SE522576C2 - Effekt-LDMOS-transistor för radiofrekvens - Google Patents

Effekt-LDMOS-transistor för radiofrekvens

Info

Publication number
SE522576C2
SE522576C2 SE0100804A SE0100804A SE522576C2 SE 522576 C2 SE522576 C2 SE 522576C2 SE 0100804 A SE0100804 A SE 0100804A SE 0100804 A SE0100804 A SE 0100804A SE 522576 C2 SE522576 C2 SE 522576C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
pair
metal
control
type
transistor
Prior art date
Application number
SE0100804A
Other languages
English (en)
Other versions
SE0100804D0 (sv
SE0100804L (sv
Inventor
Jan Johansson
Nils Af Ekenstam
Original Assignee
Ericsson Telefon Ab L M
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ericsson Telefon Ab L M filed Critical Ericsson Telefon Ab L M
Priority to SE0100804A priority Critical patent/SE522576C2/sv
Publication of SE0100804D0 publication Critical patent/SE0100804D0/sv
Priority to TW090106969A priority patent/TW512540B/zh
Priority to PCT/SE2002/000414 priority patent/WO2002073701A1/en
Priority to KR10-2003-7011373A priority patent/KR20030082944A/ko
Priority to JP2002572645A priority patent/JP2004534382A/ja
Priority to EP02704004A priority patent/EP1366526A1/en
Priority to CNA028062507A priority patent/CN1524296A/zh
Publication of SE0100804L publication Critical patent/SE0100804L/sv
Priority to US10/658,137 priority patent/US7095080B2/en
Publication of SE522576C2 publication Critical patent/SE522576C2/sv

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7833—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's
    • H01L29/7835—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's with asymmetrical source and drain regions, e.g. lateral high-voltage MISFETs with drain offset region, extended drain MISFETs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/4824—Pads with extended contours, e.g. grid structure, branch structure, finger structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
    • H01L29/4175—Source or drain electrodes for field effect devices for lateral devices where the connection to the source or drain region is done through at least one part of the semiconductor substrate thickness, e.g. with connecting sink or with via-hole
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
    • H01L29/41758—Source or drain electrodes for field effect devices for lateral devices with structured layout for source or drain region, i.e. the source or drain region having cellular, interdigitated or ring structure or being curved or angular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
    • H01L29/41775—Source or drain electrodes for field effect devices characterised by the proximity or the relative position of the source or drain electrode and the gate electrode, e.g. the source or drain electrode separated from the gate electrode by side-walls or spreading around or above the gate electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42372—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42372—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out
    • H01L29/4238—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out characterised by the surface lay-out
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Description

30 rš22'57s 2 dubbelkamtyp som är vriden 90° i jämförelse med cellemas orientering enligt den gamla designen.
Den största vinsten med denna nya design är en väsentligt reducerad transistorperi- feri per aktiv transistorarea som i sin tur resulterar i lägre utkapacitans och förbätt- rad verkningsgrad.
För att göra styreperiferin lika med en transistor med multipla parallella celler måste den enda cellen sträckas i båda dimensionerna så att den innefattar många fler fingrar. För att bibehålla ett skäligt sidförhållande på transistorbrickan måste även fingrarna vara mycket längre. 3G-designens princip visas i tig. 2 som är en planvy över en del av layouten för en känd 3G effekt-LDMOS-transistor för radiofrekvens. Par av kollektorfingrar 6, varav endast ett par visas i fig. 2, är anslutna till en gemensam kollektorbondpadd (icke visad). Par av styrefingrar 7, varav endast ett par visas i fig. 2, är hopkopplade vid sina ändar och på förutbestämda ställen längs deras utsträckning medelst stycken av ett första metallskikt. Ett dylikt hopkopplingsstycke 8 visas i fig. 2. Emitter/bulk- metallbyglar 9, som ävenledes är framställda utifrån det första metallskiktet, sträcker sig över paret av styrefingrar 7 mellan hopkopplingsstyckena.
Såsom beskrivits ovan är 3G-designen ofrånkomligt förbunden med längre fingrar.
Detta är ett problem särskilt på transistorns styresida. Styrefingrarna är normalt framställda av starkt dopat polykisel, eventuellt med ett metallsilicidskikt överst, för att reducera resistiviteten. Resistansen i styrefingrama är emellertid långt ifrån försumbar och vid någon punkt kommer styrefingrarnas längd att negativt påverka transistorprestandan.
Detta problem har lösts i den kända 3G-transistordesignen genom att införa ett andra metallskikt. Genom att göra detta kan man konstruera en metalledare 10 ovanpå ...- .no uu 10 15 20 25 30 522 sås 3 emitter/bulkbyglama 9. Metalledaren 10 är isolerad från byglarna 9 medelst ett dielektriskt skikt (icke visat i fig. 2) och är ansluten till paret styrefingrar 7 på förutbestämda ställen längs styrefingramas 7 längd via hopkopplingsstycket 8 liksom vid deras respektive ändar. Metalledarnas 10 ena ände år ansluten till en gemensam styrebondpadd (icke visad).
Härigenom kommer den effektiva längden av varje styrefinger att vara lika med halva avståndet mellan två styrehopkopplingsstycken.
Införandet av det andra metallskiktet i transistorkonstruktionen adderar emellertid komplexitet såväl till konstruktionen som till tillverkningsprocessen. I detta sammanhang bör påpekas att kollektorfingrarna 6 i fig. 2 består av två metallskikt, nämligen det andra metallskiktet ovanpå det första metallskiktet. Två extra maskeringssteg tillsammans med ett antal extra processteg måste således adderas till produktionsprocessen för transistorbrickan.
REDoGöRELsE FÖR UPPFINNINGEN Ändamålet med uppfinningen består i att åstadkomma en 3G effekt-LDMOS- transistor för radiofrekvens som är mindre komplicerad att tillverka än de hittills kända.
Detta ernås medelst transistom enligt uppfinningen huvudsakligen genom att använda ett enda metallskikt med mellanliggande kontakt till de långa styrefingrama.
FIGURBESKRIVNING Uppfinningen beskrivs närmare nedan under hänvisning till bifogade ritning på vilken fig. 1, som beskrivits ovan, visar layouten för en traditionell effekt-LDMOS- transistor för radiofrekvens, fig. 2, som beskrivits ovan, visar layouten för en känd 3G effekt-LDMOS-transistor för radiofrekvens, fig. 3 visar layouten för en 3G u :var 10 15 20 25 ~'s22 sva v u c n ø o | nu 4 effekt-LDMOS-transistor för radiofrekvens enligt uppfinningen och fig. 4 är en tvärsektionsvy av transistorn enligt uppfinningen längs linjen A-A i fig. 3.
BESKRIVNING AV UPPFINNINGEN F ig. 3 visar layouten för en 3G effekt-LDMOS-transistor för radiofrekvens enligt uppfinningen.
I motsats till den kända SG-transistorn enligt fig. 2 som innefattar två metallskikt innefattar 3G-transistom enligt uppfinningen endast ett enda metallskikt.
I transistom enligt uppfinningen i fig. 3 är styrefingrar 11 hos varje par av styrefingrar hopkopplade vid ändarna och på förutbestämda ställen längs deras utsträckning med hjälp av stycken av ett metallskikt. Ett dylikt hopkopplingsstycke 12 visas i fig. 3.
I enlighet med uppfinningen framställs en till en gemensam styrebondpadd (icke visad) ansluten metalledare 13 för varje par av styrefingrar 11 i ett stycke med hopkopplingsstyckena 12 för respektive styrefingerpar. Ävenledes i enlighet med uppfinningen är separata emitter/bulkrnetallbyglar 14, som framställts utifrån samma metallskikt som hopkopplingsstyckena 12 och metalledarna 13, tillordnade varje styrefinger 11 hos varje styrefrngerpar. De med respektive styreflnger 11 hos ett styrefingerpar associerade metallbyglama 14 är åtskilda medelst en slits 15 som sträcker sig mellan de parallella styrefingrarna 11 hos varje styrefingerpar.
I enlighet med uppfinningen framställs metalledarna 13 i slitsarna 15 mellan metallbyglama 14. c ...a ~qn n 10 15 20 nnn enn n n nn n n nn _ n nn nn n n nn nn n n nn . f f n n nn nn nn n n n n n ~ 9 v!! 0 n I OI 0 0 n I o I n n -- n n n nn n n n n n n n n n n n n n nnn n' n n n n nn nnn nn 5 Par av kollektorfingrar 16 som framställts utifrån samma metallskikt som hopkopplingsstyckena 12, metalledama 13 och metallbyglarna 14 är anslutna till en gemensam kollektorbondpadd (icke visad) i transistorn.
Fig. 4 är en tvärsektionsvy av transistom enligt uppfinningen längs linjen A-A i fig. 3. I fig. 4 har samma hänvisningsbeteckningar som i fig. 3 använts för att beteckna identiska element.
Transistom är på i och för sig känt sätt inbyggd i ett p+ substrat 17 med ett p' epitaxialskikt 18 överst och består av omväxlande n+ kollektorområden 19 och n+ emitterområden 20, där kollektorområdena 19 av nïtyp är åtskilda från styret ll medelst ett n' driftområde 21.
Ett kanaldopningsmedel av pïtyp eller en p--ficka 22 är diffunderad lateralt in under styret ll från dess emittersida.
En djup diffusion av p+-typ eller en p* plugg 23 gör det möjligt för ström att gå från emitterområdet 20 av n+-typ till substratet 17 av p+-typ med minimalt spänningsfall med hjälp av metallbygeln 14 som kortsluter dessa områden med varandra.
Ett dielektriskt skikt 24 skiljer styrefingrama ll från metallbyglarna 14 och metalledama 13 från pluggområdena 23 av p+-typ.

Claims (2)

10 15 20 (522 576 PATENTKRAV
1. Effekt-LDMOS-transistor för radiofrekvens och innefattande multipla par av parallella styrefingrar (11), varvid styrefingrama (11) hos varje styrefingerpar är belägna på ömse sidor om en tillhörande pl plugg (23) och metallbyglar (14) är anordnade att kortsluta pluggama (23) av pl-typ och n* emitterområden (20) på ömse sidor om pluggarna (23) av pl-typ, kännetecknad av - att vaije styrefinger (11) hos ett styrefingerpar är associerat med separata metallbyglar (14) som kortsluter emitterområdet (20) av n+-typ och pluggen (23) av pïtyp som är associerade med det aktuella styrefingret (11), - att de med varje styrefingerpar associerade separata metallbyglarna (14) är åtskilda medelst en slits (15) som sträcker sig mellan de parallella styrefingrarna (11), - att en metalledare (13) sträcker sig i slitsen (15) mellan de med varje styrefingerpar associerade separata metallbyglama (14) från en styrepadd och - att båda styrefingrama (11) hos ett styrefingerpar är anslutna till tillhörande metalledare (13) vid sina båda ändar och på förutbestämda ställen längs deras utsträckningar.
2. Transistom enligt kravet 1, kännetecknad av att metallbyglarna (13) är anordnade på ett dielektriskt skikt (24) ovanpå pluggarna (23) av pl-typ.
SE0100804A 2001-03-09 2001-03-09 Effekt-LDMOS-transistor för radiofrekvens SE522576C2 (sv)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0100804A SE522576C2 (sv) 2001-03-09 2001-03-09 Effekt-LDMOS-transistor för radiofrekvens
TW090106969A TW512540B (en) 2001-03-09 2001-03-23 An RF power LDMOS transistor
PCT/SE2002/000414 WO2002073701A1 (en) 2001-03-09 2002-03-07 An rf power ldmos transistor
KR10-2003-7011373A KR20030082944A (ko) 2001-03-09 2002-03-07 Ｒｆ 전력 ｌｄｍｏｓ 트랜지스터
JP2002572645A JP2004534382A (ja) 2001-03-09 2002-03-07 Ｒｆパワーｌｄｍｏｓトランジスタ
EP02704004A EP1366526A1 (en) 2001-03-09 2002-03-07 An rf power ldmos transistor
CNA028062507A CN1524296A (zh) 2001-03-09 2002-03-07 一种射频功率ldmos(横向扩散金属氧化物半导体)晶体管
US10/658,137 US7095080B2 (en) 2001-03-09 2003-09-09 RF power LDMOS transistor with multiple gate fingers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0100804A SE522576C2 (sv) 2001-03-09 2001-03-09 Effekt-LDMOS-transistor för radiofrekvens

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE0100804D0 SE0100804D0 (sv) 2001-03-09
SE0100804L SE0100804L (sv) 2002-09-10
SE522576C2 true SE522576C2 (sv) 2004-02-17

Family

ID=20283274

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE0100804A SE522576C2 (sv) 2001-03-09 2001-03-09 Effekt-LDMOS-transistor för radiofrekvens

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7095080B2 (sv)
EP (1) EP1366526A1 (sv)
JP (1) JP2004534382A (sv)
KR (1) KR20030082944A (sv)
CN (1) CN1524296A (sv)
SE (1) SE522576C2 (sv)
TW (1) TW512540B (sv)
WO (1) WO2002073701A1 (sv)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1408552A1 (en) * 2002-10-09 2004-04-14 STMicroelectronics S.r.l. Integrated MOS semiconductor device with high performance and process of manufacturing the same
JP2004327919A (ja) * 2003-04-28 2004-11-18 Renesas Technology Corp 半導体装置
CN100438032C (zh) * 2006-02-22 2008-11-26 崇贸科技股份有限公司 具有辐射结构和隔离效果的高电压和低导通电阻晶体管
KR101099931B1 (ko) * 2009-10-07 2011-12-28 전북대학교산학협력단 Ｌｄｍｏｓ 트랜지스터
US8212321B2 (en) * 2009-10-30 2012-07-03 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor device with feedback control
CN103456734B (zh) * 2012-05-28 2016-04-13 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种非对称ldmos工艺偏差的监控结构及其制造方法
US8941175B2 (en) 2013-06-17 2015-01-27 United Microelectronics Corp. Power array with staggered arrangement for improving on-resistance and safe operating area
CN106298927B (zh) * 2015-06-11 2019-08-30 北大方正集团有限公司 射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法
US11011632B2 (en) 2018-12-06 2021-05-18 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. High voltage devices and methods of forming the same
US11282955B2 (en) 2020-05-20 2022-03-22 Silanna Asia Pte Ltd LDMOS architecture and method for forming
CN114497172A (zh) * 2020-11-12 2022-05-13 苏州华太电子技术有限公司 用于射频放大的双重降低表面电场rfldmos器件

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5369045A (en) * 1993-07-01 1994-11-29 Texas Instruments Incorporated Method for forming a self-aligned lateral DMOS transistor
US5681761A (en) * 1995-12-28 1997-10-28 Philips Electronics North America Corporation Microwave power SOI-MOSFET with high conductivity metal gate
JP3129223B2 (ja) * 1997-02-28 2001-01-29 日本電気株式会社 半導体装置
JP2001094094A (ja) * 1999-09-21 2001-04-06 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP4322414B2 (ja) * 2000-09-19 2009-09-02 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
US6744117B2 (en) * 2002-02-28 2004-06-01 Motorola, Inc. High frequency semiconductor device and method of manufacture

Also Published As

Publication number Publication date
EP1366526A1 (en) 2003-12-03
WO2002073701A1 (en) 2002-09-19
SE0100804D0 (sv) 2001-03-09
CN1524296A (zh) 2004-08-25
US7095080B2 (en) 2006-08-22
KR20030082944A (ko) 2003-10-23
JP2004534382A (ja) 2004-11-11
US20040089897A1 (en) 2004-05-13
TW512540B (en) 2002-12-01
SE0100804L (sv) 2002-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4462041A (en) High speed and current gain insulated gate field effect transistors
KR101859253B1 (ko) 전계 효과 트랜지스터 구조 및 관련된 무선-주파수 스위치
US11164969B2 (en) Segmented power transistor
SE522576C2 (sv) Effekt-LDMOS-transistor för radiofrekvens
US10950635B2 (en) Orthogonal transistor layouts
CN100594667C (zh) 串叠放大器连接电路
US11430874B2 (en) Semiconductor device with a crossing region
US20110081759A1 (en) Power mos electronic device and corresponding realizing method
CN110582846B (zh) 具有旁路栅极晶体管的高功率mmic器件
US7829958B2 (en) MOS transistor capable of withstanding significant currents
CN107316900B (zh) 双载流子接面晶体管布局结构
DE102014116773A1 (de) Halbleitervorrichtung und Bipolartransistor mit isoliertem Gate mit Transistorzellen und Sensorzelle
CN111009570B (zh) 晶体管结构
WO1989007340A1 (fr) Appareil electronique
CN112582404A (zh) 半导体结构及其制造方法
US3471755A (en) Distributed variable attenuator network
EP3902013A1 (en) Field-effect transistor
JP2011091214A (ja) 電界効果型トランジスタ
US11177207B2 (en) Compact transistor utilizing shield structure arrangement
CN114267717B (zh) 半导体器件及其制备方法
CN113130660A (zh) 一种纵置排布的mosfet管
TWI308377B (en) Logical circuit with ritds and mosfet
JP6838240B2 (ja) 電子装置
WO2020261692A1 (ja) 半導体装置
US7049698B1 (en) Semiconductor integrated circuit having transistor with reduced resistance

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed