JP2001505363A - 電気的エネルギー貯蔵用大表面積窒化金属または金属オキシナイトライド - Google Patents

電気的エネルギー貯蔵用大表面積窒化金属または金属オキシナイトライド

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、キャパシタまたはバッテリ形態における電気的エネルギー貯蔵構成要素として使用する、大表面積の、窒化鉄、窒化ガンマモリブデン、ニオブオキシナイトライド、タンタルオキシナイトライド、バナジウムオキシナイトライド、ジルコニウムオキシナイトライド、チタンオキシナイトライドまたはモリブデンオキシナイトライドをコーティングした基板を製造するプロセスに関係し、本プロセスは、基板を対応する金属ハロゲン化物の溶液またはスラリでコーティングする工程と、前記金属ハロゲン化物を酸化金属に転化する工程と、前記酸化金属を、上昇した温度におけるガス状窒素雰囲気中で、窒化金属または金属オキシナイトライドに転化する工程とを具える。

Description

【発明の詳細な説明】 電気的エネルギー貯蔵用大表面積窒化金属または金属オキシナイトライド 本発明の背景 関連する明細書への参照 この出願は、1996年12月9日に出願された米国特許出願第761,83 7号の継続出願であり、1996年9月30に出願された米国特許出願第727 ,821号の継続出願でもあり、この米国特許出願第727,821号は、19 94年3月30日に出願された米国特許出願第08/219,965号の継続出 願、1992年9月18日に出願された米国特許出願第07/947,294号 の継続出願、1993年9月1日に出願された特許出願公開明細書PCT/US 93/08803号、および1995年1月23日に出願された米国特許出願第 08/377,121号の継続出願である。これらの先に発行された特許および 出願のすべてを、これらを完全に参照することによって、ここに含まれるものと する。 本発明の利用分野 本発明は、導電性基板の表面上に大面積を有する多孔性窒化金属または金属オ キシナイトライドの薄膜を形成するプロセスに関係する。塩化金属を揮発性有機 溶媒に溶解させ、基板を薄膜で覆い、前記フィルムを多孔性酸化金属に変換し、 次にこの多孔性酸化金属を多孔性窒化金属または金属オキシナイトライドに変換 する。この薄膜金属オキシナイトライドで覆われた基板は、キャパシタまたはバ ッテリ配置における電極として、電気的エネルギー貯蔵に有用である。 本発明は一般に、エネルギー貯蔵装置および、さらに特に双極2重層キャパシ タ型エネルギー貯蔵装置と、同様のものを製造する改善された方法とに関するも のである。 関連する技術の説明 エネルギー貯蔵装置 − キャパシタまたは電池のような便利で信頼性のある エネルギー貯蔵装置に関して、長年に渡り重要な研究が成されてきた。大きなエ ネルギー貯蔵キャパシタは、電池に関して一般的である。しかしながら、電池は 低い出力密度も示す。対照的に、電解コンデンサは、極めて高い出力密度と僅か なエネルギー密度とを持つ。さらに、炭素ベース電極2重層キャパシタは、大き なエネルギー密度を持つが、高い等価直列抵抗(equivalent series resistance :ESR)のために、低い出力容量を有する。したがって、高エネルギー密度と 高出力密度との双方を有する蓄電装置を得ることが強く望まれていた。 ウルトラキャパシタは、心臓のペースメーカからセルラ電話、電気自動車まで の多くの用途に関する、先進的エネルギー貯蔵システムに必要なハイパワーを満 たす1つのアプローチを提供する。最近まで、かなりの電荷蓄積に利用可能なパ ッケージ化ハイパワーウルトラキャパシタ材料は、ルテニウムおよび酸化タンタ ル混合物のみであった(Z.W.SunおよびK.C.TsaiによるJ.Electrochem.Soc.Ext.Ab s.,vol.95.2,pp.73-76(1995)と、R.Tong他による米国特許明細書第54644 53号(1995))。不幸にも、ルテニウムおよび酸化タンタルは高価である。 長期に渡って信頼性のある蓄電装置と、同様のものを製造する改善された方法 を得ることは、有益であろう。少なくとも20〜90J/ccのエネルギー密度 を持った改善されたエネルギー貯蔵装置を得ることも求められるであろう。 重要な迫加の参考文献は、例えば以下を含む。 1991年10月8日にV.Hock他に発行された米国特許明細書第505516 9号;1977年10月4日にH.Beerに発行された米国特許明細書第40522 71号;1971年2月9日にA.Martinsons他に発行された米国特許明細書第3 562008号;1988年9月27日にJ.Wilfred他に発行された米国特許明 細書第4774193号;および、 1988年8月16日にMaruyama他に発行された米国特許明細書第47641 81号。 大面積を有する種々の窒化金属を提供する多くの報告が、当該技術分野におい て届けられている。特に重要な窒化金属は、窒化モリブデン、窒化チタンまたは 窒化鉄を含む。 当該技術分野におけるいくつかの追加の重要な参考文献は、以下を含む。 PCT/US93/08803、1993年9月17日出願、発明者:Tsai,K. C.他、国際公開番号:WO 94/07272、国際公開日:1994年3月 31日。 PCT/US95/03985、1995年3月30日出願、発明者:Tsai,K. C.他、国際公開番号:WO 95/26833、国際公開日:1995年10月 12日。 PCT/US93/15994、1995年12月11日出願、発明者:L.T.T hompson他、国際公開番号:WO 96/19003、国際公開日:1996年 1月20日。 1995年11月7日にRobert R.Tong他に発行された米国特許明細書第54 64453号。 1995年1月24日にRobert Tong他に発行された米国特許明細書第538 4685号。 一般的に重要な追加の米国特許明細書は、第4515763号、485120 6号、5062025号、5079674号、4327400号および5185 679号を含む。 窒化モリブデン(Mo2N,MoN)−−低コスト、大面積かつ導電性の窒化 モリブデンは、高電荷蓄積キャパシタ用代替材料として可能性のある候補である 。窒化モリブデンの大表面積を有する粉末としての形成を記載する文献において 、多くの報告がなされている。多くを後に記載する。しかしながら、これらの文 献のいずれも、基板表面への粘着性を改善した大表面積窒化モリブデンの粘着フ ィルムの形成を開示していない。粉末酸化モリブデン(MoO3)のアンモニア (NH3)との反応を説明し、y−窒化モリブデン(Mo2N)を製造しており、 これは200m2/g以上の表面積を有するfcc構造を有する(L.VolpeおよびM .Boudart,J.Solid State Chem.,59,332(1985))。 窒化モリブデンの製造および試験に関して、以下の技術が重要である。 D.Finelloは、1994年12月12−14日、フロリダ州ディアフィールド ビーチにおける、2層キャパシタおよび同様のエネルギー蓄積装置における第4 回国際研究会(4巻)において報告された”ウルトラキャパシタ技術における新 展開(New Developments in Ultracapacitor Technology)”において、窒化モリ ブデン標本の研究を報告している。窒化モリブデンは、厚い箔の表面上の酸化膜 をアンモニアで高温で処理することによって作るように説明されている。その結 果、この窒化物は、多孔性エネルギ蓄積にかろうじて有用になる。 D.Finelloは、1995年12月4−6日、フロリダ州ボウカレイトン(Boca Laton)における2層キャパシタおよび同様のエネルギー蓄積装置における第5 回国際研究会において報告された”窒化モリブデン電極の特性”において、基板 表面上の酸化モリブデン膜をアンモニアで過熱することによって形成された窒化 モリブデンの比較を説明している。MoCl5を、開始材料として使用すること ができる。製造されたMo2Nは純粋ではなく、MoO2およびMoNによって汚 染されている。 M.Wixomは、1995年12月4−6日、フロリダ州ボウカレイトン(Boca La ton)における2層キャパシタおよび同様のエネルギー蓄積装置における第5回 国際研究会において、”非酸化セラミック電極”において、特定の窒化金属電極 および炭化金属電極を、高エネルギー密度およびパワー密度に使用することがで きることを開示している。追加の詳細は与えない。 M.Goodwinは、フロリダ州ボウカレイトン(Boca Laton)における2層キャパ シタおよび同様のエネルギー蓄積装置における第5回国際研究会において、”PR Iウルトラキャパシタ、および、窒化モリブデンの評価”において、一般的に、 窒化モリブデンが有効な電極を形成できることを報告している。 L.VolpeおよびBoudart M.による”大表面積を有するモリブデンおよびタング ステンの混合物”、Journal of Solid State Chemistry,Vol.59,332-347(1985) 。 L.VolpeおよびBoudartM.による”窒化モリブデンにおけるアンモニア合成”、 J.Phys.Chem,vol.90,4874-4877(1986)。 G.S.Ranhotra他による”窒化モリブデンおよび炭化モリブデンに対する触媒作 用II。CO水素添加およびC26水素化分解の研究”、Journal of Catalysls ,vol.108,40-49(1987)。 G.S.Ranhotra他による”窒化モリブデンおよび炭化モリブデンに対する触媒作 用I。触媒作用特性”、Journal of Catalysls,vol.108,24-39(1987)。 E.J.MarkelおよびVan Zee,J.W.による”窒化モリブデンによる触媒水素化脱硫 ”Journal of Catalysis,vol.126,643-657(1990)。 C.H.Jaggers,Michaels,J.N.およびStacey,A.M.による”大表面積窒化遷移金属 の作成:Mo2NおよびMoN”、Chemistry of Materials,vol.2,150-157(1990 )。 J-G.Choi,Choi,D.およびThompson,L.T.による”N+イオン注入による窒化モリ ブデン薄膜の作成”、J.Mater,Res.vol.7,374-378(1992)。 L.T.Thompson,Colling,C.W.Choi,D.,Demczyk,B.G.およびChoi,J-G.による”窒 化モリブデンの表面および触媒特性”、New Frontiers in Catalysis,19-24(199 2)。 Jeong-Gil Choi.”窒化モリブデン薄膜からのH2の温度プログラム脱離”、Ap plied Surface Science,vol.78,299-307(1994)。 R.S.Wise,およびMarkel,E.J.”トポタクティック酸化モリブデンおよび窒化モ リブデンによる触媒NH3分解:温度プログラムy−MO2N合成における影響 ”、Journal of Catalysis,vol.145,335-343(1994)。 K.L.RobertsおよびMarkel,E.J.”トポタクティックMO2N結晶からのMO2 Nの発生”、J.Phys.Chem.vol.98,4083-4086(1994)。 R.S.WiseおよびMarkel,E.J.”窒素および水素の混合物における大表面積窒化 モリブデンの合成”、Journal of Catalysis,vol.145,344-355(1994)。 J-G.Choi,Curl,R.L.およびThompson,L.T.”窒化モリブデン触媒”、Journal o f Catalysis,vol.146,218-227(1994)。 B.G.Demczyk,Choi,J-GおよびThompson,L.T.”大表面積窒化モリブデンの表面 構造および性質”、Applied Surface 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Y.W.Bae,Lee,W.Y.,Besmann,T.M.,Blau,P.J.およびRiester,L.”アンモニアに おけるテトラキスチタンの熱分解による窒化チタン薄膜の合成および選択的微小 機械的特性”、Mat.Res.Soc.Symp.Proc.vol.363,245-250(1995)。 H.RodeおよびHlavacek,V.”窒化チタン合成の詳細な動力学”、AlchE Journal ,vol.41,377-388(1995)。 K-T.Rie,Gebauer,A.,Wohle,J.,Tonshoff,H.K.およびBlawit,C.”PACVDに よるスチールおよびサーメット基板上へのTiN/TiCN/TiC層システム の合成”、Surface and Coating Technology,vol.74-75,375-381(1995)。 J.N.MusherおよびGordon,R.G.”テトラキスチタン(ジエチルアミド)チタン およびアンモニアからの窒化チタンの大気圧化学蒸着”、J.Electrochem.Soc.14 3,736-744(1996)。 これらの用途において、酸化チタンは、窒化チタンの製造に使用される。表面 積は通常小さく、蓄電容量は最低限である。 窒化鉄(FeN)−−窒化鉄は少数の参考文献において記載されている。 窒化鉄製造に関して、以下の技術が一般的に重要である。 A.Tasaki,Tagawa,K.,Kita,E.,Harada,S.およびKusunose,T.”窒化鉄微細粉末 を使用する記録テープ”、IEEE Transactions on Magnetics,vol.MAG-17,3026-3 031(1981)。 K.Tagawa,Kita,E.およびTasaki,A.”微細Fe4N粉末の合成およびその磁気的 特性”、vol.21,1596-1598(1982)。 M.Kopcewicz,Jagielski,J.,Gawlik,G.およびGrabias,A.”窒素が注入されたα −Feにおける窒化物の安定性における合金要素の役割”、J.Appl.Phys.vol.78,1 312-1321(1995)。 D.C.Sun,Lln,C.,Jiang,E.Y.およびWu,S.W.”多層窒化鉄グラジエント膜”、Th in 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Films,vol.236,p.325(1993)およびK.-T.Rie 他、Surface and Coating Tech.,vol.74-75,p.375(1995)を参照されたい)。 2TiCl4+N2+H2→2TiN+8HCl 900−1200℃ 6TiCl4+8NH3→6TiN+24HCl+N2 500℃ チタンオキシナイトライド(TiNO)は、酸化チタンおよび窒化チタン間の 安定した中間化学生成物である。スパッタリングによって形成されるTiNOの これらの薄膜は、反射防止被膜として(T.R.Pampalone他、J.Electrochem Soc.,v ol.136,p.1181(1989))および/または拡散バリアとして(N.Kumar他、Thin Solid Films,vol.153,p.287(1987))として使用される。2酸化チタン(TiO2)のガス 窒化のみが、大表面積チタンオキシナイトライドを製造する(C.H.Shin他、Journ al Solid State Chemistry,vol.95,p.145(1991))。H.Teraoka他は、特開平1− 60729において、チタンオキシナイトライドが、窒素雰囲気中におけるTi O2の還元によって得られることを開示している。 TiNOに関する追加の参考文献は、以下を含む。 C.H.Shin他、Journal of Solid State Chemistry,vol.95,145-155(1991)は、 大表面積を有するチタンオキシナイトライドの作成および特徴を開示している。 R.Marchand他、米国特許明細書第4964016号は、導体要素として酸素を 含む灰チタン石の層を有する多層セラミックキャパシタを開示している。しかし ながらこれらの灰チタン石(1)金属(2)酸素、窒素構造混合物は、依然とし て低抵抗値を有する。静電容量のデータは開示されていない。 K.Kamlya他は、Journal of Materials Sciences,vol.22,p.937-941(1987)にお いて、ゾルーゲル方法によって作成されたTiO2のファイバの窒化を開示 している。 本願で引用した用途、特許、論文、参考文献、標準等のすべては、これらの全 体における参照によって、ここに含まれる。 本発明は、低コストの、金属シート(箔)基板上に付着する多孔性大表面積窒 化金属または金属オキシナイトライドの層と、中性水性電解質とを提供する。 発明の要約 本発明は、導電金属または合金の基板と、前記基板の一方または双方の平坦な 表面上にフィルム層とを具える大表面積電極に関係し、前記フィルムは、周期表 のIII、IV、V、VIまたはVII族の金属の大表面積窒化物またはオキシナイトライ ドから成る。 本発明は、キャパシタまたはバッテリ形態における電気的エネルギー貯蔵構成 要素として使用する、大表面積の窒化鉄、窒化チタンまたは窒化ガンマモリブデ ンをコーティングした基板を製造するプロセスに関係し、このプロセスは、 (a)薄いシートの形態における固体基板の平坦なエッチングされた表面の一 方または双方を、鉄ハロゲン化物、チタンハロゲン化物またはモリブデンハロゲ ン化物から選択した金属ハロゲン化物のスラリまたは溶液と、液体揮発性担体と によってコーティングし、薄い表面フィルムを形成する工程と、 (b)工程(a)の金属ハロゲン化物表面フィルムおよび担体でコーティング された基板を、酸素、空気またはこれらの混合物に、150ないし400℃程度 の温度において、5ないし60分間程度接触させ、前記鉄ハロゲン化物、チタン ハロゲン化物またはモリブデンハロゲン化物を、各々、薄いフィルムとして酸化 物に変換し、前記液体揮発性担体を除去する工程と、 (c)工程(a)および(b)を必要なだけ繰り返し、前記基板上に,大表面 積を有し、前記揮発性担体が除去された堆積された厚さの酸化金属被膜が得られ るまで、前記工程(a)および(b)を必要なだけ繰り返す工程と、 (d)工程(c)の酸化金属フィルムをコーティングされた基板を、酸素、空 気またはこれらの混合物中において、150ないし400℃程度の温度において 、1ないし3時間程度の間加熱し、前記塩化金属の少なくとも95%を酸化金属 に変換する工程と、 (e)前記酸化金属をコーティングされた基板の温度を、1分当たり40℃程 度以下の速度で、窒素雰囲気中で、500ないし800℃程度までゆっくりと上 昇させる工程と、 (f)工程(d)において製造された酸化物をコーティングされた基板を、過 流ガス状アンモニア、または、水素ガスおよび窒素ガスの混合物から選択された 窒素源に、500ないし800℃程度の温度において、1ないし6時間程度の間 、接触させ、前記酸化物コーティングの95%程度以上を、前記基板上の、大表 面積を有し、導電性の、窒化鉄、窒化チタンまたは窒化ガンマモリブデン層に各 々変換する工程と、 (g)周囲温度まで冷却し、工程(e)において製造された大表面積の窒化物 をコーティングされた基板を再生する工程とを具える。 一実施形態において、工程(a)において、前記塩化金属を塩化モリブデンと し、工程(f)の窒化ガンマモリブデンは、16m2/gを超える表面積を有す る。 他の実施形態において、工程(g)において、前記基板上に形成された窒化金 属は、10ないし60m2/g程度の表面積を有し、130F/gにおよぶ比キ ャパシタンスを有する。 本発明は、キャパシタまたはバッテリ配置における電気的エネルギー貯蔵構成 要素として使用する、大表面積の、ニオブオキシナイトライド、タンタルオキシ ナイトライド、バナジウムオキシナイトライド、ジルコニウムオキシナイトライ ド、チタンオキシナイトライドまたはモリブデンオキシナイトライドをコーティ ングされた基板を製造するプロセスにも関係し、このプロセスは、 (a)薄いシートの形態における固体基板の平坦なエッチングされた表面の一 方または双方を、ニオブハロゲン化物、タンタルハロゲン化物、バナジウムハロ ゲン化物、ジルコニウムハロゲン化物、チタンハロゲン化物またはモリブデンハ ロゲン化物から選択した金属ハロゲン化物の溶液またはスラリと、液体揮発性担 体とによってコーティングし、薄い表面フィルムを形成する工程と、 (b)工程(a)の金属ハロゲン化物表面フィルムおよび担体でコーティング された基板を、酸素、空気またはこれらの混合物に、150ないし250℃程度 の温度において、5ないし60分間程度接触させ、前記金属ハロゲン化物を、各 々、薄いフィルムとして酸化物に変換し、前記液体揮発性担体を除去する工程と 、 (c)工程(a)および(b)を必要なだけ繰り返し、前記基板上に,大表面 積を有し、前記液体揮発性担体が除去された堆積された厚さの酸化金属被膜が得 られるまで、前記工程(a)および(b)を必要なだけ繰り返す工程と、 (d)工程(c)の酸化金属フィルムをコーティングされた基板を、酸素、空 気またはこれらの混合物中において、150ないし400℃程度の温度において 、1ないし3時間程度の間加熱し、前記塩化金属の少なくとも95%を酸化金属 に変換する工程と、 (e)前記酸化金属をコーティングされた基板の温度を、1分当たり40℃程 度以下の速度で、窒素雰囲気中で、500ないし800℃程度までゆっくりと上 昇させる工程と、 (f)工程(e)において製造された酸化物をコーティングされた基板を、過 流ガス状アンモニア、アンモニアガスおよび水素ガスの混合物、または、水素ガ スおよび窒素ガスの混合物から選択された窒素源に、500ないし800℃程度 の温度において、1ないし6時間程度の間、接触させ、前記酸化物コーティング の95%程度以上を、前記基板上の、大表面積を有し、導電性の、ニオブオキシ ナイトライド、タンタルオキシナイトライド、バナジウムオキシナイトライド、 ジルコニウムオキシナイトライド、チタンオキシナイトライドまたはモリブデン オキシナイトライド層に各々変換する工程と、 (g)周囲温度まで冷却し、工程(f)において製造された大表面積の金属オ キシナイトライドをコーティングされた基板を再生する工程とを具える。 一好適実施形態において、前記金属オキシナイトライドの金属を、モリブデン 、ニオブ、タンタル、チタン、バナジウムまたはジルコニウムから選択し、より 好適には、チタンまたはモリブデンから選択する。 本発明は、二重層バッテリまたはキャパシタ装置にも関係し、 この装置は、 (a)導電性支持体にコーティングされた、酸化金属、炭化金属、窒化金属、 金属オキシナイトライドまたはこれらの組み合わせの、大表面積粘着性コーティ ングと、 (b)導電性支持体にコーティングされた、酸化金属、炭化金属、窒化金属、 金属オキシナイトライドまたはこれらの組み合わせの、反対側大表面積粘着性コ ーティングと、 (c)(a)および(b)間に形成された空間内に、アルカリ金属ハロゲン化 物の実際的に中性の水溶液とを有する、少なくとも1つのセルを具える。 請求の範囲1の二重層バッテリまたはキャパシタ装置の一実施形態において、 (a)および(b)において、前記コーティングを、窒化金属、金属ナイトライ ドまたはこれらの組み合わせから成るグループから選択する。 一実施形態において、前記アルカリ金属ハロゲン化物を、NaCl、KCl、 NaBrおよびKBrから成るグループから選択する。 一実施形態において、前記アルカリ金属ハロゲン化物が、0.5ないし4.5 Mにおいて存在する。 一実施形態において、(a)および(b)において、前記コーティングを、窒 化物、金属オキシナイトライドまたはこれらの組み合わせから選択し、(c)に おいて、前記アルカリ金属ハロゲン化物を、1.0ないし4.0M程度存在する KC1とする。一実施形態において、(a)および(b)において、前記金属を 、鉄、チタン、モリブデン、ニオブ、タンタル、バナジウム、ジルコニウムまた はこれらの組み合わせから選択する。 前記窒化金属電極またはオキシナイトライド電極(例えば、TiNO)は、中 性アルカリ土類金属ハロゲン化物水性電解質の存在下で、1.6Vまで充電およ び再充電することができる安定したセルを提供する。 本発明は、高エネルギー密度、高パワー密度および長い使用可能時間を有する 新規の蓄電装置にも関係する。 本発明の目的は、このような蓄電装置の新たな製造方法を提供することである 。 本発明の他の目的は、長期に渡って信頼性がある蓄電装置と、その改善された 製造方法とを提供することである。 本発明のさらに他の目的は、陽極および陰極間の間隙を減少することによって 蓄電装置の十分なパッケージを提供し、イオン伝導電解質の電気抵抗を減少する ことである。 図の簡単な説明 以下の記述と付随する図とを参照して、本発明の前記および他の特徴と、それ らを達成する方法とを明らかにし、本発明それ自身のより良い理解を与える。 図1は、3個のセルを示す部品ユニットの分解図の図式的表現であり、米国特 許明細書第5384685号における図3に相当する。 図2は、Mo2NフィルムのX線回折パターンのスペクトル表現である。 図3は、1モル水酸化カリウムおよび3.5モル硫酸におけるMo2Nフィル ムのサイクリックボルタンメトリのグラフ表現である。 図4は、3.5モル硫酸および1モル水酸化カリウムにおけるTiNOフィル ムのサイクリックボルタンメトリのグラフ表現である。 図5Aないし5Fは、3つの異なるTiNO標本の走査電子顕微鏡写真を示す 。図5A、5Bおよび5Cは、各々200倍である。図5D、5Eおよび5Fは 、各々1000倍である。 図6は、1M水酸化カリウムにおけるTiNOに関する、m2/gにおけるB ET比表面積に対する、F/cm2におけるキャパシタンスおよび比キャパシタ ンスのグラフ表現である。 図7Aは、最新の標本に関するTiNOに関するXRDデータのスペクトルグ ラフ表現であり、図7Bは、1モルKOHにおける120CV周期(16時間) 後であり、図7Cは、3.5M硫酸における120時間CV周期(16時間)後 である。 図8A、8Bおよび8Cは、各々、新しいの標本としてのチタンオキシナイト ライドの1000倍における走査電子顕微鏡写真と、1MのKOHにおける12 0CV周期後の走査電子顕微鏡写真と、3.5M硫酸における120CV周期後 の走査電子顕微鏡写真である。 図9Aおよび9Bは、各々、TiNOに関する20倍における走査電子顕微鏡 と、RuTaOxに関する100倍における走査電子顕微鏡とである。 図10A、10Bおよび10Cは、各々、0%Mnを有するTiNOと、5% Mnを有するTiNOと、10%Mnを有するTiNOとの200倍における走 査電子顕微鏡写真を示す。 図11は、1M水酸化カリウムにおけるTiNOと、4.6M硫酸におけるR uTaOxとに関するヘルツにおける周波数対、実効インピーダンスに関するE SRのグラフ表現である。 図12は、時における時間対、μA/cm2における漏れ電流密度に関するT iNOに関する1M水酸化カリウムにおける漏れ電流試験に関するグラフ表現で ある。 図13A、13Bおよび13Cは、各々、最新の標本に関するTiNOの走査 電子顕微鏡写真(13A)と、EDMカット後の走査電子顕微鏡写真と、洗浄お よび乾燥後の走査電子顕微鏡写真(13Bおよび13C)である。 図14Aおよび14Bは、各々、TiNOと、TiNOプラスTiO2との1 000倍における走査電子顕微鏡写真である。 図15は、ワット/kgにおけるパワー密度に対する、Wh/kgにおけるエ ネルギー密度のTiNO単一セル装置のRagoneプロットのグラフ表現であ る。 図16は、単一セル装置および5セル装置のCV材料に対する、F/cm2に おけるキャパシタンスのTiNO安定性試験のグラフ表現である。 図17Aおよび17Bは、各々、TiNOおよびRuTaOxの割れ目構造を 示す250倍における走査電子顕微鏡写真である。 図18は、漏れ電流試験前および後の試験に関するプロットを示す試験標本を 挟んだ水性1.0MのLiCl単一セルのグラフ表現であり、前記標本は前記電 解質に浸され、前記電解質から取り除かれる。実効インピーダンス(オームにお ける)対周波数(Hz)を示す。キャパシタンス(Fにおける)もプロットする 。 図19は、図18において説明したのと同じ変数を示す試験標本を挟んだ水性 1.0MのLiCl単一セルのグラフ表現である。 図20は、単一セル試験標本の、水性1.0MのLiClおよび1.0MのK OHにおける、18時間の試験に関するグラフ表現であり、漏れ電流(mAにお ける)対時間(時における)をプロットする。 図21は、放電キャパシタンスの性能低下に関する単一セル装置のグラフ表現 であり、放電サイクル500−5000に対する種々の形式の電解質、1.0M のKCl、1.0MのKCl(ガラスセパレータ有り)および1.0MのCsC lに対するキャパシタンス(ファラッドにおける)をプロットする。 図22は、放電エネルギーの性能低下に関する単一セル装置のグラフ表現を示 す。ジュールにおける放電エネルギーを、サイクル(500−5000)に対し てプロットする。電解質は、1.0MのLiCl,1.0MのKOH、6.0M のKOH、1.0MのKCl(ガラスセパレータ有り)および1.0MのCsC lの水溶液である。 図23は、TiNOx電極ACインピーダンスデータのグラフ表現であり、実 効インピーダンス(オームにおける)対周波数(Hz)をプロットする。ファラ ッドにおけるキャパシタンスもプロットする。水溶液は、1.0MのKOH、6 .0MのKOH、1.0MのKCl(キャパシタンス)、1.0MのKCl(ガラ スセパレータ有り)、1.0MのLiCl;1.0MのCsCl、1.0MのC sCl(実効インピーダンス)、1.0MのKCl(実効インピーダンス)、1.0 MのKCl(ガラスセパレータ有り)(実効インピーダンス)、1.0MのKCl( 実効インピーダンス)、6.0MのKOH(実効インピーダンス)および1.0 M(実効インピーダンス)。 図24は、種々の電解質において標本を挟んだ単一セル装置に関する18時間 漏れ電流試験に関するTiNO電極のグラフ表現であり、漏れ電流(μA)を時 間(時)に対してプロットする。 図25は、種々の電解質に関する1000HzにおけるESR(開始)および ESR(終了)(オームにおける)に関する単一セル装置に関する棒グラフ比較 表現である。 図26は、種々の電解質に関するキャパシタンス(充電された)およびキャパ シタンス(放電された)に関する単一セル装置に関する棒グラフ比較表現である 。 図27は、種々の電解質成分および濃度を使用する充電された電極および放電 された電極に関する単一セル標本のエネルギーを比較する棒グラフ表現である。 図28は、種々の電解質成分および濃度に関する単一セル標本の充電効率およ びエネルギー効率を比較する棒グラフ表現である。 図29は、単一セルとして試験した2つのTiNO装置のグラフ表現であり、 ESR(オームにおける)対F(Hz)をプロットする。 図30は、5セルとして試験したTiNO装置のグラフ表現であり、ESR( 才ームにおける)対F(Hz)をプロットする。キャパシタンス(ファラッド) もプロットする。 図31は、TiNOの3つのセル装置のグラフ表現であり、漏れ電流(μA/ cm2)対分における時間をプロットする。 図32は、TiNO材料のグラフ表現であり、電流(mA)対電圧(V対SH E)をプロットする。 図33は、種々の充電電圧における1.0MのKClにおける5セルTiNO 装置のグラフ表現であり、電荷(mA時)対サイクル(0ないし1000)をプ ロットする。 図34は、種々の充電電圧における1.0MのKClにおける5セルTiNO 装置のグラフ表現であり、エネルギー(mW時)対サイクル(0ないし1000 )をプロットする。 図35は、種々の5セル装置の試験のグラフ表現であり、実効インピーダンス (オーム)対周波数(Hz)をプロットする。ファラッドにおけるキャパシタン スもプロットする。 図36は、3つの5セル装置の試験のグラフ表現であり、電流密度(μA/c m2)対時間(時)をプロットする。 図37は、種々の5セル装置のサイクル試験のグラフ表現であり、放電エネル ギー(ジュール)対サイクル(0ないし5000)をプロットする。ファラッド における放電キャパシタンスもリストにする。 図38は、1.0KClを使用する2つの装置のグラフ表現であり、実効イン ピーダンス(オームにおける)対周波数(Hz)をプロットする。フアラッドに おけるキャパシタンスも記録する。 図39は、10.0Vにおける1.0MのKClによる一重および二重ガスケ ットを使用する2つのTiNO装置の試験のグラフ表現であり、μAにおける漏 れ電流対分における時間をプロットする。 図40は、水溶液におけるKClに関する凝固点(℃)対モル濃度(M)のグ ラフ表現である。ジーメンスにおける導電率も、モル濃度に対してプロットする 。 好適な実施例の詳細な説明 定義 ここでは以下のように使用する。 米国特許明細書第5464453号、WO94/07272およびWO95/ 26833の定義および本文は、これらの全体においてここに含まれるものとす る。 以下の言葉の定義は、これに限定されない。 「導電支持材料」は、導電金属または合金か、導電ポリマか、導電セラミック か、導電ガラスか、それらの組合せのどれかを示す。金属および合金を、好適に は積層体ユニットとして構成する。好適な材料は、例えば、以下の第2導電材料 に関して記載した好適な酸化金属の材料を含む。支持材料は、10-4S/cm 程度以上の導電率を持つべきである。 「エッチングされた」または「前処理された」基板は、米国特許明細書第54 64453号に記載のように清浄化された、すなわち、6NのHCl溶液に10 −15分接触させた、機械的研磨処理を使用して研磨された金属箔またはシート を示す。 「ハロゲン化物」は、開始材料の塩化金属、臭化金属またはこれらの組み合わ せを示す。塩化物が好適である。 「液体揮発性担体」は、周囲気圧において200℃程度以下の沸点を有する何 らかの有機液体を示す。通常、炭素、水素、酸素および窒素の組み合わせのみが 存在する。好適な担体は、限定的ではないが、エタノール、プロパノール、ブタ ノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、ジエチルエーテル 、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメチルアセトアミド、ジエチルアセトア ミド、アセトン、メチルエチルケトン、ブタノン、エチルアセテート、プロピル アセテート、メチレン、クロライド、クロロフォルム、カーボンテトラクロライ ド、ベンゼン、トルエン、キシレンおよびこれらの混合物を含む。好適にはアル コールを使用し、より好適にはエタノールおよびプロパノールを使用する。 (大表面積の)「第2導電材料」は、支持材料の各々の面上にコーティングさ れる同一のまたは異なった組成としてもよい多孔性電極のことを示す。本発明に 好適な酸化金属は、すず、鉛、バナジウム、チタン、ルテニウム、タンタル、ロ ジウム、オスミウム、イリジウム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、モリブデン、 ニオブ、クロム、マンガン、ランタンまたはランタン族金属または合金、または それらの組合せからどれか一つを選択したものを含み、あるいは導電性を増すカ ルシウムのような添加物を含む。 「電解質」は、イオン伝導性の水溶液または非水溶性溶液または材料のことを 示し、乾式部品ユニットを充電可能にする。 「Cab-O-Sil」は、イリノイ州TuscolaのCabot社から入手できるシリカ注入器 のことを示す。多種の寸法のものを入手できる。 「エポキシ」は、通常ポリアミンまたはポリアミン硬化剤と混合したポリエポ キシである一定量の硬化剤と混合したエポキシレジンである生成物の慣習的な定 義を示す。 「MYLAR」は、デラウェア州ウィルミントンのDuPont社のポリエチレンテレフ タレートのポリエステルのことを示す。普通、様々な厚さのシート形状において 市場で入手できる。 「窒化金属または金属オキシナイトライド」は、周期表のIII,IV、V、VIまた はVII族の金属の、なんらかの導電性金属オキシナイトライドを示す。より特に 、前記金属を、モリブデン、ニオブ、タンタル、チタン、バナジウム、ジルコニ ウムまたはこれらの組み合わせから別個に選択し、特に、チタンまたはモリブデ ンから選択する。 金属オキシナイトライドに関して、この構造は、MO2、MO3、MO4等と、 MN、M2N,M3N、MN2等との組み合わせを説明しない。MNOは一般的な 式Mxyzを説明し、ここで、Mを金属とし、好適には遷移金属とし、ここで 、 xを0.7ないし1.3程度とし、好適には0.9ないし1.1程度とし、よ り好適には1程度とし、 yを0.7ないし1.3程度とし、好適には0.9ないし1.1程度とし、よ り好適には1程度とし、 zを0.7ないし1.3程度とし、好適には0.9ないし1.1程度とし、よ り好適には1程度とする。 チタンオキシナイトライドに関して、この式は、TiO2およびTiNの組み 合わせ、またはこれらのバリエーションを説明しない。TiNOは一般的な式T ixyzであり、ここで、Mを金属とし、好適には遷移金属とし、ここで、 xを0.8ないし1.2とし、好適には1程度とし、 yを0.8ないし1.2程度とし、好適には1程度とし、 zを0.8ないし1.2程度とし、好適には1程度とする。 「酸化金属」は、導電酸化金属のことを示す。 「混合酸化金属」は、2つまたはそれ以上の酸化金属の導電酸化化合物であっ て、非導通化合物を任意に混合したものを示す。 乾式部品ユニットエネルギー貯蔵装置 ここで特に図1を参照して、本発明に従って構成されるエネルギー貯蔵装置の 乾式部品ユニット10を説明する。エネルギー貯蔵装置は、まず乾式部品ユニッ トが組み立てられる。このセルに水性または非水性電解質を充填した後、外面を (例えば、加熱または紫外線で)密封(融合)し、その後に充電される装置を形 成する。 装置部品ユニット10は、一般に、本発明に従って形成され、調整され、積層 されたセル110、112および114のような複数のセルを含む。米国特許明 細書第5464453号の図1A(図示せず)は、20個のセルを重ねて形成さ れた蓄電装置部品ユニット10Aの組み立て図を示す。しかしながら、本明細書 を読んだ後には、どんな異なった数のセルでも使用できることを当業者には理解 されたい。 図1は、説明を簡単にするために、例として3つのセル110、112および 114のみを示す、部品ユニット10の分解図である。セルは一般に、同様の設 計および構造のものであり、したがって、セル114および112のみを(米国 特許明細書5384685の図2、2A、3および13に関して)詳述する。 セル114は、第1導電外部電極またはエンドプレート111Aと、第2内部 導電双極電極111Bとを含む。電極111Aおよび111Bの双方は、2つの 誘電体または絶縁ガスケット121および123によって、エッジにおいて分離 している。 第1および第2電極と、絶縁ガスケット121および123と、導電多孔性( 酸化)材料層119および120を一つに結合してセル114を形成した場合、 中央空気充填間隙が、これらの要素によって形成される。部品ユニットを使用す る準備ができた場合、間隙130を電解質(図示せず)で満たし、装置を製造す る。 この目的のために、好適な接近手段または充填口122を、電解質を前記間隙 に充填するために、ガスケット121および123の間に形成する。前記充填口 を、ガスケット121および123を融合または結合する前にガスケット121 および123の間に挿入したタブまたはコード117Aによって形成する。ガス ケット121および123を加熱すると、コード117Aは、リフローガスケッ ト材料によって取り囲まれ、形成すべき充填口の外形の原因となる。2つのガス ケットは、導電コーティング層119および120の最小領域を覆う融解したポ リマの固まりになる。 窒化金属 − 当技術分野において既知の窒化金属または混合窒化金属も、こ こに記載した酸化金属または混合酸化金属の一部に置き換えることによって、本 発明においてエネルギーの貯蔵に使用する。窒化金属は、例えば、周期表におい て見られる材料のいずれをも含む。 前記乾式部品ユニットを、ここで引用した主要な特許、米国特許明細書第54 64453号に従って組み立てる。次にこの部品ユニットを空にし、適切な電解 液を充填し、密封し、前記蓄電装置を形成する。 Mo2N − 窒化モリブデン(Mo2N)および炭化モリブデン(Mo2C) の双方は、大容量キャパシタの優れた実施例である。双方のセラミックスは、導 電性であり、例えば50ないし250m2/gの極めて大きい比表面積(例えば >100m2/g)を有し、機械的安定性および化学的安定性に加え、水性およ び非水性電解質中での電気化学的安定性を有する。Mo2N電極を、例えば、チ タン、タンタルまたはジルコニウムにおける金属箔またはシート上に(MoCl5 +イソプロピルアルコール)前駆物質を最初にスプレー熱分解または浸漬コー ティング熱分解加水分解し、例えば、好適には250ないし550°C程度、好 適には300℃程度の高温で、1ないし20時間程度、好適には5時間程度加熱 し、酸化セラミック、すなわちMoO3およびMoO2を形成することによって準 備する。次にこの大表面積酸化セラミックを、例えば>300℃、好適には30 0ないし500℃(または800℃)程度の高温で、1ないし20時間程度、好 適には5時間程度、一定温度の炉において、アンモニア、NH3と反応させるこ とによってMo2Nに変換する。NH3に加えて、N2+H2ガスの混合物を、酸化 物から窒化物への変換の反応物として使用することもできる。 炭化金属 − 本技術分野において既知の炭化金属または混合炭化金属も、こ こに記載した酸化金属または混合酸化金属の一部に置き換えることによって、本 発明においてエネルギーの貯蔵に使用する。炭化金属は、例えば、周期表におい て見られる材料のいずれをも含む。 炭化金属を、窒化金属に関して上述した工程を応用することによって準備する 。例えば、Mo2C − 一酸化炭素、COをNH3の代わりに使用する場合、炭 化モリブデンが生成される。 ここで電極111Aおよび111Bの詳細について考察し、その製造方法を後 に記述する。電極111Aと111Bとの違いは、電極111Aが好適には電源 (図示せず)に接続するためのタブ160Aを含むことである。 さらに、電極111Aと111Bとの違いは、電極111Aが、支持材料また は構造116上に堆積された1つの多孔性導電コーティング層119を含む一方 、双極電極111Bは、支持材料または構造118の両面上に堆積された2つの 多孔性コーティング層120および131を含むことである。このように、電極 111Bを、真の双極電極とする。好適には電極111Aの両面に多孔性導電層 をコーティングすることに注意されたい。 さらに他の電極111Aと111Bとの違いは、支持構造116および118 の剛性率にある。外側のエンドプレートとして働く電極111Aは、好適には前 記エネルギー貯蔵装置の全体の構造に十分な剛性を与えるように、より剛固な構 造を持つべきである。電極111Bおよび他の同様な内部電極は、外部電極11 1Aと同じ剛性を持つ必要はない。それでもなお、前記装置が大きい場合、追加 の支持構造を必要とし、内部電極すなわち111Bが追加の支持構造として使用 される。このような場合、内部電極すなわち111Bをより剛固にすることが望 ましい。 結果として、一般的に支持材料116は支持材料118より薄い。好適な実施 例において、支持材料116は10ミル(0.0254cm)程度の厚さを持つ 一方、支持材料118は1ミル(0.00254cm)程度の厚さを持つ。代わ りに他の値を選択することができる。 電極111A、111Bおよび前記貯蔵装置の他の電極は、本発明の範囲から 逸脱することなしに、必要な用途に応じた寸法に作られる。例えばある用途にお いて前記装置は、例えば心臓細動除去器用に小型化される。一方他の実施例にお いて装置全体の体積は、例えば電気自動車用に1立方メートルまたはそれ以上と なる。電極の寸法は、前記貯蔵装置全体のキャパシタンスを決定する。 ここでコーティング層119および120の詳細について考察し、その製造方 法を後に記述する。好適な実施例においてコーティング層119が複数の小突起 を含む一方、コーティング層120はそのような小突起を含まない。しかしなが ら本発明の範囲から逸脱することなしに、代わりにコーティング層120を、コ ーティング層119と同様に設計することができることに注意されたい。 ここでコーティング層120を考えると、これは、コーティング層119と同 様の機能を提供し、電極111Bの第1電極111Aの内側の面と向かい合った 方の面上に堆積される。好適な実施例においてコーティング層120は、小突起 を含まない。部品ユニット10の他の実施例において、コーティング層119お よび120は同様に構成され、小突起層を含む。 ここでガスケット121および123について考察し、その製造方法を後に記 述する。ガスケット121および123は、一般に同一のものであり、互いに整 列して(接近して、重ねられて)配置される。ガスケット121は、剛固な周辺 部分と、中空の中心部分とを含む。 好適な実施例においてコード117Aまたはその一部は、ガスケット121と 123との間に置かれ、ガスケットの中空部分を横切って延在し、周辺部分の外 側に突き出る。他の実施例において、コードは、ガスケットの中央部分を横切っ ては延在せず、コードの一部のみがガスケット間に挟まれ、ガスケットの一方の 側の双方のエッジを越えて延在する。蓄電装置を製造する方法 図1を参照し、乾式部品ユニット10と、充填され密封されたエネルギー貯蔵 装置とを製造する好適な方法に関する一般的な説明を、米国特許明細書5464 453号に記載のようにする。 前記多孔性コーティング厚を、1ないし10000μ程度とし、好適には1な いし200μ程度とし、より好適には5ないし50μ程度とする。 部品ユニット10を電解質で満たすと、充電して装置10Aにする準備ができ る。電解質に関する主な条件は、イオン伝導性で双極特性を持つことである。電 極と電解質との間の境界または接触領域は、この分野では「2重層」と呼ばれて おり、この領域における電荷の配置を記述するのに使用される。2重層理論のよ り詳細な説明が、Bockris他による「Modern Electrochemistry」第2巻、第6版 、第7章(1977年)に見られる。 コーティング層の表面積は、前記電解質を充填した装置の静電容量に影響を及 ぼす。例えば表面増加係数が1000から20000の間であり、2重層の接触 面表面積(すなわちBET表面積)あたりの容量密度が10から500マイクロ ファラッド/cm2程度である場合、0.1から10ファラッド/cm2程度の表 面増加容量密度の電極の投影表面積が得られる。所定の表面増加値を有するコー ティング層を本発明の範囲内に使用したとしても、より大きい表面積のコーティ ング層が、静電容量密度が増加するため、好適である。10ないし1000m2 /cc程度の表面積を有するコーティング層が好適であり、好適な値は、20な いし200m2/cc程度であり、より好適には、100m2/cc程度である。 ここでは2重層理論について記述したが、本発明の範囲から逸脱することなし に、陽子注入モデルのような他の理論またはモデルを代わりに使用することがで きることに注意されたい。さらに、正確な表面積有孔性およびコーティング層の 厚さを、本発明の目的を満たし、達成するこの用途を有する当業者によって調節 および変更することができる。 大表面積(多孔性)導電コーティング材料、例えば、窒化金属または金属オキ シナイトライドを、支持材料上に塗布する。 1.溶解方法 − 多孔性コーティング材料は、溶液またはゾルーゲル組成物 における種々の反応性前駆物質から生成してもよい。これらの前駆物質組成物を 塗布するには多くの方法が実行可能であり、以下に示すことに限定されない。通 常、硬化、加水分解および/または熱分解の処理を行って、支持材料上のコーテ ィング層を形成する。金属塩の熱分解は、調整された雰囲気(窒素、酸素、水、 および/または他の不活性および酸化ガス)中で、炉および/または赤外線源に よって通常行われる。 (a)浸漬コーティング − 電極または支持材料を、溶液またはゾルーゲル 中に浸して、支持材料に前駆物質コーティング層をコーティングし、その後、熱 分解または他の方法によって硬化させる。任意にこの処理を繰り返して層の厚さ を増加させてもよい。好適な方法は、支持材料を塩化金属アルコール溶液中に浸 し、続いて250から500℃程度の温度において5〜20分間5〜100%の 酸素雰囲気中で熱分解を行う。 この処理を、必要な量のコーティングが得られるまで繰り返す。250〜45 0℃における最後の熱分解処理を、1〜10時間行う。一般的には、1平方セン チメートル当たり1〜10F程度の電極の断面積当たりの容量密度を得るために 、支持材料上に1〜30mg/cm2程度堆積する。他の手段は、ゾルーゲル溶 液を、ルテニウム、シリコン、チタンおよび/または他の酸化金属によって形成 し、上述したように支持材料上にコーティングする。pH、濃度、溶媒、および /または、しゅう酸、ホルムアミド、および/または界面活性剤のような添加剤 の量を調節することによって、コーティング層の放電周波数特性を調節すること ができる。 熱分解工程の間に高い相対湿度を使用して、低温において出発材料の酸化を完 了させることができる。この方法は300℃程度において湿度の調節無しに熱分 解を行う。しかしながら追加の方法は、350℃程度またはそれ以下の温度にお ける熱分解の間、50%程度以上の相対湿度を保つ。 (b)スプレーコーティング − コーティング溶液をスプレー手段によって 支持材料に塗布し、硬化させ、任意に繰り返し、厚さを増加させる。好適な手段 は、コーティング溶液を支持材料に、0〜150℃の温度において、超音波ま たは他のスプレーノズルによって、窒素、酸素および/または他の反応性および 不活性ガスで構成されるキャリアガス中で0.1〜5ml/秒程度の流量によっ て塗布することである。コーティング層の特性を、酸素および他の反応性ガスの 分圧によって調節する。 (c)ロールコーティング − 前駆物質コーティング層は、ロールコーティ ング法によって塗布され、硬化され、任意に繰り返して厚さを増加する。浸漬コ ーティングに関して上述したコーティングが、ここでも有効である。 (d)スピンコーティング − 従来技術におけるスピンコーティング法が前 駆物質を塗布するのに使用され、任意に繰り返され、所望の厚さが得られる。 (e)ドクターブレーディング − ドクターブレーディング法は、前駆物質 を塗布するのに使用され、任意に繰り返され、所望の厚さが得られる。 2.電気泳動堆積 − 多孔性コーティングまたは前駆物質コーティングを支 持材料に電気泳動技術を使用して塗布することができ、任意に繰り返され、所望 の厚さが得られる。 3.化学蒸気堆積 − 多孔性コーティングまたは前駆物質コーティングを、 既知の化学蒸気堆積技術によって塗布することができる。 (C)電極コーティング前処理 多くの前処理(調節)またはその組合せが、コーティングの電気的特性(例え ば、電気化学不活性、導電性、性能、その他)を改善するのに有効であることが 分かっている。これらの処理は、例えば以下のようなものである。 1. 水蒸気 − 高温水または水蒸気処理を大気中で行って、漏れ電流を減 少させることができる。方法の手順は、コーティングされた電極を密閉容器中で 150から325℃の温度において1から6時間、自然発生圧力のもとで飽和水 蒸気に接触させる。 2. 反応性ガス コーティングされた電極を、酸素、オゾン、水素、過酸化 水素、一酸化炭素、一酸化二窒素、二酸化窒素、または酸化窒素に、周囲温度な いし300℃程度の温度において還元圧力またはそれ以下の圧力において一回ま たはそれ以上接触させる。好適な方法は、コーティングされた電極を空気中のオ ゾンが5〜20重量パーセント程度のオゾン流に周囲温度ないし100℃程 度の温度において0.1〜2000torrの気圧において0.1〜3時間接触 させる。 3. 臨界超過流体 − コーティングされた電極を、二酸化炭素、有機溶媒 、および/または水のような臨界超過流体に接触させる。好適な方法は、始めに 圧力を上昇させて、次に温度を上昇させて臨界超過状態にすることによって、臨 界超過した水または二酸化炭素によって0.1〜5時間処理する。 4. 電気化学的処理 − コーティングされた電極を、硫酸電解質中に置く 。次に電極を陰極電流に切り換え、開放回路の電位を0.5Vから0.75V程 度、好適には0.5Vから0.6V程度、より好適には0.5V(対NHE)に 駆動し、水素ガスを発生させない。 5. 反応性液体 − コーティングされた電極を、過酸化水素、オゾン、酸 化硫黄、クロム(VI)族、および/またはそれらの組合せの水溶液のような酸 化した液体に、周囲温度ないし100℃程度において0.1〜6時間接触させる 。好適な方法は、10ないし100mg/lのオゾン水溶液を20ないし50℃ において0.5ないし2時間使用する。追加の方法は、コーティングされた電極 をクロム酸塩または重クロム酸塩溶液中で処理する。 (J) 後処理 1. 積層体または組み立てられた積層体またはそれらの組合せの多くの反応 性ガス後処理が、電極およびその結果装置の、全体および長期の電気的特性を改 善するのに有効である。これらは、工程(H)の前および/または工程(I)の 後に、水素、酸化窒素、一酸化炭素、アンモニア、および他の還元ガス、または それらの組合せによって、周囲温度とガスケット材料のTmの間の温度において 、減圧または加圧して処理する。 2. 当技術分野において一般に行われる第2の後処理を行い、工程(F)後 の開放回路の電位を調節し、不活性気体中(例えば、Ar、N2)で電極を積み 重ねる。これを、陰極電流を使用して水素を発生させることなく行う。 (K)乾式部品ユニットの充填 乾式部品ユニットに、イオン伝導性の水性または無水性電解質を充填し、中世 アルカリ金属ハロゲン化物塩を含む。好適な電解質は、高い導電性のために30 % 程度の硫酸水溶液とする。炭化プロピレンおよび炭酸エチレンを基礎とする無水 性電解質を使用して、セル当たり1.2Vより大きい電位を得ることもできる。 乾式部品ユニットに液体電解質を充填する好適な方法は、部品ユニットをチャ ンバ内に置き、チャンバを1torrから1マイクロtorr程度、好適には2 50mtorrにし、電解質を注入することによって、セルの間隙に電解質を充 填口を経て充填する。代わりに、部品ユニットを電解質中に置き、真空にするこ とによって、セルの間隙内のガスを除去し、電解質に置き換えてもよい。 加えて、非液体を基礎とする電解質(例えば、固体およびポリマ)を使用する ことができる。これらの場合において、電極はリフロー前に電解質でコーティン グされ、充填口を必要としない。 電極キャパシタンス密度(F/cm2の単位におけるC′)は、すべての10 μmのコーティング層に関して、おおよそ1F/cm2である。装置キャパシタ ンス(C)は、電極キャパシタンス密度に電極面積(cm2の単位におけるA) を掛けたものを、セルの数(n)の2倍で割ったものに等しい(式1)。 漏れ電流(i”)が電極面積A’に比例する一方、等価直列抵抗(ESR)は 電極面積に反比例する(式2)。i”の一般的な値は、20μA/cm2より小 さい。 装置内のセルの合計の数(n)は、全体の装置電圧(V)をセル電圧(V’) で割ったものに等しい(式3)。1.2V程度までのセル電圧が、水をベースと した電解質によって使用される。 セルの間隙(h’)および支持材料の厚さ(h”)に基づく装置の高さ(h) は、セルの数および電極キャパシタンス密度から、式4によってcmの単位にお いて決定される。 装置のESRは、セルの数(n)、掛けるセルの間隙(h’)、掛ける電解質 の固有抵抗(r)、掛ける2程度の定数、割る電極面積A’の関数である(式5 )。 式1 C=C’A'/2n 式2 i”∝A’∝1/ESR 式3 n=V/V’ 式4 h/cm=n(0.002C’+h’+h”) 式5 ESR・2nh'r/A’ 装置は、種々の用途の条件に適合させるように、電圧、エネルギー、および抵 抗の条件を考慮することによって構成される。以下の例は、どんな方法において も限定されることを意味しない。 電気自動車の用途用に、100KJから3MJ程度の装置が使用される。高電 圧(100から1000V程度)大エネルギー(1〜5F/cm2)貯蔵装置は 、100から10000cm2程度の電極面積と共に使用される。 自動車の冷却時の始動における排気を減少させる電気的に加熱される触媒用に 、10から80KJ程度の装置が使用される。この装置は、100から1000 cm2程度の面積の1〜5F/cm2の電極を用いて構成された、12から50 V程度のものである。好適には、並列のいくつかの装置から構成される装置を、 電気的な条件に適合させて構成することができる。 細動除去器の用途用に、0.5から10cm2程度の面積の1〜3F/cm2 の電極を用いた、200〜400V程度の装置が使用される。窒化金属 窒化金属を作成する一般的な手順において、金属ハロゲン化物を、揮発性有機 液体、または上述したような液体の混合物において溶解またはスラリ化する。ア ルコールが好適である。 あるサイズおよび厚さの金属シートを前記液体中に浸し、前記シートの両方の 平坦な表面をコーティングする。次にこのコーティングされたシートを、オーブ ンにおいて、酸素または空気の存在下で、150−400℃(好適には200℃ 程度)において、5ないし60分程度(好適には5ないし20分程度)置き、酸 化金属を生成し、前記有機液体を除去する。 このサイクルを10ないし100回繰り返し、前記シート上に所望の厚さ(5 −10000μ)の酸化金属を得る。次に前記コーティングされたシートを、1 50ないし400℃において、1ないし3時間焼きなまし、前記塩化物の95% 以上を酸化物に変換する。次に前記コーティングされたシートを、40℃/分以 下において、窒素雰囲気中で、500−800℃程度までゆっくりと加熱する。 前記コーティングされたシートを500−800℃まで加熱したら、500ない し800℃のアンモニアガス(または水素および窒素の混合物)に、1ないし6 時間程度(好適には2−4時間)接触させ、例えば5ないし10000μ、好適 には5−100ミクロンの窒化金属フィルムを生成する。 一般的に、Mo2N製造に関する最高温度は700℃程度であり、TiN製造 に関する最高温度は800℃程度であり、FexN(ここでx=2、3または4 )製造に関する最高温度は500−550℃程度である。 窒化チタン −− イソプロパノール溶液中の1M塩化チタン(TiCl4) を、チタン(箔)基板上にフィルムを浸漬コーティングするのに使用する。窒化 モリブデンに関する上述したプロセスの残りを、窒化の温度を800℃にするこ とを除いて繰り返す。窒化チタンは1.2電圧窓、0.23F/cm2、23F /g、30m2/g(BET)程度を表面領域において有する。 窒化鉄 −− イソプロパノール溶液中の任意にFeCl2を伴う1M塩化鉄 FeCl3をチタン(箔)基板上にフィルムを浸漬コーティングするのに使用す る。窒化モリブデンに関する上述したプロセスの残りを、窒化が500−550 ℃において生じることを除いて繰り返す。窒化チタンは1.2ボルトのCV電圧 窓、0.20F/cm2、75F/gおよび30m2/g(BET)を表面領域に おいて有する。 4ないし6時間程度のアンモニアガスとの反応後の、窒化モリブデンフィルム のx線散乱(XRD)パターンの結果を、図2に示す。fcc y−Mo2N構 造の紛体回折標準における合同委員会(JCPDS)コンピュータデータベース と一致する。 3.5M H2SO4および1M KOH溶液中のMo2Nの、10mV/秒の 走査レートにおける代表的な周期的ボルタンメトリ試験の結果を、図3に示す。 CV試験によるキャパシタンスおよび比キャパシタンスデータは、酸性溶液およ びアルカリ性溶液の双方において、各々、1.0F/cm2、125F/gであ る。窒化モリブデン電極は、6000サイクルを通じて安定である。酸性溶液お よびアルカリ性溶液の双方において同じ材料の連続サイクルを比較すると、Mo2 Nを説明するモリブデンイオン溶解測定、漏れ電流試験およびパッケージセル 試験は、アルカリ溶液における方が酸性溶液におけるよりも安定しているが、ア ルカリ溶液においては0.7V電圧窓を有し、酸性溶液においては0.8V電圧 窓を有する。ブルナウアー−エメット−テラー(BET)データは、Mo2Nフ ィルムに関して16m2/gの表面積を示す。 窒化モリブデンは、ウルトラキャパシタ電荷蓄積材料の代わりの材料としての 候補である。その利点は、低コスト、大表面積および導体材料であるということ である。 その欠点は、混合されたルテニウムおよびチタン酸化物と比較して電圧窓がよ り小さいことであり、セルをパッケージングする場合、いくらかの困難を生じる かもしれない、中位の機械的粘着性を有し、水溶液中のウルトラキャパシタ電荷 蓄積材料として最低限安定している。金属オキシナイトライド形成および性能 酸化金属(例えば、チタン)形成状態は、金属(例えば、チタン)オキシナイ トライドのBET表面積、SEM画像、XRD結果およびCV性能によって判断 される。最適化された標本を、1M TiCl4 IPA溶液において浸漬コー ティングした後、200℃において2時間焼きなまし、熱分解する。XRDパタ ーンにおいて2酸化チタンのピークはなく、SEM画像において非常に大きい割 れ目はない。150℃における酸素の熱分解が最大のBET表面積を示すとして も、これらの標本は、さらに700℃において窒化することができない2酸化チ タンのルチル構造を形成する。300℃における焼きなましは、比較的より小さ いキャパシタンスを与え、400℃における焼きなましは、きわめて不充分な機 械的粘着性と、小さいキャパシタンスとを示す。 周囲気圧において700℃のNH3流(22.5L/分)およびH2(4.5 L/分の流れ)ガス雰囲気中での反応の6時間後、TiNOが生成される。Ti NOは、56m2/gのBET比表面積と、3.5M H2SO4において1.1 5F/cm2、79F/g、1.0M KOHにおいて1.45F/cm2、75 F/gの最大キャパシタンスと、CV曲線(図4参照)からの1.2電圧窓とを示 す。活性ウルトラキャパシタ材料コストは、キロジュール当たり26セント程度 減少すると推定される。 XPS(ESCA)材料組成分析 窒化後のTiNOの標本のESCA結果を、表1に載せる。炭素は、前記基板 における汚染である。アルゴンは、エッチングに使用される。前記窒化変換は、 この表における酸素から窒素への変換の計算に基づいて、38%である。上述し た状況における窒化後の生成物を、チタンオキシナイトライド(TiNO)と呼 ぶ。 表1 TiNOのESCA分析 ラザフォード後方散乱分光(RBS)分析およびSEM顕微鏡写真 RBS結果(表2)は、TiNO標本に関するESCA結果と一致する。Ti :O:Nの比は、ほぼ1:1:1である。これらのデータは、チタンオキシナイ トライドの仮説を支持する。 異なったキャパシタンスの標本のRBS分析は、Ti、OおよびNの同じ原子 百分率を示す。これは、キャパシタンスが前記標本の原子百分率に関係しないこ とを意味する。標本組成が浸漬方法に関係しないことも示す。図5Aないし5F は、これら3つの異なったキャパシタンス標本のSEM写真を示し、これらは異 なった表面構造を示す。 表2 原子百分率におけるTiNOのRBS結果 表面積によるキャパシタンス効果 キャパシタンスが前記材料の組成に関係しなくても、キャパシタンスが表2か らのBET比表面積に関係することは明らかである。図20は、キャパシタンス が材料の比表面積に比例することを、異なった窒化物反応状況の下でのデータを プロットすることによって示す。チタンオキシナイトライドは、二重層キャパシ タ現象を示す。 異なった電解質における比較CVサイクル−TiNO CV試験開始材料キャパシタンスは、1M KOHにおいて1.02F/cm2 であり、120連続CVサイクル(16時間)後、キャパシタンスは、1M KOHにおいて0.80F/cm2に減り、この減少は、3.5M H2SO4に おいて0.16F/cm2であった。TiNOフィルムは、アルカリ性溶液中に おいてのみ安定していると思われる。 図7Aにおいて示すXRD結果は、チタンオキシナイトライドの新しい標本( a)と、酸性溶液(図7B)およびアルカリ性溶液(図7C)の双方において1 20CVサイクル後とである。新しい標本のピークと、KOH溶液において12 0CVサイクル後の標本のピークとは、TiOとTiNとの間におけるピーク位 置を示す。3.5M H2SO4において120CVサイクル後の標本は、2つの 形式の二酸化チタン(ルチルおよびアナターゼ)と、チタン金属とを示す。 チタンオキシナイトライドの新しい標本のSEM写真(図8A)と、アルカリ 性溶液において120CVサイクル(16時間)後(図22B)と、酸性溶液に おいて120CVサイクル(16時間)後(図22C)とである。これらの構造 は、新しい標本と、KHOにおいて120CVサイクル後の標本とで同じである 。3.5M H2SO4において120CV後の標本は、まったく異なった構造を 示し、XRD結果、すなわち、 (a)新しい標本(b)KOHにおいてCVサイクル後(C)H2SO4におい てCVサイクル後と一致する。 6充電/放電サイクル後、前記電解質を、誘導結合プラズマ(ICP)分光測 定によって分析する。6M KOHにおけるTiイオン濃度は3ppmであるが 、3.5M H2SO4においては853ppmである。この濃度における極端な 違いは、TiNOフィルムが、アルカリ性溶液において、酸性溶液におけるより もきわめてより安定していることを示す。 チタンオキシナイトライド粘着力および凝集力試験(定性分析) フィルムの粘着力および凝集力を試験する標準はまだない。曲げ試験は、単に 、 前記フィルムを保持し、108度角に曲げ、次に曲げ戻すものである。SEMを 使用し、拡大写真を得る(図9Aおよび9B参照)。割れ目の幅と、割れ目ライ ンの真直度とは、前記フィルムの粘着力および凝集力を近似的に表すことができ る。TiNOは、RuTaOxよりも5倍程度広い割れ目を有することがわかっ た。 結合材料としてのジルコニウムおよびマンガン 15%ないし65%のZrが混合したTiNOの標本を、200℃において2 時間熱分解する。すべての標本が良好な粘着力を示す。比表面積およびキャパシ タンスは、Zr量が増加すると減少し、Zrは活性材料ではないと解釈される。 1.5M TiCl4溶液を使用し、0.5または10%Mnと混合したもの をTi基板に浸漬コーティングする。SEM写真(図24)から、熱分解および 窒化後、Mnは、元の構造を変化させるため、追加したMnが多くなると凝集力 は弱くなる。BET比表面積は、Mn量が0から10%に増えると、55から1 6m2/gに減少する。 窒化反応の信頼性試験 11の標本を、同じ状況下で窒化した。これらの標本を2つのグループ、Ti NOおよびTiNO+1%Mnに分けた。失敗した2つの工程を除き、すべての 試験は、表3に載せたように同様のキャパシタンスを有し、これらのすべては、 XRDパターンによって示されるようにこの反応において完全に窒化された。2 つの失敗した工程を無視すれば、TiNOの平均キャパシタンスは0.56±0 .05F/cm2であり、46±4F/gの比キャパシタンスをもたらす。Ti NO+1%Mnの平均キャパシタンスは0.63±0.05F/cm2であり、 47±4F/gの比キャパシタンスをもたらす。 双方の材料は、8%の相対誤差、すなわち7%の偏差を有する。これらの誤差 は、3つの部分、すなわち、酸化物シートの手動式の浸漬コーティングと、窒化 物反応の異なった工程と、CVグラフによるキャパシタンス計算とから成る。シ ートAおよびB、または、A’およびB’を比較すると、異なった酸化物シート のキャパシタンスは変化することが、表3においてわかる。表3 TiNOおよびTiNO+1%Mnのキャパシタンス 酸化チタンの粘着力を増大させる他の酸化金属の追加 標準的なRuTaOxシステムにおいて、酸化タンタルの追加は、表面積を増 加させる分散剤として作用し、比キャパシタンスを改善し、前記コーティングさ れたシートの表面を滑らかにする。しかし、コストのため、TaCl5は、前記 TiNOシステムにおいて経済的ではなく、MnCl2およびZrCl4のような 代替材料が研究されている。 MnCl2およびZrCl4の前駆物質への混入は、前記コーティング材料の粘 着力を改善し、前記電極の表面を滑らかにした。パラメトリック研究を双方の添 加物において行い、酸化金属が粘着力をさらに改善し、TiO2の比表面積を保 持または増加させる。空気中で200℃において2時間の標準的なコーティング プロセスを使用し、前記電極をコーティングする実験を行った。最適な状態にお ける、いずれかの酸化金属の前記前駆物質への添加によって、前記材料の構造は 、アモルファスのままであった。 1ないし10%MnCl2の1M TiCl4/IPA溶液への添加は、前記コ ーティングの粘着力を改善したが、前記表面積が小さくなった。(図24A、2 4Bおよび24C参照)。より多くのMnCl2を前記溶液に加えたら、前記表面 積がより小さくなった。したがって、制限された量(<5%)のMnCl2のみ を前記システムに加えた。ZrCl4よりもMnCl2を使用する利点は、MnO2 のすべての相がZrO2と異なり導電性であり、その存在がTiNOのキャパシ タンスをより低くできることである。 異なった量のZrCl4を(1M TiCl4/IPA)の前駆溶液に添加し、 粘着力をさらに改善した。加えた量は、15から65%で変化させた。前記粘着 力は、35%までに関してきわめて良好であったが、より多くのZrCl4を含 む電極において、剥離が観察された。前記電極の表面はきわめて滑らかであり、 前記比表面積は、ZrCl4の含有量が増加すると共に、最大値に達するまで増 加し、その後、連続的な減少を開始する。これらの電極を窒化した後、結果とし て生じる材料は、あまり導電性ではなく、したがって、前記前駆溶液に加えるべ きZrCl4の量は、5%を超えるべきではない。 上述した標準的なコーティングプロセスにおいて、環境状態に関する制御はな い。制御された熱分解反応器において、温度、湿度および空気流量レートのよう な状態に関するさらなる制御を使用する。 前記制御された熱分解反応器を使用した場合、いくつかのハロゲン化物をコー ティングしたシートを、同時に乾燥し、焼きなます。予め加熱された乾燥空気は 、前記反応器を通り、温度の一様性および制御を与える。前記反応器の入口およ び出口と、前記反応器区域における異なった場所とにおける、湿度、酸素含有量 、空気流量レートおよび温度を追跡する。これらの変数を制御することによって 、前記コーティング材料の基板に対するより良い粘着力が得られ、前記電極の表 面はより滑らかになる。前記標準的コーティングプロセスを高湿度環境において 用いた場合、前記コーティングされたシートの表面は、粒子ビルドアップのため 、でこぼこになる。このビルドアップは、通常、接点において剥がれ落ち、前記 でこぼこの表面は、パッケージングに関する問題を生じる。 前記反応器を使用し、1M TiCl4/IPA溶液を使用してTiO2フィル ムをTi基板上に15層合成し、200℃において2時間焼きなます。前記反応 器において、このコーティングプロセスは、前記標準的プロセスと異なる。前記 電極が乾燥オーブンから焼きなましオーブンに移動し、したがって、周囲状態に 露出される標準的プロセスと比較して、前記電極は、双方のプロセス中、前記反 応器の内部にとどまる。前記反応器におけるコーティングプロセスは、75℃に おける10分間の乾燥と、温度を200℃まで上昇させることと、10分間保持 することと、75℃程度に冷却することとから成る。 前記コーティング材料の粘着力は、前記反応器におけるほうが前記標準的コー ティングプロセスより大幅によい。しかし、比表面積は、前記処理状態(すなわ ち、コーティングプロセス、温度、湿度および空気流量レート)に関する制御に よって、より小さくなる(25m2/g対36m2/g)。 前記プロセスへの蒸気の追加は、TiO2の比表面積を改善する。1M Ti Cl4/IPAを5ミルTi上に、15層、200℃、2時間焼きなましたもの を使用すると、前記反応器処理状態は以下の通りである。前駆ハロゲン化物溶液 において浸漬し、75℃において10分間乾燥させ、200℃へ温度を上昇させ ることと、45立方フィート/分(CFM)、1ないし30%の相対湿度の蒸気を 10分間加える(各コーティング間のみ)。ハロゲン化物の15層を付加した後、 この生成物を200℃において2時間焼きなます。 200℃において、前記反応器において達成できる最高相対湿度は、1ないし 1.6%の範囲であるが、これは「湿気のある」環境とはみなせず、これらの状 態は、前記電極の比表面積において明白な差を示さない。同じ状態(1M Ti Cl4/IPA;5ミルTi;15層;200℃;2時間焼きなまし)における 3つの異なった方法におけるTiO2プロセスの比表面積は、 標準的コーティングプロセス 36m2/g 反応器w/蒸気なし 25m2/g 反応器w/蒸気 90m2/gである。 蒸気の追加によって、前記比表面積は、蒸気がない場合よりほぼ3倍大きくな るが、装荷は、すべての3つの状態に関して同じである(8mg/cm2程度)。 すべての結果は、異なった状態において再現可能である。 窒化増大レートおよび反応温度 温度プログラム反応は、最大表面積を生じるためにゆっくりと上昇するレート である。異なった上昇レートを研究し、窒化状態を最適化する。キャパシタンス データを表4に載せた。温度が、25℃から700℃に3.5時間より短く上昇 する場合、より遅いレートがより良好な結果を与える。3.5時間より長い上昇 レートは、特別の利点を示さない。 700℃における窒化反応は、TiNO標本において1:1の酸素対窒素比を 生じる。800℃において、窒化反応はより完全になり、N:O比は4:1にな る。前記標本の色は金に近い。キャパシタンスは23F/cm2(BET表面積 26m2/g)であり、700℃における窒化(0.54F/cm2,59m2/ g)と比較してほぼ半分のキャパシタンスおよび半分の表面積である。 表4 上昇レートおよびキャパシタンスの関係 単一試験チューブセルにおけるインピーダンス測定および漏れ電流試験 ACインピーダンス測定をガラス試験チューブにおいて行う。同じ材料の2つ の部分を同じサイズ(2cm2)に切る。これら2つの部分を、前記電解質に浸 したガラスペーパセパレータによって分離する。ACインピーダン等価直列抵抗 (ESC)を図25に示す。高周波数において、アルカリ性媒質中のTiNOフ ィルムは、酸におけるRuTaOxと同じESRを有する。これらの双方は、単 一試験チューブにおいて0.4Ω程度である。 漏れ電流試験を、4cm2程度に切って、試験チューブ内に分離して配置した TiNOの2つの部分に行う。この材料は、1.2Vまでの充電に対して安全で ある。1M KOHにおける1Vへの充電の後、漏れ電流データを図26に示す 。少なくとも4時間が、いわゆる「漏れ電流」を達成するために必要である。E SRは、試験の前および後で同じ値(1.3Ω)である。硫酸における漏れ電流 は、水酸化カルシウムにおける漏れ電流の3倍である。異なった充電電圧の漏れ 電流試験を表5に示す。表5 1M KOHにおける漏れ電流試験 パッケージされた窒化チタンウルトラキャパシタおよび後試験分析 チタンオキシナイトライドウルトラキャパシタの第1の5セルスタックを、1 2.9cm2サイズにおいて、1M KOH電解質と共にパッケージングした。 99mA充電/放電電流を使用して5Vに充電した後、出力エネルギーおよびパ ワーは、各々、0.8Jおよび0.2Wになった。 パッケージングする目的のためのこのTiNO材料は、0.5F/cm2のC Vキャパシタンスを有する。この材料をEDM切断した後、1M KOHおよび DI水において洗浄すると、0.3F/cm2のみのキャパシタンスを有するよ うになる。SEM写真は、その表面上にいくつかの「孔」および「ゴミ」を示す (図27A、27Bおよび27C)を示す。1Vへのウルトラキャパシタンスの 充電キャパシタンスは、1電極当り0.2F/cm2である。 前記第1のTiNO5セルウルトラキャパシタは、数百サイクルを耐える。E SRは200MΩにおいて開始し、数kΩ上昇する。 XRDは、電極シートのいくつかの側面において酸化物パターンを示す。電極 のBET比表面積は、元が43m2/gであり、両面TiNOが46m2/gであ り、片面TiO2および片面TiNOが31m2/gである。SEM写真は、Ti O2ボールクラスタが含まれる場合、TiNO構造が消失することを明白に示し ている。(図14Aおよび14B)。この仮説は、前記装置の充電および放電中に 生じる電気化学反応があるに違いないということである。これを生じさせるなに かは、いくつかのシート間をショートさせると思われる。このとき、シート間に おいて過充電が生じる。 TiNO+2H2O+e-→TiO2+NH3+OH- (4) 12.9cm2に関する第2のパッケージング材料は、前記CV試験から1. 0F/cm2のキャパシタンスを有する。99mAにおける充電および放電電流 による3000サイクルを越えた後、充電効率は、90%以上に保持される。 単一セル装置のRagoneプロットを図15に示す。充電電流は、99mA から800mAまで変化し、これは、35から0.3秒まで変化する放電時間に 対応する。エネルギー密度およびパワー密度は、活性材料重量のみを使用して計 算される。実際的に中性の水成電解質 本願における他の場所で言及されているように、酸化金属、炭化金属、窒化金 属、金属オキシナイトライドまたはこれらの組み合わせと協働する強い酸性水溶 液または強い塩基性水溶液は、これらの水成電解質の存在下で、長期間の安定性 を持たないかもしれない。 本願は、実際的に中性の塩水成電解質を請求する。このように、6ないし8程 度、好適には6.5ないし7.5程度、より好適には6.8ないし7.2程度、 特別には7程度のpH値を有するこれらの電解質を使用する。 前記実際的に中性の水成電解質を生成するのに使用する塩を、アルカリ金属ハ ロゲン化物から選択する。好適な塩は、塩化および臭化カリウムおよびナトリウ ムを含み、より好適な塩は塩化カリウムである。 前記塩の濃度を、通常0.5ないし4.0Mとし、好適には1.0ないし4. 0Mとし、より好適には2.0ないし3.5Mとし、特別には3.0ないし3. 5とする。 前記例において説明したように、電極を含む窒化金属および金属オキシナイト ライドは、これらの実際的に中性の電解質の存在下できわめて有用である。動作 状態下での前記セルの腐食および劣化は、大幅に減少または除去される。実際上 、1M KClを有するTiNO電極は、1セル当たり0ないし16ボルトにお ける5000サイクルを超える充電および放電を行った後でも、依然として良好 に機能する。これは、この形式のセルに関して再現可能に測定された今までの最 高電圧である。 最も驚くべきことは、1M KCl電解質を有するTiNO電極は、1.6V において成功裏に充電および放電されることである。二重層セルを長期間充電す ることができる最高電圧は、通常1.1V程度である。 窒化金属および金属オキシナイトライドは、電気的エネルギーの蓄積を容易に する比較的大きい表面積を有する。前記コーティング(例えば、窒化物および/ またはオキシナイトライド)は、多孔性であり、大部分微小孔(直径<17Å) から成る。大きい0.1−1μm幅の割れ目が、表面上に、深さ方向に前記コー ティングの厚さと同じ位突き出して存在する。しかしながら、前記表面積の99 %より多くがこれらの微小孔から生じる。これらの微小孔の平均直径は、6−1 2Åである。前記微小孔に加えて、35Å程度の直径を有する中孔(直径<17 −1000Å)の狭い分布が形成される。これらの処理された電極コーティング は、前記微小孔構造から生じる表面積の85−95%を有する。孔サイズの分布 は変化するかもしれない。前記コーティングの有効大表面積は、モノリスとして の電極の投影表面積よりも1000ないし10000ないし100000倍大き い。窒化モリブデンおよびチタンオキシナイトライド材料安定性試験 2つのTiNO材料を、ウルトラキャパシタ装置のパッキングに使用した。一 方は0.8F/cm2のキャパシタンスを有し、他方は0.2F/cm2のキャパ シタンスを有する。図30から、充電/放電試験からすべての装置キャパシタン スが、そして、CV試験から材料キャパシタンスが、サイクル中に減衰すること が明らかである。装置は閉じられたシステムであるため、装置試験は、材料CV 試験よりも速い減衰を示した。ガスの発生は少量であっても、装置全体に損傷を 与えるかもしれない。図30に載せたデータは、3000サイクルにおけるキャ パシタンス対、最初の数サイクルである。 TiNO材料は、RuTaOx材料よりも大幅に速く減衰する。ある可能な説 明は、TiNOが小さい層を成している割れ目を有しているだけでなく、前記基 板を突抜ける大きく深い割れ目も有していることである(図31Aおよび31B )。したがって、前記基板腐食が深刻な問題になる。 生成されたチタンオキシナイトライドは、10ないし60m2/g程度、好適 には20ないし56m2/g程度の表面積を有する。 酸化チタンを伴う窒化モリブデン−−特定の環境下で、遷移金属窒化物および 酸化チタンの組み合わせは、窒化物単体よりも30ないし50%良好な粘着力を 有する大表面積層を、金属基板特性に与える。好適には、上述したように、金属 ハロゲン化物およびタンタルハロゲン化物を、1:1程度の原子比においてイソ プロパノール中で混合し、基板上のフィルムとして多数回コーティングし、乾燥 し、焼きなまし、熱分解する。結果として生じる大表面積窒化金属−酸化チタン は、前記基板に対し、30ないし50または100%より良い特性のより強い粘 着力を有する。 要約−−チタンオキシナイトライド(TiNO)は、ウルトラキャパシタエネル ギー貯蔵材料である。活性材料コストは、現在、1キロジュール当たり62セン ト程度である。TiNOのウルトラキャパシタ材料データとしての性能は説明し た。酸化物−オキシナイトライドのコストがより高く、フィルムがより厚く、表 面積がより大きく、キャパシタンスがより大きい。しかし、よりコストが高く、 凝集力がより劣る。粘着力および凝集力特性は、ZrをTiNOに混合すると改 善されるが、Zrは活性材料ではない。 商業的用途 これらの窒化金属または金属オキシナイトライド電極の商業的用途は、米国特 許明細書第5,464,453号において見られる。乾式部品ユニットの組み立て 以下の例を、記述的および説明的としてのみ与える。これらを、いかなるよう にも制限するものとして解釈すべきではない。 一般的: 塩化モリブデンを、Alfa Aesarから得て、さらに浄化することな く使用する。 塩化チタンもAlfa Aesarから得て、さらに浄化することなく使用す る。 塩化鉄(FeCl3)または(FeCl2)もAlfa Aesarから得ら れ、本質的に水がない。 例1 窒化金属 (a) イソプロパノールにおける重量において10%程度のMoCl5の溶 液(またはスラリ)を準備する。チタンの薄いシートに浸漬コーティングし、次 に空気中で70℃において10分間程度乾燥する。次にこの電極を空気または酸 素中で300℃程度において5時間程度加熱し、MoO3およびMoO2を形成す る。前記シートを、数回、コーティング、乾燥および加熱し、所望の厚さのMo O3およびMoO2を得る。任意に、次に前記電極を300℃において3時間焼き なます。この熱分解された電極を周囲温度に冷却し、次に1気圧における流動ア ンモニア雰囲気中で350℃において5時間程度加熱する。Mo2Nをコーティ ングされた電極が得られる。キャパシタを湿式構造、または、例えば、米国特許 明細書第5,464,453号の例1−22に記載のような充填口構造によって 形成し、適切な電解質で満たす場合、有用な高エネルギー長期耐用エネルギー貯 蔵装置が得られる。 (b) 例1(a)を、アンモニアをN2およびH2の混合気と交換することを 除いて繰り返す場合、対応する有用なMo2N電極およびエネルギー貯蔵装置が 得られる。 例2 炭化金属 (a) イソプロパノールにおける重量において10%程度のMoCl5の溶 液(またはスラリ)を準備する。チタンの薄いシートに浸漬コーティングし、次 に空気中で70℃において10分間程度乾燥する。次にこの電極を空気または酸 素中で300℃程度において5時間程度加熱し、MoO3およびMoO2を形成す る。前記シートを、数回、コーティング、乾燥および加熱し、所望の厚さのMo O3およびMoO2を得る。任意に、次に前記電極を300℃において3時間焼き なます。この熱分解された電極を周囲温度に冷却し、次に1気圧における流動一 酸化炭素雰囲気中で350℃において5時間程度加熱する。Mo2Cをコーティ ングされた電極が得られる。キャパシタを、例えば例1に説明したような、湿式 構造、乾式構造または充填口構造によって形成し、適切な電解質で満たす場合、 有用な高エネルギー長期耐用エネルギー貯蔵装置が得られる。例3 窒化モリブデン Mo2N−塩化モリブデンを、米国特許明細書5,464,453号に記載の ように高温HClにおいて予備エッチングされたTiシート上に浸漬コーティン グする。まず、イソプロパノールにおける1M塩化モリブデンのフィルムを、オ ーブンにおいて、150‐400℃程度の温度において5ないし60分程度の間 熱分解することによって、酸化モリブデンに転化する。次に、前記酸化物を3時 間200℃において過熱し、前記塩化物の95%以上を酸化物に転化する。次に 、前記酸化物を、NH3ガスを700℃程度の温度において前記酸化物シート上 に流すことによって窒化物に転化する。この窒化モリブデン材料は、XRD、S EM,EDAXおよびAESによって特徴付けられる。Mo2N材料のウルトラ キャパシタンス特性は、サイクリックボルタンメトリ(CV)と、パッケージセ ル充電−放電サイクルと、KHOおよびH2SO4を使用する漏れ電流測定とによ って評価される。 例4 窒化モリブデン (酸化チタンを含む) 塩化モリブデンおよび塩化タンタルTaCl5(1:1原子比)をイソプロパ ノール中で化合させる。次に、例1の手順を繰り返す。形成されたMo2N/T aOx層は、タンタル無しよりも良好な粘着力特性を有する(少なくとも30% 以上)。この大表面積層も、改善された蓄電特性を有し、例えば、電圧窓は1. 1ボルトに拡大する。 例5 窒化チタン (a) イソプロパノール中の塩化チタン(1M)を準備する。チタン箔(平 面シート)基板を前記塩化チタン溶液に浸漬し、コーティングする。このコーテ ィングされた箔を、オーブン内において、200℃の空気中に10分間置き、前 記塩化物を酸化物に転化する。前記塩化チタンをコーティングされた箔を前記オ ーブンから取りだし、20℃に冷却する。このコーティングおよび加熱を、前記 箔上に所望のレベルのコーティングができるまで、15回繰り返す。次に、前記 フィルムを2時間200℃において後加熱し、前記塩化物の95%以上を酸化物 に転化する。次に、前記酸化チタンを800℃の流動アンモニア(10−201 /秒)に4時間接触させる。この窒化チタンフィルムは、前記チタンシートに良 く粘着する。この品は、電解質と共に試験する準備ができており、および/また は、米国特許明細書5,464,453号に記載の二重層キャパシタにおける電 極として使用する準備ができている。 (b) 例5(a)を、窒素ガス(1−51/分)を前記アンモニアと800 ℃を超える温度において4時間化合させることを除いて繰り返す。結果として生 じる窒化金属は、同様の特性を有する。 例6 窒化鉄 チタン基板箔を、イソプロパノールの0.7M塩化第1鉄‐塩化第2鉄(Fe Cl2+FeCl3)溶液でコーティングする。このシートに15回浸漬コーティ ングし、反応器内で75℃において10分間乾燥し、次に200℃において10 分間熱分解する。 次に、前記コーティングされた基板を500℃まで加熱する。前記基板を、5 00℃の(流動)アンモニアガス(10−20L/分)に4時間接触させる。x を2、3、4として、生成されたFexNフィルムは、XRDによって決定され る。このFexNコーティングは、前記基板に対して良好な粘着性を有する。1 M KOHによる電極配置において、30F/gの比キャパシタンスを有する。 例7 モリブデンオキシナイトライド (a) Mo2N−塩化モリブデンを、米国特許明細書5,464,453号 に記載のように高温HClにおいて予備エッチングされたTiシート上に浸漬コ ーティングする。まず、イソプロパノールにおける1M(5)塩化モリブデンの フィルムを、オーブンにおいて、150‐400℃程度の温度において5ないし 60分程度の間熱分解することによって、酸化モリブデンに転化する。次に、前 記酸化物を3時間200℃において過熱し、前記塩化物の95%以上を酸化物に 転化する。次に、前記酸化物を、NH3ガスを700℃程度の温度において前記 酸化物シート上に流すことによってオキシナイトライドに転化する。このモリブ デンオキシナイトライド材料は、XRD、SEM、EDAXおよびAESによっ て特徴付けられる。Mo2NO材料のウルトラキャパシタンス特性は、サイクリ ックボルタンメトリ(CV)と、パッケージセル充電−放電サイクルと、KHO およびH2SO4を使用する漏れ電流測定とによって評価される。 (b) 同様に、例7(a)を、前記塩化モリブデンを化学量論的に等しい量 の塩化ニオブと交換することを除いて繰り返し、対応する量のニオブオキシナイ トライドを得る。 (c) 同様に、例7(a)を、前記塩化モリブデンを化学量論的に等しい量 の塩化バナジウムと交換することを除いて繰り返し、対応する量のバナジウムオ キシナイトライドを得る。 (d) 同様に、例7(a)を、前記塩化モリブデンを化学量論的に等しい量 の塩化タンタルと交換することを除いて繰り返し、対応する量のタンタルオキシ ナイトライドを得る。 (e) 同様に、例7(a)を、前記塩化モリブデンを化学量論的に等しい量 の塩化チタンと交換することを除いて繰り返し、対応する量のチタンオキシナイ トライドを得る。 (f) 同様に、例7(a)を、前記塩化モリブデンを化学量論的に等しい量 の塩化ジルコニウムと交換することを除いて繰り返し、対応する量のジルコニウ ムオキシナイトライドを得る。 例8 チタンオキシナイトライド (a) イソプロパノール中の塩化チタン(1M)を準備する。チタン箔(平 面シート)基板を前記塩化チタン溶液に浸漬し、コーティングする。このコーテ ィングされた箔を、オーブン内において、200℃の空気中に10分間置き、前 記塩化物を酸化物に転化する。前記塩化チタンをコーティングされた箔を前記オ ーブンから取りだし、20℃に冷却する。このコーティングおよび加熱を、前記 箔上に所望のレベルのコーティングができるまで、15回繰り返す。次に、前記 フィルムを2時間200℃において後加熱し、前記塩化物の95%以上を酸化物 に転化する。次に、前記酸化チタンを700℃の流動アンモニア(10−201 /秒)に4時間接触させる。このチタンオキシナイトライドフィルムは、前記チ タンシートに良く粘着する。この品は、電解質と共に試験する準備ができており 、および/または、米国特許明細書5,464,453号に記載の二重層キャパ シタにおける電極として使用する準備ができている。 (b) 同様に、例8(a)を、前記5塩化チタンを化学量論的に等しい量の 塩化ニオブと交換することを除いて繰り返し、対応する量のニオブオキシナイト ライドを得る。 (c) 同様に、例8(a)を、前記5塩化チタンを化学量論的に等しい量の 塩化モリブデンと交換することを除いて繰り返し、対応する量のモリブデンオキ シナイトライドを得る。 (d) 同様に、例8(a)を、前記5塩化チタンを化学量論的に等しい量の 塩化バナジウムと交換することを除いて繰り返し、対応する量のバナジウムオキ シナイトライドを得る。 (e) 同様に、例8(a)を、前記5塩化チタンを化学量論的に等しい量の 塩化タンタルと交換することを除いて繰り返し、対応する量のタンタルオキシナ イトライドを得る。 (f) 同様に、例8(a)を、前記5塩化チタンを化学量論的に等しい量の 塩化ジルコニウムと交換することを除いて繰り返し、対応する量のジルコニウム オキシナイトライドを得る。 (g) 例8(a)を、窒素ガス(1−51/分)を前記アンモニアと700 ℃を超える温度において4時間化合させることを除いて繰り返す。結果として生 じる金属オキシナイトライドは、同様の特性を有する。 例9 中性電解質LiClの使用 (CVキャパシタンス0.39F/cm2,50F/g) 2つの試験チューブ単一セルを試験し、中性電解質とアルカリ性電解質の性能 を比較する。チタンオキシナイトライド層を、例8において記載のように、0. 05mmの厚さに製造する。すべての電極を、2cm2サイズに切断する。図1 8および図19を比較すると、LiCl中性電解質中のTiNOは、KOHアル カリ性電解質中よりも小さいキャパシタンスと、より高い抵抗値とを有する。図 18および19に示すのと異なる試験方法を使用しても大きな違いはない。図2 0は、LiCl電解質中のTiNOが、KOH電解質中よりも少ない漏れ電流を 有することを示す。 1Vへの10サイクルの充電後の、キャパシタンス、エネルギーおよび効率デ ータを表6に示す。これらのデータは、ACインピーダンスデータと一致する。 例10 水酸化物電解質および塩化物電解質の比較 (CVキャパシタンス0.25F/cm2,39F/g) 6個の試験チューブ単一セルを試験し、異なった電解質における電極性能を比 較する。TiNO層を、例8にしたがって、0.05mmの厚さに製造する。す べての電極を、2cm2サイズに切断する。図4は,TiNOウルトラキャパシ タが、キャパシタンスがアルカリ性電解質中で低減するため、中性電解質(塩水 溶液)中で5000充電/放電サイクルを通じてきわめて安定していることを示 す。アルカリ性電解質の濃度が高くなると、腐食によって前記キャパシタンスの 劣化が生じるのが早くなる。 前記中性電解質におけるキャパシタンスおよびエネルギーは、図21および2 2に示すように、アルカリ性電解質とくらべて低い。前記ACインピーダンスデ ータは、図23において同じ状況を示す。漏れ電流を異なった装置を使用して試 験し、図24におけるこれらのデータを参考として使用することができるが、比 較としては信用できない。 ESRデータを図25に示す。中性電解質のESRは、アルカリ性電解質と比 較した場合、より高い。中性電解質において、ESRは一連の試験後に低下した 。これら一連の試験は、ACインピーダンス試験と、18時間漏れ電流試験と、 5000充電/放電サイクル試験とを含む。これらの試験後、1M KOHにお いて、ESRは少し増加し、6M KOHにおいて大きく増加した。中性電解質 におけるTiNOは、きわめて長い耐用期間を有する。 図26および27は、異なった電解質のセルにおけるキャパシタンスおよびエ ネルギーの、最初の10の充電/放電サイクルを比較する。中性電解質を有する セルの効率は、アルカリ性電解質を有するセルの効率よりも高い。特に、エネル ギー効率は、図28において大きな差を示す。 TiNOのような大表面積低コスト材料は、ウルトラキャパシタ電極材料とし てきわめて有用である。いくつかのTiNO装置(サイズ12.9cm2)が製 造されており、これらのウルトラキャパシタ性能に関して研究されている。中性 電解質中のTiNO電極材料は、きわめて安定しており、1セルあたり1.6V まで成功裏に充電される。したがって、TiNOウルトラキャパシタの塩寝るぎ ー密度は、RuTaOxウルトラキャパシタのエネルギー密度に匹敵する。例11 TiNO電極 TiNO電極の2つの装置(No.1、2)を、例8に従って単一セル装置と して製作した。セルロースシートをセパレータとして使用し、このシートは4. 7ミルの厚さを有し、ガラス紙は2.3ミルの厚さしか持たない。装置1および 2を、1M KOHおよび1M KCl電解質で各々満たす。図28は、ACイ ンピーダンス周波数応答データを示す。装置No.1は、電気的性能を示さない 。漏れ電流試験後、ESRは32オームに上昇した。装置No.2において、放 電キャパシタンスおよびエネルギーは、各々、0.6Fおよび0.2Jである。 クーロン効率、エネルギー効率、ESR、出力キャパシタンスおよびエネルギー は、10000サイクルを通じて一定に保持される。初期および最終ESRは、 93 および98ミリオームである。装置No.4は、6M KOHを電解質として使 用する単一セル装置である。ESRは180ミリオームである。あいにく、この 装置は、0.5Vに充電することができない。 例12 TiNO電極と、水酸化物および塩化物電解質 電解質として6M KOH、1M KOH、1M KClを有する装置5、6 、7を、各々製作した。充電/放電サイクル試験によるこれらのキャパシタンス は、各々、1電極あたり1平方センチメートルあたり0.34、0.20、0. 10である。これらのACインピーダンス曲線を図29に示す。装置5は、最も 大きいキャパシタンスと、最も低いESRを有するが、最も短いサイクル寿命を 有する。装置7は、最も小さいキャパシタンスを有するが、最も長いサイクル寿 命を有する。図30における漏れ電流曲線は、最も小さいキャパシタンスと最も 少ない漏れ電流が予想されたように得られることを示す。 装置5および6は、1000より少ない充電/放電サイクルに耐えた。これら の装置のキャパシタンスは、ESRが上昇すると減少した。 装置7は、10000を超える充電/放電サイクルを、図7に載せたように4 .5Vへの充電後に何の劣化もなくしのいだ。表7 装置7の充電/放電データ 図30において示すCV曲線から、TiNO電極材料は、1.0Vより大きい 電圧窓を示す。0.20V近くまで充電することができる。 装置7を使用し、最大装置電圧窓を試験した。これらのデータを表8に載せる 。比較として、きわめて良好なデータを有するRuTaOxキャパシタ装置も含 める。表8 装置7最高電圧 推定データ 図31および32は、5.0Vから9.0Vまでの(1セルあたり1.0Vか ら1セルあたり1.8Vまでの)装置7に関する1000充電/放電サイクルの 、個々の充電曲線およびエネルギー曲線である。これらの曲線および表8を評価 すると、電解質として1.0M KClを使用するTiNO装置を、1セルあた り1.6Vまで安全に充電することができる。 例13 5セル−−3つのTiNOパッケージ化装置を、表9に示す。図33は、これ ら3つの装置に関するACインピーダンスデータを示す。図34は、18時間漏 れ電流データを示す。図35は、これら3つの装置の、5Vにおいて5000サ イクル中の放電エネルギーおよびキャパシタンスである。中性電解質を使用する すべての装置は、前記サイクル中、きわめて安定している。もちろん、装置8− 4は、低周波数において最高の電気的性能を示す。 Ω=オーム これら3つの装置を、各々の電圧において、5000サイクルの間、1セルあ たり1Vを超えて充電および放電した。これらの中で、装置8−4が最高の性能 を示す。前記キャパシタンスデータの単位は、1電極あたり平方センチメートル あたりのファラッドである。追加の特性を、表10、11および12に示す。 表10 5000サイクルにおける装置8−2の放電データ 表11 装置No.8−3の5000サイクルにおける放電データ 表12 装置No.8−4の5000サイクルにおける放電データ 例14 蓄積装置No.10−3および10−4は、電解質として1M LiClを使 用し、一重ガスケットおよび二重ガスケットを各々有する。ACインピーダンス 曲線を図36に示す。これら2つの装置のESRは、異なったガスケットのため 、各々0.27および1.08オームである。前記二重ガスケット装置は、より 高い性能を有し、そのESRもまたより高い。60分漏れ電流曲線を図37に示 す。 Maccor試験装置は、最高10Vまでしか充電することができない。これ らの装置を、1セルあたり1Vより高く充電することはできない。単一チャネル 試験装置を使用し、充電および放電装置サイクル試験を行う。効率はあまり正確 ではないが、参考として使用することができる。この試験データを表13および 14に載せる。17Vにおけるサイクル試験後、装置10−3および10−4の ESRは、0.39および1.44Ωに上昇した。これは、前記キャパシタを、 中性電解質において1セルあたり1.6Vより高く充電することはきない証拠も 与える。 表13 装置No.10−3の1000サイクルにおける放電データ 表14 装置No.10−4の1000サイクルにおける放電データ 例15 中性電解質としてのその用途に従う塩化カリウムの物理的特性 水への溶解度−− 周囲温度におけるKClの水への溶解度を決定した。KC lの溶解を、1.0Mにおいて開始し、0.5Mの増分において上げていく準備 をする。溶解度の限界には、4.5Mにおいて達し、KClは、周囲温度への冷 却に応じて溶液から沈殿する。 凝固点−− KCl溶液のモル濃度の関数としての凝固点を決定した。少量の 水溶液を毛細管中に吸い込み、一方の端を密封する。前記毛細管をロッド熱電対 に搭載し、前記毛細管中の溶液に近い温度を測定する。この組み立て部品を、か き混ぜたIPAイソプロピルアルコール(IPA)溶液中に吊るす。液体窒素を 前記IPAに加え、前記溶液の温度をより低くする。凝固は、突然で、急激で、 容易に認識される。前記KCl溶液が凝固する溶液温度を記録し、各モル濃度の 溶液に関してほぼ十回繰り返す。 測定すべき第3の物理的特性は、上記溶液の導電率である。図36を参照され たい。 このデータは、中性電解質として塩化カリウムの最適な濃度は、3.0Mであ り、または、より低い凝固点およびより高い導電率の双方の見地から、3.0M および3.5M間にある。 本発明の少数の実施形態のみを示し、説明したが、電極をコーティングする窒 化金属または金属オキシナイトライドを与える、および/または、KClのよう な水成アルカリ金属ハロゲン化物を、改善された耐用期間および充電/放電特性 と、少ない漏れ電流とを有する、バッテリまたはキャパシタのような蓄電装置に おいて使用する電解質として使用する、改善された方法と、前記装置とにおいて 、本発明の精神および範囲から逸脱することなしに、種々の変形および変更を行 うことができることは、当業者には明らかになるであろう。添付した請求の範囲 内であるこれらのような変形および変更のすべては、有効であるとする。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L U,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF ,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE, SN,TD,TG),AP(GH,KE,LS,MW,S D,SZ,UG,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG ,KZ,MD,RU,TJ,TM),AL,AM,AT ,AU,BB,BG,BR,CA,CH,CN,CU, CZ,DE,DK,EE,ES,FI,GB,GE,H U,IL,IS,JP,KE,KP,KR,LC,LK ,LR,LT,LU,LV,MD,MG,MK,MN, MX,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,SD,S E,SG,SI,SK,TR,UA,US,VN (72)発明者 ツァイ ケー−チー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95070 サラトガ ピクナル コート 19358 (72)発明者 ガントス ダニア アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95128 サン ノゼ ヤードウッド コー ト 1109

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.キャパシタまたはバッテリ形態における電気的エネルギー貯蔵構成要素とし て使用する、大表面積の窒化鉄、窒化チタンまたは窒化ガンマモリブデンをコー ティングした基板を製造するプロセスにおいて、 (a)薄いシートの形態における固体基板の平坦なエッチングされた表面の一 方または双方を、鉄ハロゲン化物、チタンハロゲン化物またはモリブデンハロゲ ン化物から選択した金属ハロゲン化物のスラリまたは溶液と、液体揮発性担体と によってコーティングし、薄い表面フィルムを形成する工程と、 (b)工程(a)の金属ハロゲン化物表面フィルムおよび担体でコーティング された基板を、酸素、空気またはこれらの混合物に、150ないし400℃程度 の温度において、5ないし60分間程度接触させ、前記鉄ハロゲン化物、チタン ハロゲン化物またはモリブデンハロゲン化物を、各々、薄いフィルムとして酸化 物に変換し、前記液体揮発性担体を除去する工程と、 (c)工程(a)および(b)を必要なだけ繰り返し、前記基板上に,大表面 積を有し、前記揮発性担体が除去された堆積された厚さの酸化金属被膜が得られ るまで、前記工程(a)および(b)を必要なだけ繰り返す工程と、 (d)工程(c)の酸化金属フィルムをコーティングされた基板を、酸素、空 気またはこれらの混合物中において、150ないし400℃程度の温度において 、1ないし3時間程度の間加熱し、前記塩化金属の少なくとも95%を酸化金属 に変換する工程と、 (e)前記酸化金属をコーティングされた基板の温度を、1分当たり40℃程 度以下の速度で、窒素雰囲気中で、500ないし800℃程度までゆっくりと上 昇させる工程と、 (f)工程(d)において製造された酸化物をコーティングされた基板を、過 流ガス状アンモニア、または、水素ガスおよび窒素ガスの混合物から選択された 窒素源に、500ないし800℃程度の温度において、1ないし6時間程度の間 、接触させ、前記酸化物コーティングの95%程度以上を、前記基板上の、大表 面積を有し、導電性の、窒化鉄、窒化チタンまたは窒化ガンマモリブデン層に各 々 変換する工程と、 (g)周囲温度まで冷却し、工程(e)において製造された大表面積の窒化物 をコーティングされた基板を再生する工程とを具えることを特徴とするプロセス 。 2.請求の範囲1に記載のプロセスにおいて、前記金属ハロゲン化物を、塩化物 または臭化物から選択したことを特徴とするプロセス。 3.請求の範囲2に記載のプロセスにおいて、工程(a)において、前記塩化金 属を塩化モリブデンとし、工程(f)の窒化ガンマモリブデンは、16m2/g を超える表面積を有することを特徴とするプロセス。 4.請求の範囲1に記載のプロセスにおいて、工程(a)における前記基板を、 鉄、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅、ジルコニウム、ニッケル、または これらの組み合わせから選択したことを特徴とするプロセス。 5.請求の範囲1に記載のプロセスにおいて、工程(b)において、前記コーテ ィングを、浸漬コーティングまたは漂遊コーティングによって行うことを特徴と するプロセス。 6.請求の範囲1に記載のプロセスにおいて、前記液体揮発性担体を、エタノー ル、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノ ール、ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメチルアセトア ミド、ジエチルアセトアミド、アセトン、メチルエチルケトン、ブタノン、エチ ルアセテート、プロピルアセテート、メチレン、クロライド、クロロフォルム、 カーボンテトラクロライド、ベンゼン、トルエン、キシレン、またはこれらの混 合物から選択したことを特徴とするプロセス。 7.請求の範囲6に記載のプロセスにおいて、前記液体揮発性担体を、エタノー ル、プロパノール、ブタノール、ペンタノールまたはヘキサノールから選択した ことを特徴とするプロセス。 8.請求の範囲1に記載のプロセスにおいて、 工程(a)において、前記金属ハロゲン化物を塩化モリブデンとし、前記基板 を、チタン、モリブデン、鉄、アルミニウム、銅、またはこれらの組み合わせか ら選択し、前記液体揮発性担体をイソプロパノールとし、 工程(f)において、前記窒素源を流動アンモニアとし、前記温度を500な いし800℃程度とし、1ないし6時間程度とし、窒化ガンマモリブデンを生成 することを特徴とするプロセス。 9.請求の範囲8に記載のプロセスにおいて、前記表面積を10ないし60m2 /g程度とし、工程(e)および(f)における前記温度を700℃程度とした ことを特徴とするプロセス。 10.請求の範囲6に記載のプロセスにおいて、前記担体をC2−C6アルコール とし、水が少なくとも1重量パーセント存在することを特徴とするプロセス。 11.請求の範囲1に記載のプロセスにおいて、 工程(a)において、前記金属ハロゲン化物を塩化チタンとし、工程(f)に おいて、窒化チタンを形成することを特徴とするプロセス。 12.請求の範囲11に記載のプロセスにおいて、 工程(a)において、前記液体揮発性担体をイソプロパノールとし、 工程(b)において、前記温度を150ないし300℃程度とし、前記時間を 5ないし30分程度とし、 工程(c)において、工程を繰り返す回数を10ないし20とし、 工程(d)において、前記温度を150ないし300℃程度とし、前記時間を 2ないし3時間程度とし、 工程(e)において、前記過熱の速度を1分あたり40℃程度で800℃まで とし、 工程(f)において、水素を含む流動ガス状アンモニアを800℃程度におい て3ないし5時間程度使用することを特徴とするプロセス。 13.請求の範囲12に記載のプロセスにおいて、ステップ(a)における前記 基板を、鉄、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅、ジルコニウム、ニッケル 、またはこれらの組み合わせから選択したことを特徴とするプロセス。 14.請求の範囲11に記載のプロセスにおいて、前記液体揮発性担体を、アル コールまたはアルコールの混合物としたことを特徴とするプロセス。 15.請求の範囲1に記載のプロセスにおいて、 工程(a)において、前記金属ハロゲン化物を塩化鉄とし、工程(f)におい て、窒化鉄を形成することを特徴とするプロセス。 16.請求の範囲11に記載のプロセスにおいて、 工程(a)において、前記液体揮発性担体をイソプロパノールとし、 工程(b)において、前記温度を150ないし300℃程度とし、前記時間を 5ないし30分程度とし、 工程(c)において、工程を繰り返す回数を10ないし20とし、 工程(d)において、前記温度を150ないし400℃程度とし、前記時間を 2ないし3時間程度とし、 工程(e)において、前記過熱の速度を1分あたり40℃程度で500℃まで とし、 工程(f)において、流動ガス状アンモニアを500℃程度において3ないし 5時間程度使用することを特徴とするプロセス。 17.請求の範囲15に記載のプロセスにおいて、工程(a)における前記基板 を、鉄、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅、またはこれらの組み合わせか ら選択したことを特徴とするプロセス。 18.請求の範囲8に記載のプロセスによって製造された、導電性の窒化モリブ デンをコーティングされた電極。 19.請求の範囲11に記載のプロセスによって製造された、導電性の窒化チタ ンをコーティングされた電極。 20.請求の範囲15に記載のプロセスによって製造された、導電性の窒化鉄を コーティングされた電極。 21.窒化モリブデン、窒化チタンまたは窒化鉄から選択された窒化金属の薄い 層でコーティングされた金属シートの間隔をあけた電極を有する蓄電装置。 22.キャパシタまたはバッテリ形態における電気的エネルギー貯蔵構成要素と して使用する、大表面積のニオブオキシナイトライド、タンタルオキシナイトラ イド、バナジウムオキシナイトライド、ジルコニウムオキシナイトライド、チタ ンオキシナイトライドまたはモリブデンオキシナイトライドをコーティングした 基板を製造するプロセスにおいて、 (a)薄いシートの形態における固体基板の平坦なエッチングされた表面の一 方または双方を、ニオブハロゲン化物、タンタルハロゲン化物、バナジウムハロ ゲン化物、ジルコニウムハロゲン化物、チタンハロゲン化物またはモリブデンハ ロゲン化物から選択した金属ハロゲン化物のスラリまたは溶液と、液体揮発性担 体とによってコーティングし、薄い表面フィルムを形成する工程と、 (b)工程(a)の金属ハロゲン化物表面フィルムおよび担体でコーティング された基板を、酸素、空気またはこれらの混合物に、150ないし250℃程度 の温度において、5ないし60分間程度接触させ、前記金属ハロゲン化物を、各 々、薄いフィルムとして酸化物に変換し、前記液体揮発性担体を除去する工程と 、 (c)工程(a)および(b)を必要なだけ繰り返し、前記基板上に,大表面 積を有し、前記液体揮発性担体が除去された堆積された厚さの酸化金属被膜が得 られるまで、前記工程(a)および(b)を必要なだけ繰り返す工程と、 (d)工程(c)の酸化金属フィルムをコーティングされた基板を、酸素、空 気またはこれらの混合物中において、150ないし400℃程度の温度において 、1ないし3時間程度の間加熱し、前記塩化金属の少なくとも95%を酸化金属 に変換する工程と、 (e)前記酸化金属をコーティングされた基板の温度を、1分当たり40℃程 度以下の速度で、窒素雰囲気中で、500ないし800℃程度までゆっくりと上 昇させる工程と、 (f)工程(e)において製造された酸化物をコーティングされた基板を、過 流ガス状アンモニア、アンモニアガスおよび水素ガスの混合物、または、水素ガ スおよび窒素ガスの混合物から選択された窒素源に、500ないし800℃程度 の温度において、1ないし6時間程度の間、接触させ、前記酸化物コーティング の95%程度以上を、前記基板上の、大表面積を有し、導電性の、ニオブオキシ ナイトライド、タンタルオキシナイトライド、バナジウムオキシナイトライド、 ジルコニウムオキシナイトライド、チタンオキシナイトライドまたはモリブデン オキシナイトライド層に各々変換する工程と、 (g)周囲温度まで冷却し、工程(f)において製造された大表面積の金属オ キシナイトライドをコーティングされた基板を再生する工程とを具えることを特 徴とするプロセス。 23.請求の範囲22に記載のプロセスにおいて、前記金属ハロゲン化物を、塩 化物または臭化物から選択したことを特徴とするプロセス。 24.請求の範囲23に記載のプロセスにおいて、工程(a)において、前記塩 化金属を塩化モリブデンとし、モリブデンオキシナイトライドフィルムとしたこ とを特徴とするプロセス。 25.請求の範囲22に記載のプロセスにおいて、工程(a)における前記基板 を、鉄、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅、ジルコニウム、ニッケル、ま たはこれらの組み合わせから選択したことを特徴とするプロセス。 26.請求の範囲22に記載のプロセスにおいて、工程(b)において、前記コ ーティングを、浸漬コーティングまたはスプレーコーティングによって行うこと を特徴とするプロセス。 27.請求の範囲22に記載のプロセスにおいて、前記液体揮発性担体を、エタ ノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキ サノール、ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメチルアセ トアミド、ジエチルアセトアミド、アセトン、メチルエチルケトン、ブタノン、 エチルアセテート、プロピルアセテート、メチレン、クロライド、クロロフォル ム、カーボンテトラクロライド、ベンゼン、トルエン、キシレン、またはこれら の混合物から選択したことを特徴とするプロセス。 28.請求の範囲27に記載のプロセスにおいて、前記液体揮発性担体を、エタ ノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノールまたはヘキサノールから選択 したことを特徴とするプロセス。 29.請求の範囲22に記載のプロセスにおいて、 工程(a)において、前記金属ハロゲン化物を塩化モリブデンとし、前記基板 を、チタン、モリブデン、鉄、アルミニウム、銅、またはこれらの組み合わせか ら選択し、前記液体揮発性担体をイソプロパノールとし、 工程(f)において、前記窒素源を流動アンモニアとし、前記温度を500な いし800℃程度とし、1ないし6時間程度とし、前記酸化モリブデンの95% ないし100%程度をモリブデンオキシナイトライドに変換することを特徴とす るプロセス。 30.請求の範囲29に記載のプロセスにおいて、前記表面積を10ないし60 m2/g程度とし、工程(e)および(f)における前記温度を700℃程度と したことを特徴とするプロセス。 31.請求の範囲27に記載のプロセスにおいて、前記担体をC2−C6アルコー ルとし、水が少なくとも1重量パーセント存在することを特徴とするプロセス。 32.請求の範囲22に記載のプロセスにおいて、 工程(a)において、前記金属ハロゲン化物を塩化チタンとし、工程(f)に おいて、チタンオキシナイトライドを形成することを特徴とするプロセス。 33.請求の範囲32に記載のプロセスにおいて、 工程(a)において、前記液体揮発性担体をイソプロパノールとし、 工程(b)において、前記温度を150ないし300℃程度とし、前記時間を 5ないし30分程度とし、 工程(c)において、工程を繰り返す回数を10ないし40とし、 工程(d)において、前記温度を150ないし300℃程度とし、前記時間を 2ないし3時間程度とし、 工程(e)において、前記過熱の速度を1分あたり40℃程度で700℃まで とし、 工程(f)において、水素を含む流動ガス状アンモニアを700℃程度におい て3ないし5時間程度使用することを特徴とするプロセス。 34.請求の範囲33に記載のプロセスにおいて、ステップ(a)における前記 基板を、鉄、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅、ジルコニウム、ニッケル 、またはこれらの組み合わせから選択したことを特徴とするプロセス。 35.請求の範囲32に記載のプロセスにおいて、前記液体揮発性担体を、アル コールまたはアルコールの混合物としたことを特徴とするプロセス。 36.請求の範囲22に記載のプロセスにおいて、 工程(f)において、50ないし100m2/g程度のBET比表面積を有す るチタンオキシナイトライドを形成することを特徴とするプロセス。 37.請求の範囲22に記載のプロセスにおいて、 工程(a)において、前記液体揮発性担体をイソプロパノールとし、前記金属 ハロゲン化物を、塩化ニオブ、塩化タンタル、塩化バナジウムまたは塩化ジルコ ニウムから選択し、 工程(b)において、前記温度を150ないし300℃程度とし、前記時間を 5ないし30分程度とし、 工程(c)において、工程を繰り返す回数を10ないし40とし、 工程(d)において、前記温度を150ないし400℃程度とし、前記時間を 2ないし3時間程度とし、 工程(e)において、前記過熱の速度を1分あたり40℃程度で800℃まで とし、 工程(f)において、流動ガス状アンモニアを800℃程度において3ないし 5時間程度使用することを特徴とするプロセス。 38.請求の範囲36に記載のプロセスにおいて、工程(a)における前記基板 を、鉄、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅、またはこれらの組み合わせか ら選択したことを特徴とするプロセス。 39.請求の範囲29に記載のプロセスによって製造された、導電性のモリブデ ンオキシナイトライドをコーティングされた電極。 40.請求の範囲32に記載のプロセスによって製造された、導電性のチタンオ キシナイトライドをコーティングされた電極。 41.請求の範囲24に記載のプロセスによって製造された、導電性のチタンオ キシナイトライドをコーティングされた電極。 42.モリブデンオキシナイトライドまたはチタンオキシナイトライドから選択 された金属オキシナイトライドの薄い層でコーティングされた金属シートの間隔 をあけた電極を有する蓄電装置。 43.電気的エネルギー貯蔵装置における構成要素として使用する電極において 、 一方または双方の平坦な側面を大表面積金属オキシナイトライドでコーティン グされた導電性金属箔基板を具えることを特徴とする電極。 44.一方または双方の平坦な側面上に導電性基板およびフィルム層を具える大 比表面積電極において、前記フィルムが、周期表III,IV、V、VIまたはVII族の 金属のオキシナイトライドから成ることを特徴とする電極。 45.請求の範囲44に記載の電極において、前記基板を、鉄、チタン、モリブ デン、アルミニウム、銅、ジルコニウム、ニッケル、またはこれらの組み合わせ から選択し、 前記オキシナイトライドの金属を、ニオブ、チタン、タンタル、バナジウム、 ジルコニウム、またはこれらの組み合わせから選択したことを特徴とする電極。 46.大表面積の窒化金属または金属オキシナイトライドの粘着力および凝集力 を改善するプロセスにおいて、前記金属を、周期表III、IV、V、VIまたはVII族 の金属から独立して選択し、該プロセスが、 上昇した温度における乾燥、焼きなましまたは熱分解の前に、塩化タンタルま たは酸化タンタルを、前記窒化金属または金属オキシナイトライドに加え、生成 物中に酸化タンタルを生じさせる工程を具えることを特徴とするプロセス。 47.二重層バッテリまたはキャパシタ装置において、 (a)導電性支持体にコーティングされた、酸化金属、炭化金属、窒化金属、 金属オキシナイトライドまたはこれらの組み合わせの、大表面積粘着性コーティ ングと、 (b)導電性支持体にコーティングされた、酸化金属、炭化金属、窒化金属、 金属オキシナイトライドまたはこれらの組み合わせの、反対側大表面積粘着性コ ーティングと、 (c)(a)および(b)間に形成された空間内に、アルカリ金属ハロゲン化 物の実際的に中性の水溶液とを有する、少なくとも1つのセルを具えることを特 徴とする二重層バッテリまたはキャパシタ装置。 48.請求の範囲47に記載の二重層バッテリまたはキャパシタ装置において、 (a)および(b)において、前記コーティングを、窒化金属、金属オキシナ イトライド、またはこれらの組み合わせから成るグループから選択したことを特 徴とする二重層バッテリまたはキャパシタ装置。 49.請求の範囲47に記載の二重層バッテリまたはキャパシタ装置において、 (c) 前記アルカリ金属ハロゲン化物を、NaCl、KCl、NaBrおよ びKBrから成るグループから選択したことを特徴とする二重層バッテリまたは キャパシタ装置。 50.請求の範囲47に記載の二重層バッテリまたはキャパシタ装置において、 前記アルカリ金属ハロゲン化物が、0.5ないし4.5Mにおいて存在するよう にしたことを特徴とする二重層バッテリまたはキャパシタ装置。 51.請求の範囲47に記載のキャパシタ装置において、 (a)および(b)において、前記コーティングを、大表面積の、窒化金属、 金属オキシナイトライド、またはこれらの組み合わせから選択し、 (c)において、前記アルカリ金属ハロゲン化物を、1.0ないし4.0M程 度において存在するKClとしたことを特徴とするキャパシタ装置。 52.請求の範囲51に記載のキャパシタ装置において、 (a)および(b)において、前記窒化物、オキシナイトライド、またはこれ らの組み合わせの金属部分を、鉄、チタン、モリブデン、ニオブ、タンタル、バ ナジウム、ジルコニウム、またはこれらの組み合わせから選択したことを特徴と するキャパシタ装置。 53.請求の範囲52に記載のキャパシタ装置において、 (a)および(b)において、 前記金属をチタンとしたことを特徴とするキャパシタ装置。 54.請求の範囲53に記載の二重層キャパシタにおいて、該キャパシタが、1 .6V程度まで充電され、0および1.6V間の充電および放電の5000を超 えるサイクルに対して安定していることを特徴とする二重層キャパシタ。
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