JP2002055364A - 薄膜トランジスタ液晶表示装置製造用フォトマスク - Google Patents
薄膜トランジスタ液晶表示装置製造用フォトマスクInfo
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32139—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer using masks
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ハーフトーン露光時にチャネル領域の終端で
屈曲が発生するのを防ぐことができるＴＦＴ−ＬＣＤ製
造用フォトマスクを提供する。 【解決手段】 透光性基板３０と、透光性基板３０上に
形成された遮蔽パターン４０で構成され、遮蔽パターン
４０はソース及びドレイン形成領域を覆うように隔離し
て配置されるボックス（Ｂｏｘ）タイプの一対の第１遮
蔽パターン３１と、第１遮蔽パターン３１の間に配置さ
れ半透過領域を構成するバー（Ｂａｒ）タイプの一対の
第２遮蔽パターン３２、及びチャネル部終端で光透過領
域（Ａ）と遮蔽領域（Ｂ）間の境界が形成されるよう、
第１及び第２遮蔽パターン３１、３２の下部及び上部の
それぞれに配置されるバータイプの第３遮蔽パターン３
３を含むことを特徴とする。
屈曲が発生するのを防ぐことができるＴＦＴ−ＬＣＤ製
造用フォトマスクを提供する。 【解決手段】 透光性基板３０と、透光性基板３０上に
形成された遮蔽パターン４０で構成され、遮蔽パターン
４０はソース及びドレイン形成領域を覆うように隔離し
て配置されるボックス（Ｂｏｘ）タイプの一対の第１遮
蔽パターン３１と、第１遮蔽パターン３１の間に配置さ
れ半透過領域を構成するバー（Ｂａｒ）タイプの一対の
第２遮蔽パターン３２、及びチャネル部終端で光透過領
域（Ａ）と遮蔽領域（Ｂ）間の境界が形成されるよう、
第１及び第２遮蔽パターン３１、３２の下部及び上部の
それぞれに配置されるバータイプの第３遮蔽パターン３
３を含むことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜トランジスタ液
晶表示装置に関し、より詳しくは、４−マスク工程を利
用した薄膜トランジスタ液晶表示装置製造時に用いられ
るフォトマスクに関するものである。
晶表示装置に関し、より詳しくは、４−マスク工程を利
用した薄膜トランジスタ液晶表示装置製造時に用いられ
るフォトマスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】薄膜トランジスタ液晶表示装置（Ｔｈｉ
ｎ Ｆｉｌｍ ＴｒａｎｓｉｓｔｏｒＬｉｑｕｉｄ Ｃ
ｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：以下、ＴＦＴ−ＬＣ
Ｄ）は軽量、薄型及び低消費電力等の特性を有するた
め、ＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ−ｒａｙ ｔｕｂｅ）に代
えて各種の情報機器の端末機又はビデオ機器等に用いら
れており、最近はノートブック型ＰＣ及びモニター市場
で大きく脚光を浴びている。
ｎ Ｆｉｌｍ ＴｒａｎｓｉｓｔｏｒＬｉｑｕｉｄ Ｃ
ｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：以下、ＴＦＴ−ＬＣ
Ｄ）は軽量、薄型及び低消費電力等の特性を有するた
め、ＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ−ｒａｙ ｔｕｂｅ）に代
えて各種の情報機器の端末機又はビデオ機器等に用いら
れており、最近はノートブック型ＰＣ及びモニター市場
で大きく脚光を浴びている。
【０００３】このようなＴＦＴ−ＬＣＤは、概略的に
は、マトリックス状に配列された各画素にＴＦＴが配置
された構造のＴＦＴアレイ基板と、各画素に対応してレ
ッド、グリーン、及びブルーのカラーフィルターが配列
された構造のカラーフィルター基板が液晶層の介在下に
重ね合わされた構造を有する。
は、マトリックス状に配列された各画素にＴＦＴが配置
された構造のＴＦＴアレイ基板と、各画素に対応してレ
ッド、グリーン、及びブルーのカラーフィルターが配列
された構造のカラーフィルター基板が液晶層の介在下に
重ね合わされた構造を有する。
【０００４】一方、ＴＦＴ−ＬＣＤを製造することにお
いて、製造工程数、特にＴＦＴアレイ基板の製造工程数
を減少させることは非常に重要である。なぜならば、製
造工程数を減少させるほど、ＴＦＴ−ＬＣＤの製造費用
を減少させることができ、よって、さらに廉価でより多
い量のＴＦＴ−ＬＣＤを普及することができるためであ
る。
いて、製造工程数、特にＴＦＴアレイ基板の製造工程数
を減少させることは非常に重要である。なぜならば、製
造工程数を減少させるほど、ＴＦＴ−ＬＣＤの製造費用
を減少させることができ、よって、さらに廉価でより多
い量のＴＦＴ−ＬＣＤを普及することができるためであ
る。
【０００５】ここで、前記製造工程数の減少はフォトリ
ソグラフィー工程数の減少、即ち、フォトリソグラフィ
ー工程で用いられるフォトマスク数の減少を介して実現
することができる。最近のＴＦＴ−ＬＣＤは５乃至７枚
のフォトマスクを用いて製造されており、さらに、４枚
のフォトマスクを利用した製造工程も行われている。
ソグラフィー工程数の減少、即ち、フォトリソグラフィ
ー工程で用いられるフォトマスク数の減少を介して実現
することができる。最近のＴＦＴ−ＬＣＤは５乃至７枚
のフォトマスクを用いて製造されており、さらに、４枚
のフォトマスクを利用した製造工程も行われている。
【０００６】図１乃至図５は、従来技術に係る４枚のフ
ォトマスクを利用したＴＦＴアレイ基板の製造方法を説
明するための断面図である。ここで、各図面はＴＦＴ形
成部に対してのみ図示した。
ォトマスクを利用したＴＦＴアレイ基板の製造方法を説
明するための断面図である。ここで、各図面はＴＦＴ形
成部に対してのみ図示した。
【０００７】図１を参照すると、ゲート用金属膜がガラ
ス基板１上に蒸着され、その後ゲート電極２を含むゲー
トライン（未図示）が第１フォトマスクを利用したマス
ク工程でパターニングされることにより形成される。ゲ
ート絶縁膜３、ａ−Ｓｉ膜４、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜５、ソー
ス／ドレイン用金属膜６、及び感光膜７が前記ゲート電
極を含む前記ガラス基板上に順次形成される。
ス基板１上に蒸着され、その後ゲート電極２を含むゲー
トライン（未図示）が第１フォトマスクを利用したマス
ク工程でパターニングされることにより形成される。ゲ
ート絶縁膜３、ａ−Ｓｉ膜４、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜５、ソー
ス／ドレイン用金属膜６、及び感光膜７が前記ゲート電
極を含む前記ガラス基板上に順次形成される。
【０００８】図２を参照すると、感光膜７が第２フォト
マスクを利用して露光され、その後、露光された感光膜
７が現像されることによりＴＦＴのチャネル部及びソー
ス／ドレイン形成領域と、データライン形成領域を覆う
第２感光膜パターン７ａが形成される。第２感光膜パタ
ーン７ａはハーフトーン露光により形成され、中央部、
即ちＴＦＴのチャネル予定領域を覆う部分がソース／ド
レイン予定領域を覆う部分より相対的に薄い厚さを有す
るように形成される。
マスクを利用して露光され、その後、露光された感光膜
７が現像されることによりＴＦＴのチャネル部及びソー
ス／ドレイン形成領域と、データライン形成領域を覆う
第２感光膜パターン７ａが形成される。第２感光膜パタ
ーン７ａはハーフトーン露光により形成され、中央部、
即ちＴＦＴのチャネル予定領域を覆う部分がソース／ド
レイン予定領域を覆う部分より相対的に薄い厚さを有す
るように形成される。
【０００９】ここで、前記ハーフトーン露光は領域別に
相違する露光量で露光が行われるようにすることによ
り、最終的に得られる感光膜パターンの厚さが部分的に
相違するようにする工程であり、露光量の調節はフォト
マスクの設計を介して行われる。
相違する露光量で露光が行われるようにすることによ
り、最終的に得られる感光膜パターンの厚さが部分的に
相違するようにする工程であり、露光量の調節はフォト
マスクの設計を介して行われる。
【００１０】図６及び図７は、ハーフトーン露光工程用
フォトマスクを示した平面図及び断面図である。図示さ
れたように、ハーフトーン露光工程用フォトマスク２０
は透光性基板１１と、透光性基板１１上に形成された光
遮蔽パターン１２で構成され、光透過領域（Ａ）及び光
遮蔽領域（Ｂ）以外に、光透過領域（Ａ）に透過される
露光量より低い強度で光を透過させる半透過領域（Ｃ）
を有する。
フォトマスクを示した平面図及び断面図である。図示さ
れたように、ハーフトーン露光工程用フォトマスク２０
は透光性基板１１と、透光性基板１１上に形成された光
遮蔽パターン１２で構成され、光透過領域（Ａ）及び光
遮蔽領域（Ｂ）以外に、光透過領域（Ａ）に透過される
露光量より低い強度で光を透過させる半透過領域（Ｃ）
を有する。
【００１１】従って、現在露光装置の解像力はステッパ
ーが３μｍ程度であるため、透光性基板１１上に前記解
像力より小さい微細パターンを形成させれば、前記微細
パターン形成部を透過する露光量は相対的に小さくな
り、よって、この領域に対応する感光膜パターンの厚さ
は相対的に薄くなる。
ーが３μｍ程度であるため、透光性基板１１上に前記解
像力より小さい微細パターンを形成させれば、前記微細
パターン形成部を透過する露光量は相対的に小さくな
り、よって、この領域に対応する感光膜パターンの厚さ
は相対的に薄くなる。
【００１２】図３を参照すると、ソース／ドレイン用金
属膜がデータラインが形成されるようにエッチングマス
クに感光膜パターン７ａを利用してエッチングされる。
属膜がデータラインが形成されるようにエッチングマス
クに感光膜パターン７ａを利用してエッチングされる。
【００１３】図４を参照すると、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜５及び
ａ−Ｓｉ膜４がアクティブ領域が限定されるように、エ
ッチングマスクとして感光膜パターン７ａを利用してエ
ッチングされ、次いでＴＦＴのソース／ドレイン６ａ、
６ｂがチャネル領域上部のソース／ドレイン用金属膜部
分がエッチングされることにより形成される。
ａ−Ｓｉ膜４がアクティブ領域が限定されるように、エ
ッチングマスクとして感光膜パターン７ａを利用してエ
ッチングされ、次いでＴＦＴのソース／ドレイン６ａ、
６ｂがチャネル領域上部のソース／ドレイン用金属膜部
分がエッチングされることにより形成される。
【００１４】詳しく言えば、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜５及びａ−
Ｓｉ膜４がエッチングされる間、相対的に薄い厚さを有
する感光膜パターン７ａの中央部が共にエッチングさ
れ、そして感光膜パターン７ａの中央部がエッチングさ
れ露出したチャネル領域上のソース／ドレイン用金属膜
部分が共にエッチングされ、この結果、ソース／ドレイ
ン６ａ、６ｂが形成される。
Ｓｉ膜４がエッチングされる間、相対的に薄い厚さを有
する感光膜パターン７ａの中央部が共にエッチングさ
れ、そして感光膜パターン７ａの中央部がエッチングさ
れ露出したチャネル領域上のソース／ドレイン用金属膜
部分が共にエッチングされ、この結果、ソース／ドレイ
ン６ａ、６ｂが形成される。
【００１５】図５を参照すると、露出したチャネル領域
上のｎ＋ａ−Ｓｉ膜５部分がエッチングされ、その後、
感光膜パターン７ａが除去され、この結果ＴＦＴ１０が
完成される。
上のｎ＋ａ−Ｓｉ膜５部分がエッチングされ、その後、
感光膜パターン７ａが除去され、この結果ＴＦＴ１０が
完成される。
【００１６】その後、図示されてはいないが、第３フォ
トマスクを利用した保護膜形成工程と、第４フォトマス
クを利用した画素電極の形成工程を含む公知の後続工程
が行われることによりＴＦＴアレイ基板が完成される。
トマスクを利用した保護膜形成工程と、第４フォトマス
クを利用した画素電極の形成工程を含む公知の後続工程
が行われることによりＴＦＴアレイ基板が完成される。
【００１７】しかし、従来技術に係るＴＦＴアレイ基板
の製造方法は次のような問題点がある。ハーフトーン露
光時、ＴＦＴのチャネル領域の終端で光透過領域と遮蔽
領域間の境界が明確でないことにより、図８に示された
ように、チャネル部４ａの終端で光の干渉現象による屈
曲が発生する。ところが、チャネル部４ａの終端で屈曲
が発生し、屈曲が発生したチャネル部４ａの終端でオン
−電流のパス（ｐａｔｈ）屈曲が発生するためＴＦＴ−
ＬＣＤの画質低下が引き起こされる。
の製造方法は次のような問題点がある。ハーフトーン露
光時、ＴＦＴのチャネル領域の終端で光透過領域と遮蔽
領域間の境界が明確でないことにより、図８に示された
ように、チャネル部４ａの終端で光の干渉現象による屈
曲が発生する。ところが、チャネル部４ａの終端で屈曲
が発生し、屈曲が発生したチャネル部４ａの終端でオン
−電流のパス（ｐａｔｈ）屈曲が発生するためＴＦＴ−
ＬＣＤの画質低下が引き起こされる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は上記
従来の薄膜トランジスタ液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣ
Ｄ）製造用フォトマスクにおける問題点に鑑みてなされ
たものであって、本発明の目的は、ハーフトーン露光時
にチャネル領域の終端で屈曲が発生するのを防ぐことが
できるＴＦＴ−ＬＣＤ製造用フォトマスクを提供するこ
とにある。
従来の薄膜トランジスタ液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣ
Ｄ）製造用フォトマスクにおける問題点に鑑みてなされ
たものであって、本発明の目的は、ハーフトーン露光時
にチャネル領域の終端で屈曲が発生するのを防ぐことが
できるＴＦＴ−ＬＣＤ製造用フォトマスクを提供するこ
とにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた本発明による薄膜トランジスタ液晶表示装置
（ＴＦＴ−ＬＣＤ）製造用フォトマスクは、透光性基板
と、前記透光性基板上に形成された遮蔽パターンで構成
され、前記遮蔽パターンは、ソース、及びドレイン形成
領域を覆うように隔離して配置されるボックス（Ｂｏ
ｘ）タイプの一対の第１遮蔽パターンと、前記第１遮蔽
パターンの間に配置され半透過領域を構成するバー（Ｂ
ａｒ）タイプの一対の第２遮蔽パターン、及びチャネル
部終端で光透過領域と遮蔽領域間の境界が形成されるよ
うに、前記第１及び第２遮蔽パターンの下部及び上部の
それぞれに配置されるバータイプの第３遮蔽パターンを
含むことを特徴とする。
になされた本発明による薄膜トランジスタ液晶表示装置
（ＴＦＴ−ＬＣＤ）製造用フォトマスクは、透光性基板
と、前記透光性基板上に形成された遮蔽パターンで構成
され、前記遮蔽パターンは、ソース、及びドレイン形成
領域を覆うように隔離して配置されるボックス（Ｂｏ
ｘ）タイプの一対の第１遮蔽パターンと、前記第１遮蔽
パターンの間に配置され半透過領域を構成するバー（Ｂ
ａｒ）タイプの一対の第２遮蔽パターン、及びチャネル
部終端で光透過領域と遮蔽領域間の境界が形成されるよ
うに、前記第１及び第２遮蔽パターンの下部及び上部の
それぞれに配置されるバータイプの第３遮蔽パターンを
含むことを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に、本発明にかかる薄膜トラン
ジスタ液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）製造用フォトマ
スクの実施の形態の具体例を図面を参照しながら説明す
る。
ジスタ液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）製造用フォトマ
スクの実施の形態の具体例を図面を参照しながら説明す
る。
【００２１】図９は、本発明の実施例に係るＴＦＴ−Ｌ
ＣＤ製造用フォトマスクを示す平面図である。図示され
たように、本発明のフォトマスク５０は、透光性基板３
０と透光性基板３０上に形成された遮蔽パターン４０で
構成され、遮蔽パターン４０は、ソース及びドレイン形
成領域を覆うように隔離して配置されたボックス（Ｂｏ
ｘ）タイプの一対の第１遮蔽パターン３１と、第１遮蔽
パターン３１の間に配置されたバー（Ｂａｒ）タイプの
一対の第２遮蔽パターン３２、及びチャネル領域終端で
の光透過領域（Ａ）と光遮蔽領域（Ｂ）間の境界が形成
されるように、第１遮蔽パターン３１の上・下部にそれ
ぞれ配置されたバータイプの第３遮蔽パターン３３を含
む。
ＣＤ製造用フォトマスクを示す平面図である。図示され
たように、本発明のフォトマスク５０は、透光性基板３
０と透光性基板３０上に形成された遮蔽パターン４０で
構成され、遮蔽パターン４０は、ソース及びドレイン形
成領域を覆うように隔離して配置されたボックス（Ｂｏ
ｘ）タイプの一対の第１遮蔽パターン３１と、第１遮蔽
パターン３１の間に配置されたバー（Ｂａｒ）タイプの
一対の第２遮蔽パターン３２、及びチャネル領域終端で
の光透過領域（Ａ）と光遮蔽領域（Ｂ）間の境界が形成
されるように、第１遮蔽パターン３１の上・下部にそれ
ぞれ配置されたバータイプの第３遮蔽パターン３３を含
む。
【００２２】ここで、第３遮蔽パターン３３は、１μｍ
未満の幅を有し、両終端が第１遮蔽パターン３１の一面
と連結され、その反面、第２遮蔽パターン３２とは連結
されない構造である。
未満の幅を有し、両終端が第１遮蔽パターン３１の一面
と連結され、その反面、第２遮蔽パターン３２とは連結
されない構造である。
【００２３】このようなフォトマスク５０において、遮
蔽パターン４０は基本的に光遮蔽領域（Ｂ）として機能
し、第２遮蔽パターン３２を含む第１遮蔽パターン３１
の間の領域は半透過領域（Ｃ）として機能する。さら
に、遮蔽パターン４０が形成されない透光性基板３０部
分は光透過領域（Ａ）として機能する。
蔽パターン４０は基本的に光遮蔽領域（Ｂ）として機能
し、第２遮蔽パターン３２を含む第１遮蔽パターン３１
の間の領域は半透過領域（Ｃ）として機能する。さら
に、遮蔽パターン４０が形成されない透光性基板３０部
分は光透過領域（Ａ）として機能する。
【００２４】図１０は、本発明のフォトマスクを利用し
て形成されたＴＦＴのチャネル部を示す平面図である。
図示されたように、本発明に係るＴＦＴのチャネル部４
ｂは、その終端で光透過領域と遮蔽領域間の境界が形成
されるよう、フォトマスク内に第３遮蔽パターンが備え
られたことにより、チャネル部４ｂの終端で屈曲が発生
せず、そして、その大きさが拡大される。
て形成されたＴＦＴのチャネル部を示す平面図である。
図示されたように、本発明に係るＴＦＴのチャネル部４
ｂは、その終端で光透過領域と遮蔽領域間の境界が形成
されるよう、フォトマスク内に第３遮蔽パターンが備え
られたことにより、チャネル部４ｂの終端で屈曲が発生
せず、そして、その大きさが拡大される。
【００２５】これに従い、チャネル部４ｂの終端でのオ
ン−電流のパス屈曲は発生せず、そして安定的なチャネ
ル幅が確保されるため、ＴＦＴはオン−電流特性安定化
を得ることができ、よって、ＴＦＴ−ＬＣＤの画質低下
が防止される。
ン−電流のパス屈曲は発生せず、そして安定的なチャネ
ル幅が確保されるため、ＴＦＴはオン−電流特性安定化
を得ることができ、よって、ＴＦＴ−ＬＣＤの画質低下
が防止される。
【００２６】図１１乃至図１５は、本発明の他の実施例
に係るＴＦＴ−ＬＣＤ製造用フォトマスクを示す平面図
である。ここで、図面は遮蔽パターンのみを示すだけ
で、透光性基板の図示は省略する。さらに、説明は図９
に示したフォトマスクと相違する部分に対してのみ記述
するようにする。
に係るＴＦＴ−ＬＣＤ製造用フォトマスクを示す平面図
である。ここで、図面は遮蔽パターンのみを示すだけ
で、透光性基板の図示は省略する。さらに、説明は図９
に示したフォトマスクと相違する部分に対してのみ記述
するようにする。
【００２７】図１１を参照すると、遮蔽パターン６１
は、第３遮蔽パターン６１ｃがバータイプに形成され、
そして、第３遮蔽パターン６１ｃの両終端が、第２遮蔽
パターン６１ｂは勿論、第１遮蔽パターン６１ａとも連
結されない構造に形成される。
は、第３遮蔽パターン６１ｃがバータイプに形成され、
そして、第３遮蔽パターン６１ｃの両終端が、第２遮蔽
パターン６１ｂは勿論、第１遮蔽パターン６１ａとも連
結されない構造に形成される。
【００２８】図１２を参照すると、遮蔽パターン６２
は、第３遮蔽パターン６２ｃがバータイプに形成され、
そして、第３遮蔽パターン６２ｃの両終端が第１パター
ン６２ａの一面に連結され、第３遮蔽パターン６２ｃは
第２遮蔽パターン６２ｂとも連結される構造に形成され
る。
は、第３遮蔽パターン６２ｃがバータイプに形成され、
そして、第３遮蔽パターン６２ｃの両終端が第１パター
ン６２ａの一面に連結され、第３遮蔽パターン６２ｃは
第２遮蔽パターン６２ｂとも連結される構造に形成され
る。
【００２９】図１３を参照すると、遮蔽パターン６３
は、第３遮蔽パターン６３ｃが第１遮蔽パターン６３ａ
と連結されるが、第２遮蔽パターン６３ｂとは連結され
ず、第３遮蔽パターン６３ｃは分割・分離された構造に
形成される。
は、第３遮蔽パターン６３ｃが第１遮蔽パターン６３ａ
と連結されるが、第２遮蔽パターン６３ｂとは連結され
ず、第３遮蔽パターン６３ｃは分割・分離された構造に
形成される。
【００３０】図１４を参照すれば、遮蔽パターン６４
は、分割・分離された第３遮蔽パターン６４ｃの終端が
第１遮蔽パターン６４ａの一面と第２遮蔽パターン６４
ｂの終端とに連結された構造に形成される。
は、分割・分離された第３遮蔽パターン６４ｃの終端が
第１遮蔽パターン６４ａの一面と第２遮蔽パターン６４
ｂの終端とに連結された構造に形成される。
【００３１】図１５を参照すれば、遮蔽パターン６５
は、分割・分離された第３遮蔽パターン６５ｃが第２遮
蔽パターン６５ｂの終端と連結され、そして、第１遮蔽
パターン６５ａとは連結されていない構造に形成され
る。
は、分割・分離された第３遮蔽パターン６５ｃが第２遮
蔽パターン６５ｂの終端と連結され、そして、第１遮蔽
パターン６５ａとは連結されていない構造に形成され
る。
【００３２】図１６乃至図２０は、本発明のさらに他の
実施例に係るＴＦＴ−ＬＣＤ製造用フォトマスクを示す
平面図である。ここで、図１６乃至図２０に示された各
遮蔽パターン（７１、７２、７３、７４、７５）は、そ
れぞれ図１１乃至図１５に示された遮蔽パターン（６
１、６２、６３、６４、６５）に対応する構造であり、
ただ、第２遮蔽パターンがバータイプでないドットタイ
プに形成された構造であるとの点が相違する。従って、
図１６乃至図２０に対する説明は省略する。
実施例に係るＴＦＴ−ＬＣＤ製造用フォトマスクを示す
平面図である。ここで、図１６乃至図２０に示された各
遮蔽パターン（７１、７２、７３、７４、７５）は、そ
れぞれ図１１乃至図１５に示された遮蔽パターン（６
１、６２、６３、６４、６５）に対応する構造であり、
ただ、第２遮蔽パターンがバータイプでないドットタイ
プに形成された構造であるとの点が相違する。従って、
図１６乃至図２０に対する説明は省略する。
【００３３】尚、本発明は、本実施例に限られるもので
はない。本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で多様に変
更実施することが可能である。
はない。本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で多様に変
更実施することが可能である。
【００３４】
【発明の効果】上述のように、本発明は従来と類似する
構造にフォトマスクを製作するが、ＴＦＴチャネル部の
終端部分に光透過領域と遮蔽領域間の明確な境界を形成
することができる遮蔽パターンを追加的にさらに備えさ
せることにより、安定的なチャネル幅を確保できること
によりＴＦＴのオン−電流特性の安定化を確保すること
ができ、よって、ＴＦＴ−ＬＣＤの画質を向上させるこ
とができる。
構造にフォトマスクを製作するが、ＴＦＴチャネル部の
終端部分に光透過領域と遮蔽領域間の明確な境界を形成
することができる遮蔽パターンを追加的にさらに備えさ
せることにより、安定的なチャネル幅を確保できること
によりＴＦＴのオン−電流特性の安定化を確保すること
ができ、よって、ＴＦＴ−ＬＣＤの画質を向上させるこ
とができる。
【図１】従来技術に係る４枚のフォトマスクを利用した
ＴＦＴアレイ基板の製造方法を説明するための断面図で
ある。
ＴＦＴアレイ基板の製造方法を説明するための断面図で
ある。
【図２】従来技術に係る４枚のフォトマスクを利用した
ＴＦＴアレイ基板の製造方法を説明するための断面図で
ある。
ＴＦＴアレイ基板の製造方法を説明するための断面図で
ある。
【図３】従来技術に係る４枚のフォトマスクを利用した
ＴＦＴアレイ基板の製造方法を説明するための断面図で
ある。
ＴＦＴアレイ基板の製造方法を説明するための断面図で
ある。
【図４】従来技術に係る４枚のフォトマスクを利用した
ＴＦＴアレイ基板の製造方法を説明するための断面図で
ある。
ＴＦＴアレイ基板の製造方法を説明するための断面図で
ある。
【図５】従来技術に係る４枚のフォトマスクを利用した
ＴＦＴアレイ基板の製造方法を説明するための断面図で
ある。
ＴＦＴアレイ基板の製造方法を説明するための断面図で
ある。
【図６】従来のハーフトーン露光工程用フォトマスクを
示す断面図である。
示す断面図である。
【図７】従来のハーフトーン露光工程用フォトマスクを
示す平面図である。
示す平面図である。
【図８】従来の問題点を説明するための重要部の平面図
である。
である。
【図９】本発明の実施例に係るＴＦＴ−ＬＣＤ製造用フ
ォトマスクを示す平面図である。
ォトマスクを示す平面図である。
【図１０】図９のフォトマスクを利用して形成されたＴ
ＦＴのチャネル部を示す平面図である。
ＦＴのチャネル部を示す平面図である。
【図１１】本発明の他の実施例に係るＴＦＴ−ＬＣＤ製
造用フォトマスクを示す平面図である。
造用フォトマスクを示す平面図である。
【図１２】本発明の他の実施例に係るＴＦＴ−ＬＣＤ製
造用フォトマスクを示す平面図である。
造用フォトマスクを示す平面図である。
【図１３】本発明の他の実施例に係るＴＦＴ−ＬＣＤ製
造用フォトマスクを示す平面図である。
造用フォトマスクを示す平面図である。
【図１４】本発明の他の実施例に係るＴＦＴ−ＬＣＤ製
造用フォトマスクを示す平面図である。
造用フォトマスクを示す平面図である。
【図１５】本発明の他の実施例に係るＴＦＴ−ＬＣＤ製
造用フォトマスクを示す平面図である。
造用フォトマスクを示す平面図である。
【図１６】本発明のさらに他の実施例に係るＴＦＴ−Ｌ
ＣＤ製造用フォトマスク等を示す平面図である。
ＣＤ製造用フォトマスク等を示す平面図である。
【図１７】本発明のさらに他の実施例に係るＴＦＴ−Ｌ
ＣＤ製造用フォトマスク等を示す平面図である。
ＣＤ製造用フォトマスク等を示す平面図である。
【図１８】本発明のさらに他の実施例に係るＴＦＴ−Ｌ
ＣＤ製造用フォトマスク等を示す平面図である。
ＣＤ製造用フォトマスク等を示す平面図である。
【図１９】本発明のさらに他の実施例に係るＴＦＴ−Ｌ
ＣＤ製造用フォトマスク等を示す平面図である。
ＣＤ製造用フォトマスク等を示す平面図である。
【図２０】本発明のさらに他の実施例に係るＴＦＴ−Ｌ
ＣＤ製造用フォトマスク等を示す平面図である。
ＣＤ製造用フォトマスク等を示す平面図である。
２ ゲート電極 ４ｂ チャネル部 ６ａ ソース ６ｂ ドレイン ３０ 透光性基板 ３１、６１ａ、６２ａ、６３ａ、６４ａ、６５ａ 第
１遮蔽パターン ３２、６１ｂ、６２ｂ、６３ｂ、６４ｂ、６５ｂ 第
２遮蔽パターン ３３、６１ｃ、６２ｃ、６３ｃ、６４ｃ、６５ｃ 第
３遮蔽パターン ４０、６１、６２、６３、６４、６５、７１、７２、７
３、７４、７５ 遮蔽パターン ５０ フォトマスク
１遮蔽パターン ３２、６１ｂ、６２ｂ、６３ｂ、６４ｂ、６５ｂ 第
２遮蔽パターン ３３、６１ｃ、６２ｃ、６３ｃ、６４ｃ、６５ｃ 第
３遮蔽パターン ４０、６１、６２、６３、６４、６５、７１、７２、７
３、７４、７５ 遮蔽パターン ５０ フォトマスク
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｆターム(参考） 2H091 FA02Y FA35Y GA01 GA13 LA30 2H092 JA24 JA34 JA37 JA41 MA13 MA14 MA16 NA21 PA01 PA08 PA09 2H095 BA12 BB02 BB32 BB33 BC09 5F110 AA06 AA30 BB01 CC07 DD02 EE02 EE43 GG02 GG15 HK09 HK16 QQ02
Claims (12)
- 【請求項１】 透光性基板と、前記透光性基板上に形成
された遮蔽パターンで構成され、 前記遮蔽パターンは、ソース、及びドレイン形成領域を
覆うように隔離して配置されるボックス（Ｂｏｘ）タイ
プの一対の第１遮蔽パターンと、前記第１遮蔽パターン
の間に配置され半透過領域を構成するバー（Ｂａｒ）タ
イプの一対の第２遮蔽パターン、及びチャネル部終端で
光透過領域と遮蔽領域間の境界が形成されるように、前
記第１及び第２遮蔽パターンの下部及び上部のそれぞれ
に配置されるバータイプの第３遮蔽パターンを含むこと
を特徴とする薄膜トランジスタ液晶表示装置製造用フォ
トマスク。 - 【請求項２】 前記第２遮蔽パターンは、ドット形パタ
ーンがバータイプに配置された構造であることを特徴と
する請求項１記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置製造
用フォトマスク。 - 【請求項３】 前記第３遮蔽パターンは、両終端が、前
記第１遮蔽パターンの一面と連結され、前記第２遮蔽パ
ターンとは連結されていない構造であることを特徴とす
る請求項１記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置製造用
フォトマスク。 - 【請求項４】 前記第２遮蔽パターンは、ドット形パタ
ーンがバータイプに配置された構造であることを特徴と
する請求項３記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置製造
用フォトマスク。 - 【請求項５】 前記第３遮蔽パターンは、両終端が、第
１遮蔽パターンの一面と連結され、前記第２遮蔽パター
ンとも連結された構造であることを特徴とする請求項１
記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置製造用フォトマス
ク。 - 【請求項６】 前記第２遮蔽パターンは、ドット形パタ
ーンがバータイプに配置された構造であることを特徴と
する請求項５記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置製造
用フォトマスク。 - 【請求項７】 前記第３遮蔽パターンは、両終端が前記
第１遮蔽パターンの一面と連結され、前記第２遮蔽パタ
ーンとは連結されず、バー中央部より分割・分離された
構造であることを特徴とする請求項３記載の薄膜トラン
ジスタ液晶表示装置製造用フォトマスク。 - 【請求項８】 前記第２遮蔽パターンは、ドット形パタ
ーンがバータイプに配置された構造であることを特徴と
する請求項７記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置製造
用フォトマスク。 - 【請求項９】 前記第３遮蔽パターンは、分離された端
部が前記第２遮蔽パターンの終端と連結された構造であ
ることを特徴とする請求項７記載の薄膜トランジスタ液
晶表示装置製造用フォトマスク。 - 【請求項１０】 前記第２遮蔽パターンは、ドット形パ
ターンがバータイプに配置された構造であることを特徴
とする請求項９記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置製
造用フォトマスク。 - 【請求項１１】 前記第３遮蔽パターンは、前記第２遮
蔽パターンの終端と連結され、前記第１遮蔽パターンと
は連結されていない構造であることを特徴とする請求項
７記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置製造用フォトマ
スク。 - 【請求項１２】 前記第２遮蔽パターンは、ドット形パ
ターンがバータイプに配置された構造であることを特徴
とする請求項１１記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置
製造用フォトマスク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0029775A KR100494683B1 (ko) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 4-마스크를 이용한 박막 트랜지스터 액정표시장치의제조시에 사용하는 할프톤 노광 공정용 포토 마스크 |
| KR2000/P29775 | 2000-05-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002055364A true JP2002055364A (ja) | 2002-02-20 |
| JP3932395B2 JP3932395B2 (ja) | 2007-06-20 |
Family
ID=19670932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001163372A Expired - Lifetime JP3932395B2 (ja) | 2000-05-31 | 2001-05-30 | 薄膜トランジスタ液晶表示装置製造用フォトマスク |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6653028B2 (ja) |
| JP (1) | JP3932395B2 (ja) |
| KR (1) | KR100494683B1 (ja) |
| TW (1) | TW505973B (ja) |
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