JP2002090181A - 磁気検出装置 - Google Patents

磁気検出装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 歯状磁性移動体の移動方向が検知可能な磁気
検出装置を得る。 【解決手段】 歯状磁性移動体の移動方向に並べた複数
の磁気抵抗効果素子２１，２２の出力信号をハイレベ
ル、ローレベル１、ローレベル２の３値信号に変換する
回路を備え、歯状磁性移動体が正方向に回転したときは
ハイレベル、ローレベル１の２値信号を出力し、逆方向
に回転したときはハイレベル、ローレベル２の２値信号
を出力するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、歯状磁性移動体
の移動方向を検出する磁気検出装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図２２は従来の磁気検出装置の構成図
で、その（ａ）は正面図、その（ｂ）は斜視図、その
（ｃ）は部分上面図である。図２３は従来の磁気検出装
置の電気回路図、図２４は図２３の電気回路図の波形図
である。磁気検出装置は、バイアス磁界を発生する直方
体形状の磁石１と、この磁石１の上面に設けられ、磁気
検出素子である磁気抵抗効果素子を一体的に構成したIC
チップ２を有している。矢印３は磁石１の着磁方向を表
す。磁気検出装置は歯車状磁性回転体４に対向させ接近
させて配置する。磁気検出装置の磁気抵抗効果素子６に
は、歯車状磁性回転体４の回転により、歯車状磁性回転
体４の凹部と凸部とが交互に接近する。５は歯車状磁性
回転体４の回転軸である。そのため磁石１から磁気抵抗
効果素子６に印加される磁界が変化する。この磁界の変
化は磁気抵抗効果素子６の抵抗変化となり、電圧の変化
として検出される。この電圧の変化はICチップ内の比較
回路、出力トランジスタを経て、パルス波の電気信号と
して外部に出力される。このパルス波の電気信号はコン
ピュータユニットに送られ、このパルス数をカウントす
ることにより、歯車状磁性回転体４の回転角度が検出さ
れる。
【０００３】一般的に、磁気検出素子には磁気抵抗効果
素子６（以下、ＭＲ素子という）、もしくは巨大磁気抵
抗効果素子（以下、ＧＭＲ素子という）が用いられる。
ＭＲ素子は、強磁性体（例えば、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃ
ｏ等）薄膜で形成され、磁化方向と電流方向のなす角度
によって、抵抗値が変化する素子である。このＭＲ素子
は、電流方向と磁化方向が直角に交わるときに、抵抗値
が最小になり、０度すなわち電流方向と磁化方向が同一
あるいは全く逆方向になるとき、抵抗値が最大になる。
この抵抗値の変化をＭＲ変化率と呼び、一般にＮｉ−Ｆ
ｅで２〜３％、Ｎｉ−Ｃｏで５〜６％である。
【０００４】ＧＭＲ素子は数オングストロームから数１
０オングストロームの厚さの磁性層と非磁性層とを交互
に積層された積層体、いわゆる人工格子膜であり、（Ｆ
ｅ／Ｃｒ）、（パーマロイ／Ｃｕ／Ｃｏ／Ｃｕ）、（Ｃ
ｏ／Ｃｕ）が知られている。これは、ＭＲ素子と比較し
て格段に大きなＭＲ効果（ＭＲ変化率）を有すると共
に、外部磁界の向きが電流に対してどのような角度差を
もっていても同じ抵抗値の変化が得られる、いわゆる面
内感磁の素子である。
【０００５】ＧＭＲ素子の動作もＭＲ素子の動作とほぼ
同じであるため、以下、ＭＲ素子を用いた場合の動作に
ついて詳細に説明する。図２３において、歯車状磁性回
転体４が回転することにより、ＭＲ素子６に印加される
バイアス磁界が変化し、その抵抗値が変化する。そこ
で、磁界の変化を検出するために、ＭＲ素子６でブリッ
ジ回路７を形成し、このブリッジ回路７に望ましくは定
電圧、定電流の電源ＶＣＣを接続し、ＭＲ素子の抵抗値
変化を電圧変化に変換して、このＭＲ素子６に作用して
いる磁界変化を検出する。この従来の磁気検出装置は、
ＭＲ素子６と抵抗８，９，１０を用いたブリッジ回路７
と、このブリッジ回路７の接続点１１を、抵抗９，１０
の基準値１２と比較して、ローレベルまたはハイレベル
の信号を出力する比較回路１３と、この比較回路１３の
出力を受けてスイッチングする出力トランジスタ１４と
を備える。
【０００６】ＭＲ素子６は電源端子ＶＣＣに接続され、
抵抗８は接地され、抵抗８とＭＲ素子６の接続点１１は
比較回路１３の反転入力端子に接続される。比較回路１
３の非反転入力端子は基準電圧を発生する抵抗９，１０
の接続点１２に接続され、比較回路１３の出力端子は出
力トランジスタ１４のベースに接続され、そのエミッタ
は接地される。出力トランジスタ１４のコレクタは出力
端子となり、コンピュータユニット２０内で抵抗１５を
介して電源端子ＶＣＣに接続され、かつ比較回路１６の
反転入力端子に接続される。比較回路１６の非反転入力
端子は基準電圧（基準値１７）を発生する抵抗１８，１
９の分圧回路に接続されている。
【０００７】図２４は歯車状磁性回転体が回転している
時の図２３の電気回路図の各部ａ，ｂ，ｃ，ｄのそれぞ
れの波形図ａ，ｂ，ｃ，ｄである。歯車状磁性回転体４
が回転することで、ＭＲ素子６にはバイアス磁界変化が
与えられ、ブリッジ回路７の接続点１１には歯車状磁性
回転体４の凹凸に対応した出力ａが得られる。この出力
ａは比較回路１３に供給され、比較レベルである基準値
１２と比較されて出力ｂとなり、２値信号ｃに変換さ
れ、この信号は更にコンピュータユニット２０内で波形
成形され、その立上り、立下りの急峻な２値信号出力ｄ
が得られる。このパルス状出力ｄをカウントする（図示
せず）ことにより、歯車状磁性回転体４の回転角度が検
出される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
磁気検出装置の出力トランジスタ１４から得られる出力
ｃあるいはコンピュータユニット２０から得られる出力
ｄの信号形態はローレベル、ハイレベルの２値であり、
歯車状磁性回転体４の回転方向が正方向であっても、逆
方向であっても同じ出力信号形態であるので、歯車状磁
性回転体４の回転方向を検知することが出来ないという
問題点があった。
【０００９】この発明は、前記のような問題点を解決し
ようとするもので、歯状磁性移動体の移動方向を検出可
能な磁気検出装置を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る磁気検出
装置は、バイアス磁界を発生する磁石、この磁石のバイ
アス磁界中に、被検出対象である歯状磁性移動体に対向
しその移動方向に並べて配置され、前記被検出対象の移
動に応じるバイアス磁界の状態変化により抵抗変化を生
じる第１，第２磁気抵抗効果素子体、前記第１磁気抵抗
効果素子体の抵抗変化を出力する第１抵抗変化出力回
路、前記第２磁気抵抗効果素子体の抵抗変化を出力する
第２抵抗変化出力回路、及び、前記被検出対象の正方向
への移動に基づく、前記第１抵抗変化出力回路の出力と
前記第２抵抗変化出力回路の出力の相互の位相により、
第１信号を出力し、前記被検出対象の逆方向への移動に
基づく、前記第１抵抗変化出力回路の出力と前記第２抵
抗変化出力回路の出力の相互の位相により、第２信号を
出力する出力信号処理回路を備えたものである。
【００１１】また、バイアス磁界を発生する磁石、この
磁石のバイアス磁界中に、被検出対象である歯状磁性移
動体に対向しその移動方向に並べて配置され、前記被検
出対象の移動に応じるバイアス磁界の状態変化により抵
抗変化を生じる第１，第２磁気抵抗効果素子体、前記第
１磁気抵抗効果素子体の抵抗変化を出力する第１抵抗変
化出力回路、前記第２磁気抵抗効果素子体の抵抗変化を
出力する第２抵抗変化出力回路、及び、前記被検出対象
の正方向への移動に基づく、前記第１抵抗変化出力回路
の出力と前記第２抵抗変化出力回路の出力の相互の位相
により、第１信号を出力し、この第１信号出力と前記抵
抗変化出力回路の出力によりハイレベル１とローレベル
１のパルスを発生し、前記被検出対象の逆方向への移動
に基づく、前記第１抵抗変化出力回路の出力と前記第２
抵抗変化出力回路の出力の相互の位相により、第２信号
を出力し、この第２信号出力と前記抵抗変化出力回路の
出力により、前記ハイレベル１と前記ローレベル１の少
なくともいずれかを異にするハイレベル２とローレベル
２のパルスを発生する出力信号処理回路を備えたもので
ある。
【００１２】また、バイアス磁界を発生する磁石、この
磁石のバイアス磁界中に、被検出対象である歯状磁性移
動体に対向しその移動方向に並べて配置され、前記被検
出対象の移動に応じるバイアス磁界の状態変化により抵
抗変化を生じる第１，第２磁気抵抗効果素子体、前記第
１磁気抵抗効果素子体の抵抗変化を出力する第１抵抗変
化出力回路、前記第２磁気抵抗効果素子体の抵抗変化を
出力する第２抵抗変化出力回路、及び、前記被検出対象
の正方向への移動に基づく、前記第１抵抗変化出力回路
の出力の発生時期が前記第２抵抗変化出力回路の出力の
発生時期より早くなることにより、第１信号を出力し、
この第１信号出力と前記抵抗変化出力回路の出力により
ハイレベル１とローレベル１のパルスを発生し、前記被
検出対象の逆方向への移動に基づく、前記第２抵抗変化
回路出力の発生時期が前記第１抵抗変化出力回路の出力
の発生時期より早くなることにより、第２信号を出力
し、この第２信号出力と前記抵抗変化出力回路の出力に
より、前記ハイレベル１と前記ローレベル１の少なくと
もいずれかを異にするハイレベル２とローレベル２のパ
ルスを発生する出力信号処理回路を備えたものである。
【００１３】また、出力信号処理回路には、Ｄフリップ
フロップ回路を有するものである。
【００１４】また、出力信号処理回路は、第１抵抗変化
出力回路の出力を出力トランジスタとＤフリップフロッ
プ回路のＤ端子に入力し、第２抵抗変化出力回路の出力
を前記Ｄフリップフロップ回路のＣＬ端子に入力し、前
記Ｄフリップフロップ回路の出力と前記出力トランジス
タの出力を組み合わせてパスルを発生するようにしたも
のである。
【００１５】また、第１磁気抵抗効果素子体は２個の磁
気抵抗効果素子を直列に接続した直列体であり、第２磁
気抵抗効果素子体は２個の磁気抵抗効果素子を直列に接
続した直列体である。
【００１６】また、第１磁気抵抗効果素子体の1 個の磁
気抵抗効果素子と第２磁気抵抗効果素子体の1 個の磁気
抵抗効果素子を中央に、第１磁気抵抗効果素子体の他の
磁気抵抗効果素子と第２磁気抵抗効果素子体の他の磁気
抵抗効果素子を中央の前記磁気抵抗効果素子を挟んで両
側に、歯状磁性移動体の移動方向に並べて配置したもの
である。
【００１７】さらにまた、磁気抵抗効果素子として、巨
大磁気抵抗効果素子を用いたものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１はこの発明の
実施の形態１の磁気検出装置を示す構成図で、その
（ａ）は正面図、その（ｂ）は斜視図、その（ｃ）は部
分上面図である。図２はこの発明の実施の形態１の磁気
検出装置の電気回路図、図３は図２の電気回路図の波形
図である。この実施の形態１では、２個の第１，第２磁
気抵抗効果素子（ＭＲ素子という）２１，２２を歯車状
磁性回転体４に対向させ、その回転方向に並べて配置
し、第１，第２ＭＲ素子２１，２２と抵抗で２つのブリ
ッジ回路を構成した。なお、図２２〜図２４と図中同一
符号は、同一又は相当部分を示す。
【００１９】実施の形態１の磁気検出装置は、バイアス
磁界を発生する直方体形状の磁石１と、この磁石１の上
面に設けられ、磁気検出素子である２個の第１，第２Ｍ
Ｒ素子２１，２２を一体的に構成したICチップ２を有し
ている。磁気検出装置を歯車状磁性回転体４に対向し接
近させ、第１，第２ＭＲ素子２１，２２を歯車状磁性回
転体４の回転方向に並べて配置する。磁気検出装置の第
１，第２ＭＲ素子２１，２２には、歯車状磁性回転体４
の回転により、歯車状磁性回転体４の凹部と凸部とが交
互に接近する。そのため磁石１から第１，第２ＭＲ素子
２１，２２に印加される磁界が変化する。この磁界の変
化は第１，第２ＭＲ素子２１，２２の抵抗変化となり、
それぞれの電圧の変化として、２系統のブリッジ回路出
力を得ることが可能となる。
【００２０】２３は第１ＭＲ素子２１と抵抗２４，２
５，２６で構成されるブリッジ回路で、第１ＭＲ素子２
１は、望ましくは定電圧、定電流の電源ＶＣＣに接続さ
れ、抵抗２４は接地され、第１ＭＲ素子２１と抵抗２４
の接続点２７は第１比較回路２９の反転入力端子に接続
される。抵抗２５，２６の一端は電源ＶＣＣに接続さ
れ、他端は接地され、抵抗２５，２６の接続点２８は基
準電圧として、第１比較回路２９の非反転入力端子に接
続される。同様に３０は第２ＭＲ素子２２と抵抗３１，
３２，３３で構成されるブリッジ回路で、第２ＭＲ素子
２２は望ましくは定電圧、定電流の電源ＶＣＣに接続さ
れ、抵抗３１は接地され、第２ＭＲ素子２２と抵抗３１
の接続点３４は第２比較回路３６の反転入力端子に接続
される。抵抗３２，３３の一端は電源ＶＣＣに接続さ
れ、他端は接地され、抵抗３２，３３の接続点３５は基
準電圧として、第２比較回路３６の非反転入力端子に接
続される。なお、この発明では、第１ＭＲ素子２１と抵
抗２４で第１磁気抵抗効果素子体を構成し、第２ＭＲ素
子２２と抵抗３１で第２磁気抵抗効果素子体を構成す
る。
【００２１】これらの２系統のブリッジ回路出力をそれ
ぞれ第１，第２比較回路（第１，第２抵抗変化出力回
路）２９，３６で矩形波に変換して、一方（第１比較回
路２９）の出力信号を、オープンコレクタ式出力トラン
ジスタ３７のベースとＤフリップフロップ３８のＤ端子
に接続し、他方（第２比較回路３６）の出力信号をＣＬ
端子に接続する。Ｄフリップフロップ３８の出力端子を
コレクタが抵抗３９を介して電源端子ＶＣＣに接続され
たトランジスタ４０のベースに接続し、このトランジス
タ４０のエミッタは出力トランジスタ３７のエミッタに
接続し、抵抗４１を介して接地されている。なお、Ｄフ
リップフロップ３８は周知のもので、ＣＬ入力がＬ（ロ
ー）のとき、Ｄ端子のレベルに関係なく、出力は前の状
態を保ち、ＣＬ入力がＨ（ハイ）の立上がりエッジトリ
ガでＤ端子がＨならば出力をＨにし、Ｄ端子がＬならば
出力をＬにするものである。
【００２２】出力トランジスタ３７の出力信号はコンピ
ュータユニット４２に伝達された後、コンピュータユニ
ット４２内で抵抗４３を介して電源端子ＶＣＣに接続さ
れ、さらに２個の第３，第４比較回路４４，４５の反転
入力端子に接続される。抵抗４７，４８の一端は電源Ｖ
ＣＣに接続され、他端は接地され、抵抗４７，４８の接
続点４９は比較レベル１（基準電圧）として、第３比較
回路４４の非反転入力端子に接続される。同様に、抵抗
５０，５１の一端は電源ＶＣＣに接続され、他端は接地
され、抵抗５０，５１の接続点５２は比較レベル２（基
準電圧）として、第４比較回路４５の非反転入力端子に
接続される。これらの第３，第４比較回路４４，４５の
比較レベル１，２は異なった値で、比較レベル１＞比較
レベル２に設定されているため、第３，第４比較回路４
４，４５の出力信号は異なったものとなる。なお、出力
トランジスタ３７〜接続点５２で、第１，第２比較回路
２９，３６の出力信号処理回路を構成する。
【００２３】次に動作について説明する。図３は図２の
電気回路図の各部ｃ〜ｊの波形ｃ〜ｊを示す波形図であ
り、その(a) は歯車状磁性回転体４が正転した時、その
(b)は逆転した時のものである。正転時（ａ）はＭＲ素
子２１の方がＭＲ素子２２より歯車状磁性回転体４が早
く近づくため、ＭＲ素子２１側ブリッジ回路２３の信号
ｃによる第１比較回路２９の出力ｅの方が、ＭＲ素子２
２側ブリッジ回路３０の信号ｄによる第２比較回路３６
の出力ｆより、位相（発生時期）が早くなる。
【００２４】そのため、立上がりエッジトリガタイプの
Ｄフリップフロップ３８を用いた場合、Ｄフリップフロ
ップ３８の出力ｇは常にハイレベル（第１信号）とな
る。Ｄフリップフロップ３８の出力に接続されたトラン
ジスタ４０はオン状態となり、出力トランジスタ３７の
エミッタとグランド間に接続された抵抗４１に電流を供
給する。出力トランジスタ３７がオフの時は正転時、逆
転時にかかわらず、出力ｈレベルはコンピュータユニッ
ト４２内の電源端子ＶＣＣの電圧で決定されるハイレベ
ルとなるが、オン状態では出力トランジスタ３７が供給
する電流とＤフリップフロップ３８の出力に接続された
トランジスタ４０から供給される電流の和と出力トラン
ジスタ３７のエミッタとグランド間に接続された抵抗４
１の積で決定されるローレベル1 となる。
【００２５】これに対し、逆転時（ｂ）はＭＲ素子２２
の方がＭＲ素子２１より歯車状磁性回転体４が早く近づ
くため、ＭＲ素子２２側ブリッジ回路３０の信号ｄによ
る第２比較回路３６の出力ｆの方が、ＭＲ素子２１側ブ
リッジ回路２３の信号ｃによる第１比較回路２９の出力
ｅより、位相（発生時期）が早くなる。このため、Ｄフ
リップフロップ３８の出力ｇは常にローレベル（第２信
号）となり、Ｄフリップフロップ３８の出力に接続され
たトランジスタ４０はオフ状態となり、トランジスタ４
０を通して出力トランジスタ３７のエミッタとグランド
間に接続された抵抗４１に電流を供給できない。よっ
て、出力ｈレベルは、出力トランジスタ３７がオン状態
の時は出力トランジスタ３７が供給する電流と出力トラ
ンジスタ３７のエミッタとグランド間に接続された抵抗
４１の積で決定されるローレベル２となる。このときの
出力ｈレベルは３値をとり、この大小関係はハイレベル
＞ローレベル１＞ローレベル２となるので、シンプルな
回路で情報量を増やすことが可能となる。
【００２６】以上より、Ｄフリップフロップ３８の出力
ｇは、正転時はハイレベル（第１信号）となり、逆転時
はローレベル（第２信号）となる。したがって、Ｄフリ
ップフロップ３８の出力ｇの値により、回転方向検知が
可能となる。また、出力トランジスタ３７の出力ｈレベ
ルは、正転時はハイレベルとローレベル１の２値信号パ
ルス、逆転時はハイレベルとローレベル２の２値信号パ
ルスとなるので、ローレベル１，２の値により、回転方
向検知が可能となる。
【００２７】さらに、出力トランジスタ３７の出力ｈを
コンピュータユニット４２に加え、コンピュータユニッ
ト４２の第３比較回路４４の比較レベル１をハイレベル
とローレベル１の間に設定し、第４比較回路４５の比較
レベル２をローレベル1 とローレベル２の間に設定する
ことにより、回転方向検知が可能となる。すなわち、第
４比較回路４５の出力ｊに信号が現れない場合が正転時
で、現れる場合が逆転時である。なお、第３比較回路４
４の出力ｉには、正転時と逆転時にともに信号が現れ
る。
【００２８】また、図３の波形図から分かるように、歯
車状磁性回転体４の歯の位置に対応したＭＲ素子２１側
ブリッジ回路２３の信号ｃ（パルス）は、回転方向にか
かわらず出力トランジスタ３７の出力ｈのパルスと同期
しているので、出力ｈのパルスから歯車状磁性回転体４
の対向状態（突起部が対向してるか、非突起部が対向し
ているか）を認識することが可能となり、このような機
能が要求される制御システムにおいては有益である。
【００２９】また、ＭＲ素子としてＧＭＲ素子を用いる
ことにより、ブリッジ回路出力を大きくすることがで
き、歯車状磁性回転体４と磁気検出装置間距離が大きな
場合でも検出可能になり、装置の特性が向上する。先に
も述べたようにＭＲ素子のＭＲ変化率は２〜６％である
が、ＧＭＲ素子のそれは約３０％なので、ブリッジ回路
出力は５〜１５倍となる。
【００３０】実施の形態２．図４はこの発明の実施の形
態２の磁気検出装置を示す構成図で、その（ａ）は正面
図、その（ｂ）は斜視図、その（ｃ）は部分上面図であ
る。図５はこの発明の実施の形態２の磁気検出装置の電
気回路図、図６は図５の電気回路図の波形図である。実
施の形態２では、３個の第１，第２，第3 磁気抵抗効果
素子（ＭＲ素子という）６１，６２，６３を歯車状磁性
回転体４に対向させ、その回転方向に並べて配置した。
なお、図２２〜図２４、図１〜図３と図中同一符号は、
同一又は相当部分を示す。
【００３１】両端に配置された第１，第２ＭＲ素子６
１，６２と抵抗２５，２６で、図５のように１つめのブ
リッジ回路２３を構成した。中央に配置された第３ＭＲ
素子６３と抵抗３１，３２，３３で２つめのブリッジ回
路３０を構成した。
【００３２】正転時、ＭＲ素子６１→ＭＲ素子６３→Ｍ
Ｒ素子６２の順で抵抗が低下するので、接続点２７，３
４の波形はそれぞれ図６（ａ）のｃ，ｄとなる。これら
により第１，第２比較回路２９，３６の出力波形は図６
（ａ）のｅ，ｆとなる。出力ｅと出力ｆの位相により、
すなわち出力ｆの立ち上がり時、出力ｅはハイレベルで
あるので、Ｄフリップフロップ３８の出力ｇは常にハイ
レベル（第１信号）となる。実施の形態１と同様に、図
５の各部ｇ，ｈ，ｉ，ｊは、その波形が、図６（ａ）の
ｇ，ｈ，ｉ，ｊとなる。
【００３３】逆転時、ＭＲ素子６２→ＭＲ素子６３→Ｍ
Ｒ素子６１の順で抵抗が低下するので、接続点２７，３
４の波形はそれぞれ図６（ｂ）のｃ，ｄとなる。これら
により第１，第２比較回路２９，３６の出力波形は図６
（ｂ）のｅ，ｆとなる。出力ｅと出力ｆの位相により、
すなわち出力ｆの立ち上がり時、出力ｅはローレベルで
あるので、Ｄフリップフロップ３８の出力ｇは常にロー
レベル（第２信号）となる。これらにより図５の各部
ｇ，ｈ，ｉ，ｊは、その波形が、図６（ｂ）のｇ，ｈ，
ｉ，ｊとなる。
【００３４】以上より、Ｄフリップフロップ３８の出力
ｇは、正転時はハイレベル（第１信号）となり、逆転時
はローレベル（第２信号）となる。したがって、Ｄフリ
ップフロップ３８の出力ｇの値により、回転方向検知が
可能となる。また、出力トランジスタ３７の出力ｈレベ
ルは、正転時はハイレベルとローレベル１の２値信号パ
ルス、逆転時はハイレベルとローレベル２の２値信号パ
ルスとなるので、ローレベル１，２の値により、回転方
向検知が可能となる。
【００３５】さらに、出力トランジスタ３７の出力ｈを
コンピュータユニット４２に加え、コンピュータユニッ
ト４２の第３比較回路４４の比較レベル１をハイレベル
とローレベル１の間に設定し、第４比較回路４５の比較
レベル２をローレベル1 とローレベル２の間に設定する
ことにより、回転方向検知が可能となる。すなわち、第
４比較回路４５の出力ｊに信号が現れない場合が正転時
で、現れる場合が逆転時である。なお、第３比較回路４
４の出力ｉには、正転時と逆転時にともに信号が現れ
る。
【００３６】実施の形態３．図７はこの発明の実施の形
態３の磁気検出装置を示す構成図で、その（ａ）は正面
図、その（ｂ）は斜視図、その（ｃ）は部分上面図であ
る。図８はこの発明の実施の形態３の磁気検出装置の電
気回路図、図９は図８の電気回路図の波形図である。実
施の形態３では、４個の第１，第２，第3 ，第４磁気抵
抗効果素子（ＭＲ素子という）７１，７２，７３，７４
を歯車状磁性回転体４に対向させ、その回転方向に並べ
て配置した。図７の（ｃ）に示すように、中央に配置す
る２つのＭＲ素子７２，７３は近接させ、これらのＭＲ
素子７２，７３を挟んで両側にＭＲ素子７１，７４配置
して、ICチップ２上で第１〜第４ＭＲ素子７１〜７４が
占める面積を小さくする。なお、図２２〜図２４、図１
〜図６と図中同一符号は、同一又は相当部分を示す。
【００３７】一端と中央に配置された第１，第２ＭＲ素
子７１，７２と抵抗２５，２６で、図８のように１つめ
のブリッジ回路２３を構成した。中央と他端に配置され
た第３，第４ＭＲ素子７３，７４と抵抗３２，３３で２
つめのブリッジ回路３０を構成した。
【００３８】正転時、ＭＲ素子７１→ＭＲ素子７２→Ｍ
Ｒ素子７３→ＭＲ素子７４の順で抵抗が低下するので、
接続点２７，３４の波形はそれぞれ図９（ａ）のｃ，ｄ
となる。これらにより第１，第２比較回路２９，３６の
出力波形は図９のｅ，ｆとなる。出力ｅと出力ｆの位相
により、すなわち出力ｆの立ち上がり時、出力ｅはハイ
レベルであるので、Ｄフリップフロップ３８の出力ｇは
常にハイレベル（第１信号）となる。実施の形態１と同
様に、図８の各部ｇ，ｈ，ｉ，ｊは、その波形が、図９
（ａ）のｇ，ｈ，ｉ，ｊとなる。
【００３９】逆転時、ＭＲ素子７４→ＭＲ素子７３→Ｍ
Ｒ素子７２→ＭＲ素子７１の順で抵抗が低下するので、
接続点２７，３４の波形はそれぞれ図９（ｂ）のｃ，ｄ
となる。これらにより第１，第２比較回路２９，３６の
出力波形は図９（ｂ）のｅ，ｆとなる。出力ｅと出力ｆ
の位相により、すなわち出力ｆの立ち上がり時、出力ｅ
はローレベルであるので、Ｄフリップフロップ３８の出
力ｇは常にローレベル（第２信号）となる。これらによ
り図８の各部ｇ，ｈ，ｉ，ｊは、その波形が、図９
（ｂ）のｇ，ｈ，ｉ，ｊとなる。
【００４０】以上より、Ｄフリップフロップ３８の出力
ｇは、正転時はハイレベル（第１信号）となり、逆転時
はローレベル（第２信号）となる。したがって、Ｄフリ
ップフロップ３８の出力ｇの値により、回転方向検知が
可能となる。また、出力トランジスタ３７の出力ｈレベ
ルは、正転時はハイレベルとローレベル１の２値信号パ
ルス、逆転時はハイレベルとローレベル２の２値信号パ
ルスとなるので、ローレベル１，２の値により、回転方
向検知が可能となる。
【００４１】さらに、出力トランジスタ３７の出力ｈを
コンピュータユニット４２に加え、コンピュータユニッ
ト４２の第３比較回路４４の比較レベル１をハイレベル
とローレベル１の間に設定し、第４比較回路４５の比較
レベル２をローレベル1 とローレベル２の間に設定する
ことにより、回転方向検知が可能となる。すなわち、第
４比較回路４５の出力ｊに信号が現れない場合が正転時
で、現れる場合が逆転時である。なお、第３比較回路４
４の出力ｉには、正転時と逆転時にともに信号が現れ
る。
【００４２】また、実施の形態３では、磁気抵抗効果素
子体として、同じ温度特性のＭＲ素子２個を用いて構成
しているため、温度特性の良い磁気検出装置を得ること
ができる。つまり、ＭＲ素子と抵抗のように温度係数差
があると、ブリッジ回路出力に温度ドリフトが生じてし
まうという問題を解消できる。
【００４３】実施の形態４ 図１０はこの発明の実施の形態４の磁気検出装置の電気
回路図、図１１は図１０の電気回路図の波形図である。
図１０では、実施の形態１の図２における回路構成の一
部を変えたものである。変えた部分は、トランジスタ４
０と出力トランジスタ３７部分であり、それらを中心に
説明する。なお、図２２〜図２４、図１〜図３と図中同
一符号は、同一又は相当部分を示す。
【００４４】Ｄフリップフロップ３８の出力端子は、ト
ランジスタ４０のベースに接続される。このトランジス
タ４０のコレクタは抵抗７５を介して出力トランジスタ
３７のコレクタに接続され、エミッタは出力トランジス
タ３７のエミッタと共に接地されている。図１１（ａ）
は正転時の波形図であり、Ｄフリップフロップ３８の出
力ｇは常にハイレベルとなるので、トランジスタ４０は
オン状態となり、コンピュータユニット４２の電源端子
ＶＣＣから電流Ｉ1 が流入する。出力トランジスタ３７
がオンのときは、正転時、逆転時にかかわらず、出力ｈ
は出力トランジスタ３７の飽和電圧で決定されるローレ
ベルとなるが、出力トランジスタ３７がオフのときは、
Ｄフリップフロップ３８の出力に接続されたトランジス
タ４０に流入する電流Ｉ1 と抵抗４３Ｒの積だけＶＣＣ
より小さいハイレベル１となる。
【００４５】これに対して、逆転時は、図１１（ｂ）に
示すように、Ｄフリップフロップ３８の出力ｇは常にロ
ーレベルとなるので、トランジスタ４０はオフ状態とな
る。そのため、出力トランジスタ３７がオフのときは、
トランジスタ４０に電流が流入しないので、出力ｈはハ
イレベル２（＝ＶＣＣ）となる。このときの出力ｈは、
正転時、逆転時で異なる３値となり、大小関係はハイレ
ベル２＞ハイレベル１＞ローレベルとなるので、シンプ
ルな回路で情報量を増やすことができる。
【００４６】以上により、出力トランジスタ３７の出力
ｈレベルは、正転時はハイレベル１とローレベルの２値
信号パルス、逆転時はハイレベル２とローレベルの２値
信号パルスとなるので、ハイレベル１，２の値により、
回転方向検知が可能となる。
【００４７】さらに、出力トランジスタ３７の出力ｈを
コンピュータユニット４２に加え、コンピュータユニッ
ト４２の第３比較回路４４の比較レベル１をハイレベル
１とローレベルの間に設定し、第４比較回路４５の比較
レベル２をハイレベル1 とハイレベル２の間に設定する
ことにより、回転方向検知が可能となる。すなわち、第
４比較回路４５の出力ｊに信号が現れない場合が正転時
で、現れる場合が逆転時である。なお、第３比較回路４
４の出力ｉには、正転時と逆転時にともに信号が現れ
る。なお、その他の作用効果は、実施の形態１と同様で
あるので、省略する。
【００４８】実施の形態５．図１２はこの発明の実施の
形態５の磁気検出装置の電気回路図、図１３は図１２の
電気回路図の波形図である。図１２では、実施の形態２
の図５における回路構成の一部を変えたものである。変
えた部分は、トランジスタ４０と出力トランジスタ３７
部分であり、実施の形態４と同じである。なお、図１〜
図６，図１０，１１と図中同一符号は、同一又は相当部
分を示す。
【００４９】図１３（ａ）は正転時の波形図であり、Ｄ
フリップフロップ３８の出力ｇは常にハイレベルとなる
ので、トランジスタ４０はオン状態となる。出力トラン
ジスタ３７がオンのときは、出力ｈは出力トランジスタ
３７の飽和電圧で決定されるローレベルとなるが、出力
トランジスタ３７がオフのときは、ハイレベル１とな
る。
【００５０】これに対して、逆転時は、図１３（ｂ）に
示すように、Ｄフリップフロップ３８の出力ｇは常にロ
ーレベルとなるので、トランジスタ４０はオフ状態とな
る。そのため、出力トランジスタ３７がオフのときは、
トランジスタ４０に電流が流入しないので、出力ｈはハ
イレベル２（＝ＶＣＣ）となる。このときの出力ｈは、
正転時、逆転時で異なる３値となり、大小関係はハイレ
ベル２＞ハイレベル１＞ローレベルとなるので、シンプ
ルな回路で情報量を増やすことができる。
【００５１】以上により、出力トランジスタ３７の出力
ｈレベルは、正転時はハイレベル１とローレベルの２値
信号パルス、逆転時はハイレベル２とローレベルの２値
信号パルスとなるので、ハイレベル１，２の値により、
回転方向検知が可能となる。なお、その他の作用効果
は、実施の形態４と同様であるので、省略する。
【００５２】実施の形態６．図１４はこの発明の実施の
形態６の磁気検出装置の電気回路図、図１５は図１４の
電気回路図の波形図である。図１４では、実施の形態３
の図８における回路構成の一部を変えたものである。変
えた部分は、トランジスタ４０と出力トランジスタ３７
部分であり、実施の形態４と同じである。なお、図１〜
図６，図１０，１１と図中同一符号は、同一又は相当部
分を示す。
【００５３】図１５（ａ）は正転時の波形図であり、図
１５（ｂ）は逆転時の波形である。このときの出力ｈ
は、正転時、逆転時で異なる３値となり、大小関係はハ
イレベル２＞ハイレベル１＞ローレベルとなるので、シ
ンプルな回路で情報量を増やすことができる。以上によ
り、出力トランジスタ３７の出力ｈレベルは、正転時は
ハイレベル１とローレベルの２値信号パルス、逆転時は
ハイレベル２とローレベルの２値信号パルスとなるの
で、ハイレベル１，２の値により、回転方向検知が可能
となる。なお、その他の作用効果は、実施の形態４と同
様であるので、省略する。
【００５４】実施の形態７．図１６はこの発明の実施の
形態７の磁気検出装置の電気回路図、図１７は図１６の
電気回路図の波形図である。実施の形態７では、実施の
形態１に対して、図２の回路構成を図１６のように一部
を変えたものであり、変更部分を中心に説明する。ブリ
ッジ回路２３，３０の一端は、コンピュータユニット４
２の入力端７６に接続される。出力トランジスタ３７の
コレクタは、抵抗７７を介して電源ＶＣＣに接続され
る。出力トランジスタ３７のエミッタとトランジスタ４
０のエミッタはそれぞれコンピュータユニット４２の入
力端７６に接続される。電源ＶＣＣからブリッジ回路２
３，３０を経由、出力トランジスタ３７を経由、及びト
ランジスタ４０を経由した電流は、すべてコンピュータ
ユニット４２の入力端７６に流入する２線式である。コ
ンピュータユニット４２の入力端７６は、抵抗７８を介
して接地され、さらに、２つの比較回路４４，４５に接
続される。なお、図２２〜図２４、図１〜図３と図中同
一符号は、同一又は相当部分を示す。
【００５５】次に動作について説明する。図１７（ａ）
は歯車状磁性回転体４が正転時、図１７（ｂ）は逆転時
の各部の波形図である。正転時は、Ｄフリップフロップ
３８の出力ｇは常にハイレベルとなるので、トランジス
タ４０はオン状態となり、コンピュータユニット４２に
設けられた抵抗７８Ｒに電流Ｉ1 を供給する。これに対
して、逆転時は、Ｄフリップフロップ３８の出力ｇは常
にローレベルとなるので、トランジスタ４０はオフ状態
となり、コンピュータユニット４２に設けられた抵抗７
８Ｒに電流を供給しない。
【００５６】また、出力トランジスタ３７がオフのとき
は、正転時，逆転時にかかわらず、コンピュータユニッ
ト４２に設けられた抵抗７８Ｒに電流を供給せず、オン
のときは、正転時，逆転時にかかわらず、コンピュータ
ユニット４２に設けられた抵抗７８Ｒに電流Ｉ2 を供給
する。
【００５７】そのため、出力トランジスタ３７の出力ｈ
（コンピュータユニット４２の入力端７６の入力電圧
ｈ）は、正転時は次の式で求まる２値となる。 ハイレベル１＝（Ｉ1 + Ｉ2 + その他の回路電流）×Ｒ ----（１） ローレベル１＝（Ｉ1 + その他の回路電流）×Ｒ ----（２） 逆転時は次の式で求まる２値となる。 ハイレベル２＝（Ｉ2 + その他の回路電流）×Ｒ ----（３） ローレベル２＝（その他の回路電流）×Ｒ ----- （４） このように、実施の形態７では、出力ｈレベルは、互い
に異なる４値となり、この大小関係は、ハイレベル１＞
ハイレベル２＞ローレベル１＞ローレベル２となるの
で、シンプルな回路で情報量を増やすことができる。
【００５８】以上より、Ｄフリップフロップ３８の出力
ｇは、正転時はハイレベル（第１信号）となり、逆転時
はローレベル（第２信号）となる。したがって、Ｄフリ
ップフロップ３８の出力ｇの値により、回転方向検知が
可能となる。また、出力トランジスタ３７の出力ｈレベ
ルは、正転時はハイレベル１とローレベル１の２値信号
パルス、逆転時はハイレベル２とローレベル２の２値信
号パルスとなるので、ハイレベル１，２、ローレベル
１，２の値により、回転方向検知が可能となる。
【００５９】さらに、出力トランジスタ３７の出力ｈを
コンピュータユニット４２に加え、第３比較回路４４の
比較レベル１をハイレベル２とローレベル１の間に設定
し、第４比較回路４５の比較レベル２をローレベル1 と
ローレベル２の間に設定することにより、回転方向検知
が可能となる。すなわち、第４比較回路４５の出力ｊに
信号が現れない場合が正転時で、現れる場合が逆転時で
ある。なお、第３比較回路４４の出力ｉには、正転時と
逆転時にともに信号が現れる。
【００６０】また、図１７の波形図から分かるように、
歯車状磁性回転体４の歯の位置に対応したＭＲ素子２１
側ブリッジ回路２３の信号ｃ（パルス）は、回転方向に
かかわらず出力トランジスタ３７の出力ｈのパルスと同
期（位相は逆転）しているので、出力ｈのパルスから歯
車状磁性回転体４の対向状態（突起部が対向してるか、
非突起部が対向しているか）を認識することが可能とな
り、このような機能が要求される制御システムにおいて
は有益である。
【００６１】また、ＭＲ素子としてＧＭＲ素子を用いる
ことにより、ブリッジ回路出力を大きくすることがで
き、歯車状磁性回転体４と磁気検出装置間距離が大きな
場合でも検出可能になり、装置の特性が向上する。先に
も述べたようにＭＲ素子のＭＲ変化率は２〜６％である
が、ＧＭＲ素子のそれは約３０％なので、ブリッジ回路
出力は５〜１５倍となる。
【００６２】実施の形態８．図１８はこの発明の実施の
形態８の磁気検出装置の電気回路図、図１９は図１８の
電気回路図の波形図である。実施の形態８では、実施の
形態７に対して、ブリッジ回路２３，３０部分を、実施
の形態２の図４と同様に配置されたＭＲ素子６１，６
２，６３を用いて、図５のように結線したブリッジ回路
２３，３０に置き換えたものである。なお、図１〜図
６，図１６，１７と図中同一符号は、同一又は相当部分
を示す。
【００６３】図１９（ａ）は正転時の波形図であり、Ｄ
フリップフロップ３８の出力ｇは常にハイレベルとなる
ので、トランジスタ４０はオン状態となる。逆転時は、
図１９（ｂ）に示すように、Ｄフリップフロップ３８の
出力ｇは常にローレベルとなるので、トランジスタ４０
はオフ状態となる。したがって、出力トランジスタ３７
の出力ｈ（コンピュータユニット４２の入力端７６の入
力電圧ｈ）は、実施の形態７と同様に、正転時はハイレ
ベル１とローレベル１の２値のパルスとなり、逆転時は
ハイレベル２とローレベル２の２値のパルスとなる。こ
のように、実施の形態８では、出力ｈレベルは、互いに
異なる４値となり、この大小関係は、ハイレベル１＞ハ
イレベル２＞ローレベル１＞ローレベル２となるので、
シンプルな回路で情報量を増やすことができる。
【００６４】以上により、出力トランジスタ３７の出力
ｈレベルは、正転時はハイレベル１とローレベル１の２
値信号パルス、逆転時はハイレベル２とローレベル２の
２値信号パルスとなるので、ハイレベル１，２、ローレ
ベル１，２の値により、回転方向検知が可能となる。な
お、その他の作用効果は、実施の形態７と同様であるの
で、省略する。
【００６５】実施の形態９．図２０はこの発明の実施の
形態９の磁気検出装置の電気回路図、図２１は図２０の
電気回路図の波形図である。実施の形態９では、実施の
形態７に対して、ブリッジ回路２３，３０部分を、実施
の形態３の図７と同様に配置されたＭＲ素子７１，７
２，７３，７４を用いて、図８のように結線したブリッ
ジ回路２３，３０に置き換えたものである。なお、図１
〜図９，図１６，１７と図中同一符号は、同一又は相当
部分を示す。
【００６６】図２１（ａ）は正転時の波形図であり、Ｄ
フリップフロップ３８の出力ｇは常にハイレベルとなる
ので、トランジスタ４０はオン状態となる。逆転時は、
図２１（ｂ）に示すように、Ｄフリップフロップ３８の
出力ｇは常にローレベルとなるので、トランジスタ４０
はオフ状態となる。したがって、出力トランジスタ３７
の出力ｈ（コンピュータユニット４２の入力端７６の入
力電圧ｈ）は、実施の形態７と同様に、正転時はハイレ
ベル１とローレベル１の２値のパルスとなり、逆転時は
ハイレベル２とローレベル２の２値のパルスとなる。こ
のように、実施の形態９では、出力ｈレベルは、互いに
異なる４値となり、この大小関係は、ハイレベル１＞ハ
イレベル２＞ローレベル１＞ローレベル２となるので、
シンプルな回路で情報量を増やすことができる。
【００６７】以上により、出力トランジスタ３７の出力
ｈレベルは、正転時はハイレベル１とローレベル１の２
値信号パルス、逆転時はハイレベル２とローレベル２の
２値信号パルスとなるので、ハイレベル１，２、ローレ
ベル１，２の値により、回転方向検知が可能となる。な
お、その他の作用効果は、実施の形態７と同様であるの
で、省略する。
【００６８】なお、各実施の形態では、歯車状磁性回転
体を基に説明したが、回転体でなく、長手状移動体で凹
凸の歯を有する歯状磁性移動体にも同様に適用でき、移
動方向を検出できる。
【００６９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の磁気検
出装置によれば、バイアス磁界を発生する磁石、この磁
石のバイアス磁界中に、被検出対象である歯状磁性移動
体に対向しその移動方向に並べて配置され、前記被検出
対象の移動に応じるバイアス磁界の状態変化により抵抗
変化を生じる第１，第２磁気抵抗効果素子体、前記第１
磁気抵抗効果素子体の抵抗変化を出力する第１抵抗変化
出力回路、前記第２磁気抵抗効果素子体の抵抗変化を出
力する第２抵抗変化出力回路、及び、前記被検出対象の
正方向への移動に基づく、前記第１抵抗変化出力回路の
出力と前記第２抵抗変化出力回路の出力の相互の位相に
より、第１信号を出力し、前記被検出対象の逆方向への
移動に基づく、前記第１抵抗変化出力回路の出力と前記
第２抵抗変化出力回路の出力の相互の位相により、第２
信号を出力する出力信号処理回路を備えたので、互いに
値の異なる第１信号及び第２信号により、歯状磁性移動
体の移動方向検知が可能となる。
【００７０】また、バイアス磁界を発生する磁石、この
磁石のバイアス磁界中に、被検出対象である歯状磁性移
動体に対向しその移動方向に並べて配置され、前記被検
出対象の移動に応じるバイアス磁界の状態変化により抵
抗変化を生じる第１，第２磁気抵抗効果素子体、前記第
１磁気抵抗効果素子体の抵抗変化を出力する第１抵抗変
化出力回路、前記第２磁気抵抗効果素子体の抵抗変化を
出力する第２抵抗変化出力回路、及び、前記被検出対象
の正方向への移動に基づく、前記第１抵抗変化出力回路
の出力と前記第２抵抗変化出力回路の出力の相互の位相
により、第１信号を出力し、この第１信号出力と前記抵
抗変化出力回路の出力によりハイレベル１とローレベル
１のパルスを発生し、前記被検出対象の逆方向への移動
に基づく、前記第１抵抗変化出力回路の出力と前記第２
抵抗変化出力回路の出力の相互の位相により、第２信号
を出力し、この第２信号出力と前記抵抗変化出力回路の
出力により、前記ハイレベル１と前記ローレベル１の少
なくともいずれかを異にするハイレベル２とローレベル
２のパルスを発生する出力信号処理回路を備えたので、
ハイレベル１とローレベル１のパルス及びハイレベル２
とローレベル２のパルスにより、歯状磁性移動体の移動
方向検知が可能となる。しかもハイレベル１とローレベ
ル１の少なくともいずれかを異にするハイレベル２とロ
ーレベル２であるので、少なくとも異なる３値であり、
システムを制御するための情報量が多くなる。
【００７１】また、バイアス磁界を発生する磁石、この
磁石のバイアス磁界中に、被検出対象である歯状磁性移
動体に対向しその移動方向に並べて配置され、前記被検
出対象の移動に応じるバイアス磁界の状態変化により抵
抗変化を生じる第１，第２磁気抵抗効果素子体、前記第
１磁気抵抗効果素子体の抵抗変化を出力する第１抵抗変
化出力回路、前記第２磁気抵抗効果素子体の抵抗変化を
出力する第２抵抗変化出力回路、及び、前記被検出対象
の正方向への移動に基づく、前記第１抵抗変化出力回路
の出力の発生時期が前記第２抵抗変化出力回路の出力の
発生時期より早くなることにより、第１信号を出力し、
この第１信号出力と前記抵抗変化出力回路の出力により
ハイレベル１とローレベル１のパルスを発生し、前記被
検出対象の逆方向への移動に基づく、前記第２抵抗変化
回路出力の発生時期が前記第１抵抗変化出力回路の出力
の発生時期より早くなることにより、第２信号を出力
し、この第２信号出力と前記抵抗変化出力回路の出力に
より、前記ハイレベル１と前記ローレベル１の少なくと
もいずれかを異にするハイレベル２とローレベル２のパ
ルスを発生する出力信号処理回路を備えたので、ハイレ
ベル１とローレベル１のパルス及びハイレベル２とロー
レベル２のパルスにより、歯状磁性移動体の移動方向検
知が可能となる。しかもハイレベル１とローレベル１の
少なくともいずれかを異にするハイレベル２とローレベ
ル２であるので、少なくとも異なる３値であり、システ
ムを制御するための情報量が多くなる。
【００７２】また、出力信号処理回路には、Ｄフリップ
フロップ回路を有するので、簡単な回路構成で移動方向
を検出できる。
【００７３】また、出力信号処理回路は、第１抵抗変化
出力回路の出力を出力トランジスタとＤフリップフロッ
プ回路のＤ端子に入力し、第２抵抗変化出力回路の出力
を前記Ｄフリップフロップ回路のＣＬ端子に入力し、前
記Ｄフリップフロップ回路の出力と前記出力トランジス
タの出力を組み合わせてパスルを発生するようにしたの
で、簡単な回路構成で移動方向を検出できる。
【００７４】また、第１磁気抵抗効果素子体は２個の磁
気抵抗効果素子を直列に接続した直列体であり、第２磁
気抵抗効果素子体は２個の磁気抵抗効果素子を直列に接
続した直列体であるので、温度特性の良い磁気検出装置
を得ることができる。
【００７５】また、第１磁気抵抗効果素子体の1 個の磁
気抵抗効果素子と第２磁気抵抗効果素子体の1 個の磁気
抵抗効果素子を中央に、第１磁気抵抗効果素子体の他の
磁気抵抗効果素子と第２磁気抵抗効果素子体の他の磁気
抵抗効果素子を中央の前記磁気抵抗効果素子を挟んで両
側に、歯状磁性移動体の移動方向に並べて配置したの
で、温度特性の良い磁気検出装置を得ることができる。
【００７６】さらにまた、磁気抵抗効果素子として、巨
大磁気抵抗効果素子を用いたので、装置の特性が向上す
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１の磁気検出装置を示
す構成図である。
【図２】 この発明の実施の形態１の磁気検出装置の電
気回路図である。
【図３】 図２の電気回路図の波形図である。
【図４】 この発明の実施の形態２の磁気検出装置を示
す構成図である
【図５】 この発明の実施の形態２の磁気検出装置の電
気回路図である。
【図６】 図５の電気回路図の波形図である。
【図７】 この発明の実施の形態３の磁気検出装置を示
す構成図である
【図８】 この発明の実施の形態３の磁気検出装置の電
気回路図である。
【図９】 図８の電気回路図の波形図である。
【図１０】 この発明の実施の形態４の磁気検出装置の
電気回路図である
【図１１】 図１０の電気回路図の波形図である。
【図１２】 この発明の実施の形態５の磁気検出装置の
電気回路図である。
【図１３】 図１２の電気回路図の波形図である。
【図１４】 この発明の実施の形態６の磁気検出装置の
電気回路図である。
【図１５】 図１４の電気回路図の波形図である。
【図１６】 この発明の実施の形態７の磁気検出装置の
電気回路図である。
【図１７】 図１６の電気回路図の波形図である。
【図１８】 この発明の実施の形態８の磁気検出装置の
電気回路図である。
【図１９】 図１８の電気回路図の波形図である。
【図２０】 でこの発明の実施の形態９の磁気検出装置
の電気回路図ある。
【図２１】 図２０の電気回路図の波形図である。
【図２２】 従来の磁気検出装置の構成図である。
【図２３】 従来の磁気検出装置の電気回路図である。
【図２４】 図２３の電気回路図の波形図である。
【符号の説明】
１ 磁石 ２ ＩＣチップ ４ 歯車状磁性回転体 ２１ 第１磁気抵抗
効果素子 ２２ 第２磁気抵抗効果素子 ２３ ブリッジ回
路 ２９ 第１比較回路 ３０ ブリッジ回
路 ３６ 第２比較回路 ３７ 出力トラン
ジスタ ３８ Ｄフリップフロップ ４０ トランジス
タ ４２ コンピュータユニット ４４ 第３比較回
路 ４５ 第４比較回路 ６１ 磁気抵抗効
果素子 ６２ 磁気抵抗効果素子 ６３ 磁気抵抗効
果素子 ７１ 磁気抵抗効果素子 ７２ 磁気抵抗効
果素子 ７３ 磁気抵抗効果素子 ７４ 磁気抵抗効
果素子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平岡 直樹 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 2F077 AA37 NN21 PP14 QQ05 QQ13 TT00 TT11 TT32 TT35 TT52 2G017 AA04 AB07 AC00 AC09 AD55 BA11

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 バイアス磁界を発生する磁石、この磁石
    のバイアス磁界中に、被検出対象である歯状磁性移動体
    に対向しその移動方向に並べて配置され、前記被検出対
    象の移動に応じるバイアス磁界の状態変化により抵抗変
    化を生じる第１，第２磁気抵抗効果素子体、前記第１磁
    気抵抗効果素子体の抵抗変化を出力する第１抵抗変化出
    力回路、前記第２磁気抵抗効果素子体の抵抗変化を出力
    する第２抵抗変化出力回路、及び、前記被検出対象の正
    方向への移動に基づく、前記第１抵抗変化出力回路の出
    力と前記第２抵抗変化出力回路の出力の相互の位相によ
    り、第１信号を出力し、前記被検出対象の逆方向への移
    動に基づく、前記第１抵抗変化出力回路の出力と前記第
    ２抵抗変化出力回路の出力の相互の位相により、第２信
    号を出力する出力信号処理回路を備えた磁気検出装置。
  2. 【請求項２】 バイアス磁界を発生する磁石、この磁石
    のバイアス磁界中に、被検出対象である歯状磁性移動体
    に対向しその移動方向に並べて配置され、前記被検出対
    象の移動に応じるバイアス磁界の状態変化により抵抗変
    化を生じる第１，第２磁気抵抗効果素子体、前記第１磁
    気抵抗効果素子体の抵抗変化を出力する第１抵抗変化出
    力回路、前記第２磁気抵抗効果素子体の抵抗変化を出力
    する第２抵抗変化出力回路、及び、前記被検出対象の正
    方向への移動に基づく、前記第１抵抗変化出力回路の出
    力と前記第２抵抗変化出力回路の出力の相互の位相によ
    り、第１信号を出力し、この第１信号出力と前記抵抗変
    化出力回路の出力によりハイレベル１とローレベル１の
    パルスを発生し、前記被検出対象の逆方向への移動に基
    づく、前記第１抵抗変化出力回路の出力と前記第２抵抗
    変化出力回路の出力の相互の位相により、第２信号を出
    力し、この第２信号出力と前記抵抗変化出力回路の出力
    により、前記ハイレベル１と前記ローレベル１の少なく
    ともいずれかを異にするハイレベル２とローレベル２の
    パルスを発生する出力信号処理回路を備えた磁気検出装
    置。
  3. 【請求項３】 バイアス磁界を発生する磁石、この磁石
    のバイアス磁界中に、被検出対象である歯状磁性移動体
    に対向しその移動方向に並べて配置され、前記被検出対
    象の移動に応じるバイアス磁界の状態変化により抵抗変
    化を生じる第１，第２磁気抵抗効果素子体、前記第１磁
    気抵抗効果素子体の抵抗変化を出力する第１抵抗変化出
    力回路、前記第２磁気抵抗効果素子体の抵抗変化を出力
    する第２抵抗変化出力回路、及び、前記被検出対象の正
    方向への移動に基づく、前記第１抵抗変化出力回路の出
    力の発生時期が前記第２抵抗変化出力回路の出力の発生
    時期より早くなることにより、第１信号を出力し、この
    第１信号出力と前記抵抗変化出力回路の出力によりハイ
    レベル１とローレベル１のパルスを発生し、前記被検出
    対象の逆方向への移動に基づく、前記第２抵抗変化回路
    出力の発生時期が前記第１抵抗変化出力回路の出力の発
    生時期より早くなることにより、第２信号を出力し、こ
    の第２信号出力と前記抵抗変化出力回路の出力により、
    前記ハイレベル１と前記ローレベル１の少なくともいず
    れかを異にするハイレベル２とローレベル２のパルスを
    発生する出力信号処理回路を備えた磁気検出装置。
  4. 【請求項４】 出力信号処理回路には、Ｄフリップフロ
    ップ回路を有する請求項１〜請求項３のいずれか１項に
    記載の磁気検出装置。
  5. 【請求項５】 出力信号処理回路は、第１抵抗変化出力
    回路の出力を出力トランジスタとＤフリップフロップ回
    路のＤ端子に入力し、第２抵抗変化出力回路の出力を前
    記Ｄフリップフロップ回路のＣＬ端子に入力し、前記Ｄ
    フリップフロップ回路の出力と前記出力トランジスタの
    出力を組み合わせてパスルを発生するようにした請求項
    １〜請求項３のいずれか１項に記載の磁気検出装置。
  6. 【請求項６】 第１磁気抵抗効果素子体は２個の磁気抵
    抗効果素子を直列に接続した直列体であり、第２磁気抵
    抗効果素子体は２個の磁気抵抗効果素子を直列に接続し
    た直列体である請求項１〜請求項５のいずれか１項に記
    載の磁気検出装置。
  7. 【請求項７】 第１磁気抵抗効果素子体の1 個の磁気抵
    抗効果素子と第２磁気抵抗効果素子体の1 個の磁気抵抗
    効果素子を中央に、第１磁気抵抗効果素子体の他の磁気
    抵抗効果素子と第２磁気抵抗効果素子体の他の磁気抵抗
    効果素子を中央の前記磁気抵抗効果素子を挟んで両側
    に、歯状磁性移動体の移動方向に並べて配置した請求項
    １〜請求項６のいずれか１項に記載の磁気検出装置。
  8. 【請求項８】 磁気抵抗効果素子として、巨大磁気抵抗
    効果素子を用いた請求項１〜請求項７のいずれか１項に
    記載の磁気検出装置。
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US09/801,190 US6630821B2 (en) 2000-09-14 2001-03-08 Magnetic detection device for detecting moving direction of a toothed magnetic movable body
DE10111949A DE10111949B4 (de) 2000-09-14 2001-03-13 Magnetische Erfassungsvorrichtung
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005345384A (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Mitsubishi Electric Corp 回転状態検出装置および回転状態検出方法
DE102004026802B4 (de) * 2003-11-26 2007-02-08 Mitsubishi Denki K.K. Vorrichtung zum Erfassen einer Drehbewegung eines Gegenstandes
JP2007071709A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Mitsubishi Electric Corp 回転状態検出装置
US7265541B1 (en) 2006-02-09 2007-09-04 Mitsubishi Electric Corporation Magnetic sensor
KR100817668B1 (ko) 2006-02-15 2008-03-27 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 자기 검출 장치
JP2008521000A (ja) * 2004-11-24 2008-06-19 ボッシュ・レクスロース・コーポレーション 空間検出装置
JP2008275567A (ja) * 2007-04-26 2008-11-13 S & T Daewoo Co Ltd 相対変位測定センサーモジュール及びこれを用いた移動方向感知方法
JP2009002840A (ja) * 2007-06-22 2009-01-08 Denso Corp 検出信号処理回路
JP2009031146A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Mitsubishi Electric Corp 磁気検出装置
JP2009222426A (ja) * 2008-03-13 2009-10-01 Denso Corp 磁気検出装置
DE102008062079A1 (de) 2008-06-09 2009-12-17 Mitsubishi Electric Corp. Magnetdetektionsvorrichtung
DE102009017500A1 (de) 2008-10-23 2010-05-20 Mitsubishi Electric Corp. Bewegungsrichtungsdetektor
JP2017037023A (ja) * 2015-08-11 2017-02-16 Tdk Corp 回転検出装置

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7045997B2 (en) * 2002-07-23 2006-05-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Magnetic detection apparatus
FR2842913B1 (fr) * 2002-07-23 2004-11-19 Schlumberger Services Petrol Dispositif compact de mesure de vitesse et de sens de rotation d'un objet
JP4214799B2 (ja) * 2003-02-27 2009-01-28 アイシン精機株式会社 回転検出装置
US20050007103A1 (en) * 2003-07-08 2005-01-13 Thaddeus Schroeder Sensor assembly for sensing direction of rotation and/or position of an object
JP4229877B2 (ja) * 2004-06-08 2009-02-25 三菱電機株式会社 磁気検出装置
US7425824B2 (en) * 2005-05-20 2008-09-16 Honeywell International Inc. Magnetoresistive sensor
JP2007139709A (ja) * 2005-11-22 2007-06-07 Mitsubishi Electric Corp 磁気検出装置
JP4213163B2 (ja) * 2006-01-20 2009-01-21 三菱電機株式会社 磁気検出装置
JP2007198843A (ja) * 2006-01-25 2007-08-09 Mitsubishi Electric Corp 磁気検出装置
JP4129030B2 (ja) * 2006-06-08 2008-07-30 三菱電機株式会社 磁気検出装置
DE102007029819B4 (de) * 2007-06-28 2012-02-02 Infineon Technologies Ag Sensor und Sensoranordnung
JP4382838B2 (ja) 2007-07-27 2009-12-16 三菱電機株式会社 磁気検出装置
JP4514776B2 (ja) 2007-08-06 2010-07-28 三菱電機株式会社 内燃機関のクランク角度検出装置
DE102008015861A1 (de) * 2008-03-26 2009-10-01 Continental Teves Ag & Co. Ohg Sensoranordnung
CA2673197C (en) * 2008-04-14 2014-08-05 Latjet Systems Llc Method and apparatus for lateral well drilling with enhanced capability for clearing cuttings and other particles
DE102010002546B4 (de) 2009-03-05 2018-05-09 Denso Corporation Signalverarbeitungsschaltkreis eines Rotationsdetektors und Rotationswinkeldetektor
JP5116751B2 (ja) 2009-10-30 2013-01-09 三菱電機株式会社 磁気検出装置
JP5375654B2 (ja) * 2010-02-18 2013-12-25 パナソニック株式会社 回転方向検出機能付き回転数センサ
KR102008496B1 (ko) * 2013-03-25 2019-08-07 삼성전자주식회사 단일 센서를 이용하여 기구물의 이동 방향 및 속도를 검출하는 방법 및 장치.
FR3033051B1 (fr) * 2015-02-24 2017-02-10 Continental Automotive France Procede et dispositif de traitement d'un signal produit par un capteur de rotation d'une cible tournante
DE102016111984B4 (de) * 2016-06-30 2021-12-23 Infineon Technologies Ag Magnetsensorbauelemente und Verfahren zum Bestimmen einer Rotationsrichtung einer magnetischen Komponente um eine Rotationsachse

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0781807B2 (ja) * 1985-11-05 1995-09-06 ソニー株式会社 位置検出装置
JP2974349B2 (ja) 1989-12-25 1999-11-10 株式会社日本自動車部品総合研究所 磁気検出装置
JPH03246401A (ja) 1990-02-26 1991-11-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回転角度検出装置
JP2980215B2 (ja) 1992-03-04 1999-11-22 シーケーディ 株式会社 磁気センサ
DE19618867A1 (de) 1995-08-26 1997-02-27 Bosch Gmbh Robert System zur Veränderung eines Drehzahlsignals
JPH10227809A (ja) * 1997-02-18 1998-08-25 Toyota Motor Corp 回転状態検出装置
JP3726418B2 (ja) 1997-04-18 2005-12-14 株式会社デンソー 回転検出装置
JP3246401B2 (ja) 1997-07-15 2002-01-15 日本電気株式会社 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
JPH1151699A (ja) * 1997-08-06 1999-02-26 Toyota Motor Corp 回転検出装置
JP3254676B2 (ja) 1997-08-06 2002-02-12 トヨタ自動車株式会社 回転方向検出装置
US5898965A (en) 1997-11-17 1999-05-04 Chuang; Louis Inflation and repair device for bicycle tires
DE19906937A1 (de) 1999-02-19 2000-09-14 Mannesmann Vdo Ag Drehzahlgeber
US6320374B1 (en) * 1999-06-24 2001-11-20 Delphi Technologies, Inc. Angular position and angular direction sensor

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004026802B4 (de) * 2003-11-26 2007-02-08 Mitsubishi Denki K.K. Vorrichtung zum Erfassen einer Drehbewegung eines Gegenstandes
JP2005345384A (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Mitsubishi Electric Corp 回転状態検出装置および回転状態検出方法
JP2008521000A (ja) * 2004-11-24 2008-06-19 ボッシュ・レクスロース・コーポレーション 空間検出装置
JP2007071709A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Mitsubishi Electric Corp 回転状態検出装置
JP4519038B2 (ja) * 2005-09-07 2010-08-04 三菱電機株式会社 回転状態検出装置
US7265541B1 (en) 2006-02-09 2007-09-04 Mitsubishi Electric Corporation Magnetic sensor
DE102006041614B4 (de) * 2006-02-09 2008-10-16 Mitsubishi Electric Corp. Magnetsensorvorrichtung
KR100817668B1 (ko) 2006-02-15 2008-03-27 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 자기 검출 장치
DE102006046782B4 (de) * 2006-02-15 2013-12-24 Mitsubishi Electric Corp. Magnetsensor
US7705584B2 (en) 2006-02-15 2010-04-27 Mitsubishi Electric Corporation Magnetic sensor
JP2008275567A (ja) * 2007-04-26 2008-11-13 S & T Daewoo Co Ltd 相対変位測定センサーモジュール及びこれを用いた移動方向感知方法
JP4705931B2 (ja) * 2007-04-26 2011-06-22 エス アンド ティー デウ コー リミテッド 相対変位測定センサーモジュール
JP2009002840A (ja) * 2007-06-22 2009-01-08 Denso Corp 検出信号処理回路
JP2009031146A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Mitsubishi Electric Corp 磁気検出装置
JP4489105B2 (ja) * 2007-07-27 2010-06-23 三菱電機株式会社 磁気検出装置
JP2009222426A (ja) * 2008-03-13 2009-10-01 Denso Corp 磁気検出装置
JP2009294172A (ja) * 2008-06-09 2009-12-17 Mitsubishi Electric Corp 磁気検出装置
JP4646044B2 (ja) * 2008-06-09 2011-03-09 三菱電機株式会社 磁気検出装置
US7982456B2 (en) 2008-06-09 2011-07-19 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Magnetic detection apparatus
DE102008062079B4 (de) * 2008-06-09 2012-11-15 Mitsubishi Electric Corp. Magnetdetektionsvorrichtung
DE102008062079A1 (de) 2008-06-09 2009-12-17 Mitsubishi Electric Corp. Magnetdetektionsvorrichtung
DE102009017500B4 (de) * 2008-10-23 2011-02-17 Mitsubishi Electric Corp. Bewegungsrichtungsdetektor
DE102009017500A1 (de) 2008-10-23 2010-05-20 Mitsubishi Electric Corp. Bewegungsrichtungsdetektor
US8260568B2 (en) 2008-10-23 2012-09-04 Mitsubishi Electric Corporation Moving direction detector
JP2017037023A (ja) * 2015-08-11 2017-02-16 Tdk Corp 回転検出装置

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