JP2001505363A - 電気的エネルギー貯蔵用大表面積窒化金属または金属オキシナイトライド - Google Patents
電気的エネルギー貯蔵用大表面積窒化金属または金属オキシナイトライドInfo
- Publication number
- JP2001505363A JP2001505363A JP51679998A JP51679998A JP2001505363A JP 2001505363 A JP2001505363 A JP 2001505363A JP 51679998 A JP51679998 A JP 51679998A JP 51679998 A JP51679998 A JP 51679998A JP 2001505363 A JP2001505363 A JP 2001505363A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- molybdenum
- titanium
- oxynitride
- nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 108
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 108
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 48
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 111
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 84
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 75
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 71
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 59
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 56
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 45
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 39
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910001337 iron nitride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 7
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 60
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical group CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 59
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 58
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 39
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- -1 iron halide Chemical class 0.000 claims description 36
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 34
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 34
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 22
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 19
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 17
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 15
- PDKHNCYLMVRIFV-UHFFFAOYSA-H molybdenum;hexachloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Mo] PDKHNCYLMVRIFV-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 14
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims description 12
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical group Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 11
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 9
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims description 8
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 7
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I tantalum(v) chloride Chemical compound Cl[Ta](Cl)(Cl)(Cl)Cl OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I 0.000 claims description 6
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims description 5
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims description 4
- JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M sodium bromide Chemical compound [Na+].[Br-] JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021550 Vanadium Chloride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003245 coal Substances 0.000 claims description 3
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical group [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N n-Propyl acetate Natural products CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YHBDIEWMOMLKOO-UHFFFAOYSA-I pentachloroniobium Chemical compound Cl[Nb](Cl)(Cl)(Cl)Cl YHBDIEWMOMLKOO-UHFFFAOYSA-I 0.000 claims description 3
- RPESBQCJGHJMTK-UHFFFAOYSA-I pentachlorovanadium Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[V+5] RPESBQCJGHJMTK-UHFFFAOYSA-I 0.000 claims description 3
- 229940090181 propyl acetate Drugs 0.000 claims description 3
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims description 3
- DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J zirconium tetrachloride Chemical compound Cl[Zr](Cl)(Cl)Cl DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 3
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 241000480805 Oxyna Species 0.000 claims description 2
- 150000001805 chlorine compounds Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 9
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- HHFAWKCIHAUFRX-UHFFFAOYSA-N ethoxide Chemical group CC[O-] HHFAWKCIHAUFRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylacetamide Chemical compound CCN(CC)C(C)=O AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VFYFMNCKPJDAPV-UHFFFAOYSA-N 2,2'-(5-oxo-1,3-dioxolan-4,4-diyl)diessigs Chemical compound C1N(C2)CN3CN1CN2C3.OC(=O)CC1(CC(O)=O)OCOC1=O VFYFMNCKPJDAPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims 1
- 150000001649 bromium compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 1
- FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M gold monochloride Chemical compound [Cl-].[Au+] FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N isobutyric acid Chemical compound CC(C)C(O)=O KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 91
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 76
- 239000000463 material Substances 0.000 description 66
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 57
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 33
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 32
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 28
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 28
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 22
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 17
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 13
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 11
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 10
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 10
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 6
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 6
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 6
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 239000002253 acid Chemical class 0.000 description 5
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 5
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 5
- WRWQVSOJXAVREP-UHFFFAOYSA-J tetrachlorotitanium hydrochloride Chemical compound Cl.[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Ti+4] WRWQVSOJXAVREP-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 5
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 5
- QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 1lambda4,2lambda4-dimolybdacyclopropa-1,2,3-triene Chemical compound [Mo]=C=[Mo] QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 4
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 4
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910003455 mixed metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- LNDHQUDDOUZKQV-UHFFFAOYSA-J molybdenum tetrafluoride Chemical compound F[Mo](F)(F)F LNDHQUDDOUZKQV-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 3
- IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M potassium bromide Chemical compound [K+].[Br-] IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011232 storage material Substances 0.000 description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical class OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M caesium chloride Chemical compound [Cl-].[Cs+] AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000747 cardiac effect Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000002847 impedance measurement Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000011255 nonaqueous electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000013112 stability test Methods 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004832 voltammetry Methods 0.000 description 2
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000001973 Ficus microcarpa Species 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016283 MxNyOz Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 241000183290 Scleropages leichardti Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004537 TaCl5 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000333 X-ray scattering Methods 0.000 description 1
- BLOIXGFLXPCOGW-UHFFFAOYSA-N [Ti].[Sn] Chemical compound [Ti].[Sn] BLOIXGFLXPCOGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 229910001615 alkaline earth metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- HAJXNVWQYIKNQT-UHFFFAOYSA-N benzene;tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl.C1=CC=CC=C1 HAJXNVWQYIKNQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N butene Natural products CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000004517 catalytic hydrocracking Methods 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 1
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N chromium(6+) Chemical compound [Cr+6] JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 101150089829 csc-1 gene Proteins 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N dichromate(2-) Chemical compound [O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013367 dietary fats Nutrition 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002355 dual-layer Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000010520 ghee Substances 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000013461 intermediate chemical Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001509 metal bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 229940072033 potash Drugs 0.000 description 1
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000004451 qualitative analysis Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000012713 reactive precursor Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/04—Construction or manufacture in general
- H01M10/0413—Large-sized flat cells or batteries for motive or stationary systems with plate-like electrodes
- H01M10/0418—Large-sized flat cells or batteries for motive or stationary systems with plate-like electrodes with bipolar electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/26—Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/46—Metal oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/84—Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof
- H01G11/86—Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof specially adapted for electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0032—Processes of manufacture formation of the dielectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/04—Processes of manufacture in general
- H01M4/0402—Methods of deposition of the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/58—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic compounds other than oxides or hydroxides, e.g. sulfides, selenides, tellurides, halogenides or LiCoFy; of polyanionic structures, e.g. phosphates, silicates or borates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/64—Carriers or collectors
- H01M4/66—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M6/00—Primary cells; Manufacture thereof
- H01M6/42—Grouping of primary cells into batteries
- H01M6/46—Grouping of primary cells into batteries of flat cells
- H01M6/48—Grouping of primary cells into batteries of flat cells with bipolar electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/04—Processes of manufacture in general
- H01M4/0438—Processes of manufacture in general by electrochemical processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M50/00—Constructional details or processes of manufacture of the non-active parts of electrochemical cells other than fuel cells, e.g. hybrid cells
- H01M50/60—Arrangements or processes for filling or topping-up with liquids; Arrangements or processes for draining liquids from casings
- H01M50/609—Arrangements or processes for filling with liquid, e.g. electrolytes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.キャパシタまたはバッテリ形態における電気的エネルギー貯蔵構成要素とし て使用する、大表面積の窒化鉄、窒化チタンまたは窒化ガンマモリブデンをコー ティングした基板を製造するプロセスにおいて、 (a)薄いシートの形態における固体基板の平坦なエッチングされた表面の一 方または双方を、鉄ハロゲン化物、チタンハロゲン化物またはモリブデンハロゲ ン化物から選択した金属ハロゲン化物のスラリまたは溶液と、液体揮発性担体と によってコーティングし、薄い表面フィルムを形成する工程と、 (b)工程(a)の金属ハロゲン化物表面フィルムおよび担体でコーティング された基板を、酸素、空気またはこれらの混合物に、150ないし400℃程度 の温度において、5ないし60分間程度接触させ、前記鉄ハロゲン化物、チタン ハロゲン化物またはモリブデンハロゲン化物を、各々、薄いフィルムとして酸化 物に変換し、前記液体揮発性担体を除去する工程と、 (c)工程(a)および(b)を必要なだけ繰り返し、前記基板上に,大表面 積を有し、前記揮発性担体が除去された堆積された厚さの酸化金属被膜が得られ るまで、前記工程(a)および(b)を必要なだけ繰り返す工程と、 (d)工程(c)の酸化金属フィルムをコーティングされた基板を、酸素、空 気またはこれらの混合物中において、150ないし400℃程度の温度において 、1ないし3時間程度の間加熱し、前記塩化金属の少なくとも95%を酸化金属 に変換する工程と、 (e)前記酸化金属をコーティングされた基板の温度を、1分当たり40℃程 度以下の速度で、窒素雰囲気中で、500ないし800℃程度までゆっくりと上 昇させる工程と、 (f)工程(d)において製造された酸化物をコーティングされた基板を、過 流ガス状アンモニア、または、水素ガスおよび窒素ガスの混合物から選択された 窒素源に、500ないし800℃程度の温度において、1ないし6時間程度の間 、接触させ、前記酸化物コーティングの95%程度以上を、前記基板上の、大表 面積を有し、導電性の、窒化鉄、窒化チタンまたは窒化ガンマモリブデン層に各 々 変換する工程と、 (g)周囲温度まで冷却し、工程(e)において製造された大表面積の窒化物 をコーティングされた基板を再生する工程とを具えることを特徴とするプロセス 。 2.請求の範囲1に記載のプロセスにおいて、前記金属ハロゲン化物を、塩化物 または臭化物から選択したことを特徴とするプロセス。 3.請求の範囲2に記載のプロセスにおいて、工程(a)において、前記塩化金 属を塩化モリブデンとし、工程(f)の窒化ガンマモリブデンは、16m2/g を超える表面積を有することを特徴とするプロセス。 4.請求の範囲1に記載のプロセスにおいて、工程(a)における前記基板を、 鉄、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅、ジルコニウム、ニッケル、または これらの組み合わせから選択したことを特徴とするプロセス。 5.請求の範囲1に記載のプロセスにおいて、工程(b)において、前記コーテ ィングを、浸漬コーティングまたは漂遊コーティングによって行うことを特徴と するプロセス。 6.請求の範囲1に記載のプロセスにおいて、前記液体揮発性担体を、エタノー ル、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノ ール、ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメチルアセトア ミド、ジエチルアセトアミド、アセトン、メチルエチルケトン、ブタノン、エチ ルアセテート、プロピルアセテート、メチレン、クロライド、クロロフォルム、 カーボンテトラクロライド、ベンゼン、トルエン、キシレン、またはこれらの混 合物から選択したことを特徴とするプロセス。 7.請求の範囲6に記載のプロセスにおいて、前記液体揮発性担体を、エタノー ル、プロパノール、ブタノール、ペンタノールまたはヘキサノールから選択した ことを特徴とするプロセス。 8.請求の範囲1に記載のプロセスにおいて、 工程(a)において、前記金属ハロゲン化物を塩化モリブデンとし、前記基板 を、チタン、モリブデン、鉄、アルミニウム、銅、またはこれらの組み合わせか ら選択し、前記液体揮発性担体をイソプロパノールとし、 工程(f)において、前記窒素源を流動アンモニアとし、前記温度を500な いし800℃程度とし、1ないし6時間程度とし、窒化ガンマモリブデンを生成 することを特徴とするプロセス。 9.請求の範囲8に記載のプロセスにおいて、前記表面積を10ないし60m2 /g程度とし、工程(e)および(f)における前記温度を700℃程度とした ことを特徴とするプロセス。 10.請求の範囲6に記載のプロセスにおいて、前記担体をC2−C6アルコール とし、水が少なくとも1重量パーセント存在することを特徴とするプロセス。 11.請求の範囲1に記載のプロセスにおいて、 工程(a)において、前記金属ハロゲン化物を塩化チタンとし、工程(f)に おいて、窒化チタンを形成することを特徴とするプロセス。 12.請求の範囲11に記載のプロセスにおいて、 工程(a)において、前記液体揮発性担体をイソプロパノールとし、 工程(b)において、前記温度を150ないし300℃程度とし、前記時間を 5ないし30分程度とし、 工程(c)において、工程を繰り返す回数を10ないし20とし、 工程(d)において、前記温度を150ないし300℃程度とし、前記時間を 2ないし3時間程度とし、 工程(e)において、前記過熱の速度を1分あたり40℃程度で800℃まで とし、 工程(f)において、水素を含む流動ガス状アンモニアを800℃程度におい て3ないし5時間程度使用することを特徴とするプロセス。 13.請求の範囲12に記載のプロセスにおいて、ステップ(a)における前記 基板を、鉄、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅、ジルコニウム、ニッケル 、またはこれらの組み合わせから選択したことを特徴とするプロセス。 14.請求の範囲11に記載のプロセスにおいて、前記液体揮発性担体を、アル コールまたはアルコールの混合物としたことを特徴とするプロセス。 15.請求の範囲1に記載のプロセスにおいて、 工程(a)において、前記金属ハロゲン化物を塩化鉄とし、工程(f)におい て、窒化鉄を形成することを特徴とするプロセス。 16.請求の範囲11に記載のプロセスにおいて、 工程(a)において、前記液体揮発性担体をイソプロパノールとし、 工程(b)において、前記温度を150ないし300℃程度とし、前記時間を 5ないし30分程度とし、 工程(c)において、工程を繰り返す回数を10ないし20とし、 工程(d)において、前記温度を150ないし400℃程度とし、前記時間を 2ないし3時間程度とし、 工程(e)において、前記過熱の速度を1分あたり40℃程度で500℃まで とし、 工程(f)において、流動ガス状アンモニアを500℃程度において3ないし 5時間程度使用することを特徴とするプロセス。 17.請求の範囲15に記載のプロセスにおいて、工程(a)における前記基板 を、鉄、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅、またはこれらの組み合わせか ら選択したことを特徴とするプロセス。 18.請求の範囲8に記載のプロセスによって製造された、導電性の窒化モリブ デンをコーティングされた電極。 19.請求の範囲11に記載のプロセスによって製造された、導電性の窒化チタ ンをコーティングされた電極。 20.請求の範囲15に記載のプロセスによって製造された、導電性の窒化鉄を コーティングされた電極。 21.窒化モリブデン、窒化チタンまたは窒化鉄から選択された窒化金属の薄い 層でコーティングされた金属シートの間隔をあけた電極を有する蓄電装置。 22.キャパシタまたはバッテリ形態における電気的エネルギー貯蔵構成要素と して使用する、大表面積のニオブオキシナイトライド、タンタルオキシナイトラ イド、バナジウムオキシナイトライド、ジルコニウムオキシナイトライド、チタ ンオキシナイトライドまたはモリブデンオキシナイトライドをコーティングした 基板を製造するプロセスにおいて、 (a)薄いシートの形態における固体基板の平坦なエッチングされた表面の一 方または双方を、ニオブハロゲン化物、タンタルハロゲン化物、バナジウムハロ ゲン化物、ジルコニウムハロゲン化物、チタンハロゲン化物またはモリブデンハ ロゲン化物から選択した金属ハロゲン化物のスラリまたは溶液と、液体揮発性担 体とによってコーティングし、薄い表面フィルムを形成する工程と、 (b)工程(a)の金属ハロゲン化物表面フィルムおよび担体でコーティング された基板を、酸素、空気またはこれらの混合物に、150ないし250℃程度 の温度において、5ないし60分間程度接触させ、前記金属ハロゲン化物を、各 々、薄いフィルムとして酸化物に変換し、前記液体揮発性担体を除去する工程と 、 (c)工程(a)および(b)を必要なだけ繰り返し、前記基板上に,大表面 積を有し、前記液体揮発性担体が除去された堆積された厚さの酸化金属被膜が得 られるまで、前記工程(a)および(b)を必要なだけ繰り返す工程と、 (d)工程(c)の酸化金属フィルムをコーティングされた基板を、酸素、空 気またはこれらの混合物中において、150ないし400℃程度の温度において 、1ないし3時間程度の間加熱し、前記塩化金属の少なくとも95%を酸化金属 に変換する工程と、 (e)前記酸化金属をコーティングされた基板の温度を、1分当たり40℃程 度以下の速度で、窒素雰囲気中で、500ないし800℃程度までゆっくりと上 昇させる工程と、 (f)工程(e)において製造された酸化物をコーティングされた基板を、過 流ガス状アンモニア、アンモニアガスおよび水素ガスの混合物、または、水素ガ スおよび窒素ガスの混合物から選択された窒素源に、500ないし800℃程度 の温度において、1ないし6時間程度の間、接触させ、前記酸化物コーティング の95%程度以上を、前記基板上の、大表面積を有し、導電性の、ニオブオキシ ナイトライド、タンタルオキシナイトライド、バナジウムオキシナイトライド、 ジルコニウムオキシナイトライド、チタンオキシナイトライドまたはモリブデン オキシナイトライド層に各々変換する工程と、 (g)周囲温度まで冷却し、工程(f)において製造された大表面積の金属オ キシナイトライドをコーティングされた基板を再生する工程とを具えることを特 徴とするプロセス。 23.請求の範囲22に記載のプロセスにおいて、前記金属ハロゲン化物を、塩 化物または臭化物から選択したことを特徴とするプロセス。 24.請求の範囲23に記載のプロセスにおいて、工程(a)において、前記塩 化金属を塩化モリブデンとし、モリブデンオキシナイトライドフィルムとしたこ とを特徴とするプロセス。 25.請求の範囲22に記載のプロセスにおいて、工程(a)における前記基板 を、鉄、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅、ジルコニウム、ニッケル、ま たはこれらの組み合わせから選択したことを特徴とするプロセス。 26.請求の範囲22に記載のプロセスにおいて、工程(b)において、前記コ ーティングを、浸漬コーティングまたはスプレーコーティングによって行うこと を特徴とするプロセス。 27.請求の範囲22に記載のプロセスにおいて、前記液体揮発性担体を、エタ ノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキ サノール、ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメチルアセ トアミド、ジエチルアセトアミド、アセトン、メチルエチルケトン、ブタノン、 エチルアセテート、プロピルアセテート、メチレン、クロライド、クロロフォル ム、カーボンテトラクロライド、ベンゼン、トルエン、キシレン、またはこれら の混合物から選択したことを特徴とするプロセス。 28.請求の範囲27に記載のプロセスにおいて、前記液体揮発性担体を、エタ ノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノールまたはヘキサノールから選択 したことを特徴とするプロセス。 29.請求の範囲22に記載のプロセスにおいて、 工程(a)において、前記金属ハロゲン化物を塩化モリブデンとし、前記基板 を、チタン、モリブデン、鉄、アルミニウム、銅、またはこれらの組み合わせか ら選択し、前記液体揮発性担体をイソプロパノールとし、 工程(f)において、前記窒素源を流動アンモニアとし、前記温度を500な いし800℃程度とし、1ないし6時間程度とし、前記酸化モリブデンの95% ないし100%程度をモリブデンオキシナイトライドに変換することを特徴とす るプロセス。 30.請求の範囲29に記載のプロセスにおいて、前記表面積を10ないし60 m2/g程度とし、工程(e)および(f)における前記温度を700℃程度と したことを特徴とするプロセス。 31.請求の範囲27に記載のプロセスにおいて、前記担体をC2−C6アルコー ルとし、水が少なくとも1重量パーセント存在することを特徴とするプロセス。 32.請求の範囲22に記載のプロセスにおいて、 工程(a)において、前記金属ハロゲン化物を塩化チタンとし、工程(f)に おいて、チタンオキシナイトライドを形成することを特徴とするプロセス。 33.請求の範囲32に記載のプロセスにおいて、 工程(a)において、前記液体揮発性担体をイソプロパノールとし、 工程(b)において、前記温度を150ないし300℃程度とし、前記時間を 5ないし30分程度とし、 工程(c)において、工程を繰り返す回数を10ないし40とし、 工程(d)において、前記温度を150ないし300℃程度とし、前記時間を 2ないし3時間程度とし、 工程(e)において、前記過熱の速度を1分あたり40℃程度で700℃まで とし、 工程(f)において、水素を含む流動ガス状アンモニアを700℃程度におい て3ないし5時間程度使用することを特徴とするプロセス。 34.請求の範囲33に記載のプロセスにおいて、ステップ(a)における前記 基板を、鉄、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅、ジルコニウム、ニッケル 、またはこれらの組み合わせから選択したことを特徴とするプロセス。 35.請求の範囲32に記載のプロセスにおいて、前記液体揮発性担体を、アル コールまたはアルコールの混合物としたことを特徴とするプロセス。 36.請求の範囲22に記載のプロセスにおいて、 工程(f)において、50ないし100m2/g程度のBET比表面積を有す るチタンオキシナイトライドを形成することを特徴とするプロセス。 37.請求の範囲22に記載のプロセスにおいて、 工程(a)において、前記液体揮発性担体をイソプロパノールとし、前記金属 ハロゲン化物を、塩化ニオブ、塩化タンタル、塩化バナジウムまたは塩化ジルコ ニウムから選択し、 工程(b)において、前記温度を150ないし300℃程度とし、前記時間を 5ないし30分程度とし、 工程(c)において、工程を繰り返す回数を10ないし40とし、 工程(d)において、前記温度を150ないし400℃程度とし、前記時間を 2ないし3時間程度とし、 工程(e)において、前記過熱の速度を1分あたり40℃程度で800℃まで とし、 工程(f)において、流動ガス状アンモニアを800℃程度において3ないし 5時間程度使用することを特徴とするプロセス。 38.請求の範囲36に記載のプロセスにおいて、工程(a)における前記基板 を、鉄、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅、またはこれらの組み合わせか ら選択したことを特徴とするプロセス。 39.請求の範囲29に記載のプロセスによって製造された、導電性のモリブデ ンオキシナイトライドをコーティングされた電極。 40.請求の範囲32に記載のプロセスによって製造された、導電性のチタンオ キシナイトライドをコーティングされた電極。 41.請求の範囲24に記載のプロセスによって製造された、導電性のチタンオ キシナイトライドをコーティングされた電極。 42.モリブデンオキシナイトライドまたはチタンオキシナイトライドから選択 された金属オキシナイトライドの薄い層でコーティングされた金属シートの間隔 をあけた電極を有する蓄電装置。 43.電気的エネルギー貯蔵装置における構成要素として使用する電極において 、 一方または双方の平坦な側面を大表面積金属オキシナイトライドでコーティン グされた導電性金属箔基板を具えることを特徴とする電極。 44.一方または双方の平坦な側面上に導電性基板およびフィルム層を具える大 比表面積電極において、前記フィルムが、周期表III,IV、V、VIまたはVII族の 金属のオキシナイトライドから成ることを特徴とする電極。 45.請求の範囲44に記載の電極において、前記基板を、鉄、チタン、モリブ デン、アルミニウム、銅、ジルコニウム、ニッケル、またはこれらの組み合わせ から選択し、 前記オキシナイトライドの金属を、ニオブ、チタン、タンタル、バナジウム、 ジルコニウム、またはこれらの組み合わせから選択したことを特徴とする電極。 46.大表面積の窒化金属または金属オキシナイトライドの粘着力および凝集力 を改善するプロセスにおいて、前記金属を、周期表III、IV、V、VIまたはVII族 の金属から独立して選択し、該プロセスが、 上昇した温度における乾燥、焼きなましまたは熱分解の前に、塩化タンタルま たは酸化タンタルを、前記窒化金属または金属オキシナイトライドに加え、生成 物中に酸化タンタルを生じさせる工程を具えることを特徴とするプロセス。 47.二重層バッテリまたはキャパシタ装置において、 (a)導電性支持体にコーティングされた、酸化金属、炭化金属、窒化金属、 金属オキシナイトライドまたはこれらの組み合わせの、大表面積粘着性コーティ ングと、 (b)導電性支持体にコーティングされた、酸化金属、炭化金属、窒化金属、 金属オキシナイトライドまたはこれらの組み合わせの、反対側大表面積粘着性コ ーティングと、 (c)(a)および(b)間に形成された空間内に、アルカリ金属ハロゲン化 物の実際的に中性の水溶液とを有する、少なくとも1つのセルを具えることを特 徴とする二重層バッテリまたはキャパシタ装置。 48.請求の範囲47に記載の二重層バッテリまたはキャパシタ装置において、 (a)および(b)において、前記コーティングを、窒化金属、金属オキシナ イトライド、またはこれらの組み合わせから成るグループから選択したことを特 徴とする二重層バッテリまたはキャパシタ装置。 49.請求の範囲47に記載の二重層バッテリまたはキャパシタ装置において、 (c) 前記アルカリ金属ハロゲン化物を、NaCl、KCl、NaBrおよ びKBrから成るグループから選択したことを特徴とする二重層バッテリまたは キャパシタ装置。 50.請求の範囲47に記載の二重層バッテリまたはキャパシタ装置において、 前記アルカリ金属ハロゲン化物が、0.5ないし4.5Mにおいて存在するよう にしたことを特徴とする二重層バッテリまたはキャパシタ装置。 51.請求の範囲47に記載のキャパシタ装置において、 (a)および(b)において、前記コーティングを、大表面積の、窒化金属、 金属オキシナイトライド、またはこれらの組み合わせから選択し、 (c)において、前記アルカリ金属ハロゲン化物を、1.0ないし4.0M程 度において存在するKClとしたことを特徴とするキャパシタ装置。 52.請求の範囲51に記載のキャパシタ装置において、 (a)および(b)において、前記窒化物、オキシナイトライド、またはこれ らの組み合わせの金属部分を、鉄、チタン、モリブデン、ニオブ、タンタル、バ ナジウム、ジルコニウム、またはこれらの組み合わせから選択したことを特徴と するキャパシタ装置。 53.請求の範囲52に記載のキャパシタ装置において、 (a)および(b)において、 前記金属をチタンとしたことを特徴とするキャパシタ装置。 54.請求の範囲53に記載の二重層キャパシタにおいて、該キャパシタが、1 .6V程度まで充電され、0および1.6V間の充電および放電の5000を超 えるサイクルに対して安定していることを特徴とする二重層キャパシタ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/761,837 US5980977A (en) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | Method of producing high surface area metal oxynitrides as substrates in electrical energy storage |
US08/761,837 | 1996-12-09 | ||
PCT/US1997/017612 WO1998014970A1 (en) | 1996-09-30 | 1997-09-30 | High surface area metal nitrides or metal oxynitrides for electrical energy storage |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001505363A true JP2001505363A (ja) | 2001-04-17 |
JP2001505363A5 JP2001505363A5 (ja) | 2005-06-16 |
Family
ID=25063382
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51679998A Ceased JP2001505363A (ja) | 1996-12-09 | 1997-09-30 | 電気的エネルギー貯蔵用大表面積窒化金属または金属オキシナイトライド |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5980977A (ja) |
EP (1) | EP0953197B1 (ja) |
JP (1) | JP2001505363A (ja) |
CN (1) | CN1198299C (ja) |
DE (1) | DE69731976T2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110120018A (ko) * | 2010-04-28 | 2011-11-03 | 삼성전자주식회사 | 음극활물질, 그 제조방법 및 이를 채용한 음극과 리튬전지 |
KR20230105579A (ko) * | 2022-01-04 | 2023-07-11 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 슈퍼커패시터 전극 소재 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (96)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7010472B1 (en) * | 1997-05-12 | 2006-03-07 | Mcdonnell Douglas Corporation | Knowledge driven composite design optimization process and system therefor |
US6013553A (en) * | 1997-07-24 | 2000-01-11 | Texas Instruments Incorporated | Zirconium and/or hafnium oxynitride gate dielectric |
US6249423B1 (en) * | 1998-04-21 | 2001-06-19 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Electrolytic capacitor and multi-anodic attachment |
US6187028B1 (en) | 1998-04-23 | 2001-02-13 | Intermedics Inc. | Capacitors having metallized film with tapered thickness |
US6201685B1 (en) * | 1998-10-05 | 2001-03-13 | General Electric Company | Ultracapacitor current collector |
US6556863B1 (en) * | 1998-10-02 | 2003-04-29 | Cardiac Pacemakers, Inc. | High-energy capacitors for implantable defibrillators |
US6275729B1 (en) * | 1998-10-02 | 2001-08-14 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Smaller electrolytic capacitors for implantable defibrillators |
KR100331271B1 (ko) | 1999-07-01 | 2002-04-06 | 박종섭 | TaON박막을 갖는 커패시터 제조방법 |
KR100335775B1 (ko) * | 1999-06-25 | 2002-05-09 | 박종섭 | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
KR100358066B1 (ko) | 1999-06-25 | 2002-10-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
GB2355113B (en) | 1999-06-25 | 2004-05-26 | Hyundai Electronics Ind | Method of manufacturing capacitor for semiconductor memory device |
KR100328454B1 (ko) | 1999-06-29 | 2002-03-16 | 박종섭 | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
KR100327584B1 (ko) | 1999-07-01 | 2002-03-14 | 박종섭 | 반도체소자의 고정전용량 커패시터 형성방법 |
KR100331270B1 (ko) | 1999-07-01 | 2002-04-06 | 박종섭 | TaON박막을 갖는 커패시터 제조방법 |
KR100305076B1 (ko) | 1999-07-01 | 2001-11-01 | 박종섭 | 커패시터의 전하저장전극 형성방법 |
GB2358284B (en) | 1999-07-02 | 2004-07-14 | Hyundai Electronics Ind | Method of manufacturing capacitor for semiconductor memory device |
US6465828B2 (en) | 1999-07-30 | 2002-10-15 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor container structure with diffusion barrier |
US6385490B1 (en) | 1999-12-16 | 2002-05-07 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Capacitors with recessed rivets allow smaller implantable defibrillators |
US6417537B1 (en) | 2000-01-18 | 2002-07-09 | Micron Technology, Inc. | Metal oxynitride capacitor barrier layer |
US6319766B1 (en) | 2000-02-22 | 2001-11-20 | Applied Materials, Inc. | Method of tantalum nitride deposition by tantalum oxide densification |
US6426864B1 (en) | 2000-06-29 | 2002-07-30 | Cardiac Pacemakers, Inc. | High energy capacitors for implantable defibrillators |
US6509588B1 (en) | 2000-11-03 | 2003-01-21 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Method for interconnecting anodes and cathodes in a flat capacitor |
US6699265B1 (en) | 2000-11-03 | 2004-03-02 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Flat capacitor for an implantable medical device |
US6687118B1 (en) | 2000-11-03 | 2004-02-03 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Flat capacitor having staked foils and edge-connected connection members |
US6730426B2 (en) | 2001-01-12 | 2004-05-04 | Mosaic Energy, Llc | Integral sealing method for fuel cell separator plates |
TW505934B (en) | 2001-02-01 | 2002-10-11 | Luxon Energy Devices Corp | Manufacture method of electrochemical capacitor |
US6445772B1 (en) * | 2001-05-30 | 2002-09-03 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | High precision grids for neutron, hard X-ray, and gamma-ray imaging systems |
US6900119B2 (en) * | 2001-06-28 | 2005-05-31 | Micron Technology, Inc. | Agglomeration control using early transition metal alloys |
KR100457824B1 (ko) * | 2001-08-10 | 2004-11-18 | 한국화학연구원 | 용액 열분해법에 의한 나노 크기 2가 금속 산화물 분말의제조 |
EP1296337B1 (en) * | 2001-09-25 | 2007-01-10 | Luxon Energy Devices Corporation | Electrochemical capacitor and method for forming the same |
JP3648184B2 (ja) * | 2001-09-07 | 2005-05-18 | 株式会社小糸製作所 | 放電ランプアークチューブおよび同アークチューブの製造方法 |
AU2002258715A1 (en) * | 2002-04-04 | 2003-10-20 | Illusion Technologies, Llc | Miniature/micro scale power generation system |
FI118611B (fi) * | 2002-04-15 | 2008-01-15 | Labmaster Oy | Eriste-elektrodilaitteet |
US6673649B1 (en) * | 2002-07-05 | 2004-01-06 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic device packages and methods for controlling the disposition of non-conductive materials in such packages |
US20060178019A1 (en) * | 2002-08-18 | 2006-08-10 | Aviza Technology, Inc. | Low temperature deposition of silicon oxides and oxynitrides |
US7079377B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-07-18 | Joachim Hossick Schott | Capacitor and method for producing a capacitor |
US20040240152A1 (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-02 | Schott Joachim Hossick | Capacitor and method for producing a capacitor |
US20040126665A1 (en) * | 2002-12-26 | 2004-07-01 | Luying Sun | Gel polymer electrolyte battery and method of producing the same |
CN1294661C (zh) * | 2003-01-30 | 2007-01-10 | 复旦大学 | 可用作电池阳极材料的过渡金属氮化物薄膜及其制备方法 |
US7256982B2 (en) * | 2003-05-30 | 2007-08-14 | Philip Michael Lessner | Electrolytic capacitor |
US6842328B2 (en) * | 2003-05-30 | 2005-01-11 | Joachim Hossick Schott | Capacitor and method for producing a capacitor |
JP4198582B2 (ja) * | 2003-12-02 | 2008-12-17 | 独立行政法人科学技術振興機構 | タンタルオキシナイトライド酸素還元電極触媒 |
WO2005084378A2 (en) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Board Of Regents Of University Of Texas System | Material and device properties modification by electrochemical charge injection in the absence of contacting electrolyte for either local spatial or final states |
US7057881B2 (en) | 2004-03-18 | 2006-06-06 | Nanosys, Inc | Nanofiber surface based capacitors |
US7180727B2 (en) | 2004-07-16 | 2007-02-20 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Capacitor with single sided partial etch and stake |
US20060166088A1 (en) * | 2005-01-26 | 2006-07-27 | Hokanson Karl E | Electrode connector tabs |
JP2008541353A (ja) * | 2005-05-03 | 2008-11-20 | ランディー オッグ, | バイポーラ電気化学二次電池 |
US7301753B2 (en) * | 2005-05-09 | 2007-11-27 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Method and apparatus for a capacitor with flexible bus |
US7446034B2 (en) * | 2005-10-06 | 2008-11-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Process for making a metal seed layer |
US7582557B2 (en) * | 2005-10-06 | 2009-09-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Process for low resistance metal cap |
US7550222B2 (en) | 2005-10-21 | 2009-06-23 | Gm Global Technology Operations, Inc. | Fuel cell component having a durable conductive and hydrophilic coating |
US7491246B2 (en) * | 2006-03-31 | 2009-02-17 | Medtronic, Inc. | Capacitor electrodes produced with atomic layer deposition for use in implantable medical devices |
JP4993068B2 (ja) * | 2006-08-21 | 2012-08-08 | 富士電機株式会社 | 絶縁膜形成方法 |
US7955939B1 (en) | 2006-09-06 | 2011-06-07 | Pacesetter, Inc. | Method for producing a high capacitance cathode by annealing a metallic foil in a nitrogen environment |
DE102007016066A1 (de) * | 2007-04-03 | 2008-10-09 | Qimonda Ag | Widerstandsschaltelement |
US20080247215A1 (en) * | 2007-04-03 | 2008-10-09 | Klaus Ufert | Resistive switching element |
US7777344B2 (en) | 2007-04-11 | 2010-08-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Transitional interface between metal and dielectric in interconnect structures |
US20100302708A1 (en) * | 2007-04-12 | 2010-12-02 | Linxross, Inc. | Bipolar supercapacitors and methods for making same |
US8828325B2 (en) * | 2007-08-31 | 2014-09-09 | Caterpillar Inc. | Exhaust system having catalytically active particulate filter |
AU2007360138B2 (en) * | 2007-10-18 | 2013-09-19 | Midwest Research Institue | High temperature solar selective coatings |
CN101971406B (zh) * | 2007-10-26 | 2015-02-11 | G4协同学公司 | 电化学电池组的碟盘形压力均衡的电极 |
US20090194741A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Caterpillar Inc. | Exhaust system having a carbon oxide catalyst |
US9136545B2 (en) * | 2008-02-27 | 2015-09-15 | GM Global Technology Operations LLC | Low cost fuel cell bipolar plate and process of making the same |
US8134275B2 (en) * | 2008-11-21 | 2012-03-13 | Trace Photonics, Inc. | High efficiency 4-π negatron β-3 particle emission source fabrication and its use as an electrode in a self-charged high-voltage capacitor |
JP2012516541A (ja) | 2009-01-27 | 2012-07-19 | ジー4 シナジェティクス, インコーポレイテッド | エネルギー貯蔵デバイスのための可変体積格納 |
US20100209779A1 (en) * | 2009-02-02 | 2010-08-19 | Recapping, Inc. | High energy density electrical energy storage devices |
JP2012524980A (ja) * | 2009-04-24 | 2012-10-18 | ジー4 シナジェティクス, インコーポレイテッド | 直列および並列に電気結合された単極性および双極性セルを有するエネルギー貯蔵デバイス |
WO2011075508A2 (en) | 2009-12-18 | 2011-06-23 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Sintered capacitor electrode including a folded connection |
KR101669953B1 (ko) * | 2010-03-26 | 2016-11-09 | 삼성전자 주식회사 | 산화물 박막, 산화물 박막의 형성 방법 및 산화물 박막을 포함하는 전자 소자 |
WO2012087409A2 (en) * | 2010-10-12 | 2012-06-28 | The Regents Of The University Of Michigan | High performance transition metal carbide and nitride and boride based asymmetric supercapacitors |
US9780242B2 (en) | 2011-08-10 | 2017-10-03 | Ascent Solar Technologies, Inc. | Multilayer thin-film back contact system for flexible photovoltaic devices on polymer substrates |
KR102014984B1 (ko) * | 2011-12-02 | 2019-08-28 | 삼성전자주식회사 | 리튬 이차 전지용 음극 활물질, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 리튬 이차 전지 |
TWI477452B (zh) * | 2012-01-02 | 2015-03-21 | Nat Univ Tsing Hua | 陽極材料之製備方法及應用此製備方法所置備出的陽極材料 |
CN102694185B (zh) * | 2012-04-28 | 2014-12-31 | 中南大学 | 一种锂空气电池用复合电催化剂材料及其制备方法 |
KR101814738B1 (ko) * | 2012-10-26 | 2018-01-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 리튬 이차 전지용 음극 및 이의 제조방법 |
US20140273147A1 (en) * | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Ut-Battelle, Llc | Method for synthesizing metal oxide particles |
DE102014103142A1 (de) * | 2014-03-10 | 2015-09-10 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Druckmessaufnehmer |
WO2015136953A1 (ja) * | 2014-03-13 | 2015-09-17 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | ペロブスカイト型金属酸窒化物の製造方法 |
US10886548B2 (en) | 2014-05-07 | 2021-01-05 | L3 Open Water Power, Inc. | Hydrogen management in electrochemical systems |
WO2017079008A1 (en) * | 2015-11-04 | 2017-05-11 | Ascent Solar Technologies, Inc. | Multilayer thin-film back contact system for flexible photovoltaic devices on polymer substrates |
PL3389862T3 (pl) | 2015-12-16 | 2024-03-04 | 6K Inc. | Sferoidalne metale podlegające odwodornieniu oraz cząstki stopów metali |
US9969030B2 (en) * | 2016-05-12 | 2018-05-15 | Pacesetter, Inc. | Laser drilling of metal foils for assembly in an electrolytic capacitor |
CN109545565B (zh) * | 2018-11-06 | 2020-11-17 | 韶关东阳光电容器有限公司 | 一种固态铝电解电容器的制造方法 |
CN109799528B (zh) * | 2019-01-17 | 2022-08-19 | 中国辐射防护研究院 | 用于放射性污染金属浅层取样的氧化凝胶及其制备方法 |
WO2020223358A1 (en) | 2019-04-30 | 2020-11-05 | 6K Inc. | Mechanically alloyed powder feedstock |
US11929512B2 (en) | 2019-04-30 | 2024-03-12 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Oxidized surface layer on transition metal nitrides: active catalysts for the oxygen reduction reaction |
CN110987854A (zh) * | 2019-11-15 | 2020-04-10 | 海南大学 | 一种微波降解乳胶制品的方法 |
AU2020400980A1 (en) | 2019-11-18 | 2022-03-31 | 6K Inc. | Unique feedstocks for spherical powders and methods of manufacturing |
CN110853925B (zh) * | 2019-11-21 | 2021-11-30 | 株洲宏明日望电子科技股份有限公司 | 一种高能钽混合电容器用阴极片的制备方法 |
US11590568B2 (en) | 2019-12-19 | 2023-02-28 | 6K Inc. | Process for producing spheroidized powder from feedstock materials |
CN111223663B (zh) * | 2020-01-10 | 2022-03-25 | 福建火炬电子科技股份有限公司 | 一种金属支架陶瓷电容器及其制备方法 |
EP3851180A1 (en) * | 2020-01-14 | 2021-07-21 | Honeywell International Inc. | Apparatus and method for removal of a target gas from a cold storage environment |
CN116034496A (zh) | 2020-06-25 | 2023-04-28 | 6K有限公司 | 微观复合合金结构 |
US11963287B2 (en) | 2020-09-24 | 2024-04-16 | 6K Inc. | Systems, devices, and methods for starting plasma |
CA3196653A1 (en) | 2020-10-30 | 2022-05-05 | Sunil Bhalchandra BADWE | Systems and methods for synthesis of spheroidized metal powders |
US20230118528A1 (en) * | 2021-10-20 | 2023-04-20 | KYOCERA AVX Components Corporation | Electrodeposited Dielectric for a Solid Electrolytic Capacitor |
Family Cites Families (70)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1200345A (en) * | 1912-03-13 | 1916-10-03 | Frederick Wyer Hardy | Separator for secondary batteries. |
US2428470A (en) * | 1942-02-02 | 1947-10-07 | Milton A Powers | Glass wool plate element for storage batteries |
GB670066A (en) * | 1949-12-19 | 1952-04-16 | Nat Battery Co | Electric storage battery |
GB730160A (en) * | 1953-10-02 | 1955-05-18 | Standard Telephones Cables Ltd | Titanium nitride electrolytic condenser |
US3288641A (en) * | 1962-06-07 | 1966-11-29 | Standard Oil Co | Electrical energy storage apparatus |
US4052271A (en) * | 1965-05-12 | 1977-10-04 | Diamond Shamrock Technologies, S.A. | Method of making an electrode having a coating containing a platinum metal oxide thereon |
NL130184C (ja) * | 1965-07-29 | |||
US3536963A (en) * | 1968-05-29 | 1970-10-27 | Standard Oil Co | Electrolytic capacitor having carbon paste electrodes |
US3562008A (en) * | 1968-10-14 | 1971-02-09 | Ppg Industries Inc | Method for producing a ruthenium coated titanium electrode |
US3909930A (en) * | 1972-05-23 | 1975-10-07 | Motorola Inc | Method for fabricating a liquid crystal display device |
US4158085A (en) * | 1978-01-31 | 1979-06-12 | Yardney Electric Corporation | Electrode with separator beads embedded therein |
US4198476A (en) * | 1978-09-08 | 1980-04-15 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Nonaqueous secondary cell using metal oxide electrodes |
GB2044535B (en) * | 1978-12-29 | 1983-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state double layer capacitor |
US4327400A (en) * | 1979-01-10 | 1982-04-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electric double layer capacitor |
US4315976A (en) * | 1979-12-21 | 1982-02-16 | Union Carbide Corporation | Coated active anodes |
EP0044427B1 (en) * | 1980-06-26 | 1984-12-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state electric double layer capacitor |
JPS57172660A (en) * | 1981-04-15 | 1982-10-23 | Japan Storage Battery Co Ltd | Liquid-circulation lithium battery |
US4851206A (en) * | 1981-07-15 | 1989-07-25 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University, Stanford University | Methods and compostions involving high specific surface area carbides and nitrides |
US4515763A (en) * | 1981-07-15 | 1985-05-07 | Board Of Trustees Of Leland Stanford Jr. Univeristy | High specific surface area carbides and nitrides |
DE3280397D1 (de) * | 1981-10-29 | 1992-05-07 | Dwight R Craig | Elektrische energiespeichervorrichtung. |
DE3143995A1 (de) * | 1981-11-05 | 1983-05-19 | Preh, Elektrofeinmechanische Werke, Jakob Preh, Nachf. Gmbh & Co, 8740 Bad Neustadt | Dickschichtkondensator in druckschaltungstechnik |
DE3339011A1 (de) * | 1982-10-29 | 1984-05-30 | Sharp K.K., Osaka | Zelle fuer fluessigkristall-anzeige und verfahren zu ihrer herstellung |
US4524718A (en) * | 1982-11-22 | 1985-06-25 | Gordon Roy G | Reactor for continuous coating of glass |
DE3314624A1 (de) * | 1983-04-22 | 1984-10-25 | Varta Batterie Ag, 3000 Hannover | Luftsauerstoffzelle |
US4663824A (en) * | 1983-07-05 | 1987-05-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Aluminum electrolytic capacitor and a manufacturing method therefor |
JPS60160559A (ja) * | 1984-01-18 | 1985-08-22 | Toshiba Battery Co Ltd | 扁平型非水電解液電池 |
JPS60253207A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-13 | 株式会社東芝 | コンデンサの製造方法 |
US4618503A (en) * | 1985-03-14 | 1986-10-21 | Gould, Inc. | Method of forming a reactive metal anode having an edge seal |
US4764181A (en) * | 1985-01-24 | 1988-08-16 | Ube Industries Ltd. | Process for producing an electrolytic capacitor |
GB8507095D0 (en) * | 1985-03-19 | 1985-04-24 | Grace W R & Co | Sealing composition |
US4816356A (en) * | 1985-05-03 | 1989-03-28 | Minko Balkanski | Process for producing a solid state battery |
JPH07105316B2 (ja) * | 1985-08-13 | 1995-11-13 | 旭硝子株式会社 | 電気二重層コンデンサ用分極性電極及びその製造方法 |
CA1308596C (en) * | 1986-01-13 | 1992-10-13 | Rohm And Haas Company | Microplastic structures and method of manufacture |
US4774193A (en) * | 1986-03-11 | 1988-09-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for avoiding shorts in the manufacture of layered electrical components |
US4800142A (en) * | 1986-05-05 | 1989-01-24 | General Motors Corporation | Electric storage battery |
US4938857A (en) * | 1987-03-26 | 1990-07-03 | Ppg Industries, Inc. | Method for making colored metal alloy/oxynitride coatings |
US4861669A (en) * | 1987-03-26 | 1989-08-29 | Ppg Industries, Inc. | Sputtered titanium oxynitride films |
FR2613118B1 (fr) * | 1987-03-27 | 1989-07-21 | Centre Nat Rech Scient | Perovskites oxyazotees conductrices, leur preparation et leur utilisation notamment comme materiau d'electrode |
JPH0616459B2 (ja) * | 1987-07-23 | 1994-03-02 | 株式会社村田製作所 | 磁器コンデンサの製造方法 |
US5185679A (en) * | 1988-05-12 | 1993-02-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Inversion phenomenon preventing circuit |
BR8907268A (pt) * | 1988-12-24 | 1991-03-12 | Technology Aplications Company | Processo de efetuar uma conexao eletrica,placa de circuito impresso, processo de produzir uma almofada de contato,processo de produzir um capacitor,circuito impresso e processo de aplicar uma camada em um padrao desejado a um substrato |
JPH02242563A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-26 | Toshiba Battery Co Ltd | 有機溶媒電池 |
US5268006A (en) * | 1989-03-15 | 1993-12-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ceramic capacitor with a grain boundary-insulated structure |
US5055169A (en) * | 1989-03-17 | 1991-10-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of making mixed metal oxide coated substrates |
US5032426A (en) * | 1989-05-15 | 1991-07-16 | Enthone, Incorporated | Method and apparatus for applying liquid coatings on the surface of printed circuit boards |
JPH0748453B2 (ja) * | 1989-08-23 | 1995-05-24 | いすゞ自動車株式会社 | 電気二重層コンデンサ |
US4992910A (en) * | 1989-11-06 | 1991-02-12 | The Evans Findings Company, Inc. | Electrical component package |
JP2864477B2 (ja) * | 1989-11-07 | 1999-03-03 | 日本ケミコン株式会社 | 電解コンデンサ用アルミニウム電極 |
US5116695A (en) * | 1990-05-08 | 1992-05-26 | Alupower, Inc. | Deferred actuated battery assembly system |
US5141828A (en) * | 1990-05-14 | 1992-08-25 | Brigham Young University | Electrochemical system using bipolar electrode |
US5062025A (en) * | 1990-05-25 | 1991-10-29 | Iowa State University Research Foundation | Electrolytic capacitor and large surface area electrode element therefor |
JPH0461109A (ja) * | 1990-06-22 | 1992-02-27 | Kobe Steel Ltd | 電解コンデンサ用陰極材料 |
US5273840A (en) * | 1990-08-01 | 1993-12-28 | Covalent Associates Incorporated | Methide salts, formulations, electrolytes and batteries formed therefrom |
US5230990A (en) * | 1990-10-09 | 1993-07-27 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for producing an optical waveguide array using a resist master |
US5121288A (en) * | 1990-10-12 | 1992-06-09 | Motorola, Inc. | Capacitive power supply |
US5063340A (en) * | 1990-10-25 | 1991-11-05 | Motorola, Inc. | Capacitive power supply having charge equalization circuit |
US5085955A (en) * | 1990-11-21 | 1992-02-04 | The Dow Chemical Company | Non-aqueous electrochemical cell |
US5079674A (en) * | 1990-12-24 | 1992-01-07 | Motorola, Inc. | Supercapacitor electrode and method of fabrication thereof |
US5116701A (en) * | 1991-02-22 | 1992-05-26 | Eveready Battery Company, Inc. | Microporous separator composed of microspheres secured to an electrode strip |
US5217831A (en) * | 1991-03-22 | 1993-06-08 | At&T Bell Laboratories | Sub-micron device fabrication |
US5202152A (en) * | 1991-10-25 | 1993-04-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Synthesis of titanium nitride films |
DE4135701C2 (de) * | 1991-10-30 | 1995-09-28 | Leybold Ag | Scheibe mit hohem Transmissionsverhalten im sichtbaren Spektralbereich und mit hohem Reflexionsverhalten für Wärmestrahlung |
JP3449736B2 (ja) * | 1992-03-19 | 2003-09-22 | ソニー株式会社 | メタルプラグの形成方法 |
US5464453A (en) * | 1992-09-18 | 1995-11-07 | Pinnacle Research Institute, Inc. | Method to fabricate a reliable electrical storage device and the device thereof |
US5711988A (en) * | 1992-09-18 | 1998-01-27 | Pinnacle Research Institute, Inc. | Energy storage device and its methods of manufacture |
US5384685A (en) * | 1992-09-18 | 1995-01-24 | Pinnacle Research Institute, Inc. | Screen printing of microprotrusions for use as a space separator in an electrical storage device |
FR2708924B1 (fr) * | 1993-08-12 | 1995-10-20 | Saint Gobain Vitrage Int | Procédé de dépôt d'une couche de nitrure métallique sur un substrat transparent. |
US5437941A (en) * | 1993-09-24 | 1995-08-01 | Motorola, Inc. | Thin film electrical energy storage device |
US5508881A (en) * | 1994-02-01 | 1996-04-16 | Quality Microcircuits Corporation | Capacitors and interconnect lines for use with integrated circuits |
US5680292A (en) * | 1994-12-12 | 1997-10-21 | T/J Technologies, Inc. | High surface area nitride, carbide and boride electrodes and methods of fabrication thereof |
-
1996
- 1996-12-09 US US08/761,837 patent/US5980977A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-09-30 DE DE69731976T patent/DE69731976T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-09-30 JP JP51679998A patent/JP2001505363A/ja not_active Ceased
- 1997-09-30 CN CNB971803587A patent/CN1198299C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1997-09-30 EP EP97944587A patent/EP0953197B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110120018A (ko) * | 2010-04-28 | 2011-11-03 | 삼성전자주식회사 | 음극활물질, 그 제조방법 및 이를 채용한 음극과 리튬전지 |
KR101701415B1 (ko) | 2010-04-28 | 2017-02-02 | 삼성전자주식회사 | 음극활물질, 그 제조방법 및 이를 채용한 음극과 리튬전지 |
KR20230105579A (ko) * | 2022-01-04 | 2023-07-11 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 슈퍼커패시터 전극 소재 및 그 제조 방법 |
KR102666190B1 (ko) * | 2022-01-04 | 2024-05-13 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 슈퍼커패시터 전극 소재 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1240049A (zh) | 1999-12-29 |
EP0953197A1 (en) | 1999-11-03 |
EP0953197B1 (en) | 2004-12-15 |
US5980977A (en) | 1999-11-09 |
CN1198299C (zh) | 2005-04-20 |
DE69731976D1 (de) | 2005-01-20 |
DE69731976T2 (de) | 2005-12-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001505363A (ja) | 電気的エネルギー貯蔵用大表面積窒化金属または金属オキシナイトライド | |
Ray et al. | Fabrication and characterization of titania nanotube/cobalt sulfide supercapacitor electrode in various electrolytes | |
Choi et al. | Fast and reversible surface redox reaction in nanocrystalline vanadium nitride supercapacitors | |
JP4552085B2 (ja) | ナノサイズの金属酸化物電極の製造方法 | |
KR101683391B1 (ko) | 고성능 슈퍼커패시터 전극소재용 3차원 니켈폼/그래핀/니켈코발트산화물 복합체 및 이의 제조방법 | |
Li et al. | Hierarchical CoMoO 4@ Co 3 O 4 nanocomposites on an ordered macro-porous electrode plate as a multi-dimensional electrode in high-performance supercapacitors | |
US5680292A (en) | High surface area nitride, carbide and boride electrodes and methods of fabrication thereof | |
US8213157B2 (en) | Single-wall carbon nanotube supercapacitor | |
Paravannoor et al. | High voltage supercapacitors based on carbon-grafted NiO nanowires interfaced with an aprotic ionic liquid | |
WO2010050484A1 (ja) | 蓄電デバイス用複合電極、その製造方法及び蓄電デバイス | |
Vlamidis et al. | Electrochemically synthesized cobalt redox active layered double hydroxides for supercapacitors development | |
Miousse et al. | Hydrogen evolution reaction on RuO~ 2 electrodes in alkaline solutions | |
CN106067528A (zh) | 复合分离膜及其制备方法 | |
Sun et al. | Facile synthesis of a α-MoO 3 nanoplate/TiO 2 nanotube composite for high electrochemical performance | |
Mouchani et al. | Preparation of titanium nitride/oxynitride nanotube array via ammonia-free PECVD method for enhancing supercapacitor performance | |
Jeong et al. | Electrochemical synthesis of graphene/MnO2 nano-composite for application to supercapacitor electrode | |
Gobal et al. | Preparation and electrochemical performances of nanoporous/cracked cobalt oxide layer for supercapacitors | |
TW412880B (en) | High surface area metal nitrides or metal oxynitrides for electrical energy storage | |
Auer et al. | Optimized Design Principles for Silicon‐Coated Nanostructured Electrode Materials and their Application in High‐Capacity Lithium‐Ion Batteries | |
JP5302692B2 (ja) | コンデンサ材料およびその製造方法、ならびにその材料を含むコンデンサ、配線板および電子機器 | |
Allison et al. | Optimized double manganese oxide deposition for enhanced electrochemical capacitor performance | |
Lee et al. | Self-assembled Prussian blue–polypyrrole nanocomposites for energy storage application | |
JP4906886B2 (ja) | 蓄電デバイス用複合電極、その製造方法及び蓄電デバイス | |
CA2207387C (en) | High surface area nitride, carbide and boride electrodes and methods of fabrication thereof | |
Choi et al. | Electrodeposition of porous manganese oxide using various surfactants for supercapacitor electrodes |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040930 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040930 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070227 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070215 |
|
A313 | Final decision of rejection without a dissenting response from the applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A313 Effective date: 20070718 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070904 |