JP2002100790A - 可撓性基板の支持方法並びに半導体装置の作製方法 - Google Patents

可撓性基板の支持方法並びに半導体装置の作製方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】初期状態がロールに巻き取られている可撓性基
板で、ロールから切り出してシート状とした際、工程上
での取り扱いや基板の変形などに関する問題を解決す
る。また、併せて設備上での搬送方式や基板上の形成さ
れる製品位置の問題を解決する。 【解決手段】熱膨張率の小さいセラミクス−金属複合体
を材料とする額縁状の保持枠を用いる。特に、セラミク
ス材料に金属材料を含浸させた複合材は熱膨張係数が10
ppm/℃未満であるセラミクス−金属複合体を用いた場合
には、撓み、皺の発生は激減し、特に熱膨張係数が6.5p
pm/℃以下の材質では皆無となる。保持枠は可撓性基板
が接着剤を介して貼り付けられる際に十分な強度が保て
る接着面積が得られれば良い。保持枠の上面に可撓性基
板は貼り付けられることから、基板の固定に枠の厚みは
関係なく、機械的強度が保たれ搬送に差し支えない厚み
であれば良い。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラスチックフィ
ルム等の可撓性を有する基板の支持方法に関する。特
に、シート形状とした可撓性基板を剛性を有する枠に固
定する事により可能となる搬送設備及び位置決めを含め
た取り扱い方法に関するものである。また、本発明は、
可撓性を有する基板を保持枠に固定して、当該基板上に
非単晶半導体膜を堆積して作製される半導体装置の作製
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体膜を用いて作製される半導
体装置は、その基板材料が多岐におよび、単結晶シリコ
ン材料を基板とするだけでなく、絶縁基板上などに非単
結晶シリコン薄膜を形成した電子デバイス製品が発展を
遂げている。非単結晶シリコンは単結晶シリコンよりも
可視光での光吸収特性が優れており、薄膜での太陽電池
形成を可能としている。また、ガラス等の透光性絶縁性
基板上に形成した非単結晶シリコン薄膜トランジスタ
は、液晶ディスプレイの能動素子としての応用が一般化
されている。薄膜半導体を用いた電子デバイスは製造コ
ストが低く、加工の自由度が大きいことも特徴の一つと
されている。なお、ここで記す非単結晶シリコンとはア
モルファスシリコン、微結晶シリコン、薄膜多結晶シリ
コン及びこれらの混合体を示すものである。
【０００３】特にプラスチックフィルム等の可撓性基板
上に非単結晶シリコン膜を形成して作製される薄膜太陽
電池は注目を浴びており、薄型、軽量、曲折が可能など
ガラス基板にはない特徴を持つことから新しい製品分野
へと応用を広げている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プラス
チックフィルムは取り扱いが非常に難しい。ガラス等の
硬質基板では、基板自体に剛性があり熱膨張係数が小さ
い。そのため、比較的低温で作製される非単結晶シリコ
ン太陽電池の製造工程でのヒートサイクルによる収縮や
反りは極僅かで工程上特に問題とはならない。ガラス基
板はそれ自身の機械的強度により、単体で支持が可能で
あり、装置の自動化も容易に設計が可能である。しかし
ながら、プラスチックフィルム基板は、製造工程でのヒ
ートサイクルによって基板が図１(A)(B)(C)で示す様に
湾曲し変形するだけでなく、成膜された膜の内部応力に
よって更に変形が助長されてしまうことがある。特にシ
ート状にした場合では、薄いフィルム基板は可撓性を有
し、単体での支持は困難であることから製造工程自動化
の妨げとなっていた。
【０００５】通常のロードロック型プラズマCVD装置で
シート状プラスチックフィルム基板に非単結晶シリコン
を形成する場合、前述した熱や膜の内部応力による湾曲
変形を防止するためだけではなく、フィルム基板自体に
重量と剛性がないことから、予め治具で固定して搬送搬
出をすることが必須となっていた。これらのフィルム固
定治具は、図２(A)に示すようにアルミニウム、ステン
レスなどの金属板 204と同金属でできた枠 201もしくは
枠型を上下二つ重ねる状態となっており、図２(B)に示
すようにネジ止め、もしくはクリップ等でフィルム基板
を挟み込むような固定方法であった。本固定方法の場
合、作業が複雑である上、フィルムの端を部分的に固定
するのみであり、フィルム基板を固定する力が均等では
ないため図３に示すようにフィルム基板全体には撓みや
皺 305が生じ易いという問題点があった。更に加熱中に
金属固定治具自体が膨張するため、撓みや皺が助長され
ることがあり、フィルム基板面内の均熱性を妨げるとと
もに成膜される非単結晶シリコンの膜厚、膜質を不均一
とさせることがあった。また、前述したようにフィルム
基板を挟み込むように固定するため、フィルム面と固定
枠の間に段差が生じてしまう。このため、成膜時のプラ
ズマの広がりが不均一となり、フィルム基板端では膜
厚、膜質が不均一となり易く製品歩留まりを悪化させる
要因となっていた。また金属電極やITOなどの透明導電
膜の成膜工程であるスパッタリングや真空蒸着などにお
いても同種の弊害により歩留まり低下を招いていた。
【０００６】プラスチックフィルム基板を用いた薄膜太
陽電池の製造工程では、成膜工程の他に素子間分離や所
望の形状に太陽電池を分断するレーザ加工工程、及び絶
縁処理や電極形成などを行うための印刷工程が広く用い
られている。前者のレーザ加工工程は、光学系にて集光
されたレーザ光が加工対象物の表面で焦点を結ぶように
構成されており、ステージが予め設定した経路を所定の
エネルギー密度で走査して加工が行われる。そのため、
加工面が平滑であり、かつ水平が保たれていないと照射
面でのエネルギー密度が変化して走査面内で加工不良を
生じる事がある。この様な加工不良を防止するため、通
常はフィルム基板の平面出しに真空吸着が用いられてい
る。この真空吸着は図４(A)に示すように通常のフィル
ム基板の平面出しには有効な手段ではあるが、前述した
ように膜応力によってフィルム基板自体が湾曲変形し、
図４(B)に示すように真空吸着不良を生じる事がある。
また、レーザ加工はフィルム面内に既設してある点（以
下マーカーと称す）を基準にして複数個の製品パターン
を微細加工する手段であるが、フィルム基板の真空吸着
ステージへの設置作業において、フィルム端を用いた位
置決め程度ではマーカーが任意の位置となってしまう事
が避けられない。そのため、光学的にマーカーの位置を
検出し、1シート毎にステージを微動し、加工開始位置
を初期化する必要があった。
【０００７】一方の印刷工程はレーザ加工工程を前後し
て、絶縁処理や集積化および表裏の電極形成などで複数
回行われている。印刷方法は一般的にスクリーン印刷技
術が用いられており、目的とする樹脂をパターンが形成
されているスクリーン孔版に塗布し、スキージと呼ぶヘ
ラ状のゴム板でスクリーンの内面を加圧、移動させるこ
とによって版の下に置かれた被印刷物面に押出印刷が行
われる。この印刷工程の場合もフィルム基板面が平滑で
あり、スクリーン孔版に対して水平を保たれていないと
パターンを正確に印刷することができない。そのため、
レーザ加工同様にフィルム基板の固定には真空吸着が用
いられている。前述したように、この場合も非単結晶シ
リコンなどを成膜したフィルム基板では湾曲変形で吸着
不良を生じさせる事がある。また、微細な印刷パターン
やレーザ加工位置との重ね合わせの為に用いるマーカー
はシートの設置作業毎に任意の位置となるため、自動で
光学的にマーカーの位置を検出し、1シート毎にステー
ジを微動させて位置決めを行う必要性を生じさせ、装置
のコストアップ要因となっていた。
【０００８】印刷工程に使用される樹脂は、絶縁性樹
脂、導電性樹脂を問わず熱硬化性樹脂が主に用いられて
おり、印刷パターン形成後、一定のレベリング期間をお
いて150℃〜200℃の温度にて硬化、乾燥が行われる。こ
こでもシート状フィルム基板は熱変形で湾曲し易く、ア
ルミニウムなどの金属板にクリップ等で固定し、変形を
防止している。また、同方法を用いることによって、フ
ィルム基板の基板カセットへの収納を可能にし、炉の使
用効率を高めている。しかしながら、当然のように本工
程は手作業の比率が高く、スループットを低下させると
共に自動化への妨げとなっていた。
【０００９】複数個取りのシート状外観が出来上がった
太陽電池は、電流−電圧特性（I-V特性）測定及び信頼
性試験を代表とする選定作業の後、最後に個々に分断を
行い単一の製品となる。本工程においてもマーカーは使
用され、光学的な自動検出法を用いた位置合わせによっ
て工程が進められる。これらは太陽電池に限らず、ほと
んどの半導体電子デバイスは、フォトリソグラフィ工程
にて微細パターンを積層形成させる最も有効な手段とし
てマーカーによる位置決めが活用されている。ここで使
用される光学系検出器とステージの移動装置をリンクさ
せた自動化による位置合わせ機構は高速化が進んでお
り、ほとんどスループットに影響を与えないが、装置コ
ストを上昇させるデメリットがあった。当然ながら、太
陽電池製造工程での印刷工程でも同様である。
【００１０】全工程共通の問題点として、シートの方向
性が決定付けされていないことが挙げられる。単結晶シ
リコンウエハを用いた半導体製造プロセスでは、シリコ
ン結晶の面方向を示すオリフラ、もしくはノッチと呼ば
れる切り欠きが形成されており、認識性を向上させるだ
けでなく、パターン形成の位置付けや基板の芯出し、装
置における処理の方向性を決定付けている。この様に処
理の方向性を一定とすることで製造プロセスの再現性を
高めることができ、更に不良が生じた時の解析が容易と
なる利点がある。しかしながら、シート状のフィルム基
板は、上下もしくは左右が対称である。もちろん、ロー
ルから切り出す際に角を切り落とすなどして非対称と
し、シートに方向性を付加することは可能であるが、工
程を増やすばかりでなく、製品の面取り数が減少してし
まう弊害があった。
【００１１】初期状態がロールに巻き取られている可撓
性基板で、ロールから切り出してシート状とした際、工
程上での取り扱いや基板の変形などに関する問題を解決
する。また、併せて設備上での搬送方式や基板上の形成
される製品位置の問題を解決する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の構成を説明す
る。先ず、図５(A)に示す形状の熱膨張率の小さいセラ
ミクス−金属複合体を材料とする額縁状の保持枠が用意
される。材質は必ずしもセラミクス−金属複合体である
必要はなく、熱膨張率が小さければ金属、合金、セラミ
クス、ガラスの単体及びそれらを貼り合わせたものでも
良い。この中でもセラミクス材料に金属材料を含浸させ
た複合材は特に熱膨張率が小さく、工程中の熱膨張によ
る基板の変形がほとんどないため、これを用いるのが望
ましい。実際に熱膨張係数が10〜20ppm/℃ 以上である
ステンレスおよびアルミニウムで構成された保持枠にプ
ラスチックフィルム基板を貼り付け、加熱を行ったとこ
ろフィルム基板面内に撓みや皺の発生が起きたが、熱膨
張係数が10ppm/℃未満であるセラミクス−金属複合体を
用いた場合には、撓み、皺の発生は激減し、特に熱膨張
係数が6.5ppm/℃以下の材質では皆無であった。
【００１３】図５(B)に示すように、この保持枠の内形
は目的とする可撓性基板の外形よりも小さく、かつ保持
枠の外形は可撓性基板の外形よりも大きく構成されてい
る。枠の幅は特に規定されるものではないが、可撓性基
板が接着剤を介して貼り付けられる際に十分な強度が保
てる接着面積が得られれば良い。また、保持枠の上面に
可撓性基板は貼り付けられることから、基板の固定に枠
の厚みは関係なく、機械的強度が保たれ、搬送に差し支
えない厚みであれば良い。
【００１４】また、図５(A)(B)に示すように保持枠の外
形にC面加工を施すことによりシートの方向性を付加す
ることによって、シートの取り扱いに関しての認識性を
高め、処理の方向性を一定とすることで製造プロセスの
再現性を高めることができる。また、C面の検出センサ
ーを設置することにより装置への投入方向エラーを検出
することも可能である。
【００１５】保持枠の上面と可撓性基板とを貼り付ける
方法として、接着剤が用いられる。この接着剤には、高
温下で機械的強度の極端な劣化がなく、真空下での脱ガ
スが極力少ないものが用いられる。これを使用すること
で、真空下で高温を要するプラズマCVDの様な装置でも
接着剤からの脱ガスによる汚染を起こすことなく純度の
高い半導体膜の成膜が可能となった。実際に良質な非単
結晶シリコン膜を成膜する温度は、百数十℃であり、加
熱機構は保持枠を直接加熱しない構造を用いれば、接着
剤の耐熱温度は100℃以上であれば十分である。
【００１６】保持枠と接着剤で貼り付けられた可撓性基
板、例えばプラスチックフィルム基板等は、貼り付けた
直後には若干の撓みを生じているが、加熱をすることで
フィルム基板の収縮が起こり、図６(A)605等の矢印が示
す方向に枠に向かって均等に張力が発生し、木枠に貼ら
れた障子紙の様に平面を出すことが可能となる。本発明
で用いるプラスチックフィルムは、ポリエチレンナフタ
レート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサ
ルフォン、ポリイミドなどを用いることができる。ここ
で重要なのは、保持枠にプラスチック基板の全周が接着
剤にて固定されている点である。一部でも接着されてい
ない部分があると、収縮による皺や撓みがその部分に集
中し、逆に平面出しを阻害してしまう。平面を出すため
の収縮量は、0.2〜2.0％の範囲が望ましく、それ以上の
収縮率をもつ材質については予備加熱にてある程度の収
縮を行った後に保持枠と一体化すると良い。プラスチッ
クフィルム基板の場合、前期範囲の収縮に必要な加熱温
度は100〜200℃で十分であり、プラズマCVD装置等の加
熱温度と一致するため、特別な工程を増やすことなく保
持枠に貼られたフィルム基板の平面だしを行うことがで
きる。本件は、熱膨張係数の小さい保持枠と熱収縮性を
もつ可撓性基板を一体化させることで初めて可能となる
ものであり、平面出しという最も理想的な形状操作効果
は、本発明の代表的な特徴の一つを表すものである。
【００１７】保持枠とプラスチックフィルム基板の一体
化で得られる平面出し効果は、真空加熱を要する装置で
の均熱性を向上させ膜質、膜厚の面内ばらつきを低減さ
せることが可能となる。また、保持枠の上面で平面を保
っているフィルム基板面では、段差起因のプラズマ不安
定化も起こらず、同様に膜の均一性を向上させる。更に
レーザ加工工程や印刷工程で問題となっていた真空吸着
不良を皆無とするだけでなく、真空吸着を用いなくても
正確な平面を維持することも十分可能であり、フィルム
基板面に段差がないことから、枠に一体化した状態でス
クリーン印刷が可能となる。
【００１８】これまでは、基板上に形成されたマーカー
を用いることによって、位置合わせを行ってきたが、保
持枠の内外形を基準に加工ステージ等にシートをセット
することができ、予め調整されたステージでは１シート
毎に光学的なマーカーの検出作業やステージを微動させ
る位置合わせの必要がなくなり、タクトタイムの短縮お
よぶ装置コストの大幅な低減が可能となる。
【００１９】保持枠とシート基板を一体化させることに
よって、これまで工程毎に行っていたシート固定治具の
取り付け、取り外しを行うことなく、洗浄、成膜などの
出発工程から製品分断までの最終工程まで同一形態で工
程を進めることが可能となり、作業工数が削減できる。
また、同様に一体化することで、あらゆる装置への自動
搬送が可能となり、保持枠の外形を基準とした基板カセ
ットを装置間で共有化することができる。これらによ
り、全工程を通しての自動化への展開が図れることにな
る。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の実施例として太陽電池の
製造プロセスを説明する。先ず、図５(A)となる熱膨張
率の小さいセラミクス−金属複合体を材料とする額縁状
の保持枠を用意する。材質はセランクス社製MMC PAL70
のSiC-Al系の複合材で、熱膨張係数は6.2ppm/℃であ
る。形状は、外形が225mm×350mmの枠形で、枠幅は10m
m、厚みは3mmである。また、全行程において基板の処理
に方向性を持たせるため、保持枠外形頂点の一つには図
５(A)において502で示すC面加工が施してあり、位置合
わせや検知に利用される。図５(B)503の基材となる可撓
性基板としては透光絶縁性のポリエチレンナフタレート
フィルム（以下、PENフィルム）を用いる。
【００２１】PENフィルム基板は、初期状態としてはロ
ール状に長尺で巻き取られており、先ず下部電極形成の
ためにロールツーロールのスパッタリング装置でアルミ
ニウム及びステンレスを成膜する。次に次工程以降の枚
葉処理のためフィルム基板の分断を行う。形状は、220m
m×345mmである。分断したPENフィルムシートは、接着
剤を用いてシートの裏面と保持枠の上面を図５(B)にお
いて示す504の接着面（のりしろ）にて貼り合わせた。
用いた接着剤は、日東電材社製の耐熱性両面接着テープ
No.5915である。本実施例ではPENフィルムの分断前に
ロールツーロールのスパッタリング装置でアルミニウム
およびステンレスの金属電極を成膜しているが、分断後
の保持枠一体化後に枚葉処理で行っても良い。
【００２２】次に保持枠と一体化したフィルムシート基
板（以下、一体化シート基板）は、超音波洗浄の後、枚
葉式プラズマCVD装置にてP,I,Nの各導電型を有する非単
結晶シリコン薄膜の成膜を行う。積層された非単結晶シ
リコン薄膜の膜厚は、300〜800nmであり、本実施例では
600nmとする。接着剤にて貼り合わせた直後は若干の撓
みがフィルム面に発生していたが、成膜温度は200℃で
あり、この温度によってPENフィルムは0.3〜0.5％の熱
収縮を起こすため、図６ 605等矢印に示す張力の発生に
より成膜後には全く撓みや皺は認められず、一体化シー
ト基板全面に渡って均一な水平面を得ることができる。
その結果、均熱性が向上し、プラズマの広がりが安定化
することから成膜された非単結晶シリコン薄膜の膜厚
は、一体化シート基板保持枠の内側で±2%以下の良好な
均一性が得ることができる。尚、一体化シート基板のプ
ラズマCVD装置への出し入れは全て搬送装置によって枚
葉処理で行われ、これまでの様に固定治具の取り付け、
取り外しを行うことなく次工程へと進めることが可能と
なる。
【００２３】次にレーザ加工に選択性を持たせるための
絶縁樹脂を一次印刷としてスクリーン印刷を行う。被印
刷物を固定するステージの形状は保持枠の内形より小さ
い相似形で構成されており、一体化シート基板をそのま
まスクリーン印刷することができる。一体化シート基板
は収納されたカセットから１枚毎に搬送装置にてステー
ジ上に設置され、印刷処理後に元のカセットへと戻され
る。ステージには真空吸着機構を設けてあるが、一体化
シート基板のフィルム面においては精度良く水平面が出
ているため、真空吸着機構を用いることなく精度良い印
刷を行うことも可能である。以降、製品形成まで断続的
に印刷工程を行うが、一次印刷同様の効果を持って処理
を行うことができる。また、二次印刷以降は、位置合わ
せが必要であるが、保持枠の内外形を基準とすることで
マーカー読み出しを必要とせずに位置合わせを行うこと
もできる。
【００２４】一次印刷終了後、透明導電膜の成膜が行わ
れる。ここではITOのスパッタリングによる成膜を行
う。装置は枚葉処理型で、共通のカセットに収納された
一体化シート基板が搬送装置をもって順次装置内に送り
込まれ成膜完了後にカセットに搬出される。以前は成膜
の前後でアルミニウム、ステンレスなどの金属板にクリ
ップもしくはテープでフィルムを取り付け、取り外しの
作業を要していたが、本発明はそれを必要とせず、作業
工程時間が大幅に短縮される。
【００２５】次に製品の型取り及び素子間分離のための
レーザ加工を行う。印刷装置同様に被レーザ加工物を固
定するステージの形状は保持枠の内形よりも小さい相似
形で構成されており、一体化シート基板をそのままレー
ザ加工することができる。一体化シート基板は収納され
たカセットから１枚毎に搬送装置にてステージ上に設置
され、加工処理後に元のカセットへと戻される。同様
に、一体化シート基板のフィルム面においては精度良く
水平面が出ているため、真空吸着機構を用いなくても精
度良い加工を行うことができる。これまでのレーザ加工
工程においては、微細パターンの局所加工を行うためマ
ーカーによる位置合わせが必須であったが、保持枠の内
外形を基準とすることで正確な位置合わせが可能とな
り、マーカー読み出しを必要とせずに位置合わせを行う
こともできる。以降、製品形成まで断続的にレーザ加工
工程を行ったが、同様の効果を持って処理を行うことが
できる。
【００２６】これらのプロセスを経て一体化シート基板
上に複数個取りの外観が出来上がった図７の太陽電池
は、電流−電圧特性（I-V特性）測定及び信頼性試験な
どの選定作業の後、最後に外観上に沿って分断を行い単
一の製品となる。本工程においても保持枠の内外形を基
準とすることで正確な位置合わせが可能となり、マーカ
ー読み出しを必要とせずに位置合わせを行うこともでき
る。
【００２７】
【発明の効果】本発明による保持枠を使用することによ
り、初期状態がロールに巻き取られている可撓性基板
で、ロールから切り出してシート状とした際、工程上で
の取り扱いや基板の変形などに関する問題を解決でき
る。本発明である可撓性基板の取り扱いにおいては、剛
性を有する枠等と接着剤を介して一体化することで可撓
性基板の収縮による平面だし効果を得ることができる。
また、平面が保持枠にて維持されることから可撓性基板
の形状因子による工程不良は皆無となる。更に、出発工
程から最終工程まで被加工物が同一形態で処理されるこ
とから、全工程において基板収納カセットが共有するこ
とが可能となり、自動化への展開が容易となる。また、
保持枠の内外形や付加したC面加工部を装置に認識させ
ることにより、基板検知や方向性の付加及び位置合わせ
を可能とする。以上により本発明は工程数の削減、装置
の簡素化、自動化を可能とし、製品の歩留まり向上及び
コストダウンに寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 可撓性シート基板の湾曲形状
【図2】 従来のフィルム固定治具
【図3】 フィルム基板に発生する撓み、皺
【図4】 フィルム基板の真空吸着断面図
【図5】 保持枠形状、フィルム一体化形状
【図6】 フィルム基板の張力方向
【図7】 製品のシート外観完成図
【符号の説明】
201、301 枠型上面治具 202 ネジ穴 203、303 可撓性シート基板 204、302 板型底面治具 205、304 固定用ネジ 305 フィルム基板の撓み、皺、フィルム基板の収縮方
向 401 真空吸着テーブル 402 真空排気方向 403 正常なフィルム基板の吸着形態 404 湾曲変形したフィルム基板、吸着不良箇所 501、601、701 枠型保持枠 502、602、702 C面加工 503、603、703 可撓性シート基板 504、604、704 接着面（のりしろ） 605 フィルム基板の張力方向、太陽電池
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 義人 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディケイ株式会社内 (72)発明者 西 和夫 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内 Ｆターム(参考） 5F051 AA05 BA11 BA14 CA15 CA22 GA05

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】熱収縮性を有する可撓性基板を、熱膨張係
    数が10 ppm/℃未満の保持枠に固定することを特徴とす
    る可撓性基板の支持方法。
  2. 【請求項２】熱収縮性を有する可撓性基板の外周を、熱
    膨張係数が10 ppm/℃未満の額縁状の保持枠に固定する
    ことを特徴とする可撓性基板の支持方法。
  3. 【請求項３】請求項１または請求項２において、前記可
    撓性基板はポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテ
    レフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリイミドか
    ら選ばれた一つであることと特徴とする可撓性基板の支
    持方法。
  4. 【請求項４】請求項１または請求項２において、前記保
    持枠はセラミクス−金属複合体であることを特徴とする
    可撓性基板の支持方法。
  5. 【請求項５】熱収縮性を有する可撓性基板を、熱膨張係
    数が10 ppm/℃未満の保持枠に固定して、前記可撓性基
    板が0.2%以上熱収縮する温度に加熱する工程を有するこ
    とを特徴とする半導体装置の作製方法。
  6. 【請求項６】熱収縮性を有する可撓性基板の外周を、熱
    膨張係数が10 ppm/℃未満の額縁状の保持枠に固定し
    て、前記可撓性基板が0.2%以上熱収縮する温度に加熱す
    る工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方
    法。
  7. 【請求項７】熱収縮性を有する可撓性基板の外周を、熱
    膨張係数が10 ppm/℃未満の額縁状の保持枠に固定し
    て、前記可撓性基板が0.2%以上熱収縮する温度に加熱し
    て、前記可撓性基板上にスパッタ法で導電膜を形成する
    工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  8. 【請求項８】熱収縮性を有する可撓性基板の外周を、熱
    膨張係数が10 ppm/℃未満の額縁状の保持枠に固定し
    て、前記可撓性基板が0.2%以上熱収縮する温度に加熱し
    て、前記可撓性基板上にプラズマＣＶＤ法で非晶質半導
    体膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装
    置の作製方法。
  9. 【請求項９】熱収縮性を有する可撓性基板の外周を、熱
    膨張係数が10 ppm/℃未満の額縁状の保持枠に固定し
    て、前記可撓性基板が0.2%以上熱収縮する温度に加熱す
    る第１の工程と、前記可撓性基板上にスクリーン印刷に
    より所定のパターンを形成する第２の工程とを有するこ
    とを特徴とする半導体装置の作製方法。
  10. 【請求項１０】熱収縮性を有する可撓性基板の外周を、
    熱膨張係数が10 ppm/℃未満の額縁状の保持枠に固定し
    て、前記可撓性基板が0.2%以上熱収縮する温度に加熱す
    る第１の工程と、前記可撓性基板上にレーザー加工によ
    り所定のパターンを形成する第２の工程とを有すること
    を特徴とする半導体装置の作製方法。
  11. 【請求項１１】請求項９または請求項１０において、前
    記第２の工程は、前記可撓性基板の位置を前記保持枠が
    有する位置決め手段により行うことを特徴とする半導体
    装置の作製方法。
  12. 【請求項１２】請求項５乃至請求項１１のいずれか一に
    おいて、前記可撓性基板はポリエチレンナフタレート、
    ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフォ
    ン、ポリイミドから選ばれた一つであることと特徴とす
    る半導体装置の作製方法。
  13. 【請求項１３】請求項５乃至請求項１１のいずれか一に
    おいて、前記保持枠はセラミクス−金属複合体であるこ
    とを特徴とする半導体装置の作製方法。
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