JP2001230539A - モジュール基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 モジュール基板に反りが生じる場合であって
も端面電極をマザーボードに確実に接続できるモジュー
ル基板を製造する。 【解決手段】 分離基板６と残余の加工用基板１Ｃとに
分離した加工用基板１の裏面１Ｂに閉塞板７を取付け
る。そして、分離基板６と残余の加工用基板１Ｃの間の
貫通孔２内にクリーム半田９を収容する。次に、分離基
板６の端面電極５の近傍に熱風を吹付けることによって
局所的に加熱する。これにより、クリーム半田９は端面
電極５からの熱が伝わって溶融すると共に、残余の加工
用基板１Ｃに比べて高温となった端面電極５に引付けら
れる。このため、端面電極５に溶融したクリーム半田９
を付着させることができると共に、クリーム半田９の表
面張力によってその一部を加工用基板１の裏面１Ｂから
突出させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半田付けによって
マザーボードと電気的に接続するためのモジュール基板
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子回路の高密度化が進んでいる
ため、その組立時には、中間検査の重要性、実装の容易
性等の観点から、電子回路の一部を予めモジュール基板
上にサブアッセンブリ化した後に、このモジュール基板
を半田付け等の手段によってマザーボード上に実装する
ことがある（例えば、特開昭６３−２０４６９３号公報
等）。

【０００３】この種の従来技術によるモジュール基板
は、例えば四角形状の薄板からなる絶縁性の基板を有
し、この基板は、絶縁性樹脂材料と導体からなる配線パ
ターンとを交互に積層することによって形成されてい
る。

【０００４】そして、基板上には、電子部品として例え
ばトランジスタ等の能動素子、または抵抗、コンデンサ
等の受動素子が搭載され、これらの素子は配線パターン
によって接続された電子回路を構成している。また、基
板の外周縁を形成する端面には、この電子回路に対して
外部回路であるマザーボード側から電力の供給や信号の
入出力等を行うために端面電極等からなる端面スルーホ
ールが複数個設けられている。

【０００５】これにより、モジュール基板には、マザー
ボード側から入力される信号に対して、所定の信号処理
機能をもつようにブロック化された電子回路が予め組立
てられている。そして、実装時には、モジュール基板が
マザーボード上に重ね合わせるように配置され、各端面
電極がマザーボード側の電極パッドに半田付け等の手段
を用いて接続され、マザーボード上に面実装状態で搭載
される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来技術によるモジュール基板では、樹脂材料等からなる
四角形状の絶縁性の基板を用い、この基板は絶縁性樹脂
材料と配線パターンとを交互に積層することによって形
成している。

【０００７】しかし、基板の樹脂材料と配線パターンと
では熱膨張率が異なるため、例えば基板の加工時、端面
電極の半田付けに伴う基板への加熱時等には、配線パタ
ーンの配置、密度の偏り等が原因となって基板の一部に
反り等の変形が生じることがある。

【０００８】このため、従来技術では、モジュール基板
をマザーボード上に面実装するときに、反りによって基
板がマザーボードから部分的に浮上がることがあるた
め、一部の端面電極が接続不良となる虞れがあり、信頼
性が低下するという問題がある。特に、近年はモジュー
ル基板を可能な限り薄型化する傾向があり、その基板は
僅かな加熱等でも反りが生じ易いため、モジュール基板
をマザーボード上に安定して面実装するのが難しくなっ
ている。

【０００９】本発明は上述した従来技術の問題に鑑みな
されたもので、本発明の目的は、モジュール基板に反り
が生じるときであっても端面電極をマザーボートに接合
することができるモジュール基板の製造方法を提供する
ことにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１の発明は、加工用基板に貫通孔を穿設
し、該貫通孔の内壁面の一部に端面電極を設け、前記貫
通孔を通って切断することにより加工用基板から前記端
面電極を有する分離基板として取出し、該分離基板を残
余の加工用基板に埋め戻し、前記貫通孔に該端面電極と
マザーボードとを接続する半田を収容し、前記分離基板
を残余の加工用基板に比べて高温に加熱して半田を溶融
し、溶融した半田を端面電極に固着するようにしたこと
にある。

【００１１】このように構成することにより、端面電極
に半田を固着する前に加工用基板から分離基板を分離す
ることができる。また、分離基板を残余の加工用基板に
埋め戻すから、分離基板と残余の加工用基板とによって
貫通孔を再度形成することができ、該貫通孔に半田を収
容することができる。

【００１２】そして、貫通孔に半田を収容した状態で分
離基板を残余の加工用基板に比べて高温に加熱するか
ら、溶融した半田は、残余の加工用基板に比べて温度の
高い分離基板に引付けられる。このため、溶融した半田
を分離基板の端面電極に付着させて固定することができ
る。

【００１３】また、溶融した半田は、その表面張力によ
って略球形状となって端面電極に付着するから、半田の
一部を貫通孔から突出する。そして、加工用基板から予
め分離してある分離基板を取外したときには、分離基板
等がモジュール基板をなすと共に、モジュール基板の一
面側からマザーボードに向けて半田を突出させることが
できる。このため、突出した半田によってモジュール基
板とマザーボードとの間の隙間を吸収し、モジュール基
板の端面電極とマザーボードの電極パッドとを接続する
ことができる。

【００１４】この場合、請求項２の発明のように、分離
基板のうち端面電極の近傍を局所的に加熱する構成とし
てもよい。

【００１５】これにより、分離基板のうち局所的に加熱
された端面電極の周囲が残余の加工用基板に比べて高温
となる。このため、貫通孔に収容された半田は端面電極
近傍から徐々に溶融し、端面電極に付着するから、端面
電極に半田を固定することができる。

【００１６】また、請求項３の発明は、分離基板の熱容
量を残余の加工用基板の熱容量に比べて小さい値に設定
したことにある。

【００１７】これにより、例えば加熱炉（リフロー炉）
を用いる場合のように分離基板と残余の加工用基板とを
全体として加熱するときであっても、熱容量の小さい分
離基板が残余の加工用基板に比べて早期に高温となる。
このため、貫通孔に収容された半田は分離基板の端面電
極近傍から溶融して端面電極に付着するから、端面電極
に半田を固定することができる。

【００１８】一方、請求項４の発明は、加工用基板に貫
通孔を穿設し、該貫通孔の内壁面の一部に端面電極を設
け、前記貫通孔に該端面電極とマザーボードとを接続す
る半田を収容し、前記加工用基板のうち端面電極の近傍
を他の部位に比べて高温に加熱して半田を溶融し、溶融
した半田を端面電極に固着し、その後前記貫通孔の位置
で加工用基板を切断し、モジュール基板を分離する構成
としたことにある。

【００１９】これにより、貫通孔に半田を収容した状態
で加工用基板のうち端面電極の近傍を他の部位に比べて
高温に加熱するから、溶融した半田は、他の部位に比べ
て温度の高い端面電極に引付けられる。このため、溶融
した半田を端面電極に付着させて固定することができ
る。

【００２０】また、溶融した半田は、その表面張力によ
って略球形状となって端面電極に付着するから、半田の
一部を貫通孔から突出させることができる。このため、
加工用基板を切断することによってモジュール基板を取
出したときには、突出した半田によってモジュール基板
とマザーボードとの間の隙間を吸収し、モジュール基板
の端面電極とマザーボードの電極パッドとを接続するこ
とができる。

【００２１】また、請求項５の発明は、加工用基板には
凹溝を設け、貫通孔は該凹溝を跨いで設ける構成とした
ことにある。

【００２２】これにより、貫通孔内の端面電極に半田を
固定した後に凹溝に沿って加工用基板を切断することに
よって、加工用基板からモジュール基板を取出すことが
できる。

【００２３】また、請求項６の発明は、加工用基板のう
ち端面電極の近傍を局所的に加熱する構成としたことに
ある。

【００２４】これにより、局所的に加熱された端面電極
の周囲が他の部位に比べて高温となる。このため、貫通
孔に収容された半田は端面電極近傍から徐々に溶融し、
端面電極に付着するから、端面電極に半田を固定するこ
とができる。

【００２５】また、請求項７の発明は、加工用基板のう
ち端面電極の近傍の熱容量を他の部位の熱容量に比べて
小さい値に設定したことにある。

【００２６】これにより、例えば加熱炉を用いる場合の
ように加工用基板全体を加熱するときであっても、熱容
量の小さい端面電極の近傍が他の部位に比べて早期に高
温となる。このため、貫通孔に収容された半田は端面電
極の近傍から溶融して端面電極に付着するから、端面電
極に半田を固定することができる。

【００２７】また、請求項８の発明は、加工用基板を加
熱する前に貫通孔の一方の開口を閉塞する構成としたこ
とにある。

【００２８】これにより、半田が溶融したときに貫通孔
の一方の開口から半田が突出するのを防止できると共
に、貫通孔の一方の開口から突出する分の半田を貫通孔
の他方の開口から突出させることができる。このため、
貫通孔を閉塞しないときに比べて半田が貫通孔の他方の
開口から突出する突出寸法を増大することができる。

【００２９】また、請求項９の発明は、加工用基板の一
面側には閉塞板を設けることによって貫通孔の一方の開
口を閉塞する構成としたことにある。

【００３０】これにより、加工用基板の一面側に設けた
閉塞板によって貫通孔の一方の開口を閉塞し、溶融した
半田が貫通孔の一方の開口から突出するのを防ぐことが
できる。このため、閉塞板を設けないときに比べて、半
田が貫通孔の他方の開口から突出する突出寸法を大きく
することができる。

【００３１】また、請求項１０の発明は、加工用基板の
一面側にはテープを貼着することによって貫通孔の一方
の開口を閉塞する構成としたことにある。

【００３２】これにより、加工用基板の一面側に貼着し
たテープによって溶融した半田が貫通孔の一方の開口か
ら突出するのを防ぐことができる。このため、テープを
設けないときに比べて、半田が貫通孔の他方の開口から
突出する突出寸法を大きくすることができる。

【００３３】また、テープは加工用基板に貼着するか
ら、加工用基板に歪み等が生じたときであっても、テー
プと加工用基板との間に隙間が形成されることはない。
このため、テープと加工用基板との間に半田から蒸発し
たフラックス等が侵入することがなく、該フラックスに
よってテープが加工用基板に強固に貼着されることがな
い。従って、端面電極に半田を固定した後に加工用基板
からテープを容易に剥離することができる。

【００３４】また、請求項１１の発明は、加工用基板に
貫通孔を穿設し、該貫通孔の内壁面の一部に端面電極を
設け、前記加工用基板には前記貫通孔の一部を除去して
スリット孔を設ることによって該スリット孔に囲まれ端
面電極を有する非分離基板を形成し、該非分離基板には
半田が収容された半田収容穴を有する治具プレートを前
記端面電極と半田収容穴とを位置合わせした状態で取付
け、前記非分離基板を治具プレートに比べて高温に加熱
して半田を溶融し、溶融した半田を端面電極に固着し、
その後スリット孔の位置で加工用基板から非分離基板を
モジュール基板として分離する構成としたことにある。

【００３５】このように構成することにより、加工用基
板にスリット孔を設けることによって端面電極を有する
非分離基板を形成することができる。また、非分離基板
に治具プレートを取付けた状態で治具プレートに比べて
非分離基板を高温に加熱するから、治具プレートの半田
収容穴に収容された半田は、非分離基板からの熱が伝わ
ることによって溶融する。このとき、治具プレートの半
田収容穴と非分離基板の端面電極とは位置合わせされて
いるから、溶融した半田は治具プレートに比べて温度の
高い端面電極に引付けられる。そして、半田は、その一
部が半田収容穴に留まり、略球形状となって端面電極に
付着するから、半田を非分離基板の一面側に突出させる
ことができる。

【００３６】また、請求項１２の発明は、加工用基板に
貫通孔を穿設し、該貫通孔の内壁面の一部に端面電極を
設け、前記加工用基板には前記貫通孔の一部を除去して
スリット孔を設ることによって該スリット孔に囲まれ端
面電極を有する非分離基板を形成し、前記非分離基板に
は前記端面電極との間に半田収容穴を形成する治具プレ
ートを取付け、前記半田収容穴に前記端面電極とマザー
ボードとを接続する半田を収容し、前記非分離基板を治
具プレートに比べて高温に加熱して半田を溶融し、溶融
した半田を端面電極に固着し、その後スリット孔の位置
で加工用基板から非分離基板をモジュール基板として分
離する構成としたことにある。

【００３７】このように構成することにより、非分離基
板に治具プレートを取付けた状態で治具プレートに比べ
て非分離基板を高温に加熱するから、基板と治具プレー
トとの間の半田収容穴に収容された半田は、非分離基板
からの熱が伝わることによって溶融する。このとき、非
分離基板の端面電極と治具プレートとの間に半田収容穴
が形成されているから、溶融した半田は、治具プレート
に比べて温度の高い端面電極に引付けられる。そして、
半田は、その表面張力によって略球形状となって端面電
極に付着するから、半田の一部を半田収容穴から突出さ
せた状態で端面電極に固定することができる。

【００３８】また、請求項１３の発明は、非分離基板の
うち端面電極の近傍を局所的に加熱する構成としたこと
にある。

【００３９】これにより、非分離基板は局所的に加熱さ
れた端面電極の周囲が他の部位に比べて高温となる。こ
のため、半田収容穴に収容された半田は端面電極の近傍
から溶融して端面電極に付着するから、端面電極に半田
を固定することができる。

【００４０】さらに、請求項１４の発明は、非分離基板
の熱容量を治具プレートの熱容量に比べて小さい値に設
定したことにある。

【００４１】これにより、例えば加熱炉を用いる場合の
ように、加工用基板全体を加熱するときであっても、熱
容量の小さい非分離基板が治具プレートに比べて早期に
高温となる。このため、半田収容穴に収容された半田は
非分離基板の近傍から溶融して端面電極に付着するか
ら、端面電極に半田を固定することができる。

【００４２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態による
モジュール基板の製造方法を図１ないし図６３に基づき
詳細に説明する。

【００４３】図１ないし図２０に基づいて本発明の第１
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について
説明する。まず、図１ないし図４は、第１の実施の形態
に係る製造方法によって製造されたモジュール基板を示
している。

【００４４】図において、１００は、略四角形状のモジ
ュール基板で、該モジュール基板１００は、基板１０
１、端面スルーホール１０３、半田１０８等によって構
成されている。

【００４５】１０１は例えば絶縁性樹脂材料と導体によ
る配線パターン（図示せず）を交互に積層して形成した
積層体からなる基板で、該基板１０１は、縦横の長さ寸
法が例えば３０ｍｍ程度の略四角形状に形成されてい
る。また、基板１０１は、その表面１０１Ａ中央側に半
導体ＩＣ、能動部品、あるいは受動部品等の電子部品１
０２が実装されている。そして、基板１０１は、裏面１
０１Ｂ側に設けられる後述のマザーボード１０９に接合
されるものである。また、基板１０１は、図１に示すよ
うにその外周縁を形成する４辺の端面１０１Ｃを有し、
該各端面１０１Ｃには後述する端面スルーホール１０３
が形成されている。

【００４６】１０３，１０３，…は基板１０１の外周縁
を形成する４辺の端面１０１Ｃに設けられた端面スルー
ホールで、該各端面スルーホール１０３は、後述する端
面開口溝１０４、端面電極１０５、裏面電極１０６によ
って構成されている。

【００４７】１０４，１０４，…は基板１０１の端面１
０１Ｃに開口して設けられた凹湾曲状の端面開口溝で、
該各端面開口溝１０４は、基板１０１の厚さ方向に貫通
して設けられ、基板１０１の表面１０１Ａと裏面１０１
Ｂとに略半円形状の開口を形成している。

【００４８】１０５，１０５，…は端面開口溝１０４の
内壁面に設けられた端面電極で、該端面電極１０５は、
端面開口溝１０４の内壁面を全面に亘って覆い、略円弧
面状に形成されている。

【００４９】１０６，１０６，…は端面開口溝１０４の
周囲に位置して基板１０１の裏面１０１Ｂ側に設けられ
た裏面電極で、該各裏面電極１０６は、略半円弧状をな
し、端面電極１０５に接続されている。

【００５０】１０７，１０７，…は端面電極１０５と電
子部品１０２との間を接続する配線で、該配線１０７
は、基板１０１の表面１０１Ａ側に設けられ端面開口溝
１０４の周囲で円弧形状をなして端面電極１０５に接続
されると共に、基板１０１の中央部側に向けて延びてい
る。

【００５１】なお、配線１０７は、後述の半田１０８が
溶融したときに配線１０７に引付けられて基板１０１の
表面１０１Ａ側に突出するのを防止するために、レジス
ト膜（図示せず）に覆うことが好ましい。また、配線１
０７は必ずしも基板１０１の表面１０１Ａ側に設ける必
要はなく、基板１０１に積層された配線パターンを通じ
て端面電極１０５に接続する構成としてもよい。

【００５２】１０８，１０８，…は各端面開口溝１０４
に収容されて固定された半田で、該半田１０８は、端面
開口溝１０４内で端面電極１０５に固定され、略円柱形
状となって基板１０１の厚さ方向に延びている。また、
半田１０８は、図４に示すようにその一部が裏面電極１
０６を覆い、基板１０１の裏面１０１Ｂよりも下方（マ
ザーボード１０９側）に向けて突出寸法Ｌだけ突出した
突出部１０８Ａとなっている。

【００５３】第１の実施の形態によって製造されたモジ
ュール基板は上述の如く構成されるものであり、次に第
１の実施の形態に係るモジュール基板の製造方法を図５
ないし図１７を参照しつつ説明する。なお、本実施の形
態では図５に示すように１枚の加工用基板から２枚のモ
ジュール基板を加工する場合を例に挙げている。

【００５４】まず、図５に示す貫通孔加工工程では、例
えば２枚のモジュール基板を製造するための加工用基板
１を長円形の金型によって打ち抜き、多数の貫通孔２を
四角形の枠形状に沿って穿設する。ここで、貫通孔２は
後述のクリーム半田９を収容し、端面電極１０５に固着
する半田１０８の量や突出部１０８Ａの突出寸法Ｌを決
めるものである。このため、貫通孔２の開口面積は、半
田１０８の量（クリーム半田９の収容量）等に応じて適
宜設定されている。

【００５５】次に、図６および図７に示す端面電極加工
工程では、例えば加工用基板１の表面１Ａ、裏面１Ｂに
予め設けられた銅薄膜（図示せず）をエッチング処理に
よって部分的に除去し、加工用基板１の表面１Ａ側に貫
通孔２の周囲まで延びる配線３を形成し、加工用基板１
の裏面１Ｂ側に略半円弧状の裏面電極４を形成する。

【００５６】この状態で加工用基板１の貫通孔２に例え
ばメッキ処理、フォトレジスト等によるマスク処理、エ
ッチング処理等を施すことによって貫通孔２の内壁面の
一部に端面電極５を形成する。このとき、加工用基板１
のうち多数の貫通孔２によって取囲まれた四角形状の部
位は基板１０１となるから、端面電極５は貫通孔２のう
ちこの四角形状の部位側に形成されている。また、配線
３、裏面電極４も貫通孔２によって取囲まれた四角形状
の部位側に設けられ、端面電極５は、配線３、裏面電極
４に接続されている。

【００５７】次に、図８ないし図１０に示すプッシュバ
ック工程では、プッシュバック金型を用いて加工用基板
１から貫通孔２に取囲まれモジュール基板の基板１０１
に対応した分離基板６を切断して分離する。このとき、
貫通孔２を通って加工用基板１から分離基板６を打ち抜
くから、分離基板６には貫通孔２の一部が残存すると共
に、この残存した貫通孔２は端面電極５によって覆われ
る。

【００５８】そして、加工用基板１から分離基板６を分
離した後には、分離基板６を略四角形状の開口が設けら
れた残余の加工用基板１Ｃに埋め戻す。これにより、分
離基板６と残余の加工用基板１Ｃとの間には、再び貫通
孔２が形成される。

【００５９】次に、図１１に示す貫通孔閉塞工程では、
半田が付着しにくいアルミニウム等の金属材料または耐
熱性樹脂材料からなる平板状の閉塞板７に加工用基板１
の表面１Ａが接触した状態（加工用基板１を裏返した状
態）で載置する。このとき、加工用基板１の裏面１Ｂ側
には、貫通孔２に対応した部位が開口８Ａとなった金属
板等のマスクプレート８を載置する。

【００６０】次に、図１２および図１３に示す半田収容
工程では、マスクプレート８を通じて加工用基板１の貫
通孔２に半田とフラックスとが混練されたペースト状の
クリーム半田９を収容する。このとき、加工用基板１の
裏面１Ｂはマスクプレート８によって覆われているか
ら、貫通孔２以外の部位にクリーム半田９が付着するこ
とはない。そして、クリーム半田９を貫通孔２内に収容
した後は、マスクプレート８を加工用基板１から取外
す。

【００６１】なお、クリーム半田９に代えて、粒状また
は細柱状の半田を貫通孔２に収容してもよい。この場
合、マスクプレート８を用いる必要はなくなる。

【００６２】次に、図１４ないし図１６に示す加熱工程
では、加工用基板１の裏面１Ｂ側から局所的に熱風を吹
付けることによって、貫通孔２のうち端面電極５の周囲
を部分的に加熱する。このとき、貫通孔２に収容された
クリーム半田９は、端面電極５の近傍から徐々に溶融
し、残余の加工用基板１Ｃに比べて高温となった端面電
極５に引付けられる。これにより、溶融したクリーム半
田９は、含有していたフラックスの蒸発によってその体
積が４０％〜５０％程度に減少するものの、確実に端面
電極５に付着する。

【００６３】また、溶融したクリーム半田９は、その表
面張力によって略球形状に変形する傾向があり、端面電
極５に沿って貫通孔２内から加工用基板１の裏面１Ｂを
越えて突出する。さらに、加工用基板１の裏面１Ｂには
貫通孔２の周囲に裏面電極４が設けられているから、溶
融したクリーム半田９は、この裏面電極４に引付けられ
て貫通孔２からの突出量が増加し、裏面電極４を覆う位
置まで裏面１Ｂよりも突出する。

【００６４】この状態で、加工用基板１の加熱を停止
し、冷却することによって端面電極５に半田１０が固定
されると共に、該半田１０には加工用基板１の裏面１Ｂ
よりも後述のマザーボード１０９側に突出した突出部１
０Ａが形成される。

【００６５】なお、加熱工程では、熱風を吹付けること
によって、貫通孔２のうち端面電極５の周囲を局所的に
加熱するものとしたが、例えば加熱した半田ごて等を端
面電極５の周囲に接触させることによって、局所的に加
熱してもよい。

【００６６】また、端面電極５に半田１０を固定するの
と同時に、基板１の表面１Ａ側に電子部品１０２を半田
付けするものとしてもよい。この場合、電子部品１０２
を別個に取付けるのに比べて生産性を向上することがで
きる。

【００６７】最後に、図１７に示す分離基板取外し工程
では、加工用基板１からプッシュバック工程によって予
め分離した分離基板６を残余の加工用基板１Ｃから取外
す。このとき、分離基板６は基板１０１となり、配線３
は基板１０１の表面１０１Ａに設けられた配線１０７と
なり、裏面電極４は基板１０１の裏面１０１Ｂに設けら
れた裏面電極１０６となり、端面電極５は基板１０１の
端面１０１Ｃ側に設けられた端面電極１０５となり、半
田１０は端面電極１０５に固着された半田１０８とな
る。このため、基板１０１の端面電極１０５に半田１０
８を固定した状態でモジュール基板１００が製造され
る。

【００６８】第１の実施の形態によるモジュール基板の
製造方法は上述の如く構成されるものであり、次に本実
施の形態の製造方法によって製造されたモジュール基板
をマザーボード上に接合する場合について説明する。

【００６９】まず、モジュール基板１００をマザーボー
ド１０９上に載置した状態で加熱する。このとき、基板
１０１は絶縁性樹脂材料と配線パターンとが積層されて
いるため、基板１０１に反りが生じ、図１８に示すよう
に、例えば基板１０１の両端側がマザーボード１０９か
ら浮き上がり、端面電極１０５とマザーボード１０９上
の電極パッド１１０との間に隙間が生じることがある。

【００７０】しかし、各端面電極１０５に固定した半田
１０８には、基板１０１の裏面１０１Ｂよりも下方に突
出した突出部１０８Ａを形成したから、この突出部１０
８Ａによって端面電極１０５と電極パッド１１０との間
の隙間を吸収することができる。

【００７１】即ち、半田１０８と電極パッド１１０とを
位置合わせした状態でモジュール基板１００をマザーボ
ード１０９上に載置する。このとき、図１８に示すよう
に基板１０１に反りが発生したときには、多数の半田１
０８のうち例えば基板１０１の中央側の半田１０８は電
極パッド１１０に接触し、基板１０１の両端側の半田１
０８は電極パッド１１０から離間する。

【００７２】この状態でモジュール基板１００とマザー
ボード１０９とを加熱すると、電極パッド１１０に予め
塗布されたクリーム半田１１１が溶融する。このとき、
基板１０１の中央側の半田１０８は溶融したクリーム半
田１１１に接触するから、クリーム半田１１１からの熱
が伝わって、中央側の半田１０８は、両端側の半田１０
８よりも先に溶融する。これにより、基板１０１は、図
１８中の矢示Ａ方向に向けて自重によって降下し、基板
１０１の両端側に位置する半田１０８もマザーボード１
０９の電極パッド１１０に接触する。

【００７３】この結果、図１９および図２０に示すよう
に基板１０１に反りが発生して端面電極１０５と電極パ
ッド１１０との間の隙間が形成されるときであっても、
基板１０１の裏面１０１Ｂからマザーボード１０９側に
向けて突出した半田１０８によってこの隙間を吸収し、
全ての端面電極１０５を電極パッド１１０に確実に接続
することができる。これにより、端面電極１０５と電極
パッド１１０との間にフィレット１１２を形成すること
ができる。

【００７４】かくして、第１の実施の形態に係る製造方
法では、加工用基板１に形成した貫通孔２にクリーム半
田９を収容した後、端面電極５の近傍を残余の加工用基
板１Ｃに比べて高温に加熱するから、溶融したクリーム
半田９を残余の加工用基板１Ｃに比べて温度の高い分離
基板６の端面電極５に引付けることができ、端面電極５
に溶融したクリーム半田９を確実に付着させることがで
きる。

【００７５】特に、クリーム半田９を加熱して端面電極
５に固着するときには、クリーム半田９中のフラックス
が蒸発するから、クリーム半田９の体積は、貫通孔２に
収容したときに比べて例えば４０％〜５０％程度に減少
する。また、分離基板６には予め電子部品１０２等が取
付けられていることがあり、加工用基板１全体（分離基
板６と残余の加工用基板１Ｃ）を加熱したときには、分
離基板６の温度が残余の加工用基板１Ｃに比べて低温と
なる傾向がある。このため、溶融したクリーム半田９
は、分離基板６よりも高温となった残余の加工用基板１
Ｃに引付けられ、端面電極１０５に半田１０８を固着で
きないことがある。

【００７６】これに対し、本実施の形態では、分離基板
６のうち端面電極５の周囲を残余の加工用基板１Ｃに比
べて高温に加熱するから、溶融したクリーム半田９を端
面電極５に確実に付着させることができ、端面電極１０
５に半田１０８を固定することができる。

【００７７】また、溶融したクリーム半田９は、その表
面張力によって略球形状となって端面電極５に付着する
から、溶融したクリーム半田９の一部を貫通孔２から突
出させることができる。このため、端面電極１０５に固
定された半田１０８には、基板１０１の裏面１０１Ｂよ
りもマザーボード１０９側に突出した突出部１０８Ａを
形成することができる。従って、半田１０８の突出部１
０８Ａによって基板１０１とマザーボード１０９との間
の隙間を吸収できるから、基板１０１等に反りが生じる
ときであっても、基板１０１の端面電極１０５とマザー
ボード１０９の電極パッド１１０とを接続することがで
きる。

【００７８】特に、貫通孔２に収容したクリーム半田９
を溶融することによって、端面電極１０５に半田１０８
を固定するから、貫通孔２の開口面積（貫通孔２の容
積）を適宜設定することによって端面電極１０５に固定
する半田１０８の量や突出寸法Ｌを設定することができ
る。このため、モジュール基板１００の反り等に応じた
突出寸法をもった半田１０８を端面電極１０５に固定す
ることができる。

【００７９】また、加熱工程では熱風等を吹付けること
によって端面電極５の周囲を局所的に加熱するから、分
離基板６を残余の加工用基板１Ｃに比べて高温にするこ
とができる。このため、貫通孔２に収容されたクリーム
半田９は端面電極５の近傍から溶融して端面電極５に付
着するから、端面電極１０５に半田１０８を確実に固定
することができる。

【００８０】また、加工用基板１を加熱する前に加工用
基板１の表面１Ａ側に閉塞板７を設け、貫通孔２の一方
の開口を閉塞したから、溶融したクリーム半田９が加工
用基板１の表面１Ａよりも突出するのを防止できる。こ
のため、閉塞板７を設けないときに比べて貫通孔２の一
方の開口から突出する分のクリーム半田９を貫通孔２の
他方の開口から加工用基板１の裏面１Ｂを越えて突出さ
せることができ、半田１０８が基板１０１の裏面１０１
Ｂ側に突出する突出寸法Ｌを大きくすることができる。

【００８１】さらに、加工用基板１の貫通孔２にクリー
ム半田９を収容する前に、加工用基板１から分離基板６
を分離して該分離基板６を残余の加工用基板１Ｃに埋め
戻す構成としたから、ダイヤモンドカッター等によって
加工用基板１を切断する場合に比べて、モジュール基板
１００の洗浄、乾燥等を省くことができる。このため、
端面電極１０５に半田１０８を固定するときに、分離基
板６に電子部品１０２を取付けたとしても、この電子部
品１０２の特性が洗浄によって劣化することがなくなる
と共に、洗浄等に要する時間が不要となるから、モジュ
ール基板１００の製造に必要な時間を短縮でき、生産性
を向上することができる。

【００８２】また、プッシュバック金型を用いて加工用
基板１から分離した分離基板６を残余の加工用基板１Ｃ
に埋め戻すから、分離基板６と残余の加工用基板１Ｃと
の間に貫通孔２を形成することができる。このため、貫
通孔２にクリーム半田９を収容して加工用基板１等を加
熱することによって、端面電極１０５に半田１０８を固
定することができる。

【００８３】次に、図２１ないし図２３に基づいて第２
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について
説明する。然るに、第２の実施の形態の特徴は、分離基
板の熱容量を残余の加工用基板の熱容量に比べて小さい
値に設定したことにある。なお、本実施の形態では前記
第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付
し、その説明を省略するものとする。

【００８４】まず、本実施の形態では、第１の実施の形
態と同様に貫通孔加工工程によって加工用基板１１に貫
通孔２を穿設し、端面電極加工工程によって加工用基板
１１の表面１１Ａに配線３を設け、裏面１１Ｂに裏面電
極４を設け、貫通孔２の内壁面に端面電極５を設ける。
そして、プッシュバック工程によって、加工用基板１１
から分離基板１２と残余の加工用基板１１Ｃとを分離し
た後、分離基板１２を残余の加工用基板１１Ｃに埋め戻
す。

【００８５】ここで、加工用基板１１は、モジュール基
板１００の基板１０１に対応した部位が他の部位に比べ
て予め薄肉に形成されている。このため、分離基板１２
は残余の加工用基板１１Ｃよりも薄肉となるから、分離
基板１２の熱容量は、残余の加工用基板１１Ｃの熱容量
に比べて小さい値に設定されている。

【００８６】そして、貫通孔閉塞工程によって加工用基
板１１の表面１１Ａに閉塞板７を取付け、貫通孔２にク
リーム半田９を収容した後、加熱工程によって分離基板
１２と残余の加工用基板１１Ｃを全体として加熱炉等で
加熱し、端面電極５に半田１０を固定する。その後、分
離基板取外し工程によって加工用基板１１からモジュー
ル基板１００を取出す。

【００８７】かくして、第２の実施の形態によるモジュ
ール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、
本実施の形態でも第１の実施の形態と同様の作用効果を
得ることができる。

【００８８】しかし、第２の実施の形態では、加工用基
板１１のうち分離基板１２の熱容量を残余の加工用基板
１１Ｃの熱容量よりも小さい値に設定したから、加工用
基板１１全体を加熱したときであっても、分離基板１２
は残余の加工用基板１１Ｃに比べて早期に温度が上昇す
る。このため、高温となった分離基板１２の端面電極５
に溶融したクリーム半田９を引付けることができ、端面
電極５に半田１０を確実に取付けることができる。

【００８９】なお、第２の実施の形態では、分離基板１
２を残余の加工用基板１１Ｃよりも薄肉に形成すること
によって端面電極５周辺の熱容量を残余の加工用基板１
１Ｃに比べて小さくするものとしたが、図２４ないし図
２６に示す第２の実施の形態の変形例のように端面電極
５の周辺に分離基板６の厚さ方向に延びる溝状または小
径穴状の熱導入口２１を設ける構成としてもよい。

【００９０】これにより、肉厚が均一な加工用基板１を
用いるとき、即ち分離基板６と残余の加工用基板１Ｃの
肉厚が略等しいときであっても、分離基板６の端面電極
５近傍の熱容量を残余の加工用基板１１Ｃに比べて小さ
くすることができる。また、熱導入口２１を通じて端面
電極５に分離基板６周辺の熱を伝導することができるか
ら、端面電極５周辺の加熱を促進することができる。

【００９１】また、残余の加工用基板１Ｃに銅薄膜等を
設けることによって該加工用基板１Ｃの熱容量を分離基
板６の熱容量よりも大きな値に設定してもよい。

【００９２】次に、図２７および図２８に基づいて第３
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法を説明す
る。然るに、第３の実施の形態の特徴は、加工用基板の
表面側にテープを貼着することによって貫通孔の一方の
開口を閉塞したことにある。なお、本実施の形態では前
記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付
し、その説明を省略するものとする。

【００９３】第３の実施の形態では、貫通孔加工工程に
おいて加工用基板１の表面１Ａに耐熱性の樹脂材料等か
らなるテープ３１を貼着し、該テープ３１によって貫通
孔２の一方の開口を閉塞する。そして、半田収容工程で
は、貫通孔２を閉塞した状態で貫通孔２にクリーム半田
９を収容し、加熱工程によって加熱する。これにより、
端面電極５に溶融したクリーム半田９を付着させる。

【００９４】かくして、第３の実施の形態によるモジュ
ール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、
本実施の形態でも第１の実施の形態と同様の作用効果を
得ることができる。

【００９５】しかし、第３の実施の形態では、テープ３
１を加工用基板１に貼着するから、加工用基板１に歪み
等が生じたときであっても、テープ３１と加工用基板１
（分離基板６）との間に隙間δが形成されることはな
い。このため、テープ３１と加工用基板１との間にクリ
ーム半田９から蒸発したフラックス等が侵入することが
なく、該フラックスによってテープ３１が加工用基板１
に強固に貼着されることがない。

【００９６】即ち、第１の実施の形態のように貫通孔２
を平板状の閉塞板７で閉塞したときには、閉塞板７と加
工用基板１との間に隙間が形成されることがあり、この
隙間に溶融したクリーム半田９やクリーム半田９から蒸
発したフラックスが侵入し、分離基板６の表面１Ａ側を
汚損することがある。特に、閉塞板７と加工用基板１と
の間の隙間にフラックスが侵入したときには、閉塞板７
が加工用基板１に強固に貼着され、剥離できないことが
ある。

【００９７】これに対し、本実施の形態では、テープ３
１を加工用基板１に貼着するから、テープ３１と加工用
基板１との間に隙間δが形成されることはない。従っ
て、端面電極５に半田１０を固定した後に加工用基板１
からテープ３１を容易に剥離することができる。

【００９８】また、テープ３１は必ずしも加工用基板１
から剥離する必要はなく、モジュール基板に貼着した状
態で用いてもよい。この場合、テープ３１によって端面
スルーホールの表面側を閉塞することができるから、モ
ジュール基板をマザーボードに接合するときに半田が溶
融してモジュール基板の表面側に突出するのを防止で
き、モジュール基板の端面電極をマザーボードの電極パ
ッドに確実に接合することができる。

【００９９】次に、図２９ないし図３１に基づいて第４
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について
説明する。然るに、第４の実施の形態の特徴は、貫通孔
を閉塞せず開放した状態で加工用基板を加熱することに
ある。なお、本実施の形態では前記第１の実施の形態と
同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略す
るものとする。

【０１００】第４の実施の形態でも、第１の実施の形態
と同様に加工用基板１に貫通孔加工工程、端面電極加工
工程、プッシュバック工程、半田収容工程を行う。

【０１０１】しかし、本実施の形態では、半田収容工程
によって貫通孔２にクリーム半田９を収容した後には、
図２９に示すように加工用基板１から閉塞板を取外す。
この状態で加熱工程を施し、加工用基板１のうち端面電
極５近傍に熱風を吹付けることによって、端面電極５の
周囲を加熱する。これにより、溶融したクリーム半田９
は、高温となった端面電極５に引付けられて付着する。

【０１０２】かくして、第４の実施の形態によるモジュ
ール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、
本実施の形態でも第１の実施の形態と同様の作用効果を
得ることができる。しかし、第４の実施の形態では、貫
通孔２を開放した状態で端面電極５等を加熱するから、
溶融したクリーム半田９は、その表面張力によって略球
形状に変形するから、半田４１を加工用基板１の表面１
Ａ、裏面１Ｂのいずれにも突出した状態で端面電極５に
取付けることができる。このため、第１の実施の形態の
ように半田を加工用基板１の裏面１Ｂ側にだけ突出させ
た場合に比べて多量の半田４１を分離基板６の端面電極
５に取付けることができ、半田４１によってモジュール
基板とマザーボードとの間を強固に接合することができ
る。

【０１０３】次に、図３２ないし図３８に基づいて第５
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法を説明す
る。然るに、第５の実施の形態の特徴は、加工用基板に
Ｖ字溝を設け、貫通孔を該Ｖ字溝を跨いで設ける構成と
したことにある。なお、本実施の形態では前記第１の実
施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説
明を省略するものとする。

【０１０４】第５の実施の形態では、加工用基板５１の
表面５１Ａ、裏面５１Ｂに予め凹溝としてのＶ字溝５２
を設ける。ここで、Ｖ字溝５２は、モジュール基板１０
０の基板１０１の外周縁に沿って設けられ、その断面は
略Ｖ字状をなしている。

【０１０５】次に、貫通孔加工工程によって加工用基板
５１に第１の実施の形態と同様の貫通孔２が設けられる
ものの、貫通孔２はＶ字溝５２を跨いで設けられてい
る。その後、図３２ないし図３４に示すように端面電極
加工工程によって加工用基板５１の表面５１Ａには配線
３を形成し、裏面５１Ｂには裏面電極４が形成し、貫通
孔２の内壁面の一部には端面電極５を形成する。

【０１０６】そして、図３５に示すように貫通孔閉塞工
程によって加工用基板５１の表面５１Ａに閉塞板７を取
付け、半田収容工程によって貫通孔２にクリーム半田９
を収容する。その後、図３６に示す加熱工程によって、
加工用基板５１のうち端面電極５周辺に熱風を吹付け
る。これにより、端面電極５には半田１０が取付けられ
る。

【０１０７】次に、図３７に示す基板切断工程では、加
工用基板５１のＶ字溝５２に沿って切断器（図示せず）
の刃５３，５３を挿入し、これらの刃５３，５３によっ
て加工用基板５１を挟み、加工用基板５１からモジュー
ル基板１００を分離する。これにより、図３８に示すよ
うに加工用基板５１から基板１０１が切離され、この基
板１０１の端面電極１０５には半田１０８が固定され
る。

【０１０８】かくして、第５の実施の形態によるモジュ
ール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、
本実施の形態でも第１の実施の形態と同様の作用効果を
得ることができる。しかし、第５の実施の形態では、加
工用基板５１に予めＶ字溝５２を設け、該Ｖ字溝５２を
跨いで貫通孔２を設けるから、基板１０１に対して端面
開口溝１０４となる貫通孔２を容易に位置合わせするこ
とができる。

【０１０９】なお、第５の実施の形態では、基板切断工
程で切断器の刃５３をＶ字溝５２に挿入し、加工用基板
５１から基板１０１を分離するものとしたが、例えば加
工用基板５１を図３７中の矢示Ｂ方向に折り曲げること
によって、加工用基板５１から基板１０１を分離しても
よい。

【０１１０】次に、図３９ないし図４３に基づいて第６
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法を説明す
る。然るに、第６の実施の形態の特徴は、端面電極に半
田を固定した後に、ダイヤモンドカッターを用いて加工
用基板を貫通孔を通って切断することにある。なお、本
実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の構成要素
に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。

【０１１１】まず、第６の実施の形態では、第１の実施
の形態と同様に貫通孔加工工程によって加工用基板１に
貫通孔２を穿設し、端面電極加工工程によって、図３９
に示すように加工用基板１の表面１Ａに配線３を形成
し、裏面１Ｂに裏面電極４を形成し、貫通孔２の内壁面
の一部に端面電極５を形成する。

【０１１２】次に、図４０に示すように貫通孔閉塞工程
によって加工用基板１の表面１Ａに閉塞板７を設け、貫
通孔２の一方の開口を閉塞した状態で、半田収容工程に
よって貫通孔２内にクリーム半田９を収容する。そし
て、図４１に示す加熱工程によって、加工用基板１のう
ち端面電極５近傍に熱風を吹付け、端面電極５に半田１
０を固着する。

【０１１３】次に、図４２に示す基板切断工程では、ダ
イヤモンドカッター６１を用いて加工用基板１を切断
し、加工用基板１から分離基板６を分離する。最後に、
図４３に示すように加工用基板１から分離基板６を取外
す。このとき、ダイヤモンドカッター６１は貫通孔２を
通過して加工用基板１を切断するから、切り離された貫
通孔２の一部は基板１０１の端面開口溝１０４となり、
端面電極５は端面開口溝１０４を覆う端面電極１０５と
なる。そして、端面電極５には半田１０が固着されてい
るから、基板１０１の端面電極１０５に半田１０８が固
着された状態で加工用基板１から基板１０１を分離し、
モジュール基板１００を取出すことができる。

【０１１４】かくして、第６の実施の形態によるモジュ
ール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、
本実施の形態でも第１の実施の形態と同様の作用効果を
得ることができる。しかし、第６の実施の形態では、ダ
イヤモンドカッター６１を用いて加工用基板１を切断す
るから、他の手段を用いて加工用基板１を切断するのに
比べて工法が簡素化できると共に、加工用基板１のうち
基板１０１以外の残余の加工用基板１Ｃの面積を小さく
することができる。このため、１枚の加工用基板１から
多数のモジュール基板１００を製造することができ、他
の方法で加工用基板１から基板１０１を分離するときに
比べて製造コストを低減することができる。

【０１１５】次に、図４４ないし図５６に基づいて第７
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法を説明す
る。然るに、第７の実施の形態の特徴は、加工用基板に
スリット孔を設けることによって非分離基板を形成し、
該非分離基板に治具プレートを取付け、非分離基板を治
具プレートに比べて高温に加熱して、治具プレートの半
田収容穴に収容した半田を非分離基板の端面電極に固着
することにある。なお、本実施の形態では前記第１の実
施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説
明を省略するものとする。

【０１１６】まず、第７の実施の形態では、第１の実施
の形態と同様に貫通孔加工工程によって加工用基板７１
に貫通孔２を穿設する。その後、図４４および図４５に
示す端面電極加工工程によって、加工用基板７１の表面
７１Ａに配線３を設け、裏面７１Ｂに裏面電極４を設
け、該貫通孔２の内壁面に裏面電極４、配線３に接続さ
れた端面電極５を設ける。

【０１１７】次に、図４６および図４７に示すスリット
孔加工工程では、端面電極５を残存させつつ貫通孔２の
一部を除去する溝状のスリット孔７２を設ける。このと
き、スリット孔７２は基板１０１と対応した非分離基板
７３の外周縁に沿って複数個設けられる。

【０１１８】これにより、加工用基板１には、スリット
孔７２によって取囲まれた非分離基板７３と、該非分離
基板７３の４隅が接続され非分離基板７３を取囲む残余
の加工用基板７１Ｃとが形成される。

【０１１９】一方、図４８および図５１に示す半田収容
工程では、例えば半田が付着しにくい金属材料または耐
熱性の樹脂材料等によって形成した平板状の治具プレー
ト７４を用意し、該治具プレート７４には、非分離基板
７３の端面電極５に対応した位置に有底の半田収容穴７
５を設ける。そして、治具プレート７４の表面には半田
収容穴７５に対応した位置に開口７６Ａを有するマスク
プレート７６を取付け、該マスクプレート７６を通じて
治具プレート７４の半田収容穴７５にクリーム半田９を
収容する。そして、クリーム半田９を半田収容穴７５内
に収容した後は、マスクプレート７６を治具プレート７
４から取外す。

【０１２０】次に、図５２および図５３に示す治具プレ
ート取付工程では、治具プレート７４の半田収容穴７５
に非分離基板７３の端面電極５を位置合わせした状態
で、治具プレート７４に非分離基板７３（加工用基板７
１）を取付ける。このとき、非分離基板７３の端面電極
５、裏面電極４にクリーム半田９が接触するように、裏
面電極４によって半田収容穴７５を部分的に塞ぐように
する。

【０１２１】次に、図５４および図５５に示す加熱工程
では、加工用基板７１の表面７１Ａ側から局所的に熱風
を吹付けることによって、非分離基板７３の端面電極５
の周囲を加熱する。このとき、半田収容穴７５に収容さ
れたクリーム半田９は、端面電極５からの熱が伝わるこ
とによって徐々に溶融し、治具プレート７４に比べて高
温となった端面電極５、裏面電極４に引き付けられる。

【０１２２】また、溶融したクリーム半田９は、その表
面張力によって略球形状に変形するから、端面電極５に
沿って加工用基板７１の表面７１Ａ側に向けて徐々に盛
り上がる。この結果、溶融したクリーム半田９は端面電
極５、裏面電極４を全面に亘って覆うから、この状態で
加工用基板７１の加熱を停止し、冷却することによって
端面電極５に半田７７が固定されると共に、該半田７７
には加工用基板７１の裏面７１Ｂよりもマザーボート側
に突出した突出部７７Ａが形成される。

【０１２３】最後に、図５６に示す基板取外し工程で
は、加工用基板７１から治具プレート７４を取外した
後、非分離基板７３と残余の加工用基板７１Ｃとを接続
する部位を切断し、非分離基板７３を加工用基板７１か
ら分離する。これにより、端面電極１０５に半田１０８
を固着した状態のモジュール基板１００を製造すること
ができる。

【０１２４】かくして、第７の実施の形態によるモジュ
ール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、
本実施の形態でも第１の実施の形態と同様の作用効果を
得ることができる。しかし、第７の実施の形態では、治
具プレート７４よりも非分離基板７３を高温に加熱する
から、溶融したクリーム半田９を治具プレート７４に比
べて温度の高い端面電極５に引き付けることができ、端
面電極５に半田７７を固定することができる。また、溶
融したクリーム半田９は、その一部が半田収容穴７５に
留まり、略球形状となって裏面電極４に付着して固定さ
れるから、半田７７にはモジュール基板１００の裏面１
０１Ｂよりもマザーボード側に突出した突出部７７Ａを
形成することができる。

【０１２５】次に、図５７ないし図６３に基づいて第８
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法を説明す
る。然るに、第８の実施の形態の特徴は、非分離基板に
は端面電極との間に半田収容穴を形成する治具プレート
を取付け、非分離基板を治具プレートに比べて高温に加
熱し、半田を端面電極に固着することにある。なお、本
実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の構成要素
に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。

【０１２６】まず、第１の実施の形態と同様に貫通孔加
工工程によって加工用基板８１に貫通孔２を穿設する。
そして、端面電極加工工程によって加工用基板８１の表
面８１Ａに配線３を設け、裏面８１Ｂに裏面電極４を設
け、該貫通孔２の内壁面に配線３、裏面電極４に接続さ
れた端面電極５を設ける。

【０１２７】次に、図５７に示すスリット孔加工工程で
は、端面電極５を残存させつつ貫通孔２の一部を除去す
る溝状のスリット孔８２を設ける。このとき、スリット
孔８２は基板１０１と対応した非分離基板７３の外周縁
に沿って複数個設けられる。これにより、加工用基板８
１には、スリット孔８２によって取囲まれた非分離基板
８３と、該非分離基板８３の４隅が接続された残余の加
工用基板８１Ｃとが形成される。

【０１２８】次に、図５８ないし図６１に示す治具プレ
ート取付工程では、加工用基板８１の表面８１Ａ側には
治具プレート８４を取付ける。このとき、治具プレート
８４は、図５８に示すようにスリット孔８２内に挿入可
能な棒状の突起部８４Ａを有すると共に、この突起部８
４Ａには基板１の端面電極５との間に半田収容穴８５を
構成する円弧状の窪み部８４Ｂを形成しておく。これに
より、図５９ないし図６１に示すように加工用基板８１
に治具プレート８４を取付けた状態では、非分離基板８
３と突起部８４Ａとの間に略長円形状の半田収容穴８５
が形成される。

【０１２９】次に、図６２および図６３に示す加熱工程
では、半田収容穴８５にクリーム半田９を収容した後、
非分離基板８３に熱風を吹付けることによって端面電極
５の周囲を加熱する。このとき、半田収容穴８５に収容
されたクリーム半田９は、端面電極５からの熱が伝わる
ことによって徐々に溶融すると共に、治具プレート８４
に比べて高温となった非分離基板８３の端面電極５、裏
面電極４に引き付けられる。このため、溶融したクリー
ム半田９は、端面電極５に付着すると共に、その表面張
力によって加工用基板８１の裏面８１Ｂ側から突出し、
裏面電極４を覆う。この結果、半田８６は端面電極５に
固定されると共に、その一部が加工用基板８１の裏面８
１Ｂよりもマザーボード側に突出した突出部８６Ａとな
る。

【０１３０】最後に、基板取外し工程では、加工用基板
８１から治具プレート８４を取外した後、非分離基板８
３と残余の加工用基板８１Ｃとを接続する部位を切断す
る。これにより、モジュール基板が製造されると共に、
該モジュール基板の端面電極には半田が固定される。

【０１３１】かくして、第８の実施の形態によるモジュ
ール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、
本実施の形態でも前記第１の実施の形態と同様の作用効
果を得ることができる。

【０１３２】なお、前記第７，第８の実施の形態では端
面電極５の周囲を局所的に加熱するものとしたが、治具
プレート７４，８４の材質や厚さ寸法等の形状を適宜選
択することによって、非分離基板７３，８３の熱容量を
治具プレート７４，８４の熱容量よりも小さくすること
ができる。このため、非分離基板７３，８３を治具プレ
ート７４，８４よりも早期に高温にすることができ、端
面電極５に半田７７，８６を確実に固定することができ
る。

【０１３３】また、前記第７，第８の実施の形態では治
具プレート７４，８４を覆うように加工用基板７１，８
１（非分離基板７３，８３）を治具プレート７４，８４
に取付けるから、加工用基板７１，８１から治具プレー
ト７４，８４に向かうように、加工用基板７１，８１全
体に熱風を吹付けてもよい。この場合でも、治具プレー
ト７４，８４に比べて非分離基板７３，８３の温度を早
期に上昇させることができる。

【０１３４】また、前記第７，第８の実施の形態では４
個のスリット孔７２，８２によって非分離基板７３，８
３を囲むものとしたが、例えば略四角形の枠状のスリッ
ト孔を１個設け、この単一のスリット孔によって非分離
基板を囲む構成としてもよい。

【０１３５】また、前記第５，第６の実施の形態では端
面電極５の周囲を局所的に加熱するものとしたが、第２
の実施の形態と同様に加工用基板のうち端面電極の周囲
の部位を他の部位に比べて薄肉に形成することによって
端面電極の近傍の熱容量を小さくしてもよい。これによ
り、加工用基板のうち端面電極の近傍を他の部位に比べ
て早期に高温にすることができ、端面電極に半田を確実
に固着することができる。

【０１３６】また、前記各実施の形態では端面スルーホ
ール１０３は端面電極１０５（５）、裏面電極１０６
（４）によって構成するものとしたが、例えば裏面電極
１０６（４）を省いた構成としてもよい。この場合であ
っても、半田の表面張力によって半田の一部を基板の裏
面よりもマザーボード側に突出させることができる。

【０１３７】

【発明の効果】以上詳述した通り、請求項１の発明によ
れば、加工用基板から分離基板を分離し、該分離基板を
残余の加工用基板に埋め戻した後に、分離基板と残余の
加工用基板との間に位置する貫通孔に半田を収容して分
離基板を残余の加工用基板に比べて高温に加熱するか
ら、溶融した半田を残余の加工用基板に比べて温度の高
い分離基板に引き付け、モジュール基板となる分離基板
の端面電極に確実に付着させて固定することができる。
また、端面電極に固定された半田はその一部がモジュー
ル基板の裏面よりもマザーボード側に突出するから、こ
の突出した半田によってモジュール基板とマザーボード
との間の隙間を吸収し、端面電極を電極パッドに確実に
接続することができる。

【０１３８】さらに、貫通孔に半田を収容する前に、加
工用基板から分離基板を分離して該分離基板を残余の加
工用基板に埋め戻す構成としたから、ダイヤモンドカッ
ター等によって加工用基板を切断する場合に比べて、モ
ジュール基板の洗浄、乾燥を省くことができ、モジュー
ル基板の生産性を向上することができる。

【０１３９】また、請求項２の発明によれば、分離基板
のうち端面電極の近傍を局所的に加熱するから、分離基
板のうち端面電極の周囲を残余の加工用基板に比べて高
温にすることができる。このため、貫通孔に収容された
半田は端面電極の近傍から溶融して端面電極に付着する
から、端面電極に半田を固着することができる。

【０１４０】また、請求項３の発明によれば、分離基板
の熱容量を残余の加工用基板の熱容量に比べて小さい値
に設定したから、加工用基板全体を加熱するときであっ
ても、端面電極の設けられた分離基板を残余の加工用基
板に比べて早期に高温に加熱することができる。このた
め、溶融した半田を端面電極に引き付けることができる
から、端面電極に半田を付着させ、固定することができ
る。

【０１４１】また、請求項４の発明によれば、加工用基
板に形成した貫通孔に半田を収容した後、加工用基板の
うち端面電極の近傍を他の部位に比べて高温に加熱する
から、溶融した半田を他の部位に比べて温度の高い端面
電極に引き付け、端面電極に確実に付着させて固定する
ことができる。また、端面電極に固定された半田はその
一部がモジュール基板の裏面よりもマザーボード側に突
出するから、この突出した半田によってモジュール基板
とマザーボードとの間の隙間を吸収し、端面電極を電極
パッドに確実に接続することができる。このため、モジ
ュール基板をマザーボードに実装したときの信頼性が向
上する。

【０１４２】また、請求項５の発明によれば、加工用基
板には凹溝を設け、貫通孔は該凹溝を跨いで設ける構成
としたから、貫通孔に端面電極を設けることによってモ
ジュール基板に対する端面電極の位置合わせ精度を向上
することができる。

【０１４３】また、請求項６の発明によれば、加工用基
板のうち端面電極の近傍を局所的に加熱するから、加工
用基板のうち端面電極の周囲を他の部位に比べて高温に
することができる。このため、貫通孔に収容された半田
は端面電極の近傍から溶融して端面電極に付着するか
ら、端面電極に半田を固着することができる。

【０１４４】また、請求項７の発明によれば、加工用基
板のうち端面電極の近傍の熱容量を他の部位の熱容量に
比べて小さい値に設定したから、加工用基板全体を加熱
するときであっても、端面電極の周辺を他の部位に比べ
て早期に高温に加熱することができる。このため、溶融
した半田を端面電極に引き付けることができるから、端
面電極に半田を付着させ、固定することができる。

【０１４５】また、請求項８の発明によれば、加工用基
板を加熱する前に貫通孔の一方の開口を閉塞する構成と
したから、溶融した半田が貫通孔の一方の開口から突出
するのを防止し、貫通孔の他方の開口からだけ半田を突
出させることができる。このため、貫通孔の一方の開口
を閉塞しないときに比べて半田が貫通孔から突出する突
出寸法を大きくすることができる。

【０１４６】また、請求項９の発明によれば、加工用基
板の一面側に閉塞板を設けることによって貫通孔の一方
の開口を閉塞したから、加工用基板を閉塞板に載置する
だけで容易に半田が加工用基板の一面側に突出するのを
抑えることができる。

【０１４７】また、請求項１０の発明によれば、加工用
基板の一面側にはテープを貼着することによって貫通孔
の一方の開口を閉塞する構成としたから、加工用基板に
歪み等が生じたときであっても、テープと加工用基板と
の間に隙間が形成されることはない。このため、半田か
ら蒸発したフラックス等によってテープが加工用基板に
強固に貼着されることがなく、端面電極に半田を固定し
た後に加工用基板からテープを容易に剥離することがで
きる。

【０１４８】また、請求項１１の発明によれば、半田収
容穴を有する治具プレートを非分離基板に取付けた状態
で、非分離基板を治具プレートに比べて高温に加熱する
から、半田収容穴に収容された半田は、非分離基板から
の熱が伝わることによって溶融する。このとき、治具プ
レートの半田収容穴と非分離基板の端面電極とは位置合
わせされているから、溶融した半田を治具プレートに比
べて温度の高い端面電極に引き付けることができ、端面
電極に半田を付着させ、固定することができる。

【０１４９】また、請求項１２の発明によれば、非分離
基板に治具プレートを取付けた状態で、端面電極と治具
プレートとの間に形成される半田収容穴に半田を収容
し、非分離基板を治具プレートに比べて高温に加熱する
から、半田収容穴に収容された半田は、非分離基板から
の熱が伝わることによって溶融する。このとき、非分離
基板の端面電極と治具プレートとの間に半田収容穴が形
成されているから、溶融した半田を治具プレートに比べ
て温度の高い端面電極に引き付けることができ、端面電
極に半田を付着させ、固定することができる。

【０１５０】また、請求項１３の発明によれば、非分離
基板の端面電極の近傍を局所的に加熱する構成としたか
ら、溶融した半田を温度の高い端面電極に付着させ、端
面電極に半田を固定することができる。

【０１５１】さらに、請求項１４の発明は、非分離基板
の熱容量を治具プレートの熱容量に比べて小さい値に設
定したから、熱容量の小さい非分離基板を治具プレート
に比べて早期に高温に加熱することができる。このた
め、半田収容穴に収容された半田は非分離基板の近傍か
ら溶融して端面電極に付着するから、端面電極に半田を
固定することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る製造方法によ
って製造されたモジュール基板を示す斜視図である。

【図２】図１中の端面スルーホールを示す平面図であ
る。

【図３】図１中の端面スルーホールを示す底面図であ
る。

【図４】端面スルーホールを図２中の矢示IV−IV方向か
らみた断面図である。

【図５】第１の実施の形態に係る製造方法において、本
実施の形態に用いる加工用基板に貫通孔を設ける貫通孔
加工工程を示す平面図である。

【図６】貫通孔の内壁面に端面電極を設ける端面電極加
工工程を示す平面図である。

【図７】図６中の加工用基板を示す底面図である。

【図８】加工用基板から分離基板を分離した後、残余の
加工用基板に分離基板を埋め戻すプッシュバック工程を
示す底面図である。

【図９】図８中のａ部を拡大して示す拡大底面図であ
る。

【図１０】図９中の矢示Ｘ−Ｘ方向からみた断面図であ
る。

【図１１】加工用基板に閉塞板とマスクプレートを取付
ける貫通孔閉塞工程を示す断面図である。

【図１２】半田収容工程において貫通孔にクリーム半田
を収容した状態を示す断面図である。

【図１３】半田収容工程において加工用基板からマスク
プレートを取外した状態を示す断面図である。

【図１４】加熱工程において端面電極の周囲を局所的に
加熱している状態を示す断面図である。

【図１５】加熱工程において端面電極に半田が固定され
た状態を示す断面図である。

【図１６】図１５中の矢示 XVI−XVI 方向からみた平面
図である。

【図１７】加工用基板から分離基板を取外す分離基板取
外し工程を示す断面図である。

【図１８】第１の実施の形態に係る製造方法によって製
造されたモジュール基板をマザーボードに載置した状態
を示す側面図である。

【図１９】図１８中のモジュール基板がマザーボードに
接合した状態を示す側面図である。

【図２０】図１９中の矢示XX−XX方向からみた断面図で
ある。

【図２１】第２の実施の形態に係る製造方法において、
本実施の形態に用いる加工用基板に閉塞板を取付ける貫
通孔閉塞工程を示す断面図である。

【図２２】貫通孔にクリーム半田を収容した後に加工用
基板を加熱した加熱工程を示す断面図である。

【図２３】加熱工程において端面電極に半田が固定され
た状態を示す断面図である。

【図２４】第２の実施の形態の変形例に係る製造方法に
おいて、加工用基板に閉塞板を取付ける貫通孔閉塞工程
を示す断面図である。

【図２５】貫通孔にクリーム半田を収容した後に加工用
基板を加熱した加熱工程を示す断面図である。

【図２６】加熱工程において端面電極に半田が固定され
た状態を示す断面図である。

【図２７】第３の実施の形態に係る製造方法において、
本実施の形態に用いる加工用基板にテープを貼着し、貫
通孔にクリーム半田を収容した半田収容工程を示す断面
図である。

【図２８】端面電極の周囲を局所的に加熱する加熱工程
を示す断面図である。

【図２９】第４の実施の形態に係る製造方法において、
本実施の形態に用いる加工用基板の貫通孔にクリーム半
田を収容した半田収容工程を示す断面図である。

【図３０】端面電極の周囲を局所的に加熱する加熱工程
を示す断面図である。

【図３１】加熱工程において端面電極に半田が固定され
た状態を示す断面図である。

【図３２】第５の実施の形態に係る製造方法において、
本実施の形態に用いる加工用基板にＶ字溝、貫通孔等を
設けた貫通孔加工工程を示す平面図である。

【図３３】図３２中の加工用基板を示す底面図である。

【図３４】図３３中の矢示 XXXIV−XXXIV 方向からみた
断面図である。

【図３５】加工用基板の貫通孔にクリーム半田を収容す
る半田収容工程を示す断面図である。

【図３６】端面電極に半田を固定する加熱工程を示す断
面図である。

【図３７】加工用基板を切断する基板切断工程を示す断
面図である。

【図３８】基板切断工程の後に加工用基板からモジュー
ル基板を取外した状態を示す断面図である。

【図３９】第６の実施の形態に係る製造方法において、
加工用基板に貫通孔、端面電極等を設ける端面電極加工
工程を示す断面図である。

【図４０】加工用基板に閉塞板を取付けた後、貫通孔に
クリーム半田を収容する半田収容工程を示す断面図であ
る。

【図４１】端面電極に半田を固定する加熱工程を示す断
面図である。

【図４２】ダイヤモンドカッターを用いて加工用基板を
切断する基板切断工程を示す断面図である。

【図４３】基板切断工程の後に加工用基板からモジュー
ル基板を取外した状態を示す断面図である。

【図４４】第７の実施の形態に係る製造方法において、
本実施の形態に用いる加工用基板に端面電極を設ける端
面電極加工工程を示す平面図である。

【図４５】図４４中の加工用基板を示す底面図である。

【図４６】加工用基板にスリット孔を設けるスリット孔
加工工程を示す平面図である。

【図４７】図４６中の加工用基板を示す底面図である。

【図４８】第７の実施の形態に用いる治具プレートを示
す平面図である。

【図４９】図４８中のｂ部を拡大して示す拡大平面図で
ある。

【図５０】図４９中の矢示Ｌ−Ｌ方向からみた断面図で
ある。

【図５１】治具プレートの半田収容穴にクリーム半田を
収容する半田収容工程を示す断面図である。

【図５２】治具プレートに加工用基板を取付ける治具プ
レート取付工程を示す断面図である。

【図５３】治具プレート取付工程において治具プレート
の半田収容穴と非分離基板の端面電極とを位置合わせし
た状態を示す断面図である。

【図５４】端面電極の周囲を局所的に加熱する加熱工程
を示す断面図である。

【図５５】加熱工程において端面電極に半田が固定され
た状態を示す断面図である。

【図５６】加工用基板から非分離基板を分離する基板取
外し工程を示す断面図である。

【図５７】第８の実施の形態に係る製造方法において、
本実施の形態に用いる加工用基板にスリット孔等を設け
るスリット孔加工工程を示す底面図である。

【図５８】第８の実施の形態に用いる治具プレートを示
す平面図である。

【図５９】加工用基板に治具プレートを取付ける治具プ
レート取付工程を示す平面図である。

【図６０】図５９中のｃ部を拡大して示す拡大平面図で
ある。

【図６１】図６０中の矢示 LXI−LXI 方向からみた断面
図である。

【図６２】端面電極の周囲を局所的に加熱する加熱工程
を示す断面図である。

【図６３】加熱工程において端面電極に半田が固定され
た状態を示す断面図である。

【符号の説明】

１，１１，５１，７１，８１ 加工用基板 １Ｃ，１１Ｃ，７１Ｃ，８１Ｃ 残余の加工用基板 ２ 貫通孔 ４，１０６ 裏面電極 ５，１０５ 端面電極 ６ 分離基板 ７ 閉塞板 ９ クリーム半田（半田） １０，４１，７７，８６，１０８ 半田 ２１ 熱導入口 ３１ テープ ５２ Ｖ字溝（凹溝） ６１ ダイヤモンドカッター ７２，８２ スリット孔 ７３，８３ 非分離基板 ７４，８４ 治具プレート ７５，８５ 半田収容穴 １００ モジュール基板 １０１ 基板 １０２ 電子部品 １０３ 端面スルーホール １０９ マザーボード １１０ 電極パッド １１２ フィレット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中路 博行 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 岡田 雅信 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5E319 AA03 AB05 AC01 AC16 AC17 BB05 CC33 CC44 CC58 CD04 CD13 CD29 GG20

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通孔
   の内壁面の一部に端面電極を設け、前記貫通孔を通って
   切断することにより加工用基板から前記端面電極を有す
   る分離基板として取出し、該分離基板を残余の加工用基
   板に埋め戻し、前記貫通孔に該端面電極とマザーボード
   とを接続する半田を収容し、前記分離基板を残余の加工
   用基板に比べて高温に加熱して半田を溶融し、溶融した
   半田を端面電極に固着するようにしたモジュール基板の
   製造方法。
2. 【請求項２】 前記分離基板のうち前記端面電極の近傍
   を局所的に加熱する構成としてなる請求項１に記載のモ
   ジュール基板の製造方法。
3. 【請求項３】 前記分離基板の熱容量を残余の加工用基
   板の熱容量に比べて小さい値に設定してなる請求項１に
   記載のモジュール基板の製造方法。
4. 【請求項４】 加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通孔
   の内壁面の一部に端面電極を設け、前記貫通孔に該端面
   電極とマザーボードとを接続する半田を収容し、前記加
   工用基板のうち端面電極の近傍を他の部位に比べて高温
   に加熱して半田を溶融し、溶融した半田を端面電極に固
   着し、その後前記貫通孔の位置で加工用基板を切断し、
   モジュール基板を分離してなるモジュール基板の製造方
   法。
5. 【請求項５】 前記加工用基板には凹溝を設け、前記貫
   通孔は該凹溝を跨いで設ける構成としてなる請求項４に
   記載のモジュール基板の製造方法。
6. 【請求項６】 前記加工用基板のうち前記端面電極の近
   傍を局所的に加熱する構成としてなる請求項４または５
   に記載のモジュール基板の製造方法。
7. 【請求項７】 前記加工用基板のうち前記端面電極の近
   傍の熱容量を他の部位の熱容量に比べて小さい値に設定
   してなる請求項４または５に記載のモジュール基板の製
   造方法。
8. 【請求項８】 前記加工用基板を加熱する前に前記貫通
   孔の一方の開口を閉塞する構成としてなる請求項１，
   ２，３，４，５，６または７に記載のモジュール基板の
   製造方法。
9. 【請求項９】 前記加工用基板の一面側には閉塞板を設
   けることによって前記貫通孔の一方の開口を閉塞する構
   成としてなる請求項８に記載のモジュール基板の製造方
   法。
10. 【請求項１０】 前記加工用基板の一面側にはテープを
    貼着することによって前記貫通孔の一方の開口を閉塞す
    る構成としてなる請求項８に記載のモジュール基板の製
    造方法。
11. 【請求項１１】 加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通
    孔の内壁面の一部に端面電極を設け、前記加工用基板に
    は前記貫通孔の一部を除去してスリット孔を設ることに
    よって該スリット孔に囲まれ端面電極を有する非分離基
    板を形成し、該非分離基板には半田が収容された半田収
    容穴を有する治具プレートを前記端面電極と半田収容穴
    とを位置合わせした状態で取付け、前記非分離基板を治
    具プレートに比べて高温に加熱して半田を溶融し、溶融
    した半田を端面電極に固着し、その後スリット孔の位置
    で加工用基板から非分離基板をモジュール基板として分
    離してなるモジュール基板の製造方法。
12. 【請求項１２】 加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通
    孔の内壁面の一部に端面電極を設け、前記加工用基板に
    は前記貫通孔の一部を除去してスリット孔を設ることに
    よって該スリット孔に囲まれ端面電極を有する非分離基
    板を形成し、前記非分離基板には前記端面電極との間に
    半田収容穴を形成する治具プレートを取付け、前記半田
    収容穴に前記端面電極とマザーボードとを接続する半田
    を収容し、前記非分離基板を治具プレートに比べて高温
    に加熱して半田を溶融し、溶融した半田を端面電極に固
    着し、その後スリット孔の位置で加工用基板から非分離
    基板をモジュール基板として分離してなるモジュール基
    板の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記非分離基板のうち前記端面電極の
    近傍を局所的に加熱する構成としてなる請求項１１また
    は１２に記載のモジュール基板の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記非分離基板の熱容量を前記治具プ
    レートの熱容量に比べて小さい値に設定してなる請求項
    １１または１２に記載のモジュール基板の製造方法。