JP4700218B2 - 単結晶引き上げ用炭素繊維強化炭素複合材料製ルツボ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、チョクラルスキー法(以下、CZ法という。)によるシリコンの単結晶引き上げに用いられる単結晶引き上げ用炭素繊維強化炭素複合材料製ルツボに関する。
【0002】
【従来の技術】
CZ法において、シリコン単結晶の製造は、ルツボの中の溶融シリコンを引き上げることにより生成される。このルツボには高融点、高温安定性や溶融シリコンと反応しにくいという特性を有する石英製の物が使用されている。図4にCZシリコン単結晶引き上げ装置の模式概略図を示し、CZ法の概略を説明する。
【0003】
図4において、チャンバー41内で、多結晶シリコンが充填された石英ルツボ42は、ルツボ43の内部に載置される。このルツボ43は受け皿46に載置され、ペディスタル47で軸支され、チャンバー41内の中央部に位置する。さらに、ルツボ43の外周を取り巻くようにヒーター44、保温筒45が設けられ、石英ルツボ42内の多結晶シリコンを加熱溶解する。多結晶シリコンの温度はパイロメーター48で直接測定され、温度制御されている。そして、シードチャック49に取り付けられた種結晶50を石英ルツボ42内の溶融多結晶シリコンに浸漬し、前記ルツボ43と同方向または逆方向に回転させつつ引き上げてシリコン単結晶を成長させる。
【0004】
CZ法によるシリコン単結晶の製造には、従来よりシリコンをその内部で溶融するための石英ルツボと、これを収容して外部から支持するための黒鉛製のルツボが用いられている。最近では、製造する単結晶が大口径化しつつあることに伴い、前記のCZ法に用いられる引き上げ装置も大型化されている。これによって、従来の黒鉛製ルツボでは重量が増加することによるハンドリング上の問題や、装置内の有効処理寸法が小さくなるという問題がでてきた。
【0005】
炭素繊維強化炭素複合材料(以下、C/C材という。)は、黒鉛材に比較して、軽く、そして、各種機械的強度が高いため、有効に装置の処理室を使用することができ、軽量のため、装置への設置等のハンドリング性にも優れている。これらのことから、現在、大口径のCZ法による単結晶引き上げ装置に用いられる炉構成品はルツボをはじめとして、黒鉛製のものからC/C材製の物へと移りつつある。
【0006】
C/C材製のルツボを製造する方法としては、主として以下の2つの方法がある。
【0007】
一つは、フィラメントワインディング法と呼ばれる方法である。この方法は、通常炭素繊維を束ねた炭素繊維束を熱硬化性樹脂、溶剤等からなる低粘度の結合材に浸漬した後、結合材の付着した炭素繊維束をルツボ形状を有するマンドレルに巻付けて必要なルツボ形状に成形する。その後、例えば、100〜300℃程度の温度で熱硬化を行ない、得られる成形体をN2ガス等の不活性ガス中でたとえば約1000℃の温度で炭素化させる。この炭素化の後、必要に応じてフェノール樹脂、タールピッチ等を含浸させ、さらに1500℃以上の温度で加熱して炭素化(黒鉛化)を行なう。以上の工程により得られたルツボを、たとえばハロゲンガス雰囲気中で、1500〜2500℃程度の温度において加熱し、高純度化処理を施し、C/C材からなるルツボを得る。
【0008】
もう一つは、ハンドレイアップ法と呼ばれる方法である。この方法は、炭素繊維クロスをルツボ型に貼り付けて成形体を作製した後、フィラメントワインディング法と同様に熱硬化、炭素化、黒鉛化および高純度化処理を施してC/C材からなるルツボを得る。
一般には、これら両者を組み合わせてC/C材の製造が行われている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、実際に使用する場合には、ルツボの底部を受け皿46(図4参照)に安定して載置できるように、例えば、図5に示すようにルツボ51の底部52を機械加工によって図5中のハッチング部分53を切除して、平滑にする必要がある。この時、ルツボ底部52の炭素繊維を切断してしまい、C/C材自体の塑性変形等によるルツボ底部52の変形や、炭素繊維の脱離等が発生してしまう。そして、ルツボ底部52が変形することによって、C/C材製ルツボ51自体及びC/C材製ルツボ51と受け皿46(図4参照)との間にも空隙が生じ、この空隙にSiOガスが入り込み、ルツボと反応しSiC化し、ルツボを消耗させてしまうという問題が生じていた。また、変形時の応力によって、切断された部分53の炭素繊維の剥離が生じることもあった。
【0010】
本発明は、前記問題点を解決するためになされたものであり、フィラメントワインディング法等によるルツボ成形後のルツボ底部の機械加工をできるだけ少なくし、使用時における炭素繊維の脱離や変形を抑制した単結晶引き上げ用C/C材製ルツボを提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するための本発明の単結晶引き上げ用C/C材製ルツボは、単結晶引き上げに用いられるC/C材製ルツボであって、前記ルツボが側筒部及び底部とで構成され、フィラメントワインディング法で多層に巻かれて一体に形成されており、前記多層のうちルツボ最内層の第1層は、炭素繊維が前記底部の極点を通る軌道となるように巻かれ、前記第1層の外表面に巻かれる第2層は、前記第1層の炭素繊維が前記極点に集中し盛り上がった部分の略中腹部から外側に広がる第1外輪底部を形成する軌道で巻かれ、前記第2層の外表面に巻かれる第3層以降の各層は、夫々の層の内側の各層の外表面の略中腹部から外側に夫々段階的に広がる外輪底部を形成する軌道で巻かれ、各外輪底部の頂部が間隔をおいて設けられていると共に、前記多層に巻かれた炭素繊維の前記底部における前記第1層の盛り上がり部分の頂部及び各外輪底部の頂部が略同じ高さであり、前記底部における前記盛り上がり部分の頂部及び前記各外輪底部の頂部のみが機械加工によって切削して平滑にされたことを特徴とする。また、前記頂部を、機械加工によって、平滑にすることができる。
【0012】
本発明のC/C材製ルツボによると、ルツボ底部がフィラメントワインディング法による成形後の時点で、略同じ高さの底部となり、安定した状態で、受け皿等に載置することができる。また、底部に僅かに形成される波形状面の凸部の頂部の一部を必要最小限に機械加工することによって、平滑な面とすることができる。さらに、その機械加工による切削量が底部肉厚(第1層の盛り上がり部分の頂部の肉厚)の40%以下、好ましくは30%以下とすることにより、底部の機械的強度の低下もなく、使用時の炭素繊維の脱離や剥離が少なくなり、C/C材製ルツボ自体の変形も抑制され、さらには、単結晶引上げ時のルツボのSiC化を抑制することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のC/C材製ルツボの一実施形態例を図面に基づいて説明する。図1は、本実施形態例に係るC/C材製ルツボ1を示しており、(a)は、側面断面図、(b)は、底面図を示すものである。図1に示すように、本実施形態例に係るC/C材製ルツボ1は、最内層の第1層2と、その外表面に形成されている第2層3と、この第2層3の外表面に形成されている第3層4と、この第3層4の外表面に形成されている第4層5の4層に炭素繊維が束ねられた炭素繊維束が巻かれて形成された多層構造となっている。
【0014】
図1に示すように、第1層2を形成する炭素繊維束は、C/C材製ルツボ1の底部の極点Oを通る軌道となるように巻かれている。このため、極点Oで、炭素繊維束が重なり、盛り上がり部分6が形成される。
【0015】
第2層3は、第1層2の極点Oでの盛り上がり部分6の中腹部分で、円を形成する軌道、すなわち、円の接線若しくはこれと平行となる方向になるように、巻き付け角度を微調整しながら各炭素繊維束が巻かれている。このため、第1層2に接する部分では、極点Oでの盛り上がり部分6の中腹部分から外側に広がるように、各炭素繊維束が重なって僅かに盛り上がった第1外輪底部8が形成されている。また、このように巻き付け角度を微調整しながら巻き付けることで、該第1外輪底部8の盛り上がり部分の頂部と、極点Oにおける盛り上がり部分6の頂部との高さを略等しくできる。
【0016】
第3層4は、第2層3がC/C材製ルツボ1の底部12に形成する第1外輪底部8の盛り上がり部分の中腹部分で、円を形成するような軌道となるように、巻き付け角度を微調整しながら各炭素繊維束が巻かれて形成され、第1外輪底部8の盛り上がり部分の中腹部分から外側に広がるように第2外輪底部9が形成されている。この第2外輪底部9の盛り上がり部分の頂部も、巻き付け角度を微調整しながら炭素繊維束が巻き付けられているため、極点Oでの盛り上がり部分6の頂部及び第1外輪底部8の盛り上がり部分の頂部の高さと略等しくなる。
【0017】
第4層5は、第3層4がC/C材製ルツボ1の底部12に形成する第2外輪底部9の盛り上がり部分の中腹部分で、円を形成するような軌道となるように、巻き付け角度を微調整しながら各炭素繊維束が巻かれて形成され、第2外輪底部9の盛り上がり部分の中腹部分から外側に広がるように第3外輪底部10が形成されている。この第3外輪底部10の盛り上がり部分の頂部も、巻き付け角度を微調整しながら炭素繊維束が巻き付けられているため、極点Oでの盛り上がり部分6の頂部、第1外輪底部8の盛り上がり部分の頂部及び第2外輪底部9の盛り上がり部分の頂部の高さと略等しくなる。
【0018】
このように、夫々の層を形成する炭素繊維束は、ルツボ底部12の極点Oから夫々段階的に環状に略同等の間隔をあけた軌道で、夫々巻き付け角度を微調整しながら巻かれているため、各層がルツボ底部12において、重なり合って形成される盛り上がり部分6、及び各外輪底部8,9,10の頂部の高さが略同等となる。このため、従来のように、ルツボ底部12を平らに機械加工せずとも安定した状態で受け皿に載置してCZ装置内に設置することが可能となる。
【0019】
次に、本実施形態例に係るC/C材製ルツボ1の製造方法について説明する。
【0020】
図2(a)において、マンドレル21は、円筒部22と、円筒部22の一端でボウル状に膨出する膨出部23と、円筒部22の他端の中心から突設された軸部24とからなる。円筒部22は形成されるC/C材製ルツボ1の側胴部11の内径に相当する外径を有し、C/C材製ルツボ1の側胴部11よりやや長くなっている。膨出部23はC/C材製ルツボ1の底部12の内側の湾曲形状に沿う湾曲した外面を有している。このマンドレル21を制御された回転が可能な軸部24によって支持し、マトリックス前駆体となる結合材が含浸された炭素繊維束を供給するデリバリアイ部25を図示のようにマンドレル21の外周に沿って移動させると、ポーラ巻き、パラレル巻き、レベル巻き等のフィラメントワインディングが自在に行える。このとき、円筒部22の他端側の側面に巻き付けられる炭素繊維束は捨て巻きとなる。他端側円周部で炭素繊維束がすべる事があるので、ピンを設置して炭素繊維束のズレ防止を行う事がある。
【0021】
次に、具体的にマンドレル21を用いてC/C材製ルツボを得るまでの工程を説明する。マンドレル21の表面に、熱硬化性樹脂等のマトリックス前駆体となる結合材が含浸された2Dクロスを多層張りつける(図示せず)。この2Dクロスを貼り付けることによって、C/C材製ルツボ1の内表面がフラットになる。
【0022】
そして、図2(b)と(c)に各々側断面図と、底面図を示すように、膨出部23の極点Oを通る軌道となるように炭素繊維束をポーラ巻きし、第1層2を形成する。この時、極点O部分には、炭素繊維束が重なり合ってできる盛り上がり部分6が形成される。
【0023】
次に、図2(d)に示すように、円筒部22の周方向に沿って巻き付けるパラレル巻きを行う。このパラレル巻きは、中心軸に対する巻き付け角度が90°近くとなるように巻き付けられるものであって、ルツボ胴部の周方向強化層を形成する。
【0024】
次いで、図2(e)と(f)に示すように、第1層2の盛り上がり部分6の中腹部分で円を形成するような軌道で炭素繊維束を巻き付け角度を微調整しながらレベル巻きする。これによって、第1層2の盛り上がり部分6の外周に第1外輪底部8が形成される。そして、側筒部11にパラレル巻きを行う。以下、任意の層数及び層厚さとなるように、炭素繊維束のマンドレル21の膨出部23への巻き掛ける軌道を、各外輪底部8、9、10の径が極点Oでの盛り上がり部分6及び各外輪底部8,9の略中腹部分から外側に向って段階的に広がるようにレベル巻き及び側筒部11へのパラレル巻きを繰り返し行い、多層のC/C材製ルツボ1の成形体を形成する。
【0025】
以上の成形工程後、成形体が巻き付けられたマンドレル21のまま乾燥させる。次に、マンドレル21外周の成形体に外圧を付与しながら加熱し、樹脂等のマトリックス前駆体である結合材を熱硬化させ、マンドレル21から取り外し、ルツボ状の成形体を得る。この成形体を不活性雰囲気中で800〜1000℃に加熱、焼成し炭素化を行う。次に、この炭素化した成形体に、ピッチ等を含浸し、800〜1000℃で焼成するという工程を2〜4回繰り返し、緻密化する。所定の密度が得られれば、1800〜2200℃に加熱し、黒鉛化処理を行う。
【0026】
その後、ハロゲンガス雰囲気で、10Pa〜50kPaの減圧下において高純度化処理を行い、灰分で20ppm以下の高純度品とする。次に、CVD法により、表面の気孔を介して内部に熱分解炭素を含浸し、表面を被覆する。
【0027】
ここで、熱分解炭素とは、炭化水素類、例えば、炭素数1〜8、特に炭素数3のプロパンや炭素数1のメタンガス等の炭化水素ガスもしくは炭化水素化合物を熱分解させて得られる高純度で高結晶化度の黒鉛化物である。
【0028】
また、ここで言うCVD法とは、化学気相蒸着法(Chemical Vapor Deposition)のことであり、前述した熱分解炭素を基材の開気孔より内部にまで浸透析出させる所謂CVI法を包含する方法であって、前述した炭化水素類あるいは炭化水素化合物を用い、炭化水素濃度3〜30%好ましくは5〜20%とし、全圧を13kPa以下好ましくは6kPa以下の操作をする。このような操作を行った場合、炭化水素が基材表面付近で脱水素、熱分解、重合などによって巨大炭素化合物を形成し、これが基材上に沈積、析出し、更に脱水素反応が進み緻密な熱分解炭素層が形成され、あるいは浸透して含浸される。析出の温度範囲は一般に800〜2500℃までの広い範囲であるが、できるだけ深く含浸するためには1300℃以下の比較的低温領域で熱分解炭素を析出させることが望ましい。また析出時間は50時間以上好ましくは100時間以上の長時間にすることが内部にまで熱分解炭素を形成させる場合には適している。さらにこれによって、各繊維間の隅々にまで熱分解炭素を形成することが可能となり、C/C材の層間剪断強度の改善に寄与する。また含浸の程度を高めるために、等温法、温度勾配法、圧力勾配法等が使用でき、時間の短縮及び緻密化を可能にするパルス法を使用してもよい。その後、表面に緻密な熱分解炭素を被覆する場合もある。通常は、1500〜2200℃で、その他は上記条件とし、所望の厚みになるよう、保持時間を調整する。
【0029】
使用される炭素繊維としては、特に制限されるものではなく、PAN系、レーヨン系、ピッチ系のいずれの炭素繊維も用いることができる。フィラメントワインディング法で用いることのできる強度を考慮すれば、PAN系炭素繊維がより好ましい。炭素繊維の直径も特に限定されるものではないが、フィラメントワインディング時の繊維切れを防止することを考慮すれば、φ2μm以上のものが好ましい。用いられる炭素繊維束のフィラメント数は、フィラメントワインディング時の繊維切れを防止する観点から、1000本/束以上が好ましい。フィラメント数は、たとえば1000〜200000本/束とすることができる。
【0030】
マトリックス前駆体となる結合材には、特に限定されることなく、フェノール樹脂、フラン樹脂等を含む熱硬化性樹脂、コールタールピッチ等の有機バインダを用いることができる。
【0031】
以上のように製造された本実施形態例のC/C材製ルツボ1は、嵩密度1.4g/cm3以上となる。
【0032】
また、ルツボ1の底部を、図3の2点鎖線で示す部分を機械加工によって切除して、CZ装置の受け皿46(図4参照)の形状に合わせて、ルツボ1が確実に受け皿46に載置できるようにすることもできる。図3に示すように、切除する部分は、盛り上がり部分6及び各外輪底部8,9,10の頂部及び第4層5のルツボ底部12のR部13のみである。盛り上がり部分6及び各外輪底部8,9,10の頂部は、上述のような巻き方を行うことによって、その高さが略同等であるため、その切除は、ルツボ底部12の肉厚(盛り上がり部分6の肉厚)の40%以下、好ましくは30%以下とすることで、平滑な面を形成することができる。また、第4層5のR部13を切削してテーパー部7とすることによって、CZ装置内に安定した設置が可能となる。また、万が一冷却時の応力による変形が発生した場合でも、ルツボとヒーターの接触は回避できる。
【0033】
このように、本発明に係るC/Cルツボは、底部の炭素繊維束を切断しない、若しくは、機械加工する場合であってもその機械加工によって切断される炭素繊維束が少なく、CZ装置での使用時に、炭素繊維の脱離等を抑制することができる。また、機械加工量が少ないため、ルツボ底部の機械的強度の低下も抑制することができ、CZ装置内で使用しているときの繰り返し受ける熱応力によっても変形することがなくなる。このため、受け皿との間に空隙が形成されることもなく、ルツボの消耗等を抑制することができる。
【0034】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【0035】
(実施例1)
図2のマンドレル21を使用し、マンドレル21表面にトレカT−300 3K(東レ(株)製)平織りクロスにフェノール樹脂を含浸したものを3層張りつけ、その上にフィラメントワインディングを施した。フィラメントワインディングは、トレカT−300 12K(東レ(株)製)フィラメント6本にフェノール樹脂を含浸させながら、マンドレル21の膨出部23の極点Oを通る軌道となり、全面を覆い尽くすようにポーラ巻きを行い、次に、中心軸に対する巻き付け角が85°〜90°のパラレル巻きを行い第1層2を形成した。次に、この第1層2の外表面に、第2層3を形成した。この時、第1外輪底部8の内径が60mmとなる軌道を通るようにトレカT−300 12K(東レ(株)製)フィラメント6本にフェノール樹脂を含浸させながらレベル巻きを行い、次いで、中心軸に対する巻き付け角が85°〜90°のパラレル巻きを行い第2層3を形成した。この第2層3の外表面に、第2外輪底部9の内径が100mmとなる軌道を通るようにトレカT−300 12K(東レ(株)製)フィラメント6本にフェノール樹脂を含浸させながらレベル巻きを行い、次いで、中心軸に対する巻き付け角が85°〜90°のパラレル巻きを行い第3層4を形成した。そして、この第3層4の外表面に、第3外輪底部10の内径が140mmとなる軌道を通るようにトレカT−300 12K(東レ(株)製)フィラメント6本にフェノール樹脂を含浸させながらレベル巻きを行い、次いで、中心軸に対する巻き付け角が85°〜90°のパラレル巻きを行い第4層5を形成し、側筒部11の各層厚みが2mm、外径が470mm、底部12の肉厚が20mmの成形体とした。次に、オーブン中にて成形体を熱硬化させた。熱硬化後、マンドレル21から取り外し、ルツボ状成形体を得た。つぎに、1000℃まで昇温し、C/C材を得た。さらに、ピッチ含浸と焼成を2回繰り返して緻密化を行った。加えて、最終熱処理として、減圧下で2000℃に加熱し、黒鉛化処理を行った。
【0036】
以上の工程を経て得られた成形体を、その底部12を図3に示すように、機械加工する。この際、図に示す、二点鎖線部分のみ、即ち、盛り上がり部6及び各外輪底部8,9,10の頂部のみを加工するようにする。この時、機械加工による切削量は、ルツボ底部12の肉厚の5%であった。機械加工後、更に、ハロゲンガス雰囲気中で、減圧下、2000℃で、高純度化処理を行った。その後、CVD法によって、熱分解炭素の含浸、被覆処理を行い最終製品を得た。このCVD処理によって、C/C材製ルツボ1のかさ密度は1.58g/cm3となった。このようにして得られたC/C材製ルツボ1をCZ装置内に設置し、単結晶引上げを行う実機試験を行った。
【0037】
(実施例2)
ルツボ底部12の機械加工による切削量をルツボ底部12の肉厚の30%とした以外、実施例1と同様にしてルツボを製作し、実施例1と同様に、C/C材製ルツボとし、CZ装置内に設置し、単結晶引上げを行う実機試験を行った。
【0038】
(実施例3)
ルツボ底部12の機械加工による切削量をルツボ底部12の肉厚の40%とした以外、実施例1と同様にしてルツボを製作し、実施例1と同様に、C/C材製ルツボとし、CZ装置内に設置し、単結晶引上げを行う実機試験を行った。
【0039】
(比較例1)
図2のマンドレル21を使用し、マンドレル21表面にトレカT−300 3K(東レ(株)製)平織りクロスにフェノール樹脂を含浸したものを3層張りつけ、その上にフィラメントワインディングを施した。フィラメントワインディングは、トレカT−300 12K(東レ(株)製)フィラメント6本にフェノール樹脂を含浸させながら、ポーラ巻き、中心軸に対する巻き付け角が85°〜90°のパラレル巻きを交互に図5のように行い、実施例1と同等の肉厚になるまで繰り返した。胴部はパラレル巻きとポーラ巻きの混合層になるが、底部はポーラ巻きだけになる。次に、オーブン中にて成形体を熱硬化させた。熱硬化後、マンドレル21から取り外し、ルツボ状成形体を得た。つぎに、1000℃まで昇温し、C/C材を得た。さらに、ピッチ含浸と焼成を2回繰り返して緻密化を行った。加えて、最終熱処理として、減圧下で2000℃に加熱し、黒鉛化処理を行った。そして、実施例1と同一形状となるように、機械加工をおこなった。この場合、機械加工による切削量は、ルツボ底部12の肉厚の50%となった。以下、実施例1と同様にして、高純度化処理及びCVD処理を行い、C/C材製ルツボとし、CZ装置内に設置し、単結晶引上げを行う実機試験を行った。
【0040】
(比較例2)
ルツボ底部12の機械加工による切削量をルツボ底部12の肉厚の45%とした以外、実施例1と同様にしてルツボを製作し、実施例1乃至実施例3及び比較例1と同様に、C/C材製ルツボとし、CZ装置内に設置し、単結晶引上げを行う実機試験を行った。
【0041】
表1に実施例1乃至実施例3及び比較例1と比較例2の実機試験の結果をまとめて示す。
【0042】
【表1】
【0043】
表1に示すように、実施例1のルツボは、100回の引上げ処理を行った後であっても、ルツボの変形、炭素繊維の脱離等は観察されなかった。また、実施例2のルツボは、100回の引上げ処理を行った後に、ルツボ底部に若干の変形が発生していた。また、実施例3のルツボは、50回の引上げ処理を行った後に、ルツボ底部に若干の変形が発生していた。一方、比較例1のルツボは、30回の引上げ処理後に、ルツボ底部に変形が生じ、ルツボと受け皿の間に空隙が発生した。また、比較例2のルツボも比較例1のルツボと同様に30回の引上げ処理後に、ルツボ底部に変形が生じ、ルツボと受け皿の間に空隙が発生した。
【0044】
【発明の効果】
本発明は、以上のように、フィラメントワインディング法によるポーラ巻きによる炭素繊維束の巻き掛ける軌道を段階的に略比例させて広げて行くことで、各層によって形成される極点での盛り上がり部分及び各外輪底部の頂部の高さを略同等とすることが可能となる。このため、ルツボ底部がフィラメントワインディング法による成形後の時点で、略同じ高さの底部となり、安定した状態で、受け皿等に載置することができる。また、ルツボ底部を平滑にする場合の機械加工においても、その切削量を40%以下とすることができ、機械加工によるルツボ底部の機械的強度の低下を防止することが可能となる。これによって、CZ装置内で使用した場合であっても、繰り返し受ける熱応力による変形がなく、耐用寿命の長いC/C材製ルツボとすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るC/C材製ルツボの実施形態の一例の側断面図及び底面図を示す図である。
【図2】本発明一実施形態例に係るC/C材製ルツボの製造方法を説明するための図である。
【図3】本発明に係るC/C材製ルツボの実施形態の一例の機械加工後の側断面図及び一部拡大図を示す図である。
【図4】CZ法を説明するための図である。
【図5】従来のC/C材製ルツボの底部の形状を説明するための図である。
【符号の説明】
1 C/C材製ルツボ
2 第1層
3 第2層
4 第3層
5 第4層
6 盛り上がり部分
7 テーパー部
8 第1外輪底部
9 第2外輪底部
10 第3外輪底部
11 側筒部
12 底部
13 R部
O 極点
Claims (2)
- 単結晶引き上げに用いられる炭素繊維強化炭素複合材料製ルツボであって、
前記ルツボが側筒部及び底部とで構成され、フィラメントワインディング法で多層に巻かれて一体に形成されており、
前記多層のうちルツボ最内層の第1層は、炭素繊維が前記底部の極点を通る軌道となるように巻かれ、
前記第1層の外表面に巻かれる第2層は、前記第1層の炭素繊維が前記極点に集中し盛り上がった部分の略中腹部から外側に広がる第1外輪底部を形成する軌道で巻かれ、
前記第2層の外表面に巻かれる第3層以降の各層は、夫々の層の内側の各層の外表面の略中腹部から外側に夫々段階的に広がる外輪底部を形成する軌道で巻かれ、
各外輪底部の頂部が間隔をおいて設けられていると共に、前記多層に巻かれた炭素繊維の前記底部における前記第1層の盛り上がり部分の頂部及び各外輪底部の頂部が略同じ高さであり、前記底部における前記盛り上がり部分の頂部及び前記各外輪底部の頂部のみが機械加工によって切削して平滑にされたことを特徴とする単結晶引き上げ用炭素繊維強化炭素複合材料製ルツボ。 - 前記切削した量が、前記底部の肉厚の40%以下であることを特徴とする請求項1に記載の単結晶引き上げ用炭素繊維強化炭素複合材料製ルツボ。
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