JP2002124367A - セラミックヒーター - Google Patents

セラミックヒーター

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JP2002124367A
JP2002124367A JP2000319461A JP2000319461A JP2002124367A JP 2002124367 A JP2002124367 A JP 2002124367A JP 2000319461 A JP2000319461 A JP 2000319461A JP 2000319461 A JP2000319461 A JP 2000319461A JP 2002124367 A JP2002124367 A JP 2002124367A
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heat
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Abstract

(57)【要約】 【課題】被処理物を支持し、加熱する加熱面が設けられ
たセラミック基体、基体内に埋設されている発熱体、お
よび加熱面に被処理物に接触するエンボス部を備えるセ
ラミックヒーターであって、加熱面のヒートスポットに
よる被処理物への悪影響を防止する。 【解決手段】加熱面２ａの平均温度が目的温度に昇温し
たときに、加熱面２ａにおいて表面温度が相対的に高い
ヒートスポット３が存在している。ヒートスポット３に
おけるエンボス部４の単位面積当たりの個数が、ヒート
スポット３以外の領域におけるエンボス部４の単位面積
当たりの個数よりも少ない。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックヒータ
ーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置においては、熱ＣＶＤな
どによってシランガスなどの原料ガスから半導体薄膜を
製造する当たって、基板であるウエハーを加熱するため
のセラミックヒーターが具えられている。
【０００３】セラミックヒーターにおいては、いわゆる
２ゾーンヒーターと呼ばれる構成のものが知られてい
る。２ゾーンヒーターにおいては、セラミック基体中
に、モリブデンなどの高融点金属からなる内側抵抗発熱
体と外側抵抗発熱体とを埋設し、これら抵抗発熱体にそ
れぞれ別個の電流導入端子を接続し、各抵抗発熱体に所
定の電圧を印加することにより、内側抵抗発熱体および
外側抵抗発熱体を独立に制御する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】例えば半導体ウエハー
を加熱する用途においては、加熱面の温度を全体に均一
に制御することが必要であり、使用条件下で例えば加熱
面の全体にわたって±５℃以下といった厳格な仕様を満
足することが要求されている。しかし、実際には加熱面
にいわゆるヒートスポットが発生することがある。ヒー
トスポットの発生は、加熱面の目的温度が５００℃以
上、更には６００℃以上となると顕著となる傾向があ
る。ヒートスポットが発生すると、その領域において
は、半導体膜の厚さが変化するおそれがある。
【０００５】更に、本発明者は、セラミックヒーター上
に半導体ウエハーを設置し、ウエハー上に半導体を成膜
した場合に、ヒーター基体内に埋設された例えばらせん
形状の抵抗発熱線のパターンが、半導体に現れる場合が
あることを発見した。こうしたパターンは、基体内に埋
設された抵抗発熱体の影響によって、加熱面に抵抗発熱
体のパターンに対応したヒートスポットのパターンが発
生していることを示している。
【０００６】本発明の課題は、被処理物を支持し、加熱
する加熱面が設けられたセラミック基体、この基体内に
埋設されている発熱体、および加熱面に前記被処理物に
接触するエンボス部を備えているセラミックヒーターで
あって、加熱面のヒートスポットによる被処理物への悪
影響を防止できるようにすることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、被処理物を支
持し、加熱する加熱面が設けられたセラミック基体、基
体に設置されている発熱体、および加熱面に被処理物に
接触するエンボス部を備えているセラミックヒーターで
あって、加熱面の平均温度が目的温度に昇温したとき
に、加熱面において表面温度が相対的に高いヒートスポ
ットが存在しており、ヒートスポットにおけるエンボス
部の単位面積当たりの個数が、ヒートスポット以外の領
域におけるエンボス部の単位面積当たりの個数よりも少
ないことを特徴とする。
【０００８】また、本発明は、被処理物を支持し、加熱
する加熱面が設けられたセラミック基体、この基体に設
置されている発熱体、および加熱面において被処理物に
接触するエンボス部を備えているセラミックヒーターで
あって、発熱体が基体内に平面状に埋設されており、加
熱面に対して垂直な方向に向かって発熱体を加熱面上へ
と投影して見たときに、発熱体上におけるエンボス部の
単位面積当たりの個数が、発熱体以外の領域におけるエ
ンボス部の単位面積当たりの個数よりも少ないことを特
徴とする。
【０００９】また、本発明は、被処理物を支持し、加熱
する加熱面が設けられたセラミック基体、およびこの基
体に設置されている発熱体を備えているセラミックヒー
ターであって、基体の内部において加熱面と発熱体との
間に空間が設けられており、この空間内に複数の熱伝導
体が空間を横断するように設けられていることを特徴と
する。
【００１０】発熱体の基体への設置の形態は限定されな
い。好ましくは基体内に発熱体を埋設するが、基体の裏
面に発熱体を設置することもできる。
【００１１】本発明者は、エンボス部がヒートスポット
に設けられておらず、ヒートスポットがエンボス部の間
隙に面するように、エンボス部を配置することで、ヒー
トスポットが被処理物に対して接触することを防止し、
加熱面と被処理物との間に空隙を設けることを想到し
た。この結果、空隙内における圧力はチャンバー内の圧
力であり、この圧力は通常は低いので、ヒートスポット
から被処理物への熱伝導を抑制し、被処理物の温度を均
一化し、ヒートスポットによる被処理物への悪影響を防
止できる。
【００１２】図１（ａ）は、セラミックヒーター１にお
けるヒートスポット３の位置を示す図であり、図１
（ｂ）は、エンボス部を形成した後のセラミックヒータ
ー１Ａを加熱面２ａ側から見た平面図である。
【００１３】セラミックヒーター１Ａの基体２は例えば
円板形状であり、基体２の一方の主面が加熱面２ａを形
成している。加熱面２ａには、目的温度においてヒート
スポット３が現れる。ここで、目的温度とは、被処理物
を処理する際の目的の最高温度を意味している。
【００１４】ここで、本発明に従い、加熱面２ａに多数
のエンボス部４を形成するのに際して、エンボス部の間
の空隙５、５Ａ中にヒートスポット３が位置するように
する。
【００１５】この発明においては、ヒートスポットにお
けるエンボス部の単位面積当たりの個数を、ヒートスポ
ット以外の領域におけるエンボス部の単位面積当たりの
個数よりも少なくする。（ヒートスポットにおけるエン
ボス部の単位面積当たりの個数）／（ヒートスポット以
外の領域におけるエンボス部の単位面積当たりの個数）
の比率は、本発明の効果を奏する上で１／３以下である
ことが好ましい。最も好適な実施形態においては、エン
ボス部がヒートスポットに設けられておらず、ヒートス
ポットがエンボス部の間隙に面する。
【００１６】本発明の好適な実施形態においては、発熱
体が基体内に平面状に埋設されており、加熱面に対して
垂直な方向に向かって発熱体を加熱面上へと投影して見
たときに、発熱体の間隙にエンボス部が形成されてい
る。図２のヒーターはこの実施形態に係るものである。
【００１７】図２に示すセラミックヒーター１Ｂにおい
ては、加熱面２ａに、基体内部に埋設された発熱体６の
パターンに対応したパターンのヒートスポットが現れ
る。従って、加熱面２ａにおいて、発熱体６の上にはエ
ンボス部４が位置しないようにする。即ち、加熱面に対
して垂直な方向に向かって発熱体６を加熱面上へと投影
して見たときに、発熱体６の存在領域にはエンボス部４
が存在しないようにし、エンボス部４の間隙５Ｂに発熱
体６Ａの存在領域があるようにした。
【００１８】この発明においては、発熱体上におけるエ
ンボス部の単位面積当たりの個数を、発熱体以外の領域
におけるエンボス部の単位面積当たりの個数よりも少な
くする。（発熱体上におけるエンボス部の単位面積当た
りの個数）／（発熱体以外の領域におけるエンボス部の
単位面積当たりの個数）の比率は、本発明の効果を奏す
る上で１／３以下であることが好ましい。最も好適な実
施形態においては、エンボス部が発熱体上に設けられて
おらず、発熱体がエンボス部の間隙に面する。
【００１９】本発明の他の好適な実施形態においては、
基体内に複数の発熱体が埋設されており、各発熱体がそ
れぞれ対応する各平面に沿って埋設されており、加熱面
に対して垂直な方向に向かって複数の発熱体を加熱面上
へと投影して見たときに複数の発熱体が略重複して存在
している。
【００２０】図３のセラミックヒーター１Ｄは、この実
施形態に係るものである。基体２内には複数、例えば２
列の発熱体６Ａ、６Ｂが埋設されている。各発熱体６
Ａ、６Ｂは、それぞれ、互いに平行な平面Ａ、Ｂに沿っ
て延びるように埋設されている。各発熱体６Ａ、６Ｂ
は、それぞれ、端子９、１０を介して、電源１１、１２
に接続されている。
【００２１】図４は、加熱面２ａ側から基体２を見たと
きの平面図であるが、ただし発熱体６Ａの平面的パター
ンを点線で示してある。この点線のパターンは、加熱面
２ａに対して垂直な方向Ｃに向かって発熱体６Ａを加熱
面２ａ上へと投影して見たときの、発熱体６Ａのパター
ンである。発熱体６Ａの存在領域にはエンボス部４が設
けられていない。エンボス部４の間隙５Ｂに発熱体６Ａ
の存在領域がある。
【００２２】図５は、加熱面２ａ側から基体２を見たと
きの平面図であるが、ただし発熱体６Ｂの平面的パター
ンを点線で示してある。この点線のパターンは、加熱面
２ａに対して垂直な方向Ｃに向かって発熱体６Ｂを加熱
面２ａ上へと投影して見たときの、発熱体６Ｂのパター
ンである。発熱体６Ｂの存在領域にはエンボス部４が設
けられていない。エンボス部４の間隙５Ｂに発熱体６Ｂ
の存在領域がある。
【００２３】本例では、加熱面２ａに対して垂直な方向
Ｃに向かって複数の発熱体６Ａ、６Ｂを加熱面２ａ上へ
と投影して見たときに、複数の発熱体６Ａ、６Ｂが略重
複している。そして、本発明に従い、各発熱体６Ａ、６
Ｂを加熱面２ａ上に投影して見たときに、加熱面２ａに
おける発熱体６Ａ、６Ｂの存在領域にはエンボス部４が
存在していない。つまり、各発熱体６Ａ、６Ｂの存在領
域は、エンボス部４の間隙５Ｂ内に位置する。
【００２４】本発明の他の好適な実施形態においては、
基体内に複数の発熱体が埋設されており、各発熱体がそ
れぞれ対応する各平面に沿って埋設されており、加熱面
に対して垂直な方向に向かって複数の発熱体を加熱面上
へと投影して見たときに複数の発熱体が互いに相異なる
領域に存在している。この場合には、ヒートスポットが
加熱面に各発熱体の埋設形状に応じた形状に沿ってそれ
ぞれ現れるので、加熱面において各ヒートスポットの間
隙にエンボス部を形成する。
【００２５】図６のセラミックヒーター１Ｅはこの実施
形態に係るものである。基体２内には、複数、例えば２
列の発熱体６Ｃ、６Ｄが埋設されている。各発熱体６
Ｃ、６Ｄは、それぞれ、互いに平行な平面Ａ、Ｂに沿っ
て延びるように埋設されている。各発熱体６Ｃ、６Ｄ
は、それぞれ、端子９、１０を介して、電源１１、１２
に接続されている。
【００２６】本例では、加熱面２ａに対して垂直な方向
Ｃに向かって複数の発熱体６Ｃ、６Ｄを加熱面２ａ上へ
と投影して見たときに、複数の発熱体６Ｃ、６Ｄが、加
熱面２ａにおいて相異なる領域に存在している。そし
て、本発明に従い、各発熱体６Ｃ、６Ｄを加熱面２ａ上
に投影して見たときに、加熱面２ａにおける発熱体６
Ｃ、６Ｄの各存在領域の両方ともに、エンボス部４が存
在しておらず、各発熱体６Ｃ、６Ｄの存在領域は、エン
ボス部４の間隙５Ｄ内に位置する。
【００２７】各エンボス部４の高さは、被処理物へのヒ
ートスポットの影響を抑制するという観点から、５−５
００μｍとすることが好ましい。
【００２８】本発明においては、個々の各エンボス部の
直径φは種々変更できるが、被処理物の温度の均一性の
観点からは φを０．２−１０ｍｍとすることが好まし
い。
【００２９】また、個々の各エンボス部の平面的形状や
平面的寸法は種々変更できる。例えばエンボス部の被処
理物への接触面の形状は、三角形、四角形、六角形、八
角形等の多角形、またはリング状や帯状であってよい。
また、エンボス部の個数についても特に限定されない。
しかし、被処理物、特に半導体ウエハーや液晶パネルの
半導体製造用の基板に対する吸着力を、被処理物の全面
にわたって均一化するという観点からは、単位面積当た
りのエンボス部の個数を、０．００２５−０．３２個／
ｍｍ2 とすることが特に好ましい。
【００３０】各エンボス部の高さ等の形状は、ダイヤル
ゲージもしくは三次元形状測定装置によって測定する。
【００３１】一般に、セラミックヒーターの基体２の材
質は限定しないが、パーティクルの発生を一層低減させ
るという観点からは、窒化アルミニウム系セラミック
ス、窒化アルミニウムを含む複合材料、アルミナ系セラ
ミックス、アルミナを含む複合材料、アルミナと窒化ア
ルミニウムとの複合セラミックスが好ましい。
【００３２】エンボス部の材質は特に限定されないが、
パーティクルの発生を一層低減させるという観点から
は、窒化アルミニウム系セラミックス、窒化アルミニウ
ムを含む複合材料、アルミナ系セラミックス、アルミナ
を含む複合材料、アルミナと窒化アルミニウムとの複合
セラミックスが好ましい。エンボス部は、ブラスト加
工、化学的気相成長法などによって形成できる。
【００３３】発熱体の材質も限定されず、導電性セラミ
ックスや金属であってよいが、高融点金属が特に好まし
く、モリブデン、タングステン、モリブデンとタングス
テンとの合金が特に好ましい。
【００３４】本発明においては、セラミックヒーターの
基体の内部において加熱面と発熱体との間に空間を設
け、この空間内に複数の熱伝導体を空間を横断するよう
に設けることができる。このように、基体内部に空隙を
形成することによって、基体内部での熱伝導を抑制する
と共に、空隙内の一部領域においては伝導体を設けて熱
伝導を促進することで、ヒートスポットの発生を抑制す
ることは知られていない。
【００３５】基体内に前記空間が存在しない場合に加熱
面の平均温度が目的温度に昇温したときに、加熱面にお
いて表面温度が相対的に高いヒートスポットが存在する
場合に、本発明に従って前記空間および熱伝導体を形成
することが特に有利である。この場合には、加熱面に対
して垂直な方向に向かって熱伝導体およびヒートスポッ
トを加熱面上へと投影して見たときに、熱伝導体がヒー
トスポットの間隙に設けられるように、かつ熱伝導体が
ヒートスポット上に来ないように設計する。
【００３６】本発明の好適な実施形態においては、加熱
面に対して垂直な方向に向かって熱伝導体およびヒート
スポットを加熱面上へと投影して見たときに、ヒートス
ポットにおける熱伝導体の単位面積当たりの個数が、ヒ
ートスポット以外の領域における熱伝導体の単位面積当
たりの個数よりも少ない。（ヒートスポットにおける熱
伝導体の単位面積当たりの個数）／（ヒートスポット以
外の領域における熱伝導体の単位面積当たりの個数）の
比率は、本発明の効果を奏する上で１／３以下であるこ
とが好ましい。
【００３７】特に好ましくは、発熱体が基体内に平面状
に埋設されており、加熱面に対して垂直な方向に向かっ
て熱伝導体および発熱体を加熱面上へと投影して見たと
きに、発熱体の間隙に熱伝導体が形成されている。
【００３８】図７（ａ）、（ｂ）は、この実施形態に係
るセラミックヒーター１Ｃを示すものである。図７
（ａ）は、セラミックヒーター１Ｃの横断面図であり、
図７（ｂ）はセラミックヒーター１Ｃの縦断面図であ
る。
【００３９】セラミックヒーター１Ｃの基体１２内に
は、横方向に延びる空間７が形成されている。基体１２
は、空間７によって、支持部１２ａと表層部１２ｂとに
分かれている。支持部１２ａ内に発熱体６が形成されて
いる。表層部１２ｂ上に加熱面１２ｃが設けられてい
る。空間７内の所定箇所に熱伝導体１４が形成されてお
り、熱伝導体１４によって、支持部１２ａと表層部１２
ｂとがつながっている。また、基体１２の外周側には外
周接続部１２ｄが設けられており、これによって支持部
１２ａと表層部１２ｂとが接続されている。
【００４０】発熱体６は、基体１２内に平面Ｄに沿って
埋設されている。図７（ａ）においては、発熱体６を点
線で図示してある。加熱面１２ｃに対して垂直な方向Ｃ
に向かって熱伝導体１４および発熱体６を加熱面１２ｃ
上へと投影して見たときに、発熱体６の間隙に熱伝導体
１４が形成されている。
【００４１】また、好適な実施形態においては、基体内
に複数の発熱体が埋設されており、各発熱体がそれぞれ
対応する各平面に沿って埋設されており、加熱面に対し
て垂直な方向に向かって複数の発熱体を加熱面上へと投
影して見たときに複数の発熱体が略重複して存在してい
る。この場合には、加熱面において、ヒートスポットも
各発熱体と同じ存在領域に現れるので、その領域には熱
伝導体が存在しないようにすることで、基体の内部にお
ける熱伝導を抑制する。
【００４２】また、好適な実施形態においては、基体内
に複数の発熱体が埋設されており、各発熱体がそれぞれ
対応する各平面に沿って埋設されており、加熱面に対し
て垂直な方向に向かって複数の発熱体を前記加熱面上へ
と投影して見たときに複数の発熱体が互いに相異なる領
域に存在している。この場合には、加熱面において、各
発熱体に対応して、相異なる領域にそれぞれ別のヒート
スポットが現れる。従って、その領域には熱伝導体が存
在しないようにすることで、基体の内部における熱伝導
を抑制する。
【００４３】空間内の圧力は３Ｔｏｒｒ以下とすること
が特に好ましく、これによって空間内における対流熱伝
導を抑制して輻射熱伝導が支配的な条件とし、ヒートス
ポットを効果的に抑制できる。
【００４４】熱伝導体の材質は特に限定されないが、基
体と同材質であることが好ましく、窒化アルミニウム系
セラミックス、窒化アルミニウムを含む複合材料、アル
ミナ系セラミックス、アルミナを含む複合材料、アルミ
ナと窒化アルミニウムとの複合セラミックスが好まし
い。
【００４５】
【実施例】（実験１）図３−図５に概略的に示すセラミ
ックヒーターを製造した。具体的には、還元窒化法によ
って得られた窒化アルミニウム粉末を使用し、この粉末
にアクリル系樹脂バインダーを添加し、噴霧造粒装置に
よって造粒し、造粒顆粒を得た。３層のシート状成形体
を順次一軸加圧成形し、３層の成形体を積層し、一体化
した。この一軸加圧成形体の中には、モリブデン製のコ
イル状の抵抗発熱体６Ａおよび６Ｂを埋設した。
【００４６】この成形体をホットプレス型中に収容し、
密封した。昇温速度３００℃／時間で温度を上昇させ、
この際、室温〜１０００℃の温度範囲で減圧を行った。
この温度の上昇と同時に圧力を上昇させた。最高温度を
１８００℃とし、最高温度で４時間保持し、圧力を２０
０ｋｇｆ／ｃｍ2 とし、窒素雰囲気下で焼成し、焼結体
を得た。この焼結体を機械加工し、更に仕上げ加工して
ヒーターを得た。基体２の直径を２４０ｍｍとし、厚さ
を１８ｍｍとした。抵抗発熱体６Ａと６Ｂとの間隔を
５．５ｍｍとした。
【００４７】基体２の表面をサンドブラスト加工するこ
とによって、エンボス部４を形成した。ただし、エンボ
ス部４の高さは２０μｍとし、エンボス部の径はφ３ｍ
ｍとし、密度は１．５個／ｃｍ2 とした。各交流電源か
らの供給電力を制御することによって、加熱装置の加熱
面の平均温度を約６５０℃にした。チャンバー内の圧力
は、高真空、３Ｔｏｒｒ、３０Ｔｏｒｒ、５０Ｔｏｒｒ
とした。
【００４８】そして、加熱面上にシリコンウエハーを静
置し、シランガスを供給することによって、シリコン膜
を形成し、得られたシリコン膜の表面状態を観察した。
この結果、チャンバー内の圧力が高真空、３Ｔｏｒｒの
場合には、発熱体に対応したパターンはまったく観測で
きなかった。３０Ｔｏｒｒ、５０Ｔｏｒｒの場合には、
発熱体に対応したパターンが一応観察された。このた
め、更に詳細な調査を行い、隣り合う模様の間で厚さの
分布を測定したところ、１％以下であった。これは、ウ
エハー全体の膜厚の分布の大きさの半分以下であるの
で、実用上は問題がない。
【００４９】（実験２）実験２と同様にしてセラミック
ヒーターを製造し、シリコン膜上のパターンを観測し
た。ただし、図４、図５に示すパターンの発熱体６Ａ、
６Ｂを使用した。また、加熱面上のエンボス部のパター
ンは完全にランダムとし、エンボス部が発熱体上にも位
置するようにした。これと共に、図７（ａ）、（ｂ）に
示すような形態の空間７および熱伝導体１４を使用し
た。熱伝導体１４の材質も窒化アルミニウムとした。空
間７の厚さは２ｍｍとし、直径は２１０ｍｍとし、熱伝
導体１４の直径は６ｍｍとした。測定時におけるチャン
バー内の圧力は、高真空、３Ｔｏｒｒ、３０Ｔｏｒｒ、
５０Ｔｏｒｒ、１５０Ｔｏｒｒとした。
【００５０】この結果、いずれの圧力下においても、発
熱体に対応したパターンは観測できなかった。
【００５１】（実験３）実験２において、空間７および
熱伝導体１４を設けなかった。測定時におけるチャンバ
ー内の圧力は、高真空、３Ｔｏｒｒ、３０Ｔｏｒｒ、５
０Ｔｏｒｒ、１５０Ｔｏｒｒとした。
【００５２】この結果、いずれの圧力下においても、シ
リコン膜の外観において、発熱体に対応したパターンが
明瞭に目視できた。
【００５３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、被
処理物を支持し、加熱する加熱面が設けられたセラミッ
ク基体、基体内に埋設されている発熱体、および加熱面
に被処理物に接触するエンボス部を備えているセラミッ
クヒーターであって、加熱面のヒートスポットによる被
処理物への悪影響を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、セラミックヒーターにおけるヒート
スポットのパターンの一例を示す図であり、（ｂ）は、
セラミックヒーター１Ａの加熱面２ａの形態を示す平面
図である。
【図２】セラミックヒーター１Ｂを示す平面図である。
【図３】セラミックヒーター１Ｄを示す縦断面図であ
る。
【図４】セラミックヒーター１Ｄの加熱面を示す平面図
であり、発熱体６Ａのパターンを点線によって示してい
る。
【図５】セラミックヒーター１Ｄの加熱面を示す平面図
であり、発熱体６Ｂのパターンを点線によって示してい
る。
【図６】セラミックヒーター１Ｅを示す縦断面図であ
る。
【図７】（ａ）はセラミックヒーター１Ｃの平面図であ
り、（ｂ）はセラミックヒーター１Ｃの縦断面図であ
る。
【符号の説明】
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ セラミックヒーター
２基体 ２ａ 基体の加熱面 ３
ヒートスポット ４ エンボス部 ５ エ
ンボス部の間隙 ５Ａ、５Ｂ エンボス部の間隙
（発熱体が存在する間隙） ６、６Ａ、６Ｂ 発
熱体 Ａ、Ｂ、Ｄ発熱体が設けられている平面
Ｃ 加熱面に対して垂直な方向
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 3/18 Ｈ０５Ｂ 3/18 3/20 ３５６ 3/20 ３５６ Ｆターム(参考） 3K034 AA02 AA13 AA21 AA22 BB06 BB14 BC01 BC17 BC29 CA15 HA01 HA10 JA02 3K092 PP20 QA05 QB02 QB27 QB43 QB47 QB74 QC16 QC38 RF03 RF11 RF20 RF27 SS28 SS34 VV22 5F031 CA02 HA02 HA08 HA17 HA37 MA28 5F045 AB02 AC01 AF03 BB02 EK09

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】被処理物を支持し、加熱する加熱面が設け
    られたセラミック基体、この基体に設置されている発熱
    体、および前記加熱面において前記被処理物に接触する
    エンボス部を備えているセラミックヒーターであって、 前記加熱面の平均温度が目的温度に昇温したときに、前
    記加熱面において表面温度が相対的に高いヒートスポッ
    トが存在しており、前記ヒートスポットにおける前記エ
    ンボス部の単位面積当たりの個数が、前記ヒートスポッ
    ト以外の領域における前記エンボス部の単位面積当たり
    の個数よりも少ないことを特徴とする、セラミックヒー
    ター。
  2. 【請求項２】被処理物を支持し、加熱する加熱面が設け
    られたセラミック基体、この基体に設置されている発熱
    体、および前記加熱面において前記被処理物に接触する
    エンボス部を備えているセラミックヒーターであって、 前記発熱体が前記基体に平面状に設置されており、前記
    加熱面に対して垂直な方向に向かって前記発熱体を前記
    加熱面上へと投影して見たときに、前記発熱体上におけ
    る前記エンボス部の単位面積当たりの個数が、前記発熱
    体以外の領域における前記エンボス部の単位面積当たり
    の個数よりも少ないことを特徴とする、セラミックヒー
    ター。
  3. 【請求項３】前記基体内に複数の前記発熱体が埋設され
    ており、各発熱体がそれぞれ対応する各平面に沿って埋
    設されており、前記加熱面に対して垂直な方向に向かっ
    て前記複数の発熱体を前記加熱面上へと投影して見たと
    きに複数の発熱体が略重複して存在していることを特徴
    とする、請求項２記載のセラミックヒーター。
  4. 【請求項４】前記基体内に複数の前記発熱体が埋設され
    ており、各発熱体がそれぞれ対応する各平面に沿って埋
    設されており、前記加熱面に対して垂直な方向に向かっ
    て前記複数の発熱体を前記加熱面上へと投影して見たと
    きに複数の発熱体が互いに相異なる領域に存在している
    ことを特徴とする、請求項２記載のセラミックヒータ
    ー。
  5. 【請求項５】被処理物を支持し、加熱する加熱面が設け
    られたセラミック基体、およびこの基体に設置されてい
    る発熱体を備えているセラミックヒーターであって、 前記基体の内部において前記加熱面と前記発熱体との間
    に空間が設けられており、この空間内に複数の熱伝導体
    が前記空間を横断するように設けられていることを特徴
    とする、セラミックヒーター。
  6. 【請求項６】前記基体内に前記空間が存在しない場合に
    前記加熱面の平均温度が目的温度に昇温したときに、前
    記加熱面において表面温度が相対的に高いヒートスポッ
    トが存在しており、前記加熱面に対して垂直な方向に向
    かって前記熱伝導体および前記ヒートスポットを前記加
    熱面上へと投影して見たときに、前記ヒートスポットに
    おける前記熱伝導体の単位面積当たりの個数が、前記ヒ
    ートスポット以外の領域における前記熱伝導体の単位面
    積当たりの個数よりも少ないことを特徴とする、請求項
    ５記載のセラミックヒーター。
  7. 【請求項７】前記発熱体が前記基体に平面状に設置され
    ており、前記加熱面に対して垂直な方向に向かって前記
    熱伝導体および前記発熱体を前記加熱面上へと投影して
    見たときに、前記発熱体上における前記エンボス部の単
    位面積当たりの個数が、前記発熱体以外の領域における
    前記エンボス部の単位面積当たりの個数よりも少ないこ
    とを特徴とする、請求項５または６記載のセラミックヒ
    ーター。
  8. 【請求項８】前記基体内に複数の前記発熱体が埋設され
    ており、各発熱体がそれぞれ対応する各平面に沿って埋
    設されており、前記加熱面に対して垂直な方向に向かっ
    て前記複数の発熱体を前記加熱面上へと投影して見たと
    きに複数の発熱体が略重複して存在していることを特徴
    とする、請求項７記載のセラミックヒーター。
  9. 【請求項９】前記基体内に複数の前記発熱体が埋設され
    ており、各発熱体がそれぞれ対応する各平面に沿って埋
    設されており、前記加熱面に対して垂直な方向に向かっ
    て前記複数の発熱体を前記加熱面上へと投影して見たと
    きに複数の発熱体が互いに相異なる領域に存在している
    ことを特徴とする、請求項７記載のセラミックヒータ
    ー。
  10. 【請求項１０】前記空間内の圧力が３Ｔｏｒｒ以下であ
    ることを特徴とする、請求項５−９のいずれか一つの請
    求項に記載のセラミックヒーター。
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