JP2002062410A - 光学素子、光学素子の製造方法および光ピックアップ - Google Patents
光学素子、光学素子の製造方法および光ピックアップInfo
- Publication number
- JP2002062410A JP2002062410A JP2000251240A JP2000251240A JP2002062410A JP 2002062410 A JP2002062410 A JP 2002062410A JP 2000251240 A JP2000251240 A JP 2000251240A JP 2000251240 A JP2000251240 A JP 2000251240A JP 2002062410 A JP2002062410 A JP 2002062410A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask layer
- substrate
- optical element
- optical
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1372—Lenses
- G11B7/1374—Objective lenses
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/22—Apparatus or processes for the manufacture of optical heads, e.g. assembly
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Lenses (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学材料からなる基板を有する光学素子であ
って、機械的強度を向上可能な光学素子を提供する。 【解決手段】 光学素子２０は、光学材料からなる基板
２４Ａを有する。基板２４Ａは、凸レンズの機能を持つ
凸部２１と、凸部２１の周囲に位置する平坦部２２と、
平坦部２２の周囲に位置する外周部２３とを有する。外
周部２３での基板２４Ａの厚さは、平坦部２２での基板
２４Ａの厚さよりも厚い。
って、機械的強度を向上可能な光学素子を提供する。 【解決手段】 光学素子２０は、光学材料からなる基板
２４Ａを有する。基板２４Ａは、凸レンズの機能を持つ
凸部２１と、凸部２１の周囲に位置する平坦部２２と、
平坦部２２の周囲に位置する外周部２３とを有する。外
周部２３での基板２４Ａの厚さは、平坦部２２での基板
２４Ａの厚さよりも厚い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学素子と、光学
素子の製造方法と、光学素子を有する光ピックアップと
に関する。
素子の製造方法と、光学素子を有する光ピックアップと
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光記録媒体の高密度化の要求があ
る。このため、光ディスク装置に関して、光源の短波長
化および再生光学系の高ＮＡ（Numerical Aperture）化
の研究開発が行われている。また、データの高転送レー
ト化が望まれている。
る。このため、光ディスク装置に関して、光源の短波長
化および再生光学系の高ＮＡ（Numerical Aperture）化
の研究開発が行われている。また、データの高転送レー
ト化が望まれている。
【０００３】光源の短波長化および再生光学系の高ＮＡ
化に関しては、光学スポットのサイズが小さくなること
に加えて、焦点深度も浅くなることから、フォーカスサ
ーボのとれ残り量を少なくすることが望まれると共に、
光記録媒体におけるデータが記録されている幅（トラッ
ク幅）も狭くなるので、トラッキングサーボのとれ残り
量を少なくすることが望まれる。
化に関しては、光学スポットのサイズが小さくなること
に加えて、焦点深度も浅くなることから、フォーカスサ
ーボのとれ残り量を少なくすることが望まれると共に、
光記録媒体におけるデータが記録されている幅（トラッ
ク幅）も狭くなるので、トラッキングサーボのとれ残り
量を少なくすることが望まれる。
【０００４】また、データの高転送レート化に関して
は、フォーカスサーボおよびトラッキングサーボを行う
アクチュエータの高帯域化が望まれることとなり、結果
的にサーボ特性には、とれ残り量を少なくすることと帯
域の向上という２つの特性向上が望まれる。アクチュエ
ータは、アクチュエータの軽量化によりサーボ特性を向
上可能である。
は、フォーカスサーボおよびトラッキングサーボを行う
アクチュエータの高帯域化が望まれることとなり、結果
的にサーボ特性には、とれ残り量を少なくすることと帯
域の向上という２つの特性向上が望まれる。アクチュエ
ータは、アクチュエータの軽量化によりサーボ特性を向
上可能である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図１は、本発明に対比
される光学素子を例示する説明図である。この光学素子
１０は、光学材料からなる基板１４Ａを有する。基板１
４Ａは、凸レンズを構成する凸部１１と、凸部１１の周
囲に位置する平坦部１２とを有する。
される光学素子を例示する説明図である。この光学素子
１０は、光学材料からなる基板１４Ａを有する。基板１
４Ａは、凸レンズを構成する凸部１１と、凸部１１の周
囲に位置する平坦部１２とを有する。
【０００６】光学素子１０は、板状の光学材料の表面に
形成された円形のマスク層を熱処理して表面張力により
レンズ形状にし、当該レンズ形状が光学材料に転写され
るように板状の光学材料をエッチングすることで、形成
可能である。凸部１１の外周には、エッチングによる転
写時に形成されたトレンチという溝１９が形成されてい
る。溝１９により、凸部１１と平坦部１２との区別が明
確化されている。
形成された円形のマスク層を熱処理して表面張力により
レンズ形状にし、当該レンズ形状が光学材料に転写され
るように板状の光学材料をエッチングすることで、形成
可能である。凸部１１の外周には、エッチングによる転
写時に形成されたトレンチという溝１９が形成されてい
る。溝１９により、凸部１１と平坦部１２との区別が明
確化されている。
【０００７】図１の光学素子１０では、凸部１１以外の
部分は、エッチングにより削られて薄板状になってい
る。この光学素子１０を他の光学素子と組み合わせて使
用する場合は、組み合わせる他の光学素子の光路を遮ら
ないようにする必要がある。
部分は、エッチングにより削られて薄板状になってい
る。この光学素子１０を他の光学素子と組み合わせて使
用する場合は、組み合わせる他の光学素子の光路を遮ら
ないようにする必要がある。
【０００８】図２は、図１の光学素子１０をレンズホル
ダにマウントした状態を示す説明図である。図２（ａ）
は、光学素子１０の平坦部１２の周縁をレンズホルダ１
０Ａでクランプした場合を示している。図２（ｂ）は、
光学素子１０の平坦部１２の上面をレンズホルダ１０Ｂ
でクランプした場合を示している。
ダにマウントした状態を示す説明図である。図２（ａ）
は、光学素子１０の平坦部１２の周縁をレンズホルダ１
０Ａでクランプした場合を示している。図２（ｂ）は、
光学素子１０の平坦部１２の上面をレンズホルダ１０Ｂ
でクランプした場合を示している。
【０００９】図２に示すように、図１の光学素子１０を
レンズホルダ１０Ａ，１０Ｂに装着するには、平坦部１
２を広くする必要がある。また、接着時の位置ずれおよ
び接着剤のはみ出しなどを考慮すると、他の光学素子と
組み合わせて使用する場合に限らず、平坦部１２を広く
する必要がある。
レンズホルダ１０Ａ，１０Ｂに装着するには、平坦部１
２を広くする必要がある。また、接着時の位置ずれおよ
び接着剤のはみ出しなどを考慮すると、他の光学素子と
組み合わせて使用する場合に限らず、平坦部１２を広く
する必要がある。
【００１０】例えば、凸部１１の凸レンズの有効径（直
径）として約２００μｍ程度、凸部１１の凸レンズの曲
率半径として約１５０μｍである場合、平坦部１２の厚
さ（肉厚）は５０μｍ程度またはそれ以下となる。そし
て、接着工程における位置合わせ精度の許容値および接
着剤のはみ出し量をあわせて約５００μｍとすると、凸
レンズは、厚さが約５０μｍで長さが約５００μｍの薄
板上に位置することとなる。このため、図１に示すよう
な光学素子についての機械的強度の向上が望まれる。更
には、平坦部１２は薄いので、厚さ方向の振動による共
振が発生し易くなるため、共振し難い構造とすることが
望まれる。
径）として約２００μｍ程度、凸部１１の凸レンズの曲
率半径として約１５０μｍである場合、平坦部１２の厚
さ（肉厚）は５０μｍ程度またはそれ以下となる。そし
て、接着工程における位置合わせ精度の許容値および接
着剤のはみ出し量をあわせて約５００μｍとすると、凸
レンズは、厚さが約５０μｍで長さが約５００μｍの薄
板上に位置することとなる。このため、図１に示すよう
な光学素子についての機械的強度の向上が望まれる。更
には、平坦部１２は薄いので、厚さ方向の振動による共
振が発生し易くなるため、共振し難い構造とすることが
望まれる。
【００１１】本発明の目的は、光学材料からなる基板を
有する光学素子であって、機械的強度を向上可能な光学
素子と、当該光学素子の製造方法と、当該光学素子を有
する光ピックアップとを提供することにある。
有する光学素子であって、機械的強度を向上可能な光学
素子と、当該光学素子の製造方法と、当該光学素子を有
する光ピックアップとを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光学素子
は、光学材料からなる基板を有する光学素子であって、
前記基板は、凸レンズの機能を持つ凸部と、前記凸部の
周囲に位置する平坦部と、前記平坦部の周囲に位置する
外周部とを有し、前記外周部での前記基板の厚さは、前
記平坦部での前記基板の厚さよりも厚い。
は、光学材料からなる基板を有する光学素子であって、
前記基板は、凸レンズの機能を持つ凸部と、前記凸部の
周囲に位置する平坦部と、前記平坦部の周囲に位置する
外周部とを有し、前記外周部での前記基板の厚さは、前
記平坦部での前記基板の厚さよりも厚い。
【００１３】本発明に係る光学素子では、好適には、前
記外周部での前記基板の厚さは、前記凸部での前記基板
の厚さよりも厚い。本発明に係る光学素子では、好適に
は、前記外周部の表面は、平坦または略平坦である。
記外周部での前記基板の厚さは、前記凸部での前記基板
の厚さよりも厚い。本発明に係る光学素子では、好適に
は、前記外周部の表面は、平坦または略平坦である。
【００１４】本発明に係る光学素子では、好適には、前
記外周部は、複数の段が形成されており、外側の段での
前記基板の厚さは、内側の段での前記基板の厚さよりも
厚い。
記外周部は、複数の段が形成されており、外側の段での
前記基板の厚さは、内側の段での前記基板の厚さよりも
厚い。
【００１５】本発明に係る光学素子の製造方法は、光学
材料からなる基板上に、第１のマスク層と当該第１のマ
スク層を囲む第２のマスク層とを形成する工程と、前記
第１のマスク層を熱処理により凸レンズの形状にする工
程と、前記第１のマスク層の前記凸レンズの形状が前記
基板に転写されるように、前記基板をエッチングする工
程とを有する。
材料からなる基板上に、第１のマスク層と当該第１のマ
スク層を囲む第２のマスク層とを形成する工程と、前記
第１のマスク層を熱処理により凸レンズの形状にする工
程と、前記第１のマスク層の前記凸レンズの形状が前記
基板に転写されるように、前記基板をエッチングする工
程とを有する。
【００１６】本発明に係る光学素子の製造方法では、好
適には、前記第１および第２のマスク層を形成する工程
では、前記基板上の感光性材料からなるマスク層をパタ
ーニングすることにより、前記第１および第２のマスク
層を形成する。
適には、前記第１および第２のマスク層を形成する工程
では、前記基板上の感光性材料からなるマスク層をパタ
ーニングすることにより、前記第１および第２のマスク
層を形成する。
【００１７】本発明に係る光学素子の製造方法では、好
適には、前記第１のマスク層を熱処理により凸レンズの
形状にする工程において、前記熱処理温度は、前記第１
のマスク層のガラス転移温度よりも高い。
適には、前記第１のマスク層を熱処理により凸レンズの
形状にする工程において、前記熱処理温度は、前記第１
のマスク層のガラス転移温度よりも高い。
【００１８】本発明に係る光学素子の製造方法では、好
適には、前記第１のマスク層を熱処理により凸レンズの
形状にする工程において、前記熱処理温度は、前記第１
のマスク層の炭化温度よりも低い。
適には、前記第１のマスク層を熱処理により凸レンズの
形状にする工程において、前記熱処理温度は、前記第１
のマスク層の炭化温度よりも低い。
【００１９】本発明に係る光学素子の製造方法では、好
適には、前記第１のマスク層を熱処理により凸レンズの
形状にする工程において、前記熱処理温度は、室温また
は常温よりも高い。
適には、前記第１のマスク層を熱処理により凸レンズの
形状にする工程において、前記熱処理温度は、室温また
は常温よりも高い。
【００２０】本発明に係る光学素子の製造方法では、好
適には、前記第１および第２のマスク層を形成する工程
では、開口部を有する前記第２のマスク層を形成した後
に、前記開口部に前記第１のマスク層を形成し、前記第
２のマスク層は、耐エッチング性の材料からなる。
適には、前記第１および第２のマスク層を形成する工程
では、開口部を有する前記第２のマスク層を形成した後
に、前記開口部に前記第１のマスク層を形成し、前記第
２のマスク層は、耐エッチング性の材料からなる。
【００２１】本発明に係る光学素子の製造方法では、好
適には、前記第２のマスク層は、耐エッチング性の材料
からなる第３のマスク層と、前記基板上の前記第３のマ
スク層を覆うように前記第３のマスク層上に積層された
第４のマスク層とを有し、前記第４のマスク層は、前記
第１のマスク層と同じ材料からなる。
適には、前記第２のマスク層は、耐エッチング性の材料
からなる第３のマスク層と、前記基板上の前記第３のマ
スク層を覆うように前記第３のマスク層上に積層された
第４のマスク層とを有し、前記第４のマスク層は、前記
第１のマスク層と同じ材料からなる。
【００２２】本発明に係る光ピックアップは、レーザ
と、前記レーザからのレーザ光を光ディスクに集光する
光学素子と、前記光ディスクで反射した前記レーザ光を
受光する光検出器とを有する光ピックアップであって、
前記光学素子は、光学材料からなる基板を有し、前記基
板は、前記レーザからのレーザ光を前記光ディスクに集
光する凸部と、前記凸部の周囲に位置する平坦部と、前
記平坦部の周囲に位置する外周部とを有し、前記外周部
での前記基板の厚さは、前記平坦部での前記基板の厚さ
よりも厚い。
と、前記レーザからのレーザ光を光ディスクに集光する
光学素子と、前記光ディスクで反射した前記レーザ光を
受光する光検出器とを有する光ピックアップであって、
前記光学素子は、光学材料からなる基板を有し、前記基
板は、前記レーザからのレーザ光を前記光ディスクに集
光する凸部と、前記凸部の周囲に位置する平坦部と、前
記平坦部の周囲に位置する外周部とを有し、前記外周部
での前記基板の厚さは、前記平坦部での前記基板の厚さ
よりも厚い。
【００２３】本発明に係る光ピックアップでは、好適に
は、前記外周部での前記基板の厚さは、前記凸部での前
記基板の厚さよりも厚い。本発明に係る光ピックアップ
では、好適には、前記外周部の表面は、平坦または略平
坦である。
は、前記外周部での前記基板の厚さは、前記凸部での前
記基板の厚さよりも厚い。本発明に係る光ピックアップ
では、好適には、前記外周部の表面は、平坦または略平
坦である。
【００２４】本発明に係る光ピックアップでは、好適に
は、前記外周部は、複数の段が形成されており、外側の
段での前記基板の厚さは内側の段での前記基板の厚さよ
りも厚い。
は、前記外周部は、複数の段が形成されており、外側の
段での前記基板の厚さは内側の段での前記基板の厚さよ
りも厚い。
【００２５】光学材料からなる基板は、凸レンズの機能
を持つ凸部と、凸部の周囲に位置する平坦部と、平坦部
の周囲に位置する外周部とを有する。この外周部での基
板の厚さは、平坦部での基板の厚さよりも厚いので、厚
さが等しい場合に比べ、基板の機械的強度を向上するこ
とができ、光学素子の機械的強度および信頼性を向上可
能である。
を持つ凸部と、凸部の周囲に位置する平坦部と、平坦部
の周囲に位置する外周部とを有する。この外周部での基
板の厚さは、平坦部での基板の厚さよりも厚いので、厚
さが等しい場合に比べ、基板の機械的強度を向上するこ
とができ、光学素子の機械的強度および信頼性を向上可
能である。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、添
付図面を参照して説明する。
付図面を参照して説明する。
【００２７】図３は、本発明に係る光学素子の実施の形
態を示す説明図である。この光学素子２０は、光学材料
からなる基板２４Ａを有する。基板２４Ａは、凸レンズ
の機能を有する凸部２１と、凸部２１の周囲に位置する
平坦部２２と、平坦部２２の周囲に位置する外周部２３
とを有する。外周部２３での基板２４Ａの厚さ（肉厚）
は、平坦部２２での基板２４Ａの厚さ（肉厚）よりも厚
く、外周部２３の表面（上面）は平坦である。
態を示す説明図である。この光学素子２０は、光学材料
からなる基板２４Ａを有する。基板２４Ａは、凸レンズ
の機能を有する凸部２１と、凸部２１の周囲に位置する
平坦部２２と、平坦部２２の周囲に位置する外周部２３
とを有する。外周部２３での基板２４Ａの厚さ（肉厚）
は、平坦部２２での基板２４Ａの厚さ（肉厚）よりも厚
く、外周部２３の表面（上面）は平坦である。
【００２８】この光学素子２０では、凸部２１は小型・
軽量であって高精度であると共に、外周部２３が平坦部
２２よりも厚いので、薄肉の平坦部２２が少なくなって
おり、機械的強度が向上している。更には、薄肉の平坦
部２２が少ないので、曲げ強度も向上しており、厚さ方
向の振動の共振周波数が高められ、共振し難い構造にな
っている。
軽量であって高精度であると共に、外周部２３が平坦部
２２よりも厚いので、薄肉の平坦部２２が少なくなって
おり、機械的強度が向上している。更には、薄肉の平坦
部２２が少ないので、曲げ強度も向上しており、厚さ方
向の振動の共振周波数が高められ、共振し難い構造にな
っている。
【００２９】また、光学素子２０は、外周部２３が厚く
形成されているので、機械的強度を維持しつつ、光学素
子２０のサイズを大きくすることができる。これによ
り、接着剤のはみ出し量の許容値を大きくすることがで
きることからレンズホルダへのマウント工程が容易にな
ると共に、レンズホルダの取り付け部分の径も大きくす
ることができ、更にその精度も緩和することができるの
で、光学素子２０をマウントするレンズホルダの精度を
緩和可能である。
形成されているので、機械的強度を維持しつつ、光学素
子２０のサイズを大きくすることができる。これによ
り、接着剤のはみ出し量の許容値を大きくすることがで
きることからレンズホルダへのマウント工程が容易にな
ると共に、レンズホルダの取り付け部分の径も大きくす
ることができ、更にその精度も緩和することができるの
で、光学素子２０をマウントするレンズホルダの精度を
緩和可能である。
【００３０】光学素子の製造方法の第１実施形態 次に、光学素子の製造方法を説明する。図４は、図３の
光学素子２０の製造工程を示す説明図である。図４
（ａ）では、光学材料からなる基板２４上にマスク層２
５が塗布されている。マスク層２５は、例えば感光性材
料（またはホトレジスト）からなり、スピンコーティン
グ法などにより所定の厚さに塗布されている。マスク層
２５の厚さは、一例として約２５μｍとする。
光学素子２０の製造工程を示す説明図である。図４
（ａ）では、光学材料からなる基板２４上にマスク層２
５が塗布されている。マスク層２５は、例えば感光性材
料（またはホトレジスト）からなり、スピンコーティン
グ法などにより所定の厚さに塗布されている。マスク層
２５の厚さは、一例として約２５μｍとする。
【００３１】図４（ｂ）では、図４（ａ）の基板２４上
のマスク層２５のパターニングにより、第１のマスク層
２６と、第２のマスク層２７とが形成されている。マス
ク層２５のパターニングは、例えば露光および現像によ
り行う。第１のマスク層２６と第２のマスク層２７との
間隔は、一例として約５０μｍとし、第１のマスク層２
６の直径は、一例として約１００μｍ〜約２５０μｍと
する。
のマスク層２５のパターニングにより、第１のマスク層
２６と、第２のマスク層２７とが形成されている。マス
ク層２５のパターニングは、例えば露光および現像によ
り行う。第１のマスク層２６と第２のマスク層２７との
間隔は、一例として約５０μｍとし、第１のマスク層２
６の直径は、一例として約１００μｍ〜約２５０μｍと
する。
【００３２】図４（ｃ）では、図４（ｂ）の基板２４
（または基板２４上のマスク層２６，２７）に熱処理を
行い、マスク層２６，２７の表面積が表面張力等により
少なくなるような変形をさせ、なだらかな曲面を有する
凸形状に変形させる。熱処理により、図４（ｂ）のマス
ク層２６，２７は、図４（ｃ）のマスク層２６Ａ，２７
Ａになっており、マスク層２６Ａは丸い凸形状（凸レン
ズ形状）を有する。
（または基板２４上のマスク層２６，２７）に熱処理を
行い、マスク層２６，２７の表面積が表面張力等により
少なくなるような変形をさせ、なだらかな曲面を有する
凸形状に変形させる。熱処理により、図４（ｂ）のマス
ク層２６，２７は、図４（ｃ）のマスク層２６Ａ，２７
Ａになっており、マスク層２６Ａは丸い凸形状（凸レン
ズ形状）を有する。
【００３３】図４（ｄ）では、図４（ｃ）のマスク層２
６Ａ，２７Ａの形状が基板２４に転写されて基板２４Ａ
が形成されており、光学素子２０が形成されている。例
えば、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）法など
のエッチングにより、マスク層２６Ａ，２７Ａの形状を
基板２４に転写し、光学素子２０を形成する。凸部２１
は、マスク層２６Ａが転写されて形成されており、平坦
部２２は、マスク層２６Ａ，２７Ａ間の形状が転写され
て形成されており、外周部２３は、マスク層２７Ａの形
状が転写されて形成されており、表面が平坦または略平
坦になっている。凸部２１の外周には溝２９が形成され
ており、平坦部２２の外周には溝２８が形成されてい
る。溝２８，２９により、凸部２１、平坦部２２および
外周部２３の区別が明確化されている。
６Ａ，２７Ａの形状が基板２４に転写されて基板２４Ａ
が形成されており、光学素子２０が形成されている。例
えば、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）法など
のエッチングにより、マスク層２６Ａ，２７Ａの形状を
基板２４に転写し、光学素子２０を形成する。凸部２１
は、マスク層２６Ａが転写されて形成されており、平坦
部２２は、マスク層２６Ａ，２７Ａ間の形状が転写され
て形成されており、外周部２３は、マスク層２７Ａの形
状が転写されて形成されており、表面が平坦または略平
坦になっている。凸部２１の外周には溝２９が形成され
ており、平坦部２２の外周には溝２８が形成されてい
る。溝２８，２９により、凸部２１、平坦部２２および
外周部２３の区別が明確化されている。
【００３４】凸部２１を形成するエッチングでは、例え
ば、ＮＬＤ（Magnetic Neutral Loop Discharge Plasm
a）装置という高密度プラズマ源を用いたプラズマエッ
チング装置により加工を行う。なお、ＮＬＤ装置に関し
ては、H.Tsuboi,M.Itoh,M.Tanabe,T.Hayashi and T.Uch
ida:Jpn.J.Appl.Phys.34(1995),2476 を参考にすること
ができる。または、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plas
ma）装置という高密度プラズマ源を用いたプラズマエッ
チング装置により加工を行う。なお、ＩＣＰ装置に関し
ては、J.Hopwood,Plasma Source,Sci.& Technol.1(199
2)109. を参考にすることができ、T.Fukasawa,A.Nakamu
ra,H.Shindo and Y.Horiike:Jpn.J.Appl.Phys.33(199
4),2139を参考にすることができる。
ば、ＮＬＤ（Magnetic Neutral Loop Discharge Plasm
a）装置という高密度プラズマ源を用いたプラズマエッ
チング装置により加工を行う。なお、ＮＬＤ装置に関し
ては、H.Tsuboi,M.Itoh,M.Tanabe,T.Hayashi and T.Uch
ida:Jpn.J.Appl.Phys.34(1995),2476 を参考にすること
ができる。または、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plas
ma）装置という高密度プラズマ源を用いたプラズマエッ
チング装置により加工を行う。なお、ＩＣＰ装置に関し
ては、J.Hopwood,Plasma Source,Sci.& Technol.1(199
2)109. を参考にすることができ、T.Fukasawa,A.Nakamu
ra,H.Shindo and Y.Horiike:Jpn.J.Appl.Phys.33(199
4),2139を参考にすることができる。
【００３５】図４に示す製造方法によれば、凸レンズの
機能を有する凸部２１を形成すると共に肉厚の外周部２
３を形成することができる。また、凸部２１と外周部２
３との位置精度は、マスク層２５のパターニングの精度
を維持することができるので、高い位置精度で凸部２１
と外周部２３とを作製することができる。これにより、
凸部２１の周囲に位置する薄肉の平坦部２２を少なくす
ることができ、例えば感光性材料の解像度まで狭くする
ことが可能である。また、光学素子２０は、平坦部２２
の周囲に厚肉の外周部２３が形成されており、図４の製
造方法を用いることで、ガラスモールド法では作成が困
難な形状の光学素子を作成可能である。
機能を有する凸部２１を形成すると共に肉厚の外周部２
３を形成することができる。また、凸部２１と外周部２
３との位置精度は、マスク層２５のパターニングの精度
を維持することができるので、高い位置精度で凸部２１
と外周部２３とを作製することができる。これにより、
凸部２１の周囲に位置する薄肉の平坦部２２を少なくす
ることができ、例えば感光性材料の解像度まで狭くする
ことが可能である。また、光学素子２０は、平坦部２２
の周囲に厚肉の外周部２３が形成されており、図４の製
造方法を用いることで、ガラスモールド法では作成が困
難な形状の光学素子を作成可能である。
【００３６】図４の製造方法では、一例として、マスク
層２５は、ガラス転移温度（Ｔｇ点）が約４５℃〜約５
５℃の材料を用い、熱処理温度は、約１１０℃〜約１５
０℃の範囲で行う。また、第１のマスク層２６が熱処理
により、光学的になだらかな面が得られる程度に丸く変
形させるため、マスク層２５の材料をＴｇ点が熱処理温
度よりも低い材料としている。
層２５は、ガラス転移温度（Ｔｇ点）が約４５℃〜約５
５℃の材料を用い、熱処理温度は、約１１０℃〜約１５
０℃の範囲で行う。また、第１のマスク層２６が熱処理
により、光学的になだらかな面が得られる程度に丸く変
形させるため、マスク層２５の材料をＴｇ点が熱処理温
度よりも低い材料としている。
【００３７】更には、ドライエッチングなどの製法によ
り第１のマスク層２６の形状を基板２４に形成する場合
には、熱処理後のマスク層２６Ａ，２７Ａが変質してい
ないことが必要であることから、熱処理温度は、マスク
層２６Ａ，２７Ａが変質しない温度としている。例え
ば、熱処理温度は、第１のマスク層２６の炭化温度より
も低い温度とする。
り第１のマスク層２６の形状を基板２４に形成する場合
には、熱処理後のマスク層２６Ａ，２７Ａが変質してい
ないことが必要であることから、熱処理温度は、マスク
層２６Ａ，２７Ａが変質しない温度としている。例え
ば、熱処理温度は、第１のマスク層２６の炭化温度より
も低い温度とする。
【００３８】マスク層２６，２７が形成された基板２４
の保持状態において、マスク層２６，２７が変形する
と、プロセスの再現（再現性）が困難となる。また、ド
ライエッチングプロセス中においてマスク層２６，２７
が変形するとプロセスの再現が困難となる。このため、
マスク層２５の材料は、Ｔｇ点が保存温度（室温もしく
は常温）または加工プロセス温度（室温付近もしくは常
温付近）よりも高い材料としている。
の保持状態において、マスク層２６，２７が変形する
と、プロセスの再現（再現性）が困難となる。また、ド
ライエッチングプロセス中においてマスク層２６，２７
が変形するとプロセスの再現が困難となる。このため、
マスク層２５の材料は、Ｔｇ点が保存温度（室温もしく
は常温）または加工プロセス温度（室温付近もしくは常
温付近）よりも高い材料としている。
【００３９】一般的に、Ｔｇ点とは、その材料がガラス
状態（すなわち決まった構造をとらず、流動が可能な状
態）となる境界を示す温度であることから、プロセスの
安定性を考えると、熱処理温度は、Ｔｇ点よりも余裕を
持って高い温度であることが望ましい。すなわち、マス
ク層２６を熱処理によりその表面積が小さくなるように
変形させる（熱処理によりマスク層２６の流動が可能な
状態とし、マスク層２６の表面張力によりマスク層２６
を変形させる）ためには、熱処理温度はＴｇ点よりも数
１０℃高いことが望ましい。
状態（すなわち決まった構造をとらず、流動が可能な状
態）となる境界を示す温度であることから、プロセスの
安定性を考えると、熱処理温度は、Ｔｇ点よりも余裕を
持って高い温度であることが望ましい。すなわち、マス
ク層２６を熱処理によりその表面積が小さくなるように
変形させる（熱処理によりマスク層２６の流動が可能な
状態とし、マスク層２６の表面張力によりマスク層２６
を変形させる）ためには、熱処理温度はＴｇ点よりも数
１０℃高いことが望ましい。
【００４０】一例として、熱処理温度をＴｇ点よりも４
０℃程度以上高い温度とすることにより、例えば１時間
以内にマスク層２６を丸く変形させることができ、効率
良く光学素子２０を製造可能である。なお、同様の観点
から保存温度または加工温度とＴｇ点との関係において
は、保存温度または加工温度とＴｇ点との差は、数１０
℃以内としてもよい。
０℃程度以上高い温度とすることにより、例えば１時間
以内にマスク層２６を丸く変形させることができ、効率
良く光学素子２０を製造可能である。なお、同様の観点
から保存温度または加工温度とＴｇ点との関係において
は、保存温度または加工温度とＴｇ点との差は、数１０
℃以内としてもよい。
【００４１】光学素子の製造方法の第２実施形態 次に、本発明の光学素子の製造方法の第２の実施の形態
を、図５および図６を参照して説明する。図５（ａ）で
は、光学材料からなる基板３４上に、開口部３７Ｈを有
する第２のマスク層３７Ｂが形成されている。この第２
のマスク層３７Ｂは、耐エッチング性の材料からなり、
その厚さは一例として約０．１μｍとする。第２のマス
ク層３７Ｂは、例えば、プラチナなどの無機材料により
構成してもよく、ハードマスクにより構成してもよい。
を、図５および図６を参照して説明する。図５（ａ）で
は、光学材料からなる基板３４上に、開口部３７Ｈを有
する第２のマスク層３７Ｂが形成されている。この第２
のマスク層３７Ｂは、耐エッチング性の材料からなり、
その厚さは一例として約０．１μｍとする。第２のマス
ク層３７Ｂは、例えば、プラチナなどの無機材料により
構成してもよく、ハードマスクにより構成してもよい。
【００４２】図５（ｂ）では、図５（ａ）の基板３４上
にマスク層３５が塗布されている。マスク層３５は、例
えば感光性材料（またはホトレジスト）からなり、スピ
ンコーティング法などにより所定の厚さに塗布されてい
る。マスク層３５の厚さは、一例として約２５μｍとす
る
にマスク層３５が塗布されている。マスク層３５は、例
えば感光性材料（またはホトレジスト）からなり、スピ
ンコーティング法などにより所定の厚さに塗布されてい
る。マスク層３５の厚さは、一例として約２５μｍとす
る
【００４３】図５（ｃ）では、図５（ｂ）の基板３４上
のマスク層３５のパターニングにより、第１のマスク層
３６が形成されていると共に、第２のマスク層３７Ｂが
露出している。マスク層３５のパターニングは、例えば
露光および現像により行う。第１のマスク層３６の直径
は、一例として約１００μｍ〜約２５０μｍとする。
のマスク層３５のパターニングにより、第１のマスク層
３６が形成されていると共に、第２のマスク層３７Ｂが
露出している。マスク層３５のパターニングは、例えば
露光および現像により行う。第１のマスク層３６の直径
は、一例として約１００μｍ〜約２５０μｍとする。
【００４４】図６（ｄ）では、図５（ｃ）の基板３４
（または基板３４上の第１のマスク層３６）に熱処理を
行い、第１のマスク層３６の表面積が表面張力で少なく
なるような変形をさせ、なだらかな曲面を有する凸形状
に変形させる。熱処理により、図５（ｃ）のマスク層３
６は、図６（ｄ）のマスク層３６Ａになっており、マス
ク層３６Ａは丸い凸形状（凸レンズ形状）を有する。
（または基板３４上の第１のマスク層３６）に熱処理を
行い、第１のマスク層３６の表面積が表面張力で少なく
なるような変形をさせ、なだらかな曲面を有する凸形状
に変形させる。熱処理により、図５（ｃ）のマスク層３
６は、図６（ｄ）のマスク層３６Ａになっており、マス
ク層３６Ａは丸い凸形状（凸レンズ形状）を有する。
【００４５】図６（ｅ）では、図６（ｄ）のマスク層３
６Ａの形状が基板３４に転写されて基板３４Ａが形成さ
れており、光学素子３０が形成されている。例えば、Ｒ
ＩＥ法などのエッチングにより、マスク層３６Ａの形状
を基板３４に転写し、光学素子３０を形成する。マスク
層３７Ｂは、凸部３１形成用のエッチング時にエッチン
グされない材料もしくはエッチングされ難い材料または
エッチングレートが小さい材料で構成されている。ま
た、凸部３１形成用のエッチングでは、例えば、ＮＬＤ
装置またはＩＣＰ装置を用いる。
６Ａの形状が基板３４に転写されて基板３４Ａが形成さ
れており、光学素子３０が形成されている。例えば、Ｒ
ＩＥ法などのエッチングにより、マスク層３６Ａの形状
を基板３４に転写し、光学素子３０を形成する。マスク
層３７Ｂは、凸部３１形成用のエッチング時にエッチン
グされない材料もしくはエッチングされ難い材料または
エッチングレートが小さい材料で構成されている。ま
た、凸部３１形成用のエッチングでは、例えば、ＮＬＤ
装置またはＩＣＰ装置を用いる。
【００４６】凸部３１は、マスク層３６Ａが転写されて
形成されており、平坦部３２は、マスク層３６Ａ，３７
Ｂ間の形状が転写されて形成されており、外周部３３
は、マスク層３７Ｂによりマスクされており、エッチン
グされていない。外周部３３の表面は、平坦または略平
坦である。凸部３１の外周には、溝３９が形成されてい
る。この溝３９により、凸部３１と平坦部３２との区別
が明確化されている。
形成されており、平坦部３２は、マスク層３６Ａ，３７
Ｂ間の形状が転写されて形成されており、外周部３３
は、マスク層３７Ｂによりマスクされており、エッチン
グされていない。外周部３３の表面は、平坦または略平
坦である。凸部３１の外周には、溝３９が形成されてい
る。この溝３９により、凸部３１と平坦部３２との区別
が明確化されている。
【００４７】図５および図６に示す製造方法によれば、
凸レンズの機能を有する凸部３１を形成すると共に肉厚
の外周部３３を形成することができる。また、凸部３１
と外周部３３との位置精度は、マスク層３５のパターニ
ングの精度を維持することができるので、高い位置精度
で凸部３１と外周部３３とを作成することができる。こ
れにより、凸部３１の周囲に位置する薄肉の平坦部３２
を少なくすることができ、例えば感光性材料の解像度ま
で狭くすることが可能である。
凸レンズの機能を有する凸部３１を形成すると共に肉厚
の外周部３３を形成することができる。また、凸部３１
と外周部３３との位置精度は、マスク層３５のパターニ
ングの精度を維持することができるので、高い位置精度
で凸部３１と外周部３３とを作成することができる。こ
れにより、凸部３１の周囲に位置する薄肉の平坦部３２
を少なくすることができ、例えば感光性材料の解像度ま
で狭くすることが可能である。
【００４８】更には、外周部３３での肉厚を、凸部３１
での肉厚よりも大きくすることができるので、光学素子
３０は、機械的強度をより向上可能であると共に、厚さ
方向の振動の共振周波数を高めることができ、共振し難
くすることができる。また、光学素子３０では、平坦部
３２の周囲に厚肉の外周部３３が形成されており、図５
および図６の製造方法を用いることで、ガラスモールド
法では作成が困難な形状の光学素子を作成可能である。
での肉厚よりも大きくすることができるので、光学素子
３０は、機械的強度をより向上可能であると共に、厚さ
方向の振動の共振周波数を高めることができ、共振し難
くすることができる。また、光学素子３０では、平坦部
３２の周囲に厚肉の外周部３３が形成されており、図５
および図６の製造方法を用いることで、ガラスモールド
法では作成が困難な形状の光学素子を作成可能である。
【００４９】なお、図５（ａ）の第２のマスク層３７Ｂ
は、リフトオフ法などにより形成することができ、この
形成工程ではレジストのリムーバなどの使用を伴うの
で、マスク層３５が感光性材料などの有機材料である場
合には、第２のマスク層３７Ｂの形成工程をマスク層３
５，３６の形成工程よりも前にすることが望ましい。ま
た、第２のマスク層３７Ｂは、図６（ｅ）の基板３４Ａ
の加工工程で加工されないことが望ましいので、図６
（ｅ）の工程としては、イオンミリング法よりも、化学
的な反応を利用しているＲＩＥ法のほうが好ましい。
は、リフトオフ法などにより形成することができ、この
形成工程ではレジストのリムーバなどの使用を伴うの
で、マスク層３５が感光性材料などの有機材料である場
合には、第２のマスク層３７Ｂの形成工程をマスク層３
５，３６の形成工程よりも前にすることが望ましい。ま
た、第２のマスク層３７Ｂは、図６（ｅ）の基板３４Ａ
の加工工程で加工されないことが望ましいので、図６
（ｅ）の工程としては、イオンミリング法よりも、化学
的な反応を利用しているＲＩＥ法のほうが好ましい。
【００５０】図５および図６の製造方法では、一例とし
て、マスク層３５は、ガラス転移温度（Ｔｇ点）が約４
５℃〜約５５℃の材料を用い、熱処理温度は、約１１０
℃〜約１５０℃の範囲で行う。また、第１のマスク層３
６が熱処理により、光学的になだらかな面が得られる程
度に丸く変形させるため、マスク層３５の材料はＴｇ点
が熱処理温度よりも低い材料としている。
て、マスク層３５は、ガラス転移温度（Ｔｇ点）が約４
５℃〜約５５℃の材料を用い、熱処理温度は、約１１０
℃〜約１５０℃の範囲で行う。また、第１のマスク層３
６が熱処理により、光学的になだらかな面が得られる程
度に丸く変形させるため、マスク層３５の材料はＴｇ点
が熱処理温度よりも低い材料としている。
【００５１】更には、ドライエッチングなどの製法によ
り第１のマスク層３６の形状を基板３４に形成する場合
には、熱処理後のマスク層３６Ａが変質していないこと
が必要であることから、熱処理温度は、マスク層３６Ａ
が変質しない温度としている。例えば、熱処理温度は、
第１のマスク層３６の炭化温度よりも低い温度とする。
り第１のマスク層３６の形状を基板３４に形成する場合
には、熱処理後のマスク層３６Ａが変質していないこと
が必要であることから、熱処理温度は、マスク層３６Ａ
が変質しない温度としている。例えば、熱処理温度は、
第１のマスク層３６の炭化温度よりも低い温度とする。
【００５２】マスク層３６，３７Ｂが形成された基板３
４の保持状態において、マスク層３６が変形すると、プ
ロセスの再現（再現性）が困難となる。また、ドライエ
ッチングプロセス中においてマスク層３６，３７Ａが変
形するとプロセスの再現が困難となる。このため、マス
ク層３５の材料は、Ｔｇ点が保存温度（室温もしくは常
温）または加工プロセス温度（室温付近もしくは常温付
近）よりも高い材料としている。
４の保持状態において、マスク層３６が変形すると、プ
ロセスの再現（再現性）が困難となる。また、ドライエ
ッチングプロセス中においてマスク層３６，３７Ａが変
形するとプロセスの再現が困難となる。このため、マス
ク層３５の材料は、Ｔｇ点が保存温度（室温もしくは常
温）または加工プロセス温度（室温付近もしくは常温付
近）よりも高い材料としている。
【００５３】プロセスの安定性の観点から、熱処理温度
は、Ｔｇ点よりも余裕を持って高い温度であることが望
ましい。すなわち、マスク層３６を熱処理によりその表
面積が小さくなるように変形させる（熱処理によりマス
ク層３６の流動が可能な状態とし、マスク層３６の表面
張力によりマスク層３６を変形させる）ためには、熱処
理温度はＴｇ点よりも数１０℃高いことが望ましい。
は、Ｔｇ点よりも余裕を持って高い温度であることが望
ましい。すなわち、マスク層３６を熱処理によりその表
面積が小さくなるように変形させる（熱処理によりマス
ク層３６の流動が可能な状態とし、マスク層３６の表面
張力によりマスク層３６を変形させる）ためには、熱処
理温度はＴｇ点よりも数１０℃高いことが望ましい。
【００５４】一例として、熱処理温度をＴｇ点よりも４
０℃程度以上高い温度とすることにより、例えば１時間
以内にマスク層３６を丸く変形させることができ、効率
良く光学素子３０を製造可能である。なお、同様の観点
から保存温度または加工温度とＴｇ点との関係において
は、保存温度または加工温度とＴｇ点との差は、数１０
℃以内としてもよい。
０℃程度以上高い温度とすることにより、例えば１時間
以内にマスク層３６を丸く変形させることができ、効率
良く光学素子３０を製造可能である。なお、同様の観点
から保存温度または加工温度とＴｇ点との関係において
は、保存温度または加工温度とＴｇ点との差は、数１０
℃以内としてもよい。
【００５５】光学素子の製造方法の第３実施形態 次に、本発明の光学素子の製造方法の第３の実施の形態
を、図７および図８を参照して説明する。図７（ａ）で
は、光学材料からなる基板４４上に、開口部４７Ｈを有
する第３のマスク層４７Ｂが形成されている。この第３
のマスク層４７Ｂは、耐エッチング性の材料からなり、
その厚さは一例として約０．１μｍとする。第３のマス
ク層４７Ｂは、例えば、プラチナなどの無機材料により
構成してもよく、ハードマスクにより構成してもよい。
を、図７および図８を参照して説明する。図７（ａ）で
は、光学材料からなる基板４４上に、開口部４７Ｈを有
する第３のマスク層４７Ｂが形成されている。この第３
のマスク層４７Ｂは、耐エッチング性の材料からなり、
その厚さは一例として約０．１μｍとする。第３のマス
ク層４７Ｂは、例えば、プラチナなどの無機材料により
構成してもよく、ハードマスクにより構成してもよい。
【００５６】図７（ｂ）では、図７（ａ）の基板４４上
にマスク層４５が塗布されている。マスク層４５は、例
えば感光性材料（またはホトレジスト）からなり、スピ
ンコーティング法などにより所定の厚さに塗布されてい
る。マスク層４５の厚さは、一例として約２５μｍとす
る。なお、マスク層４５は、上記マスク層３５と同一の
材料とする。
にマスク層４５が塗布されている。マスク層４５は、例
えば感光性材料（またはホトレジスト）からなり、スピ
ンコーティング法などにより所定の厚さに塗布されてい
る。マスク層４５の厚さは、一例として約２５μｍとす
る。なお、マスク層４５は、上記マスク層３５と同一の
材料とする。
【００５７】図７（ｃ）では、図７（ｂ）の基板４４上
のマスク層４５のパターニングにより、第１のマスク層
４６および第２のマスク層４７Ｃが形成されている。第
２のマスク層４７Ｃは、第３のマスク層４７Ｂと、この
第３のマスク層４７Ｂを覆うように積層された第４のマ
スク層４７とを有する。第４のマスク層４７は、第３の
マスク層４７Ｂよりもマスク層４６に近い配置となって
いる。マスク層４５のパターニングは、例えば露光およ
び現像により行う。第１のマスク層４６と第２のマスク
層４７Ｃとの間隔は、一例として約５０μｍとし、第１
のマスク層４６の直径は、一例として約１００μｍ〜約
２５０μｍとする。
のマスク層４５のパターニングにより、第１のマスク層
４６および第２のマスク層４７Ｃが形成されている。第
２のマスク層４７Ｃは、第３のマスク層４７Ｂと、この
第３のマスク層４７Ｂを覆うように積層された第４のマ
スク層４７とを有する。第４のマスク層４７は、第３の
マスク層４７Ｂよりもマスク層４６に近い配置となって
いる。マスク層４５のパターニングは、例えば露光およ
び現像により行う。第１のマスク層４６と第２のマスク
層４７Ｃとの間隔は、一例として約５０μｍとし、第１
のマスク層４６の直径は、一例として約１００μｍ〜約
２５０μｍとする。
【００５８】図８（ｄ）では、図７（ｃ）の基板４４
（または基板４４上の第１および第２のマスク層４６，
４７Ｃ）に熱処理を行い、マスク層４６の表面積が表面
張力で少なくなるような変形をさせ、なだらかな曲面を
有する凸形状に変形させる。熱処理により、図７（ｃ）
のマスク層４６，４７は、図８（ｄ）のマスク層４６
Ａ，４７Ａになっており、マスク層４６Ａは丸い凸形状
（凸レンズ形状）を有する。
（または基板４４上の第１および第２のマスク層４６，
４７Ｃ）に熱処理を行い、マスク層４６の表面積が表面
張力で少なくなるような変形をさせ、なだらかな曲面を
有する凸形状に変形させる。熱処理により、図７（ｃ）
のマスク層４６，４７は、図８（ｄ）のマスク層４６
Ａ，４７Ａになっており、マスク層４６Ａは丸い凸形状
（凸レンズ形状）を有する。
【００５９】図８（ｅ）では、図８（ｄ）のマスク層４
６Ａ，４７Ａの形状が基板４４に転写されて基板４４Ａ
が形成されており、光学素子４０が形成されている。例
えば、ＲＩＥ法などのエッチングにより、マスク層４６
Ａ，４７Ａの形状を基板４４に転写し、光学素子４０を
形成する。マスク層４７Ｂは、凸部４１形成用のエッチ
ング時にエッチングされない材料もしくはエッチングさ
れ難い材料またはエッチングレートが小さい材料で構成
されている。また、凸部４１形成用のエッチングでは、
例えば、ＮＬＤ装置またはＩＣＰ装置を用いる。
６Ａ，４７Ａの形状が基板４４に転写されて基板４４Ａ
が形成されており、光学素子４０が形成されている。例
えば、ＲＩＥ法などのエッチングにより、マスク層４６
Ａ，４７Ａの形状を基板４４に転写し、光学素子４０を
形成する。マスク層４７Ｂは、凸部４１形成用のエッチ
ング時にエッチングされない材料もしくはエッチングさ
れ難い材料またはエッチングレートが小さい材料で構成
されている。また、凸部４１形成用のエッチングでは、
例えば、ＮＬＤ装置またはＩＣＰ装置を用いる。
【００６０】凸部４１は、マスク層４６Ａが転写されて
形成されており、平坦部４２は、マスク層４６Ａ，４７
Ａ間の形状が転写されて形成されている。外周部４３
は、内側の第１の外周部４３Ａと、外側の第２の外周部
４３Ｂとを有し、第１の外周部４３Ａの肉厚は第２の外
周部４３Ｂの肉厚よりも小さく、段（２段）を形成して
いる。また、第２の外周部４３Ｂは、マスク層４７Ｂに
よりマスクされており、エッチングされていない。第１
および第２の外周部４３Ａ，４３Ｂの表面は、平坦また
は略平坦である。凸部４１の外周には溝４９が形成され
ており、平坦部４２の外周には溝４８が形成されてい
る。溝４８，４９により、凸部４１、平坦部４２および
外周部４３の区別が明確化されている。
形成されており、平坦部４２は、マスク層４６Ａ，４７
Ａ間の形状が転写されて形成されている。外周部４３
は、内側の第１の外周部４３Ａと、外側の第２の外周部
４３Ｂとを有し、第１の外周部４３Ａの肉厚は第２の外
周部４３Ｂの肉厚よりも小さく、段（２段）を形成して
いる。また、第２の外周部４３Ｂは、マスク層４７Ｂに
よりマスクされており、エッチングされていない。第１
および第２の外周部４３Ａ，４３Ｂの表面は、平坦また
は略平坦である。凸部４１の外周には溝４９が形成され
ており、平坦部４２の外周には溝４８が形成されてい
る。溝４８，４９により、凸部４１、平坦部４２および
外周部４３の区別が明確化されている。
【００６１】図７および図８に示す製造方法によれば、
凸レンズの機能を有する凸部４１を形成すると共に肉厚
の外周部４３を形成することができる。また、凸部４１
と外周部４３との位置精度は、マスク層４５のパターニ
ングの精度を維持することができるので、高い位置精度
で凸部４１と外周部４３とを作成することができる。こ
れにより、凸部４１の周囲に位置する薄肉の平坦部４２
を少なくすることができ、例えば感光性材料の解像度ま
で狭くすることが可能である。更には、外周部４３（第
２の外周部４３Ｂ）を、凸部４１よりも肉厚にすること
ができるので、光学素子４０の機械的強度をより向上可
能であると共に、厚さ方向の振動の共振周波数を高める
ことができ、共振し難い構造にすることができる。
凸レンズの機能を有する凸部４１を形成すると共に肉厚
の外周部４３を形成することができる。また、凸部４１
と外周部４３との位置精度は、マスク層４５のパターニ
ングの精度を維持することができるので、高い位置精度
で凸部４１と外周部４３とを作成することができる。こ
れにより、凸部４１の周囲に位置する薄肉の平坦部４２
を少なくすることができ、例えば感光性材料の解像度ま
で狭くすることが可能である。更には、外周部４３（第
２の外周部４３Ｂ）を、凸部４１よりも肉厚にすること
ができるので、光学素子４０の機械的強度をより向上可
能であると共に、厚さ方向の振動の共振周波数を高める
ことができ、共振し難い構造にすることができる。
【００６２】図８（ｅ）の光学素子４０は、凸部４１に
近い第１の外周部４３Ａが第２の外周部４３Ｂよりも薄
肉になっているので、光路を遮り難い構造となってお
り、いわゆるけられを防止可能な構造となっている。ま
た、このような構造により、図６（ｅ）の光学素子３０
と比べ、外周部を凸部の近くまで形成でき、機械的強度
および共振周波数をいっそう向上可能である。また、光
学素子４０では、平坦部４２の周囲に厚肉部４３が形成
されており、図７および図８の製造方法を用いること
で、ガラスモールド法では作成が困難な形状の光学素子
を作成可能である。
近い第１の外周部４３Ａが第２の外周部４３Ｂよりも薄
肉になっているので、光路を遮り難い構造となってお
り、いわゆるけられを防止可能な構造となっている。ま
た、このような構造により、図６（ｅ）の光学素子３０
と比べ、外周部を凸部の近くまで形成でき、機械的強度
および共振周波数をいっそう向上可能である。また、光
学素子４０では、平坦部４２の周囲に厚肉部４３が形成
されており、図７および図８の製造方法を用いること
で、ガラスモールド法では作成が困難な形状の光学素子
を作成可能である。
【００６３】光ピックアップ 図９は、本発明に係る光学素子を有する光ピックアップ
の第１の実施の形態を示す構成図である。この光ピック
アップ１は、半導体レーザ４と、コリメータレンズ５
と、ビームスプリッタ３と、１／４波長板（λ／４板）
９と、集光レンズ６と、光検出器８と、光学素子２０と
を有する。この光学素子２０は、アームに取り付けられ
たスライダとしてもよく、２軸アクチュエータによりフ
ォーカス方向およびトラッキング方向に移動する構成と
してもよい。
の第１の実施の形態を示す構成図である。この光ピック
アップ１は、半導体レーザ４と、コリメータレンズ５
と、ビームスプリッタ３と、１／４波長板（λ／４板）
９と、集光レンズ６と、光検出器８と、光学素子２０と
を有する。この光学素子２０は、アームに取り付けられ
たスライダとしてもよく、２軸アクチュエータによりフ
ォーカス方向およびトラッキング方向に移動する構成と
してもよい。
【００６４】半導体レーザ４は、駆動信号ＳＬに基づい
て直線偏光のレーザ光を出力し、出力レーザ光をコリメ
ータレンズ５に供給する。コリメータレンズ５は、半導
体レーザ４からのレーザ光を平行光にしてビームスプリ
ッタ３に供給する。ビームスプリッタ３は、コリメータ
レンズ５からのレーザ光を透過して１／４波長板９を介
して光学素子２０の凸部２１に供給する。光学素子２０
の凸部２１は、対物レンズの機能を有し、ビームスプリ
ッタ３からのレーザ光を集光して光ディスク８０のトラ
ックに供給する。このようにして、半導体レーザ４から
のレーザ光は、光ディスク８０の記録面に集光される。
て直線偏光のレーザ光を出力し、出力レーザ光をコリメ
ータレンズ５に供給する。コリメータレンズ５は、半導
体レーザ４からのレーザ光を平行光にしてビームスプリ
ッタ３に供給する。ビームスプリッタ３は、コリメータ
レンズ５からのレーザ光を透過して１／４波長板９を介
して光学素子２０の凸部２１に供給する。光学素子２０
の凸部２１は、対物レンズの機能を有し、ビームスプリ
ッタ３からのレーザ光を集光して光ディスク８０のトラ
ックに供給する。このようにして、半導体レーザ４から
のレーザ光は、光ディスク８０の記録面に集光される。
【００６５】また、光学素子２０は、光ディスク８０で
反射したレーザ光を、１／４波長板９を介してビームス
プリッタ３に戻す。ビームスプリッタ３は、光学素子２
０からのレーザ光が入射され、入射されたレーザ光を反
射して集光レンズ６に供給する。集光レンズ６は、ビー
ムスプリッタ３からのレーザ光を集光して光検出器８に
供給する。光検出器８は、集光レンズ６からのレーザ光
を受光部で受光して出力信号ＳＡを生成する。光検出器
８は、例えば４分割光検出器により構成する。
反射したレーザ光を、１／４波長板９を介してビームス
プリッタ３に戻す。ビームスプリッタ３は、光学素子２
０からのレーザ光が入射され、入射されたレーザ光を反
射して集光レンズ６に供給する。集光レンズ６は、ビー
ムスプリッタ３からのレーザ光を集光して光検出器８に
供給する。光検出器８は、集光レンズ６からのレーザ光
を受光部で受光して出力信号ＳＡを生成する。光検出器
８は、例えば４分割光検出器により構成する。
【００６６】図９の光ピックアップ１では、光学素子２
０を用いることにより、図１の光学素子１０を用いた光
ピックアップに比べて共振周波数を向上することがで
き、これにより高転送レートのデータの記録および／ま
たは再生が可能となる。また、光学素子２０を用いるこ
とにより、光ピックアップの機械的強度および信頼性を
向上可能である。
０を用いることにより、図１の光学素子１０を用いた光
ピックアップに比べて共振周波数を向上することがで
き、これにより高転送レートのデータの記録および／ま
たは再生が可能となる。また、光学素子２０を用いるこ
とにより、光ピックアップの機械的強度および信頼性を
向上可能である。
【００６７】図１０は、本発明に係る光学素子を有する
光ピックアップの第２の実施の形態を示す構成図であ
る。この光ピックアップ１Ａは、半導体レーザ４と、コ
リメータレンズ５と、ビームスプリッタ３と、１／４波
長板（λ／４板）９と、集光レンズ６と、光検出器８
と、光学素子３０とを有する。この光学素子３０は、ア
ームに取り付けられたスライダとしてもよく、２軸アク
チュエータによりフォーカス方向およびトラッキング方
向に移動する構成としてもよい。
光ピックアップの第２の実施の形態を示す構成図であ
る。この光ピックアップ１Ａは、半導体レーザ４と、コ
リメータレンズ５と、ビームスプリッタ３と、１／４波
長板（λ／４板）９と、集光レンズ６と、光検出器８
と、光学素子３０とを有する。この光学素子３０は、ア
ームに取り付けられたスライダとしてもよく、２軸アク
チュエータによりフォーカス方向およびトラッキング方
向に移動する構成としてもよい。
【００６８】半導体レーザ４は、駆動信号ＳＬに基づい
て直線偏光のレーザ光を出力し、出力レーザ光をコリメ
ータレンズ５に供給する。コリメータレンズ５は、半導
体レーザ４からのレーザ光を平行光にしてビームスプリ
ッタ３に供給する。ビームスプリッタ３は、コリメータ
レンズ５からのレーザ光を透過して１／４波長板９を介
して光学素子３０の凸部３１に供給する。光学素子３０
の凸部３１は、対物レンズの機能を有し、ビームスプリ
ッタ３からのレーザ光を集光して光ディスク８０のトラ
ックに供給する。このようにして、半導体レーザ４から
のレーザ光は、光ディスク８０の記録面に集光される。
て直線偏光のレーザ光を出力し、出力レーザ光をコリメ
ータレンズ５に供給する。コリメータレンズ５は、半導
体レーザ４からのレーザ光を平行光にしてビームスプリ
ッタ３に供給する。ビームスプリッタ３は、コリメータ
レンズ５からのレーザ光を透過して１／４波長板９を介
して光学素子３０の凸部３１に供給する。光学素子３０
の凸部３１は、対物レンズの機能を有し、ビームスプリ
ッタ３からのレーザ光を集光して光ディスク８０のトラ
ックに供給する。このようにして、半導体レーザ４から
のレーザ光は、光ディスク８０の記録面に集光される。
【００６９】また、光学素子３０は、光ディスク８０で
反射したレーザ光を、１／４波長板９を介してビームス
プリッタ３に戻す。ビームスプリッタ３は、光学素子３
０からのレーザ光が入射され、入射されたレーザ光を反
射して集光レンズ６に供給する。集光レンズ６は、ビー
ムスプリッタ３からのレーザ光を集光して光検出器８に
供給する。光検出器８は、集光レンズ６からのレーザ光
を受光部で受光して出力信号ＳＡを生成する。光検出器
８は、例えば４分割光検出器により構成する。
反射したレーザ光を、１／４波長板９を介してビームス
プリッタ３に戻す。ビームスプリッタ３は、光学素子３
０からのレーザ光が入射され、入射されたレーザ光を反
射して集光レンズ６に供給する。集光レンズ６は、ビー
ムスプリッタ３からのレーザ光を集光して光検出器８に
供給する。光検出器８は、集光レンズ６からのレーザ光
を受光部で受光して出力信号ＳＡを生成する。光検出器
８は、例えば４分割光検出器により構成する。
【００７０】図１０の光ピックアップ１Ａでは、光学素
子３０を用いることにより、図１の光学素子１０を用い
た光ピックアップに比べて共振周波数を向上することが
でき、これにより高転送レートのデータの記録および／
または再生が可能となる。また、光学素子３０を用いる
ことにより、光ピックアップの機械的強度および信頼性
を向上可能である。
子３０を用いることにより、図１の光学素子１０を用い
た光ピックアップに比べて共振周波数を向上することが
でき、これにより高転送レートのデータの記録および／
または再生が可能となる。また、光学素子３０を用いる
ことにより、光ピックアップの機械的強度および信頼性
を向上可能である。
【００７１】図１１は、本発明に係る光学素子を有する
光ピックアップの第３の実施の形態を示す構成図であ
る。この光ピックアップ１Ｂは、半導体レーザ４と、コ
リメータレンズ５と、ビームスプリッタ３と、１／４波
長板（λ／４板）９と、集光レンズ６と、光検出器８
と、光学素子４０とを有する。この光学素子４０は、ア
ームに取り付けられたスライダとしてもよく、２軸アク
チュエータによりフォーカス方向およびトラッキング方
向に移動する構成としてもよい。
光ピックアップの第３の実施の形態を示す構成図であ
る。この光ピックアップ１Ｂは、半導体レーザ４と、コ
リメータレンズ５と、ビームスプリッタ３と、１／４波
長板（λ／４板）９と、集光レンズ６と、光検出器８
と、光学素子４０とを有する。この光学素子４０は、ア
ームに取り付けられたスライダとしてもよく、２軸アク
チュエータによりフォーカス方向およびトラッキング方
向に移動する構成としてもよい。
【００７２】半導体レーザ４は、駆動信号ＳＬに基づい
て直線偏光のレーザ光を出力し、出力レーザ光をコリメ
ータレンズ５に供給する。コリメータレンズ５は、半導
体レーザ４からのレーザ光を平行光にしてビームスプリ
ッタ３に供給する。ビームスプリッタ３は、コリメータ
レンズ５からのレーザ光を透過して１／４波長板９を介
して光学素子４０の凸部４１に供給する。光学素子４０
の凸部４１は、対物レンズの機能を有し、ビームスプリ
ッタ３からのレーザ光を集光して光ディスク８０のトラ
ックに供給する。このようにして、半導体レーザ４から
のレーザ光は、光ディスク８０の記録面に集光される。
て直線偏光のレーザ光を出力し、出力レーザ光をコリメ
ータレンズ５に供給する。コリメータレンズ５は、半導
体レーザ４からのレーザ光を平行光にしてビームスプリ
ッタ３に供給する。ビームスプリッタ３は、コリメータ
レンズ５からのレーザ光を透過して１／４波長板９を介
して光学素子４０の凸部４１に供給する。光学素子４０
の凸部４１は、対物レンズの機能を有し、ビームスプリ
ッタ３からのレーザ光を集光して光ディスク８０のトラ
ックに供給する。このようにして、半導体レーザ４から
のレーザ光は、光ディスク８０の記録面に集光される。
【００７３】また、光学素子４０は、光ディスク８０で
反射したレーザ光を、１／４波長板９を介してビームス
プリッタ３に戻す。ビームスプリッタ３は、光学素子４
０からのレーザ光が入射され、入射されたレーザ光を反
射して集光レンズ６に供給する。集光レンズ６は、ビー
ムスプリッタ３からのレーザ光を集光して光検出器８に
供給する。光検出器８は、集光レンズ６からのレーザ光
を受光部で受光して出力信号ＳＡを生成する。光検出器
８は、例えば４分割光検出器により構成する。
反射したレーザ光を、１／４波長板９を介してビームス
プリッタ３に戻す。ビームスプリッタ３は、光学素子４
０からのレーザ光が入射され、入射されたレーザ光を反
射して集光レンズ６に供給する。集光レンズ６は、ビー
ムスプリッタ３からのレーザ光を集光して光検出器８に
供給する。光検出器８は、集光レンズ６からのレーザ光
を受光部で受光して出力信号ＳＡを生成する。光検出器
８は、例えば４分割光検出器により構成する。
【００７４】図１１の光ピックアップ１Ｂでは、光学素
子４０を用いることにより、図１の光学素子１０を用い
た光ピックアップに比べて共振周波数を向上することが
でき、これにより高転送レートのデータの記録および／
または再生が可能となる。また、光学素子４０を用いる
ことにより、光ピックアップの機械的強度および信頼性
を向上可能である。
子４０を用いることにより、図１の光学素子１０を用い
た光ピックアップに比べて共振周波数を向上することが
でき、これにより高転送レートのデータの記録および／
または再生が可能となる。また、光学素子４０を用いる
ことにより、光ピックアップの機械的強度および信頼性
を向上可能である。
【００７５】なお、上記実施の形態は本発明の例示であ
り、本発明は上記実施の形態に限定されない。
り、本発明は上記実施の形態に限定されない。
【００７６】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の光学素
子は、外周部が厚く形成されているために、外周部より
も薄い平坦部を少なくすることができ、機械的強度を増
すことができる。また、薄肉の平坦部の減少により曲げ
強度も増しており、厚さ方向の共振周波数は高められ、
共振し難い構造にすることができる。
子は、外周部が厚く形成されているために、外周部より
も薄い平坦部を少なくすることができ、機械的強度を増
すことができる。また、薄肉の平坦部の減少により曲げ
強度も増しており、厚さ方向の共振周波数は高められ、
共振し難い構造にすることができる。
【００７７】更に、本発明の光学素子は、薄肉の平坦部
の減少により、光学素子のサイズを大きくすることがで
きる。これにより、接着剤のはみ出し量の許容値を大き
くすることが可能となることからレンズホルダへのマウ
ント工程が容易になると共に、レンズホルダに形成され
る取り付け部分の径も大きくすることができ、その精度
も緩和できるので、この光学素子をマウントするレンズ
ホルダの精度を緩和可能である。
の減少により、光学素子のサイズを大きくすることがで
きる。これにより、接着剤のはみ出し量の許容値を大き
くすることが可能となることからレンズホルダへのマウ
ント工程が容易になると共に、レンズホルダに形成され
る取り付け部分の径も大きくすることができ、その精度
も緩和できるので、この光学素子をマウントするレンズ
ホルダの精度を緩和可能である。
【００７８】本発明の光学素子の製造方法によれば、凸
部を形成する場合に、工程を増すことなく又は殆んど増
すことなく、肉厚の外周部を形成することができる。ま
た、凸部と外周部との位置精度は、マスク層のパターニ
ングの位置精度を維持することができるので、高精度に
作製することができ、凸部の外周の平坦部を少なくする
ことができ、例えばマスク層の材料の解像度程度まで狭
くすることが可能である。
部を形成する場合に、工程を増すことなく又は殆んど増
すことなく、肉厚の外周部を形成することができる。ま
た、凸部と外周部との位置精度は、マスク層のパターニ
ングの位置精度を維持することができるので、高精度に
作製することができ、凸部の外周の平坦部を少なくする
ことができ、例えばマスク層の材料の解像度程度まで狭
くすることが可能である。
【００７９】更に、本発明の光学素子の製造方法によれ
ば、外周部のマスク層の材料として耐エッチング性の材
料を用いることにより、外周部を凸部よりも厚くするこ
とができ、機械的強度および共振周波数をより向上可能
である。
ば、外周部のマスク層の材料として耐エッチング性の材
料を用いることにより、外周部を凸部よりも厚くするこ
とができ、機械的強度および共振周波数をより向上可能
である。
【００８０】また、外周部のマスク層として積層構造の
マスク層を用いることにより、厚肉の外周部が多段構造
の光学素子を作成することができ、外周部が光路を遮り
難い構造にすることができるので、厚肉の外周部を凸部
の近くまで形成でき、機械的強度および共振周波数をい
っそう向上可能である。
マスク層を用いることにより、厚肉の外周部が多段構造
の光学素子を作成することができ、外周部が光路を遮り
難い構造にすることができるので、厚肉の外周部を凸部
の近くまで形成でき、機械的強度および共振周波数をい
っそう向上可能である。
【００８１】また、本発明に係る光ピックアップによれ
ば、上記本発明に係る光学素子を有する光ピックアップ
を提供することができる。
ば、上記本発明に係る光学素子を有する光ピックアップ
を提供することができる。
【図１】本発明に対比される光学素子を例示する説明図
である。
である。
【図２】図１の光学素子をレンズホルダにマウントした
状態を示す説明図である。
状態を示す説明図である。
【図３】本発明に係る光学素子の実施の形態を示す説明
図である。
図である。
【図４】図３の光学素子を製造する製造方法を示す説明
図である。
図である。
【図５】本発明の光学素子の製造方法の第２の実施の形
態を示す概略的な説明図である。
態を示す概略的な説明図である。
【図６】図５に続いて、本発明の光学素子の製造方法の
第２の実施の形態を示す概略的な説明図である。
第２の実施の形態を示す概略的な説明図である。
【図７】本発明の光学素子の製造方法の第３の実施の形
態を示す概略的な説明図である。
態を示す概略的な説明図である。
【図８】図７に続いて、本発明の光学素子の製造方法の
第３の実施の形態を示す概略的な説明図である。
第３の実施の形態を示す概略的な説明図である。
【図９】本発明に係る光学素子を有する光ピックアップ
の第１の実施の形態を示す構成図である。
の第１の実施の形態を示す構成図である。
【図１０】本発明に係る光学素子を有する光ピックアッ
プの第２の実施の形態を示す構成図である。
プの第２の実施の形態を示す構成図である。
【図１１】本発明に係る光学素子を有する光ピックアッ
プの第３の実施の形態を示す構成図である。
プの第３の実施の形態を示す構成図である。
【符号の説明】 １，１Ａ，１Ｂ…光ピックアップ、３…ビームスプリッ
タ、４…半導体レーザ、５…コリメータレンズ、６…集
光レンズ、８…光検出器、９…１／４波長板、１０，２
０，３０，４０…光学素子、１０Ａ，１０Ｂ…レンズホ
ルダ、１１，２１，３１，４１…凸部、１２，２２，３
２，４２…平坦部、１３，２３，３３，４３…外周部、
１９，２８，２９…溝、２４，２４Ａ，３４，３４Ａ，
４４，４４Ａ…基板、２５，３５…マスク層、２６，３
６，４６…第１のマスク層、２７，３７Ｂ，４７Ｃ…第
２のマスク層、３７Ｈ，４７Ｈ…開口部、４３Ａ…第１
の外周部、４３Ｂ…第２の外周部、４７…第４のマスク
層、４７Ｂ…第３のマスク層、８０…光ディスク。
タ、４…半導体レーザ、５…コリメータレンズ、６…集
光レンズ、８…光検出器、９…１／４波長板、１０，２
０，３０，４０…光学素子、１０Ａ，１０Ｂ…レンズホ
ルダ、１１，２１，３１，４１…凸部、１２，２２，３
２，４２…平坦部、１３，２３，３３，４３…外周部、
１９，２８，２９…溝、２４，２４Ａ，３４，３４Ａ，
４４，４４Ａ…基板、２５，３５…マスク層、２６，３
６，４６…第１のマスク層、２７，３７Ｂ，４７Ｃ…第
２のマスク層、３７Ｈ，４７Ｈ…開口部、４３Ａ…第１
の外周部、４３Ｂ…第２の外周部、４７…第４のマスク
層、４７Ｂ…第３のマスク層、８０…光ディスク。
Claims (15)
- 【請求項１】光学材料からなる基板を有する光学素子で
あって、 前記基板は、 凸レンズの機能を持つ凸部と、 前記凸部の周囲に位置する平坦部と、 前記平坦部の周囲に位置する外周部とを有し、 前記外周部での前記基板の厚さは、前記平坦部での前記
基板の厚さよりも厚い光学素子。 - 【請求項２】前記外周部での前記基板の厚さは、前記凸
部での前記基板の厚さよりも厚い請求項１記載の光学素
子。 - 【請求項３】前記外周部の表面は、平坦または略平坦で
ある請求項１記載の光学素子。 - 【請求項４】前記外周部は、複数の段が形成されてお
り、外側の段での前記基板の厚さは、内側の段での前記
基板の厚さよりも厚い請求項１記載の光学素子。 - 【請求項５】光学材料からなる基板上に、第１のマスク
層と当該第１のマスク層を囲む第２のマスク層とを形成
する工程と、 前記第１のマスク層を熱処理により凸レンズの形状にす
る工程と、 前記第１のマスク層の前記凸レンズの形状が前記基板に
転写されるように、前記基板をエッチングする工程とを
有する光学素子の製造方法。 - 【請求項６】前記第１および第２のマスク層を形成する
工程では、前記基板上の感光性材料からなるマスク層を
パターニングすることにより、前記第１および第２のマ
スク層を形成する請求項５記載の光学素子の製造方法。 - 【請求項７】前記第１のマスク層を熱処理により凸レン
ズの形状にする工程において、前記熱処理温度は、前記
第１のマスク層のガラス転移温度よりも高い請求項５記
載の光学素子の製造方法。 - 【請求項８】前記第１のマスク層を熱処理により凸レン
ズの形状にする工程において、前記熱処理温度は、前記
第１のマスク層の炭化温度よりも低い請求項５記載の光
学素子の製造方法。 - 【請求項９】前記第１のマスク層を熱処理により凸レン
ズの形状にする工程において、前記熱処理温度は、室温
または常温よりも高い請求項５記載の光学素子の製造方
法。 - 【請求項１０】前記第１および第２のマスク層を形成す
る工程では、開口部を有する前記第２のマスク層を形成
した後に、前記開口部に前記第１のマスク層を形成し、 前記第２のマスク層は、耐エッチング性の材料からなる
請求項５記載の光学素子の製造方法。 - 【請求項１１】前記第２のマスク層は、 耐エッチング性の材料からなる第３のマスク層と、 前記基板上の前記第３のマスク層を覆うように前記第３
のマスク層上に積層された第４のマスク層とを有し、 前記第４のマスク層は、前記第１のマスク層と同じ材料
からなる請求項５記載の光学素子の製造方法。 - 【請求項１２】レーザと、 前記レーザからのレーザ光を光ディスクに集光する光学
素子と、 前記光ディスクで反射した前記レーザ光を受光する光検
出器とを有する光ピックアップであって、 前記光学素子は、光学材料からなる基板を有し、 前記基板は、 前記レーザからのレーザ光を前記光ディスクに集光する
凸部と、 前記凸部の周囲に位置する平坦部と、 前記平坦部の周囲に位置する外周部とを有し、 前記外周部での前記基板の厚さは、前記平坦部での前記
基板の厚さよりも厚い光ピックアップ。 - 【請求項１３】前記外周部での前記基板の厚さは、前記
凸部での前記基板の厚さよりも厚い請求項１２記載の光
ピックアップ。 - 【請求項１４】前記外周部の表面は、平坦または略平坦
である請求項１２記載の光ピックアップ。 - 【請求項１５】前記外周部は、複数の段が形成されてお
り、外側の段での前記基板の厚さは内側の段での前記基
板の厚さよりも厚い請求項１２記載の光ピックアップ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000251240A JP2002062410A (ja) | 2000-08-22 | 2000-08-22 | 光学素子、光学素子の製造方法および光ピックアップ |
| US09/933,151 US6831790B2 (en) | 2000-08-22 | 2001-08-21 | Optical element, method for producing the same, and optical pickup |
| TW090120532A TW504587B (en) | 2000-08-22 | 2001-08-21 | Optical element, method for producing the same, and optical pickup |
| CNB011372508A CN1208769C (zh) | 2000-08-22 | 2001-08-22 | 光元件,生产该元件的方法,和光拾取器 |
| KR1020010050690A KR100806238B1 (ko) | 2000-08-22 | 2001-08-22 | 광학 소자, 그 제조 방법 및 광 픽업 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000251240A JP2002062410A (ja) | 2000-08-22 | 2000-08-22 | 光学素子、光学素子の製造方法および光ピックアップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002062410A true JP2002062410A (ja) | 2002-02-28 |
Family
ID=18740674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000251240A Abandoned JP2002062410A (ja) | 2000-08-22 | 2000-08-22 | 光学素子、光学素子の製造方法および光ピックアップ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6831790B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002062410A (ja) |
| KR (1) | KR100806238B1 (ja) |
| CN (1) | CN1208769C (ja) |
| TW (1) | TW504587B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002071907A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-12 | Sony Corp | 光学レンズ、光学レンズアレイおよびその製造方法 |
| JP2007101649A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光学レンズ，および，光学レンズの製造方法 |
| JP2013143473A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Panasonic Corp | 光学部品、それを用いたレーザ光源装置、画像表示装置及びそれらの製造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004311005A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-11-04 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体及びその製造方法、並びに、記録再生方法 |
| EP2385397A1 (en) * | 2009-01-30 | 2011-11-09 | Konica Minolta Opto, Inc. | Lens and molding die |
| CN115356792B (zh) * | 2022-06-27 | 2023-12-08 | 杭州海康微影传感科技有限公司 | 光学镜头晶圆的制作方法与镜头成像模组的制作方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63313101A (ja) * | 1987-06-16 | 1988-12-21 | Sanyo Electric Co Ltd | レンズ |
| JPS63312780A (ja) * | 1987-06-16 | 1988-12-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像カメラ |
| JPH04301237A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-23 | Sony Corp | 対物レンズ |
| JPH0521325U (ja) * | 1991-08-13 | 1993-03-19 | 旭光学工業株式会社 | 光学式情報記録再生装置 |
| JPH08271703A (ja) * | 1995-03-29 | 1996-10-18 | Konica Corp | 樹脂レンズ |
| KR100234257B1 (ko) * | 1995-08-30 | 1999-12-15 | 윤종용 | 대물렌즈 장치 및 안정된 포커스 서보 신호를 얻는방법 및 이를 적용한 광픽업 장치 및 두께가 다른 디스크를 판별하는 방법 및 두께가 다른 디스크로부터 정보를 재생하고 기록하는 방법 |
| JPH1076415A (ja) * | 1996-09-03 | 1998-03-24 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 成形光学部品の外周加工装置 |
| US6144500A (en) * | 1997-03-05 | 2000-11-07 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Plastic lens |
| JP4025387B2 (ja) * | 1997-03-31 | 2007-12-19 | フジノン株式会社 | プラスチックレンズ |
| JPH10307247A (ja) * | 1997-05-02 | 1998-11-17 | Asahi Optical Co Ltd | プラスチック成形レンズ |
| US5995304A (en) * | 1997-07-02 | 1999-11-30 | Fuji Photo Optical Co., Ltd. | Plastic lens |
| JP4043560B2 (ja) * | 1997-09-25 | 2008-02-06 | フジノン株式会社 | 光学レンズ |
| JPH11119005A (ja) * | 1997-10-08 | 1999-04-30 | Fuji Photo Optical Co Ltd | プラスチックレンズ |
| JP2000030278A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-28 | Sony Corp | 光学レンズとこれを使用した光学ピックアップ及び光ディスク装置 |
| JP2002074734A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-15 | Sony Corp | 光ヘッドおよび光ピックアップ |
| USD480384S1 (en) * | 2001-08-16 | 2003-10-07 | Pentax Corporation | Pickup lens |
-
2000
- 2000-08-22 JP JP2000251240A patent/JP2002062410A/ja not_active Abandoned
-
2001
- 2001-08-21 TW TW090120532A patent/TW504587B/zh active
- 2001-08-21 US US09/933,151 patent/US6831790B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-22 CN CNB011372508A patent/CN1208769C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-22 KR KR1020010050690A patent/KR100806238B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002071907A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-12 | Sony Corp | 光学レンズ、光学レンズアレイおよびその製造方法 |
| JP2007101649A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光学レンズ，および，光学レンズの製造方法 |
| JP2013143473A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Panasonic Corp | 光学部品、それを用いたレーザ光源装置、画像表示装置及びそれらの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1342909A (zh) | 2002-04-03 |
| US20020030897A1 (en) | 2002-03-14 |
| KR20020015669A (ko) | 2002-02-28 |
| TW504587B (en) | 2002-10-01 |
| US6831790B2 (en) | 2004-12-14 |
| KR100806238B1 (ko) | 2008-02-22 |
| CN1208769C (zh) | 2005-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6747811B2 (en) | Optical system, method of producing optical system, and optical pickup | |
| US6980373B2 (en) | Optical lens and method of producing the same, method of producing optical lens array, focus error signal production method, and optical pickup apparatus | |
| JP2000131508A (ja) | 対物レンズ及びその製造方法 | |
| US7372618B2 (en) | Method of manufacturing micromirror array and method of manufacturing optical device having micromirror | |
| US20020114260A1 (en) | Information recording/reproduction apparatus | |
| JP2002062410A (ja) | 光学素子、光学素子の製造方法および光ピックアップ | |
| US6839315B2 (en) | Optical head and optical pickup having improved thermal coefficient matching for thermal expansion adjustment | |
| US20060098262A1 (en) | Micromirror array and method of manufacturing the same | |
| JP2003203374A (ja) | 光ピックアップ用対物レンズ、及びその製造方法、並びに光ピックアップモジュール、光ディスク装置、及び結露除去方法 | |
| JP2002373448A (ja) | 光ディスク装置及びその光学素子の作製方法 | |
| JP2002074726A (ja) | 光学素子、光学素子の製造方法および光ピックアップ | |
| JP2002350609A (ja) | 光学素子作製方法、光学素子および光ピックアップ装置 | |
| JP2002365406A (ja) | 対物レンズ、光ピックアップ装置及び対物レンズの作製方法 | |
| KR100611589B1 (ko) | 회절소자 제조방법 | |
| JP2000322772A (ja) | 光記録再生媒体，この光記録再生媒体を用いる光記録再生方法およびこの光記録再生媒体の製造方法 | |
| JP2002071907A (ja) | 光学レンズ、光学レンズアレイおよびその製造方法 | |
| KR100429220B1 (ko) | 광자기 방식의 자계 유도 코일을 집적화한 광픽업헤드 및그 제조방법 | |
| JP2002222539A (ja) | 光学ピックアップ装置、光ディスク装置および光ディスクの再生方法 | |
| JP2000021010A (ja) | 光記録用フライングヘッド | |
| JP2000090478A (ja) | 平面型プローブアレイの製造方法 | |
| JP2002258151A (ja) | 光ピックアップ用対物レンズおよびその作製方法、装置 | |
| JP2001319369A (ja) | 光学ヘッドの製造方法 | |
| JP2004199810A (ja) | 光ヘッド及びその製造方法 | |
| JP2005141786A (ja) | 光情報記録媒体、光情報記録再生装置、および光情報記録再生装置における平面プローブの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070814 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20090813 |