JP4482319B2 - 反応容器 - Google Patents
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Description
実施例として、図1に示す形状の反応容器1を使用した。より具体的には、直径φ400[mm]、反応容器1の隔壁を構成する内壁部材2a、2bの厚さが10[mm]であり、ガス導入口3及びガス排気口5の直径φが5[mm]である反応容器1を使用した。
本比較例では、ドーム型の反応容器を使用した。より具体的には、ドーム型の反応容器底部に、シャフトが取り付けられた円盤形状のサセプターを配置した。円盤形状のサセプターは、熱伝導率170[W/mK]の窒化アルミニウム(AlN)から形成したものであり、サセプターの内部にWから形成したヒータエレメントを略同心円状に均等な間隔をあけて埋設している。サセプターの寸法は、直径φ330[mm]、厚さ10[mm]とした。
2a、2b…内壁部材
3…ガス導入口
4…ガス供給手段
5…ガス排気口
6…ガス排気手段
7…ヒータエレメント
9…熱線反射膜
10…サセプター
11…シリコンウエハー
12a,12b…金型
13…鋳型
14…凸状部
15…原料スラリー
16…貫通孔
17…成形体
Claims (1)
- 2個のドーム型部材を当接して略球状に構成された内壁部材と、
前記内壁部材に密着して形成され又は前記内壁部材中に埋設されたヒータエレメントと、
前記内壁部材の内部に配置され、被処理物を点接触により支持するサセプターと、
を備え、
前記サセプターは、
金属細線によりメッシュ状に形成され、周縁部分が前記2個のドーム型部材の当接面に挟まれて支持されている土台と、
前記土台に対して垂直方向に複数本の金属細線を所定の間隔を開けて配置され、被処理物を点接触により支持可能な支持台と、
を有する、
反応容器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003417091A JP4482319B2 (ja) | 2003-12-15 | 2003-12-15 | 反応容器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003417091A JP4482319B2 (ja) | 2003-12-15 | 2003-12-15 | 反応容器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP4482319B2 true JP4482319B2 (ja) | 2010-06-16 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP (1) | JP4482319B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4970887B2 (ja) * | 2006-10-06 | 2012-07-11 | 株式会社アルバック | 装置構成部品の再生方法 |
JP2008227033A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
DE102010008084A1 (de) * | 2010-02-15 | 2011-08-18 | Leybold Optics GmbH, 63755 | Vorrichtung zur thermischen Behandlung von Substraten |
JP5697534B2 (ja) * | 2010-05-14 | 2015-04-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタの作製方法 |
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-
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---|---|
JP2005175401A (ja) | 2005-06-30 |
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A621 | Written request for application examination |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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