JP2001308221A - モジュール基板の製造方法 - Google Patents
モジュール基板の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 モジュール基板に反りが生じる場合であって
も端面電極をマザーボードに確実に接続できるモジュー
ル基板を製造する。 【解決手段】 分離基板６と残余の加工用基板１Ｃとに
分離した加工用基板１の裏面１Ｂに閉塞板７を取付け
る。そして、分離基板６の裏面電極４上にはクリーム半
田８を塗布した後、このクリーム半田８に半田ボール１
０を取付ける。この状態で分離基板６等を加熱し、半田
ボール１０を溶融させる。これにより、溶融した半田ボ
ール１０は、裏面電極４、端面電極５に沿って貫通孔２
内に侵入し、その一部が加工用基板１の裏面１Ｂよりも
突出した状態で裏面電極４、端面電極５に固着すること
ができる。
も端面電極をマザーボードに確実に接続できるモジュー
ル基板を製造する。 【解決手段】 分離基板６と残余の加工用基板１Ｃとに
分離した加工用基板１の裏面１Ｂに閉塞板７を取付け
る。そして、分離基板６の裏面電極４上にはクリーム半
田８を塗布した後、このクリーム半田８に半田ボール１
０を取付ける。この状態で分離基板６等を加熱し、半田
ボール１０を溶融させる。これにより、溶融した半田ボ
ール１０は、裏面電極４、端面電極５に沿って貫通孔２
内に侵入し、その一部が加工用基板１の裏面１Ｂよりも
突出した状態で裏面電極４、端面電極５に固着すること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半田付けによって
マザーボードと電気的に接続するためのモジュール基板
の製造方法に関する。
マザーボードと電気的に接続するためのモジュール基板
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子回路の高密度化が進んでいる
ため、その組立時には、中間検査の重要性、実装の容易
性等の観点から、電子回路の一部を予めモジュール基板
上にサブアッセンブリ化した後に、このモジュール基板
を半田付け等の手段によってマザーボード上に実装する
ことがある（例えば、特開昭６３−２０４６９３号公報
等）。
ため、その組立時には、中間検査の重要性、実装の容易
性等の観点から、電子回路の一部を予めモジュール基板
上にサブアッセンブリ化した後に、このモジュール基板
を半田付け等の手段によってマザーボード上に実装する
ことがある（例えば、特開昭６３−２０４６９３号公報
等）。
【０００３】この種の従来技術によるモジュール基板
は、例えば四角形状の薄板からなる絶縁性の基板を有
し、この基板は、絶縁性樹脂材料と導体からなる配線パ
ターンとを交互に積層することによって形成されてい
る。
は、例えば四角形状の薄板からなる絶縁性の基板を有
し、この基板は、絶縁性樹脂材料と導体からなる配線パ
ターンとを交互に積層することによって形成されてい
る。
【０００４】そして、基板上には、電子部品として例え
ばトランジスタ等の能動素子、または抵抗、コンデンサ
等の受動素子が搭載され、これらの素子は配線パターン
によって接続された電子回路を構成している。また、基
板の外周縁を形成する端面には、この電子回路に対して
外部回路であるマザーボード側から電力の供給や信号の
入出力等を行うために端面電極等からなる端面スルーホ
ールが複数個設けられている。
ばトランジスタ等の能動素子、または抵抗、コンデンサ
等の受動素子が搭載され、これらの素子は配線パターン
によって接続された電子回路を構成している。また、基
板の外周縁を形成する端面には、この電子回路に対して
外部回路であるマザーボード側から電力の供給や信号の
入出力等を行うために端面電極等からなる端面スルーホ
ールが複数個設けられている。
【０００５】これにより、モジュール基板には、マザー
ボード側から入力される信号に対して、所定の信号処理
機能をもつようにブロック化された電子回路が予め組立
てられている。そして、実装時には、モジュール基板が
マザーボード上に重ね合わせるように配置され、各端面
電極がマザーボード側の電極パッドに半田付け等の手段
を用いて接続され、マザーボード上に面実装状態で搭載
される。
ボード側から入力される信号に対して、所定の信号処理
機能をもつようにブロック化された電子回路が予め組立
てられている。そして、実装時には、モジュール基板が
マザーボード上に重ね合わせるように配置され、各端面
電極がマザーボード側の電極パッドに半田付け等の手段
を用いて接続され、マザーボード上に面実装状態で搭載
される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来技術によるモジュール基板では、樹脂材料等からなる
四角形状の絶縁性の基板を用い、この基板は絶縁性樹脂
材料と配線パターンとを交互に積層することによって形
成している。
来技術によるモジュール基板では、樹脂材料等からなる
四角形状の絶縁性の基板を用い、この基板は絶縁性樹脂
材料と配線パターンとを交互に積層することによって形
成している。
【０００７】しかし、基板の樹脂材料と配線パターンと
では熱膨張率が異なるため、例えば基板の加工時、端面
電極の半田付けに伴う基板への加熱時等には、配線パタ
ーンの配置、密度の偏り等が原因となって基板の一部に
反り等の変形が生じることがある。
では熱膨張率が異なるため、例えば基板の加工時、端面
電極の半田付けに伴う基板への加熱時等には、配線パタ
ーンの配置、密度の偏り等が原因となって基板の一部に
反り等の変形が生じることがある。
【０００８】このため、従来技術では、モジュール基板
をマザーボード上に面実装するときに、反りによって基
板がマザーボードから部分的に浮き上がることがあるた
め、一部の端面電極が接続不良となる虞れがあり、信頼
性が低下するという問題がある。特に、近年はモジュー
ル基板を可能な限り薄型化する傾向があり、その基板は
僅かな加熱等でも反りが生じ易いため、モジュール基板
をマザーボード上に安定して面実装するのが難しくなっ
ている。
をマザーボード上に面実装するときに、反りによって基
板がマザーボードから部分的に浮き上がることがあるた
め、一部の端面電極が接続不良となる虞れがあり、信頼
性が低下するという問題がある。特に、近年はモジュー
ル基板を可能な限り薄型化する傾向があり、その基板は
僅かな加熱等でも反りが生じ易いため、モジュール基板
をマザーボード上に安定して面実装するのが難しくなっ
ている。
【０００９】本発明は上述した従来技術の問題に鑑みな
されたもので、本発明の目的は、モジュール基板に反り
が生じるときであっても端面電極をマザーボートに接合
することができるモジュール基板の製造方法を提供する
ことにある。
されたもので、本発明の目的は、モジュール基板に反り
が生じるときであっても端面電極をマザーボートに接合
することができるモジュール基板の製造方法を提供する
ことにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１の発明によるモジュール基板の製造方
法は、加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通孔の周囲に
位置して前記加工用基板の裏面には裏面電極を設け、前
記貫通孔の内壁面の一部または全部には該裏面電極に接
続して端面電極を設け、前記貫通孔を通って切断するこ
とにより加工用基板から前記端面電極と裏面電極とを有
する分離基板と残余の加工用基板とを形成し、前記貫通
孔の周囲には酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該
粘着物質には固形半田を取付け、前記分離基板と残余の
加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融した
固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化するように
したことにある。
ために、請求項１の発明によるモジュール基板の製造方
法は、加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通孔の周囲に
位置して前記加工用基板の裏面には裏面電極を設け、前
記貫通孔の内壁面の一部または全部には該裏面電極に接
続して端面電極を設け、前記貫通孔を通って切断するこ
とにより加工用基板から前記端面電極と裏面電極とを有
する分離基板と残余の加工用基板とを形成し、前記貫通
孔の周囲には酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該
粘着物質には固形半田を取付け、前記分離基板と残余の
加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融した
固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化するように
したことにある。
【００１１】このように構成することにより、加工用基
板から前記端面電極と裏面電極とを有する分離基板と残
余の加工用基板とを形成するときに、分離基板を残余の
加工用基板に埋め戻すことによって分離基板と残余の加
工用基板との間には貫通孔を再度形成することができ
る。これにより、端面電極に半田を固着する前に加工用
基板から分離基板を分離することができる。
板から前記端面電極と裏面電極とを有する分離基板と残
余の加工用基板とを形成するときに、分離基板を残余の
加工用基板に埋め戻すことによって分離基板と残余の加
工用基板との間には貫通孔を再度形成することができ
る。これにより、端面電極に半田を固着する前に加工用
基板から分離基板を分離することができる。
【００１２】また、貫通孔の周囲に酸化膜除去成分を含
む粘着物質を設け、該粘着物質に固形半田を取付けるか
ら、粘着物質によって固定半田を位置決めした状態で固
定できる。さらに、分離基板と残余の加工用基板とを加
熱したときには、粘着物質が触媒として作用するから、
固形半田は粘着物質に接触した部位から溶融して貫通孔
内に侵入する。このとき、貫通孔には端面電極が設けら
れているから、溶融した固形半田は端面電極に付着する
と共に、その一部が端面電極を通じて裏面電極を覆うよ
うに移動する。
む粘着物質を設け、該粘着物質に固形半田を取付けるか
ら、粘着物質によって固定半田を位置決めした状態で固
定できる。さらに、分離基板と残余の加工用基板とを加
熱したときには、粘着物質が触媒として作用するから、
固形半田は粘着物質に接触した部位から溶融して貫通孔
内に侵入する。このとき、貫通孔には端面電極が設けら
れているから、溶融した固形半田は端面電極に付着する
と共に、その一部が端面電極を通じて裏面電極を覆うよ
うに移動する。
【００１３】また、溶融した固形半田は、その表面張力
によって略球形状となって端面電極と裏面電極とに付着
するから、半田の一部が貫通孔から突出する。そして、
加工用基板から予め分離してある分離基板を取外したと
きには、分離基板等がモジュール基板をなすと共に、モ
ジュール基板の裏面側からマザーボードに向けて半田を
突出させることができる。このため、突出した半田によ
ってモジュール基板とマザーボードとの間の隙間を吸収
し、モジュール基板の端面電極とマザーボードの電極パ
ッドとを接続することができる。
によって略球形状となって端面電極と裏面電極とに付着
するから、半田の一部が貫通孔から突出する。そして、
加工用基板から予め分離してある分離基板を取外したと
きには、分離基板等がモジュール基板をなすと共に、モ
ジュール基板の裏面側からマザーボードに向けて半田を
突出させることができる。このため、突出した半田によ
ってモジュール基板とマザーボードとの間の隙間を吸収
し、モジュール基板の端面電極とマザーボードの電極パ
ッドとを接続することができる。
【００１４】この場合、請求項２の発明のように、加工
用基板の裏面に裏面電極を設け、前記加工用基板には該
裏面電極の位置に貫通孔を穿設し、該貫通孔の内壁面の
一部または全部には該裏面電極に接続して端面電極を設
け、前記貫通孔を通って切断することにより加工用基板
から前記端面電極と裏面電極とを有する分離基板と残余
の加工用基板とを形成し、前記貫通孔の周囲には酸化膜
除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物質には固形半
田を取付け、前記分離基板と残余の加工用基板とを加熱
して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極
と裏面電極とに冷却固化するようにしてもよい。
用基板の裏面に裏面電極を設け、前記加工用基板には該
裏面電極の位置に貫通孔を穿設し、該貫通孔の内壁面の
一部または全部には該裏面電極に接続して端面電極を設
け、前記貫通孔を通って切断することにより加工用基板
から前記端面電極と裏面電極とを有する分離基板と残余
の加工用基板とを形成し、前記貫通孔の周囲には酸化膜
除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物質には固形半
田を取付け、前記分離基板と残余の加工用基板とを加熱
して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極
と裏面電極とに冷却固化するようにしてもよい。
【００１５】また、請求項３の発明は、前記加工用基板
を切断する前に残余の加工用基板側の裏面電極および貫
通孔の内壁面に設けた端面電極を除去する構成としたこ
とにある。
を切断する前に残余の加工用基板側の裏面電極および貫
通孔の内壁面に設けた端面電極を除去する構成としたこ
とにある。
【００１６】これにより、溶融した固形半田が残余の加
工用基板に付着するのを防ぐことができ、溶融した固形
半田を冷却固化した後に、分離基板を容易に残余の加工
用基板から取外すことができる。
工用基板に付着するのを防ぐことができ、溶融した固形
半田を冷却固化した後に、分離基板を容易に残余の加工
用基板から取外すことができる。
【００１７】この場合、請求項４の発明のように、粘着
物質を端面電極に接触して分離基板の表面に設ける構成
としてもよい。
物質を端面電極に接触して分離基板の表面に設ける構成
としてもよい。
【００１８】これにより、粘着物質に固形半田を取付け
て分離基板等を加熱したときには、固形半田は粘着物質
に接触した部位から溶融する。このとき、粘着物質は端
面電極に接触しているから、溶融した固形半田は、端面
電極に付着すると共に、その一部が端面電極を通じて裏
面電極を覆うように移動する。この結果、端面電極と裏
面電極とに半田を固着することができる。
て分離基板等を加熱したときには、固形半田は粘着物質
に接触した部位から溶融する。このとき、粘着物質は端
面電極に接触しているから、溶融した固形半田は、端面
電極に付着すると共に、その一部が端面電極を通じて裏
面電極を覆うように移動する。この結果、端面電極と裏
面電極とに半田を固着することができる。
【００１９】また、請求項５の発明は、粘着物質を裏面
電極に接触して分離基板の裏面に設ける構成としたこと
にある。
電極に接触して分離基板の裏面に設ける構成としたこと
にある。
【００２０】これにより、粘着物質に固形半田を取付け
て分離基板等を加熱したときには、固形半田は粘着物質
に接触した部位から溶融する。このとき、粘着物質は裏
面電極に接触しているから、溶融した固形半田は裏面電
極に付着すると共に、その一部が裏面電極を通じて端面
電極に達する。この結果、端面電極と裏面電極とに半田
を固着することができる。
て分離基板等を加熱したときには、固形半田は粘着物質
に接触した部位から溶融する。このとき、粘着物質は裏
面電極に接触しているから、溶融した固形半田は裏面電
極に付着すると共に、その一部が裏面電極を通じて端面
電極に達する。この結果、端面電極と裏面電極とに半田
を固着することができる。
【００２１】また、請求項６の発明は、粘着物質を貫通
孔の開口近傍に位置して残余の加工用基板の表面または
裏面に設ける構成としたことにある。
孔の開口近傍に位置して残余の加工用基板の表面または
裏面に設ける構成としたことにある。
【００２２】これにより、粘着物質に固形半田を取付け
て分離基板等を加熱したときには、固形半田は粘着物質
に接触した部位から溶融する。このとき、粘着物質は貫
通孔の開口近傍に位置しているから、溶融した固形半田
は貫通孔の開口付近に拡がると共に貫通孔内に侵入す
る。そして、溶融した固形半田は、貫通孔内の端面電極
に接触して付着すると共に、その一部が端面電極を通じ
て裏面電極に達する。この結果、端面電極と裏面電極と
に半田を固着することができる。
て分離基板等を加熱したときには、固形半田は粘着物質
に接触した部位から溶融する。このとき、粘着物質は貫
通孔の開口近傍に位置しているから、溶融した固形半田
は貫通孔の開口付近に拡がると共に貫通孔内に侵入す
る。そして、溶融した固形半田は、貫通孔内の端面電極
に接触して付着すると共に、その一部が端面電極を通じ
て裏面電極に達する。この結果、端面電極と裏面電極と
に半田を固着することができる。
【００２３】また、請求項７の発明は、固形半田を貫通
孔を閉塞した状態で粘着物質に取付ける構成としたこと
にある。
孔を閉塞した状態で粘着物質に取付ける構成としたこと
にある。
【００２４】これにより、加熱によって固形半田が溶融
したときには、溶融した固形半田は貫通孔内に流れ込む
から、貫通孔内の端面電極に確実に半田を付着させるこ
とができる。
したときには、溶融した固形半田は貫通孔内に流れ込む
から、貫通孔内の端面電極に確実に半田を付着させるこ
とができる。
【００２５】さらに、請求項８の発明によるモジュール
基板の製造方法は、加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫
通孔の周囲に位置して前記加工用基板の裏面には裏面電
極を設け、前記貫通孔の内壁面の一部または全部には該
裏面電極に接続して端面電極を設け、前記貫通孔を通っ
て切断することにより加工用基板から前記端面電極と裏
面電極とを有する分離基板と残余の加工用基板とを形成
し、前記端面電極に固形半田を取付け、該固形半田を端
面電極に取付ける前，後のいずれかで該固形半田に酸化
膜除去成分を含む粘着物質を設け、前記分離基板と残余
の加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融し
た固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化するよう
にしたことにある。
基板の製造方法は、加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫
通孔の周囲に位置して前記加工用基板の裏面には裏面電
極を設け、前記貫通孔の内壁面の一部または全部には該
裏面電極に接続して端面電極を設け、前記貫通孔を通っ
て切断することにより加工用基板から前記端面電極と裏
面電極とを有する分離基板と残余の加工用基板とを形成
し、前記端面電極に固形半田を取付け、該固形半田を端
面電極に取付ける前，後のいずれかで該固形半田に酸化
膜除去成分を含む粘着物質を設け、前記分離基板と残余
の加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融し
た固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化するよう
にしたことにある。
【００２６】これにより、端面電極に固形半田を取付け
て分離基板等を加熱したときには、固形半田は端面電極
に付着しつつ溶融する。このとき、溶融した固形半田
は、その一部が端面電極を通じて裏面電極を覆うように
移動する。この結果、端面電極と裏面電極とに半田を固
着することができる。
て分離基板等を加熱したときには、固形半田は端面電極
に付着しつつ溶融する。このとき、溶融した固形半田
は、その一部が端面電極を通じて裏面電極を覆うように
移動する。この結果、端面電極と裏面電極とに半田を固
着することができる。
【００２７】この場合、請求項９の発明のように、加工
用基板の裏面には裏面電極を設け、前記加工用基板には
該裏面電極の位置に貫通孔を穿設し、該貫通孔の内壁面
の一部または全部には該裏面電極に接続して端面電極を
設け、前記貫通孔を通って切断することにより加工用基
板から前記端面電極と裏面電極とを有する分離基板と残
余の加工用基板とを形成し、前記端面電極に固形半田を
取付け、該固形半田を端面電極に取付ける前，後のいず
れかで該固形半田に酸化膜除去成分を含む粘着物質を設
け、前記分離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固
形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電
極とに冷却固化するようにしてもよい。
用基板の裏面には裏面電極を設け、前記加工用基板には
該裏面電極の位置に貫通孔を穿設し、該貫通孔の内壁面
の一部または全部には該裏面電極に接続して端面電極を
設け、前記貫通孔を通って切断することにより加工用基
板から前記端面電極と裏面電極とを有する分離基板と残
余の加工用基板とを形成し、前記端面電極に固形半田を
取付け、該固形半田を端面電極に取付ける前，後のいず
れかで該固形半田に酸化膜除去成分を含む粘着物質を設
け、前記分離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固
形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電
極とに冷却固化するようにしてもよい。
【００２８】また、請求項１０の発明は、前記加工用基
板を切断する前に残余の加工用基板側の裏面電極および
貫通孔の内壁面に設けた端面電極を除去する構成とした
ことにある。
板を切断する前に残余の加工用基板側の裏面電極および
貫通孔の内壁面に設けた端面電極を除去する構成とした
ことにある。
【００２９】これにより、溶融した固形半田が残余の加
工用基板に付着するのを防ぐことができ、溶融した固形
半田を冷却固化した後に、分離基板を容易に残余の加工
用基板から取外すことができる。
工用基板に付着するのを防ぐことができ、溶融した固形
半田を冷却固化した後に、分離基板を容易に残余の加工
用基板から取外すことができる。
【００３０】また、請求項１１の発明では、固形半田
は、前記貫通孔を閉塞し、または前記貫通孔内に収容す
る構成としている。
は、前記貫通孔を閉塞し、または前記貫通孔内に収容す
る構成としている。
【００３１】これにより、貫通孔によって固形半田を位
置決めすることができると共に、固形半田を溶融させた
ときには、容易に貫通孔の内壁面に設けた端面電極に溶
融した固形半田を付着させることができる。
置決めすることができると共に、固形半田を溶融させた
ときには、容易に貫通孔の内壁面に設けた端面電極に溶
融した固形半田を付着させることができる。
【００３２】一方、請求項１２によるモジュール基板の
製造方法は、加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通孔の
周囲に位置して前記加工用基板の裏面には裏面電極を設
け、前記貫通孔の内壁面には前記裏面電極に接続して端
面電極を設け、前記加工用基板には前記貫通孔の一部を
除去してスリット孔を設けることによって該スリット孔
に囲まれ端面電極と裏面電極とを有する非分離基板を形
成し、前記端面電極の周囲には酸化膜除去成分を含む粘
着物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付け、前記
非分離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固形半田
を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに
冷却固化し、その後スリット孔の位置で加工用基板から
非分離基板をモジュール基板として分離する構成とした
ことにある。
製造方法は、加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通孔の
周囲に位置して前記加工用基板の裏面には裏面電極を設
け、前記貫通孔の内壁面には前記裏面電極に接続して端
面電極を設け、前記加工用基板には前記貫通孔の一部を
除去してスリット孔を設けることによって該スリット孔
に囲まれ端面電極と裏面電極とを有する非分離基板を形
成し、前記端面電極の周囲には酸化膜除去成分を含む粘
着物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付け、前記
非分離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固形半田
を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに
冷却固化し、その後スリット孔の位置で加工用基板から
非分離基板をモジュール基板として分離する構成とした
ことにある。
【００３３】このように構成することにより、加工用基
板にスリット孔を設けることによって端面電極と裏面電
極とを有する非分離基板を形成することができる。そし
て、端面電極の周囲に酸化膜除去成分を含む粘着物質を
設け、該粘着物質に固形半田を取付けるから、粘着物質
によって固定半田を端面電極に周囲に位置決めした状態
で固定できる。また、非分離基板と残余の加工用基板と
を加熱したときには、粘着物質が触媒として機能するか
ら、固形半田は粘着物質に接触した部位から溶融して貫
通孔内に侵入する。このとき、貫通孔内には端面電極が
設けられているから、溶融した固形半田は端面電極に付
着すると共に、その一部が端面電極を通じて裏面電極を
覆うように移動する。また、溶融した固形半田は、その
表面張力によって略球形状となって端面電極と裏面電極
とに付着するから、半田の一部を貫通孔から突出させる
ことができる。
板にスリット孔を設けることによって端面電極と裏面電
極とを有する非分離基板を形成することができる。そし
て、端面電極の周囲に酸化膜除去成分を含む粘着物質を
設け、該粘着物質に固形半田を取付けるから、粘着物質
によって固定半田を端面電極に周囲に位置決めした状態
で固定できる。また、非分離基板と残余の加工用基板と
を加熱したときには、粘着物質が触媒として機能するか
ら、固形半田は粘着物質に接触した部位から溶融して貫
通孔内に侵入する。このとき、貫通孔内には端面電極が
設けられているから、溶融した固形半田は端面電極に付
着すると共に、その一部が端面電極を通じて裏面電極を
覆うように移動する。また、溶融した固形半田は、その
表面張力によって略球形状となって端面電極と裏面電極
とに付着するから、半田の一部を貫通孔から突出させる
ことができる。
【００３４】この場合、請求項１３の発明のように、加
工用基板の裏面に裏面電極を設け、前記加工用基板には
該裏面電極の位置に貫通孔を穿設し、該貫通孔の内壁面
には前記裏面電極に接続して端面電極を設け、前記加工
用基板には前記貫通孔の一部を除去してスリット孔を設
けることによって該スリット孔に囲まれ端面電極と裏面
電極とを有する非分離基板を形成し、前記端面電極の周
囲には酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物
質には固形半田を取付け、前記非分離基板と残余の加工
用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形
半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、その後スリ
ット孔の位置で加工用基板から非分離基板をモジュール
基板として分離する構成としてもよい。
工用基板の裏面に裏面電極を設け、前記加工用基板には
該裏面電極の位置に貫通孔を穿設し、該貫通孔の内壁面
には前記裏面電極に接続して端面電極を設け、前記加工
用基板には前記貫通孔の一部を除去してスリット孔を設
けることによって該スリット孔に囲まれ端面電極と裏面
電極とを有する非分離基板を形成し、前記端面電極の周
囲には酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物
質には固形半田を取付け、前記非分離基板と残余の加工
用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形
半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、その後スリ
ット孔の位置で加工用基板から非分離基板をモジュール
基板として分離する構成としてもよい。
【００３５】また、請求項１４の発明のように、粘着物
質を端面電極に接触して非分離基板の表面に設ける構成
としてもよい。
質を端面電極に接触して非分離基板の表面に設ける構成
としてもよい。
【００３６】これにより、粘着物質に固形半田を取付け
て非分離基板等を加熱したときには、固形半田は粘着物
質に接触した部位から溶融する。このとき、粘着物質は
端面電極に接触しているから、溶融した固形半田は、端
面電極に付着すると共に、その一部が端面電極を通じて
裏面電極に達する。この結果、端面電極と裏面電極とに
半田を固着することができる。
て非分離基板等を加熱したときには、固形半田は粘着物
質に接触した部位から溶融する。このとき、粘着物質は
端面電極に接触しているから、溶融した固形半田は、端
面電極に付着すると共に、その一部が端面電極を通じて
裏面電極に達する。この結果、端面電極と裏面電極とに
半田を固着することができる。
【００３７】また、請求項１５の発明は、粘着物質を裏
面電極に接触して非分離基板の裏面に設ける構成とした
ことがある。
面電極に接触して非分離基板の裏面に設ける構成とした
ことがある。
【００３８】これにより、粘着物質に固形半田を取付け
て非分離基板等を加熱したときには、固形半田は粘着物
質に接触した部位から溶融する。このとき、粘着物質は
裏面電極に接触しているから、溶融した固形半田は裏面
電極に付着すると共に、その一部が裏面電極を通じて端
面電極に達する。この結果、端面電極と裏面電極とに半
田を固着することができる。
て非分離基板等を加熱したときには、固形半田は粘着物
質に接触した部位から溶融する。このとき、粘着物質は
裏面電極に接触しているから、溶融した固形半田は裏面
電極に付着すると共に、その一部が裏面電極を通じて端
面電極に達する。この結果、端面電極と裏面電極とに半
田を固着することができる。
【００３９】また、請求項１６の発明は、固形半田は端
面電極に対応した位置でスリット孔の一部を閉塞した状
態で粘着物質に取付ける構成としたことにある。
面電極に対応した位置でスリット孔の一部を閉塞した状
態で粘着物質に取付ける構成としたことにある。
【００４０】これにより、加熱によって固形半田が溶融
したときには、溶融した固形半田は端面電極に対応した
位置でスリット孔内に侵入するから、スリット孔内に露
出した端面電極に確実に溶融した固形半田を付着させる
ことができる。
したときには、溶融した固形半田は端面電極に対応した
位置でスリット孔内に侵入するから、スリット孔内に露
出した端面電極に確実に溶融した固形半田を付着させる
ことができる。
【００４１】さらに、請求項１７の発明によるモジュー
ル基板の製造方法は、加工用基板に貫通孔を穿設し、該
貫通孔の周囲に位置して前記加工用基板の裏面には裏面
電極を設け、前記貫通孔の内壁面には前記裏面電極に接
続して端面電極を設け、前記加工用基板には前記貫通孔
の一部を除去してスリット孔を設けることによって該ス
リット孔に囲まれ端面電極と裏面電極とを有する非分離
基板を形成し、前記端面電極に固形半田を取付け、該固
形半田を端面電極に取付ける前，後のいずれかで該固形
半田に酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、前記非分
離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固形半田を溶
融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却
固化し、その後スリット孔の位置で加工用基板から非分
離基板をモジュール基板として分離する構成としたこと
にある。
ル基板の製造方法は、加工用基板に貫通孔を穿設し、該
貫通孔の周囲に位置して前記加工用基板の裏面には裏面
電極を設け、前記貫通孔の内壁面には前記裏面電極に接
続して端面電極を設け、前記加工用基板には前記貫通孔
の一部を除去してスリット孔を設けることによって該ス
リット孔に囲まれ端面電極と裏面電極とを有する非分離
基板を形成し、前記端面電極に固形半田を取付け、該固
形半田を端面電極に取付ける前，後のいずれかで該固形
半田に酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、前記非分
離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固形半田を溶
融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却
固化し、その後スリット孔の位置で加工用基板から非分
離基板をモジュール基板として分離する構成としたこと
にある。
【００４２】これにより、粘着物質に固形半田を取付け
て非分離基板等を加熱したときには、固形半田は端面電
極に付着しつつ溶融する。このとき、溶融した固形半田
は、その一部が端面電極を通じて裏面電極を覆うように
移動する。この結果、端面電極と裏面電極とに半田を固
着することができる。
て非分離基板等を加熱したときには、固形半田は端面電
極に付着しつつ溶融する。このとき、溶融した固形半田
は、その一部が端面電極を通じて裏面電極を覆うように
移動する。この結果、端面電極と裏面電極とに半田を固
着することができる。
【００４３】この場合、請求項１８の発明のように、加
工用基板の裏面に裏面電極を設け、前記加工用基板には
該裏面電極の位置に貫通孔を穿設し、該貫通孔の内壁面
には前記裏面電極に接続して端面電極を設け、前記加工
用基板には前記貫通孔の一部を除去してスリット孔を設
けることによって該スリット孔に囲まれ端面電極と裏面
電極とを有する非分離基板を形成し、前記端面電極に固
形半田を取付け、該固形半田を端面電極に取付ける前，
後のいずれかで該固形半田に酸化膜除去成分を含む粘着
物質を設け、前記非分離基板と残余の加工用基板とを加
熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電
極と裏面電極とに冷却固化し、その後スリット孔の位置
で加工用基板から非分離基板をモジュール基板として分
離する構成としてもよい。
工用基板の裏面に裏面電極を設け、前記加工用基板には
該裏面電極の位置に貫通孔を穿設し、該貫通孔の内壁面
には前記裏面電極に接続して端面電極を設け、前記加工
用基板には前記貫通孔の一部を除去してスリット孔を設
けることによって該スリット孔に囲まれ端面電極と裏面
電極とを有する非分離基板を形成し、前記端面電極に固
形半田を取付け、該固形半田を端面電極に取付ける前，
後のいずれかで該固形半田に酸化膜除去成分を含む粘着
物質を設け、前記非分離基板と残余の加工用基板とを加
熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電
極と裏面電極とに冷却固化し、その後スリット孔の位置
で加工用基板から非分離基板をモジュール基板として分
離する構成としてもよい。
【００４４】また、請求項１９の発明では、前記固形半
田は、前記端面電極に対応した位置でスリット孔の一部
を閉塞し、または前記端面電極に対応した位置でスリッ
ト孔内に収容する構成としている。
田は、前記端面電極に対応した位置でスリット孔の一部
を閉塞し、または前記端面電極に対応した位置でスリッ
ト孔内に収容する構成としている。
【００４５】これにより、スリット孔よって固形半田を
位置決めすることができると共に、固形半田を溶融させ
たときには、スリット孔内に露出した端面電極に容易に
溶融した固形半田を付着させることができる。
位置決めすることができると共に、固形半田を溶融させ
たときには、スリット孔内に露出した端面電極に容易に
溶融した固形半田を付着させることができる。
【００４６】また、請求項２０の発明によるモジュール
基板の製造方法は、加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫
通孔の周囲に位置して前記加工用基板の裏面には裏面電
極を設け、前記貫通孔の内壁面の一部または全部には前
記裏面電極に接続して端面電極を設け、前記貫通孔の周
囲には酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物
質には固形半田を取付け、前記加工用基板を加熱して該
固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面
電極とに冷却固化し、その後前記貫通孔の位置で加工用
基板を切断し、モジュール基板を分離する構成としたこ
とにある。
基板の製造方法は、加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫
通孔の周囲に位置して前記加工用基板の裏面には裏面電
極を設け、前記貫通孔の内壁面の一部または全部には前
記裏面電極に接続して端面電極を設け、前記貫通孔の周
囲には酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物
質には固形半田を取付け、前記加工用基板を加熱して該
固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面
電極とに冷却固化し、その後前記貫通孔の位置で加工用
基板を切断し、モジュール基板を分離する構成としたこ
とにある。
【００４７】これにより、粘着物質に固形半田を取付け
た状態で加工用基板とを加熱したときには、粘着物質が
触媒として作用するから、固形半田は粘着物質に接触し
た部位から溶融して貫通孔内に侵入する。このとき、貫
通孔には端面電極が設けられているから、溶融した固形
半田は端面電極に付着すると共に、その一部が端面電極
を通じて裏面電極を覆うように移動する。
た状態で加工用基板とを加熱したときには、粘着物質が
触媒として作用するから、固形半田は粘着物質に接触し
た部位から溶融して貫通孔内に侵入する。このとき、貫
通孔には端面電極が設けられているから、溶融した固形
半田は端面電極に付着すると共に、その一部が端面電極
を通じて裏面電極を覆うように移動する。
【００４８】また、溶融した固形半田は、その表面張力
によって略球形状となって端面電極と裏面電極とに付着
するから、半田の一部が貫通孔から突出する。このた
め、加工用基板を切断することによってモジュール基板
を取出したときには、突出した半田によってモジュール
基板とマザーボードとの間の隙間を吸収し、モジュール
基板の端面電極とマザーボードの電極パッドとを接続す
ることができる。
によって略球形状となって端面電極と裏面電極とに付着
するから、半田の一部が貫通孔から突出する。このた
め、加工用基板を切断することによってモジュール基板
を取出したときには、突出した半田によってモジュール
基板とマザーボードとの間の隙間を吸収し、モジュール
基板の端面電極とマザーボードの電極パッドとを接続す
ることができる。
【００４９】この場合、請求項２１の発明のように、加
工用基板の裏面に裏面電極を設け、前記加工用基板には
該裏面電極の位置に貫通孔を穿設し、前記貫通孔の内壁
面の一部または全部には前記裏面電極に接続して端面電
極を設け、前記貫通孔の周囲には酸化膜除去成分を含む
粘着物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付け、前
記加工用基板を加熱して該固形半田を溶融し、溶融した
固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、その後
前記貫通孔の位置で加工用基板を切断し、モジュール基
板を分離する構成としてもよい。
工用基板の裏面に裏面電極を設け、前記加工用基板には
該裏面電極の位置に貫通孔を穿設し、前記貫通孔の内壁
面の一部または全部には前記裏面電極に接続して端面電
極を設け、前記貫通孔の周囲には酸化膜除去成分を含む
粘着物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付け、前
記加工用基板を加熱して該固形半田を溶融し、溶融した
固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、その後
前記貫通孔の位置で加工用基板を切断し、モジュール基
板を分離する構成としてもよい。
【００５０】また、請求項２２の発明は、前記粘着物質
を設ける前に切断後に残余の加工用基板側となる位置の
裏面電極および貫通孔の内壁面に設けた端面電極を除去
する構成としたことにある。
を設ける前に切断後に残余の加工用基板側となる位置の
裏面電極および貫通孔の内壁面に設けた端面電極を除去
する構成としたことにある。
【００５１】これにより、溶融した固形半田が切断後に
モジュール基板以外の残余の加工用基板となる位置に付
着するのを防ぐことができる。このため、溶融した固形
半田を冷却固化した後に、端面電極に付着した半田を切
断することなく、モジュール基板を容易に残余の加工用
基板から分離することができる。
モジュール基板以外の残余の加工用基板となる位置に付
着するのを防ぐことができる。このため、溶融した固形
半田を冷却固化した後に、端面電極に付着した半田を切
断することなく、モジュール基板を容易に残余の加工用
基板から分離することができる。
【００５２】さらに、請求項２３の発明は、粘着物質に
はフラックス単体または粉末状の半田とフラックスとか
らなるクリーム半田を用い、固形半田にはろう付け用合
金を球形状に固化した半田ボールを用いる構成としたこ
とにある。
はフラックス単体または粉末状の半田とフラックスとか
らなるクリーム半田を用い、固形半田にはろう付け用合
金を球形状に固化した半田ボールを用いる構成としたこ
とにある。
【００５３】これにより、フラックスまたはクリーム半
田によって半田ボールの位置決めと溶融の促進を行うこ
とができる。また、粘着物質にフラックスを用いたとき
には、溶融した半田ボールの体積（容量）を略一定に保
つことができるから、半田が基板の裏面よりも突出する
寸法を略一定にすることができる。一方、粘着物質にク
リーム半田を用いたときには、半田ボールはクリーム半
田と一緒に溶融するから、溶融した半田ボールをクリー
ム半田中の半田と共に端面電極と裏面電極とに固着する
ことができる。
田によって半田ボールの位置決めと溶融の促進を行うこ
とができる。また、粘着物質にフラックスを用いたとき
には、溶融した半田ボールの体積（容量）を略一定に保
つことができるから、半田が基板の裏面よりも突出する
寸法を略一定にすることができる。一方、粘着物質にク
リーム半田を用いたときには、半田ボールはクリーム半
田と一緒に溶融するから、溶融した半田ボールをクリー
ム半田中の半田と共に端面電極と裏面電極とに固着する
ことができる。
【００５４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態による
モジュール基板の製造方法を図１ないし図５９に基づき
詳細に説明する。
モジュール基板の製造方法を図１ないし図５９に基づき
詳細に説明する。
【００５５】図１ないし図２２に基づいて本発明の第１
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について
説明する。まず、図１ないし図４は、第１の実施の形態
に係る製造方法によって製造されたモジュール基板を示
している。
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について
説明する。まず、図１ないし図４は、第１の実施の形態
に係る製造方法によって製造されたモジュール基板を示
している。
【００５６】図において、１００は、略四角形状のモジ
ュール基板で、該モジュール基板１００は、基板１０
１、端面スルーホール１０３、半田１０８等によって構
成されている。
ュール基板で、該モジュール基板１００は、基板１０
１、端面スルーホール１０３、半田１０８等によって構
成されている。
【００５７】１０１は例えば絶縁性樹脂材料と導体によ
る配線パターン（図示せず）を交互に積層して形成した
積層体からなる基板で、該基板１０１は、縦横の長さ寸
法が例えば３０ｍｍ程度の略四角形状に形成されてい
る。また、基板１０１は、その表面１０１Ａ中央側に半
導体ＩＣ、能動部品、あるいは受動部品等の電子部品１
０２が実装されている。そして、基板１０１は、裏面１
０１Ｂ側に設けられる後述のマザーボード１０９に接合
されるものである。また、基板１０１は、図１に示すよ
うにその外周縁を形成する４辺の端面１０１Ｃを有し、
該各端面１０１Ｃには後述する端面スルーホール１０３
が形成されている。
る配線パターン（図示せず）を交互に積層して形成した
積層体からなる基板で、該基板１０１は、縦横の長さ寸
法が例えば３０ｍｍ程度の略四角形状に形成されてい
る。また、基板１０１は、その表面１０１Ａ中央側に半
導体ＩＣ、能動部品、あるいは受動部品等の電子部品１
０２が実装されている。そして、基板１０１は、裏面１
０１Ｂ側に設けられる後述のマザーボード１０９に接合
されるものである。また、基板１０１は、図１に示すよ
うにその外周縁を形成する４辺の端面１０１Ｃを有し、
該各端面１０１Ｃには後述する端面スルーホール１０３
が形成されている。
【００５８】１０３，１０３，…は基板１０１の外周縁
を形成する４辺の端面１０１Ｃに設けられた端面スルー
ホールで、該各端面スルーホール１０３は、後述する端
面開口溝１０４、端面電極１０５、裏面電極１０６によ
って構成されている。
を形成する４辺の端面１０１Ｃに設けられた端面スルー
ホールで、該各端面スルーホール１０３は、後述する端
面開口溝１０４、端面電極１０５、裏面電極１０６によ
って構成されている。
【００５９】１０４，１０４，…は基板１０１の端面１
０１Ｃに開口して設けられた凹湾曲状の端面開口溝で、
該各端面開口溝１０４は、基板１０１の厚さ方向に貫通
して設けられ、基板１０１の表面１０１Ａと裏面１０１
Ｂとに略半円形状の開口を形成している。
０１Ｃに開口して設けられた凹湾曲状の端面開口溝で、
該各端面開口溝１０４は、基板１０１の厚さ方向に貫通
して設けられ、基板１０１の表面１０１Ａと裏面１０１
Ｂとに略半円形状の開口を形成している。
【００６０】１０５，１０５，…は端面開口溝１０４の
内壁面に設けられた端面電極で、該端面電極１０５は、
端面開口溝１０４の内壁面を全面に亘って覆い、略円弧
面状に形成されている。
内壁面に設けられた端面電極で、該端面電極１０５は、
端面開口溝１０４の内壁面を全面に亘って覆い、略円弧
面状に形成されている。
【００６１】１０６，１０６，…は端面開口溝１０４の
周囲に位置して基板１０１の裏面１０１Ｂ側に設けられ
た裏面電極で、該各裏面電極１０６は、略四角形状をな
し、端面電極１０５に接続されている。
周囲に位置して基板１０１の裏面１０１Ｂ側に設けられ
た裏面電極で、該各裏面電極１０６は、略四角形状をな
し、端面電極１０５に接続されている。
【００６２】１０７，１０７，…は端面電極１０５と電
子部品１０２との間を接続する配線で、該配線１０７
は、基板１０１の表面１０１Ａ側に設けられ端面開口溝
１０４の周囲で円弧形状をなして端面電極１０５に接続
されると共に、基板１０１の中央部側に向けて延びてい
る。
子部品１０２との間を接続する配線で、該配線１０７
は、基板１０１の表面１０１Ａ側に設けられ端面開口溝
１０４の周囲で円弧形状をなして端面電極１０５に接続
されると共に、基板１０１の中央部側に向けて延びてい
る。
【００６３】なお、配線１０７は、後述の半田１０８が
溶融したときに配線１０７に引付けられて基板１０１の
表面１０１Ａ側に突出するのを防止するために、レジス
ト膜（図示せず）に覆うことが好ましい。また、配線１
０７は必ずしも基板１０１の表面１０１Ａ側に設ける必
要はなく、基板１０１に積層された配線パターンを通じ
て端面電極１０５に接続する構成としてもよい。
溶融したときに配線１０７に引付けられて基板１０１の
表面１０１Ａ側に突出するのを防止するために、レジス
ト膜（図示せず）に覆うことが好ましい。また、配線１
０７は必ずしも基板１０１の表面１０１Ａ側に設ける必
要はなく、基板１０１に積層された配線パターンを通じ
て端面電極１０５に接続する構成としてもよい。
【００６４】１０８，１０８，…は各端面開口溝１０４
に収容されて固定された半田で、該半田１０８は、端面
開口溝１０４内で端面電極１０５に固定され、略円柱形
状となって基板１０１の厚さ方向に延びている。また、
半田１０８は、図４に示すようにその一部が裏面電極１
０６を覆い、基板１０１の裏面１０１Ｂよりも下方（マ
ザーボード１０９側）に向けて突出寸法Ｌだけ突出した
突出部１０８Ａとなっている。
に収容されて固定された半田で、該半田１０８は、端面
開口溝１０４内で端面電極１０５に固定され、略円柱形
状となって基板１０１の厚さ方向に延びている。また、
半田１０８は、図４に示すようにその一部が裏面電極１
０６を覆い、基板１０１の裏面１０１Ｂよりも下方（マ
ザーボード１０９側）に向けて突出寸法Ｌだけ突出した
突出部１０８Ａとなっている。
【００６５】第１の実施の形態によって製造されたモジ
ュール基板は上述の如く構成されるものであり、次に第
１の実施の形態に係るモジュール基板の製造方法を図５
ないし図１９を参照しつつ説明する。なお、本実施の形
態では図５に示すように１枚の加工用基板から２枚のモ
ジュール基板を加工する場合を例に挙げている。
ュール基板は上述の如く構成されるものであり、次に第
１の実施の形態に係るモジュール基板の製造方法を図５
ないし図１９を参照しつつ説明する。なお、本実施の形
態では図５に示すように１枚の加工用基板から２枚のモ
ジュール基板を加工する場合を例に挙げている。
【００６６】まず、図５に示す貫通孔加工工程では、例
えば２枚のモジュール基板を製造するための加工用基板
１を円形の金型によって打ち抜き、後述する端面電極５
を設けるための予備的な貫通孔１Ｄを四角形の枠形状に
沿って多数個穿設する。
えば２枚のモジュール基板を製造するための加工用基板
１を円形の金型によって打ち抜き、後述する端面電極５
を設けるための予備的な貫通孔１Ｄを四角形の枠形状に
沿って多数個穿設する。
【００６７】次に、図６ないし図９に示す端面電極加工
工程では、例えば加工用基板１の表面１Ａ、裏面１Ｂに
予め設けられた銅薄膜（図示せず）をエッチング処理に
よって部分的に除去し、図６および図７に示すように加
工用基板１の表面１Ａ側に貫通孔２の周囲まで延びる配
線３を形成し、加工用基板１の裏面１Ｂ側に略四角形状
の裏面電極４を形成する。ここで、裏面電極４は配線３
のうち貫通孔１Ｄの周囲に位置する部位よりも大きな面
積に形成されている。この状態で加工用基板１の貫通孔
２に例えばメッキ処理等を施すことによって貫通孔１Ｄ
の内壁面全部に亘って端面電極５を形成する。
工程では、例えば加工用基板１の表面１Ａ、裏面１Ｂに
予め設けられた銅薄膜（図示せず）をエッチング処理に
よって部分的に除去し、図６および図７に示すように加
工用基板１の表面１Ａ側に貫通孔２の周囲まで延びる配
線３を形成し、加工用基板１の裏面１Ｂ側に略四角形状
の裏面電極４を形成する。ここで、裏面電極４は配線３
のうち貫通孔１Ｄの周囲に位置する部位よりも大きな面
積に形成されている。この状態で加工用基板１の貫通孔
２に例えばメッキ処理等を施すことによって貫通孔１Ｄ
の内壁面全部に亘って端面電極５を形成する。
【００６８】次に、図８および図９に示す端面電極除去
工程として貫通孔１Ｄのうち後述の残余の加工用基板１
Ｃ側となる外周側の一部を金型によって打ち抜き、長円
形の貫通孔２を形成する。これにより、加工用基板１の
うち多数の貫通孔２によって取囲まれた四角形状の部位
は基板１０１となるから、端面電極５は貫通孔２のうち
この四角形状の部位側に形成されている。また、配線
３、裏面電極４も貫通孔２によって取囲まれた四角形状
の部位側に設けられ、端面電極５は、配線３、裏面電極
４に接続されている。一方、残余の加工用基板１Ｃ側か
らは裏面電極４、端面電極５が除去されている。
工程として貫通孔１Ｄのうち後述の残余の加工用基板１
Ｃ側となる外周側の一部を金型によって打ち抜き、長円
形の貫通孔２を形成する。これにより、加工用基板１の
うち多数の貫通孔２によって取囲まれた四角形状の部位
は基板１０１となるから、端面電極５は貫通孔２のうち
この四角形状の部位側に形成されている。また、配線
３、裏面電極４も貫通孔２によって取囲まれた四角形状
の部位側に設けられ、端面電極５は、配線３、裏面電極
４に接続されている。一方、残余の加工用基板１Ｃ側か
らは裏面電極４、端面電極５が除去されている。
【００６９】次に、図１０ないし図１２に示すプッシュ
バック工程では、プッシュバック金型を用いて加工用基
板１から貫通孔２に取囲まれモジュール基板の基板１０
１に対応した分離基板６を切断して分離する。このと
き、貫通孔２を通って加工用基板１から分離基板６を打
ち抜くから、分離基板６には貫通孔２の一部が残存する
と共に、この残存した貫通孔２は端面電極５によって覆
われる。
バック工程では、プッシュバック金型を用いて加工用基
板１から貫通孔２に取囲まれモジュール基板の基板１０
１に対応した分離基板６を切断して分離する。このと
き、貫通孔２を通って加工用基板１から分離基板６を打
ち抜くから、分離基板６には貫通孔２の一部が残存する
と共に、この残存した貫通孔２は端面電極５によって覆
われる。
【００７０】そして、加工用基板１から分離基板６を分
離した後には、分離基板６を略四角形状の開口が設けら
れた残余の加工用基板１Ｃに埋め戻す。これにより、分
離基板６と残余の加工用基板１Ｃとの間には、再び貫通
孔２が形成される。
離した後には、分離基板６を略四角形状の開口が設けら
れた残余の加工用基板１Ｃに埋め戻す。これにより、分
離基板６と残余の加工用基板１Ｃとの間には、再び貫通
孔２が形成される。
【００７１】次に、図１３に示す貫通孔閉塞工程では、
半田が付着しにくいアルミニウム等の金属材料または耐
熱性樹脂材料からなる平板状の閉塞板７に加工用基板１
の表面１Ａが接触した状態（加工用基板１を裏返した状
態）で載置する。
半田が付着しにくいアルミニウム等の金属材料または耐
熱性樹脂材料からなる平板状の閉塞板７に加工用基板１
の表面１Ａが接触した状態（加工用基板１を裏返した状
態）で載置する。
【００７２】そして、図１４および図１５に示すクリー
ム半田塗布工程では、例えば酸化膜除去成分を含む粘着
物質としてのクリーム半田８を貫通孔２の周囲に位置し
て分離基板６の裏面側に塗布する。ここで、クリーム半
田８は粉末状の半田とフラックスとをペースト状に混練
して形成されている。そして、クリーム半田８は例えば
裏面電極４を全面に亘って覆う略半円弧形状をなしてい
る。なお、クリーム半田８は裏面電極４に接触していれ
ばよく、必ずしも裏面電極４を全面に亘って覆う必要は
ない。また、酸化膜除去成分を含む粘着物質としては半
田とフラックスとからなるクリーム半田８に代えてフラ
ックスのみを用いてもよい。
ム半田塗布工程では、例えば酸化膜除去成分を含む粘着
物質としてのクリーム半田８を貫通孔２の周囲に位置し
て分離基板６の裏面側に塗布する。ここで、クリーム半
田８は粉末状の半田とフラックスとをペースト状に混練
して形成されている。そして、クリーム半田８は例えば
裏面電極４を全面に亘って覆う略半円弧形状をなしてい
る。なお、クリーム半田８は裏面電極４に接触していれ
ばよく、必ずしも裏面電極４を全面に亘って覆う必要は
ない。また、酸化膜除去成分を含む粘着物質としては半
田とフラックスとからなるクリーム半田８に代えてフラ
ックスのみを用いてもよい。
【００７３】次に、図１６に示す半田ボール取付工程で
は、吸引式のボールマウンタ９等を用いて固形半田とし
ての半田ボール１０をクリーム半田８上に載置し、クリ
ーム半田８に半田ボール１０を付着させる。ここで、半
田ボール１０は半田をなすろう付け用合金をフラックス
を含まない状態で球形状に固化することによって構成さ
れている。そして、クリーム半田８は粘着性を有してい
るから、半田ボール１０は、クリーム半田８によって裏
面電極４上に位置決めされた状態で固定される。
は、吸引式のボールマウンタ９等を用いて固形半田とし
ての半田ボール１０をクリーム半田８上に載置し、クリ
ーム半田８に半田ボール１０を付着させる。ここで、半
田ボール１０は半田をなすろう付け用合金をフラックス
を含まない状態で球形状に固化することによって構成さ
れている。そして、クリーム半田８は粘着性を有してい
るから、半田ボール１０は、クリーム半田８によって裏
面電極４上に位置決めされた状態で固定される。
【００７４】そして、図１７および図１８に示す加熱工
程では、分離基板６、残余の加工用基板１Ｃ等を全体と
して加熱炉に挿入することによって加熱する。このと
き、クリーム半田８が溶融すると共に、クリーム半田８
に含まれたフラックスが触媒として作用するから、半田
ボール１０はクリーム半田８と接触する部位から徐々に
溶融する。そして、溶融した半田ボール１０は、クリー
ム半田８中の半田と共に裏面電極４に沿って拡がると共
に、裏面電極４に接続された端面電極５に引き付けられ
て図１６中に矢示する如く貫通孔２内に流れ込み、裏面
電極４と端面電極５とに付着する。
程では、分離基板６、残余の加工用基板１Ｃ等を全体と
して加熱炉に挿入することによって加熱する。このと
き、クリーム半田８が溶融すると共に、クリーム半田８
に含まれたフラックスが触媒として作用するから、半田
ボール１０はクリーム半田８と接触する部位から徐々に
溶融する。そして、溶融した半田ボール１０は、クリー
ム半田８中の半田と共に裏面電極４に沿って拡がると共
に、裏面電極４に接続された端面電極５に引き付けられ
て図１６中に矢示する如く貫通孔２内に流れ込み、裏面
電極４と端面電極５とに付着する。
【００７５】また、溶融した半田ボール１０は、その表
面張力によって略球形状に変形する傾向があり、端面電
極５に沿って貫通孔２内から加工用基板１の裏面１Ｂを
越えて突出する。さらに、加工用基板１の裏面１Ｂには
貫通孔２の周囲に裏面電極４が設けられているから、溶
融した半田ボール１０は、この裏面電極４に引付けられ
て貫通孔２からの突出量が増加し、裏面電極４を覆う位
置まで裏面１Ｂよりも突出する。
面張力によって略球形状に変形する傾向があり、端面電
極５に沿って貫通孔２内から加工用基板１の裏面１Ｂを
越えて突出する。さらに、加工用基板１の裏面１Ｂには
貫通孔２の周囲に裏面電極４が設けられているから、溶
融した半田ボール１０は、この裏面電極４に引付けられ
て貫通孔２からの突出量が増加し、裏面電極４を覆う位
置まで裏面１Ｂよりも突出する。
【００７６】この状態で、加工用基板１の加熱を停止
し、冷却することによって図１７に示すように端面電極
５に半田１１が固定されると共に、該半田１１には加工
用基板１の裏面１Ｂよりも後述のマザーボード１０９側
に突出した突出部１１Ａが形成される。
し、冷却することによって図１７に示すように端面電極
５に半田１１が固定されると共に、該半田１１には加工
用基板１の裏面１Ｂよりも後述のマザーボード１０９側
に突出した突出部１１Ａが形成される。
【００７７】なお、加熱工程では、分離基板６等を加熱
炉によって加熱するものとしたが、例えば熱風を吹付け
ることによって加熱してもよく、加熱したプレート上に
分離基板６、残余の加工用基板１Ｃ、閉塞板７等を載置
することによって加熱してもよい。
炉によって加熱するものとしたが、例えば熱風を吹付け
ることによって加熱してもよく、加熱したプレート上に
分離基板６、残余の加工用基板１Ｃ、閉塞板７等を載置
することによって加熱してもよい。
【００７８】また、裏面電極４、端面電極５に半田１１
を固定するのと同時に、基板１の表面１Ａ側に電子部品
１０２を半田付けするものとしてもよい。この場合、電
子部品１０２を別個に取付けるのに比べて生産性を向上
することができる。
を固定するのと同時に、基板１の表面１Ａ側に電子部品
１０２を半田付けするものとしてもよい。この場合、電
子部品１０２を別個に取付けるのに比べて生産性を向上
することができる。
【００７９】最後に、図１９に示す分離基板取外し工程
では、加工用基板１からプッシュバック工程によって予
め分離した分離基板６を残余の加工用基板１Ｃから取外
す。このとき、分離基板６は基板１０１となり、配線３
は基板１０１の表面１０１Ａに設けられた配線１０７と
なり、裏面電極４は基板１０１の裏面１０１Ｂに設けら
れた裏面電極１０６となり、端面電極５は基板１０１の
端面１０１Ｃ側に設けられた端面電極１０５となり、半
田１１は端面電極１０５に固着された半田１０８とな
る。このため、基板１０１の端面電極１０５に半田１０
８を固定した状態でモジュール基板１００が製造され
る。
では、加工用基板１からプッシュバック工程によって予
め分離した分離基板６を残余の加工用基板１Ｃから取外
す。このとき、分離基板６は基板１０１となり、配線３
は基板１０１の表面１０１Ａに設けられた配線１０７と
なり、裏面電極４は基板１０１の裏面１０１Ｂに設けら
れた裏面電極１０６となり、端面電極５は基板１０１の
端面１０１Ｃ側に設けられた端面電極１０５となり、半
田１１は端面電極１０５に固着された半田１０８とな
る。このため、基板１０１の端面電極１０５に半田１０
８を固定した状態でモジュール基板１００が製造され
る。
【００８０】第１の実施の形態によるモジュール基板の
製造方法は上述の如く構成されるものであり、次に本実
施の形態の製造方法によって製造されたモジュール基板
をマザーボード上に接合する場合について説明する。
製造方法は上述の如く構成されるものであり、次に本実
施の形態の製造方法によって製造されたモジュール基板
をマザーボード上に接合する場合について説明する。
【００８１】まず、モジュール基板１００をマザーボー
ド１０９上に載置した状態で加熱する。このとき、基板
１０１は絶縁性樹脂材料と配線パターンとが積層されて
いるため、基板１０１に反りが生じ、図２０に示すよう
に、例えば基板１０１の両端側がマザーボード１０９か
ら浮き上がり、端面電極１０５とマザーボード１０９上
の電極パッド１１０との間に隙間が生じることがある。
ド１０９上に載置した状態で加熱する。このとき、基板
１０１は絶縁性樹脂材料と配線パターンとが積層されて
いるため、基板１０１に反りが生じ、図２０に示すよう
に、例えば基板１０１の両端側がマザーボード１０９か
ら浮き上がり、端面電極１０５とマザーボード１０９上
の電極パッド１１０との間に隙間が生じることがある。
【００８２】しかし、各端面電極１０５に固定した半田
１０８には、基板１０１の裏面１０１Ｂよりも下方に突
出した突出部１０８Ａを形成したから、この突出部１０
８Ａによって端面電極１０５と電極パッド１１０との間
の隙間を吸収することができる。
１０８には、基板１０１の裏面１０１Ｂよりも下方に突
出した突出部１０８Ａを形成したから、この突出部１０
８Ａによって端面電極１０５と電極パッド１１０との間
の隙間を吸収することができる。
【００８３】即ち、半田１０８と電極パッド１１０とを
位置合わせした状態でモジュール基板１００をマザーボ
ード１０９上に載置する。このとき、図２０に示すよう
に基板１０１に反りが発生したときには、多数の半田１
０８のうち例えば基板１０１の中央側の半田１０８は電
極パッド１１０に接触し、基板１０１の両端側の半田１
０８は電極パッド１１０から離間する。
位置合わせした状態でモジュール基板１００をマザーボ
ード１０９上に載置する。このとき、図２０に示すよう
に基板１０１に反りが発生したときには、多数の半田１
０８のうち例えば基板１０１の中央側の半田１０８は電
極パッド１１０に接触し、基板１０１の両端側の半田１
０８は電極パッド１１０から離間する。
【００８４】この状態でモジュール基板１００とマザー
ボード１０９とを加熱すると、電極パッド１１０に予め
塗布されたクリーム半田１１１が溶融する。このとき、
基板１０１の中央側の半田１０８は溶融したクリーム半
田１１１に接触するから、クリーム半田１１１からの熱
が伝わって、中央側の半田１０８は、両端側の半田１０
８よりも先に溶融する。これにより、基板１０１は、図
２０中の矢示Ａ方向に向けて自重によって降下し、基板
１０１の両端側に位置する半田１０８もマザーボード１
０９の電極パッド１１０に接触する。
ボード１０９とを加熱すると、電極パッド１１０に予め
塗布されたクリーム半田１１１が溶融する。このとき、
基板１０１の中央側の半田１０８は溶融したクリーム半
田１１１に接触するから、クリーム半田１１１からの熱
が伝わって、中央側の半田１０８は、両端側の半田１０
８よりも先に溶融する。これにより、基板１０１は、図
２０中の矢示Ａ方向に向けて自重によって降下し、基板
１０１の両端側に位置する半田１０８もマザーボード１
０９の電極パッド１１０に接触する。
【００８５】この結果、図２１および図２２に示すよう
に基板１０１に反りが発生して端面電極１０５と電極パ
ッド１１０との間の隙間が形成されるときであっても、
基板１０１の裏面１０１Ｂからマザーボード１０９側に
向けて突出した半田１０８によってこの隙間を吸収し、
全ての端面電極１０５を電極パッド１１０に確実に接続
することができる。これにより、端面電極１０５と電極
パッド１１０との間にフィレット１１２を形成すること
ができる。
に基板１０１に反りが発生して端面電極１０５と電極パ
ッド１１０との間の隙間が形成されるときであっても、
基板１０１の裏面１０１Ｂからマザーボード１０９側に
向けて突出した半田１０８によってこの隙間を吸収し、
全ての端面電極１０５を電極パッド１１０に確実に接続
することができる。これにより、端面電極１０５と電極
パッド１１０との間にフィレット１１２を形成すること
ができる。
【００８６】かくして、第１の実施の形態に係る製造方
法では、加工用基板１の貫通孔２の周囲にクリーム半田
８を塗布し、該クリーム半田８に半田ボール１０を取付
けた後、加工用基板１を加熱するから、半田ボール１０
をクリーム半田８に接触する部位から溶融させることが
でき、溶融した半田ボール１０を貫通孔２内に流入させ
ることができる。これにより、貫通孔２内に設けた端面
電極５に溶融した半田ボール１０を付着させることがで
きる。
法では、加工用基板１の貫通孔２の周囲にクリーム半田
８を塗布し、該クリーム半田８に半田ボール１０を取付
けた後、加工用基板１を加熱するから、半田ボール１０
をクリーム半田８に接触する部位から溶融させることが
でき、溶融した半田ボール１０を貫通孔２内に流入させ
ることができる。これにより、貫通孔２内に設けた端面
電極５に溶融した半田ボール１０を付着させることがで
きる。
【００８７】また、クリーム半田８は裏面電極４に接触
した状態で分離基板６の裏面側に塗布したから、クリー
ム半田８に取付けた半田ボール１０が加熱によって溶融
したときには、溶融した半田ボール１０が裏面電極４に
沿って拡がる。そして、裏面電極４は端面電極５に接続
されているから、溶融した半田ボール１０を端面電極５
に沿って貫通孔２内に導くことができ、裏面電極４と端
面電極５とに確実に半田１１を固着することができる。
した状態で分離基板６の裏面側に塗布したから、クリー
ム半田８に取付けた半田ボール１０が加熱によって溶融
したときには、溶融した半田ボール１０が裏面電極４に
沿って拡がる。そして、裏面電極４は端面電極５に接続
されているから、溶融した半田ボール１０を端面電極５
に沿って貫通孔２内に導くことができ、裏面電極４と端
面電極５とに確実に半田１１を固着することができる。
【００８８】特に、本実施の形態では、フラックスを含
まない固形状の半田ボール１０を溶融させることによっ
て裏面電極４と端面電極５に半田１１を固着する。この
とき、半田ボール１０はクリーム半田８と共に溶融する
から、クリーム半田８中の半田は溶融した半田ボール１
０に吸収され、フラックスの一部は蒸発する。
まない固形状の半田ボール１０を溶融させることによっ
て裏面電極４と端面電極５に半田１１を固着する。この
とき、半田ボール１０はクリーム半田８と共に溶融する
から、クリーム半田８中の半田は溶融した半田ボール１
０に吸収され、フラックスの一部は蒸発する。
【００８９】しかし、半田ボール１０の位置決めと溶融
の促進を行うクリーム半田８は、半田ボール１０に比べ
てその容量が少なく、体積が小さくなっている。このた
め、半田ボール１０がクリーム半田８と共に溶融したと
きであっても、溶融した半田ボール１０の体積は略一定
値に保持される。従って、溶融した半田ボール１０によ
って形成される半田１１（１０８）もその体積が一定値
に保持されるから、端面電極５等に固着した半田１１
（１０８）毎の突出寸法Ｌのばらつきを抑制し、略均一
化することができる。この結果、全ての端面電極１０５
をマザーボード１０９の電極パッド１１０に確実に接合
することができ、信頼性、生産性を向上することができ
る。
の促進を行うクリーム半田８は、半田ボール１０に比べ
てその容量が少なく、体積が小さくなっている。このた
め、半田ボール１０がクリーム半田８と共に溶融したと
きであっても、溶融した半田ボール１０の体積は略一定
値に保持される。従って、溶融した半田ボール１０によ
って形成される半田１１（１０８）もその体積が一定値
に保持されるから、端面電極５等に固着した半田１１
（１０８）毎の突出寸法Ｌのばらつきを抑制し、略均一
化することができる。この結果、全ての端面電極１０５
をマザーボード１０９の電極パッド１１０に確実に接合
することができ、信頼性、生産性を向上することができ
る。
【００９０】また、本実施の形態では、フラックスを含
まない半田ボール１０を用いると共に、クリーム半田８
の体積を半田ボール１０に比べて小さくしたから、溶融
した半田ボール１０を再度固化して形成される半田１１
（１０８）はその表面にフラックスが付着することがな
い。このため、フラックスが絶縁膜として作用すること
がないから、検査工程等において半田１０８に検査用の
端子を容易に電気的に接続することができ、検査工程等
の時間を短縮でき、生産性を向上することができる。
まない半田ボール１０を用いると共に、クリーム半田８
の体積を半田ボール１０に比べて小さくしたから、溶融
した半田ボール１０を再度固化して形成される半田１１
（１０８）はその表面にフラックスが付着することがな
い。このため、フラックスが絶縁膜として作用すること
がないから、検査工程等において半田１０８に検査用の
端子を容易に電気的に接続することができ、検査工程等
の時間を短縮でき、生産性を向上することができる。
【００９１】また、加工用基板１を加熱する前に加工用
基板１の表面１Ａ側に閉塞板７を設け、貫通孔２の一方
の開口を閉塞したから、溶融した半田ボール１０が加工
用基板１の表面１Ａよりも突出するのを防止できる。こ
のため、閉塞板７を設けないときに比べて貫通孔２の一
方の開口から突出する分の半田ボール１０を貫通孔２の
他方の開口から加工用基板１の裏面１Ｂを越えて突出さ
せることができ、半田１０８が基板１０１の裏面１０１
Ｂ側に突出する突出寸法Ｌを大きくすることができる。
基板１の表面１Ａ側に閉塞板７を設け、貫通孔２の一方
の開口を閉塞したから、溶融した半田ボール１０が加工
用基板１の表面１Ａよりも突出するのを防止できる。こ
のため、閉塞板７を設けないときに比べて貫通孔２の一
方の開口から突出する分の半田ボール１０を貫通孔２の
他方の開口から加工用基板１の裏面１Ｂを越えて突出さ
せることができ、半田１０８が基板１０１の裏面１０１
Ｂ側に突出する突出寸法Ｌを大きくすることができる。
【００９２】また、加工用基板１を切断する前に残余の
加工用基板１Ｃ側の裏面電極４、端面電極５を除去する
構成としたから、溶融した半田ボール１０が残余の加工
用基板１Ｃに付着するのを防ぐことができる。このた
め、溶融した半田ボール１０が冷却固化した後には、分
離基板６を残余の加工用基板１Ｃから容易に取外すこと
ができる。
加工用基板１Ｃ側の裏面電極４、端面電極５を除去する
構成としたから、溶融した半田ボール１０が残余の加工
用基板１Ｃに付着するのを防ぐことができる。このた
め、溶融した半田ボール１０が冷却固化した後には、分
離基板６を残余の加工用基板１Ｃから容易に取外すこと
ができる。
【００９３】さらに、端面電極５等に溶融した半田ボー
ル１０を固着する前に、加工用基板１から分離基板６を
分離して該分離基板６を残余の加工用基板１Ｃに埋め戻
す構成としたから、ダイヤモンドカッター等によって加
工用基板１を切断する場合に比べて、モジュール基板１
００の洗浄、乾燥等を省くことができる。このため、端
面電極１０５に半田１０８を固定するときに、分離基板
６に電子部品１０２を取付けたとしても、この電子部品
１０２の特性が洗浄によって劣化することがなくなると
共に、洗浄等に要する時間が不要となるから、モジュー
ル基板１００の製造に必要な時間を短縮でき、生産性を
向上することができる。
ル１０を固着する前に、加工用基板１から分離基板６を
分離して該分離基板６を残余の加工用基板１Ｃに埋め戻
す構成としたから、ダイヤモンドカッター等によって加
工用基板１を切断する場合に比べて、モジュール基板１
００の洗浄、乾燥等を省くことができる。このため、端
面電極１０５に半田１０８を固定するときに、分離基板
６に電子部品１０２を取付けたとしても、この電子部品
１０２の特性が洗浄によって劣化することがなくなると
共に、洗浄等に要する時間が不要となるから、モジュー
ル基板１００の製造に必要な時間を短縮でき、生産性を
向上することができる。
【００９４】なお、本実施の形態では閉塞板７によって
貫通孔２の一方の開口を閉塞した状態で半田ボール１０
を加熱、溶融する構成としたが、必ずしも閉塞板７によ
って貫通孔２を閉塞する必要はなく、例えば貫通孔２の
両方の開口を開放した状態で半田ボール１０を加熱、溶
融してもよい。この場合でも裏面電極４に溶融した半田
ボール１０が付着するから、半田１１を加工用基板１の
裏面１Ｂ側に突出させることができる。
貫通孔２の一方の開口を閉塞した状態で半田ボール１０
を加熱、溶融する構成としたが、必ずしも閉塞板７によ
って貫通孔２を閉塞する必要はなく、例えば貫通孔２の
両方の開口を開放した状態で半田ボール１０を加熱、溶
融してもよい。この場合でも裏面電極４に溶融した半田
ボール１０が付着するから、半田１１を加工用基板１の
裏面１Ｂ側に突出させることができる。
【００９５】また、第１の実施の形態では貫通孔１Ｄを
形成した後、裏面電極４等を形成するものとしたが、図
２３および図２４に示す第１の実施の形態の変形例のよ
うに、貫通孔１Ｄを穿設する前に予め裏面電極４を形成
し、該裏面電極４の位置に貫通孔１Ｄを形成する構成と
してもよい。
形成した後、裏面電極４等を形成するものとしたが、図
２３および図２４に示す第１の実施の形態の変形例のよ
うに、貫通孔１Ｄを穿設する前に予め裏面電極４を形成
し、該裏面電極４の位置に貫通孔１Ｄを形成する構成と
してもよい。
【００９６】次に、図２５および図２６に基づいて第２
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について
説明する。然るに、第２の実施の形態の特徴は、治具を
用いて半田ボールを位置決めし、クリーム半田に取付け
る構成としたことにある。なお、本実施の形態では前記
第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付
し、その説明を省略するものとする。また、貫通孔加工
工程、端面電極加工工程、プッシュバック工程、貫通孔
閉塞工程、クリーム半田塗布工程は、第１の実施の形態
と同様であるため、これらの説明は省略する。
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について
説明する。然るに、第２の実施の形態の特徴は、治具を
用いて半田ボールを位置決めし、クリーム半田に取付け
る構成としたことにある。なお、本実施の形態では前記
第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付
し、その説明を省略するものとする。また、貫通孔加工
工程、端面電極加工工程、プッシュバック工程、貫通孔
閉塞工程、クリーム半田塗布工程は、第１の実施の形態
と同様であるため、これらの説明は省略する。
【００９７】まず、図２５および図２６に示す半田ボー
ル取付工程では、加工用基板１の裏面１Ｂ側に半田ボー
ル１０を位置決めするための治具２１を取付ける。この
とき、治具２１は樹脂材料等によって略平板状に形成さ
れると共に、貫通孔２に対応した位置に半田ボール１０
を収容可能な位置決め孔２１Ａが設けられている。ま
た、位置決め孔２１Ａは貫通孔２のうち分離基板６側を
開放し、残余の加工用基板１Ｃ側を閉塞する。そして、
貫通孔２は、その一部が治具２１によって閉塞され、そ
の開口面積は半田ボール１０が通過不可能となる程度の
大きさに設定されている。
ル取付工程では、加工用基板１の裏面１Ｂ側に半田ボー
ル１０を位置決めするための治具２１を取付ける。この
とき、治具２１は樹脂材料等によって略平板状に形成さ
れると共に、貫通孔２に対応した位置に半田ボール１０
を収容可能な位置決め孔２１Ａが設けられている。ま
た、位置決め孔２１Ａは貫通孔２のうち分離基板６側を
開放し、残余の加工用基板１Ｃ側を閉塞する。そして、
貫通孔２は、その一部が治具２１によって閉塞され、そ
の開口面積は半田ボール１０が通過不可能となる程度の
大きさに設定されている。
【００９８】次に、図２６に示すように位置決め孔２１
Ａに半田ボール１０を挿入する。このとき、貫通孔２の
開口面積は半田ボール１０が通過不可能となる程度の大
きさに設定されているから、半田ボール１０はその一部
が貫通孔２に進入すると共に、貫通孔２を閉塞した状態
で固定される。また、位置決め孔２１Ａは貫通孔２のう
ち分離基板６側に位置しているから、半田ボール１０は
裏面電極４と端面電極５とが接続された角隅に接触する
と共に、裏面電極４を覆うクリーム半田８に接触した状
態で取付けられる。
Ａに半田ボール１０を挿入する。このとき、貫通孔２の
開口面積は半田ボール１０が通過不可能となる程度の大
きさに設定されているから、半田ボール１０はその一部
が貫通孔２に進入すると共に、貫通孔２を閉塞した状態
で固定される。また、位置決め孔２１Ａは貫通孔２のう
ち分離基板６側に位置しているから、半田ボール１０は
裏面電極４と端面電極５とが接続された角隅に接触する
と共に、裏面電極４を覆うクリーム半田８に接触した状
態で取付けられる。
【００９９】そして、加熱工程では、この状態で加工用
基板１、閉塞板７、治具２１等を加熱炉で加熱すること
によって、半田ボール１０は溶融し、裏面電極４と端面
電極５とに固着する。その後、分離基板取外し工程によ
って加工用基板１からモジュール基板を取出す。
基板１、閉塞板７、治具２１等を加熱炉で加熱すること
によって、半田ボール１０は溶融し、裏面電極４と端面
電極５とに固着する。その後、分離基板取外し工程によ
って加工用基板１からモジュール基板を取出す。
【０１００】かくして、本実施の形態では、治具２１に
よって半田ボール１０をクリーム半田８に接触した状態
で位置決めする構成としたから、例えば加熱工程におけ
る振動等によって半田ボール１０がクリーム半田８から
剥離してしまうのを防止でき、半田ボール１０を確実に
クリーム半田８に接触した状態で溶融させることができ
る。
よって半田ボール１０をクリーム半田８に接触した状態
で位置決めする構成としたから、例えば加熱工程におけ
る振動等によって半田ボール１０がクリーム半田８から
剥離してしまうのを防止でき、半田ボール１０を確実に
クリーム半田８に接触した状態で溶融させることができ
る。
【０１０１】また、半田ボール１０はその一部が貫通孔
２に挿入された状態で固定されるから、溶融した半田ボ
ール１０を貫通孔２内に流入させることができる。さら
に、半田ボール１０は半田ボール１０は裏面電極４と端
面電極５とが接続された角隅に接触しているから、溶融
した半田ボール１０を裏面電極４と端面電極５とに確実
に固着することができる。
２に挿入された状態で固定されるから、溶融した半田ボ
ール１０を貫通孔２内に流入させることができる。さら
に、半田ボール１０は半田ボール１０は裏面電極４と端
面電極５とが接続された角隅に接触しているから、溶融
した半田ボール１０を裏面電極４と端面電極５とに確実
に固着することができる。
【０１０２】なお、第２の実施の形態では半田ボール取
付工程において位置決め孔２１Ａを有する治具２１を用
いて貫通孔２の一部を閉塞する構成としたが、図２７お
よび図２８に示す第２の実施の形態の変形例のように耐
熱性を有するテープ２２を用いることによって貫通孔２
の一部を閉塞する構成としてもよい。この場合、半田ボ
ール取付工程では残余の加工用基板１Ｃの裏面１Ｂにテ
ープ２２を貼付し、貫通孔２のうち残余の加工用基板１
Ｃ側を部分的に閉塞する。その後、貫通孔２のうち開口
している部位に半田ボール１０を載置し、貫通孔２を閉
塞した状態で半田ボール１０を固定する。
付工程において位置決め孔２１Ａを有する治具２１を用
いて貫通孔２の一部を閉塞する構成としたが、図２７お
よび図２８に示す第２の実施の形態の変形例のように耐
熱性を有するテープ２２を用いることによって貫通孔２
の一部を閉塞する構成としてもよい。この場合、半田ボ
ール取付工程では残余の加工用基板１Ｃの裏面１Ｂにテ
ープ２２を貼付し、貫通孔２のうち残余の加工用基板１
Ｃ側を部分的に閉塞する。その後、貫通孔２のうち開口
している部位に半田ボール１０を載置し、貫通孔２を閉
塞した状態で半田ボール１０を固定する。
【０１０３】これにより、裏面電極４、端面電極５に溶
融した半田ボール１０を固着した後に分離基板取外し工
程によって分離基板６を取外すときに、テープ２２は残
余の加工用基板１Ｃと一緒に分離基板６から取外すこと
ができる。このため、分離基板取外し工程を簡略化し生
産性を向上することができる。
融した半田ボール１０を固着した後に分離基板取外し工
程によって分離基板６を取外すときに、テープ２２は残
余の加工用基板１Ｃと一緒に分離基板６から取外すこと
ができる。このため、分離基板取外し工程を簡略化し生
産性を向上することができる。
【０１０４】次に、図２９ないし図３１に基づいて第３
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について
説明する。然るに、第３の実施の形態の特徴は、貫通孔
をその内径寸法が半田ボールの外径寸法よりも小さい円
形状に形成し、該貫通孔を閉塞した状態で半田ボールを
クリーム半田に取付ける構成としたことにある。なお、
本実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の構成要
素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとす
る。
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について
説明する。然るに、第３の実施の形態の特徴は、貫通孔
をその内径寸法が半田ボールの外径寸法よりも小さい円
形状に形成し、該貫通孔を閉塞した状態で半田ボールを
クリーム半田に取付ける構成としたことにある。なお、
本実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の構成要
素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとす
る。
【０１０５】まず、本実施の形態では、第１の実施の形
態と同様に貫通孔加工工程によって加工用基板３１に貫
通孔３２を穿設し、端面電極加工工程によって加工用基
板３１の表面３１Ａに配線３を設け、裏面３１Ｂに裏面
電極４を設け、貫通孔３２の内壁面に端面電極５を設け
る。そして、プッシュバック工程によって、加工用基板
３１から分離基板３３と残余の加工用基板３１Ｃとを分
離した後、分離基板３３を残余の加工用基板３１Ｃに埋
め戻す。このとき、貫通孔３２は、その内径寸法が半田
ボール１０の外径寸法よりも小さい円形状に形成されて
いる。そして、貫通孔閉塞工程によって加工用基板３１
の表面３１Ａに閉塞板７を取付け、貫通孔２の一方の開
口を閉塞する。
態と同様に貫通孔加工工程によって加工用基板３１に貫
通孔３２を穿設し、端面電極加工工程によって加工用基
板３１の表面３１Ａに配線３を設け、裏面３１Ｂに裏面
電極４を設け、貫通孔３２の内壁面に端面電極５を設け
る。そして、プッシュバック工程によって、加工用基板
３１から分離基板３３と残余の加工用基板３１Ｃとを分
離した後、分離基板３３を残余の加工用基板３１Ｃに埋
め戻す。このとき、貫通孔３２は、その内径寸法が半田
ボール１０の外径寸法よりも小さい円形状に形成されて
いる。そして、貫通孔閉塞工程によって加工用基板３１
の表面３１Ａに閉塞板７を取付け、貫通孔２の一方の開
口を閉塞する。
【０１０６】次に、クリーム半田塗布工程では、図２９
および図３０に示すように第１の実施の形態と同様に裏
面電極４を覆ってクリーム半田８を分離基板３３の裏面
側に塗布する。
および図３０に示すように第１の実施の形態と同様に裏
面電極４を覆ってクリーム半田８を分離基板３３の裏面
側に塗布する。
【０１０７】そして、半田ボール取付工程では、図３１
に示すように加工用基板３１の貫通孔３２に半田ボール
１０を載置し、貫通孔３２を閉塞した状態で半田ボール
１０を固定する。これにより、半田ボール１０は裏面電
極４と端面電極５とが接続された角隅に接触すると共
に、裏面電極４を覆うクリーム半田８に接触した状態で
取付けられる。
に示すように加工用基板３１の貫通孔３２に半田ボール
１０を載置し、貫通孔３２を閉塞した状態で半田ボール
１０を固定する。これにより、半田ボール１０は裏面電
極４と端面電極５とが接続された角隅に接触すると共
に、裏面電極４を覆うクリーム半田８に接触した状態で
取付けられる。
【０１０８】その後、加熱工程では、この状態で加工用
基板３１、閉塞板７等を加熱炉で加熱することによっ
て、半田ボール１０は溶融し、裏面電極４と端面電極５
とに固着する。最後に、分離基板取外し工程によって加
工用基板３１からモジュール基板を取出す。
基板３１、閉塞板７等を加熱炉で加熱することによっ
て、半田ボール１０は溶融し、裏面電極４と端面電極５
とに固着する。最後に、分離基板取外し工程によって加
工用基板３１からモジュール基板を取出す。
【０１０９】かくして、本実施の形態では、貫通孔３２
をその内径寸法が半田ボール１０の外径寸法よりも小さ
い円形状に形成し、該貫通孔３２を閉塞した状態で半田
ボール１０をクリーム半田８に取付ける構成としたか
ら、治具等の他の部材を用いることなく半田ボール１０
を容易かつ確実に固定することができる。このため、第
２の実施の形態のように治具を用いた場合に比べて半田
ボール取付工程を簡略化し生産性を向上させることがで
きる。また、本実施の形態では第２の実施の形態の変形
例のようにテープを用いた場合に比べてテープを省くこ
とができるから、製造コストを低減することができる。
をその内径寸法が半田ボール１０の外径寸法よりも小さ
い円形状に形成し、該貫通孔３２を閉塞した状態で半田
ボール１０をクリーム半田８に取付ける構成としたか
ら、治具等の他の部材を用いることなく半田ボール１０
を容易かつ確実に固定することができる。このため、第
２の実施の形態のように治具を用いた場合に比べて半田
ボール取付工程を簡略化し生産性を向上させることがで
きる。また、本実施の形態では第２の実施の形態の変形
例のようにテープを用いた場合に比べてテープを省くこ
とができるから、製造コストを低減することができる。
【０１１０】次に、図３２および図３３に基づいて第４
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について
説明する。然るに、第４の実施の形態の特徴は、半田ボ
ールを位置決めした治具の上側に加工用基板を載置し、
裏面電極が加工用基板の下側に位置した状態で該裏面電
極を覆って塗布したクリーム半田に半田ボールを接触さ
せて取付ける構成としたことにある。なお、本実施の形
態では前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の
符号を付し、その説明を省略するものとする。また、貫
通孔加工工程、端面電極加工工程、プッシュバック工程
は、第１の実施の形態と同様であるため、これらの説明
は省略する。
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について
説明する。然るに、第４の実施の形態の特徴は、半田ボ
ールを位置決めした治具の上側に加工用基板を載置し、
裏面電極が加工用基板の下側に位置した状態で該裏面電
極を覆って塗布したクリーム半田に半田ボールを接触さ
せて取付ける構成としたことにある。なお、本実施の形
態では前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の
符号を付し、その説明を省略するものとする。また、貫
通孔加工工程、端面電極加工工程、プッシュバック工程
は、第１の実施の形態と同様であるため、これらの説明
は省略する。
【０１１１】まず、本実施の形態では、プッシュバック
工程の後にクリーム半田塗布工程を行い、第１の実施の
形態と同様に裏面電極４を覆ってクリーム半田８を分離
基板６の裏面側に塗布する。
工程の後にクリーム半田塗布工程を行い、第１の実施の
形態と同様に裏面電極４を覆ってクリーム半田８を分離
基板６の裏面側に塗布する。
【０１１２】次に、図３２および図３３に示す半田ボー
ル取付工程では、加工用基板１の裏面１Ｂ側が下側とな
った状態で半田ボール１０を位置決めするための治具４
１の上側に加工用基板１を載置する。このとき、治具４
１は樹脂材料等によって略平板状に形成されると共に、
分離基板６の外周に沿って略四角形の枠状をなす溝４１
Ａが設けられると共に、該溝４１Ａの底部には貫通孔２
に対応した位置に半田ボール１０を固定可能な位置決め
穴４１Ｂが設けられている。
ル取付工程では、加工用基板１の裏面１Ｂ側が下側とな
った状態で半田ボール１０を位置決めするための治具４
１の上側に加工用基板１を載置する。このとき、治具４
１は樹脂材料等によって略平板状に形成されると共に、
分離基板６の外周に沿って略四角形の枠状をなす溝４１
Ａが設けられると共に、該溝４１Ａの底部には貫通孔２
に対応した位置に半田ボール１０を固定可能な位置決め
穴４１Ｂが設けられている。
【０１１３】なお、治具４１はいわゆる振込み治具から
なり、治具４１の位置決め穴４１Ｂに半田ボール１０を
固定するときには、溝４１Ａに多数の半田ボール１０を
収容した状態で治具４１を振動させ、位置決め穴４１Ｂ
に半田ボール１０を挿入するものである。
なり、治具４１の位置決め穴４１Ｂに半田ボール１０を
固定するときには、溝４１Ａに多数の半田ボール１０を
収容した状態で治具４１を振動させ、位置決め穴４１Ｂ
に半田ボール１０を挿入するものである。
【０１１４】また、位置決め穴４１Ｂの深さ寸法は、該
位置決め穴４１Ｂに半田ボール１０を挿入した状態で半
田ボール１０の一部が溝４１Ａから突出する値に設定さ
れている。このため、治具４１の上側に加工用基板１を
載置したときには、半田ボール１０が裏面電極４を覆う
クリーム半田８に接触して取付けられ、治具４１と加工
用基板１との間には僅かな隙間が形成される。
位置決め穴４１Ｂに半田ボール１０を挿入した状態で半
田ボール１０の一部が溝４１Ａから突出する値に設定さ
れている。このため、治具４１の上側に加工用基板１を
載置したときには、半田ボール１０が裏面電極４を覆う
クリーム半田８に接触して取付けられ、治具４１と加工
用基板１との間には僅かな隙間が形成される。
【０１１５】そして、加熱工程では、この状態で加工用
基板１、治具４１等を加熱炉で加熱することによって、
半田ボール１０は溶融し、裏面電極４と端面電極５とに
沿って図３３中の矢示方向に導かれ、突出部１１Ａを有
する半田１１となって裏面電極４と端面電極５に固着す
る。その後、分離基板取外し工程によって加工用基板１
からモジュール基板を取出す。
基板１、治具４１等を加熱炉で加熱することによって、
半田ボール１０は溶融し、裏面電極４と端面電極５とに
沿って図３３中の矢示方向に導かれ、突出部１１Ａを有
する半田１１となって裏面電極４と端面電極５に固着す
る。その後、分離基板取外し工程によって加工用基板１
からモジュール基板を取出す。
【０１１６】かくして、本実施の形態では、裏面電極４
が加工用基板１の下側に位置した状態で該裏面電極４を
覆うクリーム半田８に半田ボール１０を取付ける構成と
したから、半田ボール１０が溶融したときには該半田ボ
ール１０に重力が作用する。このため、半田１１が加工
用基板１の表面１Ａから突出するのを防ぐことができる
と共に、裏面電極４等に固着する半田１１の突出部１１
Ａの突出寸法を大きくすることができる。
が加工用基板１の下側に位置した状態で該裏面電極４を
覆うクリーム半田８に半田ボール１０を取付ける構成と
したから、半田ボール１０が溶融したときには該半田ボ
ール１０に重力が作用する。このため、半田１１が加工
用基板１の表面１Ａから突出するのを防ぐことができる
と共に、裏面電極４等に固着する半田１１の突出部１１
Ａの突出寸法を大きくすることができる。
【０１１７】次に、図３４ないし図３６に基づいて第５
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について
説明する。然るに、第５の実施の形態の特徴は、残余の
加工用基板の裏面側にクリーム半田を塗布し、該クリー
ム半田に半田ボールを取付ける構成としたことにある。
なお、本実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の
構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するもの
とする。また、貫通孔加工工程、端面電極加工工程、プ
ッシュバック工程、貫通孔閉塞工程は、第１の実施の形
態と同様であるため、これらの説明は省略する。
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について
説明する。然るに、第５の実施の形態の特徴は、残余の
加工用基板の裏面側にクリーム半田を塗布し、該クリー
ム半田に半田ボールを取付ける構成としたことにある。
なお、本実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の
構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するもの
とする。また、貫通孔加工工程、端面電極加工工程、プ
ッシュバック工程、貫通孔閉塞工程は、第１の実施の形
態と同様であるため、これらの説明は省略する。
【０１１８】まず、図３５に示すクリーム半田塗布工程
では、貫通孔２の略円弧状の開口近傍に位置して残余の
加工用基板１Ｃの裏面にクリーム半田８を塗布する。そ
の後、図３６に示す半田ボール取付工程では、残余の加
工用基板１Ｃに塗布したクリーム半田８に半田ボール１
０を載置し、半田ボール１０を固定する。
では、貫通孔２の略円弧状の開口近傍に位置して残余の
加工用基板１Ｃの裏面にクリーム半田８を塗布する。そ
の後、図３６に示す半田ボール取付工程では、残余の加
工用基板１Ｃに塗布したクリーム半田８に半田ボール１
０を載置し、半田ボール１０を固定する。
【０１１９】次に、加熱工程では、この状態で加工用基
板１、閉塞板７等を加熱炉で加熱する。これにより、半
田ボール１０は溶融し、クリーム半田８に沿って貫通孔
２の開口端周辺に拡がると共に、図３５中に矢示するよ
うに貫通孔２内に流れ込む。そして、溶融した半田ボー
ル１０′は、図３６に示すように貫通孔２内で拡がり、
端面電極５に接触する。このため、溶融した半田ボール
１０′は、図３６中に矢示するように端面電極５に沿っ
て上昇し、裏面電極４に達するから、裏面電極４、端面
電極５に半田１１となって固着する。その後、分離基板
取外し工程によって加工用基板１からモジュール基板を
取出す。
板１、閉塞板７等を加熱炉で加熱する。これにより、半
田ボール１０は溶融し、クリーム半田８に沿って貫通孔
２の開口端周辺に拡がると共に、図３５中に矢示するよ
うに貫通孔２内に流れ込む。そして、溶融した半田ボー
ル１０′は、図３６に示すように貫通孔２内で拡がり、
端面電極５に接触する。このため、溶融した半田ボール
１０′は、図３６中に矢示するように端面電極５に沿っ
て上昇し、裏面電極４に達するから、裏面電極４、端面
電極５に半田１１となって固着する。その後、分離基板
取外し工程によって加工用基板１からモジュール基板を
取出す。
【０１２０】かくして、本実施の形態では、残余の加工
用基板１Ｃにクリーム半田８を塗布し、該クリーム半田
８に半田ボール１０を取付けるから、分離基板６にクリ
ーム半田８を塗布する場合に比べて分離基板６側にクリ
ーム半田８を塗布する面積を確保する必要がなくなり、
端面電極５近傍に電子部品を搭載でき、モジュール基板
の集積度を高めることができる。
用基板１Ｃにクリーム半田８を塗布し、該クリーム半田
８に半田ボール１０を取付けるから、分離基板６にクリ
ーム半田８を塗布する場合に比べて分離基板６側にクリ
ーム半田８を塗布する面積を確保する必要がなくなり、
端面電極５近傍に電子部品を搭載でき、モジュール基板
の集積度を高めることができる。
【０１２１】次に、図３７ないし図３９に基づいて第６
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について
説明する。然るに、第６の実施の形態の特徴は、分離基
板の表面側にクリーム半田を塗布し、該クリーム半田に
半田ボールを取付ける構成としたことにある。なお、本
実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の構成要素
に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
また、貫通孔加工工程、端面電極加工工程、プッシュバ
ック工程は、第１の実施の形態と同様であるたこれらの
説明は省略する。
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について
説明する。然るに、第６の実施の形態の特徴は、分離基
板の表面側にクリーム半田を塗布し、該クリーム半田に
半田ボールを取付ける構成としたことにある。なお、本
実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の構成要素
に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
また、貫通孔加工工程、端面電極加工工程、プッシュバ
ック工程は、第１の実施の形態と同様であるたこれらの
説明は省略する。
【０１２２】まず、本実施の形態では、図３７および図
３８に示すプッシュバック工程の後にクリーム半田塗布
工程を行い、貫通孔２の周囲に位置して分離基板６の表
面側にクリーム半田８を塗布する。このとき、配線３は
溶融した半田ボール１０が付着するのを防止するために
予めレジスト膜５１によって覆っておく。また、クリー
ム半田８は貫通孔２の開口に沿って略半円弧形状に塗布
され、その一部が分離基板６の厚さ方向に延びる端面電
極５の端部に接触している。
３８に示すプッシュバック工程の後にクリーム半田塗布
工程を行い、貫通孔２の周囲に位置して分離基板６の表
面側にクリーム半田８を塗布する。このとき、配線３は
溶融した半田ボール１０が付着するのを防止するために
予めレジスト膜５１によって覆っておく。また、クリー
ム半田８は貫通孔２の開口に沿って略半円弧形状に塗布
され、その一部が分離基板６の厚さ方向に延びる端面電
極５の端部に接触している。
【０１２３】次に、図３９に示す半田ボール取付工程で
は、分離基板６の表面側に位置してクリーム半田８に半
田ボール１０を載置し、半田ボール１０を固定する。こ
のとき、半田ボール１０は加工用基板１の上側となるよ
うに配置する。
は、分離基板６の表面側に位置してクリーム半田８に半
田ボール１０を載置し、半田ボール１０を固定する。こ
のとき、半田ボール１０は加工用基板１の上側となるよ
うに配置する。
【０１２４】そして、加熱工程では、この状態で加工用
基板１等を加熱炉で加熱する。これにより、半田ボール
１０は溶融し、クリーム半田８に沿って拡がると共に、
分離基板６の表面側に位置する端面電極５の端部に接触
する。このため、溶融した半田ボール１０は、図３９中
に矢示するように端面電極５に沿って下降し、裏面電極
４に達するから、裏面電極４、端面電極５に半田１１と
なって固着する。その後、分離基板取外し工程によって
加工用基板１からモジュール基板を取出す。
基板１等を加熱炉で加熱する。これにより、半田ボール
１０は溶融し、クリーム半田８に沿って拡がると共に、
分離基板６の表面側に位置する端面電極５の端部に接触
する。このため、溶融した半田ボール１０は、図３９中
に矢示するように端面電極５に沿って下降し、裏面電極
４に達するから、裏面電極４、端面電極５に半田１１と
なって固着する。その後、分離基板取外し工程によって
加工用基板１からモジュール基板を取出す。
【０１２５】かくして、第６の実施の形態によるモジュ
ール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、
本実施の形態でも第１の実施の形態と同様の作用効果を
得ることができる。
ール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、
本実施の形態でも第１の実施の形態と同様の作用効果を
得ることができる。
【０１２６】なお、第６の実施の形態では、分離基板６
の表面側にクリーム半田８を塗布し、該クリーム半田８
上に半田ボール１０を取付ける構成とした。しかし、例
えば第３の実施の形態と同様に半田ボール１０の外径寸
法よりも小さい内径寸法となった貫通孔３２を形成した
場合には、図４０に示す第６の実施の形態の第１の変形
例のように配線３をレジスト膜５１によって覆い、分離
基板３３の表面側にクリーム半田８を塗布した後、半田
ボール１０によって加工用基板３１の表面側から貫通孔
３２を閉塞し、半田ボール１０をクリーム半田８に接触
させた状態で取付けてもよい。
の表面側にクリーム半田８を塗布し、該クリーム半田８
上に半田ボール１０を取付ける構成とした。しかし、例
えば第３の実施の形態と同様に半田ボール１０の外径寸
法よりも小さい内径寸法となった貫通孔３２を形成した
場合には、図４０に示す第６の実施の形態の第１の変形
例のように配線３をレジスト膜５１によって覆い、分離
基板３３の表面側にクリーム半田８を塗布した後、半田
ボール１０によって加工用基板３１の表面側から貫通孔
３２を閉塞し、半田ボール１０をクリーム半田８に接触
させた状態で取付けてもよい。
【０１２７】また、図４１に示す第６の実施の形態の第
２の変形例のように残余の加工用基板３１Ｃの表面にク
リーム半田８を塗布し、該クリーム半田８上に半田ボー
ル１０を取付ける構成としてもよい。
２の変形例のように残余の加工用基板３１Ｃの表面にク
リーム半田８を塗布し、該クリーム半田８上に半田ボー
ル１０を取付ける構成としてもよい。
【０１２８】次に、図４２および図４３に基づいて第７
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について
説明する。然るに、第７の実施の形態の特徴は、貫通孔
をその内径寸法が半田ボールの外径寸法以上となる円形
状に形成し、該貫通孔に半田ボールを収容する構成とし
たことにある。なお、本実施の形態では前記第１の実施
の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明
を省略するものとする。
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について
説明する。然るに、第７の実施の形態の特徴は、貫通孔
をその内径寸法が半田ボールの外径寸法以上となる円形
状に形成し、該貫通孔に半田ボールを収容する構成とし
たことにある。なお、本実施の形態では前記第１の実施
の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明
を省略するものとする。
【０１２９】まず、本実施の形態では、第１の実施の形
態と同様に貫通孔加工工程によって加工用基板６１に貫
通孔６２を穿設し、端面電極加工工程によって加工用基
板６１の表面６１Ａに配線３を設け、裏面６１Ｂに裏面
電極４を設け、貫通孔６２の内壁面に端面電極５を設け
る。そして、プッシュバック工程によって、加工用基板
６１から分離基板６３と残余の加工用基板６１Ｃとを分
離した後、分離基板６３を残余の加工用基板６１Ｃに埋
め戻す。このとき、貫通孔６２は、その内径寸法が半田
ボール１０の外径寸法よりも大きい略円形状に形成され
ている。
態と同様に貫通孔加工工程によって加工用基板６１に貫
通孔６２を穿設し、端面電極加工工程によって加工用基
板６１の表面６１Ａに配線３を設け、裏面６１Ｂに裏面
電極４を設け、貫通孔６２の内壁面に端面電極５を設け
る。そして、プッシュバック工程によって、加工用基板
６１から分離基板６３と残余の加工用基板６１Ｃとを分
離した後、分離基板６３を残余の加工用基板６１Ｃに埋
め戻す。このとき、貫通孔６２は、その内径寸法が半田
ボール１０の外径寸法よりも大きい略円形状に形成され
ている。
【０１３０】次に、図４２に示す半田ボール収容工程で
は、半田ボール１０の外径寸法を例えば貫通孔６２の内
径寸法と略等しい値に設定し、この半田ボール１０を貫
通孔６２内に収容する。これにより、半田ボール１０を
端面電極５に接触させた（取付けた）状態で、貫通孔６
２の内壁面で半田ボール１０を支持することができる。
は、半田ボール１０の外径寸法を例えば貫通孔６２の内
径寸法と略等しい値に設定し、この半田ボール１０を貫
通孔６２内に収容する。これにより、半田ボール１０を
端面電極５に接触させた（取付けた）状態で、貫通孔６
２の内壁面で半田ボール１０を支持することができる。
【０１３１】次に、図４３に示すクリーム半田塗布工程
では、貫通孔６２内に収容された半田ボール１０にクリ
ーム半田８を塗布する。このとき、半田ボール１０に付
着したクリーム半田８は、その一部が裏面電極４、端面
電極５にも接触している。なお、クリーム半田８は、必
ずしも裏面電極４等に接触した位置に設ける必要はな
く、例えば図４３中に二点鎖線で示すように裏面電極４
等に接触しない頂点近傍の位置に設けてもよい。
では、貫通孔６２内に収容された半田ボール１０にクリ
ーム半田８を塗布する。このとき、半田ボール１０に付
着したクリーム半田８は、その一部が裏面電極４、端面
電極５にも接触している。なお、クリーム半田８は、必
ずしも裏面電極４等に接触した位置に設ける必要はな
く、例えば図４３中に二点鎖線で示すように裏面電極４
等に接触しない頂点近傍の位置に設けてもよい。
【０１３２】その後、加熱工程では、この状態で加工用
基板６１等を加熱炉で加熱することによって、半田ボー
ル１０は溶融し、端面電極５に沿って拡がり、裏面電極
４と端面電極５とに固着する。最後に、分離基板取外し
工程によって加工用基板３１からモジュール基板を取出
す。
基板６１等を加熱炉で加熱することによって、半田ボー
ル１０は溶融し、端面電極５に沿って拡がり、裏面電極
４と端面電極５とに固着する。最後に、分離基板取外し
工程によって加工用基板３１からモジュール基板を取出
す。
【０１３３】かくして、第７の実施の形態によるモジュ
ール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、
本実施の形態でも第１の実施の形態と同様の作用効果を
得ることができる。しかし、本実施の形態では第１の実
施の形態と比べて容易かつ確実に半田ボール１０を位置
決めし、固定することができる。
ール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、
本実施の形態でも第１の実施の形態と同様の作用効果を
得ることができる。しかし、本実施の形態では第１の実
施の形態と比べて容易かつ確実に半田ボール１０を位置
決めし、固定することができる。
【０１３４】なお、第７の実施の形態では半田ボール１
０を貫通孔６２に収容した後に半田ボール１０にクリー
ム半田８を塗布するものとしたが、半田ボール１０に予
めクリーム半田８を塗布し、この状態で半田ボール１０
を貫通孔６２内に収容する構成としてもよい。
０を貫通孔６２に収容した後に半田ボール１０にクリー
ム半田８を塗布するものとしたが、半田ボール１０に予
めクリーム半田８を塗布し、この状態で半田ボール１０
を貫通孔６２内に収容する構成としてもよい。
【０１３５】また、半田ボール１０の外径寸法が貫通孔
６２よりも小さいときには、図４３に示すように閉塞板
７によって閉塞した状態で半田ボール１０を貫通孔６２
内に収容し、この状態で貫通孔６２内にフラックス等を
塗布し、該フラックスの粘着力によって半田ボール１０
を端面電極５に取付ける構成としてもよい。
６２よりも小さいときには、図４３に示すように閉塞板
７によって閉塞した状態で半田ボール１０を貫通孔６２
内に収容し、この状態で貫通孔６２内にフラックス等を
塗布し、該フラックスの粘着力によって半田ボール１０
を端面電極５に取付ける構成としてもよい。
【０１３６】さらに、第７の実施の形態では半田ボール
１０の外径寸法を例えば貫通孔６２の内径寸法と略等し
い値に設定し、この半田ボール１０を貫通孔６２内に収
容するものとした。しかし、本発明はこれに限らず、例
えば半田ボール１０の外径寸法が貫通孔６２よりも大き
いときには、第３の実施の形態と同様に貫通孔６２を閉
塞する状態で半田ボール１０を載置し（図３１参照）、
その後半田ボール１０にクリーム半田８を塗布する構成
としてもよい。
１０の外径寸法を例えば貫通孔６２の内径寸法と略等し
い値に設定し、この半田ボール１０を貫通孔６２内に収
容するものとした。しかし、本発明はこれに限らず、例
えば半田ボール１０の外径寸法が貫通孔６２よりも大き
いときには、第３の実施の形態と同様に貫通孔６２を閉
塞する状態で半田ボール１０を載置し（図３１参照）、
その後半田ボール１０にクリーム半田８を塗布する構成
としてもよい。
【０１３７】次に、図４４ないし図５０に基づいて第８
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法を説明す
る。然るに、第８の実施の形態の特徴は、加工用基板に
スリット孔を設けることによって非分離基板を形成し、
該非分離基板にクリーム半田を塗布した後、該クリーム
半田に半田ボールを取り付ける構成としたことにある。
なお、本実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の
構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するもの
とする。
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法を説明す
る。然るに、第８の実施の形態の特徴は、加工用基板に
スリット孔を設けることによって非分離基板を形成し、
該非分離基板にクリーム半田を塗布した後、該クリーム
半田に半田ボールを取り付ける構成としたことにある。
なお、本実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の
構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するもの
とする。
【０１３８】まず、第８の実施の形態では、第１の実施
の形態と同様に貫通孔加工工程によって加工用基板７１
に貫通孔７１Ｄを穿設する。その後、図４４および図４
５に示す端面電極加工工程によって、加工用基板７１の
表面７１Ａに配線３を設け、裏面７１Ｂに裏面電極４を
設け、該貫通孔７１Ｄの内壁面に裏面電極４、配線３に
接続された端面電極５を設ける。
の形態と同様に貫通孔加工工程によって加工用基板７１
に貫通孔７１Ｄを穿設する。その後、図４４および図４
５に示す端面電極加工工程によって、加工用基板７１の
表面７１Ａに配線３を設け、裏面７１Ｂに裏面電極４を
設け、該貫通孔７１Ｄの内壁面に裏面電極４、配線３に
接続された端面電極５を設ける。
【０１３９】次に、図４６ないし図４８に示すスリット
孔加工工程では、端面電極５を残存させつつ貫通孔７１
Ｄの一部を除去する溝状のスリット孔７２を設ける。こ
のとき、スリット孔７２は基板１０１と対応した非分離
基板７３の外周縁に沿って複数個設けられる。
孔加工工程では、端面電極５を残存させつつ貫通孔７１
Ｄの一部を除去する溝状のスリット孔７２を設ける。こ
のとき、スリット孔７２は基板１０１と対応した非分離
基板７３の外周縁に沿って複数個設けられる。
【０１４０】これにより、加工用基板１には、スリット
孔７２によって取囲まれた非分離基板７３と、該非分離
基板７３の４隅が接続され非分離基板７３を取囲む残余
の加工用基板７１Ｃとが形成される。また、非分離基板
７３には配線３、裏面電極４、端面電極５が設けられる
のに対し、スリット孔７２の穿設によって残余の加工用
基板１Ｃからはこれら端面電極５等が除去されている。
孔７２によって取囲まれた非分離基板７３と、該非分離
基板７３の４隅が接続され非分離基板７３を取囲む残余
の加工用基板７１Ｃとが形成される。また、非分離基板
７３には配線３、裏面電極４、端面電極５が設けられる
のに対し、スリット孔７２の穿設によって残余の加工用
基板１Ｃからはこれら端面電極５等が除去されている。
【０１４１】次に、図４９に示すようにスリット孔閉塞
工程によって加工用基板７１の表面７１Ａ側に閉塞板７
を取付け、スリット孔７２の一方の開口を閉塞する。そ
の後、クリーム半田塗布工程によって、裏面電極４を覆
って非分離基板７３の裏面側にクリーム半田８を塗布す
る。そして、クリーム半田８に半田ボール１０を載置
し、半田ボール１０をクリーム半田８に取付けた後、加
熱工程によって加工用基板７１等を加熱する。これによ
り、半田ボール１０は溶融して裏面電極４と端面電極５
とに固着する。
工程によって加工用基板７１の表面７１Ａ側に閉塞板７
を取付け、スリット孔７２の一方の開口を閉塞する。そ
の後、クリーム半田塗布工程によって、裏面電極４を覆
って非分離基板７３の裏面側にクリーム半田８を塗布す
る。そして、クリーム半田８に半田ボール１０を載置
し、半田ボール１０をクリーム半田８に取付けた後、加
熱工程によって加工用基板７１等を加熱する。これによ
り、半田ボール１０は溶融して裏面電極４と端面電極５
とに固着する。
【０１４２】最後に、図５０に示す基板取外し工程で
は、加工用基板７１から治具プレート７４を取外した
後、非分離基板７３と残余の加工用基板７１Ｃとを接続
する部位を切断し、非分離基板７３を加工用基板７１か
ら分離する。これにより、端面電極１０５に半田１０８
を固着した状態のモジュール基板１００を製造すること
ができる。
は、加工用基板７１から治具プレート７４を取外した
後、非分離基板７３と残余の加工用基板７１Ｃとを接続
する部位を切断し、非分離基板７３を加工用基板７１か
ら分離する。これにより、端面電極１０５に半田１０８
を固着した状態のモジュール基板１００を製造すること
ができる。
【０１４３】かくして、第８の実施の形態によるモジュ
ール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、
本実施の形態でも第１の実施の形態と同様の作用効果を
得ることができる。
ール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、
本実施の形態でも第１の実施の形態と同様の作用効果を
得ることができる。
【０１４４】なお、第８の実施の形態では４個のスリッ
ト孔７２によって非分離基板７３を囲むものとしたが、
例えば略四角形の枠状のスリット孔を１個設け、この単
一のスリット孔によって非分離基板を囲む構成としても
よい。
ト孔７２によって非分離基板７３を囲むものとしたが、
例えば略四角形の枠状のスリット孔を１個設け、この単
一のスリット孔によって非分離基板を囲む構成としても
よい。
【０１４５】また、第８の実施の形態では、第１の実施
の形態と同様の方法により半田ボール１０をクリーム半
田８に取付ける構成とした。しかし、図５１に示す第８
の実施の形態の第１の変形例のようにスリット孔７２′
の幅寸法を短く形成することによって、半田ボール１０
を端面電極５に対応した位置でスリット孔７２′の一部
を閉塞し、この状態で裏面電極４上のクリーム半田８に
半田ボール１０を取付ける構成としてもよい。この場
合、半田ボール１０をスリット孔７２′の一部を閉塞し
た状態で載置した後、該半田ボール１０にクリーム半田
８を塗布する構成としてもよい。
の形態と同様の方法により半田ボール１０をクリーム半
田８に取付ける構成とした。しかし、図５１に示す第８
の実施の形態の第１の変形例のようにスリット孔７２′
の幅寸法を短く形成することによって、半田ボール１０
を端面電極５に対応した位置でスリット孔７２′の一部
を閉塞し、この状態で裏面電極４上のクリーム半田８に
半田ボール１０を取付ける構成としてもよい。この場
合、半田ボール１０をスリット孔７２′の一部を閉塞し
た状態で載置した後、該半田ボール１０にクリーム半田
８を塗布する構成としてもよい。
【０１４６】さらに、図５２に示す第８の実施の形態の
第２の変形例のように半田ボール１０の外径寸法を端面
電極５とスリット孔７２の内壁との間に挟持可能な程度
に設定することによって、端面電極５に対面した位置で
スリット孔７２内に半田ボール１０を収容し、該半田ボ
ール１０にクリーム半田８を塗布する構成としてもよ
い。この場合、クリーム半田８は、図５２中に実線で示
すように裏面電極４、端面電極５に接触する位置に設け
てもよく、図５２中に二点鎖線で示すように裏面電極４
等に接触しない位置に設けてよい。また、半田ボール１
０をスリット孔７２内に収容する前に半田ボール１０に
予めクリーム半田８を塗布する構成としてもよい。
第２の変形例のように半田ボール１０の外径寸法を端面
電極５とスリット孔７２の内壁との間に挟持可能な程度
に設定することによって、端面電極５に対面した位置で
スリット孔７２内に半田ボール１０を収容し、該半田ボ
ール１０にクリーム半田８を塗布する構成としてもよ
い。この場合、クリーム半田８は、図５２中に実線で示
すように裏面電極４、端面電極５に接触する位置に設け
てもよく、図５２中に二点鎖線で示すように裏面電極４
等に接触しない位置に設けてよい。また、半田ボール１
０をスリット孔７２内に収容する前に半田ボール１０に
予めクリーム半田８を塗布する構成としてもよい。
【０１４７】また、第８の実施の形態においても、第２
の実施の形態と同様に治具を用いて半田ボール１０を位
置決め、固定する構成としてもよく、第４または第６と
同様の方法を用いて非分離基板７３の表面または裏面に
クリーム半田８を塗布し、該クリーム半田８に半田ボー
ル１０を取付ける構成としてもよい。
の実施の形態と同様に治具を用いて半田ボール１０を位
置決め、固定する構成としてもよく、第４または第６と
同様の方法を用いて非分離基板７３の表面または裏面に
クリーム半田８を塗布し、該クリーム半田８に半田ボー
ル１０を取付ける構成としてもよい。
【０１４８】さらに、図５３および図５４に示す第８の
実施の形態の第３の変形例のように、加工用基板１に円
形の貫通孔７１Ｄを穿設する前に基板１に配線３、裏面
電極４等を設け、該裏面電極４等の位置に円形の貫通孔
７１Ｄを穿設し、その後端面電極５を形成してもよい。
実施の形態の第３の変形例のように、加工用基板１に円
形の貫通孔７１Ｄを穿設する前に基板１に配線３、裏面
電極４等を設け、該裏面電極４等の位置に円形の貫通孔
７１Ｄを穿設し、その後端面電極５を形成してもよい。
【０１４９】次に、図５５ないし図５８に基づいて第９
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法を説明す
る。然るに、第９の実施の形態の特徴は、端面電極に半
田を固定した後に、ダイヤモンドカッターを用いて加工
用基板を貫通孔を通って切断することにある。なお、本
実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の構成要素
に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法を説明す
る。然るに、第９の実施の形態の特徴は、端面電極に半
田を固定した後に、ダイヤモンドカッターを用いて加工
用基板を貫通孔を通って切断することにある。なお、本
実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の構成要素
に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【０１５０】まず、第９の実施の形態では、第１の実施
の形態と同様に貫通孔加工工程によって加工用基板１に
予備的な円形の貫通孔（図示せず）を穿設し、端面電極
加工工程によって、図５５に示すように加工用基板１の
表面１Ａに配線３を形成し、裏面１Ｂに裏面電極４を形
成し、貫通孔の内壁面に端面電極５を形成する。その
後、端面電極５の一部を除去して貫通孔を長円形に拡張
した貫通孔２を形成する。このとき、貫通孔２に囲まれ
モジュール基板となる部位には配線３、裏面電極４、端
面電極５が設けられるのに対し、残余の部位からはこれ
らの端面電極５等は除去されている。
の形態と同様に貫通孔加工工程によって加工用基板１に
予備的な円形の貫通孔（図示せず）を穿設し、端面電極
加工工程によって、図５５に示すように加工用基板１の
表面１Ａに配線３を形成し、裏面１Ｂに裏面電極４を形
成し、貫通孔の内壁面に端面電極５を形成する。その
後、端面電極５の一部を除去して貫通孔を長円形に拡張
した貫通孔２を形成する。このとき、貫通孔２に囲まれ
モジュール基板となる部位には配線３、裏面電極４、端
面電極５が設けられるのに対し、残余の部位からはこれ
らの端面電極５等は除去されている。
【０１５１】なお、加工用基板１に円形の貫通孔を穿設
する前に基板１に配線３、裏面電極４等を設け、該裏面
電極４等の位置に円形の貫通孔を穿設し、その後端面電
極５を形成してもよい。
する前に基板１に配線３、裏面電極４等を設け、該裏面
電極４等の位置に円形の貫通孔を穿設し、その後端面電
極５を形成してもよい。
【０１５２】次に、図５６に示すように貫通孔閉塞工程
によって加工用基板１の表面１Ａに閉塞板７を設け、貫
通孔２の一方の開口を閉塞した状態で、クリーム半田塗
布工程によって裏面電極４を覆ってクリーム半田８を塗
布する。そして、半田ボール取付工程によってクリーム
半田８に半田ボール１０を取付けた後、加熱工程によっ
て、加工用基板１等を加熱し、裏面電極４、端面電極５
に半田１１を固着する。
によって加工用基板１の表面１Ａに閉塞板７を設け、貫
通孔２の一方の開口を閉塞した状態で、クリーム半田塗
布工程によって裏面電極４を覆ってクリーム半田８を塗
布する。そして、半田ボール取付工程によってクリーム
半田８に半田ボール１０を取付けた後、加熱工程によっ
て、加工用基板１等を加熱し、裏面電極４、端面電極５
に半田１１を固着する。
【０１５３】その後、図５７に示す基板切断工程では、
ダイヤモンドカッター８１を用いて加工用基板１を切断
し、加工用基板１から分離基板６を分離する。最後に、
図５８に示すように加工用基板１から分離基板６を取外
す。このとき、ダイヤモンドカッター８１は貫通孔２を
通過して加工用基板１を切断するから、切り離された貫
通孔２の一部は基板１０１の端面開口溝１０４となり、
端面電極５は端面開口溝１０４を覆う端面電極１０５と
なる。そして、端面電極５には半田１１が固着されてい
るから、基板１０１の端面電極１０５に半田１０８が固
着された状態で加工用基板１から基板１０１を分離し、
モジュール基板１００を取出すことができる。
ダイヤモンドカッター８１を用いて加工用基板１を切断
し、加工用基板１から分離基板６を分離する。最後に、
図５８に示すように加工用基板１から分離基板６を取外
す。このとき、ダイヤモンドカッター８１は貫通孔２を
通過して加工用基板１を切断するから、切り離された貫
通孔２の一部は基板１０１の端面開口溝１０４となり、
端面電極５は端面開口溝１０４を覆う端面電極１０５と
なる。そして、端面電極５には半田１１が固着されてい
るから、基板１０１の端面電極１０５に半田１０８が固
着された状態で加工用基板１から基板１０１を分離し、
モジュール基板１００を取出すことができる。
【０１５４】かくして、第９の実施の形態によるモジュ
ール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、
本実施の形態でも第１の実施の形態と同様の作用効果を
得ることができる。
ール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、
本実施の形態でも第１の実施の形態と同様の作用効果を
得ることができる。
【０１５５】なお、第９の実施の形態では、ダイヤモン
ドカッタ８１を用いて加工用基板１を切断する構成とし
たが、図５５に示すように加工用基板１に予めＶ字溝８
２を設け、貫通孔２を該Ｖ字溝８２を跨いで設ける構成
としてもよい。この場合、端面電極５等に半田１１を固
着した後、Ｖ字溝８２に沿って加工用基板１を分離する
ことができる。
ドカッタ８１を用いて加工用基板１を切断する構成とし
たが、図５５に示すように加工用基板１に予めＶ字溝８
２を設け、貫通孔２を該Ｖ字溝８２を跨いで設ける構成
としてもよい。この場合、端面電極５等に半田１１を固
着した後、Ｖ字溝８２に沿って加工用基板１を分離する
ことができる。
【０１５６】また、第９の実施の形態では、貫通孔２の
一部に端面電極５を設けた状態で固形半田１０を溶融さ
せ冷却固化するものとしたが、例えば図５９に示す第９
の実施の形態の変形例のように貫通孔１Ｄの内壁面全面
に亘って端面電極５を設けた状態で固形半田を溶融させ
冷却固化する構成としてもよい。この場合、端面電極５
に半田１１′が固着した後、ダイヤモンドカッタ８１を
用いて貫通孔１Ｄの中央を通って加工用基板１を切断す
るものである。
一部に端面電極５を設けた状態で固形半田１０を溶融さ
せ冷却固化するものとしたが、例えば図５９に示す第９
の実施の形態の変形例のように貫通孔１Ｄの内壁面全面
に亘って端面電極５を設けた状態で固形半田を溶融させ
冷却固化する構成としてもよい。この場合、端面電極５
に半田１１′が固着した後、ダイヤモンドカッタ８１を
用いて貫通孔１Ｄの中央を通って加工用基板１を切断す
るものである。
【０１５７】さらに、第９の実施の形態では、第１の実
施の形態と同様の方法により半田ボール１０をクリーム
半田８に取付ける構成としたが、第２ないし第７の実施
の形態と同様の方法を用いて半田ボール１０をクリーム
半田８に取付ける構成としてもよい。
施の形態と同様の方法により半田ボール１０をクリーム
半田８に取付ける構成としたが、第２ないし第７の実施
の形態と同様の方法を用いて半田ボール１０をクリーム
半田８に取付ける構成としてもよい。
【０１５８】また、前記各実施の形態では端面電極１０
５（５）は略半円形状に形成するものとしたが、三角形
状、四角形状等の多角形状でもよく、さらに基板１０１
の端面１０１Ｃの直接設けた平面形状であってもよい。
また、裏面電極１０６（４）も略四角形状に限らず、多
角形状、円弧形状であってもよい。
５（５）は略半円形状に形成するものとしたが、三角形
状、四角形状等の多角形状でもよく、さらに基板１０１
の端面１０１Ｃの直接設けた平面形状であってもよい。
また、裏面電極１０６（４）も略四角形状に限らず、多
角形状、円弧形状であってもよい。
【０１５９】さらに、前記各実施の形態では固形半田と
して球形状の半田ボール１０を使用するものとしたが、
立方体形状等の他の形状のものを使用してもよい。
して球形状の半田ボール１０を使用するものとしたが、
立方体形状等の他の形状のものを使用してもよい。
【０１６０】
【発明の効果】以上詳述した通り、請求項１または２の
発明によれば、貫通孔の周囲に酸化膜除去成分を含む粘
着物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付けた後、
分離基板等を加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固
形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化するようにし
たから、粘着物質によって固定半田を位置決めした状態
で固定できる。そして、分離基板と残余の加工用基板と
を加熱したときには、粘着物質が触媒として機能するか
ら、固形半田は粘着物質に接触した部位から溶融して貫
通孔内に侵入し、溶融した固形半田を裏面電極と端面電
極とに付着させることができる。また、固形半田を溶融
させて端面電極等に冷却固化するから、端面電極に固着
した半田が貫通孔から突出する突出寸法を略均一化する
ことができ、全ての端面電極をマザーボードの電極パッ
ドに確実に接続することができる。
発明によれば、貫通孔の周囲に酸化膜除去成分を含む粘
着物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付けた後、
分離基板等を加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固
形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化するようにし
たから、粘着物質によって固定半田を位置決めした状態
で固定できる。そして、分離基板と残余の加工用基板と
を加熱したときには、粘着物質が触媒として機能するか
ら、固形半田は粘着物質に接触した部位から溶融して貫
通孔内に侵入し、溶融した固形半田を裏面電極と端面電
極とに付着させることができる。また、固形半田を溶融
させて端面電極等に冷却固化するから、端面電極に固着
した半田が貫通孔から突出する突出寸法を略均一化する
ことができ、全ての端面電極をマザーボードの電極パッ
ドに確実に接続することができる。
【０１６１】また、請求項３の発明によれば、加工用基
板を切断する前に残余の加工用基板側の裏面電極および
端面電極を除去する構成としたから、溶融した固形半田
が残余の加工用基板に付着するのを防ぐことができ、溶
融した固形半田を冷却固化した後に、分離基板を容易に
残余の加工用基板から取外すことができる。
板を切断する前に残余の加工用基板側の裏面電極および
端面電極を除去する構成としたから、溶融した固形半田
が残余の加工用基板に付着するのを防ぐことができ、溶
融した固形半田を冷却固化した後に、分離基板を容易に
残余の加工用基板から取外すことができる。
【０１６２】また、請求項４の発明によれば、粘着物質
を端面電極に接触して分離基板の表面に設ける構成とし
たから、粘着物質に固形半田を取付けて分離基板等を加
熱したときには、固形半田は粘着物質に接触した部位か
ら溶融する。これにより、溶融した固形半田は、端面電
極に付着すると共に、その一部が端面電極を通じて裏面
電極を覆うように移動するから、端面電極と裏面電極と
に半田を確実に固着することができる。
を端面電極に接触して分離基板の表面に設ける構成とし
たから、粘着物質に固形半田を取付けて分離基板等を加
熱したときには、固形半田は粘着物質に接触した部位か
ら溶融する。これにより、溶融した固形半田は、端面電
極に付着すると共に、その一部が端面電極を通じて裏面
電極を覆うように移動するから、端面電極と裏面電極と
に半田を確実に固着することができる。
【０１６３】また、請求項５の発明によれば、粘着物質
を裏面電極に接触して分離基板の裏面に設ける構成とし
たから、溶融した固形半田は裏面電極に沿って拡がるか
ら、端面電極と裏面電極とに半田を確実に固着すること
ができる。
を裏面電極に接触して分離基板の裏面に設ける構成とし
たから、溶融した固形半田は裏面電極に沿って拡がるか
ら、端面電極と裏面電極とに半田を確実に固着すること
ができる。
【０１６４】また、請求項６の発明によれば、粘着物質
を貫通孔の開口近傍に位置して残余の加工用基板の表面
または裏面に設ける構成としたから、溶融した固形半田
を貫通孔に流入させることができ、該貫通孔内の端面電
極等に半田を固着することができる。また、分離基板に
粘着物質を設ける場合に比べて分離基板の面積を小さく
することができ、電子部品等の集積度を高めることがで
きる。
を貫通孔の開口近傍に位置して残余の加工用基板の表面
または裏面に設ける構成としたから、溶融した固形半田
を貫通孔に流入させることができ、該貫通孔内の端面電
極等に半田を固着することができる。また、分離基板に
粘着物質を設ける場合に比べて分離基板の面積を小さく
することができ、電子部品等の集積度を高めることがで
きる。
【０１６５】また、請求項７の発明によれば、固形半田
を貫通孔を閉塞した状態で粘着物質に取付ける構成とし
たから、加熱によって固形半田が溶融したときには、溶
融した半田は貫通孔内に侵入し、貫通孔内の端面電極に
確実に半田を付着させることができる。
を貫通孔を閉塞した状態で粘着物質に取付ける構成とし
たから、加熱によって固形半田が溶融したときには、溶
融した半田は貫通孔内に侵入し、貫通孔内の端面電極に
確実に半田を付着させることができる。
【０１６６】さらに、請求項８または９の発明によれ
ば、端面電極に固形半田を取付け、該固形半田を端面電
極に取付ける前，後のいずれかで該固形半田に粘着物質
を設ける構成としたから、分離基板等を加熱したときに
は、固形半田は、端面電極に付着しつつ溶融すると共
に、その一部が端面電極を通じて裏面電極を覆うように
移動する。この結果、端面電極と裏面電極とに半田を固
着することができる。
ば、端面電極に固形半田を取付け、該固形半田を端面電
極に取付ける前，後のいずれかで該固形半田に粘着物質
を設ける構成としたから、分離基板等を加熱したときに
は、固形半田は、端面電極に付着しつつ溶融すると共
に、その一部が端面電極を通じて裏面電極を覆うように
移動する。この結果、端面電極と裏面電極とに半田を固
着することができる。
【０１６７】また、請求項１０の発明によれば、加工用
基板を切断する前に残余の加工用基板側の裏面電極およ
び端面電極を除去する構成としたから、溶融した固形半
田が残余の加工用基板に付着するのを防ぐことができ、
溶融した固形半田を冷却固化した後に、分離基板を容易
に残余の加工用基板から取外すことができる。
基板を切断する前に残余の加工用基板側の裏面電極およ
び端面電極を除去する構成としたから、溶融した固形半
田が残余の加工用基板に付着するのを防ぐことができ、
溶融した固形半田を冷却固化した後に、分離基板を容易
に残余の加工用基板から取外すことができる。
【０１６８】また、請求項１１の発明によれば、固形半
田は、貫通孔を閉塞し、または貫通孔内に収容する構成
としたから、貫通孔によって固形半田を位置決めするこ
とができると共に、固形半田を溶融させたときには、容
易に貫通孔の内壁面に設けた端面電極に溶融した固形半
田を付着させることができる。
田は、貫通孔を閉塞し、または貫通孔内に収容する構成
としたから、貫通孔によって固形半田を位置決めするこ
とができると共に、固形半田を溶融させたときには、容
易に貫通孔の内壁面に設けた端面電極に溶融した固形半
田を付着させることができる。
【０１６９】一方、請求項１２または１３の発明によれ
ば、加工用基板にはスリット孔に囲まれ端面電極と裏面
電極とを有する非分離基板を形成し、前記端面電極の周
囲には酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物
質には固形半田を取付けた後、非分離基板等を加熱して
溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに固着する構
成としたから、粘着物質によって固定半田を位置決めで
きると共に、固形半田は粘着物質に接触した部位から溶
融させ、貫通孔内に侵入させることができる。これによ
り、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに固着す
ることができる。
ば、加工用基板にはスリット孔に囲まれ端面電極と裏面
電極とを有する非分離基板を形成し、前記端面電極の周
囲には酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物
質には固形半田を取付けた後、非分離基板等を加熱して
溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに固着する構
成としたから、粘着物質によって固定半田を位置決めで
きると共に、固形半田は粘着物質に接触した部位から溶
融させ、貫通孔内に侵入させることができる。これによ
り、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに固着す
ることができる。
【０１７０】また、請求項１４の発明によれば、粘着物
質を端面電極に接触して非分離基板の表面に設ける構成
としたから、溶融した固形半田を端面電極に付着させる
ことができ、その一部が端面電極を通じて裏面電極に付
着させることができる。この結果、端面電極と裏面電極
とに半田を固着することができる。
質を端面電極に接触して非分離基板の表面に設ける構成
としたから、溶融した固形半田を端面電極に付着させる
ことができ、その一部が端面電極を通じて裏面電極に付
着させることができる。この結果、端面電極と裏面電極
とに半田を固着することができる。
【０１７１】また、請求項１５の発明によれば、粘着物
質を裏面電極に接触して非分離基板の裏面に設ける構成
としたから、溶融した固形半田は裏面電極に付着すると
共に、その一部が裏面電極を通じて端面電極に達する。
この結果、端面電極と裏面電極とに半田を固着すること
ができる。
質を裏面電極に接触して非分離基板の裏面に設ける構成
としたから、溶融した固形半田は裏面電極に付着すると
共に、その一部が裏面電極を通じて端面電極に達する。
この結果、端面電極と裏面電極とに半田を固着すること
ができる。
【０１７２】また、請求項１６の発明によれば、固形半
田を端面電極に対応した位置でスリット孔の一部を閉塞
した状態で粘着物質に取付ける構成としたから、加熱に
よって固形半田が溶融したときには、溶融した固形半田
は貫通孔内に侵入し、貫通孔内の端面電極に確実に半田
を付着させることができる。
田を端面電極に対応した位置でスリット孔の一部を閉塞
した状態で粘着物質に取付ける構成としたから、加熱に
よって固形半田が溶融したときには、溶融した固形半田
は貫通孔内に侵入し、貫通孔内の端面電極に確実に半田
を付着させることができる。
【０１７３】さらに、請求項１７または１８の発明によ
れば、端面電極に固形半田を取付け、該固形半田を端面
電極に取付ける前，後のいずれかで該固形半田に粘着物
質を設け、非分離基板と残余の加工用基板とを加熱して
該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏
面電極とに冷却固化し、その後スリット孔の位置で加工
用基板から非分離基板をモジュール基板として分離する
構成としたから、非分離基板等を加熱したときには、固
形半田は端面電極に付着しつつ溶融する。このとき、溶
融した固形半田は、その一部が端面電極を通じて裏面電
極を覆うように移動する。この結果、端面電極と裏面電
極とに半田を固着することができる。
れば、端面電極に固形半田を取付け、該固形半田を端面
電極に取付ける前，後のいずれかで該固形半田に粘着物
質を設け、非分離基板と残余の加工用基板とを加熱して
該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏
面電極とに冷却固化し、その後スリット孔の位置で加工
用基板から非分離基板をモジュール基板として分離する
構成としたから、非分離基板等を加熱したときには、固
形半田は端面電極に付着しつつ溶融する。このとき、溶
融した固形半田は、その一部が端面電極を通じて裏面電
極を覆うように移動する。この結果、端面電極と裏面電
極とに半田を固着することができる。
【０１７４】また、請求項１９の発明によれば、固形半
田は、端面電極に対応した位置でスリット孔の一部を閉
塞し、または端面電極に対応した位置でスリット孔内に
収容する構成としたから、スリット孔よって固形半田を
位置決めすることができると共に、固形半田を溶融させ
たときには、スリット孔内に露出した端面電極に容易に
溶融した固形半田を付着させることができる。
田は、端面電極に対応した位置でスリット孔の一部を閉
塞し、または端面電極に対応した位置でスリット孔内に
収容する構成としたから、スリット孔よって固形半田を
位置決めすることができると共に、固形半田を溶融させ
たときには、スリット孔内に露出した端面電極に容易に
溶融した固形半田を付着させることができる。
【０１７５】また、請求項２０または２１の発明によれ
ば、加工用基板の貫通孔の周囲には酸化膜除去成分を含
む粘着物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付け、
加工用基板を加熱して溶融した固形半田を端面電極と裏
面電極とに冷却固化した後、貫通孔の位置で加工用基板
を切断する構成としたから、ダイヤモンドカッタ等によ
って加工用基板を切断することができ、加工用基板から
容易にモジュール基板を取出すことができる。
ば、加工用基板の貫通孔の周囲には酸化膜除去成分を含
む粘着物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付け、
加工用基板を加熱して溶融した固形半田を端面電極と裏
面電極とに冷却固化した後、貫通孔の位置で加工用基板
を切断する構成としたから、ダイヤモンドカッタ等によ
って加工用基板を切断することができ、加工用基板から
容易にモジュール基板を取出すことができる。
【０１７６】また、請求項２２の発明によれば、粘着物
質を設ける前に切断後に残余の加工用基板側となる位置
の裏面電極および端面電極を除去する構成としたから、
溶融した固形半田が切断後にモジュール基板以外の残余
の加工用基板となる部位に付着するのを防ぐことができ
る。このため、溶融した固形半田を冷却固化した後に、
端面電極に付着した半田を切断することなく、モジュー
ル基板を容易に残余の加工用基板から分離することがで
きる。
質を設ける前に切断後に残余の加工用基板側となる位置
の裏面電極および端面電極を除去する構成としたから、
溶融した固形半田が切断後にモジュール基板以外の残余
の加工用基板となる部位に付着するのを防ぐことができ
る。このため、溶融した固形半田を冷却固化した後に、
端面電極に付着した半田を切断することなく、モジュー
ル基板を容易に残余の加工用基板から分離することがで
きる。
【０１７７】さらに、請求項２３の発明によれば、粘着
物質にはフラックス単体または粉末状の半田とフラック
スとからなるクリーム半田を用い、固形半田にはろう付
け用合金を球形状に固化した半田ボールを用いる構成と
したから、フラックス単体またはクリーム半田によって
半田ボールの位置決めと溶融の促進を行うことができ
る。また、粘着物質にフラックスを用いたときには、溶
融した半田ボールの体積（容量）を略一定に保つことが
できるから、半田が基板の裏面よりも突出する寸法を略
一定にすることができる。一方、粘着物質にクリーム半
田を用いたときには、溶融した半田ボールをクリーム半
田中の半田と共に端面電極と裏面電極とに冷却固化する
ことができる。
物質にはフラックス単体または粉末状の半田とフラック
スとからなるクリーム半田を用い、固形半田にはろう付
け用合金を球形状に固化した半田ボールを用いる構成と
したから、フラックス単体またはクリーム半田によって
半田ボールの位置決めと溶融の促進を行うことができ
る。また、粘着物質にフラックスを用いたときには、溶
融した半田ボールの体積（容量）を略一定に保つことが
できるから、半田が基板の裏面よりも突出する寸法を略
一定にすることができる。一方、粘着物質にクリーム半
田を用いたときには、溶融した半田ボールをクリーム半
田中の半田と共に端面電極と裏面電極とに冷却固化する
ことができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る製造方法によ
って製造されたモジュール基板を示す斜視図である。
って製造されたモジュール基板を示す斜視図である。
【図２】図１中の端面スルーホールを示す平面図であ
る。
る。
【図３】図１中の端面スルーホールを示す底面図であ
る。
る。
【図４】端面スルーホールを図２中の矢示IV−IV方向か
らみた断面図である。
らみた断面図である。
【図５】第１の実施の形態に係る製造方法において、本
実施の形態に用いる加工用基板に貫通孔を設ける貫通孔
加工工程を示す平面図である。
実施の形態に用いる加工用基板に貫通孔を設ける貫通孔
加工工程を示す平面図である。
【図６】貫通孔の内壁面に端面電極を設ける端面電極加
工工程を示す平面図である。
工工程を示す平面図である。
【図７】図６中の加工用基板を示す底面図である。
【図８】端面電極の一部を除去する端面電極除去工程を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図９】図８中の加工用基板を示す底面図である。
【図１０】加工用基板から分離基板を分離した後、残余
の加工用基板に分離基板を埋め戻すプッシュバック工程
を示す底面図である。
の加工用基板に分離基板を埋め戻すプッシュバック工程
を示す底面図である。
【図１１】図１０中のａ部を拡大して示す拡大底面図で
ある。
ある。
【図１２】加工用基板を裏返した状態で図１１中の矢示
XII−XII 方向からみた断面図である。
XII−XII 方向からみた断面図である。
【図１３】加工用基板に閉塞板を取付ける貫通孔閉塞工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図１４】裏面電極を覆ってクリーム半田を塗布するク
リーム半田塗布工程を示す断面図である。
リーム半田塗布工程を示す断面図である。
【図１５】図１４中の矢示XV−XV方向からみた拡大平面
図である。
図である。
【図１６】クリーム半田に半田ボールを取付ける半田ボ
ール取付工程を示す断面図である。
ール取付工程を示す断面図である。
【図１７】加熱工程において端面電極に半田が固定され
た状態を示す断面図である。
た状態を示す断面図である。
【図１８】図１７中の矢示 XVIII−XVIII 方向からみた
拡大平面図である。
拡大平面図である。
【図１９】加工用基板から分離基板を取外す分離基板取
外し工程を示す断面図である。
外し工程を示す断面図である。
【図２０】第１の実施の形態に係る製造方法によって製
造されたモジュール基板をマザーボードに載置した状態
を示す側面図である。
造されたモジュール基板をマザーボードに載置した状態
を示す側面図である。
【図２１】図２０中のモジュール基板がマザーボードに
接合した状態を示す側面図である。
接合した状態を示す側面図である。
【図２２】図２１中の矢示XXII−XXII方向からみた断面
図である。
図である。
【図２３】第１の実施の形態の変形例に係る製造方法に
おいて、加工用基板の裏面に裏面電極を設けた状態を示
す底面図である。
おいて、加工用基板の裏面に裏面電極を設けた状態を示
す底面図である。
【図２４】図２３中の加工用基板に貫通孔を設けた状態
を示す底面図である。
を示す底面図である。
【図２５】第２の実施の形態に係る製造方法において、
半田ボール取付工程によって加工用基板に治具を取付け
た状態を示す拡大平面図である。
半田ボール取付工程によって加工用基板に治具を取付け
た状態を示す拡大平面図である。
【図２６】図２５中の矢示XXVI−XXVI方向からみた断面
図である。
図である。
【図２７】第２の実施の形態の変形例に係る製造方法に
おいて、半田ボール取付工程によって加工用基板にテー
プを貼着した状態を示す拡大平面図である。
おいて、半田ボール取付工程によって加工用基板にテー
プを貼着した状態を示す拡大平面図である。
【図２８】図２７中の矢示XXVIII−XXVIII方向からみた
断面図である。
断面図である。
【図２９】第３の実施の形態に係る製造方法において、
裏面電極を覆ってクリーム半田を塗布するクリーム半田
塗布工程を示す拡大平面図である。
裏面電極を覆ってクリーム半田を塗布するクリーム半田
塗布工程を示す拡大平面図である。
【図３０】図２９中の矢示 XXX−XXX 方向からみた断面
図である。
図である。
【図３１】貫通孔を閉塞した状態で半田ボールを取付け
る半田ボール取付工程を示す断面図である。
る半田ボール取付工程を示す断面図である。
【図３２】第４の実施の形態に係る製造方法において、
半田ボールを保持した治具に加工用基板を取付ける半田
ボール取付工程を示す断面図である。
半田ボールを保持した治具に加工用基板を取付ける半田
ボール取付工程を示す断面図である。
【図３３】半田ボール取付工程によって裏面電極を覆う
クリーム半田に半田ボールを取付けた状態を示す断面図
である。
クリーム半田に半田ボールを取付けた状態を示す断面図
である。
【図３４】第５の実施の形態に係る製造方法において、
クリーム半田塗布工程によって残余の加工用基板にクリ
ーム半田を塗布した状態を示す拡大平面図である。
クリーム半田塗布工程によって残余の加工用基板にクリ
ーム半田を塗布した状態を示す拡大平面図である。
【図３５】半田ボール取付工程によってクリーム半田に
半田ボールを取付けた状態で図３４中の矢示XXXV−XXXV
方向からみた断面図である。
半田ボールを取付けた状態で図３４中の矢示XXXV−XXXV
方向からみた断面図である。
【図３６】加熱工程によって半田ボールが溶融した状態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３７】第６の実施の形態に係る製造方法において、
プッシュバック工程によって分離基板を残余の加工用基
板に埋め戻した状態を示す拡大平面図である。
プッシュバック工程によって分離基板を残余の加工用基
板に埋め戻した状態を示す拡大平面図である。
【図３８】図３７中の矢示 XXXVIII−XXXVIII 方向から
みた断面図である。
みた断面図である。
【図３９】半田ボール取付工程によって分離基板上のク
リーム半田に半田ボールを取付けた状態を示す断面図で
ある。
リーム半田に半田ボールを取付けた状態を示す断面図で
ある。
【図４０】第６の実施の形態の第１の変形例に係る製造
方法において、貫通孔を閉塞した状態で半田ボールを取
付ける半田ボール取付工程を示す断面図である。
方法において、貫通孔を閉塞した状態で半田ボールを取
付ける半田ボール取付工程を示す断面図である。
【図４１】第６の実施の形態の第２の変形例に係る製造
方法において、残余の加工用基板上のクリーム半田に半
田ボールを取付ける半田ボール取付工程を示す断面図で
ある。
方法において、残余の加工用基板上のクリーム半田に半
田ボールを取付ける半田ボール取付工程を示す断面図で
ある。
【図４２】第７の実施の形態に係る製造方法において、
貫通孔に半田ボールを収容する半田ボール取付工程を示
す断面図である。
貫通孔に半田ボールを収容する半田ボール取付工程を示
す断面図である。
【図４３】半田ボールにクリーム半田を塗布するクリー
ム半田塗布工程を示す断面図である。
ム半田塗布工程を示す断面図である。
【図４４】第８の実施の形態に係る製造方法において、
本実施の形態に用いる加工用基板に端面電極を設ける端
面電極加工工程を示す平面図である。
本実施の形態に用いる加工用基板に端面電極を設ける端
面電極加工工程を示す平面図である。
【図４５】図４４中の加工用基板を示す底面図である。
【図４６】加工用基板にスリット孔を設けるスリット孔
加工工程を示す平面図である。
加工工程を示す平面図である。
【図４７】図４６中の加工用基板を示す底面図である。
【図４８】加工用基板を裏返した状態で図４７中の矢示
XLVIII−XLVIII方向からみた断面図である。
XLVIII−XLVIII方向からみた断面図である。
【図４９】クリーム半田塗布工程、半田ボール取付工程
によって裏面電極を覆うクリーム半田に半田ボールを取
付けた状態を示す断面図である。
によって裏面電極を覆うクリーム半田に半田ボールを取
付けた状態を示す断面図である。
【図５０】加工用基板から非分離基板を分離する基板取
外し工程を示す断面図である。
外し工程を示す断面図である。
【図５１】第８の実施の形態の第１の変形例に係る製造
方法において、貫通孔を閉塞した状態で半田ボールを取
付ける半田ボール取付工程を示す断面図である。
方法において、貫通孔を閉塞した状態で半田ボールを取
付ける半田ボール取付工程を示す断面図である。
【図５２】第８の実施の形態の第２の変形例に係る製造
方法において、端面電極に対面した位置で半田ボールを
スリット孔に収容する半田ボール取付工程を示す断面図
である。
方法において、端面電極に対面した位置で半田ボールを
スリット孔に収容する半田ボール取付工程を示す断面図
である。
【図５３】第８の実施の形態の第３の変形例に係る製造
方法において、加工用基板の裏面に裏面電極を設けた状
態を示す底面図である。
方法において、加工用基板の裏面に裏面電極を設けた状
態を示す底面図である。
【図５４】図５３中の加工用基板に貫通孔を設けた状態
を示す底面図である。
を示す底面図である。
【図５５】第９の実施の形態に係る製造方法において、
加工用基板に貫通孔、端面電極等を設ける端面電極加工
工程を示す断面図である。
加工用基板に貫通孔、端面電極等を設ける端面電極加工
工程を示す断面図である。
【図５６】貫通孔閉塞工程、クリーム半田塗布工程、半
田ボール取付工程によって裏面電極を覆うクリーム半田
に半田ボールを取付けた状態を示す断面図である。
田ボール取付工程によって裏面電極を覆うクリーム半田
に半田ボールを取付けた状態を示す断面図である。
【図５７】ダイヤモンドカッターを用いて加工用基板を
切断する基板切断工程を示す断面図である。
切断する基板切断工程を示す断面図である。
【図５８】基板切断工程の後に加工用基板からモジュー
ル基板を取外した状態を示す断面図である。
ル基板を取外した状態を示す断面図である。
【図５９】第９の実施の形態の変形例に係る製造方法に
おいて、貫通孔の内壁面全部に設けた端面電極に半田を
固着した後、ダイヤモンドカッターを用いて加工用基板
を切断する状態を示す断面図である。
おいて、貫通孔の内壁面全部に設けた端面電極に半田を
固着した後、ダイヤモンドカッターを用いて加工用基板
を切断する状態を示す断面図である。
１，３１，６１，７１ 加工用基板 １Ｃ，３１Ｃ，６１Ｃ，７１Ｃ 残余の加工用基板 １Ｄ，２，３２，６２，７１Ｄ 貫通孔 ４，１０６ 裏面電極 ５，１０５ 端面電極 ６，３３，６３ 分離基板 ７ 閉塞板 ８ クリーム半田（粘着物質） １０ 半田ボール（固形半田） ２１，４１ 治具 ２２ テープ ７２，７２′，７２″ スリット孔 ７３ 非分離基板 ８１ ダイヤモンドカッター ８２ Ｖ字溝 １００ モジュール基板 １０１ 基板 １０２ 電子部品 １０３ 端面スルーホール １０９ マザーボード １１０ 電極パッド １１２ フィレット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中路 博行 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 土井 宏文 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 永井 郁 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 仲宗根 純一 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5E319 AC02 BB04 CD26 GG03
Claims (23)
- 【請求項１】 加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通孔
の周囲に位置して前記加工用基板の裏面には裏面電極を
設け、前記貫通孔の内壁面の一部または全部には該裏面
電極に接続して端面電極を設け、前記貫通孔を通って切
断することにより加工用基板から前記端面電極と裏面電
極とを有する分離基板と残余の加工用基板とを形成し、
前記貫通孔の周囲には酸化膜除去成分を含む粘着物質を
設け、該粘着物質には固形半田を取付け、前記分離基板
と残余の加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、
溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化す
るようにしたモジュール基板の製造方法。 - 【請求項２】 加工用基板の裏面に裏面電極を設け、前
記加工用基板には該裏面電極の位置に貫通孔を穿設し、
該貫通孔の内壁面の一部または全部には該裏面電極に接
続して端面電極を設け、前記貫通孔を通って切断するこ
とにより加工用基板から前記端面電極と裏面電極とを有
する分離基板と残余の加工用基板とを形成し、前記貫通
孔の周囲には酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該
粘着物質には固形半田を取付け、前記分離基板と残余の
加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融した
固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化するように
したモジュール基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記加工用基板を切断する前に残余の加
工用基板側の裏面電極および貫通孔の内壁面に設けた端
面電極を除去してなる請求項１または２に記載のモジュ
ール基板の製造方法。 - 【請求項４】 前記粘着物質は前記端面電極に接触して
前記分離基板の表面に設ける構成としてなる請求項１，
２または３に記載のモジュール基板の製造方法。 - 【請求項５】 前記粘着物質は前記裏面電極に接触して
前記分離基板の裏面に設ける構成としてなる請求項１，
２または３に記載のモジュール基板の製造方法。 - 【請求項６】 前記粘着物質は前記貫通孔の開口近傍に
位置して前記残余の加工用基板の表面または裏面に設け
る構成としてなる請求項１，２または３に記載のモジュ
ール基板の製造方法。 - 【請求項７】 前記固形半田は前記貫通孔を閉塞した状
態で前記粘着物質に取付ける構成としてなる請求項１，
２，３，４，５または６に記載のモジュール基板の製造
方法。 - 【請求項８】 加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通孔
の周囲に位置して前記加工用基板の裏面には裏面電極を
設け、前記貫通孔の内壁面の一部または全部には該裏面
電極に接続して端面電極を設け、前記貫通孔を通って切
断することにより加工用基板から前記端面電極と裏面電
極とを有する分離基板と残余の加工用基板とを形成し、
前記端面電極に固形半田を取付け、該固形半田を端面電
極に取付ける前，後のいずれかで該固形半田に酸化膜除
去成分を含む粘着物質を設け、前記分離基板と残余の加
工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固
形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化するようにし
たモジュール基板の製造方法。 - 【請求項９】 加工用基板の裏面には裏面電極を設け、
前記加工用基板には該裏面電極の位置に貫通孔を穿設
し、該貫通孔の内壁面の一部または全部には該裏面電極
に接続して端面電極を設け、前記貫通孔を通って切断す
ることにより加工用基板から前記端面電極と裏面電極と
を有する分離基板と残余の加工用基板とを形成し、前記
端面電極に固形半田を取付け、該固形半田を端面電極に
取付ける前，後のいずれかで該固形半田に酸化膜除去成
分を含む粘着物質を設け、前記分離基板と残余の加工用
基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半
田を端面電極と裏面電極とに冷却固化するようにしたモ
ジュール基板の製造方法。 - 【請求項１０】 前記加工用基板を切断する前に残余の
加工用基板側の裏面電極および貫通孔の内壁面に設けた
端面電極を除去してなる請求項８または９に記載のモジ
ュール基板の製造方法。 - 【請求項１１】 前記固形半田は、前記貫通孔を閉塞
し、または前記貫通孔内に収容してなる請求項８，９ま
たは１０に記載のモジュール基板の製造方法。 - 【請求項１２】 加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通
孔の周囲に位置して前記加工用基板の裏面には裏面電極
を設け、前記貫通孔の内壁面には前記裏面電極に接続し
て端面電極を設け、前記加工用基板には前記貫通孔の一
部を除去してスリット孔を設けることによって該スリッ
ト孔に囲まれ端面電極と裏面電極とを有する非分離基板
を形成し、前記端面電極の周囲には酸化膜除去成分を含
む粘着物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付け、
前記非分離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固形
半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極
とに冷却固化し、その後スリット孔の位置で加工用基板
から非分離基板をモジュール基板として分離してなるモ
ジュール基板の製造方法。 - 【請求項１３】 加工用基板の裏面に裏面電極を設け、
前記加工用基板には該裏面電極の位置に貫通孔を穿設
し、該貫通孔の内壁面には前記裏面電極に接続して端面
電極を設け、前記加工用基板には前記貫通孔の一部を除
去してスリット孔を設けることによって該スリット孔に
囲まれ端面電極と裏面電極とを有する非分離基板を形成
し、前記端面電極の周囲には酸化膜除去成分を含む粘着
物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付け、前記非
分離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固形半田を
溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷
却固化し、その後スリット孔の位置で加工用基板から非
分離基板をモジュール基板として分離してなるモジュー
ル基板の製造方法。 - 【請求項１４】 前記粘着物質は前記端面電極に接触し
て前記非分離基板の表面に設ける構成としてなる請求項
１２または１３に記載のモジュール基板の製造方法。 - 【請求項１５】 前記粘着物質は前記裏面電極に接触し
て前記非分離基板の裏面に設ける構成としてなる請求項
１２または１３に記載のモジュール基板の製造方法。 - 【請求項１６】 前記固形半田は端面電極に対応した位
置でスリット孔の一部を閉塞した状態で前記粘着物質に
取付ける構成としてなる請求項１２，１３，１４または
１５に記載のモジュール基板の製造方法。 - 【請求項１７】 加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通
孔の周囲に位置して前記加工用基板の裏面には裏面電極
を設け、前記貫通孔の内壁面には前記裏面電極に接続し
て端面電極を設け、前記加工用基板には前記貫通孔の一
部を除去してスリット孔を設けることによって該スリッ
ト孔に囲まれ端面電極と裏面電極とを有する非分離基板
を形成し、前記端面電極に固形半田を取付け、該固形半
田を端面電極に取付ける前，後のいずれかで該固形半田
に酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、前記非分離基
板と残余の加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融
し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固
化し、その後スリット孔の位置で加工用基板から非分離
基板をモジュール基板として分離してなるモジュール基
板の製造方法。 - 【請求項１８】 加工用基板の裏面に裏面電極を設け、
前記加工用基板には該裏面電極の位置に貫通孔を穿設
し、該貫通孔の内壁面には前記裏面電極に接続して端面
電極を設け、前記加工用基板には前記貫通孔の一部を除
去してスリット孔を設けることによって該スリット孔に
囲まれ端面電極と裏面電極とを有する非分離基板を形成
し、前記端面電極に固形半田を取付け、該固形半田を端
面電極に取付ける前，後のいずれかで該固形半田に酸化
膜除去成分を含む粘着物質を設け、前記非分離基板と残
余の加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融
した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、そ
の後スリット孔の位置で加工用基板から非分離基板をモ
ジュール基板として分離してなるモジュール基板の製造
方法。 - 【請求項１９】 前記固形半田は、前記端面電極に対応
した位置でスリット孔の一部を閉塞し、または前記端面
電極に対応した位置でスリット孔内に収容してなる請求
項１７または１８に記載のモジュール基板の製造方法。 - 【請求項２０】 加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通
孔の周囲に位置して前記加工用基板の裏面には裏面電極
を設け、前記貫通孔の内壁面の一部または全部には前記
裏面電極に接続して端面電極を設け、前記貫通孔の周囲
には酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物質
には固形半田を取付け、前記加工用基板を加熱して該固
形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電
極とに冷却固化し、その後前記貫通孔の位置で加工用基
板を切断し、モジュール基板を分離してなるモジュール
基板の製造方法。 - 【請求項２１】 加工用基板の裏面に裏面電極を設け、
前記加工用基板には該裏面電極の位置に貫通孔を穿設
し、前記貫通孔の内壁面の一部または全部には前記裏面
電極に接続して端面電極を設け、前記貫通孔の周囲には
酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物質には
固形半田を取付け、前記加工用基板を加熱して該固形半
田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極と
に冷却固化し、その後前記貫通孔の位置で加工用基板を
切断し、モジュール基板を分離してなるモジュール基板
の製造方法。 - 【請求項２２】 前記粘着物質を設ける前に切断後に残
余の加工用基板側となる位置の裏面電極および貫通孔の
内壁面に設けた端面電極を除去してなる請求項２０また
は２１に記載のモジュール基板の製造方法。 - 【請求項２３】 前記粘着物質にはフラックス単体また
は粉末状の半田とフラックスとからなるクリーム半田を
用い、前記固形半田にはろう付け用合金を球形状に固化
した半田ボールを用いてなる請求項１，２，３，４，
５，６，７，８，９，１０，１１，１２，１３，１４，
１５，１６，１７，１８，１９，２０，２１または２２
に記載のモジュール基板の製造方法。
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