JP2001230540A - モジュール基板の製造方法 - Google Patents

モジュール基板の製造方法

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JP2001230540A
JP2001230540A JP2000037603A JP2000037603A JP2001230540A JP 2001230540 A JP2001230540 A JP 2001230540A JP 2000037603 A JP2000037603 A JP 2000037603A JP 2000037603 A JP2000037603 A JP 2000037603A JP 2001230540 A JP2001230540 A JP 2001230540A
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substrate
solder
hole
electrode
processing substrate
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JP2000037603A
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Inventor
Kazuyoshi Nakatani
和義 中谷
Koichi Takehara
耕一 竹原
Hiroyuki Nakaji
博行 中路
Masanobu Okada
雅信 岡田
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 モジュール基板に反りが生じる場合であって
も端面電極をマザーボードに確実に接続できるモジュー
ル基板を製造する。 【解決手段】 分離基板6と残余の加工用基板1Cとに
分離した加工用基板1の裏面1Bに閉塞板7を取付け
る。そして、分離基板6と残余の加工用基板1Cの間の
貫通孔2内にクリーム半田9を収容する。次に、残余の
加工用基板1Cから分離基板6に向けて熱風を吹付け、
クリーム半田9を加熱する。これにより、クリーム半田
9は溶融すると共に、熱風の風圧によって分離基板6の
端面電極5に向けて移動する。このため、端面電極5に
溶融したクリーム半田9を付着させることができると共
に、クリーム半田9の表面張力によってその一部を加工
用基板1の裏面1Bから突出させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半田付けによって
マザーボードと電気的に接続するためのモジュール基板
の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、電子回路の高密度化が進んでいる
ため、その組立時には、中間検査の重要性、実装の容易
性等の観点から、電子回路の一部を予めモジュール基板
上にサブアッセンブリ化した後に、このモジュール基板
を半田付け等の手段によってマザーボード上に実装する
ことがある(例えば、特開昭63−204693号公報
等)。
【0003】この種の従来技術によるモジュール基板
は、例えば四角形状の薄板からなる絶縁性の基板を有
し、この基板は、絶縁性樹脂材料と導体からなる配線パ
ターンとを交互に積層することによって形成されてい
る。
【0004】そして、基板上には、電子部品として例え
ばトランジスタ等の能動素子、または抵抗、コンデンサ
等の受動素子が搭載され、これらの素子は配線パターン
によって接続された電子回路を構成している。また、基
板の外周縁を形成する端面には、この電子回路に対して
外部回路であるマザーボード側から電力の供給や信号の
入出力等を行うために端面電極等からなる端面スルーホ
ールが複数個設けられている。
【0005】これにより、モジュール基板には、マザー
ボード側から入力される信号に対して、所定の信号処理
機能をもつようにブロック化された電子回路が予め組立
てられている。そして、実装時には、モジュール基板が
マザーボード上に重ね合わせるように配置され、各端面
電極がマザーボード側の電極パッドに半田付け等の手段
を用いて接続され、マザーボード上に面実装状態で搭載
される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来技術によるモジュール基板では、樹脂材料等からなる
四角形状の絶縁性の基板を用い、この基板は絶縁性樹脂
材料と配線パターンとを交互に積層することによって形
成している。
【0007】しかし、基板の樹脂材料と配線パターンと
では熱膨張率が異なるため、例えば基板の加工時、端面
電極の半田付けに伴う基板への加熱時等には、配線パタ
ーンの配置、密度の偏り等が原因となって基板の一部に
反り等の変形が生じることがある。
【0008】このため、従来技術では、モジュール基板
をマザーボード上に面実装するときに、反りによって基
板がマザーボードから部分的に浮上がることがあるた
め、一部の端面電極が接続不良となる虞れがあり、信頼
性が低下するという問題がある。特に、近年はモジュー
ル基板を可能な限り薄型化する傾向があり、その基板は
僅かな加熱等でも反りが生じ易いため、モジュール基板
をマザーボード上に安定して面実装するのが難しくなっ
ている。
【0009】本発明は上述した従来技術の問題に鑑みな
されたもので、本発明の目的は、モジュール基板に反り
が生じるときであっても端面電極をマザーボートに接合
することができるモジュール基板の製造方法を提供する
ことにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項1の発明は、加工用基板に貫通孔を穿設
し、該貫通孔の内壁面の一部に端面電極を設け、前記貫
通孔を通って切断することにより加工用基板から前記端
面電極を有する分離基板として取出し、該分離基板を残
余の加工用基板に埋め戻し、前記貫通孔に該端面電極と
マザーボードとを接続する半田を収容し、該半田を加熱
して溶融し、溶融した半田を前記端面電極に向けて移動
させつつ当該半田を端面電極に固着する構成としたこと
にある。
【0011】このように構成することにより、端面電極
に半田を固着する前に加工用基板から分離基板を分離す
ることができる。また、分離基板を残余の加工用基板に
埋め戻すから、分離基板と残余の加工用基板とによって
貫通孔を再度形成することができ、該貫通孔に半田を収
容することができる。
【0012】そして、貫通孔に収容した半田を加熱し、
溶融した半田を端面電極に向けて移動させるから、溶融
した半田を分離基板の端面電極に付着させて固定するこ
とができる。
【0013】また、溶融した半田は、その表面張力によ
って略球形状となって端面電極に付着するから、半田の
一部を貫通孔から突出する。そして、加工用基板から予
め分離してある分離基板を取外したときには、分離基板
等がモジュール基板をなすと共に、モジュール基板の一
面側からマザーボードに向けて半田を突出させることが
できる。このため、突出した半田によってモジュール基
板とマザーボードとの間の隙間を吸収し、モジュール基
板の端面電極とマザーボードの電極パッドとを接続する
ことができる。
【0014】この場合、請求項2の発明のように、残余
の加工用基板を分離基板よりも高温に加熱する構成とし
てもよい。
【0015】これにより、貫通孔は分離基板と残余の加
工用基板との間に形成されるから、貫通孔に収容された
半田は分離基板等からの熱が伝わることによって溶融す
る。このとき、分離基板を残余の加工用基板よりも低温
に加熱するから、溶融した半田は、分離基板よりも高温
となった残余の加工基板側に引付けられる傾向がある。
しかし、溶融した半田を端面電極に向けて移動させるか
ら、半田を分離基板の端面電極に付着させて固定するこ
とができる。
【0016】一方、請求項3の発明は、加工用基板に貫
通孔を穿設し、該貫通孔の内壁面の一部に端面電極を設
け、前記貫通孔に該端面電極とマザーボードとを接続す
る半田を収容し、該半田を加熱して溶融し、溶融した半
田を前記端面電極に向けて移動させつつ当該半田を端面
電極に固着し、その後前記貫通孔の位置で加工用基板を
切断し、モジュール基板を分離する構成としたことにあ
る。
【0017】これにより、貫通孔に半田を収容した状態
で半田を加熱し、溶融した半田を端面電極に向けて移動
させるから、溶融した半田は端面電極に付着する。この
ため、半田を端面電極に固定することができる。
【0018】また、溶融した半田は、その表面張力によ
って略球形状となって端面電極に付着するから、半田の
一部を貫通孔から突出させることができる。このため、
加工用基板を切断することによってモジュール基板を取
出したときには、突出した半田によってモジュール基板
とマザーボードとの間の隙間を吸収し、モジュール基板
の端面電極とマザーボードの電極パッドとを接続するこ
とができる。
【0019】この場合、請求項4の発明のように、加工
用基板のうち端面電極の近傍に比較して当該端面電極か
ら離間した部位を高温に加熱する構成としてもよい。
【0020】これにより、貫通孔に収容された半田は加
工用基板からの熱が伝わることによって溶融する。この
とき、加工用基板のうち端面電極の近傍と比較して当該
端面電極から離間した部位を高温に加熱するから、溶融
した半田は、高温に加熱された端面電極から離間した部
位に引付けられる傾向がある。しかし、溶融した半田を
端面電極に向けて移動させるから、溶融した半田を端面
電極に付着させて固定することができる。
【0021】また、請求項5の発明は、端面電極の近傍
に向けて熱風を吹付けることにより溶融した端面電極に
向けて半田を移動させる構成としたことにある。
【0022】これにより、貫通孔に収容された半田は、
熱風によって溶融する。また、溶融した半田は、熱風に
よる風圧によって端面電極の近傍に向けて移動する。こ
のため、溶融した半田を端面電極に付着させて固定する
ことができる。
【0023】また、請求項6の発明は、加工用基板を振
動または傾斜させることにより溶融した半田を端面電極
に向けて移動させる構成としたことにある。
【0024】これにより、溶融した半田は、貫通孔内で
移動し、端面電極に接触することによって端面電極に付
着する。このため、溶融した半田を端面電極に固定する
ことができる。
【0025】また、請求項7の発明は、加工用基板を加
熱する前に貫通孔の一方の開口を閉塞部材によって閉塞
し、貫通孔の他方の開口を端面電極の近傍を開放した状
態で他の閉塞部材によって部分的に閉塞する構成とした
ことにある。
【0026】これにより、貫通孔に収容された半田は、
加熱によって溶融し、その表面張力によって略球形状に
変形する傾向がある。このとき、貫通孔は一方の開口が
閉塞されると共に、他方の開口が端面電極の近傍を開放
した状態で部分的に閉塞されているから、貫通孔内で溶
融した半田のうち、端面電極の近傍に位置する半田は貫
通孔から突出する。一方、端面電極から離れた位置の半
田は、貫通孔の両方の開口が閉塞されているから、略球
形状に変形するための十分な空間が確保できず、貫通孔
の他方の開口が開放された端面電極に向けて移動する。
このため、溶融した半田全体を端面電極に向けて移動さ
せて固着することができる。
【0027】さらに、請求項8の発明は、加工用基板を
加熱する前に貫通孔の一方の開口を閉塞部材によって閉
塞し、該閉塞部材に設けた傾斜部によって貫通孔の底面
を端面電極に向けて傾斜させる構成としたことにある。
【0028】これにより、貫通孔に収容された半田は、
加熱によって溶融し、略球形状に変形する。このとき、
貫通孔の底面は閉塞部材の傾斜部によって端面電極に向
けて傾斜しているから、溶融によって略球形状に変形し
た半田は端面電極に向けて移動する。この結果、溶融し
た半田を端面電極に付着させて固定することができる。
【0029】一方、請求項9の発明は、加工用基板に貫
通孔を穿設し、該貫通孔の内壁面の一部に端面電極を設
け、前記加工用基板には前記貫通孔の一部を除去してス
リット孔を設ることによって該スリット孔に囲まれ端面
電極を有する非分離基板を形成し、該非分離基板には半
田が収容された半田収容穴を有する治具プレートを前記
端面電極と半田収容穴とを位置合わせした状態で取付
け、前記半田収容穴内の半田を加熱して溶融し、溶融し
た半田を前記端面電極に向けて移動させつつ当該半田を
端面電極に固着し、その後スリット孔の位置で加工用基
板から非分離基板をモジュール基板として分離する構成
としたことにある。
【0030】このように構成することにより、加工用基
板にスリット孔を設けることによって端面電極を有する
非分離基板を形成することができる。また、非分離基板
に治具プレートを取付けた状態で半田を加熱するから、
半田収容穴に収容された半田は溶融して略球形状に変形
する。このとき、治具プレートの半田収容穴と非分離基
板の端面電極とは位置合わせされ、溶融した半田を端面
電極に向けて移動させるから、半田を端面電極に固着す
ることができる。そして、半田は、その一部が半田収容
穴に留まり、略球形状となって端面電極に付着するか
ら、半田を非分離基板の一面側に突出させることができ
る。
【0031】また、請求項10の発明は、加工用基板に
貫通孔を穿設し、該貫通孔の内壁面の一部に端面電極を
設け、前記加工用基板には前記貫通孔の一部を除去して
スリット孔を設ることによって該スリット孔に囲まれ端
面電極を有する非分離基板を形成し、前記非分離基板に
は前記端面電極との間に半田収容穴を形成する治具プレ
ートを取付け、前記半田収容穴に前記端面電極とマザー
ボードとを接続する半田を収容し、前記半田収容穴内の
半田を加熱して溶融し、溶融した半田を前記端面電極に
向けて移動させつつ当該半田を端面電極に固着し、その
後スリット孔の位置で加工用基板から非分離基板をモジ
ュール基板として分離してなるモジュール基板の製造方
法。
【0032】このように構成することにより、非分離基
板に治具プレートを取付けた状態で半田を加熱するか
ら、半田収容穴に収容された半田は、溶融して略球形状
に変形する。このとき、溶融した半田を端面電極に移動
させるから、半田を端面電極に固着することができる。
そして、半田は、その表面張力によって略球形状となっ
て端面電極に付着するから、半田の一部を半田収容穴か
ら突出させた状態で端面電極に固定することができる。
【0033】この場合、請求項11の発明のように、治
具プレートを非分離基板よりも高温に加熱する構成とし
てもよい。
【0034】これにより、半田収容穴に収容された半田
は治具プレートと非分離基板からの熱が伝わることによ
って溶融する。このとき、治具プレートを非分離基板よ
りも高温に加熱するから、溶融した半田は、非分離基板
よりも高温となった治具プレート側に引付けられる傾向
がある。しかし、溶融した半田を端面電極に向けて移動
させるから、半田を端面電極に付着させて固定すること
ができる。
【0035】また、請求項12の発明は、端面電極の近
傍に向けて熱風を吹付けることにより溶融した半田を端
面電極に向けて移動させる構成としたことにある。
【0036】これにより、半田収容穴に収容された半田
は、熱風によって溶融する。また、溶融した半田は、熱
風による風圧によって半田収容穴内で端面電極の近傍に
向けて移動する。このため、溶融した半田を非分離基板
の端面電極に付着させて固定することができる。
【0037】また、請求項13の発明は、加工用基板と
治具プレートとを振動または傾斜させることにより溶融
した半田を端面電極に向けて移動させる構成としたこと
にある。
【0038】これにより、溶融した半田は、半田収容穴
内で移動し、端面電極に接触することによって端面電極
に付着する。このため、溶融した半田を非分離基板の端
面電極に固定することができる。
【0039】さらに、請求項14の発明は、治具プレー
トに設けた傾斜部によって半田収容穴の底面を端面電極
に向けて傾斜させる構成としたことにある。
【0040】これにより、半田収容穴に収容された半田
は、加熱によって溶融し、略球形状に変形する。このと
き、半田収容穴の底面は治具プレートの傾斜部によって
端面電極に向けて傾斜しているから、略球形状に変形し
た半田は端面電極に向けて移動する。これにより、溶融
した半田を端面電極に付着させて固定することこができ
る。
【0041】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態による
モジュール基板の製造方法を図1ないし図68に基づき
詳細に説明する。
【0042】図1ないし図22に基づいて本発明の第1
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について
説明する。まず、図1ないし図4は、第1の実施の形態
に係る製造方法によって製造されたモジュール基板を示
している。
【0043】図において、100は、略四角形状のモジ
ュール基板で、該モジュール基板100は、基板10
1、端面スルーホール103、半田108等によって構
成されている。
【0044】101は例えば絶縁性樹脂材料と導体によ
る配線パターン(図示せず)を交互に積層して形成した
積層体からなる基板で、該基板101は、縦横の長さ寸
法が例えば30mm程度の略四角形状に形成されてい
る。また、基板101は、その表面101A中央側に半
導体IC、能動部品、あるいは受動部品等の電子部品1
02が実装されている。そして、基板101は、裏面1
01B側に設けられる後述のマザーボード109に接合
されるものである。また、基板101は、図1に示すよ
うにその外周縁を形成する4辺の端面101Cを有し、
該各端面101Cには後述する端面スルーホール103
が形成されている。
【0045】103,103,…は基板101の外周縁
を形成する4辺の端面101Cに設けられた端面スルー
ホールで、該各端面スルーホール103は、後述する端
面開口溝104、端面電極105、裏面電極106によ
って構成されている。
【0046】104,104,…は基板101の端面1
01Cに開口して設けられた凹湾曲状の端面開口溝で、
該各端面開口溝104は、基板101の厚さ方向に貫通
して設けられ、基板101の表面101Aと裏面101
Bとに略半円形状の開口を形成している。
【0047】105,105,…は端面開口溝104の
内壁面に設けられた端面電極で、該端面電極105は、
端面開口溝104の内壁面を全面に亘って覆い、略円弧
面状に形成されている。
【0048】106,106,…は端面開口溝104の
周囲に位置して基板101の裏面101B側に設けられ
た裏面電極で、該各裏面電極106は、略半円弧状をな
し、端面電極105に接続されている。
【0049】107,107,…は端面電極105と電
子部品102との間を接続する配線で、該配線107
は、基板101の表面101A側に設けられ端面開口溝
104の周囲で円弧形状をなして端面電極105に接続
されると共に、基板101の中央部側に向けて延びてい
る。
【0050】なお、配線107は、後述の半田108が
溶融したときに配線107に引付けられて基板101の
表面101A側に突出するのを防止するために、レジス
ト膜(図示せず)に覆うことが好ましい。また、配線1
07は必ずしも基板101の表面101A側に設ける必
要はなく、基板101に積層された配線パターンを通じ
て端面電極105に接続する構成としてもよい。
【0051】108,108,…は各端面開口溝104
に収容されて固定された半田で、該半田108は、端面
開口溝104内で端面電極105に固定され、略円柱形
状となって基板101の厚さ方向に延びている。また、
半田108は、図4に示すようにその一部が裏面電極1
06を覆い、基板101の裏面101Bよりも下方(マ
ザーボード109側)に向けて突出寸法Lだけ突出した
突出部108Aとなっている。
【0052】第1の実施の形態によって製造されたモジ
ュール基板は上述の如く構成されるものであり、次に第
1の実施に係るモジュール基板の製造方法を図5ないし
図19を参照しつつ説明する。なお、本実施の形態では
図5に示すように1枚の加工用基板から2枚のモジュー
ル基板を加工する場合を例に挙げている。
【0053】まず、図5に示す貫通孔加工工程では、例
えば2枚のモジュール基板を製造するための加工用基板
1を長円形の金型によって打ち抜き、多数の貫通孔2を
四角形の枠形状に沿って穿設する。ここで、貫通孔2は
後述のクリーム半田9を収容し、端面電極105に固着
する半田108の量や突出部108Aの突出寸法Lを決
めるものである。このため、貫通孔2の開口面積は、半
田108の量(クリーム半田9の収容量)等に応じて適
宜設定されている。
【0054】次に、図6および図7に示す端面電極加工
工程では、例えば加工用基板1の表面1A、裏面1Bに
予め設けられた銅薄膜(図示せず)をエッチング処理に
よって部分的に除去し、加工用基板1の表面1A側に貫
通孔2の周囲まで延びる配線3を形成し、加工用基板1
の裏面1B側に略半円弧状の裏面電極4を形成する。
【0055】この状態で加工用基板1の貫通孔2に例え
ばメッキ処理、フォトレジスト等によるマスク処理、エ
ッチング処理等を施すことによって貫通孔2の内壁面の
一部に端面電極5を形成する。このとき、加工用基板1
のうち多数の貫通孔2によって取囲まれた四角形状の部
位は基板101となるから、端面電極5は貫通孔2のう
ちこの四角形状の部位側に形成されている。また、配線
3、裏面電極4も貫通孔2によって取囲まれた四角形状
の部位側に設けられ、端面電極5は、配線3、裏面電極
4に接続されている。
【0056】次に、図8ないし図10に示すプッシュバ
ック工程では、プッシュバック金型を用いて加工用基板
1から貫通孔2に取囲まれモジュール基板の基板101
に対応した分離基板6を切断して分離する。このとき、
貫通孔2を通って加工用基板1から分離基板6を打ち抜
くから、分離基板6には貫通孔2の一部が残存すると共
に、この残存した貫通孔2は端面電極5によって覆われ
る。
【0057】そして、加工用基板1から分離基板6を分
離した後には、分離基板6を略四角形状の開口が設けら
れた残余の加工用基板1Cに埋め戻す。これにより、分
離基板6と残余の加工用基板1Cとの間には、再び貫通
孔2が形成される。
【0058】次に、図11に示す貫通孔閉塞工程では、
閉塞部材として半田が付着しにくいアルミニウム等の金
属材料または耐熱性樹脂材料からなる平板状の閉塞板7
に加工用基板1の表面1Aが接触した状態(加工用基板
1を裏返した状態)で載置する。このとき、加工用基板
1の裏面1B側には、貫通孔2に対応した部位が開口8
Aとなった金属板等のマスクプレート8を載置する。
【0059】次に、図12および図13に示す半田収容
工程では、マスクプレート8を通じて加工用基板1の貫
通孔2に半田とフラックスとが混練されたペースト状の
クリーム半田9を収容する。このとき、加工用基板1の
裏面1Bはマスクプレート8によって覆われているか
ら、貫通孔2以外の部位にクリーム半田9が付着するこ
とはない。そして、クリーム半田9を貫通孔2内に収容
した後は、マスクプレート8を加工用基板1から取外
す。
【0060】なお、クリーム半田9に代えて、粒状また
は細柱状の半田を貫通孔2に収容してもよい。この場
合、マスクプレート8を用いる必要はなくなる。
【0061】次に、図14ないし図18に示す加熱工程
では、残余の加工用基板1Cから分離基板6に向けて熱
風を吹付けることによって、貫通孔2に収容されたクリ
ーム半田9を加熱する。このとき、熱風を残余の加工用
基板1Cから分離基板6に向けて吹付けるから、貫通孔
2の周囲のうち残余の加工用基板1Cの周囲が分離基板
6の周囲よりも高温となる。
【0062】このため、貫通孔2に収容されたクリーム
半田9は、図14に示すように残余の加工用基板1Cの
近傍から徐々に溶融し、その表面張力によって略球形状
に変形する。このとき、溶融したクリーム半田9は、図
15に示すように、分離基板6よりも高温となった残余
の加工用基板1Cに引付けられる傾向がある。そして、
溶融したクリーム半田9は、含有していたフラックスの
蒸発によってその体積が40%〜50%程度に減少する
から、分離基板6の端面電極5から離間することがあ
る。
【0063】しかし、本実施の形態では、残余の加工用
基板1Cから分離基板6に向けて熱風を吹付けるから、
溶融したクリーム半田9は、図16に示すようにこの熱
風の風圧によって端面電極5に向けて移動し、端面電極
5に確実に付着する。
【0064】また、溶融したクリーム半田9は、図17
および図18に示すようにその表面張力によって略球形
状に変形する傾向があり、端面電極5に沿って貫通孔2
内から加工用基板1の裏面1Bを越えて突出する。さら
に、加工用基板1の裏面1Bには貫通孔2の周囲に裏面
電極4が設けられているから、溶融したクリーム半田9
は、この裏面電極4に引付けられて貫通孔2からの突出
量が増加し、裏面電極4を覆う位置まで裏面1Bよりも
突出する。
【0065】この状態で、加工用基板1の加熱を停止
し、冷却することによって端面電極5に半田10が固定
されると共に、該半田10には加工用基板1の裏面1B
よりも後述のマザーボード109側に突出した突出部1
0Aが形成される。
【0066】なお、端面電極5に半田10を固定するの
と同時に、基板1の表面1A側に電子部品102を半田
付けするものとしてもよい。この場合、電子部品102
を別個に取付けるのに比べて生産性を向上することがで
きる。
【0067】最後に、図19に示す分離基板取外し工程
では、加工用基板1からプッシュバック工程によって予
め分離した分離基板6を残余の加工用基板1Cから取外
す。このとき、分離基板6は基板101となり、配線3
は基板101の表面101Aに設けられた配線107と
なり、裏面電極4は基板101の裏面101Bに設けら
れた裏面電極106となり、端面電極5は基板101の
端面101C側に設けられた端面電極105となり、半
田10は端面電極105に固着された半田108とな
る。このため、基板101の端面電極105に半田10
8を固定した状態でモジュール基板100が製造され
る。
【0068】第1の実施の形態によるモジュール基板の
製造方法は上述の如く構成されるものであり、次に本実
施の形態の製造方法によって製造されたモジュール基板
をマザーボード上に接合する場合について説明する。
【0069】まず、モジュール基板100をマザーボー
ド109上に載置した状態で加熱する。このとき、基板
101は絶縁性樹脂材料と配線パターンとが積層されて
いるため、基板101に反りが生じ、図20に示すよう
に、例えば基板101の両端側がマザーボード109か
ら浮き上がり、端面電極105とマザーボード109上
の電極パッド110との間に隙間が生じることがある。
【0070】しかし、各端面電極105に固定した半田
108には、基板101の裏面101Bよりも下方に突
出した突出部108Aを形成したから、この突出部10
8Aによって端面電極105と電極パッド110との間
の隙間を吸収することができる。
【0071】即ち、半田108と電極パッド110とを
位置合わせした状態でモジュール基板100をマザーボ
ード109上に載置する。このとき、図20に示すよう
に基板101に反りが発生したときには、多数の半田1
08のうち例えば基板101の中央側の半田108は電
極パッド110に接触し、基板101の両端側の半田1
08は電極パッド110から離間する。
【0072】この状態でモジュール基板100とマザー
ボード109とを加熱すると、電極パッド110に予め
塗布されたクリーム半田111が溶融する。このとき、
基板101の中央側の半田108は溶融したクリーム半
田111に接触するから、クリーム半田111からの熱
が伝わって、中央側の半田108は、両端側の半田10
8よりも先に溶融する。これにより、基板101は、図
20中の矢示A方向に向けて自重によって降下し、基板
101の両端側に位置する半田108もマザーボード1
09の電極パッド110に接触する。
【0073】この結果、図21および図22に示すよう
に基板101に反りが発生して端面電極105と電極パ
ッド110との間の隙間が形成されるときであっても、
基板101の裏面101Bからマザーボード109側に
向けて突出した半田108によってこの隙間を吸収し、
全ての端面電極105を電極パッド110に確実に接続
することができる。これにより、端面電極105と電極
パッド110との間にフィレット112を形成すること
ができる。
【0074】かくして、第1の実施の形態に係る製造方
法では、加工用基板1に形成した貫通孔2にクリーム半
田9を収容した後、残余の加工用基板1Cから分離基板
6に向けて熱風を吹付けることによってクリーム半田9
を加熱するから、貫通孔2内でクリーム半田9を溶融さ
せることができると共に、熱風の風圧によって溶融した
クリーム半田9を分離基板6の端面電極5に向けて移動
させることができる。このため、端面電極5に溶融した
クリーム半田9を確実に付着させることができる。
【0075】特に、クリーム半田9を加熱して端面電極
5に固着するときには、クリーム半田9中のフラックス
が蒸発するから、クリーム半田9の体積は、貫通孔2に
収容したときに比べて例えば40%〜50%程度に減少
する。また、分離基板6には予め電子部品102等が取
付けられていることがあり、分離基板6の熱容量が残余
の加工用基板1Cの熱容量よりも大きくなる傾向があ
る。このため、分離基板6と加工用基板1Cとを一様に
加熱しても、分離基板6の温度が残余の加工用基板1C
に比べて低温となる傾向がある。このため、溶融したク
リーム半田9は、分離基板6よりも高温となった残余の
加工用基板1Cに引付けられ、端面電極105に半田1
08を固着できないことがある。
【0076】これに対し、本実施の形態では、残余の加
工用基板1Cから分離基板6に向けて熱風を吹付けるか
ら、熱風の風圧によって溶融して略球形状となったクリ
ーム半田9を残余の加工用基板1Cから分離基板6に向
けて移動させることができる。このため、溶融したクリ
ーム半田9を分離基板6の端面電極5に確実に付着させ
ることができ、端面電極105に半田108を固定する
ことができる。
【0077】また、溶融したクリーム半田9は、その表
面張力によって略球形状となって端面電極5に付着する
から、溶融したクリーム半田9の一部を貫通孔2から突
出させることができる。このため、端面電極105に固
定された半田108には、基板101の裏面101Bよ
りもマザーボード109側に突出した突出部108Aを
形成することができる。従って、半田108の突出部1
08Aによって基板101とマザーボード109との間
の隙間を吸収できるから、基板101等に反りが生じる
ときであっても、基板101の端面電極105とマザー
ボード109の電極パッド110とを接続することがで
きる。
【0078】特に、貫通孔2に収容したクリーム半田9
を溶融することによって、端面電極105に半田108
を固定するから、貫通孔2の開口面積(貫通孔2の容
積)を適宜設定することによって端面電極105に固定
する半田108の量や突出寸法Lを設定することができ
る。このため、モジュール基板100の反り等に応じた
突出寸法Lをもった半田108を端面電極105に固定
することができる。
【0079】また、加工用基板1を加熱する前に加工用
基板1の表面1A側に閉塞板7を設け、貫通孔2の一方
の開口を閉塞したから、溶融したクリーム半田9が加工
用基板1の表面1Aよりも突出するのを防止できる。こ
のため、閉塞板7を設けないときに比べて貫通孔2の一
方の開口から突出する分のクリーム半田9を貫通孔2の
他方の開口から加工用基板1の裏面1Bを越えて突出さ
せることができ、半田108が基板101の裏面101
B側に突出する突出寸法Lを大きくすることができる。
【0080】さらに、加工用基板1の貫通孔2にクリー
ム半田9を収容する前に、加工用基板1から分離基板6
を分離して該分離基板6を残余の加工用基板1Cに埋め
戻す構成としたから、ダイヤモンドカッター等によって
加工用基板1を切断する場合に比べて、モジュール基板
100の洗浄、乾燥等を省くことができる。このため、
端面電極105に半田108を固定するときに、分離基
板6に電子部品102を取付けたとしても、この電子部
品102の特性が洗浄によって劣化することがなくなる
と共に、洗浄等に要する時間が不要となるから、モジュ
ール基板100の製造に必要な時間を短縮でき、生産性
を向上することができる。
【0081】また、プッシュバック金型を用いて加工用
基板1から分離した分離基板6を残余の加工用基板1C
に埋め戻すから、分離基板6と残余の加工用基板1Cと
の間に貫通孔2を形成することができる。このため、貫
通孔2にクリーム半田9を収容して加工用基板1等を加
熱することによって、端面電極105に半田108を固
定することができる。
【0082】次に、図23ないし図26に基づいて第2
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について
説明する。然るに、第2の実施の形態の特徴は、分離基
板と残余の加工用基板とを振動させることによって、溶
融したクリーム半田を移動させる構成としたことにあ
る。
【0083】なお、本実施の形態では前記第1の実施の
形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を
省略するものとする。また、本実施の形態でも、第1の
実施の形態と同様に、貫通孔加工工程、端面電極加工工
程、プッシュバック工程、貫通孔閉塞工程、半田収容工
程の順に行い、貫通孔2にクリーム半田9を収容する。
【0084】その後、加熱工程によって分離基板6と残
余の加工用基板1Cを全体として例えば加熱炉等に挿入
し、貫通孔2に収容されたクリーム半田9を加熱する。
このとき、分離基板6に比べて残余の加工用基板1Cが
高温となる傾向があるから、クリーム半田9は、図23
および図24に示すように残余の加工用基板1Cの近傍
から徐々に溶融すると共に、端面電極5から離間し、残
余の加工用基板1C近傍に位置することがある。
【0085】このとき、加工用基板1を前後左右に振動
させて、図24中の矢示B方向に分離基板6と残余の加
工用基板1Cを振動させる。これにより、略球形状に変
形したクリーム半田9は、貫通孔2内で前後左右に移動
し、図25に示すように端面電極5に接触する。この結
果、溶融したクリーム半田9は、端面電極5に付着して
移動しなくなり、一部が貫通孔2から突出した半田10
となって端面電極5に固定される。その後、分離基板取
外し工程によって加工用基板1からモジュール基板(分
離基板6)を取出す。
【0086】かくして、第2の実施の形態によるモジュ
ール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、
本実施の形態でも第1の実施の形態と同様の作用効果を
得ることができる。
【0087】なお、本実施の形態では、加工用基板1を
振動させるものとしたが、例えば図24中の矢示C方向
に加工用基板1、閉塞板7を回転させることによって、
貫通孔2の底面を端面電極5に向けて傾斜させるものと
してもよい。これによっても、略球形状に変形したクリ
ーム半田9を端面電極5に向けて移動させることができ
る。
【0088】次に、図27ないし図31に基づいて第3
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法を説明す
る。然るに、第3の実施の形態の特徴は、閉塞板には貫
通孔に対応した位置に斜めに傾斜した傾斜部を設け、該
傾斜部を貫通孔に挿入することによって貫通孔の底面を
端面電極に向けて傾斜させたことにある。なお、本実施
の形態では前記第1の実施の形態と同一の構成要素に同
一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【0089】まず、本実施の形態でも、第1の実施の形
態と同様に、貫通孔加工工程、端面電極加工工程、プッ
シュバック工程を行い、貫通孔2に端面電極5等を設け
た分離基板6を加工用基板1から分離した後、残余の加
工用基板1Cに埋め戻す。
【0090】次に、図27に示すように貫通孔閉塞工程
によって加工用基板1の表面1Aに閉塞板11を取付
け、貫通孔2の一方の開口を閉塞する。このとき、閉塞
板11には貫通孔2に対応する位置に斜めに傾斜した傾
斜部11Aが突出して設けられている。このため、加工
用基板1に閉塞板11を取付けたときには、貫通孔2の
底面が傾斜し、残余の加工用基板1Cから分離基板6に
向けて漸次低くなっている。そして、貫通孔閉塞工程の
後に半田収容工程を行い、貫通孔2にクリーム半田9を
収容する。
【0091】次に、図28ないし図31に示す加熱工程
では、分離基板6と残余の加工用基板1Cを全体として
例えば加熱炉等に挿入し、貫通孔2に収容されたクリー
ム半田9を加熱する。このとき、分離基板6に比べて残
余の加工用基板1Cが高温となる傾向があるから、クリ
ーム半田9は、図28および図29に示すように残余の
加工用基板1Cの近傍から徐々に溶融すると共に、端面
電極5から離間し、残余の加工用基板1C近傍に位置す
ることがある。
【0092】このとき、溶融したクリーム半田9は略球
形状に変形し、貫通孔2の底面は閉塞板11の傾斜部1
1Aによって傾斜しているから、クリーム半田9は、図
30に示すように傾斜部11Aの傾斜に沿って残余の加
工用基板1Cから分離基板6に向けて移動する。
【0093】これにより、溶融したクリーム半田9は端
面電極5に接触して付着するから、端面電極5、裏面電
極4に沿って貫通孔2から突出するように変形し、半田
10となって端面電極5に固定される。その後、分離基
板取外し工程によって加工用基板1からモジュール基板
(分離基板6)を取出す。
【0094】かくして、第3の実施の形態によるモジュ
ール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、
本実施の形態でも第1の実施の形態と同様の作用効果を
得ることができる。
【0095】なお、本実施の形態では、閉塞板11には
加工用基板1に向けて突出し貫通孔2に挿入される傾斜
部11Aを設けるものとしたが、図27中に一点鎖線で
示すように、閉塞板11に残余の加工用基板1Cから分
離基板6に向けて漸次深さ寸法が大きくなる凹陥状の傾
斜部11A′を設けてもよい。
【0096】次に、図32ないし図35に基づいて第4
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法を説明す
る。然るに、第4の実施の形態の特徴は、貫通孔の一方
の開口を閉塞すると共に、貫通孔の他方の開口を端面電
極の近傍を開放した状態で部分的に閉塞したことにあ
る。なお、本実施の形態では前記第1の実施の形態と同
一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略する
ものとする。
【0097】まず、本実施の形態でも、第1の実施の形
態と同様に、貫通孔加工工程、端面電極加工工程、プッ
シュバック工程を行い、貫通孔2に端面電極5等を設け
た分離基板6を加工用基板1から分離した後、残余の加
工用基板1Cに埋め戻す。そして、貫通孔閉塞工程によ
って加工用基板1の裏面1Bに閉塞部材としての閉側板
7を取付け、貫通孔2の一方の開口を閉塞する。
【0098】次に、半田収容工程によって貫通孔2にク
リーム半田9を収容した後、図32に示すように残余の
加工用基板1Cに他の閉塞部材として例えば耐熱性の樹
脂材料等からなるテープ21を貼着する。これにより、
貫通孔2は、加工用基板1の表面1A側の開口が閉塞板
7によって全体的に閉塞されると共に、加工用基板1の
裏面1B側の開口が端面電極5の近傍を開放した状態で
部分的に閉塞される。
【0099】次に、図33ないし図35に示す加熱工程
では、分離基板6と残余の加工用基板1Cを全体として
例えば加熱炉等に挿入し、貫通孔2に収容されたクリー
ム半田9を加熱する。このとき、分離基板6に比べて残
余の加工用基板1Cが高温となる傾向があるから、クリ
ーム半田9は、図33に示すように残余の加工用基板1
Cの近傍から徐々に溶融し、残余の加工用基板1C近傍
で略球形状に変形しようとする。しかし、残余の加工用
基板1Cの近傍は閉塞板7とテープ21とによって貫通
孔2の両端の開口が閉塞されているから、略球形状のク
リーム半田9を収容する空間が確保できず、クリーム半
田9は、図34に示すように貫通孔2が開放された端面
電極5の近傍に移動する。
【0100】また、クリーム半田9の溶融に伴ってフラ
ックスが蒸発するが、この蒸発したフラックスのガスに
よって貫通孔2のうち残余の加工用基板1Cの圧力は高
くなる。このため、フラックスによる圧力によっても溶
融したクリーム半田9は分離基板6に向けて移動する。
【0101】これにより、溶融したクリーム半田9は端
面電極5に接触して付着するから、図35に示すように
端面電極5、裏面電極4に沿って貫通孔2から突出する
ように変形し、半田10となって端面電極5に固定され
る。その後、分離基板取外し工程によって加工用基板1
からモジュール基板(分離基板6)を取出す。
【0102】かくして、第4の実施の形態によるモジュ
ール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、
本実施の形態でも第1の実施の形態と同様の作用効果を
得ることができる。
【0103】次に、図36ないし図37に基づいて第5
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法を説明す
る。然るに、第5の実施の形態の特徴は、加工用基板の
表面側にテープを貼着することによって貫通孔の一方の
開口を閉塞したことにある。なお、本実施の形態では前
記第1の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付
し、その説明を省略するものとする。
【0104】第5の実施の形態では、貫通孔閉塞工程に
おいて加工用基板1の表面1Aに例えば耐熱性の樹脂材
料等からなるテープ31を貼着し、該テープ31によっ
て貫通孔2の一方の開口を閉塞する。そして、半田収容
工程では、貫通孔2を閉塞した状態で貫通孔2にクリー
ム半田9を収容し、加熱工程によって残余の加工用基板
1Cから分離基板6に向けて熱風を吹付ける。これによ
り、クリーム半田9は、熱風によって加熱され、略球形
状に変形すると共に、熱風の風圧によって端面電極5に
向けて移動する。この結果、溶融したクリーム半田9
は、端面電極5に付着し、その一部が貫通孔2から突出
した半田10となって端面電極5に固定される。その
後、分離基板取外し工程によって加工用基板1からモジ
ュール基板(分離基板6)を取出す。
【0105】かくして、第5の実施の形態によるモジュ
ール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、
本実施の形態でも第1の実施の形態と同様の作用効果を
得ることができる。
【0106】しかし、第5の実施の形態では、テープ3
1を加工用基板1に貼着するから、加工用基板1に歪み
等が生じたときであっても、テープ31と加工用基板1
(分離基板6)との間に隙間δが形成されることはな
い。このため、テープ31と加工用基板1との間にクリ
ーム半田9から蒸発したフラックス等が侵入することが
なく、該フラックスによってテープ31が加工用基板1
に強固に貼着されることがない。
【0107】即ち、第1の実施の形態のように貫通孔2
を平板状の閉塞板7で閉塞したときには、閉塞板7と加
工用基板1との間に隙間が形成されることがあり、この
隙間に溶融したクリーム半田9やクリーム半田9から蒸
発したフラックスが侵入し、分離基板6の表面1A側を
汚損することがある。特に、閉塞板7と加工用基板1と
の間の隙間にフラックスが侵入したときには、閉塞板7
が加工用基板1に強固に貼着され、剥離できないことが
ある。
【0108】これに対し、本実施の形態では、テープ3
1を加工用基板1に貼着するから、テープ31と加工用
基板1との間に隙間δが形成されることはない。従っ
て、端面電極5に半田10を固定した後に加工用基板1
からテープ31を容易に剥離することができる。
【0109】また、テープ31は必ずしも加工用基板1
から剥離する必要はなく、モジュール基板に貼着した状
態で用いてもよい。この場合、テープ31によって端面
スルーホールの表面側を閉塞することができるから、モ
ジュール基板をマザーボードに接合するときに半田が溶
融してモジュール基板の表面側に突出するのを防止で
き、モジュール基板の端面電極をマザーボードの電極パ
ッドに確実に接合することができる。
【0110】次に、図38ないし図44に基づいて第6
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法を説明す
る。然るに、第6の実施の形態の特徴は、加工用基板に
V字溝を設け、貫通孔を該V字溝を跨いで設ける構成と
したことにある。なお、本実施の形態では前記第1の実
施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説
明を省略するものとする。
【0111】第6の実施の形態では、加工用基板41の
表面41A、裏面41Bに予め凹溝としてのV字溝42
を設ける。ここで、V字溝42は、モジュール基板10
0の基板101の外周縁に沿って設けられ、その断面は
略V字状をなしている。
【0112】次に、貫通孔加工工程によって加工用基板
41に第1の実施の形態と同様の貫通孔2が設けられる
ものの、貫通孔2はV字溝42を跨いで設けられてい
る。その後、図38ないし図40に示すように端面電極
加工工程によって加工用基板41の表面41Aには配線
3を形成し、裏面41Bには裏面電極4が形成し、貫通
孔2の内壁面の一部には端面電極5を形成する。
【0113】そして、図41に示すように貫通孔閉塞工
程によって加工用基板41の表面41Aに閉塞板7を取
付け、半田収容工程によって貫通孔2にクリーム半田9
を収容する。その後、図42に示す加熱工程によって、
加熱工程によって残余の加工用基板1Cから分離基板6
に向けて熱風を吹付ける。これにより、端面電極5には
半田10が取付けられる。
【0114】次に、図43に示す基板切断工程では、加
工用基板41のV字溝42に沿って切断器(図示せず)
の刃43,43を挿入し、これらの刃43,43によっ
て加工用基板41を挟み、加工用基板41からモジュー
ル基板100を分離する。これにより、図44に示すよ
うに加工用基板41から基板101が切離され、この基
板101の端面電極105には半田108が固定され
る。
【0115】かくして、第6の実施の形態によるモジュ
ール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、
本実施の形態でも第1の実施の形態と同様の作用効果を
得ることができる。しかし、第6の実施の形態では、加
工用基板41に予めV字溝42を設け、該V字溝42を
跨いで貫通孔2を設けるから、基板101に対して端面
開口溝104となる貫通孔2を容易に位置合わせするこ
とができる。
【0116】なお、第6の実施の形態では、基板切断工
程で切断器の刃43をV字溝42に挿入し、加工用基板
41から基板101を分離するものとしたが、例えば加
工用基板41を図43中の矢示D方向に折り曲げること
によって、加工用基板41から基板101を分離しても
よい。
【0117】次に、図45ないし図49に基づいて第7
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法を説明す
る。然るに、第7の実施の形態の特徴は、端面電極に半
田を固定した後に、ダイヤモンドカッターを用いて加工
用基板を貫通孔を通って切断することにある。なお、本
実施の形態では前記第1の実施の形態と同一の構成要素
に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【0118】まず、第7の実施の形態では、第1の実施
の形態と同様に貫通孔加工工程によって加工用基板1に
貫通孔2を穿設し、端面電極加工工程によって、図45
に示すように加工用基板1の表面1Aに配線3を形成
し、裏面1Bに裏面電極4を形成し、貫通孔2の内壁面
の一部に端面電極5を形成する。
【0119】次に、貫通孔閉塞工程によって加工用基板
1の表面1Aに閉塞板7を設け、貫通孔2の一方の開口
を閉塞した状態で、図46に示すように半田収容工程に
よって貫通孔2内にクリーム半田9を収容する。そし
て、図47に示す加熱工程によって、残余の加工用基板
1Cから分離基板6に向けて熱風を吹付け、端面電極5
に半田10を固着する。
【0120】次に、図48に示す基板切断工程では、ダ
イヤモンドカッター51を用いて加工用基板1を切断
し、加工用基板1を分離基板6と残余の加工用基板1C
とに分離する。最後に、図49に示すように加工用基板
1から分離基板6を取外す。このとき、ダイヤモンドカ
ッター51は貫通孔2を通過して加工用基板1を切断す
るから、切り離された貫通孔2の一部は基板101の端
面開口溝104となり、端面電極5は端面開口溝104
を覆う端面電極105となる。そして、端面電極5には
半田10が固着されているから、基板101の端面電極
105に半田108が固着された状態で加工用基板1か
ら基板101を分離し、モジュール基板100を取出す
ことができる。
【0121】かくして、第7の実施の形態によるモジュ
ール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、
本実施の形態でも第1の実施の形態と同様の作用効果を
得ることができる。しかし、第7の実施の形態では、ダ
イヤモンドカッター51を用いて加工用基板1を切断す
るから、他の手段を用いて加工用基板1を切断するのに
比べて工法が簡素化できると共に、加工用基板1のうち
基板101以外の残余の加工用基板1Cの面積を小さく
することができる。このため、1枚の加工用基板1から
多数のモジュール基板100を製造することができ、他
の方法で加工用基板1から基板101を分離するときに
比べて製造コストを低減することができる。
【0122】次に、図50ないし図62に基づいて第8
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法を説明す
る。然るに、第8の実施の形態の特徴は、加工用基板に
スリット孔を設けることによって非分離基板を形成し、
該非分離基板に治具プレートを取付けた状態で半田を加
熱し、治具プレートの半田収容穴に収容した半田を非分
離基板の端面電極に固着することにある。なお、本実施
の形態では前記第1の実施の形態と同一の構成要素に同
一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【0123】まず、第8の実施の形態では、第1の実施
の形態と同様に貫通孔加工工程によって加工用基板61
に貫通孔2を穿設する。その後、図50および図51に
示す端面電極加工工程によって、加工用基板61の表面
61Aに配線3を設け、裏面61Bに裏面電極4を設
け、該貫通孔2の内壁面に裏面電極4、配線3に接続さ
れた端面電極5を設ける。
【0124】次に、図52および図53に示すスリット
孔加工工程では、端面電極5を残存させつつ貫通孔2の
一部を除去する溝状のスリット孔62を設ける。このと
き、スリット孔62は基板101と対応した非分離基板
63の外周縁に沿って複数個設けられる。
【0125】これにより、加工用基板1には、スリット
孔62によって取囲まれた非分離基板63と、該非分離
基板63の4隅が接続され非分離基板63を取囲む残余
の加工用基板61Cとが形成される。
【0126】一方、図54ないし図57に示す半田収容
工程では、例えば半田が付着しにくい金属材料または耐
熱性の樹脂材料等によって形成した平板状の治具プレー
ト64を用意し、該治具プレート64には、非分離基板
63の端面電極5に対応した位置に有底の半田収容穴6
5を設ける。また、半田収容穴65は、その底面が端面
電極5に近付くに従って漸次深くなるように傾斜した傾
斜部65Aが形成されている。そして、治具プレート6
4の表面には半田収容穴65に対応した位置に開口66
Aを有するマスクプレート66を取付け、該マスクプレ
ート66を通じて治具プレート64の半田収容穴65に
クリーム半田9を収容する。そして、クリーム半田9を
半田収容穴65内に収容した後は、マスクプレート66
を治具プレート64から取外す。
【0127】次に、図58および図59に示す治具プレ
ート取付工程では、治具プレート64の半田収容穴65
に非分離基板63の端面電極5を位置合わせした状態
で、治具プレート64に非分離基板63(加工用基板6
1)を取付ける。このとき、非分離基板63の端面電極
5、裏面電極4にクリーム半田9が接触するように、裏
面電極4によって半田収容穴65を部分的に塞ぐように
する。
【0128】次に、図60および図61に示す加熱工程
では、加工用基板61と治具プレート64を加熱炉等に
挿入して、クリーム半田9を加熱する。このとき、半田
収容穴65は、その底面が傾斜部65Aによって傾斜
し、端面電極5に近付くに従って深くなっているから、
溶融したクリーム半田9は、傾斜部65Aの傾斜に従っ
て端面電極5に向かって移動する。
【0129】また、溶融したクリーム半田9は、その表
面張力によって略球形状に変形するから、端面電極5に
沿って加工用基板61の表面61A側に向けて徐々に盛
り上がる。この結果、溶融したクリーム半田9は端面電
極5、裏面電極4を全面に亘って覆うから、この状態で
加工用基板61の加熱を停止し、冷却することによって
端面電極5に半田67が固定されると共に、該半田67
には加工用基板61の裏面61Bよりもマザーボート側
に突出した突出部67Aが形成される。
【0130】最後に、図62に示す基板取外し工程で
は、加工用基板61から治具プレート64を取外した
後、非分離基板63と残余の加工用基板61Cとを接続
する部位を切断し、非分離基板63を加工用基板61か
ら分離する。これにより、端面電極105に半田108
を固着した状態のモジュール基板100を製造すること
ができる。
【0131】かくして、第8の実施の形態によるモジュ
ール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、
本実施の形態でも第1の実施の形態と同様の作用効果を
得ることができる。しかし、第8の実施の形態では、治
具プレート64の半田収容穴65にクリーム半田9を収
容した状態でクリーム半田9を加熱するから、半田収容
穴65内でクリーム半田9を溶融させることができる。
また、半田収容穴65には傾斜部65Aを設けたから、
溶融したクリーム半田9を端面電極5の近傍に移動させ
て接触させることができる。さらに、溶融したクリーム
半田9は、その一部が半田収容穴65に留まり、略球形
状となって裏面電極4に付着して固定されるから、半田
67にはモジュール基板100の裏面101Bよりもマ
ザーボード側に突出した突出部67Aを形成することが
できる。
【0132】次に、図63ないし図68に基づいて第9
の実施の形態によるモジュール基板の製造方法を説明す
る。然るに、第9の実施の形態の特徴は、非分離基板に
は端面電極との間に半田収容穴を形成する治具プレート
を取付けた状態で半田を加熱し、半田を端面電極に固着
することにある。なお、本実施の形態では前記第1の実
施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説
明を省略するものとする。
【0133】まず、第1の実施の形態と同様に貫通孔加
工工程によって加工用基板71に貫通孔2を穿設する。
そして、端面電極加工工程によって加工用基板71の表
面71Aに配線3を設け、裏面71Bに裏面電極4を設
け、該貫通孔2の内壁面に配線3、裏面電極4に接続さ
れた端面電極5を設ける。
【0134】次に、図63に示すスリット孔加工工程で
は、端面電極5を残存させつつ貫通孔2の一部を除去す
る溝状のスリット孔72を設ける。このとき、スリット
孔72は基板101と対応した非分離基板73の外周縁
に沿って複数個設けられる。これにより、加工用基板7
1には、スリット孔72によって取囲まれた非分離基板
73と、該非分離基板73の4隅が接続された残余の加
工用基板71Cとが形成される。
【0135】次に、図64ないし図67に示す治具プレ
ート取付工程では、加工用基板71の表面71A側には
治具プレート74を取付ける。このとき、治具プレート
74は、図64に示すようにスリット孔72内に挿入可
能な棒状の突起部74Aを有すると共に、この突起部7
4Aには非分離基板73の端面電極5との間に半田収容
穴75を構成する円弧状の窪み部74Bを形成してお
く。また、略半円弧状に開口した窪み部74Bの底面
は、開口側に向けて漸次低くなった傾斜部74Cとなっ
ている。これにより、図65ないし図67に示すように
加工用基板71に治具プレート74を取付けた状態で
は、非分離基板73と突起部74Aとの間に略長円形状
の半田収容穴75が形成されると共に、その底面は傾斜
部74Cによって非分離基板73の端面電極5に向けて
徐々に低くなっている。
【0136】次に、図68に示す加熱工程では、半田収
容穴75にクリーム半田9を収容した後、加工用基板7
1と治具プレート74を加熱炉等に挿入して、クリーム
半田9を加熱する。このとき、溶融したクリーム半田9
は、半田収容穴75の傾斜によって端面電極5に向けて
移動するから、端面電極5に付着する。そして、溶融し
たクリーム半田9は、その表面張力によって加工用基板
71の裏面71B側から突出し、裏面電極4を覆う。こ
の結果、半田76は端面電極5に固定されると共に、そ
の一部が加工用基板71の裏面71Bよりもマザーボー
ド側に突出した突出部76Aとなる。
【0137】最後に、基板取外し工程では、加工用基板
71から治具プレート74を取外した後、非分離基板7
3と残余の加工用基板71Cとを接続する部位を切断す
る。これにより、モジュール基板が製造されると共に、
該モジュール基板の端面電極には半田が固定される。
【0138】かくして、第9の実施の形態によるモジュ
ール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、
本実施の形態でも前記第1の実施の形態と同様の作用効
果を得ることができる。
【0139】なお、前記第8,第9の実施の形態では傾
斜部65A,74Cによって半田収容穴65,75の底
面を傾斜させ、溶融したクリーム半田9を端面電極5に
向けて移動させるものとしたが、本発明はこれに限ら
ず、例えば第1の実施の形態のように端面電極5に向け
て熱風を吹付けることによって、溶融したクリーム半田
9を端面電極5に向けて移動させる構成としてもよく、
加工用基板61,71を振動または傾斜させることによ
って溶融したクリーム半田9を端面電極5に向けて移動
させる構成としてもよい。
【0140】また、前記第8,第9の実施の形態では4
個のスリット孔62,72によって非分離基板63,7
3を囲むものとしたが、例えば略四角形の枠状のスリッ
ト孔を1個設け、この単一のスリット孔によって非分離
基板を囲む構成としてもよい。
【0141】また、前記第3,第8,第9の実施の形態
では、斜めに傾斜した傾斜部11A,65A,74Cに
よって溶融した半田9を端面電極5に向けて移動させる
ものとしたが、図68中に二点鎖線で示すように階段状
の傾斜部74C′によって溶融したクリーム半田9を端
面電極5に向けて移動させてもよい。
【0142】また、前記各実施の形態では、加熱炉や熱
風を吹付けることによってクリーム半田9を加熱するも
のとしたが、例えば閉塞板7、治具プレート64,74
を加熱した板体上に載置することによってクリーム半田
9を加熱する構成としてもよい。
【0143】さらに、前記各実施の形態では端面スルー
ホール103は端面電極105(5)、裏面電極106
(4)によって構成するものとしたが、例えば裏面電極
106(4)を省いた構成としてもよい。この場合であ
っても、半田の表面張力によって半田の一部を基板の裏
面よりもマザーボード側に突出させることができる。
【0144】
【発明の効果】以上詳述した通り、請求項1の発明によ
れば、加工用基板から分離基板を分離し、該分離基板を
残余の加工用基板に埋め戻した後に、分離基板と残余の
加工用基板との間に位置する貫通孔に半田を収容して加
熱し、溶融した半田を端面電極に向けて移動させること
によって端面電極に半田を固着させるから、溶融した半
田が端面電極から離間するときでもあっても、モジュー
ル基板となる分離基板の端面電極に確実に付着させて固
定することができる。また、端面電極に固定された半田
はその一部がモジュール基板の裏面よりもマザーボード
側に突出するから、この突出した半田によってモジュー
ル基板とマザーボードとの間の隙間を吸収し、端面電極
を電極パッドに確実に接続することができる。
【0145】さらに、貫通孔に半田を収容する前に、加
工用基板から分離基板を分離して該分離基板を残余の加
工用基板に埋め戻す構成としたから、ダイヤモンドカッ
ター等によって加工用基板を切断する場合に比べて、モ
ジュール基板の洗浄、乾燥を省くことができ、モジュー
ル基板の生産性を向上することができる。
【0146】また、請求項2の発明のよれば、残余の加
工用基板を分離基板よりも高温に加熱する構成としたか
ら、貫通孔内で溶融した半田は、分離基板よりも高温と
なった残余の加工基板側に引付けられる傾向がある。し
かし、溶融した半田を端面電極に向けて移動させるか
ら、半田を分離基板の端面電極に付着させて固定するこ
とができる。
【0147】一方、請求項3の発明によれば、加工用基
板に形成した貫通孔に半田を収容して加熱して溶融し、
溶融した半田を端面電極に向けて移動させるから、溶融
した半田を端面電極に確実に付着させて固定することが
できる。また、端面電極に固定された半田はその一部が
モジュール基板の裏面よりもマザーボード側に突出する
から、この突出した半田によってモジュール基板とマザ
ーボードとの間の隙間を吸収し、端面電極を電極パッド
に確実に接続することができる。このため、モジュール
基板をマザーボードに実装したときの信頼性が向上す
る。
【0148】また、請求項4の発明によれば、加工用基
板のうち端面電極の近傍に比較して当該端面電極から離
間した部位を高温に加熱するから、溶融した半田は、端
面電極の近傍に比較して高温となった端面電極から離間
した部位に引付けられる傾向がある。しかし、溶融した
半田を端面電極に向けて移動させるから、半田を端面電
極に付着させて固定することができる。
【0149】また、請求項5の発明によれば、端面電極
の近傍に向けて熱風を吹付けることにより溶融した半田
を移動させる構成としたから、貫通孔に収容された半田
は、熱風によって溶融し、この溶融した半田は、熱風に
よる風圧によって貫通孔のうち加工用基板の他の部位か
ら端面電極の近傍に向けて移動する。このため、溶融し
た半田を端面電極に付着させて固定することができる。
【0150】また、請求項6の発明によれば、加工用基
板を振動または傾斜させることにより溶融した半田を移
動させる構成としたから、溶融した半田は、貫通孔内で
移動し、端面電極に接触することによって端面電極に付
着する。このため、溶融した半田を端面電極に固定する
ことができる。
【0151】また、請求項7の発明によれば、加工用基
板を加熱する前に貫通孔の一方の開口を閉塞し、貫通孔
の他方の開口を端面電極の近傍を開放した状態で部分的
に閉塞する構成としたから、貫通孔に収容された半田が
溶融したときに、その表面張力によって溶融した半田を
貫通孔の開口が開放された端面電極近傍に移動させるこ
とができる。このため、溶融した半田を端面電極に固着
することができる。
【0152】また、請求項8の発明によれば、閉塞部材
に設けた傾斜部によって貫通孔の底面を端面電極に向け
て傾斜させる構成としたから、加熱によって貫通孔内で
溶融した半田は、略球形状に変形し、端面電極に向けて
移動する。これにより、溶融した半田を端面電極に付着
させて固定することこができる。
【0153】また、請求項9の発明によれば、半田収容
穴を有する治具プレートを非分離基板に取付けた状態で
半田を加熱し、溶融した半田を端面電極に向けて移動さ
せるから、半田収容穴内で溶融した半田を端面電極に向
けて移動させることができる。そして、治具プレートの
半田収容穴と非分離基板の端面電極とは位置合わせされ
ているから、溶融した半田を端面電極に確実に付着させ
て固定することができる。
【0154】また、請求項10の発明によれば、非分離
基板に治具プレートを取付けた状態で、端面電極と治具
プレートとの間に形成される半田収容穴に半田を収容し
て加熱し、溶融した半田を端面電極に向けて移動させる
から、溶融した半田を端面電極に確実に付着させ、固定
することができる。このため、半田の取付不良がなくな
るから、生産性、信頼性が向上する。
【0155】また、請求項11の発明によれば、治具プ
レートを非分離基板よりも高温に加熱する構成としたか
ら、半田収容穴内で溶融した半田は、非分離基板よりも
高温となった治具プレート側に引付けられる傾向があ
る。しかし、溶融した半田を端面電極に向けて移動させ
るから、半田を端面電極に付着させて固定することがで
きる。
【0156】また、請求項12の発明によれば、端面電
極の近傍に向けて熱風を吹付けることにより溶融した半
田を移動させるから、溶融した半田を熱風による風圧に
よって端面電極の近傍に向けて移動させることができ、
溶融した半田を非分離基板の端面電極に付着させて固定
することができる。
【0157】また、請求項13の発明によれば、加工用
基板と治具プレートとを振動または傾斜させることによ
り溶融した半田を移動させるから、振動等によって溶融
した半田を半田収容穴内で移動させて端面電極に接触さ
せることができる。これにより、溶融した半田は端面電
極に付着するから、溶融した半田を非分離基板の端面電
極に固定することができる。
【0158】さらに、請求項14の発明によれば、治具
プレートに設けた傾斜部によって半田収容穴の底面を端
面電極に向けて傾斜させたから、半田収容穴内で溶融し
た半田は、略球形状に変形し、傾斜部に沿って端面電極
に向けて移動する。これにより、溶融した半田を端面電
極に付着させて固定することこができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る製造方法によ
って製造されたモジュール基板を示す斜視図である。
【図2】図1中の端面スルーホールを示す平面図であ
る。
【図3】図1中の端面スルーホールを示す底面図であ
る。
【図4】端面スルーホールを図2中の矢示IV−IV方向か
らみた断面図である。
【図5】第1の実施の形態に係る製造方法において、本
実施の形態に用いる加工用基板に貫通孔を設ける貫通孔
加工工程を示す平面図である。
【図6】貫通孔の内壁面に端面電極を設ける端面電極加
工工程を示す平面図である。
【図7】図6中の加工用基板を示す底面図である。
【図8】加工用基板から分離基板を分離した後、残余の
加工用基板に分離基板を埋め戻すプッシュバック工程を
示す底面図である。
【図9】図8中のa部を拡大して示す拡大底面図であ
る。
【図10】図9中の矢示X−X方向からみた断面図であ
る。
【図11】加工用基板に閉塞板とマスクプレートを取付
ける貫通孔閉塞工程を示す断面図である。
【図12】半田収容工程において貫通孔にクリーム半田
を収容した状態を示す断面図である。
【図13】半田収容工程において加工用基板からマスク
プレートを取外した状態を示す断面図である。
【図14】加熱工程において残余の加工用基板から端面
電極に向けて熱風を吹付けている状態を示す断面図であ
る。
【図15】加熱工程においてクリーム半田が溶融して略
球形状に変形した状態を示す断面図である。
【図16】加熱工程において溶融したクリーム半田が熱
風の風圧によって端面電極の近傍に移動した状態を示す
断面図である。
【図17】加熱工程において端面電極の半田が固定され
た状態を示す断面図である。
【図18】図17中の矢示 XVIII−XVIII 方向からみた
平面図である。
【図19】加工用基板から分離基板を取外す分離基板取
外し工程を示す断面図である。
【図20】第1の実施の形態に係る製造方法によって製
造されたモジュール基板をマザーボードに載置した状態
を示す側面図である。
【図21】図19中のモジュール基板がマザーボードに
接合した状態を示す側面図である。
【図22】図21中の矢示XXII−XXII方向からみた断面
図である。
【図23】第2の実施の形態に係る製造方法において、
本実施の形態に用いる加工用基板の貫通孔にクリーム半
田を収容して加熱する加熱工程を示す断面図である。
【図24】加熱工程において加工用基板を振動させた状
態を示す断面図である。
【図25】加熱工程における加工用基板の振動によって
溶融したクリーム半田が端面電極の近傍に移動した状態
を示す断面図である。
【図26】加熱工程において端面電極に半田が固定され
た状態を示す断面図である。
【図27】第3の実施の形態に係る製造方法において、
本実施の形態に用いる加工用基板に閉塞板を取付ける貫
通孔閉塞工程を示す断面図である。
【図28】貫通孔にクリーム半田を収容した後に加工用
基板を加熱する加熱工程を示す断面図である。
【図29】加熱工程においてクリーム半田が溶融して略
球形状に変形した状態を示す断面図である。
【図30】加熱工程において溶融したクリーム半田が貫
通孔の底面に設けられた傾斜部によって端面電極の近傍
に移動した状態を示す断面図である。
【図31】加熱工程において端面電極に半田が固定され
た状態を示す断面図である。
【図32】第4の実施の形態に係る製造方法において、
本実施の形態に用いる加工用基板に閉塞板を取付け、貫
通孔にクリーム半田を収容した後、加工用基板に貫通孔
を部分的に閉塞するテープを貼着した半田収容工程を示
す断面図である。
【図33】貫通孔にクリーム半田を収容した後に加工用
基板を加熱する加熱工程を示す断面図である。
【図34】加熱工程においてクリーム半田が溶融して略
球形状に変形し、端面電極の近傍に移動した状態を示す
断面図である。
【図35】加熱工程において端面電極に半田が固定され
た状態を示す断面図である。
【図36】第5の実施の形態に係る製造方法において、
本実施の形態に用いる加工用基板にテープを貼着し、貫
通孔にクリーム半田を収容した半田収容工程を示す断面
図である。
【図37】端面電極に向けて熱風を吹付けることによっ
て端面電極に半田を固定する加熱工程を示す断面図であ
る。
【図38】第6の実施の形態に係る製造方法において、
本実施の形態に用いる加工用基板にV字溝、貫通孔、端
面電極等を設ける端面電極加工工程を示す平面図であ
る。
【図39】図38中の加工用基板を示す底面図である。
【図40】図39中の矢示XL−XL方向からみた断面図で
ある。
【図41】加工用基板の貫通孔にクリーム半田を収容す
る半田収容工程を示す断面図である。
【図42】端面電極に半田を固定する加熱工程を示す断
面図である。
【図43】加工用基板を切断する基板切断工程を示す断
面図である。
【図44】基板切断工程の後に加工用基板からモジュー
ル基板を取外した状態を示す断面図である。
【図45】第7の実施の形態に係る製造方法において、
本実施の形態に用いる加工用基板に貫通孔、端面電極等
を設ける端面電極加工工程を示す断面図である。
【図46】加工用基板に閉塞板を取付けた後、貫通孔に
クリーム半田を収容する半田収容工程を示す断面図であ
る。
【図47】端面電極に半田を固定する加熱工程を示す断
面図である。
【図48】ダイヤモンドカッターを用いて加工用基板を
切断する基板切断工程を示す断面図である。
【図49】基板切断工程の後に加工用基板からモジュー
ル基板を取外した状態を示す断面図である。
【図50】第8の実施の形態に係る製造方法において、
本実施の形態に用いる加工用基板に端面電極を設ける端
面電極加工工程を示す平面図である。
【図51】図50中の加工用基板を示す底面図である。
【図52】加工用基板にスリット孔を設けるスリット孔
加工工程を示す平面図である。
【図53】図52中の加工用基板を示す底面図である。
【図54】第8の実施の形態に用いる治具プレートを示
す平面図である。
【図55】図54中のb部を拡大して示す拡大平面図で
ある。
【図56】図55中の矢示 LVI−LVI 方向からみた断面
図である。
【図57】治具プレートの半田収容穴にクリーム半田を
収容する半田収容工程を示す断面図である。
【図58】治具プレートに加工用基板を取付ける治具プ
レート取付工程を示す断面図である。
【図59】治具プレート取付工程において治具プレート
の半田収容穴と非分離基板の端面電極とを位置合わせし
た状態を示す断面図である。
【図60】加工用基板と治具プレートとを加熱する加熱
工程を示す断面図である。
【図61】加熱工程において端面電極に半田が固定され
た状態を示す断面図である。
【図62】加工用基板から非分離基板を分離する基板取
外し工程を示す断面図である。
【図63】第9の実施の形態に係る製造方法において、
本実施の形態に用いる加工用基板にスリット孔等を設け
るスリット孔加工工程を示す底面図である。
【図64】第9の実施の形態に用いる治具プレートを示
す平面図である。
【図65】加工用基板に治具プレートを取付ける治具プ
レート取付工程を示す平面図である。
【図66】図65中のc部を拡大して示す拡大平面図で
ある。
【図67】図66中の矢示 LXVII−LXVII 方向からみた
断面図である。
【図68】加工用基板と治具プレートを加熱して端面電
極に半田を固定する加熱工程を示す断面図である。
【符号の説明】
1,41,61,71 加工用基板 1C,61C,71C 残余の加工用基板 2 貫通孔 4,106 裏面電極 5,105 端面電極 6 分離基板 7,11 閉塞板(閉塞部材) 9 クリーム半田(半田) 10,67,76,108 半田 11A,11A′,65A,74C,74C′ 傾斜部 21 テープ(他の閉塞部材) 31 テープ(閉塞部材) 42 V字溝(凹溝) 51 ダイヤモンドカッター 62,72 スリット孔 63,73 非分離基板 64,74 治具プレート 65,75 半田収容穴 100 モジュール基板 101 基板 102 電子部品 103 端面スルーホール 109 マザーボード 110 電極パッド 112 フィレット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中路 博行 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 岡田 雅信 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Fターム(参考) 5E319 AA03 AB05 AC01 AC16 AC17 BB05 CC33 CC49 CC58 CD04 CD13 CD29 GG20

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通孔
    の内壁面の一部に端面電極を設け、前記貫通孔を通って
    切断することにより加工用基板から前記端面電極を有す
    る分離基板として取出し、該分離基板を残余の加工用基
    板に埋め戻し、前記貫通孔に該端面電極とマザーボード
    とを接続する半田を収容し、該半田を加熱して溶融し、
    溶融した半田を前記端面電極に向けて移動させつつ当該
    半田を端面電極に固着するようにしたモジュール基板の
    製造方法。
  2. 【請求項2】 前記残余の加工用基板を分離基板よりも
    高温に加熱する構成としてなる請求項1に記載のモジュ
    ール基板の製造方法。
  3. 【請求項3】 加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通孔
    の内壁面の一部に端面電極を設け、前記貫通孔に該端面
    電極とマザーボードとを接続する半田を収容し、該半田
    を加熱して溶融し、溶融した半田を前記端面電極に向け
    て移動させつつ当該半田を端面電極に固着し、その後前
    記貫通孔の位置で加工用基板を切断し、モジュール基板
    を分離してなるモジュール基板の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記加工用基板のうち前記端面電極の近
    傍に比較して当該端面電極から離間した部位を高温に加
    熱する構成としてなる請求項3に記載のモジュール基板
    の製造方法。
  5. 【請求項5】 前記端面電極の近傍に向けて熱風を吹付
    けることにより溶融した半田を端面電極に向けて移動さ
    せる構成としてなる請求項1,2,3または4に記載の
    モジュール基板の製造方法。
  6. 【請求項6】 前記加工用基板を振動または傾斜させる
    ことにより溶融した半田を端面電極に向けて移動させる
    構成としてなる請求項1,2,3または4に記載のモジ
    ュール基板の製造方法。
  7. 【請求項7】 前記加工用基板を加熱する前に前記貫通
    孔の一方の開口を閉塞部材によって閉塞し、前記貫通孔
    の他方の開口を前記端面電極の近傍を開放した状態で他
    の閉塞部材によって部分的に閉塞する構成としてなる請
    求項1,2,3または4に記載のモジュール基板の製造
    方法。
  8. 【請求項8】 前記加工用基板を加熱する前に前記貫通
    孔の一方の開口を閉塞部材によって閉塞し、該閉塞部材
    に設けた傾斜部によって前記貫通孔の底面を端面電極に
    向けて傾斜させる構成としてなる請求項1,2,3また
    は4に記載のモジュール基板の製造方法。
  9. 【請求項9】 加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通孔
    の内壁面の一部に端面電極を設け、前記加工用基板には
    前記貫通孔の一部を除去してスリット孔を設ることによ
    って該スリット孔に囲まれ端面電極を有する非分離基板
    を形成し、該非分離基板には半田が収容された半田収容
    穴を有する治具プレートを前記端面電極と半田収容穴と
    を位置合わせした状態で取付け、前記半田収容穴内の半
    田を加熱して溶融し、溶融した半田を前記端面電極に向
    けて移動させつつ当該半田を端面電極に固着し、その後
    スリット孔の位置で加工用基板から非分離基板をモジュ
    ール基板として分離してなるモジュール基板の製造方
    法。
  10. 【請求項10】 加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通
    孔の内壁面の一部に端面電極を設け、前記加工用基板に
    は前記貫通孔の一部を除去してスリット孔を設ることに
    よって該スリット孔に囲まれ端面電極を有する非分離基
    板を形成し、前記非分離基板には前記端面電極との間に
    半田収容穴を形成する治具プレートを取付け、前記半田
    収容穴に前記端面電極とマザーボードとを接続する半田
    を収容し、前記半田収容穴内の半田を加熱して溶融し、
    溶融した半田を前記端面電極に向けて移動させつつ当該
    半田を端面電極に固着し、その後スリット孔の位置で加
    工用基板から非分離基板をモジュール基板として分離し
    てなるモジュール基板の製造方法。
  11. 【請求項11】 前記治具プレートを非分離基板よりも
    高温に加熱する構成としてなる請求項9または10に記
    載のモジュール基板の製造方法。
  12. 【請求項12】 前記端面電極の近傍に向けて熱風を吹
    付けることにより溶融した半田を端面電極に向けて移動
    させる構成としてなる請求項9,10または11に記載
    のモジュール基板の製造方法。
  13. 【請求項13】 前記加工用基板と治具プレートとを振
    動または傾斜させることにより溶融した半田を端面電極
    に向けて移動させる構成としてなる請求項9,10また
    は11に記載のモジュール基板の製造方法。
  14. 【請求項14】 前記治具プレートに設けた傾斜部によ
    って前記半田収容穴の底面を端面電極に向けて傾斜させ
    る構成としてなる請求項9,10または11に記載のモ
    ジュール基板の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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