響され、熱分解速度が早いと、開気孔内の入口
部で熱分解炭素が析出し、開気孔の深層部に熱分解炭素
を析出させることが困難となる。一方、熱分解速度を遅
くすれば、開気孔内の相対的に深い部分に熱分解炭素を
析出させることができるが、能率が悪く、コストアップ
となる問題点がある。
るために鋭意研究を行った結果、開気孔内に析出させる
熱分解炭素の充填度合いを開気孔内の深層部から表層部
にかけて疎密構造とすることにより、析出した熱分解炭
素が開気孔内面に強固に結合して剥離し難く、更に、開
気孔内におけるSiC化も均等に進むため耐用寿命も長
くなることを見出した。
発されたものであり、その目的は、SiC化を抑制し、
耐用寿命が長く、耐久性に優れた単結晶引き上げ用のC
/Cルツボとその製造方法を提供することにある。
めの本発明の単結晶引き上げ用C/Cルツボは、炭素繊
維強化炭素複合材の開気孔内がCVI法により気相析出
した熱分解炭素により充填され、熱分解炭素の充填層が
開気孔内の深層部から表層部にかけて疎から密の組織構
造へと次第に変化する傾斜機能組織を形成してなること
を構成上の特徴とする。
性樹脂を含浸し、硬化したルツボ成形体を非酸化性雰囲
気下で焼成炭化して得られた炭素繊維強化炭素複合材を
基材とし、該基材をCVI装置にセットして、系内の圧
力および温度を段階的に変更して原料炭化水素の熱分解
条件を制御することにより、炭素繊維強化炭素複合材の
開気孔内の深層部から表層部にかけて疎から密の組織構
造へと次第に変化する傾斜機能組織の熱分解炭素層を充
填することを構成上の特徴とする。
ル系、レーヨン系、ピッチ系などの原料から製造された
炭素繊維を強化材として、これらの炭素繊維がフェノー
ル系やフラン系などの熱硬化性樹脂を硬化し、焼成炭化
した炭化物により結着され、一体化されたものである。
焼成炭化する過程において、熱硬化性樹脂の重縮合によ
り生成した結合水や低沸点成分の揮散により、微細な開
気孔や閉気孔が形成される。このC/C材を用いてCZ
法による単結晶引き上げ用のC/Cルツボを作製した場
合には、高温加熱時に嵌合する石英ルツボとの接触面に
おいて石英ルツボと反応してSiOガスを発生し、生成
したSiOガスは開気孔内に浸透してC/C材の開気孔
の内壁面をSiCに転化する。その結果、C/Cルツボ
の開気孔内が次第にSiC化されてミクロクラックが発
生し易くなり、強度特性に優れたC/C材であっても割
損することとなる。
ルツボは、この開気孔内がCVI法(Chemical Vapor I
nfiltration ; 化学的気相浸透法)により気相析出、沈
着させた熱分解炭素により充填され、熱分解炭素の充填
層が開気孔内の深層部から表層部にかけて、深層部の疎
な組織から表層部の密な組織へと組織性状が変わる傾斜
機能組織を形成した構造を特徴とする。
が最も進行し易い開気孔の表層部には熱分解炭素が密に
充填され、一方、SiOガス濃度が低下して反応量が表
層部に比べて相対的に少ない開気孔の深層部には熱分解
炭素が疎に充填されているので、開気孔内におけるSi
C化が相対的に均等に進むことになり、開気孔内の不均
一なSiC化に伴うミクロクラックの発生を効果的に低
減させることが可能となる。
は、炭素繊維に熱硬化性樹脂を含浸して、硬化したルツ
ボ成形体を非酸化性雰囲気下で焼成炭化して得られた炭
素繊維強化炭素複合材(C/C材)を基材とし、該基材
をCVI装置にセットして、系内の圧力および温度を段
階的に変更して原料炭化水素の熱分解条件を制御するこ
とにより、C/C材の開気孔内の深層部から表層部にか
けて疎から密の組織構造へと次第に変化する傾斜機能組
織の熱分解炭素層を充填する方法により製造される。
スをフェノール系樹脂やフラン系樹脂などの高炭化性の
熱硬化性樹脂に浸漬する、または熱硬化瀬樹脂を塗布す
るなどの方法により炭素繊維クロスに熱硬化性樹脂を含
浸し、半硬化したプリプレグを所望のルツボ形状に成形
し、硬化したのち非酸化性雰囲気に保持した加熱炉中で
焼成炭化することにより作製される。あるいは、炭素繊
維の連続繊維に熱硬化性樹脂を含浸し、フィラメントワ
インディング法によりルツボ形状に成形し、硬化したの
ち非酸化性雰囲気の加熱炉中で焼成炭化して作製するこ
ともできる。
ルツボ成形体を基材としてCVI装置にセットし、所定
温度に加熱して、メタン、エタン、プロパンなどの直鎖
状炭化水素を原料ガスとして送入し、熱分解させること
により、気相析出した熱分解炭素を基材の開気孔内に沈
着、充填させる。
るいは開気孔内の途中で熱分解炭素が析出されると開気
孔内部への原料ガスの浸透が妨げられることになり、気
孔内部、特に開気孔の深層部に熱分解炭素を析出、充填
することが困難となる。一般に、原料炭化水素ガスを熱
分解して熱分解炭素を気相析出させる場合、CVI反応
の圧力や温度条件により析出速度が変化し、圧力および
温度が低いほど析出速度が遅くなり、逆に圧力および温
度が高くなると析出速度が速くなる。なお、熱分解反応
が起こる圧力および温度は、原料となる炭化水素ガスに
よっても異なるが、概ね、圧力40 kPa以下、温度90
0℃以上の圧力、温度条件下で熱分解炭素を析出する。
CVI反応の圧力および温度条件として、例えば、開気
孔内を浸透する原料ガスが、開気孔の入口〜途中の気孔
内においては熱分解が相対的に少なく、主に深部におい
て熱分解炭素を気相析出させる条件に設定して所定の時
間保持し、次いで、圧力および温度を上げ、開気孔内の
中間位置で主に熱分解反応を起生させる条件に設定して
所定時間保持し、最後に、開気孔の入口部で熱分解反応
を起生させる圧力、温度条件に設定して所定時間保持す
る、という3段階の圧力および温度条件に熱分解条件を
制御することにより製造することができる。
段階に設定、制御してC/C材の開気孔内に熱分解炭素
を気相析出させることにより、開気孔の深部には、相対
的に低圧、低温の遅い速度で析出した熱分解炭素が疎な
組織構造で充填され、一方、開気孔の入口部である表面
部には、相対的に高圧、高温で早い速度で析出した熱分
解炭素が密な組織構造で充填される。そして、深部と表
面部の中間位置においては疎から密の中間的組織の熱分
解炭素が析出、充填される。このようにして、C/C材
の開気孔内の深層部から表層部にかけて疎から密の組織
構造へと次第に変化する傾斜機能組織の疎密組織構造の
熱分解炭素が充填された単結晶引き上げ用C/Cルツボ
を製造することができる。なお、熱分解条件の設定、制
御は3段階に限られるものでなく、適宜なステップに設
定する。
具体的に説明する。
浸し、フィラメントワインディング法によりルツボ形状
の成形体を作製し、250℃の温度で樹脂成分を硬化し
た。次いで、窒素ガス雰囲気の加熱炉に入れ、10℃/
hrの昇温速度で2000℃に加熱し、5時間保持して焼
成炭化した。更に、2000℃の温度で塩素ガスにより
高純度化処理を施し、内径800mm、高さ450mm、直
胴部の厚さ7mmのC/C材からなるルツボを作製した。
トし、系内を真空引きして6.67kPaの圧力に調整し
た。次いで、加熱して所定温度に達したのち、常温の原
料ガスを送入して熱分解炭素を析出させた。なお、原料
ガスにはプロパンガスを用い、水素ガスをキャリアガス
として、プロパン/水素=1/10(vol比) の混合ガス
を100l/min.の割合で反応室内に送入した。このよう
にして、1150℃、1200℃、1250℃の温度に
段階的に昇温し、各温度にそれぞれ15時間ずつ保持し
て、開気孔内に気相析出させた熱分解炭素が充填したC
/Cルツボを製造した。このC/Cルツボから試験片を
切り出し、その断面を走査型電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、開気孔の深層部まで熱分解炭素が充填されており、
またその充填状況は深層部から表層部にかけて次第に密
に充填され、傾斜機能組織の熱分解炭素層が形成されて
いることを確認した。
石英ルツボを嵌合し、石英ルツボ内にシリコン多結晶を
入れて、1500℃の温度に加熱してシリコンを溶融し
た。この際、シリコン融液がC/Cルツボの深さの1/
2になるように調節した。この状態に1時間保持したの
ち、冷却してシリコン融液を凝固させた。この加熱溶
融、冷却凝固の操作を繰り返し行ってC/Cルツボの耐
久性を試験したところ、50回繰り返すと全体的に、特
にフェノール樹脂が炭化したマトリックス炭素部分のS
iC化が進行するものの、まだ継続使用が可能な状態に
あった。
ツボをCVI装置の反応室内にセットし、系内の圧力を
20 kPa、温度を1250℃に設定、制御して50時間
保持したほかは、実施例1と同一の方法により熱分解炭
素を析出、充填した。このC/Cルツボから試験片を切
り出し、その断面を走査型電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、開気孔の表層部を中心に熱分解炭素が充填被覆され
ており、深層部には熱分解炭素が存在しない空洞部も認
められた。また、実施例1と同じ方法によりシリコン多
結晶の加熱溶融、冷却凝固の操作を繰り返し行って、耐
久性試験を行った結果、19回目で熱分解炭素層に一部
剥離が認められ、24回目に亀裂が発生し、継続使用が
不可能な状態になった。
ツボに熱分解炭素を気相充填することなく、そのまま使
用して、実施例1と同じ方法によりシリコン多結晶の加
熱溶融、冷却凝固の操作を繰り返し行って、耐久性試験
を行った結果、5回目で亀裂が発生し、継続使用が不可
能な状態になった。
用C/Cルツボによれば、C/Cルツボの開気孔内が深
層部から表層部にかけて疎から密の組織構造へと次第に
変化する傾斜機能組織の熱分解炭素層が開気孔内面に強
固に結合、充填されており、開気孔内におけるSiC化
が抑制されるとともにSiC化が均等に進むため、ミク
ロクラックの発生および割損が著しく低減し、その結
果、耐久性に優れ、耐用寿命の長い、シリコンなどの単
結晶引き上げ用C/Cルツボが提供される。また、その
製造方法によれば、CVI反応条件を段階的に設定、制
御することにより耐久性に優れたC/Cルツボを製造す
ることが可能となる。
Claims (2)
- 【請求項1】 炭素繊維強化炭素複合材の開気孔内がC
VI法により気相析出した熱分解炭素により充填され、
熱分解炭素の充填層が開気孔内の深層部から表層部にか
けて疎から密の組織構造へと次第に変化する傾斜機能組
織を形成してなることを特徴とする単結晶引き上げ用C
/Cルツボ。 - 【請求項2】 炭素繊維に熱硬化性樹脂を含浸し、硬化
したルツボ成形体を非酸化性雰囲気下で焼成炭化して得
られた炭素繊維強化炭素複合材を基材とし、該基材をC
VI装置にセットして、系内の圧力および温度を段階的
に変更して原料炭化水素の熱分解条件を制御することに
より、炭素繊維強化炭素複合材の開気孔内の深層部から
表層部にかけて疎から密の組織構造へと次第に変化する
傾斜機能組織の熱分解炭素層を充填することを特徴とす
る単結晶引き上げ用C/Cルツボの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000334382A JP4077601B2 (ja) | 2000-11-01 | 2000-11-01 | 単結晶引き上げ用c/cルツボの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000334382A JP4077601B2 (ja) | 2000-11-01 | 2000-11-01 | 単結晶引き上げ用c/cルツボの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002145693A true JP2002145693A (ja) | 2002-05-22 |
JP4077601B2 JP4077601B2 (ja) | 2008-04-16 |
Family
ID=18810308
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000334382A Expired - Fee Related JP4077601B2 (ja) | 2000-11-01 | 2000-11-01 | 単結晶引き上げ用c/cルツボの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4077601B2 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1304912C (zh) * | 2005-02-21 | 2007-03-14 | 西北工业大学 | 碳/碳复合材料热梯度化学气相渗透过程温度自动控制器 |
WO2012105488A1 (ja) * | 2011-02-02 | 2012-08-09 | 東洋炭素株式会社 | 単結晶引上げ装置用黒鉛ルツボ及びその製造方法 |
JP2012158504A (ja) * | 2011-02-02 | 2012-08-23 | Toyo Tanso Kk | 単結晶引上げ装置用黒鉛ルツボ及びその製造方法 |
KR101743073B1 (ko) * | 2016-11-14 | 2017-06-02 | 국방과학연구소 | 밀도 구배를 갖는 탄소 복합재의 제조방법 및 이에 의해 제조된 탄소 복합재 |
KR20180014609A (ko) * | 2016-08-01 | 2018-02-09 | 국방과학연구소 | 밀도 구배를 갖는 탄소 복합재 제조방법 |
CN108911760A (zh) * | 2018-08-08 | 2018-11-30 | 航天材料及工艺研究所 | 碳纤维增强树脂梯度碳化非烧蚀型热防护材料及制备方法 |
CN109456063A (zh) * | 2018-12-07 | 2019-03-12 | 烟台凯泊复合材料科技有限公司 | 一种单晶硅拉制炉的CF/Si3N4复合材料埚帮及其制备方法 |
CN110436951A (zh) * | 2019-08-27 | 2019-11-12 | 中南大学 | 一种低成本C/C-SiC-BN复合摩擦材料及其制备方法 |
CN111848219A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-10-30 | 航天特种材料及工艺技术研究所 | 一种提高rmi工艺制陶瓷基复合材料性能的方法及制得的陶瓷基复合材料 |
WO2020261971A1 (ja) * | 2019-06-26 | 2020-12-30 | イビデン株式会社 | 炭素系複合材料 |
CN114890805A (zh) * | 2022-05-27 | 2022-08-12 | 湖南晶碳新材料有限公司 | 一种连续式石墨化炉中碳碳坩埚的制备工艺 |
CN115286413A (zh) * | 2022-07-18 | 2022-11-04 | 浙江星辉新材料科技有限公司 | 一种碳碳复合材料坩埚及其制备方法 |
-
2000
- 2000-11-01 JP JP2000334382A patent/JP4077601B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1304912C (zh) * | 2005-02-21 | 2007-03-14 | 西北工业大学 | 碳/碳复合材料热梯度化学气相渗透过程温度自动控制器 |
WO2012105488A1 (ja) * | 2011-02-02 | 2012-08-09 | 東洋炭素株式会社 | 単結晶引上げ装置用黒鉛ルツボ及びその製造方法 |
JP2012158504A (ja) * | 2011-02-02 | 2012-08-23 | Toyo Tanso Kk | 単結晶引上げ装置用黒鉛ルツボ及びその製造方法 |
CN103249876A (zh) * | 2011-02-02 | 2013-08-14 | 东洋炭素株式会社 | 单晶提拉装置用石墨坩埚及其制造方法 |
CN103249876B (zh) * | 2011-02-02 | 2016-06-29 | 东洋炭素株式会社 | 单晶提拉装置用石墨坩埚及其制造方法 |
TWI576472B (zh) * | 2011-02-02 | 2017-04-01 | Toyo Tanso Co | Graphite crucible for single crystal pulling device and method for manufacturing the same |
KR101808891B1 (ko) * | 2011-02-02 | 2017-12-13 | 토요 탄소 가부시키가이샤 | 단결정 인상 장치용 흑연 도가니 및 그 제조 방법 |
KR101907818B1 (ko) * | 2011-02-02 | 2018-10-12 | 토요 탄소 가부시키가이샤 | 단결정 인상 장치용 흑연 도가니 및 그 제조 방법 |
KR101933396B1 (ko) * | 2016-08-01 | 2018-12-28 | 국방과학연구소 | 밀도 구배를 갖는 탄소 복합재 제조방법 |
KR20180014609A (ko) * | 2016-08-01 | 2018-02-09 | 국방과학연구소 | 밀도 구배를 갖는 탄소 복합재 제조방법 |
KR101743073B1 (ko) * | 2016-11-14 | 2017-06-02 | 국방과학연구소 | 밀도 구배를 갖는 탄소 복합재의 제조방법 및 이에 의해 제조된 탄소 복합재 |
CN108911760A (zh) * | 2018-08-08 | 2018-11-30 | 航天材料及工艺研究所 | 碳纤维增强树脂梯度碳化非烧蚀型热防护材料及制备方法 |
CN108911760B (zh) * | 2018-08-08 | 2021-07-09 | 航天材料及工艺研究所 | 碳纤维增强树脂梯度碳化非烧蚀型热防护材料及制备方法 |
CN109456063A (zh) * | 2018-12-07 | 2019-03-12 | 烟台凯泊复合材料科技有限公司 | 一种单晶硅拉制炉的CF/Si3N4复合材料埚帮及其制备方法 |
WO2020261971A1 (ja) * | 2019-06-26 | 2020-12-30 | イビデン株式会社 | 炭素系複合材料 |
JP2021004150A (ja) * | 2019-06-26 | 2021-01-14 | イビデン株式会社 | 炭素系複合材料 |
CN110436951A (zh) * | 2019-08-27 | 2019-11-12 | 中南大学 | 一种低成本C/C-SiC-BN复合摩擦材料及其制备方法 |
CN111848219A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-10-30 | 航天特种材料及工艺技术研究所 | 一种提高rmi工艺制陶瓷基复合材料性能的方法及制得的陶瓷基复合材料 |
CN114890805A (zh) * | 2022-05-27 | 2022-08-12 | 湖南晶碳新材料有限公司 | 一种连续式石墨化炉中碳碳坩埚的制备工艺 |
CN115286413A (zh) * | 2022-07-18 | 2022-11-04 | 浙江星辉新材料科技有限公司 | 一种碳碳复合材料坩埚及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4077601B2 (ja) | 2008-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001505522A (ja) | 炭化珪素強化炭化珪素複合材料 | |
JPH01249659A (ja) | 耐酸化性を有する炭素/炭素複合材料の製造法 | |
JP4077601B2 (ja) | 単結晶引き上げ用c/cルツボの製造方法 | |
CN113979752A (zh) | 一种莫来石纤维增强陶瓷基复合材料及其制备方法 | |
JP5231316B2 (ja) | 炭素繊維強化炭素複合材、単結晶引き上げ装置用部材、及び、炭素繊維強化炭素複合材の製造方法 | |
JP4700218B2 (ja) | 単結晶引き上げ用炭素繊維強化炭素複合材料製ルツボ | |
JPH1059795A (ja) | 半導体単結晶引き上げ用c/cルツボ | |
JP3218092B2 (ja) | 耐酸化性c/c複合材の製造方法 | |
JP2006131451A (ja) | 単結晶引き上げ用ルツボとその製造方法 | |
CN113800934B (zh) | 一种莫来石纤维增强陶瓷基复合材料及其制备方法 | |
JP3844273B2 (ja) | 耐酸化性c/c複合材及びその製造方法 | |
JP2000095567A (ja) | 炭素繊維強化炭素複合材及び単結晶引き上げ装置用部材 | |
JP2000086382A (ja) | 単結晶引き上げ用c/cルツボ | |
JPH10158090A (ja) | 半導体単結晶引上げ用c/c製ルツボの製法 | |
JP4218853B2 (ja) | 単結晶引き上げ用炭素質ルツボとその製造方法 | |
JPH09295889A (ja) | 半導体単結晶引き上げ装置のシードチャック | |
JPH10209061A (ja) | 半導体拡散炉用の構成部材 | |
JP2579563B2 (ja) | 炭素繊維強化炭素複合材の耐酸化処理法 | |
JP2002173392A (ja) | 単結晶引上げ装置用c/c部材 | |
JP4823406B2 (ja) | 単結晶引き上げ装置用炭素繊維強化炭素複合材料 | |
JPH0952777A (ja) | 耐酸化性c/c複合材の製造方法 | |
JPH06345571A (ja) | 高温耐酸化性c/c複合材の製造方法 | |
JP4152580B2 (ja) | Si単結晶引き上げ用C/Cルツボの製造方法および補修方法 | |
JPH0633195B2 (ja) | 炭素系発泡断熱成形体およびその製造方法 | |
JP2000219584A (ja) | 炭化ケイ素被覆した炭素繊維強化炭素複合材料及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050310 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071030 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071107 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080129 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080201 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110208 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120208 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130208 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140208 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |