JP2002094054A5 - - Google Patents
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【発明の名称】半導体装置
Claims (10)
- 第１導電型の半導体基板の主面に絶縁ゲート型電界効果トランジスタが形成された半導体装置であって、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタは、ゲート絶縁膜の上部に形成された第１導電膜からなるゲート電極と、前記半導体基板に形成された第２導電型の半導体領域からなるソースと、前記半導体基板に形成され、前記ゲート電極と離間して配置された第２導電型の半導体領域からなるドレインと、前記ゲート電極と前記ドレインとの間の領域の前記半導体基板に形成された第２導電型の半導体領域からなるドレイン・オフセット層と、前記ドレイン・オフセット層の上部に形成され、前記ソースと電気的に接続された第２導電膜からなるシールド導電膜と、前記ゲート電極と電気的に接続された第１金属膜からなるゲート短絡用配線と、前記ソースと電気的に接続された第１金属膜からなるソース電極と、前記ドレインと電気的に接続された第１金属膜からなるドレイン電極とからなり、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタの平面レイアウトの少なくとも一部分において、前記ドレイン電極、前記シールド導電膜、前記ゲート電極、前記ソース電極および前記ゲート短絡用配線がこの順番で配置されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項１記載の半導体装置において、前記シールド導電膜を構成する前記第２導電膜の膜厚は、前記ゲート電極を構成する前記第１導電膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置。
- 請求項１記載の半導体装置において、前記ドレイン・オフセット層とその上部に形成された前記シールド導電膜との間には、前記ゲート絶縁膜とその上部に形成された第１絶縁膜とが介在していることを特徴とする半導体装置。
- 請求項１記載の半導体装置において、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタは、動作周波数が８００ＭＨｚ〜２．５ＧＨｚの高周波電力増幅器の増幅素子を構成することを特徴とする半導体装置。
- 請求項１記載の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ、容量とインダクタンスとからなる入力内部整合回路および出力整合回路を有する高周波増幅回路を備えた半導体装置。
- 第１導電型の半導体基板の主面に絶縁ゲート型電界効果トランジスタが形成された半導体装置であって、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタは、ゲート絶縁膜の上部に形成された第１導電膜からなるゲート電極と、前記半導体基板に形成された第２導電型の半導体領域からなるソースと、前記半導体基板に形成され、前記ゲート電極と離間して配置された第２導電型の半導体領域からなるドレインと、前記ゲート電極と前記ドレインとの間の領域の前記半導体基板に形成された第２導電型の半導体領域からなるドレイン・オフセット層と、前記ドレイン・オフセット層の上部に形成され、前記ソースと電気的に接続された第２導電膜からなるシールド導電膜とからなり、
前記ドレイン・オフセット層とその上部に形成された前記シールド導電膜との間には、前記ゲート絶縁膜とその上部に形成された第１絶縁膜とが介在し、
前記ソースおよび前記ドレインには、前記シールド導電膜を覆う第２絶縁膜上に形成された第１金属膜からなるソース電極およびドレイン電極がそれぞれ電気的に接続され、
前記ソース電極と前記シールド導電膜とは、前記第２絶縁膜に形成された第１接続孔を通じて互いに電気的に接続され、
前記シールド導電膜を構成する前記第２導電膜の膜厚は、前記ゲート電極を構成する前記第１導電膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項６記載の半導体装置において、前記シールド導電膜を構成する前記第２導電膜の膜厚は、前記ドレイン電極を構成する前記第１金属膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置。
- 請求項６記載の半導体装置において、前記半導体基板は、第１導電型の単結晶シリコンからなる支持基板とその上部に形成された第１導電型のシリコンエピタキシャル層からなることを特徴とする半導体装置。
- 請求項８記載の半導体装置において、前記シリコンエピタキシャル層に形成され、前記ソースおよび前記支持基板と電気的に接続された第１導電型の半導体領域からなるソース打ち抜き層と、前記支持基板の裏面に形成されたソース電極とをさらに有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項６記載の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ、容量とインダクタンスとからなる入力内部整合回路および出力整合回路を有する高周波増幅回路を備えた半導体装置。
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