JP2020102568A - 電子部品の製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
電子部品の製造方法及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020102568A JP2020102568A JP2018240762A JP2018240762A JP2020102568A JP 2020102568 A JP2020102568 A JP 2020102568A JP 2018240762 A JP2018240762 A JP 2018240762A JP 2018240762 A JP2018240762 A JP 2018240762A JP 2020102568 A JP2020102568 A JP 2020102568A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- jig
- electronic component
- solder
- electrode
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 42
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 114
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 98
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 20
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 20
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 10
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 10
- 230000036544 posture Effects 0.000 description 9
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/11011—Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature
- H01L2224/11013—Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature for holding or confining the bump connector, e.g. solder flow barrier
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
Description
最初に、本発明の実施形態の内容を列記して説明する。一実施形態に係る製造方法は、電極を端部に有する電子部品の製造方法であって、前記電子部品を載置させる載置面を含む台座に対し、前記台座に向けて傾斜する通路が形成された治具を、ヒータブロック上に載置する第1工程と、前記電極を前記通路に対向させて、前記電子部品を前記載置面に配置する第2工程と、前記通路にボール状のはんだを転がし、前記電極まで到達させる第3工程と、前記台座を介して前記はんだを融解し、前記融解したはんだを前記電極に付着させる第4工程、を含む電子部品の製造方法である。
本発明の実施形態に係る電子部品の製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明においては、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する場合がある。また、図面には、X軸、Y軸、及びZ軸により規定される直交座標系Sを示す。
図1及び図2を参照し、半導体装置1の構成について説明する。図1は、一実施形態に係る半導体装置としての変調器の概略構成を示す平面図である。半導体装置1は、変調器以外にもICR(integrated coherent receiver:集積型コヒーレントレシーバ)などの半導体素子を用いることができる。また、パッケージ2の形状は異なるが(不図示)、半導体素子としてFETなども用いることができる。図2は、図1のII―II線に沿った断面図である。図1に示される半導体装置1は変調器として動作し、半導体レーザー等から入力された光を変調して光信号として出力する装置である。図1及び図2に示されるように、半導体装置1は、パッケージ2と、電子部品としての複数(例えば4つ)のチップコンデンサ3A(第1電子部品)及び複数(例えば2つ)のチップコンデンサ3B(第2電子部品)と、変調器4と、を備える。なお、図面において、変調器4は仮想線によって示されている。
次に、図3〜図7を参照し、一実施形態に係る半導体装置としての半導体装置1を製造する際に用いられる治具の構成について説明する。以下の説明においては、半導体装置1を製造する際の治具の上下方向に準じて、Z方向を上下方向として「上」及び「下」を用いる場合がある。図3は、一実施形態に係る治具の概略構成を示す斜視図である。図3に示される治具5は、半導体装置1を製造する工程のうち、チップコンデンサ3A,3Bの各電極Pをパッケージ2のメタライズ層23bにはんだ接続する際に用いられる。治具5は、略矩形板状を呈しており、はんだが付着しにくい材料(例えば、ステンレス:クロムとニッケルの合金、アルミナ:酸化アルミニウム、又はアルミニウム等)によって形成されている。
続けて、図8〜図16を参照し、一実施形態に係る電子部品の製造方法として、上述した半導体装置1の製造方法について説明する。図8は、電子部品の製造方法の手順を示すフローチャートである。図9(a)〜図9(d)は、電子部品の製造方法の各工程を示す模式図である。
以上に説明したように、本実施形態に係る電子部品の製造方法において、工程S1において準備する治具5には、保持空間Wに連通する通路52A,52Bが形成されている。また、この通路52A,52Bの幅は、保持空間Wに近づくにつれて狭くなっている。これにより、工程S5において、通路52A,52Bにおける保持空間Wに連通する位置よりも幅の広い位置に供給されたボール状のはんだ10は、徐々に幅が狭くなる通路52A,52Bを転がることで保持空間Wの電極Pに向かって移動する。これにより、ボール状のはんだ10を供給する位置の自由度を高くしつつ、通路52A,52Bに沿って当該はんだ10が転がる間に、電極Pに到達する位置にはんだ10を位置決めすることができる。そして、電極Pに到達した位置ではんだ10が加熱融解するので、工程S7では、加熱融解したはんだ10を電極Pの一定の範囲内に付着させた状態で、パッケージ2に電極Pをはんだ接続できる。以上により、チップコンデンサ3A,3Bとパッケージ2との間の導通不良を低減可能となる。
本発明に係る電子部品の製造方法は、上述した実施形態に限られるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、工程S1において準備される治具は、上述した治具5に限定されない。図17は、変形例に係る治具を示す断面図である。図17に示される治具5Aには、底面5aにおける凸部56が設けられていない。治具5Aの底面5a及び底壁5hは、治具5AのX方向の全長に亘って延在している。治具5Aは、その他の点において治具5と同様の構成を備えている。なお、治具5Aの寸法形状は、上述した治具5の寸法形状と異なっていてもよい。例えば、治具5Aは、主面5bに臨む方向(ここでは、Z方向)から見て、パッケージ2の収容空間Vよりも大きくてもよい。すなわち、治具5Aは、パッケージ2に収容可能に構成されていなくてもよい。
Claims (4)
- 電極を端部に有する電子部品の製造方法であって、
前記電極を含む電子部品本体を載置させる載置面を含む台座に対し、前記台座に向けて傾斜する通路が形成された治具を、ヒータブロック上に載置する第1工程と、
前記電極を前記通路に対向させて、前記電子部品本体を前記載置面に配置する第2工程と、
前記通路にボール状のはんだを転がし、前記電極まで到達させる第3工程と、
前記台座を介して前記はんだを融解し、前記融解したはんだを前記電極に付着させる第4工程、を含む電子部品の製造方法。 - 電極を端部に有する電子部品の製造方法であって、
前記電極を含む電子部品本体を載置させる載置面を含む台座に対し、前記台座に向けて傾斜する通路が形成された治具を、被実装体に載置し、且つ前記被実装体をヒータブロック上に載置する第1工程と、
前記電極を前記通路に対向させて、前記電子部品本体を前記載置面に配置する第2工程と、
前記通路にボール状のはんだを転がし、前記電極まで到達させる第3工程と、
前記台座を介して前記はんだを融解し、前記融解したはんだを前記電極に付着させる第4工程、を含む電子部品の製造方法。 - 請求項2に記載された電子部品の製造方法の各工程を備え、
前記第4工程の後、前記電子部品を前記治具から前記被実装体へ移送する、半導体装置の製造方法。 - 前記電子部品を前記被実装体へ移送した後、前記被実装体上に半導体素子を搭載する第5工程を更に備え、
前記第5工程は、前記被実装体から前記治具を取り除き、前記治具を取り除いた領域に前記半導体素子を搭載する、請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018240762A JP7120521B2 (ja) | 2018-12-25 | 2018-12-25 | 電子部品の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
US16/721,007 US11282809B2 (en) | 2018-12-25 | 2019-12-19 | Method of manufacturing electronic component and method of manufacturing semiconductor device |
CN201911324282.XA CN111383923A (zh) | 2018-12-25 | 2019-12-20 | 制造电子部件的方法和制造半导体装置的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018240762A JP7120521B2 (ja) | 2018-12-25 | 2018-12-25 | 電子部品の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020102568A true JP2020102568A (ja) | 2020-07-02 |
JP7120521B2 JP7120521B2 (ja) | 2022-08-17 |
Family
ID=71096908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018240762A Active JP7120521B2 (ja) | 2018-12-25 | 2018-12-25 | 電子部品の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11282809B2 (ja) |
JP (1) | JP7120521B2 (ja) |
CN (1) | CN111383923A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04127660U (ja) * | 1991-05-15 | 1992-11-20 | 日本電気株式会社 | チツプコンデンサ搭載型半導体装置 |
JP2001230540A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Murata Mfg Co Ltd | モジュール基板の製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06314749A (ja) | 1993-04-28 | 1994-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US6336581B1 (en) * | 2000-06-19 | 2002-01-08 | International Business Machines Corporation | Solder ball connection device and capillary tube thereof |
JP2002261120A (ja) | 2001-03-06 | 2002-09-13 | Sony Corp | 実装基板とその製造方法および半導体装置 |
JP4555119B2 (ja) * | 2005-02-22 | 2010-09-29 | アルプス電気株式会社 | 面実装型電子回路ユニット |
WO2009156970A1 (en) * | 2008-06-26 | 2009-12-30 | Nxp B.V. | Packaged semiconductor product and method for manufacture thereof |
JP2012004166A (ja) * | 2010-06-14 | 2012-01-05 | Fujitsu Ltd | 配線基板、配線基板組立体及び半導体装置 |
CN101901735A (zh) * | 2010-07-26 | 2010-12-01 | 潮州市晨歌电光源有限公司 | 一种电极组件 |
JP2012049207A (ja) * | 2010-08-25 | 2012-03-08 | Ulvac Seimaku Kk | バンプ形成方法 |
JP6048215B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2016-12-21 | 株式会社デンソー | 電子部品及び電子制御装置 |
JP6207190B2 (ja) * | 2013-03-22 | 2017-10-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN104538530B (zh) * | 2014-12-08 | 2017-12-12 | 北京国联万众半导体科技有限公司 | 发光二极管封装件 |
JP2016129205A (ja) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR20170054055A (ko) * | 2015-11-09 | 2017-05-17 | 삼성전자주식회사 | 볼 박스 및 이를 구비하는 솔더볼 어태치 장치 |
-
2018
- 2018-12-25 JP JP2018240762A patent/JP7120521B2/ja active Active
-
2019
- 2019-12-19 US US16/721,007 patent/US11282809B2/en active Active
- 2019-12-20 CN CN201911324282.XA patent/CN111383923A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04127660U (ja) * | 1991-05-15 | 1992-11-20 | 日本電気株式会社 | チツプコンデンサ搭載型半導体装置 |
JP2001230540A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Murata Mfg Co Ltd | モジュール基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11282809B2 (en) | 2022-03-22 |
JP7120521B2 (ja) | 2022-08-17 |
CN111383923A (zh) | 2020-07-07 |
US20200203306A1 (en) | 2020-06-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR840000477B1 (ko) | 회로 패키지들의 제조방법 | |
US20110221535A1 (en) | Surface mount crystal oscillator and manufacturing method of the same | |
US10813209B2 (en) | Multilayer substrate, electronic device, and a method for manufacturing a multilayer substrate | |
JPH1117326A (ja) | 電子部品のハンダ付け方法 | |
US7455213B2 (en) | Apparatus for manufacturing semiconductor devices, method of manufacturing the semiconductor devices, and semiconductor device manufactured by the apparatus and method | |
JP2003243448A (ja) | 半導体装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
JP2020102568A (ja) | 電子部品の製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2007073713A (ja) | 圧電デバイス用パッケージ | |
JPH04277639A (ja) | 電子部品の実装構造 | |
JPH1050928A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2004342802A (ja) | 突起電極付きプリント基板およびその製造方法 | |
JP2004281634A (ja) | 積層実装型半導体装置の製造方法 | |
JPH0957432A (ja) | 半田供給用キャリア | |
JP2001036224A (ja) | 樹脂製配線基板及びその製造方法 | |
JPH1167945A (ja) | 電子回路モジュール | |
JPH04359462A (ja) | 混成集積回路装置 | |
WO2021112073A1 (ja) | 電子部品実装用基体、電子部品実装体およびその製造方法、ならびに電子機器 | |
JP5115241B2 (ja) | 電子部品の実装方法 | |
JP5053058B2 (ja) | 圧電振動子の製造方法及び圧電発振器の製造方法 | |
JP2002368044A (ja) | はんだボール付電子部品の組立方法及び電子部品 | |
JPH06140540A (ja) | ヒートシンク及びそのヒートシンクを用いた半導体装置の実装方法 | |
JP3587329B2 (ja) | プリント配線板、回路基板及び実装方法 | |
JP2741611B2 (ja) | フリップチップボンディング用基板 | |
JP2000164456A (ja) | 電子部品 | |
TW201349361A (zh) | 基板接合方法及基板回流處理裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A625 | Written request for application examination (by other person) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625 Effective date: 20210721 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220624 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220705 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220722 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7120521 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |