JP3648184B2 - 放電ランプアークチューブおよび同アークチューブの製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電極が対設され発光物質等が封入された密閉ガラス球をもつ放電ランプアークチューブおよび同アークチューブの製造方法に係わり、特に、電極棒とモリブデン箔とリード線を直列に接続一体化した電極アッシーを石英ガラス管に挿入し、ガラス管のモリブデン箔を含む領域をピンチシールした放電ランプアークチューブおよび同アークチューブの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図８は従来の放電ランプであり、絶縁性ベース２の前方に突出する通電路でもあるリードサポート３と、絶縁性ベース２の前面に固定された金属製把持部材Ｓによって、アークチューブ５の前後端部が支持されて絶縁性ベース２に一体化された構造となっている。
【０００３】
そしてアークチューブ５は、前後一対のピンチシール部５ｂ，５ｂ間に、電極棒６，６を対設しかつ発光物質等を封入した密閉ガラス球５ａが形成された構造となっている。ピンチシール部５ｂ内には、密閉ガラス球５ａ内に突出する電極棒６とピンチシール部５ｂから導出するリード線８とを接続するモリブデン箔７が封着されており、ピンチシール部５ｂにおける気密性が確保されている。
【０００４】
即ち、電極棒６としては、耐久性に優れたタングステン製が最も望ましいが、タングステンはガラスと線膨張係数が大きく異なり、ガラスとのなじみも悪く気密性に劣る。したがって、タングステン製電極棒６に、線膨張係数がガラスに近く、ガラスと比較的なじみの良いモリブデン箔７を接続し、モリブデン箔７をピンチシール部５ｂで封着することで、ピンチシール部５ｂにおける気密性を確保するようになっている。
【０００５】
また、アークチューブ５には紫外線遮蔽用シュラウドガラスＧが溶着一体化されて、ピンチシール部５ｂから密閉ガラス球５ａにかけての領域がシュラウドガラスＧで覆われて、アークチューブ５から発した光の中で人体に有害な波長域の紫外線成分をカットするとともに、ピンチシール部５ｂから密閉ガラス球５ａにかけての領域がシュラウドガラスＧで画成された密閉空間に囲まれて、密閉ガラス球５ａが高温に保持されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のアークチューブでは、ピンチシール部５ｂに封着されているモリブデン箔７は、ガラスとなじみがよいとはいっても、線膨張係数がガラスと全く同一と言うわけではない。そして、ランプの点灯と消灯時の温度差が大きく、モリブデン箔７とガラスの界面には、温度変化に伴って熱応力が生じ、しかもアークチューブには、エンジンの震動や自動車の走行に伴って生ずる振動も伝達される。このため、長期の使用で、モリブデン箔７とガラス材間に隙間が形成され、即ち、密閉ガラス球内封止物質のリークにつながる箔浮きが起こるという問題があった。
【０００７】
そこで発明者は、箔浮きを阻止するには、ピンチシール部におけるモリブデン箔とガラス間の密着性（機械的接合強度）を高めればよく、そのためには、モリブデン箔の表面を微小凹凸形状の粗面とすればよいのでは、と考えて、モリブデン箔を酸化処理した後に還元処理することでその表面に微小凹凸形状の粗面を形成し、この粗面化処理したモリブデン箔をピンチシール部で封着したところ、箔浮きの抑制に有効であることが確認されたので、本発明を提案するに至ったものである。
【０００８】
本発明は前記した従来技術の問題点および発明者の知見に基づいてなされたもので、その目的は、ピンチシール部内で箔浮きの生じない放電ランプアークチューブを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、請求項１に係る放電ランプアークチューブにおいては、電極棒とモリブデン箔とリード線を直列に接続一体化した電極アッシーのモリブデン箔を含む領域がガラスによってピンチシールされて、発光物質等を封入した密閉ガラス球内に電極が対設された放電ランプアークチューブにおいて、前記ピンチシール部に封着されたモリブデン箔の表面を、酸化と還元からなるエッチング処理を施した粗面で構成するようにした。
【００１０】
また、請求項２に係る放電ランプアークチューブの製造方法においては、電極棒とモリブデン箔とリード線を直列に接続一体化した電極アッシーのモリブデン箔を含む領域をガラスによってピンチシールして、電極が対設され発光物質等が封入された密閉ガラス球をもつアークチューブを製造する放電ランプアークチューブの製造方法において、前記電極アッシーを構成するモリブデン箔に、酸化と還元からなる表面粗面化エッチング処理を施すように構成した。
（作用）酸化処理したモリブデン箔の表面には酸化膜（ＭｏＯ，ＭｏＯ２ ，ＭｏＯ３，Ｍｏ４Ｏ１１など）が形成され、その表面には微小凹凸形状の粗面が形成される。さらに、これを還元処理することで酸化膜中の酸素原子が除去されて、モリブデン箔の表面には、酸化処理したモリブデン箔の表面に形成された微小凹凸形状より深くかつ複雑な微小凹凸形状の粗面（エッチング処理面）が形成される。このためピンチシール部では、モリブデン箔表面の深くかつ複雑な微小凹凸内に石英ガラスが隙間なく充填した形態となって、石英ガラスとモリブデン箔との界面における密着性、即ち機械的接合強度が改善される。
【００１１】
請求項３においては、請求項２に記載のアークチューブの製造方法において、前記モリブデン箔の酸化処理温度を、３００℃〜５００℃の範囲内に設定するように構成した。
（作用）モリブデン箔の酸化処理温度が３００℃未満では、モリブデン箔の表面に酸化膜が形成されるまでに長時間がかかり、実用的でない。そして、温度が高い方が酸化の進行が速く、酸化処理時間が短くなって望ましい。さらに、酸化処理温度が高いと、酸化処理後のモリブデン箔表面の微小凹凸の深さや複雑度が増し、酸化・還元処理後のモリブデン箔表面の微小凹凸の深さや複雑度も増すため、ガラスとモリブデン箔間の機械的接合強度を上げる上では、酸化処理温度が高い方がよい。しかし、５００℃を越えると、モリブデン箔が酸化され過ぎて脆弱（視覚的には表面が灰黒色）となって、電極棒との溶接性が低下したり、ピンチシール時に箔切れを起こすおそれがあるので、３００℃〜５００℃の範囲でモリブデン箔を酸化処理することが望ましい。
【００１２】
請求項４においては、請求項２または３に記載のアークチューブの製造方法において、前記酸化処理におけるモリブデン箔の酸素原子数濃度を、５０％〜８０％の範囲内、好ましくは６０％〜７０％の範囲内に設定するように構成した。
（作用）酸化処理したモリブデン箔の酸素原子数濃度が５０％未満では、モリブデン箔（酸化膜）表面の微小凹凸形状が浅くかつ平坦で、還元処理後のモリブデン箔表面に形成される微小凹凸も、石英ガラスとの機械的接合強度を高めるに足りる深さおよび複雑さをもつ微小凹凸が得られない。そして、還元処理後のモリブデン箔表面の微小凹凸形状を深くかつ複雑にするには、還元処理前の酸化処理したモリブデン箔表面の微小凹凸形状を深くかつ複雑にすること、即ち、酸化処理したモリブデン箔の酸素原子数濃度が高いほど望ましい。しかし、酸化処理したモリブデン箔の酸素原子数濃度が８０％を越えると、モリブデン箔中の酸素原子数過多で脆弱（視覚的には表面が灰黒色）となって、電極棒との溶接性が低下したり、ピンチシール時に箔切れを起こすおそれがある。また、還元処理後のモリブデン箔の酸素原子数濃度も高く、それだけモリブデン箔中に多く含まれる酸化原子がピンチシールの際に遊離して、密閉ガラス球内に酸素ガスとして封止されるおそれがあり、光束維持率や光色やランプ電圧に悪影響を与えるおそれがある。
【００１３】
請求項５においては、請求項２〜４のいずれかに記載の放電ランプアークチューブの製造方法において、前記石英ガラス管のピンチシール温度を、２０００℃〜２３００℃の範囲となるように設定するように構成した。
（作用）一般に石英ガラス管をピンチするピンチシール工程では、接近離反動作する一対のピンチャーを用いるが、石英ガラス管のピンチシール温度が２０００℃以上では、溶融ガラスの粘性が低下し、モリブデン箔表面の微小凹凸内に溶融ガラスが確実に入り込んで、モリブデン箔表面の微小凹凸内に石英ガラスが隙間なく充填した形態となる。しかし、石英ガラス管のピンチシール温度が２０００℃未満では、溶融ガラスの粘性が高いため、モリブデン箔表面の微小凹凸内に溶融ガラスが確実に入り込めず、溶融ガラスと微小凹凸間に隙間が形成されるおそれがある。一方、石英ガラス管のピンチシール温度が２３００℃を越えると、バーナやピンチャーをそれだけ耐熱性に優れた素材で形成する必要があり、石英ガラスを加熱する熱エネルギーもそれだけ多く必要となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を実施例に基づいて説明する。
【００１５】
図１〜図７は本発明の一実施例を示すもので、図１は本発明の一実施例である放電ランプアークチューブの縦断面図、図２は同アークチューブのピンチシール部の水平断面図、図３はモリブデン箔が酸化処理および還元処理されてその表面形状が変化する様子を示す図で、（ａ）は酸化処理前のモリブデン箔の断面図、（ｂ）は酸化処理後のモリブデン箔の断面図、（ｃ）は酸化処理後に還元処理したモリブデン箔の断面図、（ｄ）はピンチシール部におけるモリブデン箔と石英ガラス界面近傍の断面図である。図４はモリブデン箔の酸化条件と酸素原子数濃度・外観の変化を表で示す図、図５は図４の図表をグラフで示す図、図６はモリブデン箔の処理条件と酸素原子数濃度とモリブデン箔表面の凹凸形状および外観の変化を表で示す図、図７はアークチューブの製造工程説明図である。
【００１６】
これらの図において、アークチューブ１０を装着した放電ランプは、図８に示す従来構造と同一であり、その説明は省略する。
【００１７】
アークチューブ１０は、直線状延出部ｗ１ の長手方向途中に球状膨出部ｗ２が形成された円パイプ形状の石英ガラス管Ｗの球状膨出部ｗ２ 寄りがピンチシールされて、放電空間を形成する楕円体形状のチップレス密閉ガラス球１２の両端部に横断面矩形状のピンチシール部１３（一次ピンチシール部１３Ａ、二次ピンチシール部１３Ｂ）が形成された構造で、密閉ガラス球１２内には、始動用希ガス，水銀及び金属ハロゲン化物（以下、発光物質等という）が封入されている。また密閉ガラス球１２内には、放電電極を構成するタングステン製の電極棒６，６が対向配置されており、電極棒６，６はピンチシール部１３に封着されたモリブデン箔７に接続され、ピンチシール部１３の端部からはモリブデン箔７に接続されたモリブテン製リード線８が導出し、後端側リード線８は非ピンチシール部である円パイプ形状部１４を挿通して外部に延びている。符号Ｇは、アークチューブ１０に溶着一体化された円筒形状の紫外線遮蔽用シュラウドガラスで、アークチューブ１０から発した光の中で人体に有害な波長域の紫外線成分がカットされる。また、シュラウドガラスＧとアークチューブ１０間の密閉空間には、不活性ガスが１気圧以下で封入されて密閉ガラス球１２が高温に保持されている。
【００１８】
図１に示すアークチューブ１０の外観構造については、図８に示す従来のアークチューブ５と見たところ変わるものではないが、ピンチシールされたモリブデン箔７の表面には、後述する酸化処理と還元処理からなる表面粗面化エッチング処理を施すことで、図３（ｃ），（ｄ）に示すように、深くかつ複雑な微小凹凸形状の粗面７ｃが形成されている。このため、ピンチシール部１３では、モリブデン箔７表面の深くかつ複雑な微小凹凸内に石英ガラスが隙間なく充填した形態となって、石英ガラスとモリブデン箔７との界面における密着性、即ち機械的接合強度が向上し、ピンチシール部１３における箔浮きが抑制されて、アークチューブの長寿命が保証されている。
【００１９】
即ち、モリブデン箔７は、まず酸化処理炉に所定時間入れて酸化処理すると、図３（ｂ）に示すように、その表面に酸化膜（ＭｏＯ，ＭｏＯ２ ，ＭｏＯ３，Ｍｏ４Ｏ１１など）７ａが形成される。酸化処理前のモリブデン箔７の表面は、図３（ａ）に示すように平坦であるが、酸化処理によりその表面（酸化膜７ａの表面）には、微小凹凸形状の粗面７ｂが形成される（図３（ｂ）参照）。次いで、この酸化処理したモリブデン箔７を水素ガスを満たした還元処理炉に所定時間入れて還元処理すると、酸化膜７ａ中の酸素原子が除去されて、図３（ｃ）に示されるように、モリブデン箔７の表面には、酸化処理したモリブデン箔の表面（粗面７ｂ）に形成された微小凹凸形状より深くかつ複雑な微小凹凸形状の粗面（エッチング処理面）７ｃが形成される。
【００２０】
このモリブデン箔７の表面にエッチング処理面７ｃが形成されるメカニズムは、次のように推定できる。即ち、酸化処理した図３（ｂ）に示すモリブデン箔７の表面（酸化膜７ａの表面）は、酸化処理前のモリブデン箔７の表面の凹凸と同程度の凹凸しか形成されないが、さらに図３（ｃ）に示すように還元処理を行うと、エッチング効果と、温度による酸化膜の昇華で、より酸素と酸化膜が除去されて、より深く微小な凹凸がモリブデン箔７の表面に形成される。また、このとき、酸化膜７ａにはＭｏＯ，ＭｏＯ２ ，ＭｏＯ３，Ｍｏ４Ｏ１１などが混在して存在するため、還元処理によってモリブデン箔７からより複雑に酸素と酸化膜が除去されて、モリブデン箔７の表面にはより深く微小な凹凸が形成されることになる。
【００２１】
図４，５は、発明者が行ったモリブデン箔の酸化処理実験データをＳＥＭ−ＥＭＡＸにより観察・分析することで得られた、酸化条件と酸素原子数濃度・外観の変化との関係を示すもので、これらの図からわかるように、酸素原子数濃度は、酸化処理温度と処理時間にそれぞれ比例する。
また、図６は、発明者が行ったモリブデン箔の酸化・還元処理実験データをＳＥＭ−ＥＭＡＸにより観察・分析することで得られた、モリブデン箔の酸化・還元処理条件と酸素原子数濃度とモリブデン箔表面の凹凸形状および外観の変化との関係を示すもので、酸化・還元処理後のモリブデン箔表面の祖さ（微小凹凸形状の深さ及び複雑さ）は、酸化処理温度と酸素原子数濃度にそれぞれ比例する。そして、仕様６〜１０のいずれの場合も、酸化処理後に還元処理することで，酸素原子数濃度が酸化処理前の酸素原子数濃度（３３．４２％）に戻る。酸化処理によるモリブデン箔中の酸素原子数濃度が高いほど還元処理後の酸素原子数濃度も高く、表面粗さ（微小凹凸の深さおよび複雑さ）も大となることがわかる。
【００２２】
そして、モリブデン箔の酸化処理温度は、高い方が酸化の進行が速く、酸化処理時間が短くなって望ましい。しかし、３００℃未満では、モリブデン箔の表面に酸化膜が形成されるまでに長時間がかかり、実用的でない。また、５００℃を越えると、酸化しすぎにより、視覚的にはモリブデン箔の表面が灰黒色化し、脆弱となって、電極棒との溶接性が低下したり、ピンチシール時に箔切れを起こすおそれがあるので、３００℃〜５００℃の範囲でモリブデン箔を酸化処理することが望ましい。
【００２３】
また、酸化処理したモリブデン箔の酸素原子数濃度が５０％未満では、モリブデン箔７（酸化膜７ａ）表面７ｂの微小凹凸形状が浅くかつ平坦で、還元処理後のモリブデン箔表面７ｃに形成された微小凹凸も、石英ガラスとの機械的接合強度を高めるに足りる深さおよび複雑さには至らない。そして、酸化・還元処理したモリブデン箔表面７ｃの微小凹凸形状を深くかつ複雑にするには、酸化処理したモリブデン箔の酸素原子数濃度が高い方がよい。しかし、酸化処理したモリブデン箔の酸素原子数濃度が８０％を越えると、酸化しすぎにより、視覚的にはモリブデン箔の表面が灰黒色化し脆弱となって、電極棒との溶接性が低下したり、ピンチシール時に箔切れを起こすおそれがある。また、還元処理したとしてもモリブデン箔の酸素原子数濃度は高く、それだけモリブデン箔に含まれる酸素原子がピンチシールの際に遊離して、酸素が密閉ガラス球内に酸素ガスとして封止されるおそれがあり、光束維持率や光色やランプ電圧に悪影響を与えるおそれがある。したがって、酸化処理におけるモリブデン箔の酸素原子数濃度は、５０％〜８０％の範囲内、好ましくは６０％〜７０％の範囲内であることが望ましい。
【００２４】
なお、モリブデン箔表面の微小凹凸は、十点平均粗さで１μｍ以上（基準長さ０．０８ｍｍ）であることが望ましい。
【００２５】
また、このエッチング処理面（酸化・還元処理面）をもつモリブデン箔７を量産するには、帯状の長いモリブデン箔を捲回したモリブデン箔スプールを巻き解して、酸化処理炉および還元処理炉に順次通すことで、モリブデン箔スプール材の表面にエッチング処理を行い、そして再び巻き取ることで、表面にエッチング処理を施した帯状の長いモリブデン箔スプールが得られる。そして、エッチング処理済み帯状モリブデン箔スプールを巻き解して所定長さに切断すれば、エッチング処理面をもつ所定寸法のモリブデン箔７が得られる。そして、このエッチング処理面をもつモリブデン箔７に電極棒６およびリード線８を直列に溶接して、電極アッシーＡ（Ａ’）として一体化する。
【００２６】
また、一般にピンチシール工程では、石英ガラス管をピンチする一対のピンチャーが用いられるが、石英ガラス管のピンチシール温度が２０００℃以上では、溶融ガラスの粘性が低下し、モリブデン箔表面の微小凹凸内に溶融ガラスが確実に入り込んで、モリブデン箔表面の微小凹凸内に石英ガラスが隙間なく充填した形態となる。しかし、石英ガラス管のピンチシール温度が２０００℃未満では、溶融ガラスの粘性が高いため、モリブデン箔表面の微小凹凸内に溶融ガラスが確実に入り込めず、溶融ガラスと微小凹凸間に隙間が形成されるおそれがある。一方、石英ガラス管のピンチシール温度が２３００℃を越えると、バーナやピンチャーを耐熱性に優れた素材で形成する必要があり、石英ガラスを加熱するための熱エネルギーもそれだけ多く必要となる。したがって、石英ガラス管のピンチシール温度は、２０００℃〜２３００℃の範囲であることが望ましい。
【００２７】
また、モリブデン箔７は、イットリア（Ｙ２Ｏ３）をドープしたモリブデンで構成されるとともに、ガラス管のモリブデン箔７を含む領域を例えば２０００〜２３００℃という高温度でピンチシールすることで、再結晶化したモリブデン箔の再結晶粒子が微細化された構造となっている。そして、このピンチシール部１３におけるモリブデン箔の再結晶粒子の微細化構造は、点灯時と消灯時においてガラスとモリブデン箔の界面に発生する熱応力を吸収して、箔浮きを阻止する上で有効である。
【００２８】
次に、図１に示すチップレス密閉ガラス球１２をもつアークチューブ１０の製造工程を、図７に基づいて説明する。
【００２９】
まず、直線状延出部ｗ1 の途中に球状膨出部ｗ2 の形成されたガラス管Ｗを予め製造しておく。一方、表面粗面化エッチング処理（酸化・還元処理）したモリブデン箔（微小凹凸形状の粗面７ｃが表面に形成されたモリブデン箔）７に電極棒６およびリード線８を溶接一体化した電極アッシーＡ、Ａ’も予め用意しておく。そして、図７（ａ）に示されるように、ガラス管Ｗを垂直に保持し、ガラス管Ｗの下方の開口端側から、電極アッシーＡを挿入して所定位置に保持するとともに、ガラス管Ｗの上方開口端に不活性ガス（アルゴンガスまたは窒素ガス）供給ノズル４０を差し込む。さらに、ガラス管Ｗの下端部を不活性ガス（アルゴンガスまたは窒素ガス）供給パイプ５０内に挿入する。
【００３０】
ノズル４０から供給される不活性ガスは、ピンチシール時の電極アッシーＡが酸化されるのを防止するためのものである。ガス供給パイプ５０から供給される不活性ガスは、ピンチシールの際、およびピンチシール後のリード線８が高温状態にある間、リード線８を不活性ガス雰囲気に保持して、リード線８の酸化を防止するものである。なお図７（ａ）における符号４２，５２は不活性ガスの充填されたガスボンベ、符号４４，５４はガス圧調整器、符号２２はガラス管把持部材である。
【００３１】
そして、図７（ａ）に示されるように、ノズル４０から不活性ガスをガラス管Ｗ内に供給しつつ、さらに、パイプ５０から不活性ガスをガラス管Ｗの下端部に供給しつつ、直線状延出部ｗ1 における球状膨出部ｗ2 の近傍位置（モリブデン箔７を含む位置）をバーナ２４ａで２１００℃に加熱し、ピンチャー２６ａでモリブデン箔７のリード線８接続側を仮ピンチシールする。
【００３２】
次に、仮ピンチシールが終わると、図７（ｂ）に示されるように、真空ポンプ（図示せず）によって、ガラス管Ｗ内を真空（４００Ｔｏｒｒ以下の圧力）に保持し、バーナ２４ｂで２１００℃に加熱し、ピンチャー２６ｂでモリブデン箔７を含む未ピンチシール部を本ピンチシールする。なお、ガラス管Ｗ内に作用させる真空度は、４００Ｔｏｒｒ〜４×１０-3Ｔｏｒｒが望ましい。
【００３３】
これにより、一次ピンチシール部１３Ａでは、ガラス層１５が電極アッシーＡを構成する電極棒６とモリブデン箔７とリード線８に密着した状態となる。特に、本ピンチシールされた部位では、ガラス層が電極棒６とモリブデン箔７に隙間なく密着して十分に馴染むため、ガラス層とモリブデン箔７（電極棒６）間が強固に接合された形態となる。これにより、一次ピンチシール部１３Ａにおけるモリブデン箔７と石英ガラスとは、モリブデン箔７の粗面７ｃの微小凹凸内にガラスが隙間なく充填された機械的接合強度の高い形態で接合一体化される。
【００３４】
なお、この本ピンチシール工程においても、ガラス管Ｗの下方開口部を不活性ガス（アルゴンガスまたは窒素ガス）雰囲気に保持することで、リード線８の酸化を防ぐことができる。
次に、図７（ｃ）に示されるように、ガラス管Ｗの上方の開口端側から、球状膨出部ｗ2 に発光物質Ｐ等を投入する。さらに、表面粗面化エッチング処理（酸化・還元処理）されたモリブデン箔（微小凹凸形状の粗面７ｃが表面に形成されたモリブデン箔）７に電極棒６およびリード線８を溶接一体化した他の電極アッシーＡ’を挿入して所定位置に保持する。
【００３５】
リード線８には、長手方向途中にＷ字形状の屈曲部８ｂが設けられており、この屈曲部８ｂがガラス管Ｗの内周面に圧接された形態となって、直線状延出部ｗ1の長手方向所定位置に電極アッシーＡ’を位置決め保持することができる。
【００３６】
そしてガラス管Ｗ内を排気した後、図７（ｄ）に示されるように、ガラス管Ｗ内にキセノンガスを供給しつつ、ガラス管Ｗの上方所定部位をチップオフすることで、ガラス管Ｗ内に電極アッシーＡ’を仮止めし、かつ発光物質等を封止する。符号Ｗ3は、チップオフ部を示す。
【００３７】
その後、図７（ｅ）に示すように、発光物質Ｐ等が気化しないように球状膨出部ｗ2 を液体窒素（ＬＮ２）で冷却しながら、直線状延出部ｗ1 における球状膨出部ｗ2 の近傍位置（モリブデン箔を含む位置）をバーナー２４で２１００℃に加熱し、ピンチャー２６ｃで二次ピンチシールして、球状膨出部ｗ2 を密封することで、電極６，６が対設され発光物質Ｐ等が封止されたチップレス密閉ガラス球１２をもつアークチューブ１０ができ上がる。
【００３８】
なお、二次ピンチシール工程では、一次ピンチシール工程の本ピンチシールのように、真空ポンプでガラス管Ｗ内を負圧にするまでもなく、ガラス管Ｗ内に封止されているキセノンガスを液化させることによりガラス管Ｗ内は負圧（約４００Ｔｏｒｒ）に保持されるので、二次ピンチシール１３Ｂ部におけるガラス層の電極アッシーＡ’（電極棒６，モリブデン箔７，リード線８）への密着度は優れたものとなっている。
【００３９】
即ち、一次ピンチシール工程における本ピンチシールの場合と同様、加熱されて軟化したガラス層には、ピンチャー２６ｃの押圧力に加えて負圧も作用するため、ガラス層が電極棒６，モリブデン箔７，リード線８に隙間なく密着して馴染み、ガラス層と電極棒６，モリブデン箔７，リード線８間は強固に接合された形態となる。特に、この二次ピンチシール部１３Ｂにおいても、下方の一次ピンチシール部１３Ａと同様、モリブデン箔７と石英ガラスとが、モリブデン箔７の表面７ｃの微小凹凸内にガラスが隙間なく充填された機械的接合強度の高い形態で接合一体化される。そして最後に、ガラス管の端部を所定の長さだけ切断することにより、図１に示すアークチューブ１０が得られる。
【００４０】
なお、実際には、アークチューブ１０にシュラウドガラスＧを溶着して、シュラウドガラスＧとアークチューブ１０間に不活性ガスを封入する工程があるが、このシュラウドガラス溶着・不活性ガス封入工程は、図８に示すアークチューブを製造する過程で用いられているシュラウドガラス溶着・不活性ガス封入工程と何ら変わるものではなく、またアークチューブ１０を製造する工程には直接関係がないので、その説明は省略する。
【００４１】
また、前記実施例では、一次ピンチシール後、二次ピンチシールする前に、ガラス管をチップオフして発光物質等をガラス管内に封止するようになっているが、一次ピンチシール後にガラス管をチップオフすることなく、直接ピンチシールすることで、発光物質等を封止するようにしてもよい。
【００４２】
また、前記実施例では、モリブデン箔の表面粗面化エッチング処理として、モリブデン箔を酸化処理炉で酸化処理した後に還元処理炉で還元処理するように構成されているが、酸素・水素バーナによってモリブデン箔を直接加熱し酸化と還元とを同時に行うように構成してもよく、このようにすれば、モリブデン箔の表面粗面化エッチング処理工程が短縮される。
【００４３】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１に係る放電ランプアークチューブによれば、ピンチシール部における石英ガラスとモリブデン箔との界面における密着性、即ち機械的接合強度が改善されて、ピンチシール部における箔浮きが確実に防止され、それだけアークチューブの高寿命化が達成される。
【００４４】
請求項２に係る放電ランプアークチューブの製造方法によれば、ピンチシール部における石英ガラスとモリブデン箔との界面における密着性、即ち機械的接合強度が改善されて、ピンチシール部における箔浮きの生じない長寿命のアークチューブを提供できる。
【００４５】
請求項３，４によれば、モリブデン箔の機械的強度が確保されて、製造されるアークチューブの歩留まりが向上する。
【００４６】
請求項５によれば、ピンチシール部における石英ガラスがモリブデン箔表面の微小凹凸内に隙間なく確実に充填した形態となって、石英ガラスとモリブデン箔との界面における密着性、即ち機械的接合強度が向上し、ピンチシール部における箔浮きが確実に防止され、それだけアークチューブの長寿命化が確実に達成される。
【００４７】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例であるアークチューブの縦断面図である。
【図２】アークチューブのピンチシール部の水平断面図である。
【図３】モリブデン箔が酸化処理および還元処理されてその表面形状が変化する様子を示す図で、（ａ）は酸化処理前のモリブデン箔の断面図、（ｂ）は酸化処理後のモリブデン箔の断面図、（ｃ）は酸化処理後に還元処理したモリブデン箔の断面図、（ｄ）はピンチシール部におけるモリブデン箔と石英ガラス界面近傍の断面図である。
【図４】モリブデン箔の酸化条件と酸素原子数濃度・外観の変化を表で示す図である。
【図５】図４の図表をグラフで示す図である。
【図６】モリブデン箔の処理条件と酸素原子数濃度とモリブデン箔表面の凹凸形状および外観の変化を表で示す図である。
【図７】アークチューブの製造工程説明図で、（ａ）は一次ピンチシール（仮ピンチシール）工程説明図、 （ｂ）は一次ピンチシール（本ピンチシール）工程説明図、（ｃ）は発光物質等の投入工程説明図、（ｄ）はチップオフ工程説明図、（ｅ）はチップオフ工程説明図である。
【図８】従来の放電ランプの断面図である。
【符号の説明】
６ 電極棒
７ モリブデン箔
７ａ 酸化膜
７ｂ 酸化処理したモリブデン箔表面の微小凹凸粗面
７ｃ 酸化・還元処理したモリブデン箔表面の微小凹凸粗面
８ リード線
１０ アークチューブ
１２ チップレス密閉ガラス球
１３ ピンチシール部
１３Ａ 一次ピンチシール部
１３Ｂ 二次ピンチシール部
Ｗ アークチューブ用ガラス管
ｗ1 ガラス管の直線状延出部
ｗ2 ガラス管の球状膨出部
Ａ，Ａ’ 電極アッシー
【発明の属する技術分野】
本発明は、電極が対設され発光物質等が封入された密閉ガラス球をもつ放電ランプアークチューブおよび同アークチューブの製造方法に係わり、特に、電極棒とモリブデン箔とリード線を直列に接続一体化した電極アッシーを石英ガラス管に挿入し、ガラス管のモリブデン箔を含む領域をピンチシールした放電ランプアークチューブおよび同アークチューブの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図８は従来の放電ランプであり、絶縁性ベース２の前方に突出する通電路でもあるリードサポート３と、絶縁性ベース２の前面に固定された金属製把持部材Ｓによって、アークチューブ５の前後端部が支持されて絶縁性ベース２に一体化された構造となっている。
【０００３】
そしてアークチューブ５は、前後一対のピンチシール部５ｂ，５ｂ間に、電極棒６，６を対設しかつ発光物質等を封入した密閉ガラス球５ａが形成された構造となっている。ピンチシール部５ｂ内には、密閉ガラス球５ａ内に突出する電極棒６とピンチシール部５ｂから導出するリード線８とを接続するモリブデン箔７が封着されており、ピンチシール部５ｂにおける気密性が確保されている。
【０００４】
即ち、電極棒６としては、耐久性に優れたタングステン製が最も望ましいが、タングステンはガラスと線膨張係数が大きく異なり、ガラスとのなじみも悪く気密性に劣る。したがって、タングステン製電極棒６に、線膨張係数がガラスに近く、ガラスと比較的なじみの良いモリブデン箔７を接続し、モリブデン箔７をピンチシール部５ｂで封着することで、ピンチシール部５ｂにおける気密性を確保するようになっている。
【０００５】
また、アークチューブ５には紫外線遮蔽用シュラウドガラスＧが溶着一体化されて、ピンチシール部５ｂから密閉ガラス球５ａにかけての領域がシュラウドガラスＧで覆われて、アークチューブ５から発した光の中で人体に有害な波長域の紫外線成分をカットするとともに、ピンチシール部５ｂから密閉ガラス球５ａにかけての領域がシュラウドガラスＧで画成された密閉空間に囲まれて、密閉ガラス球５ａが高温に保持されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のアークチューブでは、ピンチシール部５ｂに封着されているモリブデン箔７は、ガラスとなじみがよいとはいっても、線膨張係数がガラスと全く同一と言うわけではない。そして、ランプの点灯と消灯時の温度差が大きく、モリブデン箔７とガラスの界面には、温度変化に伴って熱応力が生じ、しかもアークチューブには、エンジンの震動や自動車の走行に伴って生ずる振動も伝達される。このため、長期の使用で、モリブデン箔７とガラス材間に隙間が形成され、即ち、密閉ガラス球内封止物質のリークにつながる箔浮きが起こるという問題があった。
【０００７】
そこで発明者は、箔浮きを阻止するには、ピンチシール部におけるモリブデン箔とガラス間の密着性（機械的接合強度）を高めればよく、そのためには、モリブデン箔の表面を微小凹凸形状の粗面とすればよいのでは、と考えて、モリブデン箔を酸化処理した後に還元処理することでその表面に微小凹凸形状の粗面を形成し、この粗面化処理したモリブデン箔をピンチシール部で封着したところ、箔浮きの抑制に有効であることが確認されたので、本発明を提案するに至ったものである。
【０００８】
本発明は前記した従来技術の問題点および発明者の知見に基づいてなされたもので、その目的は、ピンチシール部内で箔浮きの生じない放電ランプアークチューブを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、請求項１に係る放電ランプアークチューブにおいては、電極棒とモリブデン箔とリード線を直列に接続一体化した電極アッシーのモリブデン箔を含む領域がガラスによってピンチシールされて、発光物質等を封入した密閉ガラス球内に電極が対設された放電ランプアークチューブにおいて、前記ピンチシール部に封着されたモリブデン箔の表面を、酸化と還元からなるエッチング処理を施した粗面で構成するようにした。
【００１０】
また、請求項２に係る放電ランプアークチューブの製造方法においては、電極棒とモリブデン箔とリード線を直列に接続一体化した電極アッシーのモリブデン箔を含む領域をガラスによってピンチシールして、電極が対設され発光物質等が封入された密閉ガラス球をもつアークチューブを製造する放電ランプアークチューブの製造方法において、前記電極アッシーを構成するモリブデン箔に、酸化と還元からなる表面粗面化エッチング処理を施すように構成した。
（作用）酸化処理したモリブデン箔の表面には酸化膜（ＭｏＯ，ＭｏＯ２ ，ＭｏＯ３，Ｍｏ４Ｏ１１など）が形成され、その表面には微小凹凸形状の粗面が形成される。さらに、これを還元処理することで酸化膜中の酸素原子が除去されて、モリブデン箔の表面には、酸化処理したモリブデン箔の表面に形成された微小凹凸形状より深くかつ複雑な微小凹凸形状の粗面（エッチング処理面）が形成される。このためピンチシール部では、モリブデン箔表面の深くかつ複雑な微小凹凸内に石英ガラスが隙間なく充填した形態となって、石英ガラスとモリブデン箔との界面における密着性、即ち機械的接合強度が改善される。
【００１１】
請求項３においては、請求項２に記載のアークチューブの製造方法において、前記モリブデン箔の酸化処理温度を、３００℃〜５００℃の範囲内に設定するように構成した。
（作用）モリブデン箔の酸化処理温度が３００℃未満では、モリブデン箔の表面に酸化膜が形成されるまでに長時間がかかり、実用的でない。そして、温度が高い方が酸化の進行が速く、酸化処理時間が短くなって望ましい。さらに、酸化処理温度が高いと、酸化処理後のモリブデン箔表面の微小凹凸の深さや複雑度が増し、酸化・還元処理後のモリブデン箔表面の微小凹凸の深さや複雑度も増すため、ガラスとモリブデン箔間の機械的接合強度を上げる上では、酸化処理温度が高い方がよい。しかし、５００℃を越えると、モリブデン箔が酸化され過ぎて脆弱（視覚的には表面が灰黒色）となって、電極棒との溶接性が低下したり、ピンチシール時に箔切れを起こすおそれがあるので、３００℃〜５００℃の範囲でモリブデン箔を酸化処理することが望ましい。
【００１２】
請求項４においては、請求項２または３に記載のアークチューブの製造方法において、前記酸化処理におけるモリブデン箔の酸素原子数濃度を、５０％〜８０％の範囲内、好ましくは６０％〜７０％の範囲内に設定するように構成した。
（作用）酸化処理したモリブデン箔の酸素原子数濃度が５０％未満では、モリブデン箔（酸化膜）表面の微小凹凸形状が浅くかつ平坦で、還元処理後のモリブデン箔表面に形成される微小凹凸も、石英ガラスとの機械的接合強度を高めるに足りる深さおよび複雑さをもつ微小凹凸が得られない。そして、還元処理後のモリブデン箔表面の微小凹凸形状を深くかつ複雑にするには、還元処理前の酸化処理したモリブデン箔表面の微小凹凸形状を深くかつ複雑にすること、即ち、酸化処理したモリブデン箔の酸素原子数濃度が高いほど望ましい。しかし、酸化処理したモリブデン箔の酸素原子数濃度が８０％を越えると、モリブデン箔中の酸素原子数過多で脆弱（視覚的には表面が灰黒色）となって、電極棒との溶接性が低下したり、ピンチシール時に箔切れを起こすおそれがある。また、還元処理後のモリブデン箔の酸素原子数濃度も高く、それだけモリブデン箔中に多く含まれる酸化原子がピンチシールの際に遊離して、密閉ガラス球内に酸素ガスとして封止されるおそれがあり、光束維持率や光色やランプ電圧に悪影響を与えるおそれがある。
【００１３】
請求項５においては、請求項２〜４のいずれかに記載の放電ランプアークチューブの製造方法において、前記石英ガラス管のピンチシール温度を、２０００℃〜２３００℃の範囲となるように設定するように構成した。
（作用）一般に石英ガラス管をピンチするピンチシール工程では、接近離反動作する一対のピンチャーを用いるが、石英ガラス管のピンチシール温度が２０００℃以上では、溶融ガラスの粘性が低下し、モリブデン箔表面の微小凹凸内に溶融ガラスが確実に入り込んで、モリブデン箔表面の微小凹凸内に石英ガラスが隙間なく充填した形態となる。しかし、石英ガラス管のピンチシール温度が２０００℃未満では、溶融ガラスの粘性が高いため、モリブデン箔表面の微小凹凸内に溶融ガラスが確実に入り込めず、溶融ガラスと微小凹凸間に隙間が形成されるおそれがある。一方、石英ガラス管のピンチシール温度が２３００℃を越えると、バーナやピンチャーをそれだけ耐熱性に優れた素材で形成する必要があり、石英ガラスを加熱する熱エネルギーもそれだけ多く必要となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を実施例に基づいて説明する。
【００１５】
図１〜図７は本発明の一実施例を示すもので、図１は本発明の一実施例である放電ランプアークチューブの縦断面図、図２は同アークチューブのピンチシール部の水平断面図、図３はモリブデン箔が酸化処理および還元処理されてその表面形状が変化する様子を示す図で、（ａ）は酸化処理前のモリブデン箔の断面図、（ｂ）は酸化処理後のモリブデン箔の断面図、（ｃ）は酸化処理後に還元処理したモリブデン箔の断面図、（ｄ）はピンチシール部におけるモリブデン箔と石英ガラス界面近傍の断面図である。図４はモリブデン箔の酸化条件と酸素原子数濃度・外観の変化を表で示す図、図５は図４の図表をグラフで示す図、図６はモリブデン箔の処理条件と酸素原子数濃度とモリブデン箔表面の凹凸形状および外観の変化を表で示す図、図７はアークチューブの製造工程説明図である。
【００１６】
これらの図において、アークチューブ１０を装着した放電ランプは、図８に示す従来構造と同一であり、その説明は省略する。
【００１７】
アークチューブ１０は、直線状延出部ｗ１ の長手方向途中に球状膨出部ｗ２が形成された円パイプ形状の石英ガラス管Ｗの球状膨出部ｗ２ 寄りがピンチシールされて、放電空間を形成する楕円体形状のチップレス密閉ガラス球１２の両端部に横断面矩形状のピンチシール部１３（一次ピンチシール部１３Ａ、二次ピンチシール部１３Ｂ）が形成された構造で、密閉ガラス球１２内には、始動用希ガス，水銀及び金属ハロゲン化物（以下、発光物質等という）が封入されている。また密閉ガラス球１２内には、放電電極を構成するタングステン製の電極棒６，６が対向配置されており、電極棒６，６はピンチシール部１３に封着されたモリブデン箔７に接続され、ピンチシール部１３の端部からはモリブデン箔７に接続されたモリブテン製リード線８が導出し、後端側リード線８は非ピンチシール部である円パイプ形状部１４を挿通して外部に延びている。符号Ｇは、アークチューブ１０に溶着一体化された円筒形状の紫外線遮蔽用シュラウドガラスで、アークチューブ１０から発した光の中で人体に有害な波長域の紫外線成分がカットされる。また、シュラウドガラスＧとアークチューブ１０間の密閉空間には、不活性ガスが１気圧以下で封入されて密閉ガラス球１２が高温に保持されている。
【００１８】
図１に示すアークチューブ１０の外観構造については、図８に示す従来のアークチューブ５と見たところ変わるものではないが、ピンチシールされたモリブデン箔７の表面には、後述する酸化処理と還元処理からなる表面粗面化エッチング処理を施すことで、図３（ｃ），（ｄ）に示すように、深くかつ複雑な微小凹凸形状の粗面７ｃが形成されている。このため、ピンチシール部１３では、モリブデン箔７表面の深くかつ複雑な微小凹凸内に石英ガラスが隙間なく充填した形態となって、石英ガラスとモリブデン箔７との界面における密着性、即ち機械的接合強度が向上し、ピンチシール部１３における箔浮きが抑制されて、アークチューブの長寿命が保証されている。
【００１９】
即ち、モリブデン箔７は、まず酸化処理炉に所定時間入れて酸化処理すると、図３（ｂ）に示すように、その表面に酸化膜（ＭｏＯ，ＭｏＯ２ ，ＭｏＯ３，Ｍｏ４Ｏ１１など）７ａが形成される。酸化処理前のモリブデン箔７の表面は、図３（ａ）に示すように平坦であるが、酸化処理によりその表面（酸化膜７ａの表面）には、微小凹凸形状の粗面７ｂが形成される（図３（ｂ）参照）。次いで、この酸化処理したモリブデン箔７を水素ガスを満たした還元処理炉に所定時間入れて還元処理すると、酸化膜７ａ中の酸素原子が除去されて、図３（ｃ）に示されるように、モリブデン箔７の表面には、酸化処理したモリブデン箔の表面（粗面７ｂ）に形成された微小凹凸形状より深くかつ複雑な微小凹凸形状の粗面（エッチング処理面）７ｃが形成される。
【００２０】
このモリブデン箔７の表面にエッチング処理面７ｃが形成されるメカニズムは、次のように推定できる。即ち、酸化処理した図３（ｂ）に示すモリブデン箔７の表面（酸化膜７ａの表面）は、酸化処理前のモリブデン箔７の表面の凹凸と同程度の凹凸しか形成されないが、さらに図３（ｃ）に示すように還元処理を行うと、エッチング効果と、温度による酸化膜の昇華で、より酸素と酸化膜が除去されて、より深く微小な凹凸がモリブデン箔７の表面に形成される。また、このとき、酸化膜７ａにはＭｏＯ，ＭｏＯ２ ，ＭｏＯ３，Ｍｏ４Ｏ１１などが混在して存在するため、還元処理によってモリブデン箔７からより複雑に酸素と酸化膜が除去されて、モリブデン箔７の表面にはより深く微小な凹凸が形成されることになる。
【００２１】
図４，５は、発明者が行ったモリブデン箔の酸化処理実験データをＳＥＭ−ＥＭＡＸにより観察・分析することで得られた、酸化条件と酸素原子数濃度・外観の変化との関係を示すもので、これらの図からわかるように、酸素原子数濃度は、酸化処理温度と処理時間にそれぞれ比例する。
また、図６は、発明者が行ったモリブデン箔の酸化・還元処理実験データをＳＥＭ−ＥＭＡＸにより観察・分析することで得られた、モリブデン箔の酸化・還元処理条件と酸素原子数濃度とモリブデン箔表面の凹凸形状および外観の変化との関係を示すもので、酸化・還元処理後のモリブデン箔表面の祖さ（微小凹凸形状の深さ及び複雑さ）は、酸化処理温度と酸素原子数濃度にそれぞれ比例する。そして、仕様６〜１０のいずれの場合も、酸化処理後に還元処理することで，酸素原子数濃度が酸化処理前の酸素原子数濃度（３３．４２％）に戻る。酸化処理によるモリブデン箔中の酸素原子数濃度が高いほど還元処理後の酸素原子数濃度も高く、表面粗さ（微小凹凸の深さおよび複雑さ）も大となることがわかる。
【００２２】
そして、モリブデン箔の酸化処理温度は、高い方が酸化の進行が速く、酸化処理時間が短くなって望ましい。しかし、３００℃未満では、モリブデン箔の表面に酸化膜が形成されるまでに長時間がかかり、実用的でない。また、５００℃を越えると、酸化しすぎにより、視覚的にはモリブデン箔の表面が灰黒色化し、脆弱となって、電極棒との溶接性が低下したり、ピンチシール時に箔切れを起こすおそれがあるので、３００℃〜５００℃の範囲でモリブデン箔を酸化処理することが望ましい。
【００２３】
また、酸化処理したモリブデン箔の酸素原子数濃度が５０％未満では、モリブデン箔７（酸化膜７ａ）表面７ｂの微小凹凸形状が浅くかつ平坦で、還元処理後のモリブデン箔表面７ｃに形成された微小凹凸も、石英ガラスとの機械的接合強度を高めるに足りる深さおよび複雑さには至らない。そして、酸化・還元処理したモリブデン箔表面７ｃの微小凹凸形状を深くかつ複雑にするには、酸化処理したモリブデン箔の酸素原子数濃度が高い方がよい。しかし、酸化処理したモリブデン箔の酸素原子数濃度が８０％を越えると、酸化しすぎにより、視覚的にはモリブデン箔の表面が灰黒色化し脆弱となって、電極棒との溶接性が低下したり、ピンチシール時に箔切れを起こすおそれがある。また、還元処理したとしてもモリブデン箔の酸素原子数濃度は高く、それだけモリブデン箔に含まれる酸素原子がピンチシールの際に遊離して、酸素が密閉ガラス球内に酸素ガスとして封止されるおそれがあり、光束維持率や光色やランプ電圧に悪影響を与えるおそれがある。したがって、酸化処理におけるモリブデン箔の酸素原子数濃度は、５０％〜８０％の範囲内、好ましくは６０％〜７０％の範囲内であることが望ましい。
【００２４】
なお、モリブデン箔表面の微小凹凸は、十点平均粗さで１μｍ以上（基準長さ０．０８ｍｍ）であることが望ましい。
【００２５】
また、このエッチング処理面（酸化・還元処理面）をもつモリブデン箔７を量産するには、帯状の長いモリブデン箔を捲回したモリブデン箔スプールを巻き解して、酸化処理炉および還元処理炉に順次通すことで、モリブデン箔スプール材の表面にエッチング処理を行い、そして再び巻き取ることで、表面にエッチング処理を施した帯状の長いモリブデン箔スプールが得られる。そして、エッチング処理済み帯状モリブデン箔スプールを巻き解して所定長さに切断すれば、エッチング処理面をもつ所定寸法のモリブデン箔７が得られる。そして、このエッチング処理面をもつモリブデン箔７に電極棒６およびリード線８を直列に溶接して、電極アッシーＡ（Ａ’）として一体化する。
【００２６】
また、一般にピンチシール工程では、石英ガラス管をピンチする一対のピンチャーが用いられるが、石英ガラス管のピンチシール温度が２０００℃以上では、溶融ガラスの粘性が低下し、モリブデン箔表面の微小凹凸内に溶融ガラスが確実に入り込んで、モリブデン箔表面の微小凹凸内に石英ガラスが隙間なく充填した形態となる。しかし、石英ガラス管のピンチシール温度が２０００℃未満では、溶融ガラスの粘性が高いため、モリブデン箔表面の微小凹凸内に溶融ガラスが確実に入り込めず、溶融ガラスと微小凹凸間に隙間が形成されるおそれがある。一方、石英ガラス管のピンチシール温度が２３００℃を越えると、バーナやピンチャーを耐熱性に優れた素材で形成する必要があり、石英ガラスを加熱するための熱エネルギーもそれだけ多く必要となる。したがって、石英ガラス管のピンチシール温度は、２０００℃〜２３００℃の範囲であることが望ましい。
【００２７】
また、モリブデン箔７は、イットリア（Ｙ２Ｏ３）をドープしたモリブデンで構成されるとともに、ガラス管のモリブデン箔７を含む領域を例えば２０００〜２３００℃という高温度でピンチシールすることで、再結晶化したモリブデン箔の再結晶粒子が微細化された構造となっている。そして、このピンチシール部１３におけるモリブデン箔の再結晶粒子の微細化構造は、点灯時と消灯時においてガラスとモリブデン箔の界面に発生する熱応力を吸収して、箔浮きを阻止する上で有効である。
【００２８】
次に、図１に示すチップレス密閉ガラス球１２をもつアークチューブ１０の製造工程を、図７に基づいて説明する。
【００２９】
まず、直線状延出部ｗ1 の途中に球状膨出部ｗ2 の形成されたガラス管Ｗを予め製造しておく。一方、表面粗面化エッチング処理（酸化・還元処理）したモリブデン箔（微小凹凸形状の粗面７ｃが表面に形成されたモリブデン箔）７に電極棒６およびリード線８を溶接一体化した電極アッシーＡ、Ａ’も予め用意しておく。そして、図７（ａ）に示されるように、ガラス管Ｗを垂直に保持し、ガラス管Ｗの下方の開口端側から、電極アッシーＡを挿入して所定位置に保持するとともに、ガラス管Ｗの上方開口端に不活性ガス（アルゴンガスまたは窒素ガス）供給ノズル４０を差し込む。さらに、ガラス管Ｗの下端部を不活性ガス（アルゴンガスまたは窒素ガス）供給パイプ５０内に挿入する。
【００３０】
ノズル４０から供給される不活性ガスは、ピンチシール時の電極アッシーＡが酸化されるのを防止するためのものである。ガス供給パイプ５０から供給される不活性ガスは、ピンチシールの際、およびピンチシール後のリード線８が高温状態にある間、リード線８を不活性ガス雰囲気に保持して、リード線８の酸化を防止するものである。なお図７（ａ）における符号４２，５２は不活性ガスの充填されたガスボンベ、符号４４，５４はガス圧調整器、符号２２はガラス管把持部材である。
【００３１】
そして、図７（ａ）に示されるように、ノズル４０から不活性ガスをガラス管Ｗ内に供給しつつ、さらに、パイプ５０から不活性ガスをガラス管Ｗの下端部に供給しつつ、直線状延出部ｗ1 における球状膨出部ｗ2 の近傍位置（モリブデン箔７を含む位置）をバーナ２４ａで２１００℃に加熱し、ピンチャー２６ａでモリブデン箔７のリード線８接続側を仮ピンチシールする。
【００３２】
次に、仮ピンチシールが終わると、図７（ｂ）に示されるように、真空ポンプ（図示せず）によって、ガラス管Ｗ内を真空（４００Ｔｏｒｒ以下の圧力）に保持し、バーナ２４ｂで２１００℃に加熱し、ピンチャー２６ｂでモリブデン箔７を含む未ピンチシール部を本ピンチシールする。なお、ガラス管Ｗ内に作用させる真空度は、４００Ｔｏｒｒ〜４×１０-3Ｔｏｒｒが望ましい。
【００３３】
これにより、一次ピンチシール部１３Ａでは、ガラス層１５が電極アッシーＡを構成する電極棒６とモリブデン箔７とリード線８に密着した状態となる。特に、本ピンチシールされた部位では、ガラス層が電極棒６とモリブデン箔７に隙間なく密着して十分に馴染むため、ガラス層とモリブデン箔７（電極棒６）間が強固に接合された形態となる。これにより、一次ピンチシール部１３Ａにおけるモリブデン箔７と石英ガラスとは、モリブデン箔７の粗面７ｃの微小凹凸内にガラスが隙間なく充填された機械的接合強度の高い形態で接合一体化される。
【００３４】
なお、この本ピンチシール工程においても、ガラス管Ｗの下方開口部を不活性ガス（アルゴンガスまたは窒素ガス）雰囲気に保持することで、リード線８の酸化を防ぐことができる。
次に、図７（ｃ）に示されるように、ガラス管Ｗの上方の開口端側から、球状膨出部ｗ2 に発光物質Ｐ等を投入する。さらに、表面粗面化エッチング処理（酸化・還元処理）されたモリブデン箔（微小凹凸形状の粗面７ｃが表面に形成されたモリブデン箔）７に電極棒６およびリード線８を溶接一体化した他の電極アッシーＡ’を挿入して所定位置に保持する。
【００３５】
リード線８には、長手方向途中にＷ字形状の屈曲部８ｂが設けられており、この屈曲部８ｂがガラス管Ｗの内周面に圧接された形態となって、直線状延出部ｗ1の長手方向所定位置に電極アッシーＡ’を位置決め保持することができる。
【００３６】
そしてガラス管Ｗ内を排気した後、図７（ｄ）に示されるように、ガラス管Ｗ内にキセノンガスを供給しつつ、ガラス管Ｗの上方所定部位をチップオフすることで、ガラス管Ｗ内に電極アッシーＡ’を仮止めし、かつ発光物質等を封止する。符号Ｗ3は、チップオフ部を示す。
【００３７】
その後、図７（ｅ）に示すように、発光物質Ｐ等が気化しないように球状膨出部ｗ2 を液体窒素（ＬＮ２）で冷却しながら、直線状延出部ｗ1 における球状膨出部ｗ2 の近傍位置（モリブデン箔を含む位置）をバーナー２４で２１００℃に加熱し、ピンチャー２６ｃで二次ピンチシールして、球状膨出部ｗ2 を密封することで、電極６，６が対設され発光物質Ｐ等が封止されたチップレス密閉ガラス球１２をもつアークチューブ１０ができ上がる。
【００３８】
なお、二次ピンチシール工程では、一次ピンチシール工程の本ピンチシールのように、真空ポンプでガラス管Ｗ内を負圧にするまでもなく、ガラス管Ｗ内に封止されているキセノンガスを液化させることによりガラス管Ｗ内は負圧（約４００Ｔｏｒｒ）に保持されるので、二次ピンチシール１３Ｂ部におけるガラス層の電極アッシーＡ’（電極棒６，モリブデン箔７，リード線８）への密着度は優れたものとなっている。
【００３９】
即ち、一次ピンチシール工程における本ピンチシールの場合と同様、加熱されて軟化したガラス層には、ピンチャー２６ｃの押圧力に加えて負圧も作用するため、ガラス層が電極棒６，モリブデン箔７，リード線８に隙間なく密着して馴染み、ガラス層と電極棒６，モリブデン箔７，リード線８間は強固に接合された形態となる。特に、この二次ピンチシール部１３Ｂにおいても、下方の一次ピンチシール部１３Ａと同様、モリブデン箔７と石英ガラスとが、モリブデン箔７の表面７ｃの微小凹凸内にガラスが隙間なく充填された機械的接合強度の高い形態で接合一体化される。そして最後に、ガラス管の端部を所定の長さだけ切断することにより、図１に示すアークチューブ１０が得られる。
【００４０】
なお、実際には、アークチューブ１０にシュラウドガラスＧを溶着して、シュラウドガラスＧとアークチューブ１０間に不活性ガスを封入する工程があるが、このシュラウドガラス溶着・不活性ガス封入工程は、図８に示すアークチューブを製造する過程で用いられているシュラウドガラス溶着・不活性ガス封入工程と何ら変わるものではなく、またアークチューブ１０を製造する工程には直接関係がないので、その説明は省略する。
【００４１】
また、前記実施例では、一次ピンチシール後、二次ピンチシールする前に、ガラス管をチップオフして発光物質等をガラス管内に封止するようになっているが、一次ピンチシール後にガラス管をチップオフすることなく、直接ピンチシールすることで、発光物質等を封止するようにしてもよい。
【００４２】
また、前記実施例では、モリブデン箔の表面粗面化エッチング処理として、モリブデン箔を酸化処理炉で酸化処理した後に還元処理炉で還元処理するように構成されているが、酸素・水素バーナによってモリブデン箔を直接加熱し酸化と還元とを同時に行うように構成してもよく、このようにすれば、モリブデン箔の表面粗面化エッチング処理工程が短縮される。
【００４３】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１に係る放電ランプアークチューブによれば、ピンチシール部における石英ガラスとモリブデン箔との界面における密着性、即ち機械的接合強度が改善されて、ピンチシール部における箔浮きが確実に防止され、それだけアークチューブの高寿命化が達成される。
【００４４】
請求項２に係る放電ランプアークチューブの製造方法によれば、ピンチシール部における石英ガラスとモリブデン箔との界面における密着性、即ち機械的接合強度が改善されて、ピンチシール部における箔浮きの生じない長寿命のアークチューブを提供できる。
【００４５】
請求項３，４によれば、モリブデン箔の機械的強度が確保されて、製造されるアークチューブの歩留まりが向上する。
【００４６】
請求項５によれば、ピンチシール部における石英ガラスがモリブデン箔表面の微小凹凸内に隙間なく確実に充填した形態となって、石英ガラスとモリブデン箔との界面における密着性、即ち機械的接合強度が向上し、ピンチシール部における箔浮きが確実に防止され、それだけアークチューブの長寿命化が確実に達成される。
【００４７】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例であるアークチューブの縦断面図である。
【図２】アークチューブのピンチシール部の水平断面図である。
【図３】モリブデン箔が酸化処理および還元処理されてその表面形状が変化する様子を示す図で、（ａ）は酸化処理前のモリブデン箔の断面図、（ｂ）は酸化処理後のモリブデン箔の断面図、（ｃ）は酸化処理後に還元処理したモリブデン箔の断面図、（ｄ）はピンチシール部におけるモリブデン箔と石英ガラス界面近傍の断面図である。
【図４】モリブデン箔の酸化条件と酸素原子数濃度・外観の変化を表で示す図である。
【図５】図４の図表をグラフで示す図である。
【図６】モリブデン箔の処理条件と酸素原子数濃度とモリブデン箔表面の凹凸形状および外観の変化を表で示す図である。
【図７】アークチューブの製造工程説明図で、（ａ）は一次ピンチシール（仮ピンチシール）工程説明図、 （ｂ）は一次ピンチシール（本ピンチシール）工程説明図、（ｃ）は発光物質等の投入工程説明図、（ｄ）はチップオフ工程説明図、（ｅ）はチップオフ工程説明図である。
【図８】従来の放電ランプの断面図である。
【符号の説明】
６ 電極棒
７ モリブデン箔
７ａ 酸化膜
７ｂ 酸化処理したモリブデン箔表面の微小凹凸粗面
７ｃ 酸化・還元処理したモリブデン箔表面の微小凹凸粗面
８ リード線
１０ アークチューブ
１２ チップレス密閉ガラス球
１３ ピンチシール部
１３Ａ 一次ピンチシール部
１３Ｂ 二次ピンチシール部
Ｗ アークチューブ用ガラス管
ｗ1 ガラス管の直線状延出部
ｗ2 ガラス管の球状膨出部
Ａ，Ａ’ 電極アッシー
Claims (5)
- 電極棒とモリブデン箔とリード線を直列に接続一体化した電極アッシーのモリブデン箔を含む領域がガラスによってピンチシールされて、発光物質等を封入した密閉ガラス球内に電極が対設された放電ランプアークチューブにおいて、前記ピンチシール部に封着されたモリブデン箔の表面が、酸化と還元からなるエッチング処理を施した粗面で構成されたことを特徴とする放電ランプアークチューブ。
- 電極棒とモリブデン箔とリード線を直列に接続一体化した電極アッシーのモリブデン箔を含む領域をガラスによってピンチシールして、電極が対設され発光物質等が封入された密閉ガラス球をもつアークチューブを製造する放電ランプアークチューブの製造方法において、前記電極アッシーを構成するモリブデン箔に、酸化処理と還元処理する表面粗面化エッチング処理を施したことを特徴とする放電ランプアークチューブの製造方法。
- 前記モリブデン箔の酸化処理温度が、３００℃〜５００℃の範囲内に設定されたことを特徴とする請求項２記載の放電ランプアークチューブの製造方法。
- 前記酸化処理におけるモリブデン箔の酸素原子数濃度（モリブデン箔表面における酸素原子が占める割合）が、５０％〜８０％の範囲内、好ましくは６０％〜７０％の範囲内に設定されたことを特徴とする請求項２または３に記載の放電ランプアークチューブの製造方法。
- 前記石英ガラス管のピンチシール温度が、２０００℃〜２３００℃の範囲となるように設定されたことを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の放電ランプアークチューブの製造方法。
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| DE19603300C2 (de) * | 1996-01-30 | 2001-02-22 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Elektrische Lampe mit Molybdänfoliendurchführungen für ein Lampengefäß aus Quarzglas |
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