JPH10167879A

JPH10167879A - 単結晶引き上げ用ルツボ

Info

Publication number: JPH10167879A
Application number: JP8331745A
Authority: JP
Inventors: Fumiaki Yokoyama; 文昭横山; Hiroaki Koyama; 博章小山; Toshiji Hiraoka; 利治平岡
Original assignee: Toyo Tanso Co Ltd
Current assignee: Toyo Tanso Co Ltd
Priority date: 1996-12-12
Filing date: 1996-12-12
Publication date: 1998-06-23

Abstract

(57)【要約】【課題】ＳｉＯ₂との反応を低減させてルツボの強度
を高めつつ、製造コストの増大を防いで形成されるＣ／
Ｃ材からなるルツボを提供することである。【解決手段】直胴部２と、Ｒ部３を含む底部５とによ
って構成され、少なくとも前記Ｒ部３が炭素繊維強化炭
素複合材料を含んで形成される単結晶引き上げ用ルツボ
について、前記Ｒ部３をピッチ系炭素繊維からなる炭素
繊維強化炭素複合材料により形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、チョクラルスキー
法による半導体製造用のシリコンやガリウム砒素、ガリ
ウム燐、ガリウムインジウム燐等の引き上げに用いられ
る単結晶引き上げ用ルツボに関し、特に、該ルツボが炭
素繊維強化炭素複合材（以下Ｃ／Ｃ材ともいう）を含ん
で形成されるものに関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、チョクラルスキー法（以下ＣＺ
法という）に用いられるルツボは、シリコン等の単結晶
の材料を溶融するための石英ルツボを収容して外部から
支持するためのものであり、単結晶引き上げ用ルツボと
して黒鉛製ルツボが従来から用いられてきた。しかし、
石英ルツボは使用中にシリコン等の溶融熱を受けて軟化
するので、その外壁面が黒鉛ルツボ内面に密着した状態
となる。その結果、黒鉛製ルツボは、その熱膨張が石英
ルツボに比べて著しく高いので、後の冷却時に割れを生
ずる等の不利があった。

【０００３】また、近年、製造される前記シリコン等の
結晶は大口径化する傾向にあるが、黒鉛製ルツボを用い
た場合、結晶が大口径化すると該ルツボの著しい重量増
加を招くため、大口径の結晶の製造には限界がある。

【０００４】そこで、このような欠点のないルツボとし
て、炭素繊維強化炭素複合材（以下「Ｃ／Ｃ材」ともい
う）からなるルツボを採用することが提案されている
（実公平３−４３２５０号公報）。即ち、Ｃ／Ｃ材から
なるルツボを用いると、ルツボの軽量化が可能であり、
また、機械的強度が高く、熱膨張率も石英ルツボに近い
ことから、黒鉛ルツボのような不利がなく、結晶製造用
のルツボとして適している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、石英ルツボを
支持するルツボとしてＣ／Ｃ材からなるルツボを用いる
と、以下のような不利のあることが判った。

【０００６】即ち、Ｃ／Ｃ材は多孔性で外表面積が大き
いため、石英ルツボの外側に嵌めるルツボにＣ／Ｃ材に
より構成されるルツボを用いると、ＳｉＯ₂により構成
される石英ルツボに接する内面側において、高温環境の
下でＳｉＣ化を招く。このＳｉＣは脆いので、ルツボを
繰り返して使用することによりＳｉＣ化が進行すると、
応力が集中し易いルツボのＲ部周辺にクラックを生ずる
に至る。

【０００７】また、Ｃ／Ｃ材は、ＳｉＯ₂と反応してＣ
Ｏを発生することにより、分解されて消耗する。かかる
観点からも、Ｃ／Ｃ材からなるルツボのＲ部周辺の機械
的強度の低下を招くことになる。従って、Ｃ／Ｃ材から
なるルツボを形成するにあたっては、このようなＳｉＯ
₂との反応を極力抑え得ることが望ましい。

【０００８】一方、Ｃ／Ｃ材は複合材料であり、原料の
炭素繊維を相当の工程による処理を加えてＣ／Ｃ材とす
るのであり、該Ｃ／Ｃ材からなる一定の機械的強度を備
えるルツボの成形体が形成されるのである。従って、複
合材料としてのＣ／Ｃ材の形成のしかたによっては、そ
の製造コストが著しく増大することとなる。

【０００９】そこで、本発明は、ＳｉＯ₂との反応を低
減させてルツボの強度を高めつつ、製造コストの増大を
防いで形成されるＣ／Ｃ材からなるルツボを提供するこ
とを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明にかかる請求項１記載の発明は、直胴部と、Ｒ部
を含んでなる底部とによって構成され、少なくとも前記
Ｒ部が炭素繊維強化炭素複合材料を含んで形成される単
結晶引き上げ用ルツボであって、前記Ｒ部をピッチ系炭
素繊維からなる炭素繊維強化炭素複合材料により形成す
ることを特徴とする単結晶引き上げ用ルツボである。

【００１１】ここで、炭素繊維強化炭素複合材とは、炭
素繊維を炭素質または黒鉛質のバインダーで賦形したも
のである。バインダーとしてはピッチまたはフェノール
樹脂、フラン樹脂等の熱硬化性樹脂あるいは熱分解炭素
が使用される（以下、「ＣＶＤ法」と略する）。製法の
一般的な具体例としては、炭素繊維にピッチ又は樹脂を
含浸させてマトリックスにして成形し、炭素化処理、黒
鉛化処理を施して得られたものであり、黒鉛の特性を有
しつつ機械的強度を向上させたものである。製法の一般
的な具体例としては、まずピッチ系又はＰＡＮ系の炭素
繊維を出発物質とするＵＤ又は２−Ｄに樹脂を含浸させ
プリプレグとして積層・硬化させるか、前記炭素繊維を
フィラメントワインディング（ＦＷ法）で巻き付けて加
熱・硬化させるか、前記炭素繊維の３−Ｄ又はｎ−Ｄ織
物に樹脂を含浸させて加熱・硬化させる等の方法によっ
て成形体を形成する。この成形体に対して非酸化性雰囲
気にて炭化を行い、炭素化Ｃ／Ｃにする。ついで再含
浸、炭化、または、ＣＶＤ法による熱分解炭素の含浸を
繰り返しつつ緻密化を行う。更に高温熱処理を行い黒鉛
化Ｃ／Ｃにする。更にＣＺ用途で使用する為に、高純度
化処理（ハロゲンガスと反応させて金属不純物を除去す
る）を行う。特に、ＣＶＤ法の場合は、高純度化雰囲気
下での緻密化処理なので、該緻密化処理工程の前に高純
度化処理を行う事がある。また、熱分解炭素をマトリッ
クスとして用いる場合は、まず炭素繊維あるいは炭素繊
維フェルトを前記樹脂等で賦形した後、焼成してプリフ
ォームとする。このプリフォームにＣＶＤ法によって熱
分解炭素を枕積させて緻密化し、その後必要に応じて黒
鉛化してＣ／Ｃ材とする。

【００１２】このようにして形成されるＣ／Ｃ材は、内
部に炭素繊維を有する複合材であるため、一般的に、表
面に開気孔等に起因する凹凸が多く微小な窪みが存在し
ており、単なる黒鉛材や炭素材に比較して表面積が大き
い。そのため、このＣ／Ｃ材により単結晶製造用のルツ
ボを形成すると、ＳｉＯ₂により構成される石英ルツボ
に接する内面側から、結晶が製造される高温の環境の下
でＳｉＣ化を生ずる。このＳｉＣは脆いので、ルツボを
繰り返し使用することによりＳｉＣ化が進行すると、ク
ラックを生ずる原因となる。

【００１３】また、Ｃ／Ｃ材は、ＳｉＯ₂と反応してＣ
Ｏを発生するが、かかる反応に伴い分解されて消耗す
る。従って、特にＲ部のように応力が集中する部分は、
クラックを生じ易くなる。

【００１４】ここで、前記の工程により得られるＣ／Ｃ
材のうち、ピッチ系炭素繊維を出発物質として得られる
Ｃ／Ｃ材は、黒鉛化性が良いことから、ＰＡＮ系炭素繊
維を出発物質として得られるＣ／Ｃ材等に比べて、前記
のＳｉＯ₂との反応が少ないことが判った。従って、前
記のＳｉＣ化や、Ｃ／Ｃ材自体の消耗を減らすことがで
き、前記のクラックの発生を抑制することができる。

【００１５】そこで、本発明においては、ルツボの構成
部分のうち、特に、Ｃ／Ｃ材のＳｉＣ化や消耗が問題と
なるルツボのＲ部を、少なくともピッチ系Ｃ／Ｃ材によ
り形成することとしている。

【００１６】請求項２記載の発明は、前記Ｒ部を形成す
るピッチ系炭素繊維からなる炭素繊維強化炭素複合材料
を、学振法で測定した（００２）の面間隔が３．４２５
Å以下とすることを特徴とする請求項１記載の単結晶引
き上げ用ルツボである。ピッチ系炭素繊維からなる炭素
繊維強化炭素複合材料の中でも、学振法の測定により
（００２）の面間隔が３．４２５Å以下であると、特
に、黒鉛化性がよく、前記のＳｉＯ₂との反応をさらに
低減することができる。

【００１７】請求項３記載の発明は、前記直胴部をＰＡ
Ｎ系炭素繊維からなる炭素繊維強化炭素複合材料で形成
し、前記底部の全体をピッチ系炭素繊維からなる炭素繊
維強化炭素複合材料で形成し、前記直胴部と前記底部を
接合して構成される請求項１または請求項２記載の単結
晶引き上げ用ルツボである。前記のように、ルツボのＲ
部については応力が集中し易いので、該Ｒ部についての
ＳｉＣ化等を防ぐためにピッチ系Ｃ／Ｃ材を含んで形成
するのが望ましい。また、底部のＲ部以外の部分につい
てもＲ部からの応力の作用が及ぶので、底部全体をピッ
チ系Ｃ／Ｃ材を含んで形成すると、かかる部分の寿命を
長めることができる。また、底部以外の直胴部について
も、機械的強度を高めるためにＣ／Ｃ材を含んで形成す
るのが望ましい。ところで、前記ピッチ系炭素繊維を出
発物質としてＣ／Ｃ材の成形体を得る工程は、前記のＦ
Ｗ法や２−Ｄを積層させる等の工程とは異なり、煩雑な
作業からなる工程であるため、成形体の製造コストの増
大を招くことになる。従って、ルツボの全構成部分をピ
ッチ系炭素繊維からなるＣ／Ｃ材（以下「ピッチ系Ｃ／
Ｃ材」ともいう）により構成すると、ルツボの製造コス
トの著しい増大を招くことになる。一方、ルツボの直胴
部については、Ｒ部のように応力の集中等の事情を配慮
する必要はないので、必ずしもピッチ系Ｃ／Ｃ材により
形成する必要はない。そこで、ルツボの構成部分のう
ち、特に、Ｃ／Ｃ材のＳｉＣ化や消耗が問題となるＲ部
を含む底部をピッチ系Ｃ／Ｃ材により形成する一方、直
胴部をＰＡＮ系炭素繊維からなる炭素繊維強化炭素複合
材料により形成する。即ち、ルツボの一部のみを選択的
に高価なピッチ系Ｃ／Ｃ材により形成することとし、残
りの部分をＰＡＮ系炭素繊維からなる炭素繊維強化炭素
複合材によって形成するようにする。これにより、特定
部分の強度を特に高めつつ全体の強度が高められたルツ
ボを、製造コストの増大を招くことなく製造することが
できる。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明の実施形態を図１乃至図５
に沿って説明する。図１は、本願発明にかかる単結晶引
き上げ用ルツボの一例についての断面形状を示してい
る。単結晶引き上げ用ルツボ１は、直胴部２と、Ｒ部３
を含む底部５とによって構成される。

【００１９】図１に示すルツボ１の例では、Ｒ部３を含
む底部５の全体をピッチ系Ｃ／Ｃ材により形成し、直胴
部２をＰＡＮ系炭素繊維からなるＣ／Ｃ材により形成す
る構成としている。そして、直胴部２と底部５とは、図
示しない互いに設けられるネジ溝を介する等により接合
されるようになっている。このように、ルツボ１のＲ部
３をピッチ系Ｃ／Ｃ材により形成すると、前記のように
ＳｉＣ化を低減でき、また、ルツボの消耗を抑制でき
る。これにより、応力が集中するＲ部３について、クラ
ックの発生を防ぐことができる。また、直胴部２をＣ／
Ｃ材により形成することにより、その機械的強度を高め
ることもできる。

【００２０】なお、ルツボ１を前記図１に示すように構
成すると望ましいが、かかる構成に限定されるのではな
く、ルツボ１を構成する前記部材のうち、少なくともＲ
部３をＣ／Ｃ材を含んで形成するのであればよく、直胴
部２と底部５のＲ部３以外の部分については、黒鉛材に
より形成するのであっても構わない。また、ピッチ系Ｃ
／Ｃ材を含む部分の形成は、少なくともＲ部３について
なされていればよい。また、ルツボ１を構成する前記の
各構成部分のうち、一部分のみをＣ／Ｃ材により形成す
るのであっても構わない。

【００２１】また、ピッチ系Ｃ／Ｃ材からなる部分につ
いて、図２に示されるように形成することもできる。即
ち、図２に示すように、直胴部２の内面２ａの側におい
て、Ｒ部から近接する部分へピッチ系Ｃ／Ｃ材により形
成される部分を延在させる構成である。直胴部２の内面
２ａの側のＲ部に近接する部分までピッチ系Ｃ／Ｃ材に
より形成すると、かかる部分についてもＳｉＣ化を低減
させ、また、その消耗を防ぐことができる。ピッチ系Ｃ
／Ｃ材により形成する部分は、直胴部２のうち内面２ａ
の側に延在させれば十分である。前記のＳｉＣ化や消耗
が問題となるのは、石英ルツボに接する内面２ａの側だ
からである。

【００２２】ピッチ系Ｃ／Ｃ材により形成する部分を延
在させる具体的な構成としては、図２（ａ）に示すよう
にＲ部３の外面側に対して直胴部２の内面２ａの側に階
段状に段差を設ける構成としてもよく、図２（ｂ）に示
すようにＲ部３の外面側から直胴部２の内面２ａの側に
斜め勾配を設ける構成としてもよい。なお、この場合に
ついても、図示しないネジ溝を介する等により、ピッチ
系Ｃ／Ｃ材により形成される部分と、ＰＡＮ系Ｃ／Ｃ材
により形成される部分とが接合されるようになってい
る。

【００２３】次に、上記の各部により構成されるルツボ
１の成形体を得る工程の具体例を、以下に説明する。ル
ツボ１の直胴部２については、ＦＷ法により成形体を得
ることができる。ＦＷ法によりＣ／Ｃ材からなる成形体
を得る工程は、図３に示すように巻取り型１１が用いら
れる。ＰＡＮ系炭素繊維１２を巻取り型１１に巻き付
け、巻取り型１１に備わる回転軸１１ａを回転させるこ
とにより、炭素繊維１２を巻取り型１１上に巻き取って
行く。この巻取り型１１は、完成後のルツボ１の内面に
嵌合するような寸法からなる形状に構成されているの
で、巻取り型１１に対して、その中心１１ｂの方向に直
胴部２の縦方向の長さに相当する幅に渡って炭素繊維１
２を一定厚さの層に巻きつけると、一定の肉厚からなる
直胴部２の形状体を得ることができる。この直胴部２の
形状体に熱圧処理を施す等の工程を経ることにより、直
胴部２の成形体を得ることができる。なお、直胴部２の
形状体を得る工程は、ＦＷ法以外に２−Ｄに樹脂を含浸
させる等して積層・硬化させる等の工程によるのであっ
ても構わない。

【００２４】ルツボ１の底部５の成形体については、以
下の工程により得ることができる。図４（ａ）に示すよ
うに、ピッチ系炭素繊維１３とピッチ１４とを一定の割
合で混合し、Ｃ／Ｃ材の原料として調製する。次に、こ
の調製した原料１５を図４（ｂ）に示すように、内部に
所定形状の空隙を備える金型１６に充填する。金型１６
に備わる空隙は、前記の原料１５を充填した状態におい
て、ルツボ１の底部５の形状に適合するような寸法から
なる形状に構成されている。そして、前記原料１５に所
定の温度と所定の圧力を加えると、ピッチ系炭素繊維か
らなる底部５の成形体を得ることができる。この底部５
にかかるＣ／Ｃ材の成形体を製造する条件の具体例につ
いては、後に説明する。

【００２５】上記の工程により得られる直胴部２の成形
体と底部５の成形体に対し、焼成およびピッチ含浸と高
温熱処理等からなる後処理を行うと、Ｃ／Ｃ材を含んで
形成されるルツボ１を完成させることができる。

【００２６】図５は、本発明にかかるルツボ１が組み込
まれた単結晶引き上げ装置により、結晶の製造を行う様
子を示している。ルツボ１は、その内側に石英ルツボ２
１を支持する。ルツボ１の外側には、ルツボ１より一定
距離の位置でルツボ１を覆うようにヒータ２４が設けら
れる。石英ルツボ２１内に蓄えられている結晶の原料と
してのシリコンを溶融するため、石英ルツボ２１の内部
がヒータ２４によりルツボ１を通して加熱される。

【００２７】そして、内側に石英ルツボ２１を支持する
前記ルツボ１は、回転テーブル２２の上に支持されてお
り、図示しない駆動機構による回転軸２３を介する回転
テーブル２２の回転により、回転するようになってい
る。単結晶の製造は、前記加熱により石英ルツボ２１内
のシリコンを溶融しつつ、ルツボ１とともに石英ルツボ
２１を回転させながら、ルツボ上方の図示しない引き上
げ装置上に成長させることにより行う。

【００２８】そして、この単結晶の製造を行う過程にお
いては、前記で説明したように、Ｃ／Ｃ材を含んで形成
されるルツボ１は、内側に石英ルツボ２１を支持するの
で、ルツボ１の内面側にＳｉＣの析出を招く。本発明に
かかるルツボ１は、少なくともそのＲ部をピッチ系Ｃ／
Ｃ材により形成するので、該Ｒ部のＳｉＣ化を低減させ
ることができる。従って、応力が集中する該Ｒ部のクラ
ックの発生を減少させ、ルツボ１の寿命を長くすること
ができる。

【００２９】

【実施例】本発明にかかるルツボを形成するピッチ系Ｃ
／Ｃ材の試料を作製し、前記クラックの原因となるＳｉ
Ｃ化に関する反応性試験を行った。比較例として、ＰＡ
Ｎ系炭素繊維からなるＣ／Ｃ材を作製し、ＳｉＣ化の比
較を行った。この反応性試験の具体的な内容な以下のと
おりである。

【００３０】（１）ピッチ系Ｃ／Ｃ材の作製試料１としてピッチ系Ｃ／Ｃ材を作製した。その具体的
な製造条件と、製造されたもののかさ密度等は以下のと
おりである。市販のピッチ系炭素繊維の長さ３ｍｍから
なるチョップドファイバー（三菱化学株式会社製ダイヤ
リードＫ−３２１）１００部と、軟化点１６０℃のピッ
チ（アドケムコ製）２００部とを加え、十分に混合した
後に前記で説明したような金型に充填した。そして、成
形圧１００kg／cm²、成形温度２００℃により成形を行
い、かさ密度１．３５の成形体を得た。この成形体を１
０００℃まで焼成し、ピッチ含浸、焼成を１回行った後
に２０００℃処理を行い、かさ密度１．５５のＣ／Ｃ材
を得た。

【００３１】（２）ＰＡＮ系炭素繊維からなるＣ／Ｃ材
の作製比較例としてＰＡＮ系炭素繊維からなるＣ／Ｃ材を作製
した。その具体的な製造条件と、製造されたもののかさ
密度等は以下のとおりである。市販のＰＡＮ系炭素繊維
の長さ３ｍｍからなるチョップドファイバー（トレカＴ
−３００）を用いた。成形体を得る条件を、（１）と同
じ条件とした。この成形体のかさ密度は１．３０であっ
た。そして、この成形体を１０００℃まで焼成し、ピッ
チ含浸、焼成を１回行った後に２０００℃処理を行い、
かさ密度１．５０のＣ／Ｃ材を得た。

【００３２】（３）反応性試験の結果前記の試料１と、比較例について、ＳｉＯガス雰囲気に
おいて、反応性試験を行った。この反応性試験を行うに
あたっては、試料１および比較例ともに、前記により得
たＣ／Ｃ材の成形体から６０×１０×３ｍｍの寸法を切
り出してＴ．Ｐ．（Test Piece）とした。そして、前記
の試料１と比較例のＴ．Ｐ．を、２０７３Ｋ１００Ｔ
ｏｒｒ．のＳｉＯガス雰囲気にて、５時間反応させた。
この反応性試験を行った結果を表１に示す。

【００３３】

【表１】

【００３４】表１は、試料１と比較例について、ＳｉＣ
化率の他、ＳｉＣ化と関係する諸特性を測定した結果を
示している。試料１の反応試験後のかさ密度は１．９０
であり、比較例の反応試験後のかさ密度は２．０２であ
った。比較例のかさ密度の増加がより大きいことが確認
される。

【００３５】曲げ強さについて、いずれも反応試験後の
減少が伺えるが、比較例の減少がより大きいことが確認
される。質量変化について、試料１に比べて比較例の質
量の増加が大きいことが確認される。そして、ＳｉＣ化
率自体について、試料１よりも比較例の方が大きいこと
が確認された。

【００３６】また、試料１と比較例とについて、顕微鏡
による観察も行った。試料１については、僅かな炭素繊
維のＳｉＣ化と、殆どのマトリックス部材のＳｉＣ化が
確認された。比較例については、多くの炭素繊維のＳｉ
Ｃ化と、殆どのマトリックス部材のＳｉＣ化が確認され
た。この顕微鏡による観察の結果は、前記表１に示され
る諸特性の測定結果をよく裏付ける結果となっている。

【００３７】そして、試料１にかかるＣ／Ｃ材を用いて
結晶引き上げ用ルツボの成形体を形成し、このルツボを
シリコン単結晶の引き上げに用いた。このルツボは、前
記図１に示すように小Ｒ部と大Ｒ部とからなる底部全体
を試料１にかかるＣ／Ｃ材により形成し、直胴部につい
てはＰＡＮ系炭素繊維からなるＣ／Ｃ材により形成した
ものである。そして、このルツボを単結晶の製造に用い
たところ、結晶の引き上げバッチ回数で４０回の使用が
可能であった。一方、従来のＰＡＮ系炭素繊維より得た
Ｃ／Ｃ材により全体を形成したルツボを用いると、１５
回程度しか使用できなかった。このことから、本発明に
かかるルツボは、単結晶の引き上げに適合する特性を備
えており、ルツボの使用寿命を長くできることが確認さ
れる。

【００３８】

【発明の効果】以上のように、本発明にかかる請求項１
記載の発明は、炭素繊維強化炭素複合材料を含んで形成
されるルツボについて、少なくともＲ部をピッチ系炭素
繊維からなる炭素繊維強化炭素複合材料により形成する
ので、強い応力が作用するＲ部のＳｉＣ化等を低減させ
て強度を高めることができ、前記ルツボの寿命を長くで
きるという効果を奏する。

【００３９】請求項２記載の発明は、前記ピッチ系炭素
繊維からなる炭素繊維強化炭素複合材料を、学振法によ
り測定した（００２）の面間隔が３．４２５Å以下のも
のを用いるので、特にＳｉＣ化を低減させることがで
き、前記ルツボの使用寿命をさらに長くすることができ
るという効果を奏する。

【００４０】請求項３記載の発明は、Ｒ部を含む底部を
ピッチ系炭素繊維からなる炭素繊維強化炭素複合材料を
含んで形成し、直胴部をＰＡＮ系炭素繊維からなるＣ／
Ｃ材により形成するので、特定部分の強度を特に高めて
寿命を長めつつ全体の強度も高められたルツボを、製造
コストの増大を招くことなく製造することができるとい
う効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる単結晶引き上げ用ルツボの断面
図である。

【図２】本発明にかかる単結晶引き上げ用ルツボの構成
例を示す図である。

【図３】ルツボの直胴部を得る工程を示す図である。

【図４】ピッチ系Ｃ／Ｃ材からなる成形体を得る工程を
示す図である。

【図５】本発明にかかるルツボを用いた結晶の製造状況
を示す図である。

【符号の説明】

１単結晶引き上げ用ルツボ２ルツボの直胴部２ａ直胴部の内面３ルツボの小Ｒ部３ａＲ部の内面５ルツボの底部１１巻取り用型１１ａ巻取り用型の回転軸１１ｂ巻取り用型の回転軸の中心１２ＰＡＮ系炭素繊維１３ピッチ系炭素繊維１４ピッチ１５ピッチ系Ｃ／Ｃ材の原料１６成形用金型２１石英ルツボ２２回転テーブル２３回転テーブルの回転軸２４ヒータ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】直胴部と、Ｒ部を含む底部とによって構
成され、少なくとも前記Ｒ部が炭素繊維強化炭素複合材
料を含んで形成される単結晶引き上げ用ルツボであっ
て、前記Ｒ部をピッチ系炭素繊維からなる炭素繊維強化炭素
複合材料により形成することを特徴とする単結晶引き上
げ用ルツボ。
【請求項２】前記Ｒ部を形成するピッチ系炭素繊維か
らなる炭素繊維強化炭素複合材料は、学振法で測定した
（００２）の面間隔が３．４２５Å以下であることを特
徴とする請求項１記載の単結晶引き上げ用ルツボ。
【請求項３】前記直胴部をＰＡＮ系炭素繊維からなる
炭素繊維強化炭素複合材料で形成し、前記Ｒ部を含む底
部の全体をピッチ系炭素繊維からなる炭素繊維強化炭素
複合材料で形成し、前記直胴部と前記底部とを接合して
構成される請求項１または請求項２記載の単結晶引き上
げ用ルツボ。