JP2001520450A - 高透明性非金属カソード - Google Patents
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Abstract
Description
属カソードに用いられる非金属カソードに関する。詳しくは、本発明は、高度に
透明な非金属カソードを有する有機発光デバイス(装置)(OLED)に関する
。本発明は、更に少なくとも一つの電子輸送部分及び少なくとも一つのホール輸
送部分を有する分子を含む化合物を含む電荷キャリヤー層を有する新規なOLE
D、アズラクトン関連ドーパントを含む発光層を有するOLED、燐光ドーパン
ト化合物を含む発光層を有するOLED、又は対称性分子構造を有する化合物か
らなるガラス状有機ホール輸送材料を含むホール輸送層を有するOLEDに関す
る。
逆を行うデバイスの外、電気的方法によって光信号を検出するデバイスが含まれ
る。そのようなデバイスには、光検出器、光トランジスタ、太陽電池、発光ダイ
オード、及びレーザーが含まれる。そのようなデバイスには、典型的には電極の
間に少なくとも一つの電荷キャリヤー層を有する一対の電極が含まれる。デバイ
スの機能により、電荷キャリヤー層(単数又は複数)は、デバイスを通って電圧
を印加すると、エレクトロルミネッセンスを与える材料(単数又は複数)からな
るか、又は層(単数又は複数)は光放射線に曝すと光電池効果を発生することが
できるヘテロ接合を形成する。
電圧を印加することによりエレクトロルミネッセンスを起こすことができるよう
にされる有機材料からなる。C.W.タング(Tang)その他、Appl.P
hys.Lett.51,913(1987)。或るOLEDは、LCD系天然
色平面パネル表示器に対する実際的な新しい技術として用いられるのに充分な輝
度、色の範囲、及び作動寿命を有することが示されている。S.R.フォレスト
(Forrest)、P.E.バローズ(Burrows)、及びM.E.トム
プソン(Thompson)、Laser Focus World,Feb.
1995。そのような装置で用いられる有機薄膜の多くは可視スペクトル範囲で
透明であるが、それらは垂直に積み重ねられた幾何学的形態で赤(R)、緑(G
)、及び青(B)発光OLEDが配置されている完全に新しい型の表示ピクセル
の実現を可能にし、簡単な製法、小さなR−G−Bピクセルサイズ、及び大きな
密度因子を与える。米国特許第5,707,745号。この特許には、色調節可
能な表示装置で、強度及び色の両方を独立に変えることができ、外部電源によっ
て調節することができる積層OLED(SOLED)が記載されている。集積S
OLEDの各々の層は、独立にアドレスすることができ、それ自身の特性色を発
光する。この着色発光は、隣接して積層された透明な独立にアドレスされる有機
層(単数又は複数)、透明接点、及びガラス基板を通って伝達され、これによっ
て装置が、発光層の相対的出力を変えることによって生じさせることができるど
のような色でも発光することができる。米国特許第5,707,745号は、こ
のように小さなピクセルサイズによって可能になる大きな解像力を与える集積天
然色ピクセルを達成する原理を例示している。更に、従来の方法と比較して比較
的低いコストの製法をそのような装置を製造するために用いることができる。
Gu)、P.E.バローズ、M.E.トムプソン、及びS.R.フォレスト、N
ature 380,29(1996)〕は、大きな解像力、独立にアドレス可
能な積層R−G−Bピクセルを実現するための更に重要な工程を示しているが、
これは米国特許第5,703,436号明細書に報告されており、この場合TO
LEDはスイッチを切った時に71%より大きな透明性を有し、装置のスイッチ
を入れた時、大きな効率(1%に近い量子効率)を持ってデバイスの上面及び底
面の両方から光を発する。このTOLEDは、ホール注入電極としてインジウム
錫酸化物(ITO)を用い、電子注入のためにMg−Ag−ITO電極層を用い
ている。 Mg−Ag−ITO電極層のITO側を、TOLEDの一番上に重ね
られた第二の異なった色を発光するOLEDのためのホール注入接点として用い
たデバイスが記載されている。
、一般に発光を与える共通の機構に依存している。典型的には、この機構は、注
入された電子及びホールの発光再結合に基づいている。特に、OLEDはデバイ
スのアノード及びカソードを分離する少なくとも二つの薄い有機層を有する。こ
れら層の一つの材料は、ホールを注入及び輸送する「ホール輸送層」(HTL)
に役立つ材料の能力に基づいて特別に選択され、他方の層の材料は、特に電子を
注入及び輸送する「電子輸送層」(ETL)に役立つその能力に従って選択され
る。そのような構造では、デバイスはアノードに印加した電位がカソードに電位
した電位よりも正である場合、そのデバイスは順方向のバイアスを持つダイオー
ドとして見ることができる。このようなバイアス条件では、アノードはホール(
正電荷キャリヤー)をホール輸送層中に注入し、一方カソードは電子を電子輸送
層中に注入する。このようにしてアノードに隣接したルミネッセンス媒体部分は
、ホール注入部分及び輸送領域を形成し、一方カソードに隣接するルミネッセン
ス媒体部分は電子注入及び輸送領域を形成する。注入されたホール及び電子は、
夫々反対に帯電した電極の方へ移動する。例えば、電子及びホールが同じ分子に
局在している場合、フレンケル励起子が形成される。これらの励起子は一番低い
エネルギーを有する材料中に捕捉される。これら短命状態の再結合は、その伝導
ポテンシャルから価電帯へ落ちる電子として見ることができ、或る条件下では、
好ましくは光発光機構によって起きる緩和を伴う。この典型的な薄層有機デバイ
スの作動機構を考慮に入れて、エレクトロルミネッセンス層は各電極から易動性
電荷キャリヤー(電子及びホール)を受けるルミネッセンス領域を有する。
ミネッセンス発光を生じさせるためにOLED中へ配合する材料と同じものであ
る。電子輸送層又はホール輸送層が発光層として働くそのようなデバイスは、「
単一ヘテロ構造」(SH)を有するものとして言及されている。別法として、エ
レクトロルミネッセンス材料はホール輸送層と電子輸送層との間の別の発光層中
に存在していてもよく、この場合「二重ヘテロ構造」(DH)とし呼ばれる。
が電子と結合して励起子を形成するか、又は電子がETLからHTLへ注入され
て、それらがホールと結合して励起子を形成する。励起子は最も低いエネルギー
ギャップを有する材料中に捕捉され、通常用いられるETL材料は通常用いられ
るHTL材料よりも一般に小さなエネルギーギャップを有するので、単一ヘテロ
構造デバイスの発光層は典型的にはETLである。そのようなOLEDでは、E
TL及びHTLのために用いられる材料は、ホールをHTLからETL中へ効果
的に注入することができるように、ETL及びHTLのために用いられる材料を
選択すべきである。また、最もよいOLEDは、HTL及びETL材料の最大占
有分子軌道(HOMO)レベルの間で良好なエネルギーレベルの一致を与えるも
のと考えられる。二重ヘテロ構造OLEDでは、ホールはHTLから注入され、
電子はHTLから別の発光層へ注入され、そこでホールと電子が結合して励起子
を形成する。
金属、例えば、Mg:Agからなっていた。そのような金属カソード層は、電流
のための電気伝導路のみならず、隣接電子輸送層中へ電子を注入する手段を与え
る。しかし、そのような金属層は、スペクトルの可視領域に極めて反射性で吸収
性である。
OLEDのような透明OLEDが望まれるならば、カソードとして機能するのに
充分な厚さを持つが、実質的な光透過又は反射損失を起こす程厚くないようにす
ると言う金属層についてのバランスが確立される必要がある。従って、従来のT
OLEDでは、スパッター蒸着したITOの厚い層で覆った75〜100ÅのM
g:Agを用いており、そのMg:Ag層は、Alq3中へ電子を注入すること
と、ITOスパッタリングからそれを保護することの両方の働きをする。従って
、約70%の透過率を有するデバイスが得られているが、化合物カソードからの
大きな反射が依然として存在している。更に、発光層の少なくとも一つが隣接す
る発光OLEDの金属カソードの間に挟まれているSOLEDデバイスでは、色
調節問題を起こすことがあるミクロ空洞効果が存在する。Z.シェン(Shen
)、P.E.バローズ、V.バロビック(Bulovic)、S.R.フォレス
ト、及びM.E.トムプソン、Science 276,2009(1997)
。そのようなミクロ空洞効果は、発光した光の望ましくない角度依存性をもたら
すことがある。更に、薄いMg:Ag層は雰囲気劣化に敏感であり、従って、O
LEDのカソードとして働くそれらの効果性を維持させるように、特別な設計及
び処理工程を必要とする。
が報告されているが、そのようなITOカソードは電荷キャリヤー有機層をIT
O層の上に堆積することにより製造されていることが記載されている。N.カー
ル(Karl)、A.バウエル(Bauer)、J.ホルゼーフェル(Holz
aeofel)、J.マークタンネル(Marktanner)、M.メーブス
(Moebus)、及びF.ステルツェレ(Sstoelzle)、「効率的有
機光電池:励起子光収集の役割、界面への励起子拡散、電荷分離のための内部電
場、及び高電荷キャリヤー易動度」(Efficient Organic P
hotovoltaic Cells:The Role of Exiton
ic Light Collection,Exciton Diffusio
n to Interfaces,Internal Fields for
Charge Separation,and High Charg Car
rier Mobilities)、Molecular Crystals
and Liquid Crystals,Vol.252,pp.243−2
58,(1994)(Karl et al)及びホワイトロック(Whitl
ock)J.B.、パナヨタトス(Panayotatos)P.、シャーマ(
Sharma)G.D.、コックス(Cox)M.D.、シェーバー(Save
rs)R.R.、及びバード(Bird)G.R.、「有機半導体太陽電池のた
めの材料及びデバイス構造の研究」(Investigations of M
aterials and Device Structures for O
rganic Semiconductor Solar Cells)Opt
ical Eng.,Vol.32,No.8,1921−1934(Augu
st 1993)(Whitlock et al)。有機層が上に堆積されて
いるITO層は、隣接有機層と低抵抗電気接触を形成するとは予想されてはおら
ず、従って、下でOLEDについて確認するように、効果的なカソードとして機
能を果たすとは予想されていなかったであろう。
置を作ることができることが望ましいであろう。更に、そのような高度に透明な
カソードが、例えば、OLEDで、カソード層として典型的に用いられているM
g:Agのような薄い半透明低仕事関数金属層に匹敵する電子注入特性を依然と
して有することが望ましいであろう。種々の化合物がHTL材料又はETL材料
として用いられてきている。HTL材料は、殆ど種々の形のトリアリールアミン
からなり、それは大きなホール易動度(10−3cm2/Vs)を示す。OLE
Dに用いられるETLには幾らか更に変えたものが存在する。アルミニウムトリ
ス(8−ヒドロキシキノレート)(Alq3)は、最も一般的なETL材料であ
り、他のものにはオキシジアゾール、トリアゾール、及びトリアジンが含まれる
。
g:Agから作られている。ITOはアノードとして働き、N,N′−ジフェニ
ル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−1,1′ビフェニル−4,4′ジ
アミン(TPD)はHTLとして働き、Alq3はETLとして働き、Mg:A
gはカソードとして働く。デバイスにバイアスを印加すると、ホールはITOか
らTPD中へ注入され、TPDとAlq3との間の界面へ移動し、電子はMg:
Ag合金からAlq3へ注入され、同じ界面へ移動する。ホールはTPDからA
lq3へ注入され、そこでそれらは電子と結合して励起子を形成する。励起子は
Alq3層を通ってランダムに拡散し、最後にそれらは、優先的に発光機構によ
り再結合する。そのようなデバイスのAlq3層中での励起子の最大移動距離は
、Alq3中、約300Åであると推定される。
度しか持たない。その結果、励起子の形成は、典型的には低い易動度を有する電
荷キャリヤーが発光層中へ注入される界面に非常に近い所で起きる。例えば、殆
どのETL材料は非常に貧弱なホール伝導性を有し、そのため励起子は発光ET
Lを有する単一ヘテロ構造OLEDのHTL/ETL界面に非常に近い所で優先
的に形成されることになる。励起子は非常に短命なので、それらは再結合する前
に余り遠くまで移動できない。その結果、ETLの僅かな堆積部分しか励起子の
形成及び再結合に利用されない。励起子形成及び再結合のために発光層の僅かな
堆積部分しか利用されないことは、OLEDの寿命を短くすることになる。従っ
て、大きな電子易動度及び大きなホール易動度を有し、その結果励起子形成が装
置の合理的な堆積部分で起きるようになる発光層が必要である。例えば、大きな
ホール易動度を有し、その結果励起子形成及び発光が、発光ETLを有する単一
ヘテロ構造OLEDのETLの合理的な堆積部分で起きるようになるETLに対
する必要性が存在する。
ETL材料中へのホールの拡散を増大することが先ず考えられる。この考えは、
最初ホール輸送部分及び電子輸送部分の両方を重合体マトリックス中に混合した
種々の重合体系で例示された。最も一般に用いられる組合せは、PVK(ポリビ
ニルカルバゾール)がホール輸送体として働き、PBD〔2−(4−t−ブチル
フェニル)−5−(4−フェニル−1−フェニレン)オキシダゾール〕は電子輸
送体として働くPVK/PBD系である。数多くの異なった色素が、青から赤の
色を発生する発光中心としてこの系にドープされている。
ンリガンド及びフェノレートリガンド輸送体、Alq′2(OAr)を有する一
連のアルミニウム(III)錯体が記載されている。これらの物質の全てが青色
エミッターであり、合理的な電子ビーム輸送体である。それらのデバイスは、T
PDとAlq3との間に挟んだAlq′2(OAr)を用いて製造されてきた。
この形態は、Mg−Ag電極からの電子注入がよくないために必要である。それ
にも拘わらずこれらの装置はそれらのエレクトロルミネッセンス(EL)スペク
トルで青緑色発光を示し、それらの光ルミネッセンス(PL)スペクトルと殆ど
同様である。これらの化合物は、青色発光を与えるペリレンのような他の蛍光色
素をドープするためのホスト材料として良好な性質も示している。しかし、ET
L材料はホール輸送体としてはよくない。
フェニルアミンを有する一連の新しい発光材料が設計されてきた。タモト(Ta
moto)、その他、「1,3,4−オキサジアゾールのエレクトロルミネッセ
ンス及び有機多層発光ダイオード中のエミッターとしてのトリフェニルアミン−
含有分子」(Electroluminescence of 1,3,4−O
xadiazole and Triphenylamine−Contain
ing Molecules as an Emitter in Organ
ic Multilayer Light Emitting Diodes)
、Chem.Mater.9,1077−1085(1997)。これらの発光
材料から形成された層は、低いイオン化電位を有するホール輸送体で励起状態複
合体を形成する蛍光がある。励起状態複合体が形成されない場合、高い外部量子
効率及びエネルギー変換効率が観察されている。しかし、これらの材料からなる
デバイスは、ルミネッセンス寿命が低い欠点を有する。これらの発光材料はホー
ルよりも電子を移動させる蛍光が大きいことも発見されている。
しての機能を持つ発光材料の外に、発光材料自身が電子輸送層中のドーパントと
して比較的低い濃度で存在していてもよい。ドーパントが存在する場合、電子輸
送層中の主たる材料は、ホスト材料と呼ばれている。ホスト及びドーパントとし
て存在する材料は、ホストからドーパント材料へ高レベルのエネルギー移動を与
えるように選択する。更に、これらの材料はOLEDとして許容可能な電気的性
質を生ずることができる必要がある。更に、そのようなホスト及びドーパント材
料は、従来の製法を用いて、特に真空蒸着法を用いて、OLED中へ容易に組み
込むことができる出発材料を用いてOLED中へ配合することができることが好
ましい。
を持つ比較的狭い帯域のエレクトロルミネッセンス発光を与え、従って、OLE
D又はSOLED中の着色層として用いることができる材料を用いてOLEDを
製造することが望ましい。特に、電荷移動遷移から発光を生ずる基本的化合物を
置換基を選択的に変化させるか、又はその構造を変えることにより発光を変える
ことができる種類の化合物からこれらの化合物を選択することができることが望
ましい。更に、そのような化合物は、真空蒸着された有機材料から完全に製造さ
れるOLED中へ容易に配合されるように、真空蒸着法を用いて薄層として容易
に蒸着できることも望ましい。
ictoria)が記載されている。R.ハイム(Heim)、A.B.クビッ
ト(Cubitt)、及びR.Y.チエン(Tsien)、Nature 37
3,663−664(1995)。報告されているスペクトルは、大略510n
mの所に中心があり、40nmの半値幅を有し、この発光の原因になっているの
は次の活性活性発色団であることが示されている。
身のSer−Tyr−Gly配列の環化及び酸化により発生することが報告され
ており、「prot」として標識付けされた蛋白質に二か所で結合されている。
著しく青色に移行した発光を生ずるその蛋白質の突然変異体が報告されている。
青色への移行は、色素自身の変化によるものではなく、色素が結合している蛋白
質マトリックス中の変化によるものであることが報告されている。R.ハイム、
D.C.プラシャー(Prasher)、及びR.Y.チエン、Proc.Na
t.Acad.Sci.,91,12501−12504(1994)。これら
の色素中の蛍光は、フェノキシド イオン供与体及びカルボニル受容体を含めた
供与体/受容体網状組織から生ずる。ハイムの文献は、蛋白質の試験管内及び完
全細胞内の両方でそれらの位置又は適応変化を検出するために蛍光タッグで標識
付けするために発色団を使用することを述べている。しかし、これらの文献は分
離された発色団分子そのものを製造又は使用することについてはなにも述べてい
ない。
る種類のアズラクトン関連化合物に関し、この場合ドーパントの発光が、その発
光を生ずる基本化合物の構造を変えるか、又は成分を選択的に変化することによ
り変化させることができる。そのような化合物は、真空蒸着法を用いて薄層とし
て容易に堆積することができ、その結果それは真空蒸着有機材料から完全に製造
されるOLED中へ容易に配合することができる。アズラクトンを要約した概説
論文には、蛍光性についてはなにも記載しておらず、これらの化合物についての
用途についてもなにも述べていない。Y.S.ラオ(Rao)及びR.フィラー
(Filler)、Synthesis 749−764(1975)。
,333は、飽和赤色発光を生ずる発光化合物を含むOLEDに関する。発光層
は、式I:
ール、及び置換アリールからなる群から選択され、 R9及びR10は、一緒になって融合環を形成していてもよく、 M1は、二価、三価、又は四価の金属であり、 a、b及びcは、夫々0又は1であり、然も、XがCである場合、aは1であ
り;XがNである場合、aは0であり;cが1である場合、bは0であり;bが
1である場合cは0である。) により表される化学構造を有する発光化合物からなる。
は、X=C;R8=フェニル;R9=R10=H;c=0;及びb=1の場合の
式Iの発光化合物を含んでいる。この化合物は、化学名5,10,15,20−
テトラフェニル−21H,23H−ポルフィン(TPP)を有する。TPP含有
発光層を有するOLEDは、二つの狭い帯域からなる発光スペクトルを生じ、そ
れは図1に示すように、約650及び約713nmの所に中心を有する。このデ
バイスからの発光は、TPPドーパントからの蛍光を含んでいる。TPPドープ
デバイスについての問題の一つは、発光の約40%を占める713nmでの狭い
帯域が、表示用途に有用な範囲内に入っていないことである。第二の問題は、T
PPドープOLEDは非常に不安定であり、そのためそのようなデバイスの保存
寿命が非常に短いのが典型的である。TPPドープ装置のこれらの二つの特徴が
改善されることが望ましいであろう。本発明は、従来のデバイスのこれらの問題
に対処することを目的としている。
大部分が非発光三重項電子状態になっていることが一般に理解されている。その
ような三重項状態の形成は、OLEDの励起エネルギーの基底状態への無放射遷
移による実質的な損失を与える結果になる。この励起子三重項状態を通るエネル
ギー遷移経路を利用することにより、例えば、励起子三重項状態エネルギーを発
光物質へ移行させることにより、全OLED量子効率を向上させることができれ
ば望ましいであろう。残念ながら励起三項重状態からのエネルギーは或る環境下
で燐光発光分子の三重項状態へ効果的に転移させることができることは知られて
いるが、燐光消滅速度が、表示デバイスで用いるのに適切になる程充分速いもの
とは考えられていない。本発明は、更に従来のデバイスのそのような問題にも対
処したOLEDにも関する。
ある(例えば、溶融、結晶形成、熱膨張等)。この失敗状態は、ホール輸送材料
を用いて行われた研究に見ることができる。K.ナイトウ(Naito)及びA
.ミウラ(Miura)、J.Phys.Chem.97,6240−6248
(1993);S.トキト(Tokito)、H.タナカ(Tanaka)、A
.オカダ(Okada)、及びY.タガ(Taga)、Appl.Phys.L
ett.69,(7),878−880(1996);Y.シロタ(Shiro
ta)、T.コバタ(Kobata)、及びN.ノマ(Noma)、Chem.
Lett.1145−1148(1989);T.ノダ(Noda)、I.イマ
エ(Imae)、N.ノマ、及びY.シロタ、Adv.Mater.9,No.
3(1997);E.ハン(Han)、L.ド(Do)、M.フジヒラ(Fuj
ihira)、H.イナダ(Inada)、及びY.シロタ、J.Appl.P
hys.80,(6)3297−701(1996);T.ノダ、H.オガワ(
Ojawa)、N.ノマ、及びY.シロタ、Appl.Phys.Lett.7
0,(6)699−701(1997);S.バン・スライケ(Van Sly
ke)、C.チェン(Chen)、及びC.タング(Tang)、Appl.P
hys.Lett.69,15,2160−2162(1996);及び米国特
許第5,061,569号。
の有機層に用いるのに望ましい。なぜなら、ガラスは一層大きな透明性を与える
と共に、材料の結晶形の薄膜を製造する場合に典型的に生ずる多結晶材料と比較
して、優れた全電荷キャリヤー特性を生ずることができるからである。しかし、
有機層の熱誘発変形により、もしガラス有機層がそのTgより高く加熱されると
、OLEDの壊滅的な不可逆的失敗をもたらすことがある。更に、ガラス有機層
の熱誘発変形は、Tgよりも低い温度で起きることがあり、そのような変形の速
度は、変形が起きる温度とTgとの差に依存する。結局、OLEDの寿命は、装
置がTgより高く加熱されていない場合でも、有機層のTgに依存する。その結
果、OLEDの有機層に用いることができる高いTgを有する有機材料が必要で
ある。
橋ジアミンである、化学構造:
1′ビフェニル−4,4′−ジアミン(TPD)である。この物質は、良好なホ
ール易動度を有し、簡単な単一ヘテロ構造OLED中でアルミニウム トリス(
8−ヒドロキシキノリン)へ効果的にホールを移動させる。しかし、TPDは1
67℃の融点を有し、65℃のガラス転移温度を有する。もしTPDを用いて製
造した装置を65℃のガラス転移温度より高く加熱すると、壊滅的な不可逆的破
壊が起きる。HTLのガラス転移温度を高くするために、幾つかのグループがT
PDの基本的構造に対する異なった修正構造を開発した。ナイトウ(Naito
)等;トキトウ(Tokito)等;シロタ等;ノダ等(Adv.Mater.
);ハン(Han)等;ノダ等(Appl.Phys.Lett.);バン・ス
ライケ等;及び米国特許第5,061,569号。これらの研究は150℃位い
の高いTg値を有する材料をもたらしているが、彼らは、或る構造変更がTgを
上昇させるのに、他の変更は全くTgに影響を与えないか、又はTgを低くする
ことさえあるのか理解するに至っていない。更に別の変更は、ガラス転移温度を
全く持たない材料、又はHTLで用いるのに適した性質の組合せを持たない材料
を生ずることがある。例えば、TPDのアミン基をカルバゾール基で置き換えて
、化学構造:
と、融点が285℃まで上昇する。しかし、この材料はガラス転移を示さない。
TPDの基本的構造を更に変化させると、Tg値が一層高く上昇するが、それら
材料は屡々TPDよりも劣ったホール輸送特性を有し、即ち、これらの高温材料
を用いて作ったOLEDは、TPDに比較してOLEDに貧弱なデバイス特性を
与える。
部分を有し、更にその第三級アミン窒素原子に結合した少なくとも二つの融合芳
香族環を有する芳香族部分を含むホール輸送材料が記載されている。そこに記載
されている広範な種類の化合物によって包含される多数の化合物の中で、米国特
許第5,061,569号は、高いガラス転移温度を有する化合物の選択の仕方
を記載していない。例えば、ナフチル誘導体は安定なガラスを作らない。一つの
そのような分子は、化学構造:
ェニル(α−NPD)である。本発明者の測定ではα−NPDは100〜105
℃のTgをもち、それはTPDの65℃のTgよりも実質的に高い。この材料は
優れたホール伝導特性を有し、100〜105℃のTgは約65℃のTPDのT
gよりも高い。NPDを用いて作ったOLEDは、TPDを用いて作ったものに
非常に似た電気的性質を有する。しかし、構造:
ェニル(β−NPD)は、一般にα−誘導体よりも実質的に低いTgを有すると
理解されてきた。明らかにこのα−誘導体とβ−誘導体との意図的に低い異常な
差のために、OLEDのホール輸送材料としてβ−誘導体を用いる報告は知られ
ていなかった。
えながら、改良された温度安定性を有するガラス状電荷キャリヤー材料から製造
することができることが望ましいであろう。ここで用いられている用語「電荷キ
ャリヤー層」とは、二重ヘテロ構造を有するOLEDのホール輸送層、電子輸送
層、又は別の発光層を指す。更に、特に、高いガラス転移温度を有するガラス状
電荷キャリヤー材料を特徴とする、改良された温度安定性を有するそのようなガ
ラス状電荷キャリヤー材料を選択し、製造するための方法を有することは有用で
あろう。
いTgを有する材料は、一般にホール輸送特性が良くない。良好なホール輸送特
性を有するHTLを用いることにより、一層高い量子効率、一層低いOLEDを
通る抵抗、一層高い電力量子効率、及び一層大きなルミネッセンスのような望ま
しい性質を有するOLEDが得られる。従って、大きいホール易動度及び高いガ
ラス転移温度を有するHTLが要求されている。
ドに関する。
明な非金属カソードに関する。
カソードに関し、それらは半透明な金属カソードに匹敵する電子注入特性を有し
、然も、少なくとも約85%まで、或は更にそれより高い光透過率を有する。
LED)に関する。
うな無機半導体材料を有するOLEDに関する。
に関する。
センス領域への電子の注入及び移動を促進することができ、更にカソード層の堆
積中に下の有機層を損傷しないように保護することができる有機保護層と接触し
た非金属カソードを有する。この有機保護層は、装置のルミネッセンス領域中の
電子輸送層と直接接触していてもよく、或はこれら二つの層の間に、OLEDの
ルミネッセンス領域への電子の輸送を更に促進する付加的電子輸送層が存在して
いてもよい。
電気伝導性非金属層を有するカソードを形成することを含むカソード製造方法に
関し、この場合その形成には、電気伝導性非金属層と半導体有機層との間に、そ
の電気伝導性非金属物質を半導体有機層と低抵抗電気接触させる領域を形成する
工程を有する。
る。
する有機発光装置(OLED)に関し、この場合そのヘテロ構造は、少なくとも
一つの電子輸送部分及び少なくとも一つのホール輸送部分を有する分子を持つ化
合物を含む電荷キャリヤー層を有し、その電子輸送部分は、Al、Ga、又はI
nのような第III族金属に配位した2−メチル−8−キノリノラト リガンド
である。ホール輸送部分はホール輸送アミン部分である。そのようなホール輸送
アミン部分の一つの例はトリアリールアミン誘導フェノキシドである。従って、
その化合物は、例えば、電子輸送部分としてAlに配位した二つの2−メチル−
8−キノリノラト リガンド及びホール輸送部分として一つのトリアリールアミ
ン誘導フェノキシドを有する。
分子を有する化合物を含む電荷キャリヤー層は、単一ヘテロ構造のETLのよう
な発光層でもよく、又は二重ヘテロ構造の別の発光層でもよい。この化合物は、
OLEDのETLとカソードとの間に配置された電子注入促進層のような、カソ
ードからETLへの電子の注入を促進するか、又はOLEDのHTLとアノード
との間に配置された、アノードからHTLへのホールの注入を促進するホール注
入促進層のような、注入促進層として用いることもできる。
を単一ヘテロ構造のHTL/ETL界面から遠く移動させ、最終的にETLの大
きな体積に亙って電子と再結合させることができる。この特徴はOLEDの寿命
を増大すると考えられる。
る種類のアズラクトン関連化合物に関する。
ネッセンスを生ずる種類のアズラクトン関連化合物から選択されたドーパント化
合物に関する。
発光デバイス及びその有機発光デバイスを製造する方法に関し、この場合そのヘ
テロ構造はアズラクトン関連化合物を含む発光層を有する。
及びそのOLED製法に関し、この場合燐光減衰速度は、表示デバイスの必要条
件を満たすのに充分な速さを持っている。
、そのエネルギーを燐光放射線として発光することができる材料を有するOLE
Dに関する。
していることであり、そのエネルギーは無発光エネルギー転移及び緩和過程によ
りOLED内で浪費されるのが典型的なものである。本発明は、更に高度に飽和
した赤色発光を生ずることができる材料から構成されてOLEDに関する。特に
本発明のOLEDは、トリス−8−ヒドロキシキノリン−アルミニウム(Alq
3)からなる電子輸送層中でPtOEPをドープした場合に、640nm近くに
ピークを有する狭い発光帯域を生ずる化合物である白金オクタエチルポルフィン
(PtOEP)から構成することもできる。そのような発光は高度に飽和した赤
色発光として認められる。
間周囲の環境条件に曝した場合、従来の装置に匹敵する安定性、特にTPPドー
プデバイスと比較して確実に一層長い保存寿命安定性を有することである。
発光を生じ、そのため人間の目の視感反応機能が、PtOEPドープOLEDと
比較して著しく増大した材料及びOLEDの製法に関する。
方法に関し、この場合その燐光化合物はPtOEPのような化合物の四重対称性
と比較して減少した対称性を有する白金ポルフィン化合物になるように選択する
ことができ、その結果、飽和赤色として認められるスペクトル範囲中に依然とし
て入りながら、目の感度曲線のピークの方へ移行した発光ピークを有する化合物
を得ることができる。
センスを発生するためのヘテロ構造を有する有機発光デバイスに関する。ホール
輸送層は、対称性分子構造を有する化合物から構成することができる。対称性分
子の末端基は、二つのアレンの間の飽和結合を有するホール輸送アミン部分であ
る。
らかになるであろう。
らの態様は例示のための例としてのみ与えられており、本発明がそれらに限定さ
れるものではないことを理解すべきである。
層からなる新規なカソードに関する。そのようなカソードは、広範な範囲の電気
デバイスで用いることができる。特に、本発明のカソードは高度に透明な材料か
ら作られており、そのようなカソードはOLED、太陽電池、光検出器、レーザ
ー及び光トランジスタのような有機光電子デバイスで用いるのに特別な利点を有
する。S.R.ホレスト(Forrest)、Chem.Rev.97,179
3(1997)。電子輸送材料からなる少なくとも一つの電子輸送層(ETL)
及びホール輸送材料からなる少なくとも一つのホール輸送層(HTL)を有する
光電子デバイスでは、カソードはデバイスのETL側上の電極として同定され、
アノードはそのデバイスのHTL側上の電極として同定される。OLEDでは、
例えば、カソードはETL中へ電子を注入する電極として言及され、アノードは
HTL中へホールを注入する電極として言及されている。ホールをHTL中へ注
入するのは、HTLから電子を取り出すのと同等である。
ことにより、隣接するHTL又はETLと直接接触した層として存在するのが典
型的である。別法として、付加的有機層をアノードと有機HTLとの間に存在さ
せてもよいことが同時出願の米国特許出願Serial No.08/865,
491に記載されている。保護層又はホール注入促進層として言及されているそ
のような付加的層は、電極層の堆積中に下にある有機層を保護するための保護層
として且つ(又は)アノードのホール注入効率を増大するための促進層としての
機能を果たすことが開示されている。例えば、Serial No.08/86
5,791には、例えば、亜鉛フタロシアニン(ZnPc)、又は銅フタロシア
ニン(CuPc)のようなフタロシアニン化合物、又はPTCDAの保護層は、
有機HTLの上に堆積することができ、後のITOアノード層のスパッタリング
蒸着中の有機層を保護することができることが開示されている。Serial
No.08/865,491には、更にその保護層が、或る場合にはホール注入
アノードのホール注入効率を向上することが記載されている。
ソード/有機層界面を有するOLEDのような特に有用な光電子デバイスは、現
在まで、そのような光電子デバイスの性能が金属カソード層の大きな反射性によ
って悪影響を受ける傾向があるにも拘わらず、光放射線の適度な吸収と同様、本
来大きな反射性を有する金属カソード材料から構成されてきた。高度の透明性が
望まれるOLEDのような光電子デバイスでは、半透明の金属カソード層は非常
に薄い金属層を用いて製造されるのが典型的である。それにも拘わらず、金属カ
ソード材料の大きな電気伝導度に本来関係している金属の大きな反射性は、依然
としてデバイスの全性能、例えば全デバイスについての量子効率を減少させる重
要な損失を起こしている。
気接触を形成することができることが発見されたことであり、この場合、今後「
カソード/有機層界面」と呼ぶ電気伝導性非金属層/半導体有機層界面が、非金
属カソード層からカソード/有機層界面の半導体有機層を通って、実際上有用な
有機光電子デバイスの隣接するETL中へ電子を効果的に注入することができる
。従って、カソード/有機層界面の半導体有機層は、ここでは別の言い方で、電
子注入界面層と呼ぶ。
葉によりここで意味されることを具体的に述べると、そのような接触とは、カソ
ード/有機層界面を通る電圧降下が、デバイスの残りの部分を通る全電圧降下よ
りも大きくならないこと、即ち、カソード/有機層界面を通る電圧降下が、全デ
バイスを通る全電圧降下の約50%より小さいような接触である。カソード/有
機層界面を通る電圧降下は、全電圧降下の約30%より小さいのが好ましい。
こで用語「非金属」とは、材料が化学的に結合していない形の金属を含まないこ
とを条件として、広い範囲の材料を包含することを意味している。金属がその化
学的に結合していない形で存在する場合、単独又は合金のように一種以上の他の
金属との組合せになっている場合、その金属は、別の言い方として金属状態で存
在しているものとして、又は「遊離金属」として言及することができる。本発明
の非金属カソードは、時々本発明の一人以上の発明者により「金属を含まないカ
ソード」として呼ばれることがあるが、この場合その用語「金属を含まない」と
は、明らかに化学的に結合していない形で金属を含まない材料を包含することを
意味するものである。そのような「非金属」又は「金属を含まない」材料は、「
金属代替物」と呼ぶこともできる。ここで用いられる用語「金属代替物」とは、
通常の定義内で、金属ではないが、適当な前後の関係で金属に似た性質を有する
材料を指す。電極のための一般に用いられている金属代替物は、広いバンドギャ
ップの半導体、例えば、インジウム錫酸化物(ITO)錫酸化物(TO)及びガ
リウム・インジウム・錫酸化物(GITO)のような透明伝導性酸化物が含まれ
る。特にITOは、約320nmより大きな波長に対しそれを透明にする約3.
2eVの光学的バンドギャップを有する高度にドープした縮退n+半導体である
。他の電極材料は、透明伝導性重合体ポリアナリン(PANI)及びその化学的
関連物である。
金を含まない、即ち、遊離金属を含まないことを特徴とする非金属カソード材料
に関するが、カソード材料は低い含有量で遊離金属をその金属状態で含んでいる
ことがあっても依然として本発明の範囲及び本質内に入ることは理解されるべき
である。即ち、好ましいカソード材料は金属状態の遊離金属を含まないことが現
在目的とされたり或は予想されたりすることはないが、本発明の範囲を単に回避
しようとして、或は現在未だ知られていない利点を与えるためでも、わざと低レ
ベルの金属を添加することは、依然として本発明の範囲及び本質内に完全に入る
ものである。従って、本発明の非金属カソード材料は、効果的に遊離金属を含ま
ない材料を包含することを特徴とし、この場合遊離金属を効果的に含まない材料
は、それに対応して温度が絶対0°の方へ低下するにつれて減少する比抵抗を有
する。非金属材料の同時に存在する性質は、遊離金属中に存在する部分的に占め
られた電子伝導帯域が欠如されているために、実際上検出可能な光学的反射を殆
ど示さないことである。
ば、OLEDに用いると、非金属カソード材料が、典型的には低仕事関数の金属
によって与えられるフェルミエネルギー準位を持たないにも拘わらず、カソード
は電子を隣接する有機層中に効果的に注入することができることである。そのよ
うな効果的な電子注入は、電気伝導性非金属層と半導体有機層との間のカソード
/有機層界面では電子注入に対する大きな障壁が予想される事実にも拘わらず起
きる。従って、本発明は、更に電子注入に対するそのような障壁を効果的に減少
させる方法にも関する。
を通る電子流のために低抵抗電気接触を生成するための本発明の方法は、カソー
ド/有機界面の半導体有機層の表面又はその近くに、従って、非金属カソード材
料と半導体有機材料本体との間に損傷領域を与えることを含む。この損傷領域は
、電子輸送のための高密度表面状態、即ち欠陥状態を生じさせるようなやり方で
形成する。これらの表面状態、即ち欠陥状態は、直接には検出されておらず、実
際に容易には直接観察することはできないが、これらの表面状態の存在は、カソ
ード/有機層界面を通る低抵抗電気接触により間接的に証明されるように、電子
輸送に対する実質的に低下した障壁を説明するのに必要であると考えられる。
機層界面の半導体有機層の本体中の伝導電子のエネルギーレベルとの間の中間の
エネルギーレベルで表面状態は存在するものと考えられる。更に、表面状態の分
布は、半導体有機材料と非金属材料との間に通常存在する電子流に対する大きな
障壁にも拘わらず、カソード/有機層界面領域を通って効率的な電子輸送を行う
ことができるエネルギー及び物理的空間の両方で充分緻密になっていると考えら
れる。そのようなカソード/有機層界面を有する非金属カソードは、従って例え
ば、OLEDの隣接ETL中へ電子を注入するための大きな効率を有することが
見出されている。
nPc又はCuPcのようなフタロシアニン化合物が用いられている本発明の代
表的な態様では、有機層の上にITOを堆積した場合だけ低抵抗電気接点が形成
され、有機層をITO層の上に堆積した場合には形成されない。従って、本発明
の更に別な特徴は、カソード/有機層界面を形成するのに好ましいITO及びZ
nPc又はCuPc化合物を用いた場合、本発明は、特に低抵抗電気接触をもた
らすITO堆積速度及びフタロシアニン厚さを用いてフタロシアニン層上に非金
属ITO層を堆積したカソードに関することである。表面で起きる損傷の程度を
制御するようにITOスパッター蒸着工程を適切に制御することにより、希望の
低い抵抗を有するカソード/有機層界面を生成させることができる。本文中別の
所で述べたように、低抵抗電気接点により証明されるような電子輸送に対する低
下した障壁は、有機層の表面又は表面近くに高密度の表面状態により与えられる
ものと考えられる。電気伝導性非金属層と半導体有機層との間の低抵抗接触を有
するカソードを形成するために高密度の表面状態を導入する工程を含む更に別の
方法も、本発明の範囲及び本質内に完全に入る。
射性を持たない極めて効率的な電子輸送カソード/有機層界面を形成することが
できることは、有機光電子デバイスで用いられていた従来既知のカソード材料で
は持つことのできない独特の有利な性質の組合せであると考えられる。従って、
本発明は、ここではその特に代表的な態様に関連して記述されているが、本発明
の範囲及び本質は、半導体有機層と低抵抗電気接触を形成する電気伝導性非金属
層からなるどのようなカソードでも包含するものと考えられる。更に、電気伝導
性非金属材料と半導体有機層との間の電子流に対する障壁を実質的に減少させる
充分高い密度を有する表面状態を形成することを含むどのような方法でも、本発
明の範囲及び本質内に完全に入るものと考えられる。電子流に対する障壁の実質
的減少は、ここで定義するように、カソード/有機層界面の電気伝導性非金属層
と、半導体有機層との間の低抵抗電気接触界面の形成をもたらす減少としてここ
では特定化する。従って、本発明は、界面の一方の側に電気伝導性非金属材料、
その界面の反対側に半導体有機材料を有する界面を形成することを含むカソード
製造方法において、その形成工程が、電気伝導性非金属材料が半導体有機材料と
低抵抗電気接触を形成するカソードとしての働きをすることができるように、電
気伝導性非金属材料と半導体有機材料との間に中間領域を形成する工程を含む製
造方法に関する。
料を用いることにより、一般に、大きな光透過性が望まれるデバイス、特にOL
EDのような光電子デバイスでのカソードとして用いるための高度に透明な材料
を選択することができる特別な利点を与える。従って、本発明の更に別な特徴の
一つは、OLEDのような光電子デバイスを、半透明金属カソードに匹敵する電
子注入特性を持つ高度に透明な非金属カソードを用いて作ることができることで
ある。全装置の最大透過率が約60〜70%になるのが典型的な最も薄い実際的
半透明金属カソードと比較して、本発明の非金属カソードを用いて少なくとも約
85%の光透過率を有するデバイスを製造することができる。
、例えば、透明広バンドギャップ半導体、例えば、少なくとも1eVのバンドギ
ャップ及び入射及び照射放射線について少なくとも50%の透過率を有する広バ
ンドギャップ半導体であるように選択することができる。好ましい広バンドギャ
ップ半導体には、ITO、酸化錫、又はガリウム・インジウム・錫酸化物(GI
TO)のような伝導性酸化物が含まれる。
きる半導体有機材料は、次の性質を持つのが好ましい。
定された損傷だけを与えるのに充分な化学的及び構造体安定性。フタロシアニン
、ナフタロシアニン及びペリレンのような大きな平面状分子が代表的な例である
。更に広がった共役二重結合(例えば、付加的に融合したベンゾ−、ナフタ−、
アントラ−、フェナントレン−、ポリアセン等の基)を有するこれらの化合物の
誘導体も用いることができる。重合体材料は或る環境下で存在していてもよい。
な電子易動度;少なくとも10−6cm2/V秒の値を有するキャリヤー易動度
を有する電気輸送材料は、一般に材料が電子輸送層としての機能を果たすのに充
分であると考えられているが、実質的に一層高い値が一般に好ましい。この場合
も、フタロシアニン及び或るペリレンのような大きな平面状分子が代表的な例で
ある。
有分子軌道と最低非占有分子軌道との間のエネルギーギャップ)との間の差、即
ち、電子注入界面層に用いられる材料の「IP−HOMO/LUMOギャップエ
ネルギー」は、電子が注入されるフイルムのIP−HOMO/LUMOギャップ
エネルギーに等しいか又は好ましくはそれより小さいようなものである。このガ
イドラインは、厳密に従わなければならないような制約と考えられるものではな
く、大略従うように意図されたものである。例えば、このガイドラインからの約
0.5eVの僅かな偏倚は、材料の或る組合せについては許容することができる
。このガイドラインの使用は、接触フイルム(例えば、Alq3)中への電子流
に対するエネルギー障壁が形成されるのを防ぐのに役立つ。
面層としてCuPc又はZnPcのようなフタロシアニンを用いることを含んで
いる。この場合、電気伝導性非金属ITO層は、CuPc又はZnPcの電子注
入界面層を構成する有機保護層にスパッタリング蒸着される。損傷の程度を制御
するように、約100Å〜約300Åの厚さに蒸着されるまで、約1〜約10Å
/分の比較的低い初期蒸着速度でITOを有機層の上にスパッターする。後で更
に詳細に記述するように、そのような電気伝導性非金属層/半導体有機層界面は
、光電子デバイスの他の種類のものに対するのと同様、OLEDで用いるための
低抵抗電気接点を与えることができる。
機発光デバイス(OLED)に関する。非金属カソードを利用したOLEDは、
非常に低い反射性をもち、多層有機構造体について達成される理論的最大値に近
い大きな透明性を有する。そのようなOLEDの低反射性は、特に高コントラス
ト表示用途で用いるのみならず、積層有機発光デバイス(SOLED)で微細空
洞効果を除去するのに用いられる特別な利点を有する。これらの低抵抗非金属カ
ソードを用いたOLEDは、信頼性のある高解像力天然色平面パネル表示器、「
機敏(heads up)」表示器、及び有機系レーザーに特に有用であると予
想される。
ノードとして働くインジウム錫酸化物(ITO)フイルムで予め被覆したガラス
基板の上にTOLEDを堆積する。例えば、TOLEDは、非金属カソード1、
電子注入界面層6、電子輸送層2、ホール輸送層3、アノード層4、及び基板5
を有する。ホール輸送層及び電子輸送層を堆積した後、例えば、銅フタロシアニ
ン(CuPc)の薄膜を堆積することにより電子注入界面層を付加し、次に低電
力無線周波スパッターしたITOをかぶせる。この第二のITO層は、この装置
のカソードとして働く。或る場合には、ITOスパッタリング工程中、下の有機
層に対する損傷を防ぐ保護層としての機能を果たす外、CuPc層はITO層と
一緒になって、隣接する電子輸送層へ電子を送るための電子注入領域としての働
きもする。例えば、4,4′−ジ(N−カルバゾロ)ジフェニル(CBP)の付
加物中間電子輸送層を、図A2bに示したように、第一電子輸送層とCuPc層
の間に存在させてもよい。中間的電子輸送層は、非金属カソード層と低抵抗電気
接触している電子注入界面層と、ホール輸送層と接触している電子輸送層との間
に横たわる。特に、図A2bのOLEDは、非金属層1、電子注入界面層6、中
間電子輸送層7、電子輸送層2、ホール輸送層3、アノード層4、及び基板5を
有する。
Dは、前方及び後方散乱方向にほぼ同じレベルで光を発し、全外部量子効率は約
0.3%になる。これらのデバイスは可視域で80%以上の透過率を有する。本
発明により製造されたOLEDの反射及び吸収特性、電流・電圧、輝度・電流、
及びエレクトロルミネッセンススペクトルは、ITOをかぶせたMg:Agの薄
膜からなる一層反射性のカソードを用いた従来のTOLEDに少なくと匹敵する
か、或る点ではそれより優れた性能特性を示している。
較することにより分かるように、本発明によるTOLEDは、180時間で光出
力の僅か約2倍の低下を示しているのに対し、従来のTOLEDは同じ時間間隔
で光出力の約4倍の低下を起こしている。図1A5の結果は、Cu(CuPc)
及びZn(ZnPc)の両方のフタロシアニンを電子注入界面層として用いるこ
とができることを示しているが、図1A6の結果は、CuPcデバイスが著しく
一層大きな量子効率を有することを示している。図1A8の結果と図1A9の結
果とを比較すると、本発明により作られたOLEDのI−V特性の安定性は従来
のデバイスに匹敵するものであることを示している。図1A7に示した結果は、
本発明により作られたOLEDの全光透過率は、CuPcのQ−バンド吸収構造
特性を示すスペクトル部分を除き、OLEDで達成される透過率の理論的最大値
に近いことを示している。このデバイスの反射スペクトルは、ガラス/空気及び
ITO/空気界面によって限定される理論的最小値に近い。反射防止層は、この
反射を更に無視できる値にまで減少することができる。
る。例えば、図1A10及び1A11は、CuPcが電子注入界面層として用い
られる場合には、約30Å〜約120ÅのCuPc注入層厚さを有するデバイス
は、匹敵する性能特性を生じたことを示している。図1A10及び1A11に示
したデータを集めるように製造したデバイスも、ITOアノード層とホール輸送
層との間に50Åの厚さを持つCuPc層を含んでいた。ITOアノード層と接
触したこのCuPc層は、1997年5月29日に出願された係属中の米国特許
出願Serial No.08/865,491号に記載されているように、ホ
ール注入促進層として働く。
長させた慣用的TOLEDを有する別の典型的な透明有機発光デバイスの電流・
電圧(I−V)特性を図1A12に示す。図1A12に示した結果を得るように
用いたTOLEDは、図1A13に示されており、この場合非金属カソード1は
ITOであり、電子注入界面層6はCuPcであり、電子輸送層2はAlq3で
あり、ホール輸送層3はα−NPDであり、アノード層4はITO及び基板5で
あった。このデバイスはITOアノードとHTLとの間に付加的CuPc層8を
持っていた。「スイッチオン電圧」、VT、の上及び下に二つの明確な作動領域
が観察される。VTより下のトラップのない空間電荷限定輸送は、I∝Vm−1
に従う。VTの上では、電流はI∝Vm−1に従いトラップされた電荷限定され
ている。P.E.バローズ、S.R.ホレスト、Appl.Phys.Lett
.64,2285(1994)、P.E.バローズ、Z.シェン、V.バルビッ
ク、D.M.マッカーティー(McCarty)、S.R.ホレスト、J.A.
コロニン(Cronin)、及びM.E.トンプソン、J.Appl.Phys
.79,7991(1996)。ITO/Mg:Ag接点のものと比較してIT
O/CuPcが僅かに効率の低い注入特性は、TOLED(4.2V)及び非金
属カソードを有するTOLED(5.2V)についてVTの名目上の差に反映さ
れている。カソードのCuPcをZnPcで置き換えた場合に同様なI−V特性
が得られることは、良好な電子注入接触を形成するのにそれらの同等性を示して
いる。しかし、CuPcをPTCDAで置き換えると、VTの20Vまでの著し
い増大が起きる。
が、図1A12の場合と同じデバイスについて図1A14に示されている。デバ
イスの全外部量子効率は、η=(0.38±0.05)%で同様である。それら
の10mA/cm2でのそれらの輝度は〜200cd/m2であり、図1A14
に示した最大駆動電流に相当して、10mA/cm2で2000cd/m2まで
増大する。非金属カソードを有するTOLEDの表面から発する出力対基板底面
から発する出力の比は、r=1.0±0.05である。
の間に比較的大きな差があるため、図1A15に示すように、デバイス底面に対
し、表面からの測定エレクトロルミネッセンススペクトル出力には幾らかの広が
りがある。デバイスの各層について知られている複素屈折率を用い、放射二局性
cm6分子が発光層中に均一に分布していると仮定して、rを波長(λ)の関数
として計算した。基板からの発光をr(λ)をかけることにより頂部表面スペク
トルに対する適合が得られた。その適合は、標準化した測定出力スペクトル(図
1A14)によく一致し、計算と実験との間の残余の不一致は、CuPcの分散
を無視したことによる。
、ZnPcデバイスのηは、CuPcデバイスのものよりも30%低い。しかし
、CuPcとZnPcカソードとは明確に異なって、カソードにPTCDAを有
するデバイスは、CuPcのそれの僅か1%の量子効率しか持たない。このこと
は、PTCDAカソードを用いたETL中への電子注入は極めて低いことを示し
ており、I−Vデータと一致している。
る結果になる。このことは、図1A17に示したように、TOLED配列及び従
来のTOLED配列を有する非金属カソードを用いたデジタル再生写真から容易
に分かる。それら配列は、コントラストのため黒色ドットのグリッドを有する白
色バックグラウンドの上に配置されている。これらの装置は下から照らされ、従
来のTOLEDについては約0.2〜0.4cmの矢印により、非金属カソード
を有するTOLED配列については約1.3〜1.6cmの矢印で夫々示されて
いる。図1A17の写真は、本発明の非金属カソードが電極に金属が存在してい
ないため無性であるのに対し、従来のTOLEDは金属カソードのため淡い灰色
の外観を有することを示している。非金属カソードを有するTOLED配列は、
図1A7に示された反射防止被覆のないデバイスの光学的透明性のデジタル測定
が、従来のOLEDよりも35%の増大に相当する0.85±0.05の透過率
を示す場合にのみ、検出することができる。非金属カソードを有するTOLED
の反射及び吸収も図1A7にプロットされており、この場合吸収の主な原因はC
uPcのQバンドによる〔B.H.シェチマン(Schechtman)及びW
.E.スパイサー(Spicer)、J.of Mol.Spec.33,28
(1970)〕それはλ=620nm及び665nmの所にピークを有する。
ITO堆積の初期段階中、ここでカソード/有機フイルム界面の損傷層として言
及している所の損傷誘発状態が生ずるものと考えられる。仕事関数の低い金属の
フェルミエネルギーを有するETLの最低非占有分子軌道(LUMO)のエネル
ギー帯の一致を必要とする高効率電子注入電極についての従来の理解〔C.W.
タング(Tang)及びS.A.バンスライケ(Van Slyke)、App
l.Phys.Lett.51,913(1987)〕とは対照的に、ここでは
その損傷層は、典型的には低仕事関数金属によって与えられる一致するフェルミ
エネルギー準位を持たない材料からなる非金属カソードについて改良された電子
注入特性を与える原因になっていると考えられる。
されたエネルギーバンドの図を参照して理解することができる。HOMO距離へ
の真空レーバーとして定義されているイオン化電位(IP)、及び光学的エネル
ギーギャップ(Eg)は、A.ラジャゴパル(Rajagopal)、C.I.
ウー(Wu)、及びA.カーン(Kahn)、Mat.Res.Soc.の19
97年秋季会議、論文J1.9;及びK.セキ(Seki)、Mol.Crys
t.Liq.Cryst.171,255(1989)からとった。CuPcの
イオン化電位(IP)は、ITOの仕事関数とα−NPDのIPとの間に存在す
るので、CuPcはHELへのホール注入に対する障壁を低下する。これとは対
照的、ITO/CuPc界面では、この電極が本発明に従って製造される限り、
ここで効率的に電子を注入すると記載されているにも拘わらず、電子注入に対し
大きな障壁(1.6eV)が存在する。この明らかな矛盾は、ITOをかぶせた
PTCDAからなるアノードを用いた効率的ホール注入についての前の報告と一
致しているS.R.ホレスト、L.Y.リュー(Leu)、F.F.ソー(So
)、及びW.Y.ヨーン(Yoon)、J.Appl.Phys.66,590
8(1989)。この場合、ホール注入はITOからPTCDAへの障壁が2.
1eVであるにも拘わらず達成される。イオン化エネルギー(HOMO距離への
真空レベルとして定義されている)の値は、A.ラジャゴパル、C.I.ウー、
及びA.カーン、J.Appl.Phys.83,2649(1998)及びK
.セキ、Mol.Cryst.Liq.Cryst.171,255(1989
)からとった。これらの著者は、図1A4に示したように、真空レベルは有機ヘ
テロ接合の間では平らになっていないであろうと言うことを示唆しているが、こ
のことは我々の結論を変えるものではなく、従って簡単にするため省略した。
電極堆積/形成工程により効果的に減少することを示唆している。ITOをCu
Pc表面上にスパッターすると、発熱反応によりCuはCu−O結合を形成し〔
F.F.ソー及びS.R.ホレスト、J.Appl.Phys.63,442(
1988)〕、それにより図1A16に示したように、高密度の中間ギャップ又
は表面状態を生ずる。これらの状態は、ITO界面から遠ざかると密度が減少す
るが、注入された電子により容易に乗り越えられる小さなエネルギー「ステップ
」を与える。これらのデータ及び得られるモデルは、低仕事関数金属が効率的電
子注入には必要であると言う従来の示唆に対照的なものである。残留エネルギー
障壁が、本発明の非金属カソードを持たないTOLEDと比較して、非金属カソ
ードを有するTOLEDの場合VTに僅かな増大がある一つの原因になっている
であろう。
ずるのにそのような障壁が有効であると言う証拠は、60Åから30ÅへCuP
c層の厚さを減少させることにより得られる。この厚さの減少は、非金属カソー
ドを有するTOLEDの製造収率を約90%から40%へ同時に減少させる結果
になる。製造収率は、製造及び試験された全デバイス数に対するショートしてい
ない有効デバイスの比として定義されている。そのような収率は、10〜20の
試験装置の試験母集団に基づいていた。これらの結果は、ITO/PTCDAの
場合に示したように、CuPcの最初の数単分子層だけが低抵抗カソード/有機
層界面で損傷されることを示唆している。CuPcが余りにも薄く作られると、
スパッターされたITOが「突き抜け」て下のAlq3損傷すると考えられる。
実際、ITOはα−NPD又はAlq3に直接スパッターされ、この場合ITO
層は夫々アノード又はカソードとして働くが、得られる収率は0に近くなる。
平面状分子中の広がった共役電子軌道によるものと考えられる。スパッタリング
中、活発な金属又は酸素原子がこれら表面分子の一つに衝突すると、衝突のエネ
ルギーが分子π電子系の数多くの結合に亙って効果的に分布する。これとは対照
的にAlq3又はα−NPDにはそれに匹敵するような大きなπ系は存在しない
。そのような分子では、衝撃エネルギーは僅か数個の原子部位の中に局在し、そ
れによって分子結合を切断する確率を増大する。CuPc及びPTCDAのよう
な結晶分子系の平面状又は殆ど平面的な積層配列も、格子中の幾つかの隣接分子
の間にエネルギーを消散させる働きもする。
じられる役割に基づくこの仮説は、Alq3及びα−NPD層の順序を逆にした
点を除き、図1A12に示したような透明非金属カソードを有するTOLEDを
製造することにより試験した。ETLとHELの層を逆にしたこれらのデバイス
では、VTは二桁(〜10V)増大することが観察され、約10−3%の外部量
子効率ηが、ITO/CuPc界面がホールをα−NPDに注入するのに優れて
いることが知られているけれども、測定された。従って、このデバイスの低い効
率は、損傷層を持たないCuPc/ITO界面が電子をAlq3へ注入するのに
効果的でないことの明確な証拠を与えている。従って、ITOの上にCuPcを
低エネルギー堆積することは、電子注入に必要な界面中間ギャップ状態を生じな
いことが結論される。従って、カール(Karl)その他及びホワイトロック(
Whitlock)等により製造されたITO層は、損傷層を生成させるように
有機層上にITO層を堆積するのではなく、ITOの上に有機層を堆積すること
により製造されているので、カールその他及びホワイトロックその他によるIT
O層は、それらカールその他又はホワイトロックその他の電極が太陽電池のカソ
ードとして働く場合でも、本発明の向上した電子注入特性は生じないものと予想
される。
をかけた場合の非常に低い電流及びエレクトロルミネッセンスの欠如と一致して
いる。この場合、電子は、ITOからアノードの損傷されていないCuPcへ行
くのに1.6eVのエネルギー障壁を越えることができない。電子がCuPcへ
一度び注入されると、それらは、その方向への電子輸送に対するエネルギー障壁
が欠如しているためAlq3中へ輸送される。これとは対照的に、PTCDAか
らAlq3へは0.9eVの電子に対する大きなエネルギー障壁が存在する。こ
の障壁は、PTCDAの電子易動度の低さと相俟って、PTCDAと接触してい
るITOカソードを用いたAlq3を基にしたデバイスの大きなVT及び低いη
が観察される結果になる。しかし、この低い効率は、PTCDAを良好な低抵抗
カソード/有機界面を作るのに用いることができないことを示唆するものではな
い。特に、これらの結果は、0.9eVの障壁がPTCDAとAlq3の間では
高過ぎることを示しているだけである。LOMO/HOMOレベルを一致させる
ためのここに与えたガイドラインに従って、PTCDAを適当な隣接電荷キャリ
ヤー層と適切に合致させることにより、効率的なITO/PTCDA界面を作る
ことができる。
送層とホール輸送層との間に薄いルミネッセンス層が存在する二重ヘテロ構造で
用いることができる。
注入界面層と接触しており、その界面層がエレクトロルミネッセンスを発生し、
更にホール輸送層と直接接触している。この場合には、電子注入界面層で用いら
れている材料のIP−HOMO/LUMOギャップエネルギーは、隣接するホー
ル輸送層の材料のIP−HOMO/LUMOギャップエネルギーにほぼ等しいか
又はそれより小さいのが好ましく、更にホール輸送層の材料のイオン化電位が、
電子注入界面層に用いられている材料のイオン化電位よりも大きいようなものに
なっている
入界面層と接触しており、その界面層がエレクトロルミネッセンスを生ずるホー
ル輸送層と直接接触している。この場合、電子注入界面層で用いられている材料
のIP−HOMO/LUMOギャップエネルギーも、隣接するホール輸送層の材
料のIP−HOMO/LUMOギャップエネルギーにほぼ等しいか又はそれより
小さいのが好ましいようなものになっている。しかし、この場合、ホール輸送層
の材料のイオン化電位は、電子注入界面層に用いられている材料のイオン化電位
よりも低い。
電子注入界面層と接触している単一ヘテロ構造の場合について例示してきたが、
本発明は、就中、ヘテロ構造が非金属カソードを持たない場合のエレクトロルミ
ネッセンスを発生するためのヘテロ構造を有するOLEDにも関する。
製造することができるエレクトロルミネッセンス発生ヘテロ構造を有する。単一
又は二重ヘテロ構造の有機薄膜の製造するための材料、方法及びデバイスは、例
えば、米国特許第5,554,220号明細書(これは言及することによりその
全てを本明細書に取り入れる)に記載されている。ここで用いられる用語「エレ
クトロルミネッセンスを発生するためのヘテロ構造」とは、順番にホール注入ア
ノード層、ホール輸送層、電子輸送層、及びカソード層を有する単一ヘテロ構造
を含むヘテロ構造を指す。付加的層(単数又は複数)が、これらの層の連続する
対の一つ以上の間に存在していてもよい。例えば、二重ヘテロ構造の場合、別の
発光層がホール輸送層と電子輸送層との間に含まれていてもよい。この別の発光
層は、「薄いルミネッセンス」として特徴付けられるものでもよい。別法として
、又は付加的に、アノード層とホール輸送層との間にホール注入促進層が存在し
ていてもよい。
じ材料、CuPcからなっている。夫々の場合、CuPc層はITO電極と直接
接触しており、二つのCuPc層の間の区別は、或る場合にはそのCuPc層が
アノードとして働くITO層と接触していることであり、別の場合には、ITO
層がカソードとして働くことである。夫々の場合において、CuPc層は電荷キ
ャリヤー及び界面層として働く。一方、ITOアノードと接触している場合、C
uPc層はアノードからホール輸送層へホールを注入し、輸送するのを助け、他
方ITOカソードと接触している場合、CuPc層はカソードから電子輸送層へ
電子を注入し、輸送するのを助ける。どの場合でもCuPc層は、もし存在する
ならばITO堆積工程中の損傷から下の輸送層を保護する層としての機能も果た
している。ITO層がSOLED構造の電極として存在する場合には、ITOの
両側の面は、夫々アノード及びカソードとして働く。
れており、それら接点は装置を通って電圧を印加し、そのデバイスが電子輸送層
又はホール輸送層からエレクトロルミネッセンスを発生するように作動させるこ
とができる。もしカソード層が基板上に堆積されているならば、デバイスは逆転
、即ちIOLED構造を持つものとして言及することができる。エレクトロルミ
ネッセンスを発生するヘテロ構造が、積層OLED(SOLED)の一部分とし
て含まれているならば、個々のヘテロ構造の電極の一方又は両方が隣接するヘテ
ロ構造の電極と接触している。別法として、SOLEDを駆動するのに用いられ
る回路により、積層OLEDの二つの隣接する電極の間に絶縁層が与えられても
よい。
が、本発明のOLEDは或る状況下では、例えば、SOLEDの一番上又は一番
下のOLEDとして金属層を有するOLEDと組合せて用いてもよい。そのよう
な場合、もしカソード層がMg:Agの金属カソード層であるならば、例えば、
そのMg:Agカソード層を雰囲気による酸化から保護するためにAgの層から
なる金属保護層が存在していてもよい。
示した層を製造するために特定の材料又は順序に本発明を何等限定することなく
、どのようにして製造するかを示すための単なる例として与えるものである。例
えば、典型的にはヘテロ構造は不透明又は透明、堅いか又は可撓性、且つ(又は
)プラスチック、金属又はガラス、特にポリエステルのような透明重合体、ガラ
ス、サファイヤー、又は石英、又はOLEDの基板として用いることができる実
質的にどのような他の材料からなっていてもよい基板を有する。
バイス(OLED)において、特にそのヘテロ構造が、少なくとも一つの電子輸
送部分及び少なくとも一つのホール輸送部分を有する分子を持つ化合物を含む電
荷キャリヤー層を有し、その電子輸送層がAl、Ga、又はInのような第II
I族金属を配位した2−メチル−8−キノリノラト リガンドである場合のデバ
イスに関する。
電子輸送層」(ETL)、又は二重ヘテロ構造(DH)を有するOLEDの場合
には「別の発光層」を指す。少なくとも一つの電子輸送部分及び少なくとも一つ
のホール輸送部分を有する分子を含む化合物を含む電荷キャリヤー層は、単一ヘ
テロ構造(SH)のETLのような発光層でもよく、或は二重ヘテロ構造の別の
発光層でもよい。少なくとも一つの電子輸送部分及び少なくとも一つのホール輸
送部分を有する分子を含む化合物を含む電荷キャリヤー層は、OLEDのカソー
ドとETLの間に配置された電子注入促進層のような非発光層でもよい。
る材料中に存在する場合、電圧を印加した時、ホールの伝導によりその材料が層
を通る電気伝導を与えるようにする基を指す。ここで用いられる用語「電子輸送
部分」とは、OLEDの層中に含まれる材料中に存在する場合、電圧を印加する
と、電子の伝導によりその材料が層を通る電子伝導を与えるようにする基を指す
。ここで用いられる用語「ホール輸送アミン部分」とは、ホール輸送部分である
アミン基を指す。そのようなホール輸送アミン部分は、二つのフェニル基(第I
II族金属とリガンド結合を形成するフェニル基の外に)に直接結合した窒素原
子を有するのが典型的であり、この場合それら二つのフェニル基は一緒になって
窒素を含む複素環、例えば、カルバゾール基を形成していてもよく、或はそれら
二つのフェニル基は、互いに離れていてもよい。各フェニル基自身が更に別のフ
ェニル基と融合し、窒素原子に結合していてもよく、例えば、1−ナフチル基又
は2−ナフチル基として結合していてもよい。
基からなり、−R−はアルキル又はアリール基、好ましくはアリール基であり、
第III族金属とリガンド結合を形成することができる基である。) を有する化合物に関する。A1及びA2のフェニル基は、一緒になって窒素原子
を含む複素環を形成していてもよく、例えば、カルバゾール基を構成していても
よく、或はA1及びA2のフェニル基は互いに離れていてもよい。各フェニル基
自身は、更に別のフェニル基と融合していてもよく、窒素原子、例えば1−ナフ
チル基又は2−ナフチル基として窒素原子に結合していてもよい。−R−基は、
ホール輸送置換アルコキシド、チオレート、安息香酸、又はキレート酸素又は窒
素基(例えば、置換アセチルアセトネート)でもよい。R−基はp−アミノ置換
フェノキシド基であるのが好ましい。Ga又はInのような別の第III族金属
を、Alの変わりに用いてもよい。
ンドは、電子輸送部分として働く。アミン基はホール輸送部分として働く。その
分子は電子及びホールの両方の輸送部分を有するので、その分子から作られた電
荷キャリヤー層は、大きな電子易動度及び大きなホール易動度を有する。例えば
、単一ヘテロ構造のETLとしてそのような電荷キャリヤー層を用いると、ホー
ルが、電子と再結合して励起子を形成する前に、ETL中へ実質的な距離を移動
することを可能にする。その結果、そのようなETLのルミネッセンス領域は、
低いホール易動度を有するETLのルミネッセンス領域よりも大きい。この一層
大きなエレクトロルミネッセンス領域は、一層長いエレクトロルミネッセンス寿
命を与える結果になる。同様に、二重ヘテロ構造の別の発光層としてそのような
電荷キャリヤー層を用いると、一層低いホール又は電子易動度を有する別の発光
層の領域よりも大きなルミネッセンス領域及び一層長いエレクトロルミネッセン
ス寿命を与えることになる。
有する分子を含む化合物は、Al−pNPとして言及するビス(2−メチル−8
−キノリノラト)[p−(N−フェニル−2−ナフチルアミノ)フェノラト]ア
ルミニウム(III)、Al−pCbとして言及するビス(2−メチル−8−キ
ノリノラト)(p−カルバゾールフェノラト)アルミニウム(III)、Al−
mCbとして言及するビス(2−メチル−8−キノリノラト)(m−カルバゾー
ルフェノラト)アルミニウム(III)でもよい:
0倍効率の高い光ルミネッセンス発光を与えることを示している。この差はこれ
ら二つの分子を異なった構造によって説明することができる。特に、Al−pC
bはそのカルバゾール部分のために一層堅い組織を有し、その部分は固体状態の
分子が非発光自己クエンチするのを防ぎ、Al−pNPと比較してAl−pCb
の光ルミネッセンス発光の100倍大きい効率の原因になる。
キル、又は置換又は非置換アリールであり、 Z1及びZ2は、独立に炭素又は窒素原子であり、 Yは、Z1及びZ2が両方共窒素原子である場合、M、金属原子であり、又は
、 Yは、Z1又はZ2が炭素原子である場合、O、NR6(ここでR6は、水素
、又は置換又は非置換アルキルであり)、又はSであり、又は Yは存在しない。〕の化学構造を有する種類のアズラクトン関連化合物から選
択されたドーパント化合物からなる発光層を有するOLEDに関する。代表的供
与体基には、−OR、−BR、−NR3R4(ここでR3及びR4は、夫々独立
に水素、又は置換又は非置換アルキルである)のようなπ電子供与体基が含まれ
る。代表的な受容体基には、−CN、−NO2又はカルボニル含有基のようなπ
電子供与体が含まれる。
OLEDに関する。
LEDに関する。
H5(化合物1);R=OOCCH3及びR′=C6H5(化合物2);R=N
(CH3)2及びR′=C6H5(化合物3);及びR=C(CH3)3及びR
′=C6H5(化合物4)である場合の式C−IIIの化学構造を有する。
式C−IV:
式C−V(化合物6)の化学構造:
尿酸誘導体から製造することができる。p−置換供与体基を変えることにより、
下の表C1の結果によって例示されるように、発光はスペクトルの緑から青部分
へ調整することができる。
されるように、溶媒に強く依存する。
′=C6H5である場合の式C−IIIの化学構造、及びR=C(CH3)3及
びR′=CH3である場合の式C−IIIの化学構造を有する化合物が含まれる
。
化合物の例である。この場合の発光は、アミン供与体及びニトロ基受容体から来
る。この色素は、CH2Cl2中の化合物6について示されているように、青又
は緑でポンプされ、赤色発光を得ることができる。化合物6は、これらの色素が
赤色発光へ導く異なった励起波長を有することができることを例示している。こ
の色素のためのPL効率は非常に低いが、他の受容体を有する誘導体はこの効率
を増大することができると予想されている。
EDで観察される線幅は、Alq3単独の場合について見られるものよりも狭い
が、溶液中で観察されるものよりは広い。この理由は、溶液中ではその分子が自
由になって、式C−IIで示されている構造によって示唆される平面構造を取る
のに対し、固体状態ではジメチルアミノ基を有するフェニル環をカルボニル部分
へ接続する結合の周りに二平面角度の分布が存在する傾向がある。この分散は、
吸収及び蛍光の両方のためのエネルギー範囲を与え、観察される線幅を増大する
。この分散は全蛍光量子効率も減少する。
からなる化学的固定形状を有する材料を用いることができる。これらの化合物の
中では環式基がY基によって同一底面状に保持されている。従って、本発明は、
式C−II又はC−IIIのアズラクトン系化合物の代表的な具体例に関して示
されているが、式C−Iのアズラクトン関連化合物も、本発明の範囲及び本質の
中に完全に入る。式C−Iによって包含されるアズラクトン関連化合物には、式
C−II及びC−IIIのアズラクトン系化合物が含まれるが、それらに限定さ
れるものではない。
キル、又は置換又は非置換アリールであり)、 Z1及びZ2は、独立に炭素又は窒素原子であり、 Yは、Z1及びZ2が両方共窒素原子である場合、M、金属原子であり又は、 Yは、Z1又はZ2が炭素原子である場合、O、NR6(ここでR6は、水素
、又は置換又は非置換アルキルであり)、又はSであり、又は Yは存在せず、但しYが存在しない場合、Z1は炭素原子であり、Z2は窒素
原子であり、その時Rは水素に対する供与体又は受容体基である。〕 のアズラクトン関連化合物に関する。
る。) の化学構造を有するアズラクトン系化合物に関する。
:
ントを、発光波長を移行させるのに有効な量ホスト化合物に添加し、人間の目に
よって三原色の一つに近いように認められる光をLED装置が発するようにする
のが好ましい。色近くの特性化は主観的な問題であることは認められているが、
国際照明委員会によって定量的色度が開発され、CIE標準としても知られてい
る。この標準によれば、飽和色は色度座標の規定された軸に従う特別な定量的座
標を有する単一の点によって表すことができる。そのようなCIE座標の単一の
点は標準又は目的を表すことは当業者によって認められるであろうが、それは実
際には困難であり、幸いにそれを得る必要はない。
って一つの飽和原色に近いと認められる光をOLEDが発するように、ドーパン
トをホスト化合物中に配合する。本発明の実施によって、CIE尺度によって規
定されるものとして、絶対的(又は飽和した)色度値に近い発光を特徴とするこ
とができるOLEDを製造することが考えられている。更に、本発明の材料を用
いたLEDは、100cd/m2を越えることができる表示輝度を与えることが
できると考えられているが、幾らか低い値、恐らく10cd/m2位に低い値で
も或る場合には許容できるであろう。
パントをドープすることができる化合物である。そのような化合物には、199
6年8月6日に出願された米国特許出願Serial No.08/693,3
59(これは言及することにより本明細書に組み入れる)に記載されているよう
な発光化合物及びホスト化合物が含まれるが、それらに限定されない。ここで用
いられる用語「ホスト」とは、ホール/電子再結合エネルギーを受け、次に発光
/吸収エネルギー転移過程によりその励起エネルギーをドーパント化合物(典型
的には、遥かに低い濃度で存在する)へ移行させる成分としての機能を果たす発
光層中の化合物を指すのに用いられている。次にドーパントは僅かに低いエネル
ギーレベルを有する励起状態へ緩和し、それが希望のスペクトル範囲内のルミネ
ッセンス発光としてそのエネルギーの全てを優先的に放射する。ドーパントの励
起状態の励起エネルギーの100%を放射するドーパントは、100%の量子効
率を持つと言われる。色調節可能なSOLEDに用いることができるホスト/ド
ーパント濃度については、ホスト励起エネルギーの全てではないが、好ましくは
その殆どをドーパントへ移行され、それが今度は、恐らく一層低いエネルギーレ
ベルから大きな量子効率を持って放射され、希望の色度を持つ可視放射線を生ず
る。本発明は、これらの要求エネルギー移動条件を満足するドーパントとして働
くものと考えられる種類のアズラクトン関連化合物に関する。
、単一ヘテロ構造OLEDデバイスの電子輸送/発光層か、又は二重ヘテロ構造
の別の発光層中に見出すことができる。ここに開示するようなドーパント物質を
使用することにより、OLEDによって発光される色の範囲を広げることができ
るのみならず、ホスト及び(又は)ドーパント化合物として予定することができ
る物質の範囲を広げることもできることは、当業者によって認められるであろう
。従って、効果的なホスト/ドーパント系について、ホスト化合物はドーパント
物質が光を強く吸収するスペクトルの領域内に強い発光を有することができるが
、ホスト物質は、ドーパントも強く発光する領域内に発光帯域を持たないのが好
ましい。ホスト化合物が電荷キャリヤーとして働く構造では、それら物質の酸化
還元電位のような付加的条件も考慮することになる。しかし、一般にホスト及び
ドーパント物質のスペクトル特性は最も重要な条件である。
て定義されるような標準原色にできるだけ近く移行させるのに充分な量である。
効果的な量は、発光層に基づき約0.01〜10.0モル%であるのが典型的で
ある。好ましい量は約0.1〜1.0モル%である。適当なドーピング量を決定
する主な条件は、適当なスペクトル特性を持つ発光を達成するのに有効な量であ
る。例として、もしドーパント物質の量が低過ぎる量であると、装置からの発光
はホスト化合物自身からの色の成分も含むようになり、それはドーパント物質か
らの希望の発光よりも短い波長の所にある。これらは対照的に、ドーパントの量
が高過ぎると、自己クエンチング、正味発光のない機構によって発光効率が悪影
響を受ける。或はまた、ドーパント物質の量が高過ぎるとホスト材料のホール又
は電子輸送特性に悪影響を与えることもある。
にも関し、この場合燐光減衰速度は表示デバイスの要件に合うように充分速いも
のとする。本発明の代表的な態様として、発光層は式D−I:
R10=Et(エチル)。〕 によって表される構造を有する発光化合物からなる。特に、この化合物、白金オ
クタエチルポルフィン(PtOEP)は、式D−II:
化合物を選択する利点は、就中、二つの特別な事実に基づく。第一はこの分子の
光ルミネッセンス量子収量がTPPよりもかなり大きく、PtOEPは50%よ
り大きな光ルミネッセンス量子収量を有し、固体状態では90%位の高さである
のに対し、TPPは僅か約10%の光ルミネッセンス量子収量しか持たない。光
ルミネッセンス量子収量の増大は、増大した効率を持つOLEDの製造を可能に
する。PtOEPのような燐光化合物を選択することによって与えられる第二の
利点は、そのような分子からの発光が三重項状態から来ることである。三重項状
態へ励起することができる分子は、非放射性励起子三重項状態から燐光放射線と
してこのエネルギーを放射発光することができる三重項状態へエネルギーを移行
させる可能性を与える。三重項状態からくる放射線と呼ぶ燐光は、典型的には、
一重項状態からの放射線と呼ばれている蛍光よりも遥かに低い速度で起きるが、
それにも拘わらずPtOEPのような化合物からの燐光は、或る表示装置の要件
を満足するのに充分な位速い。特にAlq3層中のドーパントとして用いた場合
、約7μsecの寿命を有するPtOEPのような化合物を、約10μsec以
下の速さのスイッチング時間を必要とする受動マトリックス表示器に用いるか、
又はスイッチング時間が約10msecでありさえすればよい活性マトリックス
表示器に用いることができる。
g−AgOLEDのAlq3層中へドープすることができる。そのようなPtO
EPドープOLEDの挙動は、TPPドーパントを用いて製造したOLEDとは
非常に異なっている。TPPを0.5モル%より大きな量でドーピングすると、
OLEDからの発光は排他的にTPPからのものになる。これに対し、中程度か
ら低いドーピング量のPtOEPのAlq3中に入れると、発光は低電圧では主
にPtOEP発光によるが、電圧を増大すると、Alq3発光が現れる。中程度
に高い電圧(例えば、15V)では、発光の大部分はAlq3からくる。0.6
モル%のPtOEPをドープしたOLEDについてのELスペクトルを図4D2
に示す。1.3モル%のPtOEPについてのスペクトルは、0.6モル%の装
置について示したものとほぼ同じ形を有する。6モル%のPtOEPを用いて製
造したOLEDのスペクトルの形は、図4D3に示してある。電圧を増大するに
つれて、赤色発光の強度は著しく増大するが、Alq3からの発光寄与は高電圧
でも観察されていない。
はないが、電圧を増大するについてAlq3の発光が増大することについての説
明は、Alq3及びPtOEPについての光ルミネッセンスの寿命の差に関係し
ていると考えられる。Alq3についてのPL寿命は、固体状態及び溶液状態の
両方で約13nsec(ナノ秒)であるのに対し、PtOEPのPL寿命は、媒
体により約10〜約100μsec(マイクロ秒)の範囲にある。もしPtOE
Pドープ装置に印加する電圧を低く維持すると、PtOEPへ移行する励起子の
数は充分少なく、励起したPtOEP分子がAlq3励起子発生速度に対し充分
な速度で緩和することができ、Alq3からのエネルギー移動のために充分なド
ーパント分子が常に存在する結果を与える。電圧を増大すると、有効PtOEP
ドーパント分子が飽和し、励起子がAlq3中で生成していくような速度を保っ
て行くのに充分な速さで緩和することができなくなる。この高い電圧範囲では、
励起エネルギーがPtOEP分子へ移動される前に、Alq3励起子の幾らかが
放射線発光により緩和する。6モル%のPtOEPでは、励起子の全てを捕捉す
るのに充分なドーパントが存在するが、一層多くのドーピング量は全効率を減少
させることになる。
ピング量での波長の関数としてPLスペクトルを示した図4D4に示されている
結果によっても更に支持されている。0.6モル%の最も低いドーピング量では
、Alq3大きな発光帯特性観察されているが、高い6モル%のPtOEPドー
ピング量では、Alq3からの全ての励起子エネルギーを捕捉するのに充分なP
tOEPが存在すると思われる。
る。飽和赤色発光に相当するこの狭い帯域は、約30nmの半値幅を有する。図
4D5に示した溶液中のPtOEPについての異なった励起波長で、波長の関数
としてのPLスペクトルを、PtOEPドープAlq3OLEDのELスペクト
ルと比較すると、PtOEPドープOLEDは、約645nmの所にピークの中
心を有するPtOEPからの狭い発光帯域を選択的に生ずることを示している。
この狭い高度に飽和した赤色発光は、PtOEPのPL励起スペクトルと、Al
q3からの広帯域発光との比較により溶液中のPtOEPのPLスペクトルにつ
いて観察されているように、約620及び約685nmの所に中心を有する更に
別の帯域を予想させるにも拘わらず、他のPtOEPピークが殆ど全く存在する
ことなく発生する。
て、TPPドープデバイスのものよりも著しく良いことである。なぜなら、70
0nmより高い所では長い波長テイル又はピークは存在しないからである。外部
量子収率であるこれらのデバイスについての量子効率を表D1に列挙する。夫々
の場合について、ドープしたデバイスと平行に製造した基準デバイス(ITO/
TPD/Alq3/Mg:Ag)のものと一緒に効率が列挙されている。低い駆
動電圧では、ドープしたデバイスの効率が優れているが、高い電圧ではドープし
てないデバイスが大きな効率を有する。これらの結果は、PtOEPドープデバ
イスが、従来のAlq3ドープデバイスに匹敵する効率を持って作動することが
できることを示している。
ないAlq3デバイスに匹敵し、ドーパントとしてTPPを用いて製造したデバ
イスよりも決定的に優れていることが観察された。
する受動マトリックス平面パネル表示器、スイッチング時間が約10msecで
ありさえすればよい活性マトリックス表示器、又は低解像力表示器用途に用いる
ことができる。燐光化合物は、一般に式D−I:
ール、及び置換アリールからなる群から選択され、 R9及びR10は、一緒になって融合環を形成していてもよく、 M1は、二価、三価、又は四価の金属であり、 a、b及びcは、夫々0又は1であり、然も、XがCである場合、aは1であ
り;XがNである場合、aは0であり;cが1である場合、bは0であり;bが
1である場合cは0である。) の化学構造を有する燐光化合物から選択される。
ン化合物から選択することもできる。
秒以下の燐光寿命を有する化合物を選択することを意味するが、燐光化合物は、
電荷キャリヤー物質から励起子三重項エネルギーを選択的に捕捉し、次にその励
起エネルギーを、Alq3系OLEDのPtOEPにより示されるような高度に
飽和した色に相当する狭い発光帯域中の燐光として発するように選択される。
質の組合せを有することが証明されているが、そのような化合物は人間の目の標
準CIE明所視反応機能が約550nmの所に中心を持つ視感透過率の縁近くの
飽和赤色発光を生ずる利点を有する。特に、スペクトルの青色及び赤色端部では
、波長の関数として視感度に急激な減少が存在する。
短い波長の所に狭いピークを有する飽和赤色発光であると認められるものを生ず
る蛍光化合物が見出されるならば、望ましいであろう。例えば、もし発光帯域幅
が実質的に一定に保たれ、発光ピークが同じ数のホトン(photon)を生ず
るOLED、例えば、同じ電流及び量子収量を有するOLEDについて約20n
m短波長側へ移行することができるならば、デバイスの知覚される輝度は約2倍
増大するであろう。即ち、二つのデバイスから来るホトン数が同じでも、標準の
観察者は、短波長にピークを有するデバイスについては輝度が2倍増大したと知
覚するであろう。しかし、発光は依然として飽和赤色として知覚される範囲内に
あり、従って、OLEDとして有用であろう。
LEDに関し、この場合燐光減衰速度は、表示デバイスの要件に合うように充分
速く、特に燐光ドーパント化合物は、例えば、PtOEPの四重対称を持つ場合
と比較して少ない対称性を持つ白金ポルフィリンからなる。
合物を選択する利点は、就中、二つの特別な事実に基づいている。第一はこの化
合物の光ルミネッセンス量子収量がTPPのような従来化合物より大きいことで
ある。例えば、PtOEPは50%より大きな光ルミネッセンス量子収量を有し
、固体状態では90%位の高さであるのに対し、TPPは僅か約10%の光ルミ
ネッセンス量子収量しか持たない。光ルミネッセンス量子収量の改良は、増大し
た効率を持つOLEDの製造を可能にする。
る第二の利点は、そのような化合物からの発光が典型的には三重項状態から来る
ことである。三重項状態へ励起することができる分子は、非放射性励起子三重項
状態から燐光放射線としてこのエネルギーを放射発光することができる三重項状
態へエネルギーを移行させる可能性を与える。三重項状態からくる放射線と呼ぶ
燐光は、典型的には、一重項状態からの放射線と呼ばれている蛍光よりも遥かに
低い速度で起きるが、白金ポルフィリン化合物のような化合物からの燐光は、或
る表示デバイスの要件を満足するのに充分な位速い。特にAlq3層中のドーパ
ントとして用いた場合、約7μsecの寿命を有するPtOEPのような化合物
を、約10μsec以下の速さのスイッチング時間を必要とする受動マトリック
ス表示器に用いるか、又はスイッチング時間が約10msecでありさえすれば
よい活性マトリックス表示器に用いることができる。
然として飽和赤色として知覚されるスペクトル範囲内に入っているように、燐光
白金ポルフィリン化合物を選択することである。特に、PtOEPのような化合
物を、ポルフィリンリガンドの四重対称性を壊すことにより化学的に変化させる
ことにより、発光ピークが、PtOEPと比較して約15〜30nm短波長側へ
移行させることができることが見出された。
であり、但しR基の少なくとも一つは少なくとも他のR基の一つと異なっている
。) の構造を有する燐光ドーパント化合物を含むOLEDに関する。
−CN、又は−OCH3であり、R5及びR6は同じでも異なっていてもよい。
)の構造を有する燐光化合物を有する。
るフェニル基を、図5E1に示されているような白金(II) 5,15−メモ
−ジフェニルポルフィリン化合物(PtDPP)に到達するように選択的に置換
することにより燐光白金化合物を選択することができる。別法として、白金化合
物は、図5E1に示したような残りの5,15−置換ポルフィリン化合物のどの
一つからでも製造することができる。特に、本発明の代表的な態様として、燐光
白金ポルフィリン化合物は、5,15−メモ−ジフェニルポルフィリン(H2D
PP);5,15−メモ−ビス(ペンタフルオロフェニル)ポルフィリン(H2
BPFPP);5,15−メモ−ビス(4−シアノフェニル)ポルフィリン(H
2BCPP);又は5,15−メモ−ビス(4−アニシル)ポルフィリン(H2
BAP)から製造することができる。そのような化合物は、後に記載するような
方法により製造することができる。
をドープしたOLEDが製造された。図5E2に示すように、ポリビニルカルバ
ゾールの重合体マトリックス中にPtDPPをドープしたOLED(PtDPP
ドープ重合体OLEDと呼ぶ)のエレクトロルミネッセンススペクトルは、ポリ
スチレン中のPtDPPの光ルミネッセンスピークに近い所に発光ピークを生じ
た。これらのピークは、PtDPPドープAlq3層を有するOLEDのエレク
トロルミネッセンススペクトルと比較して短波長側へ約20nm移行していた。
g(PtDPPがAlq3層中にドープされている)の層からなるOLEDの場
合、9V、15V、又は24Vで作動させたOLEDの場合、約630nmの所
に発光ピークを有する狭い帯域のエレクトロルミネッセンススペクトルを生じた
。Alq3系装置は、電圧を増大するに従って僅かに青へ移行するが、これは明
らかに500〜550nmのスペクトル範囲内のAlq3発光の増大によるもの
である。図5E3bに示したように、PtDPPをドープしたAlq3層を有す
るOLEDの場合、PtOEPをドープしたAlq3層を有するOLEDにより
生じた発光ピークと比較して、発光ピークは約15nm短波長側へ移行していた
。これらの結果は、同じ量子収量を有するOLEDについて、PtDPPドープ
Alq3層を有するOLEDは、PtOEPドープAlq3層を有するOLED
よりも1.4倍の輝度を持つことを示している。
重要性は、図5E4に示したCIE色度座標の右端に示されているデータにより
例示することができる。この図には、CIE色度曲線が示されており、600、
650及び700nmの所の飽和単色線の(x,y)座標が夫々含まれている。
PtDPPをドープしたAlq3層を有するOLEDにより生じた発光の(x,
y)座標を、DCM2、インジゴ及びPtOEPのような他の赤色発光ドーパン
トを含むOLEDと比較する。
を用いることにより、与えられた明所視発光レベルでの相対的輝度を、次の式に
よって示されるような明所視反応曲線を用いて標準化した発光スペクトルの重な
りを計算することにより決定することができる。
感重なり積分として言及されている。図E5に示した代表的データにより例示さ
れているように、PtDPP発光OLEDの視感重なり積分は0.17(相対的
単位)であり、PtOEP発光OLED0.13よりもかなり大きい。正味の結
果は、PtDPP発光OLEDについては、CIE座標が色度座標の飽和赤色領
域内に留まっているが、知覚された輝度は、PtOEP発光OLEDの場合より
も40%以上大きい。
よりもかなり大きい(夫々0.17又は0.13に対し0.19)が、即ち、も
し同じ明所視出力レベルが実現されるならば、DCM2発光OLEDは実際明る
いと言えるものではない。なぜなら、DCM2発光OLEDの量子効率は燐光P
t含有化合物を用いて作ったOLEDによって実現されるものよりも実質的に小
さいからである。
記載されている。C.W.タング(Tang)等、「ドープした有機薄膜のエレ
クトロルミネッセンス」(Electroluminescence of d
oped organic thin films)、J.Appl.Phys
.65,3610(1989)。
センスを発生するためのヘテロ構造を有する有機発光装置に関する。ホール輸送
層は、対称性分子構造を有する化合物からなる。対称性分子の末端基は、二つの
アレンの間の不飽和結合を有するホール輸送アミン部分である。
結合を指す。ここで用いる用語「アレン」とは、少なくとも一つの芳香族を有す
る炭化水素を指す。ここで用いる用語「対称性」とは、一点の周りに分子が対称
性になるそのような点を有する分子を指す。ここで用いる用語「電荷キャリヤー
層」とは、「ホール輸送層」(HEL)、「電子輸送層」(ETL)、又は二重
ヘテロ構造(DH)を有するOLEDについては「別の発光層」を指す。
料中に存在する場合、電圧を印加した時、主にホールの伝導によりその材料が層
を通る電気伝導を与えるようにする基を指す。ここで用いられる用語「電子輸送
部分」とは、OLEDの層中に含まれる材料中に存在する場合、電圧を印加する
と、主に電子の伝導によりその材料が層を通る電子伝導を与えるようにする基を
指す。ここで用いられる用語「ホール輸送アミン部分」とは、ホール輸送部分で
あるアミン基を指す。そのようなホール輸送アミン部分は、少なくとも二つのフ
ェニル基に直接結合した窒素原子を有するのが典型的であり、この場合それら二
つのフェニル基は一緒になって窒素を含む複素環、例えば、カルバゾール基を形
成していてもよく、或はそれら二つのフェニル基は、互いに離れていてもよい。
各フェニル基自身が更に別のフェニル基と融合し、窒素原子に結合していてもよ
く、例えば、1−ナフチル基又は2−ナフチル基として結合していてもよい。
する特別理論又は機構により限定されるものではないが、半経験的理論的方法に
より本発明者等の電子構造の検査により、二つのアレンの間に不飽和結合を有す
るホール輸送部分である末端基を有する分子は、末端基に非局在化したホールを
有する。そのような分子の一つは4,4′−(N,N′−ビスイミノスチルベン
)ビフェニル(ISB)である。これとは対照的にTPD及びNPDのようなア
ミン中の正常な状態は、窒素孤立対がビフェニル基を通して共役しており、ホー
ルが主にそのビフェニル基に非局在化している。不飽和結合の重要性は、ISB
と同じ構造を有する4,4′−(2,N′−イミノジベンジル)ビフェニル(I
DB)を調べることによりと示すことができる。但しIDBはアミノフェニル基
の間の飽和結合を有するがISBのそれは不飽和である。本発明者の分析では、
IDBはビフェニル基を通して共役した窒素孤立対を有するが、ISBは、ビフ
ェニルではなくスチルベンに結合した窒素孤立対を有することが示されている。
ホールが非局在化している程度まで、それはスチルベン基に広がっている。この
非局在化は、ビフェニルではなく、ISB分子の外側にホールを維持するのに役
立ち、そこでそれは隣接する分子から遮蔽される。分子の外側にホールを維持す
ることは、それを一層隣接する分子に接触させ、ホールの隣接分子への移動速度
を増大し、それが良好なホール伝導性を与える結果になる。
する分子に置換を行なってもよく、ホールが依然として中心よりもむしろ分子の
末端又は周辺に依然として非局在化されることを示している。
る。) により表されるビフェニル架橋を有する対称性化合物を包含する。式F−Iによ
って表される分子は、二つのR基の間のビフェニル架橋の中心に分子が対称にな
る点が存在するため、対称的である。ここで用いられる用語「対称的」とは、対
称点の両側にある原子が、それら原子の間を結合する同じ順序を有することを必
要とし、即ち、R基が同じ順序で結合された同じ原子を有し、同じ原子を持たな
ければならないが、結合の捩れにより原子の位置には差があってもよい。
は、式F−III:
不飽和結合である。) により表される。
従って式F−IV:
、置換することができる。例えば、飽和結合は、実際フェニレン基によって与え
ることができ、式F−V:
ル基からなる群から選択され、R1はR2と同じか又は異なっていてもよい。)
によって表される構造を有する分子を与えるように置換することができる。
行させるのに役立つと思われる。更に、置換基は、分子の分子量を増大し、一層
高いTgを与える。
TLの吸収エネルギーよりも大きな吸収エネルギーを持たなければならない。そ
の結果、ISBに与えられた置換は、もし得られる分子が発光ETLを有する単
一ヘテロ構造OLEDで用いられても、電子スペクトルに対した移行はもたらさ
ないことが好ましい。
アミン部分であるR基を有する分子を用いる。そのようなR基は、次の式F−V
IIによって表される:
ル(IDB)を与える結果になる。
体のものと共に表1に与える。
用いられている材料であるTPD(65℃)及びNPD(105℃)のようなO
LEDで従来用いられていたHTL材料のそれよりもかなり高い。その結果、H
TLとしてISB又はIDBを用いたOLEDは、TPD又はNPDを用いたO
LEDよりも高い温度で作動することができ、同じ温度で作動させた時、一層長
い寿命を持つものと予想される。
つの異なった種類のOLEDを製造した。二つの型のOLEDは、アノードとし
てITO被覆基板を用いて出発し、Mg−Agカソードを用いた。実験した最も
簡単なOLEDの構造は、ITO/HTL/Alq3/Mg−Agであった。そ
れより少し複雑な構造では、銅フタロシアニン、CuPC、ホール注入体、即ち
、ITO/CuPc/HTL/Alq3/Mg−Agを用いた。係属中の米国特
許出願Serial No.08/865,491号明細書に記載されているよ
うなCuPcホール注入体を使用することにより改良された量子収量を与えるこ
とができる。表F2に例示されているように、HTLとしてISBを用いたOL
EDは、IDBを用いたものよりも優れた性能をもち、ISBを用いたOLED
は、NPDを用いたOLEDの性能に匹敵する性能を有することが両方の種類の
OLEDについて観察されている。
、Tgが一層高いことは、ISB系OLEDが著しく改良された寿命を有し、N
PD及びTPD系OLEDよりも高い温度で作動することができる。TPD、N
PD及びISB OLEDデバイス特性の類似性は、図B1及びB2に見ること
ができる。TPD、NPD及びISBを用いたOLEDの電流・電圧プロットは
、殆ど区別できないが、IDBは良くない。
IDBを用いたOLEDよりもかなりよい性質を有することを示している。IS
B系OLEDは、同じ電流を得るのに一層高い量子効率、必要な低い電圧を有し
、同じ電流で一層大きな輝度を有する。ISB及びIDBは、両方共高いTgを
有する対称性分子である。ISBとIDBの唯一の構造的差は、ISBがアミノ
フェニル基の間に不飽和結合を有するのに対し、IDBのそれは飽和結合である
。IDBに対してISBを用いたOLEDの性質の差は、ISBがIDBよりも
一層良いホール伝導性を有することと一致している。IDBのTgは、ISBの
ものよりも僅かに高いが、この一層高いTg単独では、ここで観察される量によ
ってOLEDの性質を変えるとは考えられない。
的材料には、特にITO、Zn−In−SnO2又はSbO2、又はOLEDの
ホール注入アノード層として用いることができる実質的にどのような他の材料で
も含まれる。
HTLに用いるのに望ましい。なぜなら、ガラスは、結晶状の材料の薄膜を製造
する場合に典型的に生ずる多結晶質材料と比較して、優れた全体的電荷キャリヤ
ー特性と同様、一層大きな透明性を与えることができるからである。本発明の代
表的態様でホール輸送層として用いることができる代表的材料には、特にN,N
′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)1−1′ビフェニル−
4,4′ジアミン(TPD)、 4,4′−ビス[N−(1ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(
α−NPD)、 4,4′−ビス[N−(2ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(
β−NPD)、が含まれる。
キノリン)−アルミニウム(Alq3)又は4,4′−ジ(N−カルバゾロ)ジ
フェニル(CBP)が含まれる。
ドープAlq3、又はOLEDの別の発光層として用いることができる実質的に
どのような他の材料でも含まれる。
SOLED構造を形成する場合には、電子注入、金属カソード層として用いるこ
とができる材料には、特にMg−Ag、Li−Ag、又はCa、又はOLEDの
金属カソードとして用いることができる実質的にどのような他の材料でも含まれ
る。
縁材料、又はOLEDの絶縁材料として用いることができる実質的にどのような
他の材料からなっていてもよく、それらはプラズマ促進化学蒸着(PECVD)
、電子ビーム等のような種々の方法により堆積することができる。
ることができる利点を有する。真空蒸着材料は、真空蒸着のためには1気圧より
低く、好ましくは約10−5〜約10−11トール、蒸着のためには約50トー
ル〜約10−5トールのバックグラウンド圧力を有するのが典型的な真空中で堆
積することができるものである。
箔のような可撓性プラスチック又は金属箔基体として存在するならば、10μ程
の薄さでもよく、堅い透明に、又は半透明の基体として存在するならば、又は基
体が珪素系表示器駆動体からなるならば、実質的に一層厚くてもよい。ITOア
ノード層は、約500Å(1Å=10−8cm)から約4000Åよりも大きな
厚さでもよい。ホール輸送層は、約50Åから、約1000Åの厚さよりも大き
くてもよい。もし存在するならば、二重ヘテロ構造の別の発光層は約50Å〜約
200Åの厚さでよく、電子輸送層は、約50Å〜約1000Åの厚さでよく、
非金属カソード層は、約400Åから、約1500Åの厚さより大きく、約40
0〜1000Åが好ましく、約500Åであるのが一層好ましい。
置がSOLEDか、又は単一OLEDであるかいなか、デバイスがTOLEDか
、又はIOLEDであるか、OLEDが好ましいスペクトル範囲中の発光を生ず
るように考えられているか、又は更に別の設計変更が用いられているかいなかに
より、存在する層の種類、数、厚さ、及び順序に実質的な変化がある場合でも、
本発明は、エレクトロルミネッセンスを発光するためのヘテロ構造をOLEDが
有するそれらデバイスに関し、この場合ヘテロ構造が、半導体有機層が低抵抗電
気接触している電気伝導性非金属層からなるカソードを有する。
、大面積壁、劇場、又はスタジアムスクリーン、掲示板、又は標識に含まれる光
電デバイス中に組み込むことができる。
をOLED中に組み込んだ態様を用いて例示されているが、アノード及びカソー
ドを有する実質的にどのような型の光電子デバイスでも、本発明に従い製造され
た高度に透明な非金属カソードを持つことができる。特に、本発明の非金属カソ
ードは、OLED、太陽電池、光トランジスタ、レーザー、又は光検出器に組み
込むことができる。
とに関し詳細に記述するが、材料、デバイス及び処理工程は、単に例示すること
を目的物とした例として理解されるべきである。特に、本発明は、ここに特別に
言及する方法、材料、条件、処理パラメータ、デバイス等に限定されるものでは
ない。
、既知の方法を用いてOLEDを製造した。更に、電子注入界面層を、ITOカ
ソードとAlq3電子輸送層との間に存在させた。商業的に得られたITO/硼
珪酸塩基体は、約1500ÅのITO厚さを持っていた。有機層は、1×10−
6トールの圧力で、標準的ベルジャー蒸発器中で熱蒸着した。α−NPDは約3
50Åの厚さに蒸着し、Alq3電子輸送層は、約450Åの厚さに蒸着し、銅
フタロシアニン(CuPc)又は亜鉛フタロシアニン(ZnPc)は約60Åの
厚さに蒸着した。一番上のITOカソード層は低電力でRFスパッター蒸着し、
約650Åの厚さを持っていた。CuPc層とAlq3層との間にCBP層を有
するOLEDも製造した。そのようなOLEDは、CBP層が存在しないOLE
Dに匹敵する性能特性を示していた。
、及び透過率、反射、及び吸収スペクトルを測定することにより特徴付けた。代
表的データを図1A3〜1A11に示す。
子輸送層2、ホール輸送層3、アノード層4、及び基板5を有する標準OLED
と比較した。α−NPDホール輸送層は約350Åの厚さを有し、Alq3電子
輸送層は約450Åの厚さを有し、Mg:Agカソード層は約1500Åの厚さ
を持っていた。
。デバイスは、例えば、G.グ、V.バロビック、P.E.バローズ、S.R.
ホレスト、及びM.E.トンプソン、Appl.Phys.Lett.68,2
606(1996)に示されているように、20Ω/□の面積抵抗を有するIT
Oで被覆した予め清浄にしたガラス基板上に10−7トール未満の基底圧力で真
空装置中で成長させた。ホール注入を改良するためITO上に30Å〜60Å厚
の銅フタロシアニン(CuPc)の膜を蒸着し、次に350Å〜400Å厚のH
TL:4,4′−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェ
ニル(α−NPD)の膜を蒸着した。次に400Å〜500Å厚の発光ETL、
トリス−(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(Alq3)の膜を成長させ
、次に第二の30Å〜60Å厚のCuPcフイルムを蒸着した。S.A.バンス
ライケ、C.H.チェン、及びC.W.タング、Appl.Phys.Lett
.69,2166(1996)。第一の200ÅのAlq3に、クマリン6(c
m6)で1%(質量)までドープした。次に基板をITOスパッタリング室内へ
移し、そこでAr(200sccm)及びO2(0.10sccm)雰囲気中で
、5mトールの圧力及び5Wの電力でCuPcの上に400Å〜600ÅのIT
Oを無線周波スパッターした。比較として、高透明性非金属かそを持たない従来
のTOLEDをその試験デバイスと共に製造した。特にこの従来のTOLEDは
、同様な構造を持っていたが、ITO/CuPc頂部電極をAlq3表面上に蒸
着した100Å厚の半透明性Mg:Ag(質量比30:1)のフイルムを蒸着し
、スパッターしたITOをかぶせたもので置き換えた点が異なる。頂部ITO層
の下のCuPcの代わりに亜鉛フタロシアニン(ZnPc)を用いて第二一連の
非金属カソードを有するTOLEDを製造した。最後に、第三の一連のデバイス
として、電子注入CuPc層を、60Å厚の3,4,9,10−ペリレンテトラ
カルボン酸二無水物(PTCDA)により置き換え、それは既に下の有機フイル
ムを、それがないとスパッタリング中に起きることがある損傷から保護するのに
有効であることが示されている。Vバロビック、P.チアン、P.E.バローズ
、M.R.ゴクハーレ(Gokhale)、及びS.R.ホレスト、Appl.
Phys.Lett.70,2954(1997)。
する分子を有する化合物を含む電荷キャリヤー層を有するOLEDの例 実験: UV−可視スペクトルを、アビブ(Aviv)分光光度計、型14DSにより
測定した。H NMRスペクトルを、ブルッカー(Bruker)250分光計
で記録した。光ルミネッセンス及びエレクトロルミネッセンススペクトルを、ホ
トン・テクノロジー・インターナショナルフルオリメーター(fluorime
ter)を用いて測定した。電流−電圧特性の測定値を、EG&Gインストルー
メンツ・ポテンショスタット(Instruments Potentiost
at)、型283による記録した。融点はメルテンム(Mel−Temp)II
装置により公正せずに測定した。元素分析をアトランティック・ミクロラブ社(
Atlantic Microlab,Inc.)により行なった。質量分光分
析を、5973質量選択検出器を具えたヒューレット・パッカード(Hewle
tt−Packard)GC/MC分光計の固体プローブで行なった。10−3
トールの基底真空度でリンドバーグ(Lindbrg)3領域炉で傾斜昇華を行
なった。
する一連のフェノール誘導体を含む化合物を、更に2当量の8−ヒドロキシキナ
ルジンの存在下でAl(OPr)3と反応させ、電子輸送部分とホール輸送部分
の両方を有する化合物を生成させた。そのようにして作った化合物を、Al−p
NP、Al−pCb、及びAl−mCbとして言及する。
た。リガンド4−(N−フェニル−2−ナフチルアミノ)フェノール、3−カル
バゾールフェノール、4−カルバゾールフェノール、及び4−イミノスチルベン
フェノールを、対応するアミンとヨードアニソールとのウルマンカップリングを
用い、「オールズ含有熱安定性非対称性電荷キャリヤー物質」(Oleds C
ontaining Themally Stable Asymmetric
Charge Carrier Materials)と題する1997年9
月8日に出願された米国特許出願Serial No.08/929,029号
明細書(これは言及することにより本明細書に組み入れる)に記載されているよ
うに、メトキシ基の脱保護をBBr3を用いて行うことにより合成した。8−ヒ
ドロキシキナルジンはアルドリッヒ(Aldrich)から購入し、そのまま用
いた。
アミノ)フェノラト]アルミニウム(III)、Al−pNP: Al(OPr)3(0.63g、3.1mM及び8−ヒドロキシキナルジン(
0.51g、3.2mM)の混合物に、アルゴン中で40mlのEtOHを添加
した。混合物を3時間還流し、緑黄色溶液を与えた。次に、8−ヒドロキシキナ
ルジン(0.51g、3.2mM)と、p−(N−フェニル−2−ナフチルアミ
ノ)フェノール(1.45g、4.68mM)を40mlのEtOH中に入れた
橙黄色の溶液を、空気中で添加した。混合物を一晩中還流した。次にその黄色溶
液から溶媒を除去し、黄色ガラス状物質を300℃以上で次に昇華した。最後に
昇華した黄色結晶物質を収集し、再昇華した。得られた物質の分析により次の結
果が得られた: 収率:60% 融点:136〜142℃ 元素組成(計算値):C、77.2;H、4.93;N、6.43 元素組成(実測値):C、77.0;H、5.00;N、6.31 質量分光分析:653(p)、342〔p−p−(N−フェニル−2−ナフチ
ルアミノ)フェノール〕、259〔p−(N−フェニル−2−ナフチルアミノ)
フェノール〕、159(8−ヒドロキシキナルジン)。
ミニウム(III)、Al−pCb: Al(OPr)3(0.63g、3.1mM及び8−ヒドロキシキナルジン(
0.51g、3.2mM)の混合物に、アルゴン中で40mlのEtOHを添加
した。混合物を3時間還流し、緑黄色溶液を与えた。次に、8−ヒドロキシキナ
ルジン(0.51g、3.2mM)と、p−カルバゾールフェノール(1.2g
、4.6mM)を40mlのEtOH中に入れた橙黄色の溶液を、空気中で添加
した。混合物を一晩中還流した。次にその黄色溶液から溶媒を除去し、黄色ガラ
ス状物質を300℃以上で次に昇華した。最後に昇華した黄色結晶物質を収集し
、再昇華した。得られた物質の分析により次の結果が得られた: 収率:63% 融点:283℃ 元素組成(計算値):C、75.9;H、4.69;N、6.98 元素組成(実測値):C、75.6;H、4.79;N、6.96 質量分光分析:601(p)、343(p−p−カルバゾールフェノラト)、
259(p−カルバゾールフェノール)、159(8−ヒドロキシキナルジン)
。
ミニウム(III)、Al−mCb: Al(OPr)3(0.28g、1.37mMを8−ヒドロキシキナルジン(
0.22g、1.38mM)と、アルゴン中でエタノール(65ml)中で混合
した。混合物を2時間Ar中で還流し、得られた黄緑色溶液を空気中でセライト
を通して濾過し、透明な溶液を与えた。2−メチル−8−キノリン(0.22g
、1.38mM)及びm−カルバゾールフェノール(0.54g、2.1mM)
のエタノール溶液(30ml)を添加し、一緒にした黄緑色溶液を3時間還流し
た。次に揮発性物質を真空中で除去し、ガラス状物質を3領域昇華器の通して2
80℃で2回昇華し、明るい黄色の微結晶質固体を与えた。得られた物質の分析
により次の結果が得られた: 収率:0.29g(35%) 融点:280℃ 元素組成(計算値):C、75.9;H、4.69;N、6.98 元素組成(実測値):C、75.1;H、4.72;N、6.90 質量分光分析:601(p)、343(p−m−カルバゾールフェノラト)、
259(m−カルバゾールフェノール)、159(8−ヒドロキシキナルジン)
。
波にかけ、次に脱イオン水で濯くことにより清浄にした。それらを、2分間、沸
騰する1,1,1−トリクロロエタン中で2回処理した。それら物質をアセトン
と共に2分間2回超音波にかけ、メタノールで2分間2回超音波にかけ、N2流
中で乾燥した。
ール以下にし、フイルム蒸着中の圧力を5×10−7〜2×10−6トールにし
た。OLEDの製造に用いられる化合物を、室温に近く保持された基板上に、固
定加熱したタンタルボートから蒸発させた。先ずTPDを1〜4Å/秒の速度で
蒸着し、300Åのフイルムを与え、次に電子輸送層(Alq3、Ab3)の層
を1〜40Å/秒の速度で450Åの厚さまで蒸着した。色素ドープOLEDに
ついては、電子輸送材料及び色素を希望の比率で同時蒸着した。
び銀を通常3Å/秒の速度で同時蒸着した。Mg:Agの比率は7:1〜12:
1の範囲にあった。この層の厚さは500Åであるのが典型的であった。最後に
それら装置を1〜4Å/秒の蒸着速度で、1000ÅのAgで覆った。
分子を含む三つの型のOLEDを製造した: 型SH−A: ITO\TPD(300Å)\HET\Mg−Ag(500Å
)\Ag(1000Å) 型SH−B: ITO\HET\Alq3(450Å)\Mg−Ag(500
Å)\Ag(1000Å) 型DH: ITO\TPD(300Å)\HET\Alq3\Mg−Ag
(500Å)\Ag(1000Å) ここで、HETは、Al−pNP又はAl−pCbのような少なくとも一つの
電子輸送部分及び少なくとも一つのホール輸送部分を有する分子を有する化合物
を含む電荷キャリヤー層を表す。更に、TPD/Alq3OLEDを、基準とし
て用いるために、典型的には型SH−A、SH−B及びDHのOLEDとして同
時に製造した。これらデバイスを、製造してから5時間以内に空気中で特性化し
た。
送部分及び少なくとも一つのホール輸送部分を有する分子を有する化合物を含む
電荷キャリヤー層を有するヘテロ構造を持っていた。
吸収及び光ルミネッセンス(PL)スペクトルを図B1に示す。三つの化合物は
全て280〜380nmで吸収を示している。カルバゾール誘導体Al−pCb
及びAl−mCbは、約360nmで強い青色発光を示し、Al−pCbは48
0nmで低いエネルギー発光を持っている。Al−pNPは、約440nmの所
で単一の強い青色発光を示し、それはこの物質が青色エミッターとして有力な用
途を持つことを示している。
持つ異なった型のOLEDを製造した。上で記載したように、三つの型、型SH
−A、SH−B及びDHのOLEDを各材料について製造した。TPD及びAl
−pCbの膜も基板上に蒸着した。これらの膜は紫外線を用いてポンピングし、
吸収及びPL発光を測定した。
のOLEDのエレクトロルミネッセンス(EL)スペクトル、及びCH2Cl2
中に型SH−A、Al−pNPのOLED及びTPDフイルムのPLスペクトル
を示している。図2B3は、Al−pNPを用いて作った型SH−A、SH−B
及びDHのOLEDの外、TPD HTL及びAlq3ETLを有する基準OL
EDのI−V特性を示している。表B1は、Al−pNPを用いて製造したOL
EDについての収量、PL、及びELデータを要約したものである。図2B2及
び2B3及び表B1では、「SH−A」は、TPD HTL及びAl−pNP
ETL(300ÅのTPD/1000ÅのAl−pNP)を有する単一ヘテロ構
造OLEDを指す。「SH−B」は、Al−pNP HTL及びAlq3 ET
L(300ÅのAl−pNP/450ÅのAlq3)を有する単一ヘテロ構造O
LEDを指す。「DH」は、TPD HTL、Al−pNPの別の発光層、及び
Alq3 ETL(300ÅのTPD/200ÅのAl−pNP/450ÅのA
lq3)を有する二重ヘテロ構造OLEDを指す。表B1の「基準収量」の列は
、その欄の一番上のOLEDと同時に製造したTPD HTL及びAlq3ET
L(300ÅTPD/450℃CAlq3)を有する基準SH OLEDの収量
を示している。表B1に報告した最大値は、可視範囲の最大値であり、図2B2
の最高ピークには相当しない幅の広い最大値でもよい。
く、0.0005%の低い収量を有するが、この低い収量は、基準OLEDの低
く基準収量によって示されている汚染によって説明することができるであろう。
Al−pNPを用いたSH−A OLEDは白色光を発する。Al−pNPを有
するSH−B OLEDは、0.02%の一層よい収量を有する。Al−pNP
を有するDH OLEDは、更に一層よい0.05%の収量を示し、図2B3に
例示するように、改良されたI−V特性を有する。これらの結果は、Al−pN
Pが或るホール輸送特性を有するが、固体中ではよくないエミッターであること
を示している。
(2)のOLEDの外、TPD HTL及びAlq3ETLを有する基準OLE
DのI−V特性を示している。図2B5は、型DH(2)のOLED及び基準O
LEDのELスペクトル、及び型DH(2)のOLED及びAl−pCbのフイ
ルムのPLスペクトルを示している。表B2は、Al−pCbを用いて製造した
OLEDについての収量、PL、及びELデータを要約したものである。図2B
4及びB5及び表B2では、「SH−A」は、TPD HTL及びAl−pCb
ETL(300ÅのTPD/500ÅのAl−pCb)を有する単一ヘテロ構
造OLEDを指す。「SH−B」は、Al−pCb HTL及びAlq3 ET
L(300ÅのAl−pCb/450ÅのAlq3)を有する単一ヘテロ構造O
LEDを指す。「DH(1)」は、TPD HTL、Al−pCbの別の発光層
、及びAlq3 ETL(300ÅのTPD/450ÅのAl−pCb/450
ÅのAlq3)を有する二重ヘテロ構造OLEDを指す。「DH(2)」は、D
H(1)と同じ材料を有するが、異なった厚さ(300ÅのTPD/410Åの
Al−pCb/40ÅのAlq3)に蒸着した二重ヘテロ構造OLEDを指す。
表B2の「基準収量」の列は、その欄の一番上のOLEDと同時に製造したTP
D HTL及びAlq3ETL(300ÅのTPD/450ÅのAlq3)を有
する基準SH OLEDの収量を示している。
より、色及び効率の両方に関してAl−pNPの場合のものよりも一層よい結果
を与えることになる。図2B5に示したように、Al−pCb膜のPLスペクト
ルは、図2B1に示したように、CH2Cl2溶液中に入れたAl−pCbのも
のと同様であり、同じ青色発光を示し、Alq3のものに匹敵する強度を有する
。図2B5及び表2に示したように、Al−pCbを有するDH(2)OLED
は、約500nmの所にピークを有する青色発光を示す。
グ法により更に改良された。図2B6は、CH2Cl2溶液中に入れたペリレン
及び1%のペリレンを均一にドープしたAl−pCbを用いたDH(2)OLE
DのPLスペクトル、及び同じOLEDのELスペクトルを示す。図2B7は、
1%のペリレンを均一にドープしたAl−pCbを用いたDH(2)OLED、
及びAlq3に1%のペリレンをドープしたTPD/Alq3OLEDのI−V
特性を示している。表B3は、Al−pCbを用いて製造したOLEDについて
の収量、PL、及びELデータを示している。図2B6及び2B7及び表B3で
は、「DH(2)」は、TPD HTL、別の発光層として1%のペリレンを均
一にドープしたAl−pCb層、及びAlq3 ETL(300ÅのTPD/4
00Å 1%ペリレン−Al−pCb/50ÅのAlq3)を有する二重ヘテロ
構造OLEDを指す。表B3の「基準収量」の列は、その欄の一番上のOLED
と同時に製造したTPD HTL及びAlq3ETL(300ÅのTPD/45
0ÅのAlq3)を有する基準SH OLEDの収量を示している。
層をドープしない場合よりも、OLEDはそのELスペクトルに一層強い青色色
調を持っていた。ドープしたデバイスのELスペクトルのλmax(最大強度を
有する波長)は、図2B6に示すように、溶液中のペリレンのPLスペクトルの
λmaxに特徴的なものである。
.5倍大きかった。ドープしたデバイスのELスペクトルは、ホスト発光の不完
全なクエンチによりスペクトルの緑色部分まで依然として幾らか残光を持ってい
た。このことは、ホストからドーパント分子へのエネルギー転移過程に幾らかの
非効率的なものがあることを示している。
)又は赤〔即ち1,3−ビス[4−(ジメチルアミノ)−2−ヒドロキシフェニ
ル]−2,4−ジヒドロキシシクロブテネジイリウムジヒドロキシド〕のような
他の色を発するドーパントと一緒に用いることもできる。
あった: ホール輸送材料TPD及び電子輸送材料Alq3を、既知の方法に従い合成し
、使用する前に昇華した。
0g、0.24モル)、酢酸ナトリウム(16.0g、0.24モル)及び無水
酢酸(120ml、1.2モル)を混合し、3日間よく撹拌した。得られた黄色
の混合物を冷脱イオン水(1リットル)に添加し、黄色の固体を濾過により収集
した。アセトン(2リットル)から結晶化した後、黄色針状結晶(48g)を収
集した。収率:88%。mp.:162〜163℃。分析計算値:C、77.1
;H、4.45;N、5.62。実測値:C、76.2;H、4.47;N、5
.55。M.S.:249(P)、105(PhCO)、77(Ph)。NMR
(25℃、CDCl3):8.15−8.30(m)、7.47−7.65(m
)。
ヒド(3.70g、30.3mM)、酢酸ナトリウム(2.0g、30mM)及
び無水酢酸(20ml、212mM)を混合し、1日間よく撹拌した。得られた
黄色の混合物を冷脱イオン水(0.2リットル)に添加し、黄色の固体を濾過に
より収集した。アセトンから結晶化した後、黄色結晶を収集した。M.S.:3
07(P)、265(P−CH3COO+H)、105(PhCO)、77(P
h)。NMR(25℃、CDCl3):8.25(d、8.8Hz)、8.18
(d、8.0Hz)、7.50−7.66(m)、7.20−7.26(m)、
2.34(s、Me)。
アルデヒド(4.38g、29.4mM)、酢酸ナトリウム(2.0g、30m
M)及び無水酢酸(20ml、212mM)を混合し、1日間よく撹拌した。得
られた深赤色混合物を冷脱イオン水(200ml)に添加し、赤色固体を濾過に
より収集した。アセトンから結晶化し、昇華(200℃)した後、赤色結晶(1
.0g)を収集した。収率:12%。mp.:211〜213℃。分析計算値:
C、74.0;H、5.52;N、9.58。実測値:C、73.9;H、5.
51;N、9.54。M.S.:292(P)、159(P−PhCOCO)、
105(PhCO)、77(Ph)。NMR(25℃、CDCl3):8.15
(dd、8.3Hz、1.8Hz)、7.46−7.56(m)、7.22(s
)、6.82(d、8.75Hz)、3.12(s、Me)。
デヒド(8.0ml、47.8mM)、酢酸ナトリウム(3.2g、48.5m
M)及び無水酢酸(35ml、317mM)を混合し、2日間よく撹拌した。得
られた黄色混合物を冷脱イオン水(150ml)に添加し、黄色固体を濾過によ
り収集し、アセトンから結晶化し、昇華(160℃)することにより精製した。
収率:88%。mp.:142℃。分析計算値:C、78.7;H、6.27;
N、4.58。実測値:C、78.7;H、6.25;N、4.58。M.S.
:305(P)、105(PhCO)、77(Ph)。NMR(25℃、CDC
l3):8.13−8.20(m)、7.50−7.64(m)、1.36(s
、Me)。
フトアルデヒド(0.50g、2.5mM)、酢酸ナトリウム(0.26g、3
.9mM)及び無水酢酸(10ml、106mM)を混合し、2日間よく撹拌し
た。得られた赤色混合物を冷脱イオン水(100ml)に添加し、赤色油を形成
した。ジエチルエーテル(30ml)を用いて赤色生成物を抽出した。次に溶媒
を除去し、赤色液体を、トルエンを用いてシリカゲルカラムに通した。深赤色溶
離物を収集し、溶媒を除去した後赤色液体を得た(0.52g)。
ミノベンズアルデヒド(1.53ml、10.2mM)、酢酸ナトリウム(0.
75g、11.4mM)及び無水酢酸(40ml、424mM)を混合し、2日
間よく撹拌した。得られた深赤色混合物を冷脱イオン水(150ml)に添加し
黒色固体を濾過により収集し、アセトンから結晶化し、昇華(190℃)により
精製した。M.S.:337(P)、159(P−NO2PhCOCO)。NM
R(25℃、CDCl3):8.29(q、8.5Hz)、8.12(d、8.
0Hz)、7.26(d、11Hz)、6.74(d、8.5Hz)、3.12
(s、Me)。
ルアミノベンズアルデヒド(2.49g、16.7mM)、酢酸ナトリウム(0
.91g、13.8mM)及び無水酢酸(10ml、106mM)を混合し、2
日間よく撹拌した。得た深赤色混合物を冷脱イオン水(150ml)に添加し、
赤みがかった固体を濾過により収集し、アセトンから結晶化により精製した。
け、次に脱イオン水で濯くことにより清浄にした。それらを、次に2分間、沸騰
する1,1,1−トリクロロエタン中で2回処理した。それら基板をアセトンと
共に2分間2回超音波にかけ、メタノールで2分間2回超音波にかけた。
中の圧力を約5×10−7〜1.1×10−6トールにした。
〜4Å/秒の速度で蒸着した。その厚さは典型的には300Åに調節した。
ドーパントを先ず気化した。ドーパントの速度が安定化した後、ホスト材料を或
る速度まで気化した。次に基板上の覆いを開け、ホスト及びゲストを希望の濃度
で蒸着した。ドーパントの速度は通常0.1〜0.2Å/秒であった。この層の
全厚さは450Åに調節した。
ス鋼シートから作られており、0.25、0.5、0.75、及び1.0mmの
直径を持つ孔が開いていた。次にそれら基板を真空へ戻し、更に被覆した。
gの比率は7:1〜12:1の範囲にあった。この層の厚さは、典型的には50
0Åであった。最後に1000ÅのAgを1〜4Å/秒の速度で蒸着した。
トロルミネッセンススペクトル、I−V曲線、及び量子収量を直接全面から測定
した。
Alq3デバイスのスペクトルを、図3C1に示す。このデバイスからの発光は
化合物3ドーパントからくるものであった。
とができることを示すのみならず、そのような化合物は与えられた電圧に対し増
大した電流レベルを与えることができることも示している。
し、使用する前に昇華した。ドーパントPtOEPはユタ州ローガンのポルフィ
リン・プロダクツ社から購入し、受け取ったまま用いた。
け、次に脱イオン水で濯くことにより清浄にした。それらを、次に2分間、沸騰
する1,1,1−トリクロロエタン中で2回処理した。それら基板をアセトンと
共に2分間2回超音波にかけ、メタノールで2分間2回超音波にかけた。
中の圧力を約5×10−7〜1.1×10−6トールにした。
〜4Å/秒の速度で蒸着した。その厚さは典型的には300Åに調節した。
まドーパントを先ず気化した。ドーパントの速度が安定化した後、ホスト材料を
或る速度まで気化した。次に基板上の覆いを開け、ホスト及びゲストを希望の濃
度で蒸着した。ドーパントの速度は通常0.1〜0.2Å/秒であった。この層
の全厚さは約450Åに調節した。
テンレス鋼シートから作られており、0.25、0.5、0.75、及び1.0
mmの直径を持つ孔が開いていた。次にそれら基板を真空中へ戻し、更に被覆し
た。
gの比率は7:1〜12:1の範囲にあった。この層の厚さは、典型的には50
0Åであった。最後に1000ÅのAgを1〜4Å/秒の速度で蒸着した。
トロルミネッセンススペクトル、I−V曲線、及び量子収量を直接前面から測定
した。
成し、使用する前に昇華した。ドーパントPtDPP化合物、及び同じく白金化
されていてもよい付加的ポルフィリン化合物を、下に記載するように合成した。
け、次に脱イオン水で濯くことにより清浄にした。それらを、次に2分間、沸騰
する1,1,1−トリクロロエタン中で2回処理した。それら基板をアセトンと
共に2分間2回超音波にかけ、メタノールで2分間2回超音波にかけた。
中の圧力を約5×10−7〜1.1×10−6トールにした。
〜4Å/秒の速度で蒸着した。その厚さは典型的には300Åに調節した。
型的には、基板を覆ったままドーパントを先ず気化した。ドーパントの速度が安
定化した後、ホスト材料を或る速度まで気化した。次に基板上の覆いを開け、ホ
スト及びゲストを希望の濃度で蒸着した。ドーパントの速度は通常0.1〜0.
2Å/秒であった。この層の全厚さは約450Åに調節した。
レス鋼シートから作られており、0.25、0.5、0.75、及び1.0mm
の直径を持つ孔が開いていた。次にそれら基板を真空中へ戻し、更に被覆した。
gの比率は7:1〜12:1の範囲にあった。この層の厚さは、典型的には50
0Åであった。最後に1000ÅのAgを1〜4Å/秒の速度で蒸着した。
トロルミネッセンススペクトル、I−V曲線、及び量子収量を直接前面から測定
した。
,229−249(1969)〕を修正して製造した。
ml(90mM)を入れた激しく撹拌した溶液に、12.5g(186mM)の
ピロールを滴下した。30分後、メタノール(20ml)を添加し、混合物を室
温で30分間更に撹拌した。次に、得られた混合物を乾燥するまで蒸発した。こ
の粗製材料を、更に精製することなく次の段階で用いた。
00mlの95%EtOHの中に入れたものへ、0℃で17mlのH2O2(3
0%)をゆっくり添加した。その混合物を、0℃で2時間撹拌し、次に60℃で
30分間撹拌し、然る後、その最初の体積の1/5まで濃縮した。100mlの
H2Oを添加し、沈澱物を濾過し、冷EtOHで洗浄し、乾燥した生成物(5.
6g,チオホスゲンから39%)を得、それは次の段階で用いるのに充分純粋で
あった。
95%のエタノール中に3.3g(20.1mM)の2,2’−ジピリルケトン
を入れた溶液に、N2中で還流させながらNaBH4を数回にわけて(1.7g
×6)添加した。各添加後10分して3mlのH2Oを添加した。最後の添加後
、混合物を更に2時間還流させた。次に300mlのH2Oを添加し、その混合
物をEt2Oで数回抽出した。抽出物を一緒にし、MgSO4で乾燥し、濃縮し
て濃い油を得、それをヘキサンで、抽出物がTLCにより認め得る程の量の生成
物を示さなくなるまで、抽出した。一緒にしたヘキサン部分を濃縮し、生成物と
して2.3g(78%)の淡黄色の結晶を得た。
ヒドを500mlの乾燥CH2Cl2中に溶解した。その溶液をN2で15分間
パージした。次にトリフルオロ酢酸(154μl、2.6mM)を注射器で添加
し、混合物を3時間N2中で光を当てないようにして撹拌した。2,3−ジクロ
ロ−5,6−ジシアノキノン(1.04g、4.6mM)を添加し、撹拌を30
分間続けた。得られた暗い溶液をその最初の体積の1/3まで濃縮し、ヘキサン
でシリカゲルを詰めたカラムに注いだ。CH2Cl2で溶離することにより紫の
帯域を与え、それを濃縮して紫の固体を得、それを濾過し、エタノールで洗浄し
、次にヘキサンで洗浄した。それら固体は、光ルミネッセンスの測定を行なうの
に充分純粋であった。
、80%、MS(El)m/z(相対強度)462(M+、100)、386(
50)、368(30)、313(25)、231(50)。 5,15−メモ−ビス(ペンタフルオロフェニル)ポルフィリン(H2BPF
PP):収率:0.05g、5%、MS(El)、m/z(相対強度)642(
M+、100)、632(8)、602(8)、368(45)、321(35
)、236(40)。 5,15−メモ−ビス(4−シクロフェニル)ポルフィリン(H2BCPP)
:収率:0.09g、10%、MS(El)、m/z(相対強度)512(M+
、100)、411(50)、368(35)、355(40)、294(45
)、281(50)。 5,15−メモ−ビス(4−アニシル)ポルフィリン(H2BAP):収率:
0.09g、10%、MS(El)m/z(相対強度)522(M+、8)、4
16(100)、401(20)、372(23)。
mlの乾燥トルエン中にH2DPP(0.05g、0.11mM)及びPt(P
hCN)2Cl2(0.1g、0.22mM)を入れた混合物を、N2中で24
時間還流した。得られた溶液を真空中で完全に乾燥し、微量のPhCNを除去し
た。暗い固体をCH2Cl2中に溶解し、ヘキサン:CH2Cl2(1:1v/
v)を用いてクロマトグラフにかけ、生成物として赤色固体(0.04g、56
%)を得た。1H NMR:δ10.15(s、2H)、9.207(dd、4
H、J1=12Hz、J2=7.5Hz)、8.93(dd、4H、J1=12
Hz、J2=7.5Hz)8.18(m、4H)、7.77(m、6H)。%、
MS(El)m/z(相対強度)655(M+、100)、577(30)、3
26(50)、288(35)。
むホール輸送層を有するOLEDの例 有機発光デバイス(OLED)の製法: 化学物質: IBSを、次の手順により製造した:丸底フラスコに、Na−t−ブトキシド
(4.25g)、Pd2dba3(0.22g)、DPPF(ジフェニルホスフ
ィノフェロセン、0.33g)、及び50mlの無水トルエンを入れた。反応混
合物をアルゴン中、90℃で15分間撹拌した。次に、ジブロモビフェニル(3
.12g)及びイミノスチルベン(4.25g)を添加し、質量分光計によって
アミンが検出されなくなるまで、反応を8時間撹拌した。次に溶媒を反応混合物
からストリップし、粗製残渣を真空中で乾燥した。次に乾燥した残渣を、減圧下
(10−4トール)で勾配昇華にかけた。昇華により純粋な物質2.06g、理
論的反応収率36%を得た。
チルベンを、17mM(6.94g)の4,4′−ジヨードビフェニルと反応さ
せた。反応生成物を凝縮器を取り付けた丸底フラスコに、34mM(2.16g
)の銅粉末、68mM(9.398g)の炭酸カリウム、2mM(0.530g
)の18−クラウン−6エーテル、及び20mlのo−ジクロロベンゼンと共に
入れた。フラスコを185℃に加熱し、次にアルゴン中、24時間還流した。反
応混合物を熱いまま濾過し、濾液を真空中に入れ、溶媒を除去した。次に残渣を
シリカゲルの短いカラムにトルエンにより通過させた。次に溶媒をカラム濾液か
ら除去し、後に残った固体を0.01トールの真空中220℃で昇華し、精製し
た。
した。全ての有機材料を、使用する前に昇華した。
け、次に脱イオン水で濯くことにより清浄にした。それらを、次に2分間、沸騰
する1,1,1−トリクロロエタン中で2回処理した。それら基板をアセトンと
共に2分間2回超音波にかけ、メタノールで2分間2回超音波にかけた。
を約5×10−7〜2×10−6トールにした。
秒の速度で蒸着した。その厚さは300Åに調節した。
さは450Åに調節した。
シートから作られており、0.25、0.5、0.75、及び1.0mmの直径
を持つ孔が開いていた。次にそれら基板を真空中へ戻し、更に被覆した。
は9:1であった。この層の厚さは500Åであった。最後に1000ÅのAg
を2.7Å/秒の速度で蒸着した。
、及び輝度を測定した。これらの測定した量から導いたOLEDデータを表F2
に記載する。デバイスの電流・電圧(I−V)特性は、表F1及びF2に示す。
q3ETL、及びMg−Agカソードを蒸着したものからなる単一ヘテロ構造を
有するOLEDの電流・電圧特性を示している。四つの異なったHTL材料:T
PD、NPD、ISB、及びIDBについて四つの異なったプロットが示されて
いる。TPD、NPD、及びISBについての電流・電圧プロットは非常に似て
おり、OLEDの電流・電圧特性は、HTLがTPDか、NPDか、又はISB
であるかに拘わらず大して変化しない。IDBの場合の電流・電圧プロットは、
TPD、NPD、及びISBについてのプロットよりも低い電流を示し、電流・
電圧特性の見通しから、IDBは余り望ましくないHTLであることを示す。
ル注入促進層、HTL、Alq3ETL、及びMg−Agカソードを蒸着したも
のからなる、ホール注入促進層を有する単一ヘテロ構造を有するOLEDの電流
・電圧特性を示している。四つの異なったHTL材料:TPD、NPD、ISB
、及びIDBについて四つの異なったプロットが示されている。TPD、NPD
、及びISBについての電流・電圧プロットは非常に似ており、OLEDの電流
・電圧特性は、HTLがTPDか、NPDか、又はISBであるかに拘わらず大
して変化しない。IDBの場合の電流・電圧プロットは、TPD、NPD、及び
ISBについてのプロットよりも低い電流を示し、電流・電圧特性の見通しから
、IDBは余り望ましくないHTLであることを示している。
ISBを用いたOLEDは、HTLとしてTPD又はNPDを用いたOLEDの
ものと同様な電流・電圧特性を持つことができることを示している。ISBのT
gが高いこと及びISBを用いたOLEDの予想寿命が長いことに関連して、こ
の類似性は、ISBは優れたHTLであることを示している。
LEDの光出力対電流を示す図であり、この図に示した一番下の組の値は180
時間で得られたものである。
示す図であり、この図の一番下の組の値は180時間で測定された。
示す図である。
対電流を示す図であり、CuPcデバイスの効率ηは0.23%、ZnPc装置
は0.15%である。
して、透過率(T)、反射率(R)及び吸収率(A)を示す図である。
図であり、高い組の値は0時間で測定され、下の組の値は180時間で測定され
たものである。
示す図であり、高い組の値は0時間で測定され、下の組の値は60時間及び18
0時間で測定されたものである。
光出力対電流を示す図であり、これらの装置は約0.1%の効率ηを示す。
及び同じ真空サイクルで成長させた基準TOLEDの電流・電圧特性を示す図で
ある。
準TOLEDの駆動電流に対する表面及び底面からの合計光出力を示す図であり
、測定された最大電流での輝度は2000cd/m2に相当する。
ルを示す図であり、適合値(実線)は、本文に記載した計算方法を用い得た頂部
からの発光スペクトルに相当する。
であり、Dssは表面状態の密度を示す。
タル再現写真を示し、従来のTOLEDは小さな灰色の領域として現れているの
に対し、非金属カソードを有するTOLEDはデジタル再現写真では見えない。
蛍光スペクトルを示す図である。
ルミネッセンス(PL)スペクトルを示す図である。
図である。
q3デバイス(0%)のエレクトロルミネッセンススペクトルを、CH2Cl2
中に存在させた時のドーパントの光ルミネッセンスと比較して示す図である。
図である。
た電圧(6、9、12及び15V)での波長の関数としてELスペクトルを、T
PPドープデバイスのEL(TPP EL)と比較して示す図である。
の関数として示すELスペクトルの図である。
の波長の関数として示す光ルミネッセンス(PL)スペクトルの図である。
ルを、約0.6モル%のPtOEPをドープしたAlq3層を有するOLEDの
ELスペクトルと比較して示す図である。
製造するのに用いられる代表的ポルフィリン及び四種類の別のポルフィリンを示
す図である。
トルを、ポリスチレン中のPtDDPの光ルミネッセンス(PL)及びAlq3
デバイス中にドープしたPtOEPのELスペクトルと比較して示す図である。
ドープしたPtDPPについての印加電圧の関数としてのELスペクトルを示す
図である。
lq3OLEDと比較して示す図である。
LEDと比較して示す図である。
化合物についての標準化発光スペクトルとの重なりを示す図である。
プロットを示す図である。
ル、又は置換又は非置換アリールであり、 Z1及びZ2は、互いに独立に、炭素又は窒素原子であり、 Yは、Z1及びZ2が両方共窒素原子である場合、M、金属原子であるか、又は
、 Yは、Z1又はZ2が炭素原子である場合、O、NR6(ここでR6は、水素、又
は置換又は非置換アルキルである)、又はSであるか、又は Yは存在しない。〕 の化学構造を有するドーパント化合物を含む発光層を有する、請求項9に記載の
有機発光デバイス。
ル、又は置換又は非置換アリールであり、 Z1及びZ2は、互いに独立に、炭素又は窒素原子であり、 Yは、Z1及びZ2が両方共窒素原子である場合、M、金属原子であるか、又は
、 Yは、Z1又はZ2が炭素原子である場合、O、NR6(ここでR6は、水素、又
は置換又は非置換アルキルである)、又はSであるか、又は Yは存在しない。〕 のドーパント化合物を含む発光層を形成する工程を有する、請求項26に記載の
方法。
ル、又は置換又は非置換アリールであり、 Z1及びZ2は、互いに独立に、炭素又は窒素原子であり、 Yは、Z1及びZ2が両方共窒素原子である場合、M、金属原子であるか、又は
、 Yは、Z1又はZ2が炭素原子である場合、O、NR6(ここでR6は、水素、又
は置換又は非置換アルキルである)、又はSであるか、又は Yは存在しない。但し、Yが存在しない場合、Z1は炭素原子であり、Z2は窒
素原子であり、その時Rは水素に対して供与体又は受容体基である基である。〕
のドーパント化合物を有する化合物。
、及び置換アリールからなる群から選択され、 R9及びR10は、一緒になって融合環を形成していてもよく、 M1は、二価、三価、又は四価の金属であり、 a、b及びcは、夫々0又は1であり、然も、XがCである場合、aは1であ
り;XがNである場合、aは0であり;cが1である場合、bは0であり;bが
1である場合cは0である。)の化学構造を有する、請求項58記載の有機発光
デバイス。
は水素であり、但し、R基の少なくとも一つは、他のR基の少なくとも一つとは
異なっているものとする。) を有する構造を有する、請求項58に記載の有機発光デバイス。
又は異なる)を有する構造を有する、請求項71記載の有機発光デバイス。
は水素であり、但し、R基の少なくとも一つは、他のR基の少なくとも一つとは
異なっているものとする。) を有する構造を有する、請求項69に記載の積層有機発光デバイス。
か又は異なる。) を有する構造を有する、請求項69記載の積層有機発光デバイス。
は水素であり、但し、R基の少なくとも一つは、他のR基の少なくとも一つとは
異なっているものとする。) を有する構造を有する、請求項70に記載の方法。
か又は異なる。) を有する構造を有する、請求項70に記載の方法。
に、水素、アルキル基、フェニル基、置換アルキル基、及び置換フェニル基から
なる群から選択され、R1及びR2は、架橋されていてもよい。) を有する、請求項90に記載の有機発光デバイス。
アノードとして働くインジウム錫酸化物(ITO)フイルムで予め被覆したガラ
ス基板の上にTOLEDを堆積する。例えば、TOLEDは、非金属カソード1
、電子注入界面層6、電子輸送層2、ホール輸送層3、アノード層4、及び基板
5を有する。ホール輸送層及び電子輸送層を堆積した後、例えば、銅フタロシア
ニン(CuPc)の薄膜を堆積することにより電子注入界面層を付加し、次に低
電力無線周波スパッターしたITOをかぶせる。この第二のITO層は、この装
置のカソードとして働く。或る場合には、ITOスパッタリング工程中、下の有
機層に対する損傷を防ぐ保護層としての機能を果たす外、CuPc層はITO層
と一緒になって、隣接する電子輸送層へ電子を送るための電子注入領域としての
働きもする。例えば、4,4′−ジ(N−カルバゾロ)ジフェニル(CBP)の
付加物中間電子輸送層を、図1A2bに示したように、第一電子輸送層とCuP
c層の間に存在させてもよい。中間的電子輸送層は、非金属カソード層と低抵抗
電気接触している電子注入界面層と、ホール輸送層と接触している電子輸送層と
の間に横たわる。特に、図1A2bのOLEDは、非金属層1、電子注入界面層
6、中間電子輸送層7、電子輸送層2、ホール輸送層3、アノード層4、及び基
板5を有する。
、Tgが一層高いことは、ISB系OLEDが著しく改良された寿命を有し、N
PD及びTPD系OLEDよりも高い温度で作動することができる。TPD、N
PD及びISB OLEDデバイス特性の類似性は、図2B1及び2B2に見る
ことができる。TPD、NPD及びISBを用いたOLEDの電流・電圧プロッ
トは、殆ど区別できないが、IDBは良くない。
OLEDの光出力対電流を示す図であり、この図に示した一番下の組の値は18
0時間で得られたものである。 (1) 訂正の理由−1 請求項41、42、47〜49、52〜54、62、71、72、84、85
、87、88、91、94及び97;並びに、段落「0020」、「0024」
、「0031」、「0115」、「0124」、「0127」、「0130」、
「0134」、「0137」、「0139」、「0148」、「0151」、「
0162」、「0174」、「0185」、「0188」、「0198」、「0
212」、「0221」、「0226」及び「0231」の訂正について これらの箇所の、PCT外国語特許出願の国際出願日における明細書又は請求
の範囲(以下、原文明細書という)の表記はそれぞれ、原文明細書の 第104頁〜114頁(Claims41、42、47〜49、52〜54、62、
71、72)、 第116頁〜122頁(Claims84、85、87、88、91、94、97)
、 第9頁第1行〜2行、 第10頁第5行〜18行、 第12頁第22行〜24行、 第43頁第20行〜下から5行、 第46頁第7行〜8行、 第47頁第1行〜2行、 第47頁第7行〜8行、 第48頁第1行〜2行、 第48頁第6行〜8行、 第48頁第10行〜最下行、 第51頁第3行〜4行、 第51頁第22行〜最下行、 第55頁第1行〜10行、 第60頁第1行〜9行、 第63頁第1行、 第64頁第1行、 第67頁第1行、 第70頁第6行〜7行、 第71頁第10行〜下から3行、 第72頁第15行〜17行、 第64頁第1行、 第67頁第1行、 第70頁第6行〜7行、 第71頁第10行〜下から3行、 第73頁第5行〜9行、 に記載されていました。 しかし、誤訳訂正前においては、それら記載中の化学式が翻訳段階でワープロ
のイメージ変換の手違いにより、誤記となってしまいました。 そこで、それら化学式を、原文明細書の上記箇所に記載される通りに誤訳訂正
します。 (2) 訂正の理由−2 段落「0086」、「0235」及び「図1A3」の訂正について これらの段落の原文明細書の表記はそれぞれ、原文明細書第32頁第10行〜
最下行、第76頁第1行〜6行、第20頁第13行〜14行に記載されていまし
た。 原文明細書に記載のFig.A、Fig.B、Fig.C等をそれぞれ、「図
A」、「図B」、「図C」等と翻訳したのでは、オンライン出願が不可能ですの
で、平成12年4月10日付け提出の翻訳文では、原文明細書のFig.A、F
ig.B、Fig.C、Fig.D、Fig.E、Fig.Fをそれぞれ、「図
1A」、「図2B」、「図3C」、「図4D」、「図5E」、「図6F」と翻訳
しております。 しかし、誤訳訂正前においては、手違いにより原文明細書第32頁第10行〜
最下行に記載の“Fig.A2a”、“Fig.A2b”(2箇所)を「図A2a
」、「図A2b」(2箇所)と訳し;原文明細書第76頁第1行〜6行に記載の“
Fig.B1 and B2”を「図B1及びB2」と訳し;また、原文明細書第2 0頁第13行〜14行に記載の “Fig.A2a”を「図A2a」と訳しまし た。 そこで、それらの記載をそれぞれ、『図1A2a』、『図1A2b』;『図2
B1及び2B2』;『図1A2a』に誤訳訂正します。 (3) 訂正の理由−3 段落「0234」の訂正について この段落の原文明細書の表記は、原文明細書第75頁に記載されていました。
誤訳訂正前においては、手違いにより原文明細書第75頁に記載の“1510
@1mA”を「1510/ImA」と誤訳しました。 そこで、その記載を上記の通り、『1510/1mA』に誤訳訂正します。
ル、又は置換又は非置換アリールであり、 Z1及びZ2は、互いに独立に、炭素又は窒素原子であり、 Yは、Z1及びZ2が両方共窒素原子である場合、M、金属原子であるか、又は
、 Yは、Z1又はZ2が炭素原子である場合、O、NR6(ここでR6は、水素、又
は置換又は非置換アルキルである)、又はSであるか、又は Yは存在しない。〕 の化学構造を有するドーパント化合物を含む発光層を有する、請求項9に記載の
有機発光デバイス。
ル、又は置換又は非置換アリールであり、 Z1及びZ2は、互いに独立に、炭素又は窒素原子であり、 Yは、Z1及びZ2が両方共窒素原子である場合、M、金属原子であるか、又は
、 Yは、Z1又はZ2が炭素原子である場合、O、NR6(ここでR6 は、水素、 又は置換又は非置換アルキルである)、又はSであるか、又は Yは存在しない。〕 のドーパント化合物を含む発光層を形成する工程を有する、請求項26に記載の
方法。
ル、又は置換又は非置換アリールであり、 Z1及びZ2は、互いに独立に、炭素又は窒素原子であり、 Yは、Z1及びZ2が両方共窒素原子である場合、M、金属原子であるか、又は
、 Yは、Z1又はZ2が炭素原子である場合、O、NR6(ここでR6は、水素、又
は置換又は非置換アルキルである)、又はSであるか、又は Yは存在しない。但し、Yが存在しない場合、Z1は炭素原子であり、Z2は窒
素原子であり、その時Rは水素に対して供与体又は受容体基である基である。〕
のドーパント化合物を有する化合物。
、及び置換アリールからなる群から選択され、 R9及びR10は、一緒になって融合環を形成していてもよく、 M1は、二価、三価、又は四価の金属であり、 a、b及びcは、夫々0又は1であり、然も、XがCである場合、aは1であ
り;XがNである場合、aは0であり;cが1である場合、bは0であり;bが
1である場合cは0である。)の化学構造を有する、請求項58記載の有機発光
デバイス。
は水素であり、但し、R基の少なくとも一つは、他のR基の少なくとも一つとは
異なっているものとする。) を有する構造を有する。請求項58に記載の有機発光デバイス。
又は異なる)を有する構造を有する、請求項71記載の有機発光デバイス。
は水素であり、但し、R基の少なくとも一つは、他のR基の少なくとも一つとは
異なっているものとする)を有する構造を有する、請求項69に記載の積層有機
発光デバイス。
か又は異なる。) を有する構造を有する、請求項69記載の積層有機発光デバイス。
は水素であり、但し、R基の少なくとも一つは、他のR基の少なくとも一つとは
異なっているものとする)を有する構造を有する、請求項70に記載の方法。
か又は異なる)を有する構造を有する、請求項70に記載の方法。
に、水素、アルキル基、フェニル基、置換アルキル基、及び置換フェニル基から
なる群から選択され、R1及びR2は、架橋されていてもよい)を有する、請求項
90に記載の有機発光デバイス。
Claims (107)
- 【請求項1】 半導体有機層と低抵抗電気接触した電気伝導性非金属層から
なるカソード。 - 【請求項2】 電気伝導性非金属層が、少なくとも1eVのバンドギッャプ
を有する広バンドギッャプ半導体からなる、請求項1記載のカソード。 - 【請求項3】 広バンドギッャプ半導体が、入射及び導入した放射線に対し
少なくとも50%の透過率を有する、請求項1記載のカソード。 - 【請求項4】 半導体有機層がポリアセン化合物を含有する、請求項1記載
のカソード。 - 【請求項5】 半導体有機層がフタロシアニンを含有する、請求項1記載の
カソード。 - 【請求項6】 半導体有機層が銅フタロシアニンを含有する、請求項1記載
のカソード。 - 【請求項7】 半導体有機層が亜鉛フタロシアニンを含有する、請求項1記
載のカソード。 - 【請求項8】 請求項1、2、3、4、5、6、及び(又は)7に記載のカ
ソードを有する、電気的エネルギーを光学的エネルギーへ、又は光学的エネルギ
ーを電気的エネルギー変換する装置を有する光電子デバイス。 - 【請求項9】 エレクトロルミネッセンスを生ずるための、請求項1、2、
3、4、5、6、及び(又は)7に記載のカソードを有するヘテロ構造を有する
有機発光デバイス。 - 【請求項10】 請求項1、2、3、4、5、6、及び(又は)7に記載の
カソードを有する有機レーザーを具えた有機レーザー。 - 【請求項11】 光電子デバイスを製造する工程を有する光電子デバイスの
製法において、有機層の上に電気伝導性非金属層を堆積させ、その有機層の表面
上に、光電子デバイスのカソードとして二つの層を用いた場合のそれら二つの層
を通る電圧降下を小さくする界面領域を形成する工程を有する、光電子デバイス
の製法。 - 【請求項12】 電気伝導性非金属層が、少なくとも1eVのバンドギャッ
プを有する広バンドギャップ半導体からなる、請求項11記載の方法。 - 【請求項13】 広バンドギャップ半導体が、入射及び導入した放射線に対
し少なくとも50%の透過率を有する、請求項11記載の方法。 - 【請求項14】 半導体有機層がポリアセン化合物を含有する、請求項11
記載の方法。 - 【請求項15】 半導体有機層がフタロシアニンを含有する、請求項11記
載の方法。 - 【請求項16】 半導体有機層が銅フタロシアニンを含有する、請求項11
記載の方法。 - 【請求項17】 半導体有機層が亜鉛フタロシアニンを含有する、請求項1
1記載の方法。 - 【請求項18】 電気伝導性非金属層からなるカソードを製造する工程を有
するカソードの製法において、電気伝導性非金属層と半導体有機層との間に界面
領域を形成する工程を有し、然も、前記界面領域が、前記電気伝導性非金属層を
前記半導体有機層と低抵抗電気接触させる、上記製法。 - 【請求項19】 電気伝導性非金属層が、少なくとも1eVのバンドギャッ
プを有する広バンドギャップ半導体からなる、請求項18記載の方法。 - 【請求項20】 広バンドギャップ半導体が、入射及び導入した放射線に対
し少なくとも50%の透過率を有する、請求項18記載の方法。 - 【請求項21】 半導体有機層がポリアセン化合物を含有する、請求項18
記載の方法。 - 【請求項22】 半導体有機層がフタロシアニンを含有する、請求項18記
載の方法。 - 【請求項23】 半導体有機層が銅フタロシアニンを含有する、請求項18
記載の方法。 - 【請求項24】 半導体有機層が亜鉛フタロシアニンを含有する、請求項1
8記載の方法。 - 【請求項25】 エレクトロルミネッセンスを発生するための第一ヘテロ構
造、及び 前記第一ヘテロ構造上に積層されたエレクトロルミネッセンスを発生するための
第二ヘテロ構造、 を有し、然も、前記ヘテロ構造の少なくとも一つが、請求項1、2、3、4、5
、6、及び(又は)7に記載のカソードを有する、積層有機発光デバイス。 - 【請求項26】 エレクトロルミネッセンスを発生するための第一ヘテロ構
造を形成する工程を有する有機発光デバイスの製法において、請求項1、2、3
、4、5、6、及び(又は)7に記載のカソードを形成する工程を有する、上記
製法。 - 【請求項27】 ヘテロ構造が更に電荷キャリヤー層を有し、前記電荷キャ
リヤー層が、Al、Ga、及びInからなる群から選択された金属に配位した2
−メチル−8−キノリノラト リガンドである少なくとも一つの電子輸送部分、
及び少なくとも一つのホール輸送部分を有する分子を含む化合物からなる、請求
項9記載の有機発光デバイス。 - 【請求項28】 金属がAlである、請求項27記載の有機発光デバイス。
- 【請求項29】 ホール輸送部分がホール輸送アミン部分である、請求項2
7記載の有機発光デバイス。 - 【請求項30】 ホール輸送部分がトリアリールアミン誘導フェノキシドで
ある、請求項27記載の有機発光デバイス。 - 【請求項31】 化合物が、電子輸送部分としてAlに配位した二つの2−
メチル−8−キノリノラト リガンドを有し、ホール輸送部分としてトリアリー
ルアミン誘導フェノキシドを有する、請求項27記載の有機発光デバイス。 - 【請求項32】 化合物が、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)[p−
(N−フェニル−2−ナフチルアミノ)フェノラト]アルミニウム(III)で
ある、請求項27記載の有機発光デバイス。 - 【請求項33】 化合物が、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(p−
カルバゾールフェノラト)アルミニウム(III)である、請求項27に記載の
有機発光デバイス。 - 【請求項34】 化合物が、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(m−
カルバゾールフェノラト)アルミニウム(III)である、請求項27に記載の
有機発光デバイス。 - 【請求項35】 電荷キャリヤー層が発光層である、請求項27に記載の有
機発光デバイス。 - 【請求項36】 電荷キャリヤー層が二重ヘテロ構造の別の発光層である、
請求項27に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項37】 電荷キャリヤー層が単一ヘテロ構造の電子輸送層である、
請求項27に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項38】 電荷キャリヤー層が、カソードと電子輸送層との間に配置
された電子注入層である、請求項27記載の有機発光デバイス。 - 【請求項39】 電荷キャリヤー層が、色素をドープした化合物からなる、
請求項27に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項40】 形成工程が更に電荷キャリヤー層を形成する工程を有し、
前記電荷キャリヤー層が、Al、Ga、及びInからなる群から選択された金属
に配位した2−メチル−8−キノリノラト リガンドである少なくとも一つの電
子輸送部分、及び少なくとも一つのホール輸送部分を有する分子を含む化合物か
らなる、請求項26に記載の方法。 - 【請求項41】 ヘテロ構造が、更に、式C−I: 【化1】 〔式中、Rは、水素、又は水素に対して供与体又は受容体基である基であり、 R′=アルキル、又は置換又は非置換アリール、 R1及びR2は、水素であるか、又は一緒になって融合アリール環を形成し、 Xは、O、NR5(ここでR5は、水素、又は置換又は非置換アルキル、アル
キル、又は置換又は非置換アリールであり、 Z1及びZ2は、互いに独立に、炭素又は窒素原子であり、 Yは、Z1及びZ2が両方共窒素原子である場合、M、金属原子であるか、又
は、 Yは、Z1又はZ2が炭素原子である場合、O、NR6(ここでR6は、水素
、又は置換又は非置換アルキルである)、又はSであるか、又は Yは存在しない。〕 の化学構造を有するドーパント化合物を含む発光層を有する、請求項9に記載の
有機発光デバイス。 - 【請求項42】 Z1が炭素原子であり、Z2が窒素原子であり、Xが酸素
原子であり、Yが存在せず、ドーパント化合物が式C−II: 【化2】 の化学構造を有する、請求項41に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項43】 ドーパント化合物が、R1及びR2が水素であり、R=H
及びR′=C6H5である場合の式C−IIの化学構造を有する、請求項42記
載の有機発光デバイス。 - 【請求項44】 ドーパント化合物が、R1及びR2が水素であり、R=O
OCCH3及びR′=C6H5である場合の式C−IIの化学構造を有する、請
求項42に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項45】 ドーパント化合物が、R1及びR2が水素であり、R=N
(CH3)2及びR′=C6H5である場合の式C−IIの化学構造を有する、
請求項42に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項46】 ドーパント化合物が、R1及びR2が水素であり、R=C
(CH3)3及びR′=C6H5である場合の式C−IIの化学構造を有する、
請求項42に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項47】 ドーパント化合物が、式C−IV: 【化3】 (式中、R′=C6H5) の化学構造を有する、請求項41に記載の有機発光デバイス。
- 【請求項48】 ドーパント化合物が、式C−V: 【化4】 の化学構造を有する、請求項41に記載の有機発光デバイス。
- 【請求項49】 ドーパント化合物が、式VI: 【化5】 の化学構造を有する、請求項41に記載の有機発光デバイス。
- 【請求項50】 エレクトロルミネッセンスを発生するためのヘテロ構造が
、順次、基板、カソード層、電子輸送層、ホール輸送層、及びアノード層からな
る、請求項41に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項51】 エレクトロルミネッセンスを発生するためのヘテロ構造が
、順次、基板、アノード層、ホール輸送層、電子輸送層、及びカソード層からな
る、請求項41に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項52】 製造工程が、更に、式C−I: 【化6】 〔式中、Rは、水素、又は水素に対して供与体又は受容体基である基であり、 R′=アルキル、又は置換又は非置換アリール、 R1及びR2は、水素であるか、又は一緒になって融合アリール環を形成し、 Xは、O、NR5(ここでR5は、水素、又は置換又は非置換アルキル、アル
キル、又は置換又は非置換アリールであり、 Z1及びZ2は、互いに独立に、炭素又は窒素原子であり、 Yは、Z1及びZ2が両方共窒素原子である場合、M、金属原子であるか、又
は、 Yは、Z1又はZ2が炭素原子である場合、O、NR6(ここでR6は、水素
、又は置換又は非置換アルキルである)、又はSであるか、又は Yは存在しない。〕 のドーパント化合物を含む発光層を形成する工程を有する、請求項26に記載の
方法。 - 【請求項53】 式C−I: 【化7】 〔式中、Rは、水素、又は水素に対して供与体又は受容体基である基であり、 R′=アルキル、又は置換又は非置換アリール、 R1及びR2は、水素であるか、又は一緒になって融合アリール環を形成し、 Xは、O、NR5(ここでR5は、水素、又は置換又は非置換アルキル、アル
キル、又は置換又は非置換アリールであり、 Z1及びZ2は、互いに独立に、炭素又は窒素原子であり、 Yは、Z1及びZ2が両方共窒素原子である場合、M、金属原子であるか、又
は、 Yは、Z1又はZ2が炭素原子である場合、O、NR6(ここでR6は、水素
、又は置換又は非置換アルキルである)、又はSであるか、又は Yは存在しない。但し、Yが存在しない場合、Z1は炭素原子であり、Z2は
窒素原子であり、その時Rは水素に対して供与体又は受容体基である基である。
〕のドーパント化合物を有する化合物。 - 【請求項54】 Z1が炭素原子であり、Z2が窒素原子であり、Xが酸素
原子であり、Yが存在せず、化合物が、式C−II: 【化8】 の化学構造を有する、請求項53に記載の化合物。 - 【請求項55】 化合物が、R1及びR2が水素であり、R=OOCCH3
及びR′=C6H5である場合の式C−IIの化学構造を有する、請求項54に
記載の化合物。 - 【請求項56】 化合物が、R1及びR2が水素であり、R=N(CH3)
2及びR′=C6H5である場合の式C−IIの化学構造を有する、請求項54
に記載の化合物。 - 【請求項57】 化合物が、R1及びR2が水素であり、R=C(CH3)
3及びR′=C6H5である場合の式C−IIの化学構造を有する、請求項54
に記載の化合物。 - 【請求項58】 ヘテロ構造が、更に燐光ドーパント化合物を含有する発光
層を有する、請求項9に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項59】 発光層が、電子輸送層である請求項58に記載の有機発光
デバイス。 - 【請求項60】 発光層が、ホール輸送層である請求項58に記載の有機発
光デバイス。 - 【請求項61】 燐光ドーパント化合物が、約10μ秒以下の燐光寿命を有
する、請求項58に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項62】 燐光ドーパント化合物が、式D−I: 【化9】 (式中、Xは、C又はNであり、 R8、R9及びR10は、夫々独立に、水素、アルキル、置換アルキル、アリ
ール、及び置換アリールからなる群から選択され、 R9及びR10は、一緒になって融合環を形成していてもよく、 M1は、二価、三価、又は四価の金属であり、 a、b及びcは、夫々0又は1であり、然も、XがCである場合、aは1であ
り;XがNである場合、aは0であり;cが1である場合、bは0であり;bが
1である場合cは0である。)の化学構造を有する、請求項58記載の有機発光
デバイス。 - 【請求項63】 燐光ドーパント化合物が白金オクタエチルポルフィンであ
り、式: 【化10】 を有する、請求項58記載の有機発光デバイス。 - 【請求項64】 燐光ドーパント化合物を、トリス−(8−ヒドロキシキノ
リン)−アルミニウムからなる電子輸送層にドープする、請求項63に記載の有
機発光デバイス。 - 【請求項65】 エレクトロルミネッセンスを発生するヘテロ構造が、N,
N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)1−1′ビフェニル
−4,4′ジアミンからなるホール輸送層を有する、請求項64に記載の有機発
光デバイス。 - 【請求項66】 燐光ドーパント化合物が、約640nmの所にピークを有
する飽和赤色発光を生ずる、請求項64に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項67】 エレクトロルミネッセンスを発生するためのヘテロ構造が
、順次、基板、カソード層、電子輸送層、ホール輸送層、及びアノード層からな
る、請求項58に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項68】 エレクトロルミネッセンスを発生するためのヘテロ構造が
、順次、基板、アノード層、ホール輸送層、電子輸送層、及びカソード層からな
る、請求項58に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項69】 半導体有機層と低抵抗電気接触している電気伝導性非金属
層を有する少なくとも一つのヘテロ構造が、燐光ドーパント化合物を含有する発
光層を有する、請求項25に記載積層有機発光デバイス。 - 【請求項70】 形成工程が、更に燐光ドーパント化合物を含有する発光層
を形成する工程を有する、請求項26記載の方法。 - 【請求項71】 燐光ドーパント化合物が、式E−II: 【化11】 (式中、R基、R1、R2、R3及びR4は、互いに独立にアルキル、アリール
、又は水素であり、但し、R基の少なくとも一つは、他のR基の少なくとも一つ
とは異なっているものとする。) を有する構造を有する。請求項58に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項72】 燐光ドーパント化合物が、式E−III: 【化12】 (式中、R5及びR6は電子供与体又は電子受容体基であり、R5及びR6は同
じか又は異なる)を有する構造を有する、請求項71記載の有機発光デバイス。 - 【請求項73】 燐光ドーパント化合物が、R1及びR3が水素であり、R
2及びR4が非置換フェニル基である場合の式E−IIの構造を有する、請求項
71に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項74】 発光層が、電子輸送層である、請求項71に記載の有機発
光デバイス。 - 【請求項75】 発光層が、ホール輸送層である、請求項71に記載の有機
発光デバイス。 - 【請求項76】 燐光ドーパント化合物が、約10μsec以下の燐光寿命
を有する、請求項71に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項77】 燐光ドーパント化合物が、トリス−(8−ヒドロキシキノ
リン)−アルミニウムからなる電子輸送層にドープされている、請求項71に記
載の有機発光デバイス。 - 【請求項78】 燐光ドーパント化合物が、N,N′−ジフェニル−N,N
′−ビス(3−メチルフェニル)1−1′ビフェニル−4,4′ジアミンからな
るホール輸送層を有する、請求項71記載の有機発光デバイス。 - 【請求項79】 燐光ドーパント化合物が、トリス−(8−ヒドロキシキノ
リン)−アルミニウムからなる電子輸送層にドープされている、請求項73に記
載の有機発光デバイス。 - 【請求項80】 ルミネッセンスを発生するためのヘテロ構造が、N,N′
−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)1−1′ビフェニル−4
,4′ジアミンからなるホール輸送層を有する、請求項79に記載の有機発光デ
バイス。 - 【請求項81】 燐光ドーパント化合物が、約630nmの所にピークを有
する飽和赤色発光を生ずる、請求項73記載の有機発光デバイス。 - 【請求項82】 エレクトロルミネッセンスを発生するためのヘテロ構造が
、順次、基板、カソード層、電子輸送層、ホール輸送層、及びアノード層からな
る、請求項71記載の有機発光デバイス。 - 【請求項83】 エレクトロルミネッセンスを発生するためのヘテロ構造が
、順次、基板、アノード層、ホール輸送層、電子輸送層、及びカソード層からな
る、請求項71記載の有機発光デバイス。 - 【請求項84】 燐光ドーパント化合物が、式E−II: 【化13】 (式中、R基、R1、R2、R3及びR4は、互いに独立にアルキル、アリール
、又は水素であり、但し、R基の少なくとも一つは、他のR基の少なくとも一つ
とは異なっているものとする。) を有する構造を有する。請求項69に記載の積層有機発光デバイス。 - 【請求項85】 燐光ドーパント化合物が、式E−III: 【化14】 (式中、R5及びR6は、電子供与体又は電子受容体基であり、R5及びR6は
同じか又は異なる。) を有する構造を有する、請求項69記載の積層有機発光デバイス。 - 【請求項86】 燐光ドーパント化合物が、R1及びR3が水素であり、R
2及びR4が非置換フェニル基である場合の式E−IIの構造を有する、請求項
84に記載の積層有機発光デバイス。 - 【請求項87】 燐光ドーパント化合物が、式E−II: 【化15】 (式中、R基、R1、R2、R3及びR4は、互いに独立にアルキル、アリール
、又は水素であり、但し、R基の少なくとも一つは、他のR基の少なくとも一つ
とは異なっているものとする。) を有する構造を有する。請求項70に記載の方法。 - 【請求項88】 燐光ドーパント化合物が、式E−III: 【化16】 (式中、R5及びR6は、電子供与体又は電子受容体基であり、R5及びR6は
同じか又は異なる。) を有する構造を有する、請求項70に記載の方法。 - 【請求項89】 燐光ドーパント化合物が、R1及びR3が水素であり、R
2及びR4が非置換フェニル基である場合の式E−IIの構造を有する、請求項
87に記載の方法。 - 【請求項90】 ヘテロ構造が、更にガラス構造を有するホール輸送層を有
し、前記ホール輸送層が対称性分子構造を有する化合物からなり、前記分子の末
端基が、二つのアレンの間の不飽和結合を有するホール輸送アミン部分である、
請求項9に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項91】 化合物が、式: 【化17】 (式中、Aは、一つ又は二つのフェニル基からなり、R1及びR2は、互いに独
立に、水素、アルキル基、フェニル基、置換アルキル基、及び置換フェニル基か
らなる群から選択され、R1及びR2は、架橋されていてもよい。) を有する、請求項90に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項92】 化合物が、式: 【化18】 を有する、請求項91に記載の有機発光デバイス。
- 【請求項93】 化合物が、式: 【化19】 を有する、請求項91に記載の有機発光デバイス。
- 【請求項94】 化合物が、式: 【化20】 を有する、請求項91に記載の有機発光デバイス。
- 【請求項95】 R1及びR2が同じである、請求項91に記載の有機発光
デバイス。 - 【請求項96】 R1及びR2が異なっている、請求項91に記載の有機発
光デバイス。 - 【請求項97】 化合物が、式: 【化21】 を有する、請求項90に記載の有機発光デバイス。
- 【請求項98】 化合物が、ホール輸送層の中の主たる成分である、請求項
90に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項99】 化合物が、ホール輸送層の中のドーパントである、請求項
90に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項100】 エレクトロルミネッセンスを発生するためのヘテロ構造
が、順次、基板、カソード層、電子輸送層、ホール輸送層、及びアノード層から
なる、請求項90に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項101】 エレクトロルミネッセンスを発生するためのヘテロ構造
が、順次、基板、カソード層、電子輸送層、ホール輸送層、ホール注入層、及び
アノード層からなる、請求項90に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項102】 エレクトロルミネッセンスを発生するためのヘテロ構造
が、順次、基板、カソード層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層、及びアノー
ド層からなる、請求項90に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項103】 エレクトロルミネッセンスを発生するためのヘテロ構造
が、順次、基板、カソード層、電子輸送層、ホール輸送層、発光層、ホール注入
層、及びアノード層からなる、請求項90に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項104】 エレクトロルミネッセンスを発生するためのヘテロ構造
が、順次、基板、アノード層、ホール輸送層、電子輸送層、及びカソード層から
なる、請求項90に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項105】 形成工程が、更にガラス構造を有するホール輸送層を形
成する工程を有し、前記ホール輸送層が対称性分子構造を有する化合物からなり
、前記対称性分子が、二つのアレンの間の不飽和結合を有するホール輸送アミン
部分である末端基を有する、請求項26記載の方法。 - 【請求項106】 ヘテロ構造が、更にガラス構造を有するホール輸送層を
有し、前記ホール輸送層が、分子式: 【化22】 を有する化合物からなる、請求項9に記載の有機発光デバイス。 - 【請求項107】 ヘテロ構造が、更にガラス構造を有するホール輸送層を
有し、前記ホール輸送層が、分子式: 【化23】 を有する化合物からなる、請求項9に記載の有機発光デバイス。
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Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000058265A (ja) * | 1998-07-28 | 2000-02-25 | Eastman Kodak Co | 有機発光素子及びその製造方法 |
JP2001257076A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Tdk Corp | 有機el素子 |
JP2002050484A (ja) * | 2000-05-22 | 2002-02-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置および電気器具 |
JP2002352957A (ja) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Honda Motor Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2003007467A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Honda Motor Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2003077675A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-03-14 | Showa Denko Kk | 有機発光素子および発光材料 |
JP2003157979A (ja) * | 2001-11-08 | 2003-05-30 | Xerox Corp | 赤色有機発光素子 |
JP2005310766A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2006135315A (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2006232784A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Takasago Internatl Corp | 白金錯体及び発光素子 |
JP2006303394A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2007019471A (ja) * | 2005-06-07 | 2007-01-25 | Fujifilm Holdings Corp | 有機電界発光素子 |
JP2008526766A (ja) * | 2004-12-30 | 2008-07-24 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 有機金属錯体 |
JP2009135516A (ja) * | 2000-12-15 | 2009-06-18 | Universal Display Corp | 燐光性ドープがされた混合層構造を有する、非常に安定で効率的な有機発光素子 |
JP2010056581A (ja) * | 2001-11-27 | 2010-03-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子 |
US7923128B2 (en) | 2005-06-07 | 2011-04-12 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent device |
US8617720B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-12-31 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electroactive composition and electronic device made with the composition |
US8808877B2 (en) | 2009-08-18 | 2014-08-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent element and method of manufacturing the same |
JP2015534230A (ja) * | 2012-09-28 | 2015-11-26 | オーシャンズ キング ライティング サイエンスアンドテクノロジー カンパニー リミテッド | 有機エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法 |
JP2017022406A (ja) * | 2000-08-28 | 2017-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP2018116282A (ja) * | 2012-05-09 | 2018-07-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6303238B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-10-16 | The Trustees Of Princeton University | OLEDs doped with phosphorescent compounds |
JP4511024B2 (ja) * | 1997-10-09 | 2010-07-28 | ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ | 高透明性非金属カソード |
US6172459B1 (en) * | 1998-07-28 | 2001-01-09 | Eastman Kodak Company | Electron-injecting layer providing a modified interface between an organic light-emitting structure and a cathode buffer layer |
US6436558B1 (en) | 1998-08-07 | 2002-08-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Organic electroluminescence element |
US6339290B1 (en) | 1998-08-21 | 2002-01-15 | Tdk Corporation | Organic electroluminescent device and making method |
US6366017B1 (en) | 1999-07-14 | 2002-04-02 | Agilent Technologies, Inc/ | Organic light emitting diodes with distributed bragg reflector |
TW536836B (en) | 2000-05-22 | 2003-06-11 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and electrical appliance |
US7306856B2 (en) | 2000-07-17 | 2007-12-11 | Fujifilm Corporation | Light-emitting element and iridium complex |
EP1175128B1 (en) * | 2000-07-17 | 2010-09-22 | FUJIFILM Corporation | Light emitting element and azole compound |
JP2002170678A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
TW545080B (en) | 2000-12-28 | 2003-08-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
AU2002306698A1 (en) * | 2001-03-14 | 2002-09-24 | The Trustees Of Princeton University | Materials and devices for blue phosphorescence based organic light emitting diodes |
GB0120828D0 (en) | 2001-08-28 | 2001-10-17 | Isis Innovation | Method of driving an electroluminescent device |
KR100439648B1 (ko) * | 2001-08-29 | 2004-07-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광소자 |
US6773830B2 (en) * | 2001-11-08 | 2004-08-10 | Xerox Corporation | Green organic light emitting devices |
US6765351B2 (en) | 2001-12-20 | 2004-07-20 | The Trustees Of Princeton University | Organic optoelectronic device structures |
CN100523121C (zh) | 2003-05-09 | 2009-08-05 | 富士胶片株式会社 | 有机电致发光装置和铂化合物 |
US7928654B2 (en) | 2003-08-29 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
CN103441218A (zh) | 2004-06-02 | 2013-12-11 | 汤姆森特许公司 | 包括掺杂有机层的有机发光二极管 |
DE102004036496A1 (de) | 2004-07-28 | 2006-03-23 | Siemens Ag | Organische Leuchtdiode mit erhöhter Radikalanionenstabilität, sowie Verwendungen davon |
JP4531509B2 (ja) | 2004-09-27 | 2010-08-25 | 富士フイルム株式会社 | 発光素子 |
DE102005043163A1 (de) * | 2005-09-12 | 2007-03-15 | Merck Patent Gmbh | Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen |
DE102006002430A1 (de) * | 2006-01-10 | 2007-09-06 | Hahn-Meitner-Institut Berlin Gmbh | Verfahren zum Aufbringen von transparenten Kontaktelektroden auf die Schichtenfolge von optoelektronischen Bauelementen mit organischen Halbleiterschichten und optoelektronisches Bauelement |
DE102006046196A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtmittel |
DE102008056391B4 (de) * | 2008-09-26 | 2021-04-01 | Osram Oled Gmbh | Organisches elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102009003544B4 (de) * | 2009-02-26 | 2012-10-18 | Q-Cells Se | Verfahren zur Überprüfung von Solarzellenoberflächen |
TW201122357A (en) * | 2009-12-31 | 2011-07-01 | Yuieh Hsene Electronics Co Ltd | Light emission device using light transmissive layer as corresponding structure of refraction. |
KR101894331B1 (ko) * | 2011-11-14 | 2018-09-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR101910580B1 (ko) | 2011-12-09 | 2018-10-23 | 삼성전자주식회사 | 고분자 및 상기 고분자를 포함한 유기 발광 소자 |
CN104124379A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104124380A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104124339A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
KR102266960B1 (ko) * | 2016-03-02 | 2021-06-18 | 한국전자통신연구원 | 쇼트키 다이오드 및 이의 제조 방법 |
WO2018070417A1 (ja) * | 2016-10-11 | 2018-04-19 | 出光興産株式会社 | 構造物、その製造方法、半導体素子及び電子回路 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04502815A (ja) * | 1989-01-19 | 1992-05-21 | イーストマン コダック カンパニー | 酸素検知材料及び方法 |
EP0390551B1 (en) * | 1989-03-31 | 1996-07-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic electroluminescent device |
WO1998000474A1 (fr) * | 1996-06-28 | 1998-01-08 | Chisso Corporation | Materiau emetteur de lumiere rouge et composant electroluminescent organique fabrique a l'aide de ce materiau |
WO1999020081A2 (en) * | 1997-10-09 | 1999-04-22 | The Trustees Of Princeton University | Highly transparent non-metallic cathodes |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5203974A (en) * | 1988-12-17 | 1993-04-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Process for producing thin films |
US5061569A (en) | 1990-07-26 | 1991-10-29 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with organic electroluminescent medium |
US5294870A (en) | 1991-12-30 | 1994-03-15 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent multicolor image display device |
JP3300069B2 (ja) * | 1992-11-19 | 2002-07-08 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US5409783A (en) † | 1994-02-24 | 1995-04-25 | Eastman Kodak Company | Red-emitting organic electroluminescent device |
JPH07272854A (ja) * | 1994-03-29 | 1995-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機薄膜el素子 |
EP0723701B1 (en) * | 1994-08-11 | 2000-01-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Solid-state image intensifier and x-ray examination apparatus comprising a solid-state image intensifier |
DE4428450A1 (de) | 1994-08-11 | 1996-02-15 | Philips Patentverwaltung | Organisches, elektrolumineszentes Bauteil |
JPH0867872A (ja) * | 1994-08-29 | 1996-03-12 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JPH0890832A (ja) * | 1994-09-27 | 1996-04-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光素子アレイおよび光学ヘッド |
JP3758694B2 (ja) * | 1994-10-13 | 2006-03-22 | 三星エスディアイ株式会社 | 有機薄膜el素子 |
US5703436A (en) | 1994-12-13 | 1997-12-30 | The Trustees Of Princeton University | Transparent contacts for organic devices |
US5707745A (en) | 1994-12-13 | 1998-01-13 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor organic light emitting devices |
JP2593814B2 (ja) * | 1995-02-10 | 1997-03-26 | キヤノン株式会社 | El素子の駆動方法 |
US5554220A (en) | 1995-05-19 | 1996-09-10 | The Trustees Of Princeton University | Method and apparatus using organic vapor phase deposition for the growth of organic thin films with large optical non-linearities |
JP3555271B2 (ja) * | 1995-08-16 | 2004-08-18 | チッソ株式会社 | 青色発光素子 |
JPH09245967A (ja) * | 1996-03-12 | 1997-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機薄膜el素子 |
JP3564859B2 (ja) * | 1996-04-01 | 2004-09-15 | 東洋インキ製造株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US6048630A (en) † | 1996-07-02 | 2000-04-11 | The Trustees Of Princeton University | Red-emitting organic light emitting devices (OLED's) |
-
1998
- 1998-10-08 JP JP2000516507A patent/JP4511024B2/ja not_active Expired - Lifetime
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- 1998-10-08 WO PCT/US1998/021171 patent/WO1999020081A2/en active IP Right Grant
- 1998-10-08 AU AU10707/99A patent/AU1070799A/en not_active Abandoned
- 1998-10-08 KR KR1020007003897A patent/KR100558632B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-10-08 EP EP03025325.6A patent/EP1394870B2/en not_active Expired - Lifetime
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-
2006
- 2006-06-14 JP JP2006165287A patent/JP2006303527A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04502815A (ja) * | 1989-01-19 | 1992-05-21 | イーストマン コダック カンパニー | 酸素検知材料及び方法 |
EP0390551B1 (en) * | 1989-03-31 | 1996-07-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic electroluminescent device |
WO1998000474A1 (fr) * | 1996-06-28 | 1998-01-08 | Chisso Corporation | Materiau emetteur de lumiere rouge et composant electroluminescent organique fabrique a l'aide de ce materiau |
WO1999020081A2 (en) * | 1997-10-09 | 1999-04-22 | The Trustees Of Princeton University | Highly transparent non-metallic cathodes |
Cited By (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000058265A (ja) * | 1998-07-28 | 2000-02-25 | Eastman Kodak Co | 有機発光素子及びその製造方法 |
JP2001257076A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Tdk Corp | 有機el素子 |
JP2002050484A (ja) * | 2000-05-22 | 2002-02-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置および電気器具 |
JP4683766B2 (ja) * | 2000-05-22 | 2011-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型発光装置 |
JP2017022406A (ja) * | 2000-08-28 | 2017-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP2009135516A (ja) * | 2000-12-15 | 2009-06-18 | Universal Display Corp | 燐光性ドープがされた混合層構造を有する、非常に安定で効率的な有機発光素子 |
JP2002352957A (ja) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Honda Motor Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2003007467A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Honda Motor Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2003077675A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-03-14 | Showa Denko Kk | 有機発光素子および発光材料 |
JP2003157979A (ja) * | 2001-11-08 | 2003-05-30 | Xerox Corp | 赤色有機発光素子 |
JP2008028408A (ja) * | 2001-11-08 | 2008-02-07 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 赤色有機発光素子 |
JP2018041986A (ja) * | 2001-11-27 | 2018-03-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子 |
US8610109B2 (en) | 2001-11-27 | 2013-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2016197765A (ja) * | 2001-11-27 | 2016-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子 |
JP2020017765A (ja) * | 2001-11-27 | 2020-01-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子 |
US9263691B2 (en) | 2001-11-27 | 2016-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device containing iridium complex |
JP2010056581A (ja) * | 2001-11-27 | 2010-03-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子 |
US7737437B2 (en) | 2001-11-27 | 2010-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Light emitting device |
JP2021119621A (ja) * | 2001-11-27 | 2021-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子 |
JP2015130526A (ja) * | 2001-11-27 | 2015-07-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子 |
US8994017B2 (en) | 2001-11-27 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device containing iridium complex |
JP2013138251A (ja) * | 2001-11-27 | 2013-07-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子 |
JP2005310766A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP4571057B2 (ja) * | 2004-11-05 | 2010-10-27 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機電界発光素子 |
JP2006135315A (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光素子 |
US7651790B2 (en) | 2004-11-05 | 2010-01-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
JP2008526766A (ja) * | 2004-12-30 | 2008-07-24 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 有機金属錯体 |
US8362463B2 (en) | 2004-12-30 | 2013-01-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Organometallic complexes |
JP2006232784A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Takasago Internatl Corp | 白金錯体及び発光素子 |
JP2006303394A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
US7923128B2 (en) | 2005-06-07 | 2011-04-12 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent device |
JP2007019471A (ja) * | 2005-06-07 | 2007-01-25 | Fujifilm Holdings Corp | 有機電界発光素子 |
US8808877B2 (en) | 2009-08-18 | 2014-08-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent element and method of manufacturing the same |
US8617720B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-12-31 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electroactive composition and electronic device made with the composition |
JP2018116282A (ja) * | 2012-05-09 | 2018-07-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US10416466B2 (en) | 2012-05-09 | 2019-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
JP2015534230A (ja) * | 2012-09-28 | 2015-11-26 | オーシャンズ キング ライティング サイエンスアンドテクノロジー カンパニー リミテッド | 有機エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1044586A2 (en) | 2000-10-18 |
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