JP2002100790A5 - - Google Patents
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- 熱収縮性を有する可撓性基板を、熱膨張係数が10 ppm/℃未満の保持枠に外周を貼り付け固定し、
前記可撓性基板が 0.2% 以上熱収縮する温度で加熱して前記可撓性基板に薄膜の成膜を行う工程を有することを特徴とする薄膜の成膜方法。 - 接着剤を用いて前記貼り付けを行うことを特徴とする請求項１に記載の薄膜の成膜方法。
- 前記可撓性基板がポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリイミドのいずれかから成ることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜の成膜方法。
- 前記保持枠はセラミクス−金属複合体であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一に記載の薄膜の成膜方法。
- 熱収縮性を有する可撓性基板を、熱膨張係数が10 ppm/℃未満の保持枠に外周を貼り付け固定し、
前記可撓性基板が0.2%以上熱収縮する温度で加熱して前記可撓性基板に薄膜の成膜を行う工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記薄膜の成膜を行う工程は、導電膜をスパッタ法を用いて成膜する工程であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記薄膜の成膜を行う工程は、非晶質半導体膜をプラズマＣＶＤ法を用いて成膜する工程であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記薄膜の成膜を行う工程後、前記可撓性基板にレーザー加工により所定のパターンを形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項５ないし７のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記薄膜の成膜を行う工程後、樹脂による所定のパターンを前記可撓性基板にスクリーン印刷により形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項５ないし８のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記可撓性基板の位置を前記保持枠が有する位置決め手段により行うことを特徴とする請求項８または９に記載の半導体装置の製造方法。
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