JPH03216518A - 磁気測定方法と磁気センサ - Google Patents

磁気測定方法と磁気センサ

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JPH03216518A
JPH03216518A JP1305590A JP1305590A JPH03216518A JP H03216518 A JPH03216518 A JP H03216518A JP 1305590 A JP1305590 A JP 1305590A JP 1305590 A JP1305590 A JP 1305590A JP H03216518 A JPH03216518 A JP H03216518A
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JP
Japan
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magnetic
magnetic sensing
magnetically sensitive
sensing
output
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Pending
Application number
JP1305590A
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English (en)
Inventor
Hideto Konno
秀人 今野
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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  • Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気検出に関し、特に物体の位置検出に使用す
る磁気センサに関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の磁気センサは、例えば特公昭51−41
335号公報に開示されるように、繰り返し磁気信号を
発生する磁気記録媒体から有限の距離隔てた位置に、磁
気抵抗素子を直列に接続し該接続部より出力を得る方式
、あるいは特開昭58−86405号公報に開示される
ような、位相の異なる複数の出力波形が得られる角度検
出器等がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の磁気抵抗素子および角度検出器は、飽和
するに十分な外部回転磁界を受けて、略正弦波あるいは
余弦波に近似した出力波形を得て、これを電圧として取
り出し計測するものであった。
これらの方法は、外部磁界が回転しない例えば一方向の
みの磁界を発生する物体が出入を繰り返す場合、あるい
はコイル等により発生させた電磁界の有無を検出する場
合の検出手段としては不向きであった。仮に外付けオフ
セット調整用抵抗により調整を行っても、感磁し出力し
うる外部磁界の方向は一方向のみに限定されるという欠
点があった。
本発明の目的は、感磁方向が異る磁気抵抗素子を2組有
する感磁部を惑磁位相がπ/ 2 r a d得られる
よう配置し、回転磁界以外に一方向磁界をも検出するこ
とができる磁気センサを提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の磁気測定方法と磁気センサは、1.強磁体磁性
薄膜により形成される少なくとも2つの感磁部の感磁方
向がπ/ 2 r a dの位相差を有々に出力する感
磁情報をレベル判定し、該検出情報を磁界検知情報とし
て論理和出力する機能を有する。
2.感磁方向が90度異る2組の磁気抵抗素子を交互に
接続しブリッジ構成する第1の感磁部と、感磁方向が9
0度異る2組の磁気抵抗素子を交互に接続しブリッジ構
成し前記第1の感磁部と感磁方向がπ/ 2 r a 
dの位相差を有する第2の感磁部と、前記第1および第
2の感磁部が出力する感磁情報をそれぞれ検知する2つ
のコンパレー夕と、該コンバレータ個々の出力を磁気検
知情報として送出する論理和回路を有する。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図(A),(B)は本発明の一実施例を示す感磁部
の磁気抵抗素子配置図,第2図は本発明の一実施例を示
すブロック図,第3図(A)(B)は第2図の出力信号
波形を示す図である。
第1図(A>は磁気抵抗素子1−1.14と磁気抵抗素
子1−1.1−4と感磁方向が90度異る磁気抵抗素子
1−2.1−3をそれぞれ交互に接続しブリッジを構成
してなる感磁部1を示し、第1図(B)は感磁部1の各
磁気抵抗素子1−1〜1−4をそれぞれ90度回転して
配置し楕成した感磁部2を示す. 第2の磁気センサ10は、感磁部1,2と、感磁部1,
2が出力する感磁情報を論理レベルにて出力するコンパ
レータ3,4、コンパレータ3,4の判定結果を取り出
すための論理和回路5を構成するダイオード5−1.5
−2と、負荷抵抗6,電源端子7,8と.出力端子9か
ら構成される。 なお感磁部1,2の磁気抵抗素子の値
を調整することにより磁気抵抗素子ブリッジのC点およ
びE点の電位は、それぞれ磁気抵抗素子ブリッジのD点
あるいはF点の電位より低い値に設定されているものと
する。
磁気抵抗素子のそれぞれの抵抗値は、特公昭54−41
335号公報に開示されているように一定値以上の外部
磁界印加状態で磁気抵抗素子を流れる電流の方向と磁気
抵抗素子内の磁化方向とのなす角度をθとした時の抵抗
値P(θ)は、P(θ)=P1sin2θ+P2cos
2θとなる.なおP1,P2は磁気抵抗素子が電流方向
に対してそれぞれ垂直および水平に磁化された時の抵抗
値を表す。
ここで磁気抵抗素子が例えばNi,Fe,Coあるいは
これらの合金である場合、その初期抵抗値P。は(Pa
  P1)/Paで表される固有の値を有し、その値は
略1〜5%程度の大きさを有する。なお形状異方性効果
によりP2’=P+どなる。
従ってコンバレー夕の入力オフセットおよびヒステリシ
ス特性を考慮し、磁気抵抗素子ブリッジのC点およびE
点の電位と磁気抵抗素子ブリッジのD点およびF点の電
位との間には1%以内の範囲で初期電圧差を設定するこ
とかできる。
こうして初期設定した磁気抵抗素子ブリッジを第2図の
ように接続し、特定方向例えば磁気抵抗素子1−1およ
び1−4に矢印Aのように縦方向に、また磁気抵抗素子
1−2および1−3に矢印Bのように横方向の磁界を印
加することにより抵抗変化が生じ、初期設定した磁気抵
抗素子ブリッジの電圧差を反転させることができる。
第1図(B)の感磁部2は第1図(A>の感磁部lに対
し、90度回転させて配置することにより、感磁部1の
出力がコンバレー夕をオンさせるための外部磁界方向と
異る外部磁界方向を検知する。
次に動作の詳細について説明する。
第3図(A)は同一列上に配置された着磁方式ノマグネ
ット20−1.20−2.20−3.20−4に対し、
磁気センサ10が矢印の方向に移動した時の感磁部1の
感磁出力21−1,212.21−3.21−4と、感
磁部2の感磁出力22−1.22−2.22−3.22
−4と、コンパレータ3の出力23−1.23−2,2
33.23−4で構成される。
第3図(B)は第3図(A)において、磁気センサ10
を90度回転し配置した時の感磁部2の感磁出力26−
1.26−2.26−3.264と、感磁部1の感磁出
力27−1.27−227−3.27−4と、コンパレ
ータ4の出力28−1.28−2.28−3.28−4
と、しきい値V,,V2で構成される。
第3図(A)において、マグネット20−1に対面した
磁気センサ10の感時部1は、マグネッ}20−1の発
生する磁界を感磁し、磁気抵抗素子ブリッジのC点に感
磁出力21−1を、またE点に感磁出力22−1を発生
し、コンパレータ3を駆動する。コンパレータ3のしき
い値はヒステリシス特性を有しており、磁気抵抗素子ブ
リッジのC点の感磁信号が所定のしきい値レベルV1に
達するとコンパレータ3がオンし、■2以下になるとオ
フして論理出力23−1を出力する。
この時磁気抵抗素子ブリッジのE点の感磁出力22−1
は、しきい値V1以下のためコンパレータ4は動作しな
い。感磁センサ10がマグネット20−2.20−3.
20−4に移動し対面した時も同様な動作を繰返し、磁
気検知情報232.23−3.23−4を出力する。
第3図(B)は、第3図(A)において磁気センサを9
0度回転して配置した時の動作例で、感磁部2の磁気抵
抗素子ブリッジのE点の感磁出力26−1でコンパレー
タ4が動作し、論理出力28−1を出力する。また磁気
抵抗素子ブリッジF点の感磁出力27−1は、しきい値
vl以下のためコンパレータ3は動作しない。
このようにいずれか一方のコンパレー夕が動作すれば同
じ出力が得られるため、同一のマグネットあるいは同一
磁界方向に対し、90度の角度を有する2つの検知状態
を設定することがで、感磁動作方向を1方向に限定せず
、2方向に対して有効な磁気センサを形成することがで
きる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、感磁方向が異る磁気抵抗
素子を2組有する感磁部を90度回転して配置すること
により、回転磁界以外に一方向の磁界をも検出すること
ができる効果がある。しがも外部磁界に対するセンサの
配置方向が限定されず、2方向選べる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(A),(B)は本発明の一実施例を示す感磁部
の磁気抵抗素子配置図,第2図は本発明の一実施例を示
す磁気センサのブロック図,第3図(A),(B)は第
2図の磁気センサの出力信号波形図である。 1,2・・・感磁部、1−1〜1−4.1−1〜24・
・・磁気抵抗素子、3,4・・・コンパレー夕、5・・
・論理和回路、5−1.5=2・・・ダイオード、6・
・・負荷抵抗、7.8・・・電源端子、9・・・出力端
子、10・・・磁気センサ、20−1〜20−4,25
1〜25−4・・・マグネット、21−1〜21−4.
27−1〜27−4・・・磁気抵抗素子ブリッジC点の
感磁出力、22−1〜22−4.26−1〜26−4・
・・磁気抵抗素子ブリッジE点の感磁出力、25.28
・・・コンパレータ3,4の出力。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、強磁体磁性薄膜により感磁部が形成される磁気セン
    サによる磁気測定方法において、少なくとも2つの前記
    感磁部の感磁方向がπ/2radの位相差を有し、該感
    磁部が個々に出力する感磁情報をレベル検出し、該検出
    情報を磁界検知情報として論理和出力するよう作動する
    ことを特徴とする磁気測定方法。 2、感磁方向が90度異る2組の磁気抵抗素子を交互に
    接続しブリッジ構成する第1の感磁部と、感磁方向が9
    0度異る2組の磁気抵抗素子を交互に接続しブリッジ構
    成し前記第1の感磁部と感磁方向がπ/2radの位相
    差を有する第2の感磁部と、前記第1および第2の感磁
    部が出力する感磁情報をそれぞれ検知する2つのコンパ
    レータと、該コンパレータ個々の出力を磁気検知情報と
    して送出する論理和回路を有することを特徴とする磁気
    センサ。
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