JP2001305995A - 表示装置用基板及びその製造方法、並びに液晶装置及び電子機器 - Google Patents
表示装置用基板及びその製造方法、並びに液晶装置及び電子機器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線における電気抵抗が小さく表示用電極の
光透過率が高いパネル基板及びそれを用いた液晶装置を
提供する。 【解決手段】 パネル基板３０は、基板３１と、基板３
１上に並行して形成された複数の表示用電極３２と、基
板３１上に形成され表示用電極３２に連続する複数の配
線３４とを有する。表示用電極３２及び配線３４は、透
明導電層７０と金属層７２とから成る２層構造を有す
る。表示用電極３２の金属層７２の幅は透明導電層７０
の幅に比べて遥かに狭い。
光透過率が高いパネル基板及びそれを用いた液晶装置を
提供する。 【解決手段】 パネル基板３０は、基板３１と、基板３
１上に並行して形成された複数の表示用電極３２と、基
板３１上に形成され表示用電極３２に連続する複数の配
線３４とを有する。表示用電極３２及び配線３４は、透
明導電層７０と金属層７２とから成る２層構造を有す
る。表示用電極３２の金属層７２の幅は透明導電層７０
の幅に比べて遥かに狭い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置に用いら
れる表示装置用基板、該表示装置用基板の製造方法、該
表示装置用基板を用いた液晶装置及び該液晶装置を用い
た電子機器に関する。
れる表示装置用基板、該表示装置用基板の製造方法、該
表示装置用基板を用いた液晶装置及び該液晶装置を用い
た電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、単純マトリクス型の液晶装置
は、複数の並行する表示用電極とそれぞれの表示用電極
に導電接続されて電圧を印加するための配線とが基板上
に形成されて成る２枚のパネル基板を、それぞれの基板
上の表示用電極が互いに格子状を成して対向するように
配置して形成される。
は、複数の並行する表示用電極とそれぞれの表示用電極
に導電接続されて電圧を印加するための配線とが基板上
に形成されて成る２枚のパネル基板を、それぞれの基板
上の表示用電極が互いに格子状を成して対向するように
配置して形成される。
【０００３】また、個々の画素に付属させて薄膜ダイオ
ード（Thin Film Diode：ＴＦＤ）を形成する構造のア
クティブマトリクス型液晶装置は、一対の基板である素
子基板及び対向基板を互いに対向させて配置することに
よって形成される。この場合、上記素子基板上には、Ｔ
ＦＤと、このＴＦＤに接続される配線と、表示用電極と
しての画素電極とが形成される。また、上記対向基板上
には、複数の並行する表示用電極と、それぞれの表示用
電極に導電接続されて電圧を印加するための配線とが形
成される。これらの素子基板及び対向基板は、素子基板
上の画素電極と対向基板上の表示用電極とが重なるよう
に対向して配置される。
ード（Thin Film Diode：ＴＦＤ）を形成する構造のア
クティブマトリクス型液晶装置は、一対の基板である素
子基板及び対向基板を互いに対向させて配置することに
よって形成される。この場合、上記素子基板上には、Ｔ
ＦＤと、このＴＦＤに接続される配線と、表示用電極と
しての画素電極とが形成される。また、上記対向基板上
には、複数の並行する表示用電極と、それぞれの表示用
電極に導電接続されて電圧を印加するための配線とが形
成される。これらの素子基板及び対向基板は、素子基板
上の画素電極と対向基板上の表示用電極とが重なるよう
に対向して配置される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の液晶装置に
おいては、表示の高精細化や、表示領域以外の領域を極
力小さくするという、いわゆる狭額縁化に伴って、表示
用電極に連続する配線が特に微細化する傾向がある。最
近では、このように配線が微細化することに伴った、配
線の抵抗が増加し、駆動回路から印加された電圧の配線
における電圧降下が無視できないものとなってきてい
る。
おいては、表示の高精細化や、表示領域以外の領域を極
力小さくするという、いわゆる狭額縁化に伴って、表示
用電極に連続する配線が特に微細化する傾向がある。最
近では、このように配線が微細化することに伴った、配
線の抵抗が増加し、駆動回路から印加された電圧の配線
における電圧降下が無視できないものとなってきてい
る。
【０００５】また、単純マトリクス型の液晶装置におい
ては、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）型液晶を用い
ることが多いが、このような液晶装置における表示は、
微妙な駆動電圧の変化によって特に影響を受けやすい。
また、配線は、表示用電極に導電接続されて連続的に形
成されており、通常は、表示用電極に用いられる透明導
電膜例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜から成り、表
示用電極と同時に形成される。その結果、表示用電極と
配線とは、通常、ほぼ等しい膜厚の透明導電膜となる。
ては、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）型液晶を用い
ることが多いが、このような液晶装置における表示は、
微妙な駆動電圧の変化によって特に影響を受けやすい。
また、配線は、表示用電極に導電接続されて連続的に形
成されており、通常は、表示用電極に用いられる透明導
電膜例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜から成り、表
示用電極と同時に形成される。その結果、表示用電極と
配線とは、通常、ほぼ等しい膜厚の透明導電膜となる。
【０００６】ところで、配線は、上述したように微細化
により線幅が細くなって来ているが、その配線の経路に
おける抵抗を小さくするために、透明導電膜の膜厚を厚
くすることが考えられる。しかしながら、配線の膜厚を
厚くするには、膜形成に要する時間が増加してしまう。
また、配線の膜厚を増加させると、同時に形成される表
示用電極の膜厚も厚くなってしまうため、表示用電極の
光透過率が低下してしまう。
により線幅が細くなって来ているが、その配線の経路に
おける抵抗を小さくするために、透明導電膜の膜厚を厚
くすることが考えられる。しかしながら、配線の膜厚を
厚くするには、膜形成に要する時間が増加してしまう。
また、配線の膜厚を増加させると、同時に形成される表
示用電極の膜厚も厚くなってしまうため、表示用電極の
光透過率が低下してしまう。
【０００７】本発明は、上記の問題点に鑑みて成された
ものであって、表示装置用基板において、配線における
電気抵抗を低下させること、表示用電極の光透過率を増
加させること、そして表示用電極及び配線の形成に要す
る時間を短縮することのうちの少なくとも１つを達成す
ることを目的とする。
ものであって、表示装置用基板において、配線における
電気抵抗を低下させること、表示用電極の光透過率を増
加させること、そして表示用電極及び配線の形成に要す
る時間を短縮することのうちの少なくとも１つを達成す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】（１）本発明に係る表示
装置用基板は、複数の表示用電極と、前記複数の表示用
電極に電圧を印加するための複数の配線とを備える表示
装置用基板において、前記配線は、前記表示用電極と同
一層の透明な導電層から成る透明導電層と、前記透明導
電層より低抵抗の金属から成る金属層との積層構造を有
することを特徴とする。
装置用基板は、複数の表示用電極と、前記複数の表示用
電極に電圧を印加するための複数の配線とを備える表示
装置用基板において、前記配線は、前記表示用電極と同
一層の透明な導電層から成る透明導電層と、前記透明導
電層より低抵抗の金属から成る金属層との積層構造を有
することを特徴とする。
【０００９】上記構成の表示装置用基板は、配線を透明
導電層と金属層との積層構造としているため、配線を透
明導電層のみで形成する場合に比べ、配線の電気抵抗を
低下させることができる。従って、本表示装置用基板を
用いた液晶装置は、配線における電圧降下のために表示
品質が低下する可能性が低い。
導電層と金属層との積層構造としているため、配線を透
明導電層のみで形成する場合に比べ、配線の電気抵抗を
低下させることができる。従って、本表示装置用基板を
用いた液晶装置は、配線における電圧降下のために表示
品質が低下する可能性が低い。
【００１０】また、配線の電気抵抗を小さくするために
透明導電層の膜厚を厚くする必要がないため、配線の透
明導電層と同時に形成されることが多い表示用電極の透
明導電層における膜厚が必要以上に厚くなることがな
い。従って、透明導電層を厚くすることのみによって配
線の電気抵抗を小さくする場合に比べ、表示用電極の光
透過率を高くすることができる。
透明導電層の膜厚を厚くする必要がないため、配線の透
明導電層と同時に形成されることが多い表示用電極の透
明導電層における膜厚が必要以上に厚くなることがな
い。従って、透明導電層を厚くすることのみによって配
線の電気抵抗を小さくする場合に比べ、表示用電極の光
透過率を高くすることができる。
【００１１】さらに、透明導電層を厚くすることのみに
よって配線の電気抵抗を小さくする場合に比べ、表示用
電極及び配線に用いられている透明導電層の厚さを薄く
できるため、表示装置用基板の形成に要する時間を短縮
することができる。
よって配線の電気抵抗を小さくする場合に比べ、表示用
電極及び配線に用いられている透明導電層の厚さを薄く
できるため、表示装置用基板の形成に要する時間を短縮
することができる。
【００１２】（２）上記（１）項に記載した構成の表示
装置用基板において、前記表示用電極は、透明な導電層
から成る透明導電層と、前記透明導電層より低抵抗の金
属から成る金属層との積層構造を有することできる。
装置用基板において、前記表示用電極は、透明な導電層
から成る透明導電層と、前記透明導電層より低抵抗の金
属から成る金属層との積層構造を有することできる。
【００１３】このように、表示用電極を透明導電層と金
属層との積層構造とすれば、透明導電層のみで形成する
場合に比べ、表示用電極の電気抵抗を低下させることが
できる。また、表示用電極の電気抵抗を小さくするため
に透明導電層の膜厚を厚くする必要がないため、表示用
電極の光透過率を高くすることができる。
属層との積層構造とすれば、透明導電層のみで形成する
場合に比べ、表示用電極の電気抵抗を低下させることが
できる。また、表示用電極の電気抵抗を小さくするため
に透明導電層の膜厚を厚くする必要がないため、表示用
電極の光透過率を高くすることができる。
【００１４】（３）上記（２）項に記載した構成の表示
装置用基板において、前記表示用電極における前記金属
層は、前記透明導電層の幅に比べて幅が狭いことが望ま
しい。こうすれば、表示の明るさを殆ど低下させること
なく、表示用電極の電気抵抗を低下させることができ
る。
装置用基板において、前記表示用電極における前記金属
層は、前記透明導電層の幅に比べて幅が狭いことが望ま
しい。こうすれば、表示の明るさを殆ど低下させること
なく、表示用電極の電気抵抗を低下させることができ
る。
【００１５】（４）上記（１）項又は上記（２）項に記
載した構成の表示用基板において、前記表示用電極は、
前記透明導電層と前記金属層との積層構造を有すること
ができ、この場合、当該積層構造の部分において前記金
属層は部分的に開口を有することができる。
載した構成の表示用基板において、前記表示用電極は、
前記透明導電層と前記金属層との積層構造を有すること
ができ、この場合、当該積層構造の部分において前記金
属層は部分的に開口を有することができる。
【００１６】本構成の表示装置用基板を、液晶装置を構
成する一対の基板のうち背面側の基板として用いれば、
表示用電極の開口部を光が通過し、一方、表示用電極の
金属層の部分で光が反射するため、半透過反射型の液晶
装置を形成することができる。また、金属層の開口部に
おいても透明導電層で形成された表示用電極が存在する
ことになるため、開口部に対応する領域において液晶に
印加される電界が乱れることがない。
成する一対の基板のうち背面側の基板として用いれば、
表示用電極の開口部を光が通過し、一方、表示用電極の
金属層の部分で光が反射するため、半透過反射型の液晶
装置を形成することができる。また、金属層の開口部に
おいても透明導電層で形成された表示用電極が存在する
ことになるため、開口部に対応する領域において液晶に
印加される電界が乱れることがない。
【００１７】（５）上記（１）項から上記（４）項に記
載の表示装置用基板において、前記配線は、前記表示用
電極の端部から前記基板の周縁に沿って引き回される配
線とすることができる。配線は、一般に、基板の周縁部
の額縁領域を引き回されるために配線距離が長くなるの
で、本発明のように透明導電層と金属層との積層構造に
よって配線を形成すれば、配線抵抗を下げることに関し
て特に効果が大きい。 （６）次に、本発明に係る液晶装置は、一対の基板間に
液晶を挟持して成る液晶装置であって、上記（１）項か
ら上記（５）に記載した構成の表示装置用基板を前記一
対の基板の少なくとも一方に用いて成ることを特徴とす
る。この構成の液晶装置によれば、配線が透明導電層と
金属層との積層構造を有するので、透明導電層のみで配
線を形成する場合に比べ、配線の電気抵抗を低下させる
ことができる。従って、配線における電圧降下のために
表示品質が低下する可能性が低い。
載の表示装置用基板において、前記配線は、前記表示用
電極の端部から前記基板の周縁に沿って引き回される配
線とすることができる。配線は、一般に、基板の周縁部
の額縁領域を引き回されるために配線距離が長くなるの
で、本発明のように透明導電層と金属層との積層構造に
よって配線を形成すれば、配線抵抗を下げることに関し
て特に効果が大きい。 （６）次に、本発明に係る液晶装置は、一対の基板間に
液晶を挟持して成る液晶装置であって、上記（１）項か
ら上記（５）に記載した構成の表示装置用基板を前記一
対の基板の少なくとも一方に用いて成ることを特徴とす
る。この構成の液晶装置によれば、配線が透明導電層と
金属層との積層構造を有するので、透明導電層のみで配
線を形成する場合に比べ、配線の電気抵抗を低下させる
ことができる。従って、配線における電圧降下のために
表示品質が低下する可能性が低い。
【００１８】また、配線の電気抵抗を小さくするために
透明導電層の膜厚を厚くする必要がないため、同時に形
成されることが多い表示用電極の透明導電層における膜
厚が必要以上に厚くなることがない。従って、透明導電
層を厚くすることのみによって配線の電気抵抗を小さく
する場合に比べ、表示用電極の光透過率が高い。
透明導電層の膜厚を厚くする必要がないため、同時に形
成されることが多い表示用電極の透明導電層における膜
厚が必要以上に厚くなることがない。従って、透明導電
層を厚くすることのみによって配線の電気抵抗を小さく
する場合に比べ、表示用電極の光透過率が高い。
【００１９】さらに、透明導電層を厚くすることのみに
よって配線の電気抵抗を小さくする場合に比べ、表示用
電極及び配線に用いられている透明導電層の厚さが薄い
ため、透明導電層の形成に要する時間を短縮することが
できる。
よって配線の電気抵抗を小さくする場合に比べ、表示用
電極及び配線に用いられている透明導電層の厚さが薄い
ため、透明導電層の形成に要する時間を短縮することが
できる。
【００２０】（７）次に、本発明に係る液晶装置は、上
記（４）項に記載した構成の表示装置用基板と、これに
対向する対向基板との間に液晶層を挟持して成り、前記
金属層の開口部を光透過部として用いた透過型表示機能
と前記金属層の部分を光反射部として用いた反射型表示
機能とを有することを特徴とする。
記（４）項に記載した構成の表示装置用基板と、これに
対向する対向基板との間に液晶層を挟持して成り、前記
金属層の開口部を光透過部として用いた透過型表示機能
と前記金属層の部分を光反射部として用いた反射型表示
機能とを有することを特徴とする。
【００２１】この構成の液晶装置は、配線を透明導電層
と金属層との積層構造としているため、透明導電層のみ
で配線を形成する場合に比べて、配線の電気抵抗を低下
させることができる。従って、配線における電圧降下の
ために表示品質が低下する可能性が低い。
と金属層との積層構造としているため、透明導電層のみ
で配線を形成する場合に比べて、配線の電気抵抗を低下
させることができる。従って、配線における電圧降下の
ために表示品質が低下する可能性が低い。
【００２２】また、配線の電気抵抗を小さくするために
透明導電層の膜厚を厚くする必要がないため、同時に形
成されることが多い表示用電極の透明導電層における膜
厚が必要以上に厚くなることがない。従って、透明導電
層を厚くすることのみによって配線の電気抵抗を小さく
する場合に比べ、表示用電極の光透過率が高い。
透明導電層の膜厚を厚くする必要がないため、同時に形
成されることが多い表示用電極の透明導電層における膜
厚が必要以上に厚くなることがない。従って、透明導電
層を厚くすることのみによって配線の電気抵抗を小さく
する場合に比べ、表示用電極の光透過率が高い。
【００２３】さらに、透明導電層を厚くすることのみに
よって配線の電気抵抗を小さくする場合に比べ、表示用
電極及び配線に用いられている透明導電層の厚さが薄い
ため、透明導電層の形成に要する時間を短縮することが
できる。
よって配線の電気抵抗を小さくする場合に比べ、表示用
電極及び配線に用いられている透明導電層の厚さが薄い
ため、透明導電層の形成に要する時間を短縮することが
できる。
【００２４】（８）次に、本発明に係る電子機器は、上
記（６）項又は上記（７）項に記載した構成の液晶装置
を表示手段として有することを特徴とする。この構成の
電子機器によれば、表示装置について前述した作用効果
を有し、表示品質の高い表示手段を備えた電子機器が得
られる。
記（６）項又は上記（７）項に記載した構成の液晶装置
を表示手段として有することを特徴とする。この構成の
電子機器によれば、表示装置について前述した作用効果
を有し、表示品質の高い表示手段を備えた電子機器が得
られる。
【００２５】（９）次に、本発明に係る表示装置用基板
の製造方法は、上記（１）項から上記（５）項のいずれ
かに記載した表示装置用基板の製造方法であって、前記
透明導電層を前記基板上に形成する透明導電層形成工程
と、前記透明導電層上に金属層を積層する金属層積層工
程と、前記透明導電層及び前記金属層を同時にエッチン
グするエッチング工程とを有することを特徴とする。
の製造方法は、上記（１）項から上記（５）項のいずれ
かに記載した表示装置用基板の製造方法であって、前記
透明導電層を前記基板上に形成する透明導電層形成工程
と、前記透明導電層上に金属層を積層する金属層積層工
程と、前記透明導電層及び前記金属層を同時にエッチン
グするエッチング工程とを有することを特徴とする。
【００２６】この構成の製造方法によれば、透明導電層
と金属層とを積層し、それらを１回のエッチングによっ
てパターニングして配線を形成できる。
と金属層とを積層し、それらを１回のエッチングによっ
てパターニングして配線を形成できる。
【００２７】（１０）次に、本発明に係る表示装置用基
板の製造方法は、上記（１）項から上記（５）項のいず
れかに記載した表示装置用基板の製造方法であって、前
記透明導電層を前記基板上に形成する透明導電層形成工
程と、前記透明導電層上に金属層を積層する金属層積層
工程と、第１フォトレジスト膜を用いて前記透明導電層
及び前記金属層を同時にエッチングしてパターニングす
る第１エッチング工程と、前記第１フォトレジスト膜の
露光及び現像を行って所定パターンの第２フォトレジス
ト膜を形成し、前記第２フォトレジスト膜を用いて前記
金属層のみをエッチングしてパターニングする第２エッ
チング工程とを有することを特徴とする。
板の製造方法は、上記（１）項から上記（５）項のいず
れかに記載した表示装置用基板の製造方法であって、前
記透明導電層を前記基板上に形成する透明導電層形成工
程と、前記透明導電層上に金属層を積層する金属層積層
工程と、第１フォトレジスト膜を用いて前記透明導電層
及び前記金属層を同時にエッチングしてパターニングす
る第１エッチング工程と、前記第１フォトレジスト膜の
露光及び現像を行って所定パターンの第２フォトレジス
ト膜を形成し、前記第２フォトレジスト膜を用いて前記
金属層のみをエッチングしてパターニングする第２エッ
チング工程とを有することを特徴とする。
【００２８】この構成の製造方法によれば、第１エッチ
ング工程に用いた所定パターンの第１フォトレジスト膜
を露光及び現像することによって形成した第２フォトレ
ジスト膜を用いて、第２エッチング工程によって表示用
電極となる部分の金属層を一部残してエッチングした
後、フォトレジスト膜を除去することによって透明導電
層と金属層とを積層した部分と透明導電層のみの部分と
を備えた表示用電極及び配線のパターンを形成できる。
ング工程に用いた所定パターンの第１フォトレジスト膜
を露光及び現像することによって形成した第２フォトレ
ジスト膜を用いて、第２エッチング工程によって表示用
電極となる部分の金属層を一部残してエッチングした
後、フォトレジスト膜を除去することによって透明導電
層と金属層とを積層した部分と透明導電層のみの部分と
を備えた表示用電極及び配線のパターンを形成できる。
【００２９】このような工程によれば、フォトレジスト
膜の塗布及び除去は１回ずつ実施するのみで、金属層と
透明導電層を部分的に積層したパターンを形成すること
ができる。これは、透明導電層及び金属層を別々にパタ
ーニングする場合にはフォトレジスト膜の塗布とフォト
レジスト膜の除去がそれぞれ２回必要となることに比べ
ると、大幅な工程数の削減となる。また、透明導電層と
金属層とを積層し、それらを１回のエッチングによって
パターニングして配線を形成できる。
膜の塗布及び除去は１回ずつ実施するのみで、金属層と
透明導電層を部分的に積層したパターンを形成すること
ができる。これは、透明導電層及び金属層を別々にパタ
ーニングする場合にはフォトレジスト膜の塗布とフォト
レジスト膜の除去がそれぞれ２回必要となることに比べ
ると、大幅な工程数の削減となる。また、透明導電層と
金属層とを積層し、それらを１回のエッチングによって
パターニングして配線を形成できる。
【００３０】（１１）上記（１０）項に記載した表示装
置用基板の製造方法において、前記表示用電極における
前記金属層は、前記第２エッチング工程によって前記透
明導電層の端部上のみに残されるようにエッチングされ
ることを特徴とする。この構成の製造方法によれば、表
示の明るさを殆ど低下させることなく、電気抵抗を低下
させた表示用電極を大幅に工程数を削減してパターニン
グすることができる。 （１２）上記（１０）項に記載した表示装置用基板の製
造方法において、前記表示用電極における前記金属層
は、前記第２エッチング工程によって前記透明導電層上
に開口部を有するようにエッチングされることを特徴と
する。この構成の製造方法によれば、上記（４）項に記
載した作用効果を有する表示装置用基板を少ない工程数
で製造できる。
置用基板の製造方法において、前記表示用電極における
前記金属層は、前記第２エッチング工程によって前記透
明導電層の端部上のみに残されるようにエッチングされ
ることを特徴とする。この構成の製造方法によれば、表
示の明るさを殆ど低下させることなく、電気抵抗を低下
させた表示用電極を大幅に工程数を削減してパターニン
グすることができる。 （１２）上記（１０）項に記載した表示装置用基板の製
造方法において、前記表示用電極における前記金属層
は、前記第２エッチング工程によって前記透明導電層上
に開口部を有するようにエッチングされることを特徴と
する。この構成の製造方法によれば、上記（４）項に記
載した作用効果を有する表示装置用基板を少ない工程数
で製造できる。
【００３１】（１３） 次に、本発明に係る液晶装置
は、一対の表示装置用基板間に液晶を挟持して成る液晶
装置であって、一方の表示装置用基板は、複数の画素電
極と、該画素電極の個々に付属して形成された複数の２
端子型スイッチング素子とを有し、他方の表示装置用基
板は、前記複数の画素電極に対向してストライプ状に配
列される複数の表示用電極と、該表示用電極につながる
配線とを有し、前記複数の表示用電極は透明な導電層を
含み、前記配線は、前記表示用電極と同一層の透明な導
電層から成る透明導電層と、前記透明導電層より低抵抗
の金属から成る金属層との積層構造を有することを特徴
とする。ここで、上記２端子側スイッチング素子として
は、例えばＴＦＤ（Thin Film Diode）を用いることが
できる。
は、一対の表示装置用基板間に液晶を挟持して成る液晶
装置であって、一方の表示装置用基板は、複数の画素電
極と、該画素電極の個々に付属して形成された複数の２
端子型スイッチング素子とを有し、他方の表示装置用基
板は、前記複数の画素電極に対向してストライプ状に配
列される複数の表示用電極と、該表示用電極につながる
配線とを有し、前記複数の表示用電極は透明な導電層を
含み、前記配線は、前記表示用電極と同一層の透明な導
電層から成る透明導電層と、前記透明導電層より低抵抗
の金属から成る金属層との積層構造を有することを特徴
とする。ここで、上記２端子側スイッチング素子として
は、例えばＴＦＤ（Thin Film Diode）を用いることが
できる。
【００３２】（１４） 次に、本発明に係る液晶装置
は、一対の表示装置用基板間に液晶を挟持して成る液晶
装置であって、一方の表示装置用基板は、複数の画素電
極と、該画素電極の個々に付属して形成された複数の３
端子型スイッチング素子とを有し、他方の表示装置用基
板は、前記複数の画素電極に対向してストライプ状に配
列される複数の表示用電極と、該表示用電極につながる
配線とを有し、前記複数の表示用電極は透明な導電層を
含み、前記配線は、前記表示用電極と同一層の透明な導
電層から成る透明導電層と、前記透明導電層より低抵抗
の金属から成る金属層との積層構造を有することを特徴
とする。ここで、上記３端子側スイッチング素子として
は、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor）を用いるこ
とができる。
は、一対の表示装置用基板間に液晶を挟持して成る液晶
装置であって、一方の表示装置用基板は、複数の画素電
極と、該画素電極の個々に付属して形成された複数の３
端子型スイッチング素子とを有し、他方の表示装置用基
板は、前記複数の画素電極に対向してストライプ状に配
列される複数の表示用電極と、該表示用電極につながる
配線とを有し、前記複数の表示用電極は透明な導電層を
含み、前記配線は、前記表示用電極と同一層の透明な導
電層から成る透明導電層と、前記透明導電層より低抵抗
の金属から成る金属層との積層構造を有することを特徴
とする。ここで、上記３端子側スイッチング素子として
は、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor）を用いるこ
とができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて、図面を参照しながら、さらに具体的に説明す
る。
ついて、図面を参照しながら、さらに具体的に説明す
る。
【００３４】（第１実施形態）図１は、本発明に係る表
示装置としての液晶装置１０を模式的に示す分解斜視図
である。また、図２は、図１に示す液晶装置１０の断面
構造を模式的に示す断面図である。これらの図に示すよ
うに、液晶装置１０は、表示パネルとしての液晶パネル
１４と、液晶パネル１４の背面側に配置される導光板４
４を有するバックライトユニット４０とを有る。また、
液晶装置１０は、液晶パネル１４とバックライトユニッ
ト４０とを保護して所定の位置関係に保つ枠部材（図示
せず）を有する。
示装置としての液晶装置１０を模式的に示す分解斜視図
である。また、図２は、図１に示す液晶装置１０の断面
構造を模式的に示す断面図である。これらの図に示すよ
うに、液晶装置１０は、表示パネルとしての液晶パネル
１４と、液晶パネル１４の背面側に配置される導光板４
４を有するバックライトユニット４０とを有る。また、
液晶装置１０は、液晶パネル１４とバックライトユニッ
ト４０とを保護して所定の位置関係に保つ枠部材（図示
せず）を有する。
【００３５】図２において、液晶パネル１４は、第１パ
ネル基板２０と第２パネル基板３０とを互いに対向して
配置させることによって形成されており、それらのパネ
ル基板はそれらの間に分布させたスペーサ（図示せず）
等によって互いに所定間隔離れて対向する。第１パネル
基板２０は、ガラス、合成樹脂等といった透明材料から
成る基板２１の片面上にストライプ状の表示用電極２２
を形成して成る表示面側の表示装置用基板として作用す
る。
ネル基板２０と第２パネル基板３０とを互いに対向して
配置させることによって形成されており、それらのパネ
ル基板はそれらの間に分布させたスペーサ（図示せず）
等によって互いに所定間隔離れて対向する。第１パネル
基板２０は、ガラス、合成樹脂等といった透明材料から
成る基板２１の片面上にストライプ状の表示用電極２２
を形成して成る表示面側の表示装置用基板として作用す
る。
【００３６】また、第２パネル基板３０は、ガラス、合
成樹脂等といった透明材料から成る基板３１の片面上に
ストライプ状の表示用電極３２を形成して成る表示装置
用基板として作用する。第１パネル基板２０の表示用電
極２２と第２パネル基板３０の表示用電極３２とは互い
に格子状を成すように対向して、いわゆる単純マトリク
ス方の液晶パネルを構成している。
成樹脂等といった透明材料から成る基板３１の片面上に
ストライプ状の表示用電極３２を形成して成る表示装置
用基板として作用する。第１パネル基板２０の表示用電
極２２と第２パネル基板３０の表示用電極３２とは互い
に格子状を成すように対向して、いわゆる単純マトリク
ス方の液晶パネルを構成している。
【００３７】これら一対のパネル基板２０及び３０の周
縁にはシール材１９が図２の矢印Ａ方向から見てほぼ矩
形状に配置され、２つのパネル基板２０及び３０がこの
シール材１９によって貼り合わされる。シール材１９の
内部には粒子状の上下導通材２６が混入され、第２パネ
ル基板３０上の配線３６が、この導通材２６を介して、
第１パネル基板２０上の表示用電極２２に連続する配線
２４が導電接続される。これにより、端子３９から入力
した電圧を表示用電極２２に印加することができる。
縁にはシール材１９が図２の矢印Ａ方向から見てほぼ矩
形状に配置され、２つのパネル基板２０及び３０がこの
シール材１９によって貼り合わされる。シール材１９の
内部には粒子状の上下導通材２６が混入され、第２パネ
ル基板３０上の配線３６が、この導通材２６を介して、
第１パネル基板２０上の表示用電極２２に連続する配線
２４が導電接続される。これにより、端子３９から入力
した電圧を表示用電極２２に印加することができる。
【００３８】シール材１９によって囲まれた第１パネル
基板２０及び第２パネル基板３０の間の間隙にはシール
材１９の一部に設けられた液晶注入口（図示せず）を通
して液晶、例えばＳＴＮ型の液晶１８が充填される。こ
の液晶注入口は、液晶注入の処理後に封止材（図示せ
ず）によって封止される。
基板２０及び第２パネル基板３０の間の間隙にはシール
材１９の一部に設けられた液晶注入口（図示せず）を通
して液晶、例えばＳＴＮ型の液晶１８が充填される。こ
の液晶注入口は、液晶注入の処理後に封止材（図示せ
ず）によって封止される。
【００３９】第１パネル基板２０の外側には第１偏光板
１６が配置され、第２パネル基板３０の外側には第２偏
光板１７が配置される。また、第１偏光板１６と第１パ
ネル基板２０との間には位相差板１２が配置される。こ
の位相差板１２は、第２偏光板１７と第２パネル基板３
０との間に配置したり、あるいは、第１パネル基板２０
及び第２パネル基板３０の両方に配置したりしても構わ
ない。
１６が配置され、第２パネル基板３０の外側には第２偏
光板１７が配置される。また、第１偏光板１６と第１パ
ネル基板２０との間には位相差板１２が配置される。こ
の位相差板１２は、第２偏光板１７と第２パネル基板３
０との間に配置したり、あるいは、第１パネル基板２０
及び第２パネル基板３０の両方に配置したりしても構わ
ない。
【００４０】また、液晶パネル１４は、第２パネル基板
３０が第１パネル基板２０より張り出した張り出し領域
３８に複数の端子３９を備えている。各端子３９には図
１に示した配線基板６４、例えば可撓性基板の対応する
端子が接続される。配線基板６４には液晶パネル１４の
表示用電極２２，３２（図２参照）をそれぞれ駆動する
駆動用ＩＣ（図示せず）が実装され、この駆動用ＩＣの
出力端子に接続された配線基板６４の端子と、第２パネ
ル基板３０に形成された端子３９とが接続されて各表示
用電極２２，３２に駆動電圧が印加される。
３０が第１パネル基板２０より張り出した張り出し領域
３８に複数の端子３９を備えている。各端子３９には図
１に示した配線基板６４、例えば可撓性基板の対応する
端子が接続される。配線基板６４には液晶パネル１４の
表示用電極２２，３２（図２参照）をそれぞれ駆動する
駆動用ＩＣ（図示せず）が実装され、この駆動用ＩＣの
出力端子に接続された配線基板６４の端子と、第２パネ
ル基板３０に形成された端子３９とが接続されて各表示
用電極２２，３２に駆動電圧が印加される。
【００４１】この液晶パネル１４においては、第１パネ
ル基板２０に形成された複数の表示用電極２２と、第２
パネル基板３０の表示用電極３２とのそれぞれに供給さ
れる信号の差電圧が液晶１８に印加されて、液晶分子の
配向が制御され、表示がオン状態あるいはオフ状態とさ
れる。
ル基板２０に形成された複数の表示用電極２２と、第２
パネル基板３０の表示用電極３２とのそれぞれに供給さ
れる信号の差電圧が液晶１８に印加されて、液晶分子の
配向が制御され、表示がオン状態あるいはオフ状態とさ
れる。
【００４２】なお、第１パネル基板２０又は第２パネル
基板３０に駆動用ＩＣの実装領域を設けて、駆動用ＩＣ
を第１パネル基板２０又は第２パネル基板３０にＣＯＧ
（Chip On Glass）実装し、可撓性基板を介してパネル
基板上の駆動用ＩＣに信号や電圧を供給するようにして
も構わない。
基板３０に駆動用ＩＣの実装領域を設けて、駆動用ＩＣ
を第１パネル基板２０又は第２パネル基板３０にＣＯＧ
（Chip On Glass）実装し、可撓性基板を介してパネル
基板上の駆動用ＩＣに信号や電圧を供給するようにして
も構わない。
【００４３】また、図２においては、一対のパネル基板
２０，３０の間を広く離して描いてあるが、これは図示
を明確化するためであり、実際には、一対のパネル基板
２０，３０は数μｍから十数μｍの狭いギャップを隔て
て対向する。また、第１偏光板１６及び位相差板１２が
第１パネル基板２０から離して描かれ、第２偏光板１７
が第２パネル基板３０から離して描かれているが、実際
には、位相差板１２は第１パネル基板２０にほぼ接する
状態であり、第２偏光板１７は第２パネル基板３０にほ
ぼ接する状態であり、さらに、第１偏光板１６は位相差
板１２にほぼ接する状態となっている。さらに、ストラ
イプ状の表示用電極２２，３２は数本しか描かれていな
いが、実際にはマトリクス表示の分解能に対応して、そ
れぞれ多数のストライプ状電極として設けられる。
２０，３０の間を広く離して描いてあるが、これは図示
を明確化するためであり、実際には、一対のパネル基板
２０，３０は数μｍから十数μｍの狭いギャップを隔て
て対向する。また、第１偏光板１６及び位相差板１２が
第１パネル基板２０から離して描かれ、第２偏光板１７
が第２パネル基板３０から離して描かれているが、実際
には、位相差板１２は第１パネル基板２０にほぼ接する
状態であり、第２偏光板１７は第２パネル基板３０にほ
ぼ接する状態であり、さらに、第１偏光板１６は位相差
板１２にほぼ接する状態となっている。さらに、ストラ
イプ状の表示用電極２２，３２は数本しか描かれていな
いが、実際にはマトリクス表示の分解能に対応して、そ
れぞれ多数のストライプ状電極として設けられる。
【００４４】図１において、バックライトユニット４０
は、光源としての蛍光管５０、導光板４４、光拡散板で
あるレンズシート４２、バックライト固定枠５６及びリ
フレクタ６０を有する。蛍光管５０には接続部５１を介
してインバータ（図示せず）の出力端子が接続され、こ
のインバータによって蛍光管５０に所定電圧が印加され
る。
は、光源としての蛍光管５０、導光板４４、光拡散板で
あるレンズシート４２、バックライト固定枠５６及びリ
フレクタ６０を有する。蛍光管５０には接続部５１を介
してインバータ（図示せず）の出力端子が接続され、こ
のインバータによって蛍光管５０に所定電圧が印加され
る。
【００４５】導光板４４は例えば透明な合成樹脂によっ
て構成され、その端面４５にほぼ接する状態で光源とし
ての蛍光管５０が配置される。蛍光管５０からの光は端
面４５から導光板４４へ入ってその内部を伝播し、液晶
パネル１４に対面する光出射面から出射してその液晶パ
ネル１４の表示領域の全域を照明する。導光板４４は、
液晶パネル１４の基板張り出し領域３８を除く、液晶パ
ネル１４の平面形状にほぼ対応した平面形状を有する。
て構成され、その端面４５にほぼ接する状態で光源とし
ての蛍光管５０が配置される。蛍光管５０からの光は端
面４５から導光板４４へ入ってその内部を伝播し、液晶
パネル１４に対面する光出射面から出射してその液晶パ
ネル１４の表示領域の全域を照明する。導光板４４は、
液晶パネル１４の基板張り出し領域３８を除く、液晶パ
ネル１４の平面形状にほぼ対応した平面形状を有する。
【００４６】導光板４４は、蛍光管５０の側において厚
さが厚いくさび状の断面形状に形成されている。導光板
４４がこのような形状を備えることにより、導光板４４
から液晶パネル１４に向けて放射される光の光量は蛍光
管５０の付近と蛍光管５０から離れた位置とで均一化さ
れる。
さが厚いくさび状の断面形状に形成されている。導光板
４４がこのような形状を備えることにより、導光板４４
から液晶パネル１４に向けて放射される光の光量は蛍光
管５０の付近と蛍光管５０から離れた位置とで均一化さ
れる。
【００４７】レンズシート４２は、導光板４４の前面側
に配置され、導光板４４から出射された光を拡散するこ
とによって均一な光を液晶パネル１４の表示領域の全域
に照射する。そして、リフレクタ６０は、蛍光管５０の
周囲を導光板４４の側を除いて覆い、蛍光管５０からの
光を導光板４４へ向けて反射する。なお、図１において
は、蛍光管５０がリフレクタ６０の外に出ているように
図示されているが、実際は、蛍光管５０はリフレクタ６
０の内部に納められるように組み立てられる。バックラ
イトユニット４０の蛍光管５０には、図示しないインバ
ータによって電力が供給される。具体的には、このイン
バータは、例えば、入力された５Ｖの直流電圧を２５０
Ｖ、１００ｋＨｚの交流電圧として出力して蛍光管５０
に供給する。なお、蛍光管５０に代えてＬＥＤを光源と
して用い、導光板４４の側面にＬＥＤを配置するように
構成しても構わない。
に配置され、導光板４４から出射された光を拡散するこ
とによって均一な光を液晶パネル１４の表示領域の全域
に照射する。そして、リフレクタ６０は、蛍光管５０の
周囲を導光板４４の側を除いて覆い、蛍光管５０からの
光を導光板４４へ向けて反射する。なお、図１において
は、蛍光管５０がリフレクタ６０の外に出ているように
図示されているが、実際は、蛍光管５０はリフレクタ６
０の内部に納められるように組み立てられる。バックラ
イトユニット４０の蛍光管５０には、図示しないインバ
ータによって電力が供給される。具体的には、このイン
バータは、例えば、入力された５Ｖの直流電圧を２５０
Ｖ、１００ｋＨｚの交流電圧として出力して蛍光管５０
に供給する。なお、蛍光管５０に代えてＬＥＤを光源と
して用い、導光板４４の側面にＬＥＤを配置するように
構成しても構わない。
【００４８】バックライト固定枠５６は、底面部５７を
備え、バックライトユニット４０を背面側から固定す
る。また、バックライト固定枠５６は、底面部５７から
立てて設けられた複数の位置決め部５８を有する。これ
らの位置決め部５８は、導光板４４の対応する端面４
６，４７の形状に合わせた形状を持ち、しかも導光板４
４の端面４６，４７に当接するように形成されており、
それによって導光板４４を底面部５７とほぼ平行な面内
の所定位置に位置決めする。
備え、バックライトユニット４０を背面側から固定す
る。また、バックライト固定枠５６は、底面部５７から
立てて設けられた複数の位置決め部５８を有する。これ
らの位置決め部５８は、導光板４４の対応する端面４
６，４７の形状に合わせた形状を持ち、しかも導光板４
４の端面４６，４７に当接するように形成されており、
それによって導光板４４を底面部５７とほぼ平行な面内
の所定位置に位置決めする。
【００４９】また、複数の位置決め部５８は、導光板４
４の端面のうち蛍光管５０が配置されていない端面４
６，４７をそれぞれほぼ密着して覆う平面状に形成され
ている。そして、それらの位置決め部５８及び底面部５
７の導光板４４に面する側は、十分な光反射率を備えて
形成されているため、蛍光管５０からの光を高い効率で
利用することができる。なお、バックライト固定枠５６
には、前述したリフレクタ６０が一体になるように形成
されている。
４の端面のうち蛍光管５０が配置されていない端面４
６，４７をそれぞれほぼ密着して覆う平面状に形成され
ている。そして、それらの位置決め部５８及び底面部５
７の導光板４４に面する側は、十分な光反射率を備えて
形成されているため、蛍光管５０からの光を高い効率で
利用することができる。なお、バックライト固定枠５６
には、前述したリフレクタ６０が一体になるように形成
されている。
【００５０】図３は、第１パネル基板２０を前面側から
見た状態を模式的に示す平面図であり、表示用電極２２
等を透視した状態として示している。また、図４は、第
２パネル基板３０を前面側から見た状態を模式的に示す
平面図である。図１に示す液晶パネル１４を表示面側か
ら見た状態では、図３に示した第１パネル基板２０の背
面側に図４に示した第２パネル基板３０が重ね合わさ
れ、それらの基板の位置関係は、第２パネル基板３０の
張り出し領域３８が第１パネル基板２０の外側へ張り出
すように設定される。なお、図２に示した液晶パネルの
模式的な断面構造は、図３及び図４に示したＳ−Ｓ線に
従った断面構造である。
見た状態を模式的に示す平面図であり、表示用電極２２
等を透視した状態として示している。また、図４は、第
２パネル基板３０を前面側から見た状態を模式的に示す
平面図である。図１に示す液晶パネル１４を表示面側か
ら見た状態では、図３に示した第１パネル基板２０の背
面側に図４に示した第２パネル基板３０が重ね合わさ
れ、それらの基板の位置関係は、第２パネル基板３０の
張り出し領域３８が第１パネル基板２０の外側へ張り出
すように設定される。なお、図２に示した液晶パネルの
模式的な断面構造は、図３及び図４に示したＳ−Ｓ線に
従った断面構造である。
【００５１】図３において、第１パネル基板２０は、基
板２１上に所定パターンとして形成された表示用電極２
２と、各表示用電極２２から延びる配線２４とを有す
る。この表示用電極２２は、走査電極又は信号電極の一
方として機能する。また、配線２４の端部は、上下導通
材２６（図２参照）が接続されるための端子であるパッ
ド２５として形成されている。
板２１上に所定パターンとして形成された表示用電極２
２と、各表示用電極２２から延びる配線２４とを有す
る。この表示用電極２２は、走査電極又は信号電極の一
方として機能する。また、配線２４の端部は、上下導通
材２６（図２参照）が接続されるための端子であるパッ
ド２５として形成されている。
【００５２】図４において、第２パネル基板３０は表示
用電極３２、配線３４及び配線３６を有する。複数の表
示用電極３２は、基板３１上に所定のパターンとして並
行して形成されている。この表示用電極３２は、走査電
極及び信号電極の他方として機能する。配線３４は、各
表示用電極３２から続いており、基板３１の周縁部に沿
って引き回されて、その一端が第２パネル基板３０の張
り出し領域３８まで延びて端子３９となっている。張り
出し領域３８は平面視において、対向する第１パネル基
板２０からはみ出す領域となっている。
用電極３２、配線３４及び配線３６を有する。複数の表
示用電極３２は、基板３１上に所定のパターンとして並
行して形成されている。この表示用電極３２は、走査電
極及び信号電極の他方として機能する。配線３４は、各
表示用電極３２から続いており、基板３１の周縁部に沿
って引き回されて、その一端が第２パネル基板３０の張
り出し領域３８まで延びて端子３９となっている。張り
出し領域３８は平面視において、対向する第１パネル基
板２０からはみ出す領域となっている。
【００５３】配線３６の一方の端部３７は上下導通材２
６に接続するための接続端子であるパッドとして形成さ
れ、第１パネル基板２０上に形成された配線２４の端部
の接続端子であるパッド２５と上記のパッド３７が上下
導通材２６を介して互いに導電接続される。この上下導
通材２６は図２に示すようにシール材１９に混入された
導電性粒子である。また、配線３６の他方の端部も張り
出し領域３８まで延びて入力端子３９を形成している。
６に接続するための接続端子であるパッドとして形成さ
れ、第１パネル基板２０上に形成された配線２４の端部
の接続端子であるパッド２５と上記のパッド３７が上下
導通材２６を介して互いに導電接続される。この上下導
通材２６は図２に示すようにシール材１９に混入された
導電性粒子である。また、配線３６の他方の端部も張り
出し領域３８まで延びて入力端子３９を形成している。
【００５４】各端子３９は配線３４，３６の一部として
形成されており、対応する表示用電極２２，３２に導通
する。なお、第１パネル基板２０の表示用電極２２は、
第１パネル基板２０に形成された配線２４と、上下導通
材２６と、第２パネル基板３０に形成された配線３６と
を介して対応する入力端子３９に接続されている。
形成されており、対応する表示用電極２２，３２に導通
する。なお、第１パネル基板２０の表示用電極２２は、
第１パネル基板２０に形成された配線２４と、上下導通
材２６と、第２パネル基板３０に形成された配線３６と
を介して対応する入力端子３９に接続されている。
【００５５】図３において、表示用電極２２等が形成さ
れた基板２１の表面には、表示用電極２２等を覆って例
えばポリイミドから成る配向膜（図示せず）が塗布さ
れ、さらにその配向膜が所定角度にラビング処理され
る。また、図４において、表示用電極３２等が形成され
た基板３１の表面には、表示用電極３２等を覆って例え
ばポリイミドから成る配向膜（図示せず）が塗布され、
さらにその配向膜が所定角度にラビング処理される。
れた基板２１の表面には、表示用電極２２等を覆って例
えばポリイミドから成る配向膜（図示せず）が塗布さ
れ、さらにその配向膜が所定角度にラビング処理され
る。また、図４において、表示用電極３２等が形成され
た基板３１の表面には、表示用電極３２等を覆って例え
ばポリイミドから成る配向膜（図示せず）が塗布され、
さらにその配向膜が所定角度にラビング処理される。
【００５６】図５は、第２パネル基板３０における一本
の表示用電極３２と、その表示用電極３２から連続する
配線３４とを拡大して模式的に平面図として示してい
る。また、図６（Ａ）は図５のＦ−Ｆ線に従って配線３
４の断面構造を模式的に示し、図６（Ｂ）は図５のＧ−
Ｇ線に従って表示用電極３２の断面構造を模式的に示し
ている。
の表示用電極３２と、その表示用電極３２から連続する
配線３４とを拡大して模式的に平面図として示してい
る。また、図６（Ａ）は図５のＦ−Ｆ線に従って配線３
４の断面構造を模式的に示し、図６（Ｂ）は図５のＧ−
Ｇ線に従って表示用電極３２の断面構造を模式的に示し
ている。
【００５７】図５において、表示用電極３２及び配線３
４に斜線を施した領域７２は、その表面がアルミニウム
等といった低抵抗な金属から成る金属層であることを示
している。表示用電極３２において斜線が施されていな
い領域７０は、その表面がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）
等といった透明導電膜から成る透明導電層であることを
示している。
４に斜線を施した領域７２は、その表面がアルミニウム
等といった低抵抗な金属から成る金属層であることを示
している。表示用電極３２において斜線が施されていな
い領域７０は、その表面がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）
等といった透明導電膜から成る透明導電層であることを
示している。
【００５８】図６（Ａ）及び図６（Ｂ）からも明らかな
ように、配線３４及び表示用電極３２は、ＩＴＯから成
る透明導電層７０と、この透明導電層７０よりも低抵抗
な金属層７２との積層によって形成されている。なお、
表示用電極３２においては、透明導電層７０は表示用電
極３２の全幅にわたって形成されているが、金属層７２
は透明導電層７０の幅方向の一方の縁部上に透明導電層
７０の幅に比べて遥かに狭い幅で形成されている。
ように、配線３４及び表示用電極３２は、ＩＴＯから成
る透明導電層７０と、この透明導電層７０よりも低抵抗
な金属層７２との積層によって形成されている。なお、
表示用電極３２においては、透明導電層７０は表示用電
極３２の全幅にわたって形成されているが、金属層７２
は透明導電層７０の幅方向の一方の縁部上に透明導電層
７０の幅に比べて遥かに狭い幅で形成されている。
【００５９】一方、配線３４においては、透明導電層７
０及び金属層７２のいずれも配線３４の全幅にわたって
おり、互いにほぼ同一幅で形成されている。これによ
り、一般的には表示用電極３２に比べて遥かに細い幅に
形成される配線３４の電気抵抗を十分に小さくすること
ができる。なお、図示はしないが、第２パネル基板３０
に形成される他の配線３６も、図６（Ａ）に示す配線３
４と同様な構造、すなわち透明導電層７０と金属層７２
とがほぼ同一幅で積層された構造にすることができる。
０及び金属層７２のいずれも配線３４の全幅にわたって
おり、互いにほぼ同一幅で形成されている。これによ
り、一般的には表示用電極３２に比べて遥かに細い幅に
形成される配線３４の電気抵抗を十分に小さくすること
ができる。なお、図示はしないが、第２パネル基板３０
に形成される他の配線３６も、図６（Ａ）に示す配線３
４と同様な構造、すなわち透明導電層７０と金属層７２
とがほぼ同一幅で積層された構造にすることができる。
【００６０】また、図４に示す第２パネル基板３０に対
向する図３に示す第１パネル基板２０に形成される配線
２４及び表示用電極２２も、図５及び図６に示す配線３
４及び表示用電極３２と同様に、ＩＴＯ等から成る透明
導電層７０とアルミニウム等から成る金属層７２との積
層構造とすることができる。
向する図３に示す第１パネル基板２０に形成される配線
２４及び表示用電極２２も、図５及び図６に示す配線３
４及び表示用電極３２と同様に、ＩＴＯ等から成る透明
導電層７０とアルミニウム等から成る金属層７２との積
層構造とすることができる。
【００６１】以上のように、本実施形態の第１パネル基
板２０及び第２パネル基板３０、すなわち表示装置用基
板においては、図３における配線２４及び図４における
配線３４及び配線３６が、透明導電層７０と金属層７２
との積層構造を有するため、それらの配線２４，３４，
３６を透明導電層７０のみによって形成する場合に比
べ、それらの配線２４，３４，３６の電気抵抗を低下さ
せることができる。従って、本実施形態に係るパネル基
板２０，３０を用いた液晶装置１０は、配線２４，３
４，３６における電圧降下のために表示品質が低下する
可能性が低い。
板２０及び第２パネル基板３０、すなわち表示装置用基
板においては、図３における配線２４及び図４における
配線３４及び配線３６が、透明導電層７０と金属層７２
との積層構造を有するため、それらの配線２４，３４，
３６を透明導電層７０のみによって形成する場合に比
べ、それらの配線２４，３４，３６の電気抵抗を低下さ
せることができる。従って、本実施形態に係るパネル基
板２０，３０を用いた液晶装置１０は、配線２４，３
４，３６における電圧降下のために表示品質が低下する
可能性が低い。
【００６２】さらに、表示用電極２２，２３の電気抵抗
を小さくするために透明導電層７０の膜厚を厚くする必
要がないため、表示用電極２２，３２の光透過率を高く
することができる。なお、表示用電極２２，３２におい
ては、透明導電層７０は表示用電極２２等の全幅にわた
って形成されているが、金属層７２は透明導電層７０の
幅に比べて遥かに狭い幅で形成されているため、金属層
７２の存在によって表示の明るさを殆ど低下させること
なく、表示用電極２２，３２の電気抵抗を低下させるこ
とができる。
を小さくするために透明導電層７０の膜厚を厚くする必
要がないため、表示用電極２２，３２の光透過率を高く
することができる。なお、表示用電極２２，３２におい
ては、透明導電層７０は表示用電極２２等の全幅にわた
って形成されているが、金属層７２は透明導電層７０の
幅に比べて遥かに狭い幅で形成されているため、金属層
７２の存在によって表示の明るさを殆ど低下させること
なく、表示用電極２２，３２の電気抵抗を低下させるこ
とができる。
【００６３】なお、図３の第１パネル基板２０について
は、配線２４の長さが短いので配線２４及び表示用電極
２２はＩＴＯによる透明導電層７０のみで形成しても良
い。また、図４の配線３６についても、その長さが短い
ので、ＩＴＯによる透明導電層７０のみで形成するよう
にしても良い。
は、配線２４の長さが短いので配線２４及び表示用電極
２２はＩＴＯによる透明導電層７０のみで形成しても良
い。また、図４の配線３６についても、その長さが短い
ので、ＩＴＯによる透明導電層７０のみで形成するよう
にしても良い。
【００６４】ところで、図３において、表示用電極２２
を構成する透明導電層７０は配線２４を構成する透明導
電層７０と同時に形成されることが多い。また、図４に
おいて、表示用電極３２を構成する透明導電層７０は配
線３４及び配線３６を構成する透明導電層７０と同時に
形成されることが多い。本実施形態では、配線２４，３
４，３６が透明導電層７０と金属層７２との２層構造と
なっているため、配線２４，３４，３６の電気抵抗を小
さくするために透明導電層７０の膜厚を厚くする必要が
なく、従って、配線２４の透明導電層７０と同時に形成
される表示用電極２２の透明導電層７０や、配線３４及
び配線３６の透明導電層７０と同時に形成される表示用
電極３２が必要以上に厚くなることがない。それ故、透
明導電層７０を厚くすることのみによって配線２４，３
４，３６の電気抵抗を小さくする場合に比べて、図３の
表示用電極２２及び図４の表示用電極３２の光透過率を
高くすることができる。
を構成する透明導電層７０は配線２４を構成する透明導
電層７０と同時に形成されることが多い。また、図４に
おいて、表示用電極３２を構成する透明導電層７０は配
線３４及び配線３６を構成する透明導電層７０と同時に
形成されることが多い。本実施形態では、配線２４，３
４，３６が透明導電層７０と金属層７２との２層構造と
なっているため、配線２４，３４，３６の電気抵抗を小
さくするために透明導電層７０の膜厚を厚くする必要が
なく、従って、配線２４の透明導電層７０と同時に形成
される表示用電極２２の透明導電層７０や、配線３４及
び配線３６の透明導電層７０と同時に形成される表示用
電極３２が必要以上に厚くなることがない。それ故、透
明導電層７０を厚くすることのみによって配線２４，３
４，３６の電気抵抗を小さくする場合に比べて、図３の
表示用電極２２及び図４の表示用電極３２の光透過率を
高くすることができる。
【００６５】さらに、本実施形態の液晶装置用基板で
は、透明導電層７０を厚くすることのみによって図３の
配線２４及び図４の配線３４，３６の電気抵抗を小さく
する場合に比べ、図３の表示用電極２２及び配線２４に
用いられている透明導電層７０の厚さを薄くでき、さら
に図４の表示用電極３２及び配線３４，３６の透明導電
層７０の厚さを薄くできる。このため、パネル基板２
０，３０の形成に要する時間を短縮することができる。
は、透明導電層７０を厚くすることのみによって図３の
配線２４及び図４の配線３４，３６の電気抵抗を小さく
する場合に比べ、図３の表示用電極２２及び配線２４に
用いられている透明導電層７０の厚さを薄くでき、さら
に図４の表示用電極３２及び配線３４，３６の透明導電
層７０の厚さを薄くできる。このため、パネル基板２
０，３０の形成に要する時間を短縮することができる。
【００６６】以下、図３に示す第１パネル基板２０及び
図４に示す第２パネル基板３０の製造方法を実施形態を
挙げて説明する。
図４に示す第２パネル基板３０の製造方法を実施形態を
挙げて説明する。
【００６７】第１パネル基板２０及び第２パネル基板３
０において透明導電層と金属層とを積層して成る表示用
電極及び配線は、透明導電層形成工程と、金属層積層工
程と、第１フォトレジスト膜形成工程と、第１エッチン
グ工程と、第２フォトレジスト膜形成工程と、第２エッ
チング工程といった各種工程を含んで製造される。
０において透明導電層と金属層とを積層して成る表示用
電極及び配線は、透明導電層形成工程と、金属層積層工
程と、第１フォトレジスト膜形成工程と、第１エッチン
グ工程と、第２フォトレジスト膜形成工程と、第２エッ
チング工程といった各種工程を含んで製造される。
【００６８】なお、第２パネル基板３０に対する製造工
程を説明する模式的な断面図である図７（Ａ）〜図７
（Ｅ）においては、図７（Ａ）が透明導電層形成工程及
び金属層積層工程を示し、図７（Ｂ）が第１フォトレジ
スト膜形成工程を示し、図７（Ｃ）が第１エッチング工
程を示し、図７（Ｄ）が第２フォトレジスト膜形成工程
を示し、図７（Ｅ）が第２エッチング工程を示してい
る。また、図７（Ａ）〜図７（Ｅ）では、左側に表示用
電極３２の製造工程を示し、右側に配線３４の製造工程
を示している。また、表示用電極３２及び配線３４の、
それぞれ１本ずつのみの製造工程を示しているが、実際
には多数が同時に形成される。
程を説明する模式的な断面図である図７（Ａ）〜図７
（Ｅ）においては、図７（Ａ）が透明導電層形成工程及
び金属層積層工程を示し、図７（Ｂ）が第１フォトレジ
スト膜形成工程を示し、図７（Ｃ）が第１エッチング工
程を示し、図７（Ｄ）が第２フォトレジスト膜形成工程
を示し、図７（Ｅ）が第２エッチング工程を示してい
る。また、図７（Ａ）〜図７（Ｅ）では、左側に表示用
電極３２の製造工程を示し、右側に配線３４の製造工程
を示している。また、表示用電極３２及び配線３４の、
それぞれ１本ずつのみの製造工程を示しているが、実際
には多数が同時に形成される。
【００６９】まず、図７（Ａ）に示す透明導電層形成工
程において、例えば、ガラス等の透明材料から成る透明
な基板３１上にスパッタリング等によって、例えばＩＴ
Ｏから成る透明導電層７０を形成する。次に、同じく図
７（Ａ）に示す金属層積層工程において、透明導電層７
０上に、例えばアルミニウムから成る金属層７２を積層
する。
程において、例えば、ガラス等の透明材料から成る透明
な基板３１上にスパッタリング等によって、例えばＩＴ
Ｏから成る透明導電層７０を形成する。次に、同じく図
７（Ａ）に示す金属層積層工程において、透明導電層７
０上に、例えばアルミニウムから成る金属層７２を積層
する。
【００７０】そして、図７（Ｂ）に示す第１フォトレジ
スト膜形成工程において、フォトレジスト膜を塗布し、
露光し、さらに現像して、表示用電極３２及び配線３４
のパターンに対応する所定パターンの第１フォトレジス
ト膜７４を形成する。
スト膜形成工程において、フォトレジスト膜を塗布し、
露光し、さらに現像して、表示用電極３２及び配線３４
のパターンに対応する所定パターンの第１フォトレジス
ト膜７４を形成する。
【００７１】次に、図７（Ｃ）に示す第１エッチング工
程おいて、第１フォトレジスト膜７４を用いて、透明導
電層７０及び金属層７２を同時にエッチングして、それ
らを表示用電極３２及び配線用電極３４の平面視におけ
る形状にパターニングする。そして、図７（Ｄ）に示す
第２フォトレジスト膜形成工程において、表示用電極３
２が形成される領域に、金属層７２の上に残った第１フ
ォトレジスト膜７４に対して再び露光及び現像を行っ
て、透明導電層７０が形成される領域のフォトレジスト
膜を取り除いた所定パターンの第２フォトレジスト膜７
６を形成する。なお、第２フォトレジスト膜７６におい
て、配線３４が形成される領域においては、フォトレジ
スト膜はそのまま残されている。
程おいて、第１フォトレジスト膜７４を用いて、透明導
電層７０及び金属層７２を同時にエッチングして、それ
らを表示用電極３２及び配線用電極３４の平面視におけ
る形状にパターニングする。そして、図７（Ｄ）に示す
第２フォトレジスト膜形成工程において、表示用電極３
２が形成される領域に、金属層７２の上に残った第１フ
ォトレジスト膜７４に対して再び露光及び現像を行っ
て、透明導電層７０が形成される領域のフォトレジスト
膜を取り除いた所定パターンの第２フォトレジスト膜７
６を形成する。なお、第２フォトレジスト膜７６におい
て、配線３４が形成される領域においては、フォトレジ
スト膜はそのまま残されている。
【００７２】次に、図７（Ｅ）に示す第２エッチング工
程において、第２フォトレジスト７６を用いて表示用電
極３２に対応する領域における金属層７２の一部のみを
エッチングしてパターニングする。このエッチングは、
第１エッチング工程とは異なるエッチングレートで行わ
れ、透明導電層７０を殆どエッチングすることなく、金
属層７２の一部をエッチングする。
程において、第２フォトレジスト７６を用いて表示用電
極３２に対応する領域における金属層７２の一部のみを
エッチングしてパターニングする。このエッチングは、
第１エッチング工程とは異なるエッチングレートで行わ
れ、透明導電層７０を殆どエッチングすることなく、金
属層７２の一部をエッチングする。
【００７３】最後に、第２フォトレジスト膜７６を、例
えばアッシングによって除去することにより、図６
（Ａ）及び図６（Ｂ）に示した配線３４及び表示用電極
３２が形成される。
えばアッシングによって除去することにより、図６
（Ａ）及び図６（Ｂ）に示した配線３４及び表示用電極
３２が形成される。
【００７４】以上の説明のように、本実施形態に係るパ
ネル基板の製造方法によれば、図７（Ｃ）に示す第１エ
ッチング工程に用いた所定パターンの第１フォトレジス
ト膜７４を再び露光及び現像することによって形成した
第２フォトレジスト膜７６を用いて、図７（Ｄ）に示す
第２エッチング工程によって表示用電極３２となる部分
の金属層７２を一部残してエッチングした後、第２フォ
トレジスト膜７６を除去することによって、透明導電層
７０と幅の細い金属層７２とを備えた表示用電極３２を
形成できる。
ネル基板の製造方法によれば、図７（Ｃ）に示す第１エ
ッチング工程に用いた所定パターンの第１フォトレジス
ト膜７４を再び露光及び現像することによって形成した
第２フォトレジスト膜７６を用いて、図７（Ｄ）に示す
第２エッチング工程によって表示用電極３２となる部分
の金属層７２を一部残してエッチングした後、第２フォ
トレジスト膜７６を除去することによって、透明導電層
７０と幅の細い金属層７２とを備えた表示用電極３２を
形成できる。
【００７５】このような工程によれば、フォトレジスト
膜の塗布及び除去は１回ずつ実施するのみで、幅の細い
金属層７２を備えた表示用電極３２を形成することがで
きる。これは、透明導電層７０及び金属層７２を別々に
パターニングする場合にはフォトレジスト膜の塗布とフ
ォトレジスト膜の除去がそれぞれ２回必要となることに
比べると、大幅な工程数の削減となる。
膜の塗布及び除去は１回ずつ実施するのみで、幅の細い
金属層７２を備えた表示用電極３２を形成することがで
きる。これは、透明導電層７０及び金属層７２を別々に
パターニングする場合にはフォトレジスト膜の塗布とフ
ォトレジスト膜の除去がそれぞれ２回必要となることに
比べると、大幅な工程数の削減となる。
【００７６】また、本実施形態に係るパネル基板の製造
方法によれば、透明導電層７０と金属層７２とを積層
し、それらを１回のエッチングによってパターニングし
て配線３４を形成できる。
方法によれば、透明導電層７０と金属層７２とを積層
し、それらを１回のエッチングによってパターニングし
て配線３４を形成できる。
【００７７】なお、上記においては、第２パネル基板３
０の表示用電極３２及び配線３４を例に挙げて本発明に
係るパネル基板の製造方法を説明したが、配線３６につ
いても配線３４と同一工程で透明導電層と金属層との積
層構造から成る配線を形成することができる。また、図
３に示す第１パネル基板２０の表示用電極２２及び配線
２４についても、表示用電極及び配線のパターン形状は
異なるものの、第２パネル基板３０と同様な製造方法で
形成することができる。
０の表示用電極３２及び配線３４を例に挙げて本発明に
係るパネル基板の製造方法を説明したが、配線３６につ
いても配線３４と同一工程で透明導電層と金属層との積
層構造から成る配線を形成することができる。また、図
３に示す第１パネル基板２０の表示用電極２２及び配線
２４についても、表示用電極及び配線のパターン形状は
異なるものの、第２パネル基板３０と同様な製造方法で
形成することができる。
【００７８】また、本実施形態においては、図６（Ｂ）
に示すように表示用電極３２を構成する透明導電層７０
上の金属層７２は透明導電層７０の端部のみによって配
置されているが、表示用電極の光透過率において問題が
無ければ、金属層７２の配置位置は透明導電層７０の端
部でなくても良く、例えば中央部付近でも構わない。 （第２実施形態）前述した第１実施形態では、パネル基
板すなわち表示装置用基板を用いて透過型の液晶装置を
形成する場合を例示した。これに対し本実施形態では、
第１実施形態における一方のパネル基板、例えば第２パ
ネル基板３０に代えて、表示用電極の金属層がスリット
を備える構造のパネル基板を用いる点において第１実施
形態と異なっている。それ以外の点については、第１実
施形態と同様に構成されており、それらの点についての
説明は省略する。また、図面において、第１実施形態の
場合と同様の要素には第１実施形態の場合と同一の符号
を付すことにする。図９は、本実施形態で用いる第２パ
ネル基板８０を示す模式的な平面図であり、第１実施形
態における図５に対応する。また、図１０は、図９のＧ
−Ｇ線に従った断面構造を示しており、第１実施形態に
おける図６（Ｂ）に対応する。本実施形態においては、
第１実施形態における第２パネル基板３０に代えて、第
２パネル基板８０を用いることによって半透過反射型の
液晶装置が形成される。
に示すように表示用電極３２を構成する透明導電層７０
上の金属層７２は透明導電層７０の端部のみによって配
置されているが、表示用電極の光透過率において問題が
無ければ、金属層７２の配置位置は透明導電層７０の端
部でなくても良く、例えば中央部付近でも構わない。 （第２実施形態）前述した第１実施形態では、パネル基
板すなわち表示装置用基板を用いて透過型の液晶装置を
形成する場合を例示した。これに対し本実施形態では、
第１実施形態における一方のパネル基板、例えば第２パ
ネル基板３０に代えて、表示用電極の金属層がスリット
を備える構造のパネル基板を用いる点において第１実施
形態と異なっている。それ以外の点については、第１実
施形態と同様に構成されており、それらの点についての
説明は省略する。また、図面において、第１実施形態の
場合と同様の要素には第１実施形態の場合と同一の符号
を付すことにする。図９は、本実施形態で用いる第２パ
ネル基板８０を示す模式的な平面図であり、第１実施形
態における図５に対応する。また、図１０は、図９のＧ
−Ｇ線に従った断面構造を示しており、第１実施形態に
おける図６（Ｂ）に対応する。本実施形態においては、
第１実施形態における第２パネル基板３０に代えて、第
２パネル基板８０を用いることによって半透過反射型の
液晶装置が形成される。
【００７９】この第２パネル基板８０においては、表示
用電極８２がその全領域にわたって透明導電層７０と金
属層７２との２層構造とされ、開口部としての複数のス
リット８４が金属層７２に分布して設けられる。そし
て、金属層７２の材料として高反射材料例えばアルミニ
ウム、銅、銀又は金が用いられる。このように、金属層
７２にスリット８４を設けた場合でも、表示用電極８２
はスリット８４の領域においても透明導電層７０を備え
ているため、スリット８４の大きさにかかわらずスリッ
ト８４の領域においても液晶に適切な電界を印加するこ
とができる。
用電極８２がその全領域にわたって透明導電層７０と金
属層７２との２層構造とされ、開口部としての複数のス
リット８４が金属層７２に分布して設けられる。そし
て、金属層７２の材料として高反射材料例えばアルミニ
ウム、銅、銀又は金が用いられる。このように、金属層
７２にスリット８４を設けた場合でも、表示用電極８２
はスリット８４の領域においても透明導電層７０を備え
ているため、スリット８４の大きさにかかわらずスリッ
ト８４の領域においても液晶に適切な電界を印加するこ
とができる。
【００８０】このような半透過反射型の液晶装置とした
場合、透過型表示のときには、金属層７２に開口したス
リットを介して第２パネル基板８０の背面側からの照明
光が第２パネル基板８０を透過して液晶層１８に光が入
射するので透過型の表示を行うことができる。他方、反
射型表示のときには、第２パネル基板８０に対向する第
１パネル基板２０側から液晶層１８を透過した光を金属
層７２の表面で反射させることができるので、反射型の
表示を行うことができる。
場合、透過型表示のときには、金属層７２に開口したス
リットを介して第２パネル基板８０の背面側からの照明
光が第２パネル基板８０を透過して液晶層１８に光が入
射するので透過型の表示を行うことができる。他方、反
射型表示のときには、第２パネル基板８０に対向する第
１パネル基板２０側から液晶層１８を透過した光を金属
層７２の表面で反射させることができるので、反射型の
表示を行うことができる。
【００８１】本実施形態においては、透過型表示であっ
ても反射型表示であっても、スリット８４が小さけれ
ば、液晶層１８に対して金属層７２によって電圧を印加
することもできる。また、開口部であるスリット８４を
大きくした場合には、スリットの領域においては金属層
７２ではなく透明導電層７０によって、そのスリット７
２と対向する液晶層１８を駆動することになる。
ても反射型表示であっても、スリット８４が小さけれ
ば、液晶層１８に対して金属層７２によって電圧を印加
することもできる。また、開口部であるスリット８４を
大きくした場合には、スリットの領域においては金属層
７２ではなく透明導電層７０によって、そのスリット７
２と対向する液晶層１８を駆動することになる。
【００８２】本実施形態に係るパネル基板８０を用いた
液晶装置１０は、配線３４及び表示用電極８２における
電圧降下のために表示品質が低下する可能性が低い。ま
た、配線３４及び表示用電極８２が、透明導電層７０と
金属層７２との２層構造となっているため、配線３４の
電気抵抗を小さくするために透明導電層７０の膜厚を厚
くする必要が無く、配線３４の透明導電層７０と同時に
形成されることが多い表示用電極８２の透明導電層７０
における膜厚が必要以上に厚くなることが無い。従っ
て、表示用電極８２の光透過率を高くすることができ
る。
液晶装置１０は、配線３４及び表示用電極８２における
電圧降下のために表示品質が低下する可能性が低い。ま
た、配線３４及び表示用電極８２が、透明導電層７０と
金属層７２との２層構造となっているため、配線３４の
電気抵抗を小さくするために透明導電層７０の膜厚を厚
くする必要が無く、配線３４の透明導電層７０と同時に
形成されることが多い表示用電極８２の透明導電層７０
における膜厚が必要以上に厚くなることが無い。従っ
て、表示用電極８２の光透過率を高くすることができ
る。
【００８３】さらに、透明導電層７０の厚さを薄くでき
るため、パネル基板８０の形成に要する時間を短縮する
ことができる。
るため、パネル基板８０の形成に要する時間を短縮する
ことができる。
【００８４】なお、本実施形態においても、表示用電極
８２の製造方法は、図７を用いて説明した製造方法と同
様に、透明導電層形成工程、金属層積層工程、第１フォ
トレジスト膜形成工程、第１エッチング工程、第２フォ
トレジスト膜形成工程及び第２エッチング工程といった
各種工程を含んで構成される。従って、第１フォトレジ
スト７４によって透明導電層７０と金属層７２を同時に
エッチングした後、第１フォトレジスト７４を再び露光
及び現像して第２フォトレジスト７６をパターン形成
し、金属層７２のスリット８４の部分をエッチングす
る。
８２の製造方法は、図７を用いて説明した製造方法と同
様に、透明導電層形成工程、金属層積層工程、第１フォ
トレジスト膜形成工程、第１エッチング工程、第２フォ
トレジスト膜形成工程及び第２エッチング工程といった
各種工程を含んで構成される。従って、第１フォトレジ
スト７４によって透明導電層７０と金属層７２を同時に
エッチングした後、第１フォトレジスト７４を再び露光
及び現像して第２フォトレジスト７６をパターン形成
し、金属層７２のスリット８４の部分をエッチングす
る。
【００８５】（第３実施形態）上記の各実施形態では、
単純マトリクス型液晶装置に本発明を適用する場合を例
示したが、本発明はＴＦＤ等といった２端子型スイッチ
ング素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置にも
適用することができる。このようなアクティブマトリク
ス型の液晶パネルは、例えば、ＴＮ型等の液晶層を挟ん
で対向する一対の基板である素子基板及び対向基板とに
よって構成される。
単純マトリクス型液晶装置に本発明を適用する場合を例
示したが、本発明はＴＦＤ等といった２端子型スイッチ
ング素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置にも
適用することができる。このようなアクティブマトリク
ス型の液晶パネルは、例えば、ＴＮ型等の液晶層を挟ん
で対向する一対の基板である素子基板及び対向基板とに
よって構成される。
【００８６】ここで、素子基板は、例えば、ストライプ
状に配列された複数の配線と、それらの配線に沿って画
素毎に設けられるＴＦＤと、ＴＦＤを介して配線に接続
される透明導電層から成る画素電極とによって形成され
る。また、素子基板に対向する対向基板は、素子基板側
の画素電極の配列と交差するように幅の広い表示用電極
がストライプ状に形成される。
状に配列された複数の配線と、それらの配線に沿って画
素毎に設けられるＴＦＤと、ＴＦＤを介して配線に接続
される透明導電層から成る画素電極とによって形成され
る。また、素子基板に対向する対向基板は、素子基板側
の画素電極の配列と交差するように幅の広い表示用電極
がストライプ状に形成される。
【００８７】上記の素子基板と上記の対向基板は、素子
基板上の画素電極と対向基板上の表示用電極とが液晶を
挟んで互いに対向するように貼り合わされ、これにより
液晶装置が形成される。この液晶装置では、素子基板上
の配線及び対向基板上の表示用電極の一方が走査電極と
して機能し、他方が信号電極として機能する。
基板上の画素電極と対向基板上の表示用電極とが液晶を
挟んで互いに対向するように貼り合わされ、これにより
液晶装置が形成される。この液晶装置では、素子基板上
の配線及び対向基板上の表示用電極の一方が走査電極と
して機能し、他方が信号電極として機能する。
【００８８】このようなＴＦＤ方式のアクティブマトリ
クス型液晶装置においても、対向基板を構成する表示用
基板上に形成される配線を、本発明に従って、透明導電
層及び金属層から成る積層構造によって形成することに
より、既述の実施形態と同様な作用効果を得ることがで
きる。
クス型液晶装置においても、対向基板を構成する表示用
基板上に形成される配線を、本発明に従って、透明導電
層及び金属層から成る積層構造によって形成することに
より、既述の実施形態と同様な作用効果を得ることがで
きる。
【００８９】以下、このＴＦＤ方式のアクティブマトリ
クス型液晶装置について、図面を用いて説明する。
クス型液晶装置について、図面を用いて説明する。
【００９０】図１２は、本発明に係る表示装置用基板を
用いたＴＦＤ方式のアクティブマトリクス型液晶装置の
主要部、特に数個の画素部分を拡大して示している。こ
の液晶装置の全体構造は例えば図１５に示すように設定
できる。この液晶装置１は、アクティブ素子として２端
子型の能動素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）を用
いたアクティブマトリクス方式の液晶装置であり、自然
光等といった外部光を用いた反射表示と照明装置を用い
た透過表示を選択的に行うことができる方式の半透過反
射型液晶装置であり、そして液晶駆動用ＩＣを基板上に
直接に実装する方式のＣＯＧ（Chip On Glass）方式の
液晶装置である。
用いたＴＦＤ方式のアクティブマトリクス型液晶装置の
主要部、特に数個の画素部分を拡大して示している。こ
の液晶装置の全体構造は例えば図１５に示すように設定
できる。この液晶装置１は、アクティブ素子として２端
子型の能動素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）を用
いたアクティブマトリクス方式の液晶装置であり、自然
光等といった外部光を用いた反射表示と照明装置を用い
た透過表示を選択的に行うことができる方式の半透過反
射型液晶装置であり、そして液晶駆動用ＩＣを基板上に
直接に実装する方式のＣＯＧ（Chip On Glass）方式の
液晶装置である。
【００９１】液晶装置１は、図１５において、第１パネ
ル基板２ａと第２パネル基板２ｂとをシール材３によっ
て貼り合わせ、さらに、第１パネル基板２ａ、第２パネ
ル基板２ｂ及びシール材３によって囲まれる間隙すなわ
ちセルギャップ内に液晶を封入することによって形成さ
れる。また、一方のパネル基板２ａのうち他方のパネル
基板２ｂの外側へ張り出す基板張り出し部３８の表面に
液晶駆動用ＩＣ４ａ及び４ｂが直接に実装されている。
第２パネル基板２ｂはＴＦＤが形成される基板すなわち
素子基板であり、第１パネル基板２ａは素子基板に対向
する基板すなわち対向基板である。
ル基板２ａと第２パネル基板２ｂとをシール材３によっ
て貼り合わせ、さらに、第１パネル基板２ａ、第２パネ
ル基板２ｂ及びシール材３によって囲まれる間隙すなわ
ちセルギャップ内に液晶を封入することによって形成さ
れる。また、一方のパネル基板２ａのうち他方のパネル
基板２ｂの外側へ張り出す基板張り出し部３８の表面に
液晶駆動用ＩＣ４ａ及び４ｂが直接に実装されている。
第２パネル基板２ｂはＴＦＤが形成される基板すなわち
素子基板であり、第１パネル基板２ａは素子基板に対向
する基板すなわち対向基板である。
【００９２】第２パネル基板２ｂのシール材３によって
囲まれる内部領域には、複数の画素電極が行方向ＸＸ及
び列方向ＹＹに関してドットマトリクス状の配列で形成
される。また、第１パネル基板２ａのシール材３によっ
て囲まれる内部領域にはストライプ状の電極が形成さ
れ、そのストライプ状電極が第２パネル基板２ｂ側の複
数の画素電極に対向して配置される。
囲まれる内部領域には、複数の画素電極が行方向ＸＸ及
び列方向ＹＹに関してドットマトリクス状の配列で形成
される。また、第１パネル基板２ａのシール材３によっ
て囲まれる内部領域にはストライプ状の電極が形成さ
れ、そのストライプ状電極が第２パネル基板２ｂ側の複
数の画素電極に対向して配置される。
【００９３】第１パネル基板２ａ上のストライプ状電極
と第２パネル基板２ｂ上の１つの画素電極によって液晶
を挟んだ部分が１つの画素を形成し、この画素の複数個
がシール材３によって囲まれる内部領域内でドットマト
リクス状に配列することによって表示領域Ｖが形成され
る。液晶駆動用ＩＣ４ａ及び４ｂは複数の画素内の対向
電極間に選択的に走査信号及びデータ信号を印加するこ
とにより、液晶の配向を画素毎に制御する。この液晶の
配向制御により該液晶を通過する光が変調されて、表示
領域Ｖ内に文字、数字等といった像が表示される。
と第２パネル基板２ｂ上の１つの画素電極によって液晶
を挟んだ部分が１つの画素を形成し、この画素の複数個
がシール材３によって囲まれる内部領域内でドットマト
リクス状に配列することによって表示領域Ｖが形成され
る。液晶駆動用ＩＣ４ａ及び４ｂは複数の画素内の対向
電極間に選択的に走査信号及びデータ信号を印加するこ
とにより、液晶の配向を画素毎に制御する。この液晶の
配向制御により該液晶を通過する光が変調されて、表示
領域Ｖ内に文字、数字等といった像が表示される。
【００９４】図１２は、液晶装置１において表示領域Ｖ
を構成する複数の画素のうちの数個の断面構造を拡大し
て示している。また、図１３は、１つの画素部分の断面
構造を示している。
を構成する複数の画素のうちの数個の断面構造を拡大し
て示している。また、図１３は、１つの画素部分の断面
構造を示している。
【００９５】図１２において、第１パネル基板２ａは、
ガラス、プラスチック等によって形成された基板６ａ
と、その基板６ａの内側表面に形成された光反射膜６１
と、その光反射膜６１の上に形成されたカラーフィルタ
６２と、そのカラーフィルタ６２の上に形成された透明
なストライプ状の表示用電極６３とを有する。その表示
用電極６３の上には図１３に示すように配向膜７１ａが
形成される。この配向膜７１ａに対して配向処理として
のラビング処理が施される。表示用電極６３は、例えば
ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等といった透明な導電材料
によって形成される。
ガラス、プラスチック等によって形成された基板６ａ
と、その基板６ａの内側表面に形成された光反射膜６１
と、その光反射膜６１の上に形成されたカラーフィルタ
６２と、そのカラーフィルタ６２の上に形成された透明
なストライプ状の表示用電極６３とを有する。その表示
用電極６３の上には図１３に示すように配向膜７１ａが
形成される。この配向膜７１ａに対して配向処理として
のラビング処理が施される。表示用電極６３は、例えば
ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等といった透明な導電材料
によって形成される。
【００９６】第１パネル基板２ａに対向する第２パネル
基板２ｂは、ガラス、プラスチック等によって形成され
た基板６ｂと、その基板６ｂの内側表面に形成されたス
イッチング素子として機能するアクティブ素子としての
ＴＦＤ（Thin Film Diode）６７と、ＴＦＤ６７に接続
された画素電極６９とを有する。ＴＦＤ６７及び画素電
極６９の上には図１３に示すように配向膜７１ｂが形成
され、この配向膜７１ｂに対して配向処理としてのラビ
ング処理が施される。画素電極６９は、例えばＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）等といった透明な導電材料によっ
て形成される。
基板２ｂは、ガラス、プラスチック等によって形成され
た基板６ｂと、その基板６ｂの内側表面に形成されたス
イッチング素子として機能するアクティブ素子としての
ＴＦＤ（Thin Film Diode）６７と、ＴＦＤ６７に接続
された画素電極６９とを有する。ＴＦＤ６７及び画素電
極６９の上には図１３に示すように配向膜７１ｂが形成
され、この配向膜７１ｂに対して配向処理としてのラビ
ング処理が施される。画素電極６９は、例えばＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）等といった透明な導電材料によっ
て形成される。
【００９７】第１パネル基板２ａに属するカラーフィル
タ６２は、第２パネル基板２ｂ側の画素電極６９に対向
する位置にＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）又はＣ（シア
ン），Ｍ（マゼンタ），Ｙ（イエロー）等といった各色
のいずれかの色絵素６２ａを有し、画素電極６９に対向
しない位置にブラックマスク６２ｂを有する。
タ６２は、第２パネル基板２ｂ側の画素電極６９に対向
する位置にＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）又はＣ（シア
ン），Ｍ（マゼンタ），Ｙ（イエロー）等といった各色
のいずれかの色絵素６２ａを有し、画素電極６９に対向
しない位置にブラックマスク６２ｂを有する。
【００９８】図１３において、第１パネル基板２ａと第
２パネル基板２ｂとの間の間隔、すなわちセルギャップ
はいずれか一方の基板の表面に分散された球状のスペー
サ５４によって寸法が維持され、そのセルギャップ内に
液晶Ｌが封入される。
２パネル基板２ｂとの間の間隔、すなわちセルギャップ
はいずれか一方の基板の表面に分散された球状のスペー
サ５４によって寸法が維持され、そのセルギャップ内に
液晶Ｌが封入される。
【００９９】ＴＦＤ６７は、図１３及び図１４に示すよ
うに、第１金属層６５と、その第１金属層６５の表面に
形成された絶縁層６６と、その絶縁層６６の上に形成さ
れた第２金属層６８とによって構成されている。このよ
うにＴＦＤ６７は、第１金属層／絶縁層／第２金属層か
ら成る積層構造、いわゆるＭＩＭ（Metal InsulatorMet
al）構造によって構成されている。
うに、第１金属層６５と、その第１金属層６５の表面に
形成された絶縁層６６と、その絶縁層６６の上に形成さ
れた第２金属層６８とによって構成されている。このよ
うにＴＦＤ６７は、第１金属層／絶縁層／第２金属層か
ら成る積層構造、いわゆるＭＩＭ（Metal InsulatorMet
al）構造によって構成されている。
【０１００】第１金属層６５は、例えば、タンタル単
体、タンタル合金等によって形成される。第１金属層６
５としてタンタル合金を用いる場合には、主成分のタン
タルに、例えば、タングステン、クロム、モリブデン、
レニウム、イットリウム、ランタン、ディスプロリウム
等といった周期律表において第６〜第８族に属する元素
が添加される。
体、タンタル合金等によって形成される。第１金属層６
５としてタンタル合金を用いる場合には、主成分のタン
タルに、例えば、タングステン、クロム、モリブデン、
レニウム、イットリウム、ランタン、ディスプロリウム
等といった周期律表において第６〜第８族に属する元素
が添加される。
【０１０１】第１金属層６５はライン配線７９の第１層
７９ａと一体に形成される。このライン配線７９は画素
電極６９を間に挟んでストライプ状に形成され、画素電
極６９へ走査信号を供給するための走査線又は画素電極
６９へデータ信号を供給するためのデータ線として作用
する。
７９ａと一体に形成される。このライン配線７９は画素
電極６９を間に挟んでストライプ状に形成され、画素電
極６９へ走査信号を供給するための走査線又は画素電極
６９へデータ信号を供給するためのデータ線として作用
する。
【０１０２】絶縁層６６は、例えば、陽極酸化法によっ
て第１金属層６５の表面を酸化することによって形成さ
れた酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ３）によって構成される。
なお、第１金属層６５を陽極酸化したときには、ライン
配線７９の第１層７９ａの表面も同時に酸化されて、同
様に酸化タンタルから成る第２層７９ｂが形成される。
て第１金属層６５の表面を酸化することによって形成さ
れた酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ３）によって構成される。
なお、第１金属層６５を陽極酸化したときには、ライン
配線７９の第１層７９ａの表面も同時に酸化されて、同
様に酸化タンタルから成る第２層７９ｂが形成される。
【０１０３】第２金属層６８は、例えばＣｒ等といった
導電材によって形成される。画素電極６９は、その一部
が第２金属層６８の先端に重なるように基板６ｂの表面
に形成される。なお、基板６ｂの表面には、第１金属層
６５及びライン配線の第１層７９ａを形成する前に酸化
タンタル等によって下地層を形成することがある。これ
は、第２金属層６８の堆積後における熱処理によって第
１金属層６５が下地から剥離しないようにしたり、第１
金属層６５に不純物が拡散しないようにしたりするため
である。
導電材によって形成される。画素電極６９は、その一部
が第２金属層６８の先端に重なるように基板６ｂの表面
に形成される。なお、基板６ｂの表面には、第１金属層
６５及びライン配線の第１層７９ａを形成する前に酸化
タンタル等によって下地層を形成することがある。これ
は、第２金属層６８の堆積後における熱処理によって第
１金属層６５が下地から剥離しないようにしたり、第１
金属層６５に不純物が拡散しないようにしたりするため
である。
【０１０４】図１２において、基板６ａの外側表面には
位相差板５２ａが貼着等によって装着され、さらにその
位相差板５２ａの上に偏光板５３ａが貼着等によって装
着される。また、基板６ｂの外側表面には位相差板５２
ｂが貼着等によって装着され、さらにその位相差板５２
ｂの上に偏光板５３ｂが貼着等によって装着される。例
えばＳＴＮ（Super Twisted Nematic）液晶等を用いる
と、該液晶を通過する光に波長分散が発生して表示像に
着色が発生することがある。位相差板５２ａ及び５２ｂ
はそのような着色を除去するために用いられる光学的異
方体であり、例えばポリビニルアルコール、ポリエステ
ル、ポリエーテルアミド、ポリエチレン等といった樹脂
を一軸延伸処理することによって形成されるフィルムに
よって構成できる。
位相差板５２ａが貼着等によって装着され、さらにその
位相差板５２ａの上に偏光板５３ａが貼着等によって装
着される。また、基板６ｂの外側表面には位相差板５２
ｂが貼着等によって装着され、さらにその位相差板５２
ｂの上に偏光板５３ｂが貼着等によって装着される。例
えばＳＴＮ（Super Twisted Nematic）液晶等を用いる
と、該液晶を通過する光に波長分散が発生して表示像に
着色が発生することがある。位相差板５２ａ及び５２ｂ
はそのような着色を除去するために用いられる光学的異
方体であり、例えばポリビニルアルコール、ポリエステ
ル、ポリエーテルアミド、ポリエチレン等といった樹脂
を一軸延伸処理することによって形成されるフィルムに
よって構成できる。
【０１０５】偏光板５３ａ及び５３ｂは、自然光の入射
に対してある一方向の直線偏光を出射する機能を有する
フィルム状光学要素であり、例えば、偏光層をＴＡＣ
（三酢酸セルロース）の保護層で挟むことによって形成
できる。偏光板５３ａ及び５３ｂは、通常は、互いの透
過偏光軸を異ならせて配置する。
に対してある一方向の直線偏光を出射する機能を有する
フィルム状光学要素であり、例えば、偏光層をＴＡＣ
（三酢酸セルロース）の保護層で挟むことによって形成
できる。偏光板５３ａ及び５３ｂは、通常は、互いの透
過偏光軸を異ならせて配置する。
【０１０６】光反射膜６１は、例えば、アルミニウム等
といった光反射性の金属によって形成され、第２パネル
基板２ｂに属する各画素電極６９に対応する位置、すな
わち各画素に対応する位置に光透過用の開口４９が形成
される。
といった光反射性の金属によって形成され、第２パネル
基板２ｂに属する各画素電極６９に対応する位置、すな
わち各画素に対応する位置に光透過用の開口４９が形成
される。
【０１０７】図１２の表示用電極６３は図１５において
列方向ＹＹに延びて図１６に示す配線２４及びパッド２
５のように基板張り出し部３８へ張り出し、該基板張り
出し部３８に実装される液晶駆動用ＩＣ４ｂの出力端子
にパッド２５が導電接続される。配線２４は、例えば図
６（Ａ）に示すように透明導電層７０及びそれに積層さ
れた金属層７２から成る２層構造を有する。また、必要
に応じて、表示用電極６３も図６（Ｂ）に示すように、
幅の広い透明導電層７０及びそれに積層された幅の狭い
金属層７２から成る２層構造を有する。
列方向ＹＹに延びて図１６に示す配線２４及びパッド２
５のように基板張り出し部３８へ張り出し、該基板張り
出し部３８に実装される液晶駆動用ＩＣ４ｂの出力端子
にパッド２５が導電接続される。配線２４は、例えば図
６（Ａ）に示すように透明導電層７０及びそれに積層さ
れた金属層７２から成る２層構造を有する。また、必要
に応じて、表示用電極６３も図６（Ｂ）に示すように、
幅の広い透明導電層７０及びそれに積層された幅の狭い
金属層７２から成る２層構造を有する。
【０１０８】本実施形態の液晶装置１は以上のように構
成されているので、この液晶装置１が反射型表示を行う
場合には、図１２において、観察者側すなわち第２パネ
ル基板２ｂ側から液晶装置１の内部へ入った外部光は、
液晶Ｌを通過して光反射膜６１に到達し、該反射膜６１
で反射して再び液晶Ｌへ供給される。液晶Ｌは、画素電
極６９とストライプ状の表示用電極６３との間に印加さ
れる電圧、すなわち走査信号及びデータ信号によって画
素毎にその配向が制御され、これにより、液晶Ｌに供給
された反射光は画素毎に変調され、これにより観察者側
に文字、数字等といった像が表示される。
成されているので、この液晶装置１が反射型表示を行う
場合には、図１２において、観察者側すなわち第２パネ
ル基板２ｂ側から液晶装置１の内部へ入った外部光は、
液晶Ｌを通過して光反射膜６１に到達し、該反射膜６１
で反射して再び液晶Ｌへ供給される。液晶Ｌは、画素電
極６９とストライプ状の表示用電極６３との間に印加さ
れる電圧、すなわち走査信号及びデータ信号によって画
素毎にその配向が制御され、これにより、液晶Ｌに供給
された反射光は画素毎に変調され、これにより観察者側
に文字、数字等といった像が表示される。
【０１０９】他方、液晶装置１が透過型表示を行う場合
には、第１パネル基板２ａの外側に配置された照明装
置、いわゆるバックライト５９が発光し、この発光が偏
光板５３ａ、位相差板５２ａ、基板６ａ、光反射膜６１
の開口４９、カラーフィルタ６２、表示用電極６３及び
配向膜７１ａを通過した後に液晶Ｌに供給される。この
後、反射型表示の場合と同様にして表示が行われる。
には、第１パネル基板２ａの外側に配置された照明装
置、いわゆるバックライト５９が発光し、この発光が偏
光板５３ａ、位相差板５２ａ、基板６ａ、光反射膜６１
の開口４９、カラーフィルタ６２、表示用電極６３及び
配向膜７１ａを通過した後に液晶Ｌに供給される。この
後、反射型表示の場合と同様にして表示が行われる。
【０１１０】以上の説明のように、本実施形態では、対
向基板２ａに形成した表示用電極６３につながる配線２
４を透明導電層７０と金属層７２との積層構造としてい
るため、配線２４を透明導電層７０のみで形成する場合
に比べ、配線２４の電気抵抗を低下させることができ
る。従って、液晶装置１は、配線２４における電圧降下
のために表示品質が低下する可能性が低い。
向基板２ａに形成した表示用電極６３につながる配線２
４を透明導電層７０と金属層７２との積層構造としてい
るため、配線２４を透明導電層７０のみで形成する場合
に比べ、配線２４の電気抵抗を低下させることができ
る。従って、液晶装置１は、配線２４における電圧降下
のために表示品質が低下する可能性が低い。
【０１１１】また、配線２４の電気抵抗を小さくするた
めに透明導電層７０の膜厚を厚くする必要がないため、
配線２４の透明導電層７０と同時に形成されることが多
い表示用電極６３の透明導電層７０における膜厚が必要
以上に厚くなることがない。従って、透明導電層７０を
厚くすることのみによって配線２４の電気抵抗を小さく
する場合に比べ、表示用電極６３の光透過率を高くする
ことができる。
めに透明導電層７０の膜厚を厚くする必要がないため、
配線２４の透明導電層７０と同時に形成されることが多
い表示用電極６３の透明導電層７０における膜厚が必要
以上に厚くなることがない。従って、透明導電層７０を
厚くすることのみによって配線２４の電気抵抗を小さく
する場合に比べ、表示用電極６３の光透過率を高くする
ことができる。
【０１１２】さらに、透明導電層７０を厚くすることの
みによって配線２４の電気抵抗を小さくする場合に比
べ、表示用電極６３及び配線２４に用いられている透明
導電層７０の厚さを薄くできるため、対向基板２ａすな
わち表示装置用基板の形成に要する時間を短縮すること
ができる。
みによって配線２４の電気抵抗を小さくする場合に比
べ、表示用電極６３及び配線２４に用いられている透明
導電層７０の厚さを薄くできるため、対向基板２ａすな
わち表示装置用基板の形成に要する時間を短縮すること
ができる。
【０１１３】（第４実施形態）本発明は、３端子型スイ
ッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：ThinFi
lm Transistor）を個々の画素に付属させて有するアク
ティブマトリクス型液晶装置にも適用することができ
る。この液晶装置は、例えば、ＴＦＴが形成された素子
基板とそれに対向する対向基板とをＴＮ（Twisted Nema
tic）型等の液晶層を挟んで互いに配置することによっ
て形成される。
ッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：ThinFi
lm Transistor）を個々の画素に付属させて有するアク
ティブマトリクス型液晶装置にも適用することができ
る。この液晶装置は、例えば、ＴＦＴが形成された素子
基板とそれに対向する対向基板とをＴＮ（Twisted Nema
tic）型等の液晶層を挟んで互いに配置することによっ
て形成される。
【０１１４】上記素子基板上には、例えば、互いに交差
配置される走査線及びデータ線と、走査線にゲートが接
続されデータ線にソースが接続されたＴＦＴと、ＴＦＴ
のドレインに接続された透明導電層から成る画素電極と
が形成される。また、対向基板上には水平方向の画素電
極の配列に重なるように幅の広い表示用電極すなわち共
通電極がストライプ状に形成される。
配置される走査線及びデータ線と、走査線にゲートが接
続されデータ線にソースが接続されたＴＦＴと、ＴＦＴ
のドレインに接続された透明導電層から成る画素電極と
が形成される。また、対向基板上には水平方向の画素電
極の配列に重なるように幅の広い表示用電極すなわち共
通電極がストライプ状に形成される。
【０１１５】この液晶装置では、表示用電極に印加する
共通電圧のレベルを画素行毎に、すなわち水平走査期間
毎に且つ１垂直走査期間毎に切り替えて、画素電極と表
示用電極の間の液晶を交流駆動する。この駆動方法は、
１Ｈコモン振り駆動と呼ばれている。
共通電圧のレベルを画素行毎に、すなわち水平走査期間
毎に且つ１垂直走査期間毎に切り替えて、画素電極と表
示用電極の間の液晶を交流駆動する。この駆動方法は、
１Ｈコモン振り駆動と呼ばれている。
【０１１６】このようなＴＦＴ方式のアクティブマトリ
クス型液晶装置においても、対向基板を構成する表示用
基板上に形成される配線を、本発明に従って、透明導電
層及び金属層から成る積層構造によって形成することに
より、既述の実施形態と同様の作用効果を得ることがで
きる。
クス型液晶装置においても、対向基板を構成する表示用
基板上に形成される配線を、本発明に従って、透明導電
層及び金属層から成る積層構造によって形成することに
より、既述の実施形態と同様の作用効果を得ることがで
きる。
【０１１７】以下、このＴＦＴ方式のアクティブマトリ
クス型液晶装置について、図面を用いて説明する。
クス型液晶装置について、図面を用いて説明する。
【０１１８】図１７は本実施形態に係る液晶装置の回路
構成を示している。この図において、アクティブマトリ
クスエリア１１０には、Ｎ行×Ｍ列に画素ＴＦＴ１０８
が配置され、これらの画素ＴＦＴのゲート電極に接続さ
れるＮ本の走査線と、それらのソース領域に接続される
Ｍ（＝ｍ×ｎ）本の信号線が形成されている。これらＭ
本の信号線にはアナログスイッチＴＦＴ（20-11〜20-n
m）が接続される。
構成を示している。この図において、アクティブマトリ
クスエリア１１０には、Ｎ行×Ｍ列に画素ＴＦＴ１０８
が配置され、これらの画素ＴＦＴのゲート電極に接続さ
れるＮ本の走査線と、それらのソース領域に接続される
Ｍ（＝ｍ×ｎ）本の信号線が形成されている。これらＭ
本の信号線にはアナログスイッチＴＦＴ（20-11〜20-n
m）が接続される。
【０１１９】アナログスイッチＴＦＴは、隣接するｍ個
を１ブロックとしてｎブロックに分割されており、アナ
ログスイッチＴＦＴ（20-11,20-12〜20-1m）が１番目の
ブロックであり、（20-21,20-22〜20-2m）が２番目のブ
ロックであり、… … …（20-n1,20-n2〜20-nm）がｎ
番目のブロックになる。そして、同一ブロックに含まれ
て互いに隣接するアナログスイッチＴＦＴ（20-11,20-1
2〜20-1m）のゲート電極は第１配線 22-1 によって共通
に接続される。また、同様に、各ブロック（20-21,20-2
2〜20-2m）… … …（20-n1,20-n2〜20-nm）のアナロ
グスイッチＴＦＴのゲート電極は、それぞれ、第１配線
22-2, … …, 22-n によって共通に接続される。
を１ブロックとしてｎブロックに分割されており、アナ
ログスイッチＴＦＴ（20-11,20-12〜20-1m）が１番目の
ブロックであり、（20-21,20-22〜20-2m）が２番目のブ
ロックであり、… … …（20-n1,20-n2〜20-nm）がｎ
番目のブロックになる。そして、同一ブロックに含まれ
て互いに隣接するアナログスイッチＴＦＴ（20-11,20-1
2〜20-1m）のゲート電極は第１配線 22-1 によって共通
に接続される。また、同様に、各ブロック（20-21,20-2
2〜20-2m）… … …（20-n1,20-n2〜20-nm）のアナロ
グスイッチＴＦＴのゲート電極は、それぞれ、第１配線
22-2, … …, 22-n によって共通に接続される。
【０１２０】また、異なるブロックに含まれて互いに隣
接しないアナログスイッチＴＦＴ（20-11,20-21,〜,20-
n1）のソース領域は第２配線 24-1 によって共通に接続
される。また、同様に、アナログスイッチＴＦＴ（20-1
2,20-22,〜,20-n2）… ……（20-1m,20-2m,〜,20-nm）
のソース領域は、それぞれ、第２配線24-2, … …24-m
によって共通に接続される。
接しないアナログスイッチＴＦＴ（20-11,20-21,〜,20-
n1）のソース領域は第２配線 24-1 によって共通に接続
される。また、同様に、アナログスイッチＴＦＴ（20-1
2,20-22,〜,20-n2）… ……（20-1m,20-2m,〜,20-nm）
のソース領域は、それぞれ、第２配線24-2, … …24-m
によって共通に接続される。
【０１２１】このようにアナログスイッチＴＦＴをｍ個
ずつｎブロックに分割し、第１配線に加える制御信号で
アナログスイッチＴＦＴのオン・オフを制御すること
で、信号線の端子数を１／ｎにすることができる。すな
わち、アナログスイッチＴＦＴが無い場合にはＭ本存在
した信号線の端子数を、ｍ（＝Ｍ／ｎ）本にできる。そ
して、データドライバは、ｍ本の第２配線 24-1〜24-m
に接続されることになり、データドライバの個数、端子
数を少なくでき、装置の小型化及び低コスト化を達成で
きる。
ずつｎブロックに分割し、第１配線に加える制御信号で
アナログスイッチＴＦＴのオン・オフを制御すること
で、信号線の端子数を１／ｎにすることができる。すな
わち、アナログスイッチＴＦＴが無い場合にはＭ本存在
した信号線の端子数を、ｍ（＝Ｍ／ｎ）本にできる。そ
して、データドライバは、ｍ本の第２配線 24-1〜24-m
に接続されることになり、データドライバの個数、端子
数を少なくでき、装置の小型化及び低コスト化を達成で
きる。
【０１２２】本実施形態の液晶装置では、第２配線 24-
1〜24-m を介してアナログスイッチＴＦＴ 20-11 〜 20
-nm のソース領域に供給する入力信号の振幅を５Ｖ以下
にすることが望ましい。このようにすることで、アナロ
グスイッチＴＦＴのしきい値電圧のシフト量を減らすこ
とができ、これにより、信頼性の確保、表示品質の向上
を達成できる。
1〜24-m を介してアナログスイッチＴＦＴ 20-11 〜 20
-nm のソース領域に供給する入力信号の振幅を５Ｖ以下
にすることが望ましい。このようにすることで、アナロ
グスイッチＴＦＴのしきい値電圧のシフト量を減らすこ
とができ、これにより、信頼性の確保、表示品質の向上
を達成できる。
【０１２３】図２２は、アナログスイッチＴＦＴのしき
い値電圧のシフト量と動作時間との関係に関する測定結
果を示している。選択信号Ｖｇ＝２０Ｖとし、負荷容量
Ｃは標準的な液晶パネルでの負荷容量と同じになるよう
にＣ＝１０ｐＦ程度としている。また、動作周波数ｆは
３２０ｋＨｚとしている。
い値電圧のシフト量と動作時間との関係に関する測定結
果を示している。選択信号Ｖｇ＝２０Ｖとし、負荷容量
Ｃは標準的な液晶パネルでの負荷容量と同じになるよう
にＣ＝１０ｐＦ程度としている。また、動作周波数ｆは
３２０ｋＨｚとしている。
【０１２４】本実施形態の液晶装置では、ｎブロックに
分割されるアナログスイッチＴＦＴを設け、データドラ
イバの個数あるいは端子数を減らしている、例えば１／
ｎに減らしているため、画素電極の充放電に許される時
間が通常よりも短くなっている。このため、上記動作周
波数ｆも高くしている。アナログスイッチＴＦＴに供給
する入力信号に相当する１０Ｖ振幅（すなわち、Ｖｄ＝
１０Ｖ）の矩形波信号を加えた場合のしきい値のシフト
特性は“Ｇ”で示すようになり、５Ｖ振幅（すなわち、
Ｖｄ＝５Ｖ）の矩形波信号を加えた場合は“Ｈ”で示す
ようになる。
分割されるアナログスイッチＴＦＴを設け、データドラ
イバの個数あるいは端子数を減らしている、例えば１／
ｎに減らしているため、画素電極の充放電に許される時
間が通常よりも短くなっている。このため、上記動作周
波数ｆも高くしている。アナログスイッチＴＦＴに供給
する入力信号に相当する１０Ｖ振幅（すなわち、Ｖｄ＝
１０Ｖ）の矩形波信号を加えた場合のしきい値のシフト
特性は“Ｇ”で示すようになり、５Ｖ振幅（すなわち、
Ｖｄ＝５Ｖ）の矩形波信号を加えた場合は“Ｈ”で示す
ようになる。
【０１２５】Ｖｄ＝１０Ｖの場合には、２００時間程度
でしきい値電圧が１Ｖシフトしてしまう。一方、アナロ
グスイッチＴＦＴのソース領域に加える入力信号の振幅
を５Ｖとした場合、すなわちＶｄ＝５Ｖの場合には、１
００００時間程度までしきい値電圧のシフト量を１Ｖ以
下に保持できる。
でしきい値電圧が１Ｖシフトしてしまう。一方、アナロ
グスイッチＴＦＴのソース領域に加える入力信号の振幅
を５Ｖとした場合、すなわちＶｄ＝５Ｖの場合には、１
００００時間程度までしきい値電圧のシフト量を１Ｖ以
下に保持できる。
【０１２６】しきい値電圧のシフト量が１Ｖよりも大き
くなると、画素電極に対するデータの書き込み量が不足
し、すなわち画素電極の電位を所望の電位にできなくな
り、それ故、コントラスト比が低下する等といった問題
が生じる。特に、例えばアナログスイッチＴＦＴのしき
い値電圧が１Ｖ程度であった場合には、しきい値電圧が
マイナス側に１Ｖ程度シフトすると、アナログスイッチ
ＴＦＴはデプレッションモードになってしまい、アナロ
グスイッチＴＦＴがオフ状態であっても電流がリークし
てしまい、これは表示特性の劣化につながる。
くなると、画素電極に対するデータの書き込み量が不足
し、すなわち画素電極の電位を所望の電位にできなくな
り、それ故、コントラスト比が低下する等といった問題
が生じる。特に、例えばアナログスイッチＴＦＴのしき
い値電圧が１Ｖ程度であった場合には、しきい値電圧が
マイナス側に１Ｖ程度シフトすると、アナログスイッチ
ＴＦＴはデプレッションモードになってしまい、アナロ
グスイッチＴＦＴがオフ状態であっても電流がリークし
てしまい、これは表示特性の劣化につながる。
【０１２７】液晶装置の信頼性を十分なものとするため
には、少なくとも１０００時間程度まではしきい値電圧
のシフト量を１Ｖ以下に保つ必要があり、数千時間程度
まで１Ｖ以下であることが望ましい。Ｖｄ＝１０Ｖの場
合には、図２２に示すように２００時間程度でシフト量
が１Ｖよりも大きくなってしまい、１０００時間で２Ｖ
程度シフトしてしまうため、信頼性の確保の上で非常に
問題がある。本実施形態の液晶装置では、アナログスイ
ッチＴＦＴの入力信号の振幅を５Ｖ以下にすることで、
ソース領域の端部での電界集中を緩和できる。これによ
り、１００００時間程度までしきい値電圧のシフト量を
１Ｖ以下に保つことができ、十分なマージンを保ちなが
ら信頼性を確保できる。さらに、入力信号の振幅を５Ｖ
以下とすることで、アナログスイッチＴＦＴの突き抜け
電圧の差を減少でき、液晶へのＤＣ印加電圧も低くでき
る。
には、少なくとも１０００時間程度まではしきい値電圧
のシフト量を１Ｖ以下に保つ必要があり、数千時間程度
まで１Ｖ以下であることが望ましい。Ｖｄ＝１０Ｖの場
合には、図２２に示すように２００時間程度でシフト量
が１Ｖよりも大きくなってしまい、１０００時間で２Ｖ
程度シフトしてしまうため、信頼性の確保の上で非常に
問題がある。本実施形態の液晶装置では、アナログスイ
ッチＴＦＴの入力信号の振幅を５Ｖ以下にすることで、
ソース領域の端部での電界集中を緩和できる。これによ
り、１００００時間程度までしきい値電圧のシフト量を
１Ｖ以下に保つことができ、十分なマージンを保ちなが
ら信頼性を確保できる。さらに、入力信号の振幅を５Ｖ
以下とすることで、アナログスイッチＴＦＴの突き抜け
電圧の差を減少でき、液晶へのＤＣ印加電圧も低くでき
る。
【０１２８】なお、図２２では、Ｖｄ＝１０Ｖの場合と
の比較を適正に行うため、Ｖｄ＝５Ｖの場合にもＶｇ＝
２０Ｖとして測定を行っている。しかしながら、Ｖｄ＝
５Ｖ、すなわち入力信号の振幅が５Ｖの場合には、Ｖｇ
＝１５Ｖであっても、Ｖｄ＝１０ＶでＶｇ＝２０Ｖの場
合と同様の書き込み性能を確保できる。そしてその場合
には、しきい値電圧のシフト量は図２２の“Ｈ”に示す
ものよりもさらに減少し、信頼性が向上する。また、信
頼性をさらに向上するためには、Ｖｄ＝３Ｖ以下とする
ことが望ましい。なお、図２２の“Ｉ”に、Ｖｄ＝５Ｖ
で動作周波数３２ｋＨｚの場合の測定結果を参考のため
に併記する。
の比較を適正に行うため、Ｖｄ＝５Ｖの場合にもＶｇ＝
２０Ｖとして測定を行っている。しかしながら、Ｖｄ＝
５Ｖ、すなわち入力信号の振幅が５Ｖの場合には、Ｖｇ
＝１５Ｖであっても、Ｖｄ＝１０ＶでＶｇ＝２０Ｖの場
合と同様の書き込み性能を確保できる。そしてその場合
には、しきい値電圧のシフト量は図２２の“Ｈ”に示す
ものよりもさらに減少し、信頼性が向上する。また、信
頼性をさらに向上するためには、Ｖｄ＝３Ｖ以下とする
ことが望ましい。なお、図２２の“Ｉ”に、Ｖｄ＝５Ｖ
で動作周波数３２ｋＨｚの場合の測定結果を参考のため
に併記する。
【０１２９】次に、本実施形態の液晶装置では、画素Ｔ
ＦＴをアナログスイッチＴＦＴとを、多結晶シリコン又
は単結晶シリコンによって形成すると共に、ガラス基板
上に一体形成することが望ましい。アナログスイッチＴ
ＦＴには入力信号が加えられ、所定期間内に画素電極へ
の充放電を完了しないと表示特性が劣化するため、アナ
ログスイッチＴＦＴのオン抵抗を低減する必要がある。
特に、アナログスイッチＴＦＴをｎブロックに分割しデ
ータドライバの個数を減らしている場合には、オン抵抗
の低減化に対する要求はさらに厳しくなる。ところが、
非晶質シリコンＴＦＴ、すなわちアモルファスシリコン
ＴＦＴは移動度が非常に低く、画素ＴＦＴに使用できて
も、アナログスイッチＴＦＴに使用することは上記オン
抵抗の問題から実用不可能であった。
ＦＴをアナログスイッチＴＦＴとを、多結晶シリコン又
は単結晶シリコンによって形成すると共に、ガラス基板
上に一体形成することが望ましい。アナログスイッチＴ
ＦＴには入力信号が加えられ、所定期間内に画素電極へ
の充放電を完了しないと表示特性が劣化するため、アナ
ログスイッチＴＦＴのオン抵抗を低減する必要がある。
特に、アナログスイッチＴＦＴをｎブロックに分割しデ
ータドライバの個数を減らしている場合には、オン抵抗
の低減化に対する要求はさらに厳しくなる。ところが、
非晶質シリコンＴＦＴ、すなわちアモルファスシリコン
ＴＦＴは移動度が非常に低く、画素ＴＦＴに使用できて
も、アナログスイッチＴＦＴに使用することは上記オン
抵抗の問題から実用不可能であった。
【０１３０】本実施形態では、画素ＴＦＴとアナログス
イッチＴＦＴとを、非晶質のものに比べ移動度が非常に
高い多結晶シリコン又は単結晶シリコンで形成してい
る。これにより、画素ＴＦＴとアナログスイッチＴＦＴ
のガラス基板上への一体形成化を実用上可能にしてい
る。画素ＴＦＴとアナログスイッチＴＦＴとをガラス基
板上に一体形成することで、液晶装置の外形寸法を小型
化でき、装置の低コスト化を達成できる。
イッチＴＦＴとを、非晶質のものに比べ移動度が非常に
高い多結晶シリコン又は単結晶シリコンで形成してい
る。これにより、画素ＴＦＴとアナログスイッチＴＦＴ
のガラス基板上への一体形成化を実用上可能にしてい
る。画素ＴＦＴとアナログスイッチＴＦＴとをガラス基
板上に一体形成することで、液晶装置の外形寸法を小型
化でき、装置の低コスト化を達成できる。
【０１３１】次に、図１８を用いて、画素ＴＦＴとアナ
ログスイッチＴＦＴを一体形成する場合の製造方法及び
デバイス構造について説明する。まず、ガラス基板１３
０からの不純物の拡散を防止するための下地絶縁膜１３
２をそのガラス基板１３０上に堆積させた後、多結晶シ
リコン薄膜１３４を堆積させる。この多結晶シリコン薄
膜１３４の結晶性を向上させることが、電界効果移動度
の増加には必要となる。そこで、レーザーアニールや固
相成長法等を用いて多結晶シリコン薄膜を再結晶化した
り、非晶質シリコン薄膜を結晶化して多結晶シリコン化
したものを使用する。この多結晶シリコン膜１３４を島
状にパターニングした後、ゲート絶縁膜１３６を堆積さ
せる。
ログスイッチＴＦＴを一体形成する場合の製造方法及び
デバイス構造について説明する。まず、ガラス基板１３
０からの不純物の拡散を防止するための下地絶縁膜１３
２をそのガラス基板１３０上に堆積させた後、多結晶シ
リコン薄膜１３４を堆積させる。この多結晶シリコン薄
膜１３４の結晶性を向上させることが、電界効果移動度
の増加には必要となる。そこで、レーザーアニールや固
相成長法等を用いて多結晶シリコン薄膜を再結晶化した
り、非晶質シリコン薄膜を結晶化して多結晶シリコン化
したものを使用する。この多結晶シリコン膜１３４を島
状にパターニングした後、ゲート絶縁膜１３６を堆積さ
せる。
【０１３２】次に、例えば金属によってゲート電極１３
８を形成し、その後、燐イオン等の不純物を全面にドー
ピングする。次に、層間絶縁膜（ＳｉＯ２ ）１４０を
形成し、例えばアルミニウム（Ａｌ）によって金属薄膜
１４２で信号線等を形成し、ＩＴＯ等といった透明導電
膜によって画素電極１４４を形成し、パシベーション膜
１４６を形成すれば、画素ＴＦＴをアナログスイッチＴ
ＦＴとを一体形成した基板が完成する。この基板に配向
処理を施し、配向処理を同様に施した対向基板１３５を
数μｍのギャップを隔てて対向させ、そのギャップ内に
液晶Ｌを封入すれば液晶装置が完成する。
８を形成し、その後、燐イオン等の不純物を全面にドー
ピングする。次に、層間絶縁膜（ＳｉＯ２ ）１４０を
形成し、例えばアルミニウム（Ａｌ）によって金属薄膜
１４２で信号線等を形成し、ＩＴＯ等といった透明導電
膜によって画素電極１４４を形成し、パシベーション膜
１４６を形成すれば、画素ＴＦＴをアナログスイッチＴ
ＦＴとを一体形成した基板が完成する。この基板に配向
処理を施し、配向処理を同様に施した対向基板１３５を
数μｍのギャップを隔てて対向させ、そのギャップ内に
液晶Ｌを封入すれば液晶装置が完成する。
【０１３３】対向基板１３５の液晶Ｌ側の表面には、例
えば図３に示すように、表示用電極２２が形成され、さ
らにその表示用電極２２から延びる配線２４のパッド２
５に外部回路からの端子が接続される。また、配線２４
は図６（Ａ）に示すように、透明導電層７０と低抵抗の
金属層７２とから成る２層構造によって形成される。ま
た、必要に応じて表示用電極２２も、図６（Ｂ）に示す
ように、幅の広い透明導電層７０と幅の狭い低抵抗の金
属層７２とから成る２層構造によって形成される。
えば図３に示すように、表示用電極２２が形成され、さ
らにその表示用電極２２から延びる配線２４のパッド２
５に外部回路からの端子が接続される。また、配線２４
は図６（Ａ）に示すように、透明導電層７０と低抵抗の
金属層７２とから成る２層構造によって形成される。ま
た、必要に応じて表示用電極２２も、図６（Ｂ）に示す
ように、幅の広い透明導電層７０と幅の狭い低抵抗の金
属層７２とから成る２層構造によって形成される。
【０１３４】図１７に示した液晶装置１０１は、例えば
図１９に示す外観形状に形成できる。図１９において、
破線で示す部分が表示画面すなわちアクティブマトリク
スエリア１６０である。液晶材料は、カラーフィルタ基
板１６２とＴＦＴ基板１６４との間に挟持され。領域１
６６には、アナログスイッチＴＦＴ及びその配線が配置
される。
図１９に示す外観形状に形成できる。図１９において、
破線で示す部分が表示画面すなわちアクティブマトリク
スエリア１６０である。液晶材料は、カラーフィルタ基
板１６２とＴＦＴ基板１６４との間に挟持され。領域１
６６には、アナログスイッチＴＦＴ及びその配線が配置
される。
【０１３５】データドライバ１７０はＴＡＢ（Tape Aut
omated Bonding）テープ１６８を用いて実装される。そ
して、データドライバ１７２及び走査ドライバ１７４も
同様にしてＴＡＢテープ１６８を用いて実装される。
omated Bonding）テープ１６８を用いて実装される。そ
して、データドライバ１７２及び走査ドライバ１７４も
同様にしてＴＡＢテープ１６８を用いて実装される。
【０１３６】回路基板１７６上には、データドライバ１
７０，１７２及び走査ドライバ１７４に信号を供給する
ための配線、コンデンサ等が設けられる。また、場合に
よっては、データドライバ、走査ドライバをコントロー
ルするためのコントロール回路も設けられる。
７０，１７２及び走査ドライバ１７４に信号を供給する
ための配線、コンデンサ等が設けられる。また、場合に
よっては、データドライバ、走査ドライバをコントロー
ルするためのコントロール回路も設けられる。
【０１３７】図１９に示す実施形態では、アナログスイ
ッチＴＦＴをアクティブマトリクスエリア１６０の上側
及び下側に半数ずつ配置している。このため、図１７に
示したＭ本の信号線は上側及び下側の両側から、いわゆ
るクシ歯状に配線される。また、データドライバ及び走
査ドライバは、カラーフィルタ基板１６２及びＴＦＴ基
板１６４の貼り合わせ構造である液晶パネルの同一辺に
実装される。このような構成により、本実施形態の液晶
装置は外形寸法Ｌ３を非常に小さくすることができ、そ
れ故、携帯電話機、携帯電子端末機等といった携帯機器
に好適に使用できる。
ッチＴＦＴをアクティブマトリクスエリア１６０の上側
及び下側に半数ずつ配置している。このため、図１７に
示したＭ本の信号線は上側及び下側の両側から、いわゆ
るクシ歯状に配線される。また、データドライバ及び走
査ドライバは、カラーフィルタ基板１６２及びＴＦＴ基
板１６４の貼り合わせ構造である液晶パネルの同一辺に
実装される。このような構成により、本実施形態の液晶
装置は外形寸法Ｌ３を非常に小さくすることができ、そ
れ故、携帯電話機、携帯電子端末機等といった携帯機器
に好適に使用できる。
【０１３８】以上に説明したように、本実施形態の液晶
装置１０１においてアナログスイッチＴＦＴのしきい値
電圧のシフト量を適正なものにするためには、アナログ
スイッチＴＦＴのソース領域に供給する入力信号の振幅
を５Ｖ以下にすることが望ましい。しかしながら、この
場合、通常の駆動方法を用いると以下のような問題が生
じる。
装置１０１においてアナログスイッチＴＦＴのしきい値
電圧のシフト量を適正なものにするためには、アナログ
スイッチＴＦＴのソース領域に供給する入力信号の振幅
を５Ｖ以下にすることが望ましい。しかしながら、この
場合、通常の駆動方法を用いると以下のような問題が生
じる。
【０１３９】図２１は、フィールド反転駆動を行う通常
の駆動波形を示している。液晶は交流駆動する必要があ
るため、信号線に加える信号ＶＳ を所定電位ＶＣ を中
心に所定期間毎に極性反転する必要がある。このため図
２１に示すようにＶＳ の振幅は非常に広くなる。そし
て通常のＴＮ液晶では±５Ｖ程度の電圧を印加する必要
があるため、ＶＳ の振幅も１０Ｖ程度必要となる。な
お、対向電極に与える電位Ｖｃｏｍは、画素ＴＦＴがオ
フ状態となるときに生じる突き抜け電圧を補償するため
に、ＶＳ の中心電位ＶＣ よりもΔＶだけ低い電位とな
っている。ここで、ΔＶの平均値＝ＶＣ −Ｖｃｏｍの
関係が成り立っている。
の駆動波形を示している。液晶は交流駆動する必要があ
るため、信号線に加える信号ＶＳ を所定電位ＶＣ を中
心に所定期間毎に極性反転する必要がある。このため図
２１に示すようにＶＳ の振幅は非常に広くなる。そし
て通常のＴＮ液晶では±５Ｖ程度の電圧を印加する必要
があるため、ＶＳ の振幅も１０Ｖ程度必要となる。な
お、対向電極に与える電位Ｖｃｏｍは、画素ＴＦＴがオ
フ状態となるときに生じる突き抜け電圧を補償するため
に、ＶＳ の中心電位ＶＣ よりもΔＶだけ低い電位とな
っている。ここで、ΔＶの平均値＝ＶＣ −Ｖｃｏｍの
関係が成り立っている。
【０１４０】図２１に示す駆動波形では、ＶＳ の振幅
を１０Ｖ程度と広くする必要がある。従って、アナログ
スイッチＴＦＴの入力信号の振幅も広くする必要があ
り、入力信号の振幅を５Ｖ以下にできない。そこで本実
施形態では、図２０に示すように、対向電極に与える電
位の前記入力信号に対する極性を１水平走査期間毎に反
転させる駆動を行っている（以下、この駆動方法を１Ｈ
コモン振り駆動と呼ぶ）。
を１０Ｖ程度と広くする必要がある。従って、アナログ
スイッチＴＦＴの入力信号の振幅も広くする必要があ
り、入力信号の振幅を５Ｖ以下にできない。そこで本実
施形態では、図２０に示すように、対向電極に与える電
位の前記入力信号に対する極性を１水平走査期間毎に反
転させる駆動を行っている（以下、この駆動方法を１Ｈ
コモン振り駆動と呼ぶ）。
【０１４１】図２１では、ＶＳ の極性をＶＣ を中心と
して１フィールド毎に反転させていたが、１Ｈコモン振
り駆動では、Ｖｃｏｍの極性が１水平走査期間毎に反転
するため、ＶＳ の極性反転を行う必要が無い。このた
め、ＶＳ の振幅を小さくすることができる。これによ
り、表示品質を保ちながらアナログスイッチＴＦＴの入
力信号を５Ｖ以下にすることが可能となる。さらに、デ
ータドライバを低動作電圧化でき、５Ｖ耐圧の製造プロ
セスで形成することが可能となり、データドライバの小
型化、低消費電力化、低コスト化を達成できる。
して１フィールド毎に反転させていたが、１Ｈコモン振
り駆動では、Ｖｃｏｍの極性が１水平走査期間毎に反転
するため、ＶＳ の極性反転を行う必要が無い。このた
め、ＶＳ の振幅を小さくすることができる。これによ
り、表示品質を保ちながらアナログスイッチＴＦＴの入
力信号を５Ｖ以下にすることが可能となる。さらに、デ
ータドライバを低動作電圧化でき、５Ｖ耐圧の製造プロ
セスで形成することが可能となり、データドライバの小
型化、低消費電力化、低コスト化を達成できる。
【０１４２】このように１Ｈコモン振り駆動によれば、
アナログスイッチＴＦＴの信頼性の向上と、データドラ
イバの低動作電圧等を両立できる。なお、図２０では、
突き抜け電圧による悪影響を防止するため、ΔＶの平均
値＝ＶＳ の平均値−Ｖｃｏｍの平均値となる関係を成
り立たせている。
アナログスイッチＴＦＴの信頼性の向上と、データドラ
イバの低動作電圧等を両立できる。なお、図２０では、
突き抜け電圧による悪影響を防止するため、ΔＶの平均
値＝ＶＳ の平均値−Ｖｃｏｍの平均値となる関係を成
り立たせている。
【０１４３】以上の説明のように、本実施形態では、図
１８の対向基板１３５に図３に示すようなストライプ状
の表示用電極２２が形成される。そしてその表示用電極
２２につながる配線２４は図６（Ａ）に示すように透明
導電層７０と金属層７２との積層構造となっている。こ
のため、配線２４を透明導電層７０のみで形成する場合
に比べ、配線２４の電気抵抗を低下させることができ、
従って、配線２４における電圧降下のために液晶装置の
表示品質が低下するという可能性が低くなる。また、配
線２４の電気抵抗を小さくするために透明導電層７０の
膜厚を厚くする必要がないため、配線２４の透明導電層
７０と同時に形成されることが多い表示用電極６３の透
明導電層７０における膜厚が必要以上に厚くなることが
ない。従って、透明導電層７０を厚くすることのみによ
って配線２４の電気抵抗を小さくする場合に比べ、表示
用電極６３の光透過率を高くすることができる。
１８の対向基板１３５に図３に示すようなストライプ状
の表示用電極２２が形成される。そしてその表示用電極
２２につながる配線２４は図６（Ａ）に示すように透明
導電層７０と金属層７２との積層構造となっている。こ
のため、配線２４を透明導電層７０のみで形成する場合
に比べ、配線２４の電気抵抗を低下させることができ、
従って、配線２４における電圧降下のために液晶装置の
表示品質が低下するという可能性が低くなる。また、配
線２４の電気抵抗を小さくするために透明導電層７０の
膜厚を厚くする必要がないため、配線２４の透明導電層
７０と同時に形成されることが多い表示用電極６３の透
明導電層７０における膜厚が必要以上に厚くなることが
ない。従って、透明導電層７０を厚くすることのみによ
って配線２４の電気抵抗を小さくする場合に比べ、表示
用電極６３の光透過率を高くすることができる。
【０１４４】さらに、透明導電層７０を厚くすることの
みによって配線２４の電気抵抗を小さくする場合に比
べ、表示用電極６３及び配線２４に用いられている透明
導電層７０の厚さを薄くできるため、対向基板２ａすな
わち表示装置用基板の形成に要する時間を短縮すること
ができる。
みによって配線２４の電気抵抗を小さくする場合に比
べ、表示用電極６３及び配線２４に用いられている透明
導電層７０の厚さを薄くできるため、対向基板２ａすな
わち表示装置用基板の形成に要する時間を短縮すること
ができる。
【０１４５】（第５実施形態）図８（Ａ）、（Ｂ）及び
（Ｃ）は、図１に示す液晶装置１０、図１５に示す液晶
装置１又は図１７に示す液晶装置１０１等を表示装置と
して用いた電子機器の実施形態を示している。図８
（Ａ）は携帯電話機８８を示し、その前面の上方に液晶
装置１０等を有する。図８（Ｂ）は腕時計９２を示し、
その本体の前面の中央に液晶装置１０等を表示部として
有する。図８（Ｃ）は携帯情報機器９６を示し、液晶装
置１０等から成る表示部と入力部９８とを備えている。
（Ｃ）は、図１に示す液晶装置１０、図１５に示す液晶
装置１又は図１７に示す液晶装置１０１等を表示装置と
して用いた電子機器の実施形態を示している。図８
（Ａ）は携帯電話機８８を示し、その前面の上方に液晶
装置１０等を有する。図８（Ｂ）は腕時計９２を示し、
その本体の前面の中央に液晶装置１０等を表示部として
有する。図８（Ｃ）は携帯情報機器９６を示し、液晶装
置１０等から成る表示部と入力部９８とを備えている。
【０１４６】以上の各電子機器は、液晶装置１０等の他
に、例えば図１１に示すように、表示情報出力源８６、
表示情報処理回路８７、クロック発生回路８９等といっ
た様々な回路や、それらの回路に電力を供給する電源回
路９１等から成る表示信号生成部９３を含んで構成され
る。表示部には、例えば、図８（Ｃ）に示す携帯情報機
器９６の場合にあっては、入力部９８から入力された情
報等に基づき表示信号生成部９３によって生成された表
示信号が供給されることによって表示画像が形成され
る。
に、例えば図１１に示すように、表示情報出力源８６、
表示情報処理回路８７、クロック発生回路８９等といっ
た様々な回路や、それらの回路に電力を供給する電源回
路９１等から成る表示信号生成部９３を含んで構成され
る。表示部には、例えば、図８（Ｃ）に示す携帯情報機
器９６の場合にあっては、入力部９８から入力された情
報等に基づき表示信号生成部９３によって生成された表
示信号が供給されることによって表示画像が形成され
る。
【０１４７】なお、本実施形態に係る液晶装置１０等が
組み込まれる電子機器としては、携帯電話機、腕時計、
携帯情報機器に限られず、ノート型パソコン、電子手
帳、ページャ、電卓、ＰＯＳ端末、ＩＣカード、ミニデ
ィスクプレーヤー等といった様々な電子機器が考えられ
る。
組み込まれる電子機器としては、携帯電話機、腕時計、
携帯情報機器に限られず、ノート型パソコン、電子手
帳、ページャ、電卓、ＰＯＳ端末、ＩＣカード、ミニデ
ィスクプレーヤー等といった様々な電子機器が考えられ
る。
【０１４８】（その他の実施形態）以上、好ましい実施
形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形
態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明
の範囲内で種々に改変できる。
形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形
態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明
の範囲内で種々に改変できる。
【０１４９】例えば、前述した各実施形態においては、
透明導電層がＩＴＯで形成され、金属層がアルミニウム
が形成された例を示した。しかしながら、透明導電層を
形成する材料は、光透過率が高く十分な導電性を備えて
いればよく、例えば、酸化錫や銀であってもよい。ま
た、透明導電層は光透過と光反射の両方を行う半透過機
能を有する半透過膜であっても構わない。また、金属層
を形成する材料は、十分な導電性を持てばよく、例え
ば、クロム、銅、銀又は金等であってもよい。
透明導電層がＩＴＯで形成され、金属層がアルミニウム
が形成された例を示した。しかしながら、透明導電層を
形成する材料は、光透過率が高く十分な導電性を備えて
いればよく、例えば、酸化錫や銀であってもよい。ま
た、透明導電層は光透過と光反射の両方を行う半透過機
能を有する半透過膜であっても構わない。また、金属層
を形成する材料は、十分な導電性を持てばよく、例え
ば、クロム、銅、銀又は金等であってもよい。
【０１５０】また、前述した各実施形態の液晶パネルに
おいて、一対の基板の一方の内面にカラーフィルタを形
成し，カラー表示装置とすることもできる。カラーフィ
ルタは、表示用電極の下層に形成することが好ましい。
おいて、一対の基板の一方の内面にカラーフィルタを形
成し，カラー表示装置とすることもできる。カラーフィ
ルタは、表示用電極の下層に形成することが好ましい。
【０１５１】また、前述した各実施形態においては、液
晶パネルとして、ＳＴＮ型の液晶パネルを示した。しか
しながら、液晶パネルとしては、これに限られず、ＴＮ
（Twisted Nematic）型、ゲストホスト型、相転移型、
双安定ＴＮ（Bi−stable Twisted Nematic）型、強誘電
型等、種々のタイプの液晶パネルを用いることができ
る。また、表示用電極はストライプ状に限られず、アイ
コン等といったキャラクタ形状でもよい。
晶パネルとして、ＳＴＮ型の液晶パネルを示した。しか
しながら、液晶パネルとしては、これに限られず、ＴＮ
（Twisted Nematic）型、ゲストホスト型、相転移型、
双安定ＴＮ（Bi−stable Twisted Nematic）型、強誘電
型等、種々のタイプの液晶パネルを用いることができ
る。また、表示用電極はストライプ状に限られず、アイ
コン等といったキャラクタ形状でもよい。
【０１５２】また、図１に示した実施形態においては、
透過型の液晶装置を例示した。しかしながら、反射型の
表示装置であっても本発明を適用することができる。そ
のような液晶装置においては、バックライトユニットを
用いず、背面側に反射板を配置したり、表示用電極の一
方を反射電極として形成したりする。
透過型の液晶装置を例示した。しかしながら、反射型の
表示装置であっても本発明を適用することができる。そ
のような液晶装置においては、バックライトユニットを
用いず、背面側に反射板を配置したり、表示用電極の一
方を反射電極として形成したりする。
【０１５３】また、本発明は前述した各実施形態に限定
されるものではなく、本発明の要旨の範囲内又は特許請
求の範囲の均等範囲内で各種の変形実施が可能である。
されるものではなく、本発明の要旨の範囲内又は特許請
求の範囲の均等範囲内で各種の変形実施が可能である。
【０１５４】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明に係るに
よれば、配線を透明導電層と金属層との積層構造として
いるため、配線を透明導電層のみで形成する場合に比
べ、配線の電気抵抗を低下させることができる。従っ
て、本発明の表示装置用基板を用いた液晶装置は、配線
における電圧降下のために表示品質が低下する可能性が
低い。
よれば、配線を透明導電層と金属層との積層構造として
いるため、配線を透明導電層のみで形成する場合に比
べ、配線の電気抵抗を低下させることができる。従っ
て、本発明の表示装置用基板を用いた液晶装置は、配線
における電圧降下のために表示品質が低下する可能性が
低い。
【０１５５】また、配線の電気抵抗を小さくするために
透明導電層の膜厚を厚くする必要がないため、配線の透
明導電層と同時に形成されることが多い表示用電極の透
明導電層における膜厚が必要以上に厚くなることがな
い。従って、透明導電層を厚くすることのみによって配
線の電気抵抗を小さくする場合に比べ、表示用電極の光
透過率を高くすることができる。
透明導電層の膜厚を厚くする必要がないため、配線の透
明導電層と同時に形成されることが多い表示用電極の透
明導電層における膜厚が必要以上に厚くなることがな
い。従って、透明導電層を厚くすることのみによって配
線の電気抵抗を小さくする場合に比べ、表示用電極の光
透過率を高くすることができる。
【０１５６】さらに、透明導電層を厚くすることのみに
よって配線の電気抵抗を小さくする場合に比べ、表示用
電極及び配線に用いられている透明導電層の厚さを薄く
できるため、表示装置用基板の形成に要する時間を短縮
することができる。
よって配線の電気抵抗を小さくする場合に比べ、表示用
電極及び配線に用いられている透明導電層の厚さを薄く
できるため、表示装置用基板の形成に要する時間を短縮
することができる。
【図１】本発明に係る液晶装置の一実施形態を分解状態
で示す斜視図である。
で示す斜視図である。
【図２】図１に示す液晶装置の断面構造を分解状態で示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】図１に示す液晶装置を構成する一方のパネル基
板を示す平面図である。
板を示す平面図である。
【図４】図１に示す液晶装置を構成する他方のパネル基
板を示す平面図である。
板を示す平面図である。
【図５】図４に示すパネル基板における１本の表示用電
極と配線とを拡大して示す平面図である。
極と配線とを拡大して示す平面図である。
【図６】（Ａ）は図５のＦ−Ｆ線に従って配線の断面構
造を示す断面図であり、（Ｂ）は図５のＧ−Ｇ線に従っ
て表示用電極の断面構造を示す断面図である。
造を示す断面図であり、（Ｂ）は図５のＧ−Ｇ線に従っ
て表示用電極の断面構造を示す断面図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｅ）は、パネル基板の製造工程をパ
ネル基板の一部分を例示して示す断面図である。
ネル基板の一部分を例示して示す断面図である。
【図８】本発明に係る電子機器の実施形態を示す図であ
り、（Ａ）は携帯電話機を示し、（Ｂ）は腕時計を示
し、（Ｃ）は携帯情報機器を示している。
り、（Ａ）は携帯電話機を示し、（Ｂ）は腕時計を示
し、（Ｃ）は携帯情報機器を示している。
【図９】図４に示すパネル基板における１本の表示用電
極と配線の改変例を拡大して示す平面図である。
極と配線の改変例を拡大して示す平面図である。
【図１０】図９のＧ−Ｇ線に従って表示用電極の断面構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
【図１１】電子機器の電気制御系の一例を示すブロック
図である。
図である。
【図１２】本発明に係る液晶装置の他の実施形態の主要
部を分解状態で示す斜視図である。
部を分解状態で示す斜視図である。
【図１３】図１２の液晶装置の主要部の断面構造を示す
断面図である。
断面図である。
【図１４】図１２の液晶装置で用いられる１つのＴＦＤ
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図１５】図１２の液晶装置の外観形状を示す斜視図で
ある。
ある。
【図１６】図１２の液晶装置を構成する表示装置用基板
の一方を示す平面図である。
の一方を示す平面図である。
【図１７】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態
の回路構造を示す回路図である。
の回路構造を示す回路図である。
【図１８】図１７に示す液晶装置の主要部の断面構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１９】図１７に示す液晶装置の外観形状を示す平面
図である。
図である。
【図２０】図１７に示す液晶装置の駆動方法である１Ｈ
コモン振り駆動法を実現する駆動波形を示す図である。
コモン振り駆動法を実現する駆動波形を示す図である。
【図２１】ＴＦＴ方式のアクティブマトリクス型液晶装
置の一般的な駆動方法であるフィールド反転駆動法を実
現する駆動波形を示す図である。
置の一般的な駆動方法であるフィールド反転駆動法を実
現する駆動波形を示す図である。
【図２２】しきい値電圧のシフト量と動作時間との関係
を確認するために行った測定の結果を示すグラフであ
る。
を確認するために行った測定の結果を示すグラフであ
る。
１ 液晶装置 ２ａ，２ｂ 基板（表示装置用基板） ３ シール材 ６ａ，６ｂ 基板 １０ 液晶装置 １４ 液晶パネル ２０，３０，８０ パネル基板（表示装置用基板） ２１，３１ 基板 ２２，３２，８２ 表示用電極 ２４，３４，３６ 配線 ６３ 表示用電極 ７０ 透明導電層 ７２ 金属層 ７４ 第１フォトレジスト膜 ７６ 第２フォトレジスト膜 ８２ 表示用電極 ８４ スリット ８８ 携帯電話機（電子機器） ９２ 腕時計（電子機器） ９６ 携帯情報機器（電子機器） Ｌ 液晶
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1368 Ｇ０２Ｆ 1/1368 Ｆターム(参考） 2H091 FA08X FA08Z FA14Y FA14Z FA23Z FA29Z FA31Z FA41Z GA02 GA03 GA11 GA13 HA10 LA12 LA16 2H092 GA05 GA17 GA25 GA50 GA60 HA03 HA05 JA05 JA24 NA07 NA28 QA10 5C094 AA10 BA03 BA43 CA19 EA04 EA05 EA07
Claims (14)
- 【請求項１】 複数の表示用電極と、前記複数の表示用
電極に電圧を印加するための複数の配線とを備える表示
装置用基板において、 前記配線は、前記表示用電極と同一層の透明な導電層か
ら成る透明導電層と、前記透明導電層より低抵抗の金属
から成る金属層との積層構造を有することを特徴とする
表示装置用基板。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記表示用電極は、透明な導電層から成る透明導電層
と、前記透明導電層より低抵抗の金属から成る金属層と
の積層構造を有することを特徴とする表示装置用基板。 - 【請求項３】 請求項２において、 前記表示用電極における前記金属層は、前記透明導電層
の幅に比べて幅が狭いことを特徴とする表示装置用基
板。 - 【請求項４】 請求項１又は請求項２において、 前記表示用電極は、前記透明導電層と前記金属層との積
層構造を有し、該積層構造の部分において前記金属層が
部分的に開口を有することを特徴とする表示装置用基
板。 - 【請求項５】 請求項１から請求項４のいずれかにおい
て、 前記配線は、前記表示用電極の端部から前記基板の周縁
に沿って引き回される配線であることを特徴とする表示
装置用基板。 - 【請求項６】 一対の基板間に液晶を挟持して成る液晶
装置であって、 請求項１から請求項５のいずれかに記載の表示装置用基
板を、前記一対の基板の少なくとも一方に用いて成るこ
とを特徴とする液晶装置。 - 【請求項７】 請求項４に記載の表示装置用基板と、こ
れに対向する対向基板との間に液晶層を挟持して成り、
前記金属層の開口部を光透過部として用いた透過型表示
機能と前記金属層の部分を光反射部として用いた反射型
表示機能とを有することを特徴とする液晶装置。 - 【請求項８】 請求項６又は請求項７に記載の液晶装置
を表示手段として有することを特徴とする電子機器。 - 【請求項９】 請求項１から請求項５のいずれかに記載
の表示装置用基板の製造方法であって、 前記透明導電層を前記基板上に形成する透明導電層形成
工程と、 前記透明導電層上に金属層を積層する金属層積層工程
と、 前記透明導電層及び前記金属層を同時にエッチングする
エッチング工程とを有することを特徴とする表示装置用
基板の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項１から請求項５のいずれかに記
載の表示装置用基板の製造方法であって、 前記透明導電層を前記基板上に形成する透明導電層形成
工程と、 前記透明導電層上に金属層を積層する金属層積層工程
と、 第１フォトレジスト膜を用いて、前記透明導電層及び前
記金属層を同時にエッチングしてパターニングする第１
エッチング工程と、 前記第１フォトレジスト膜の露光及び現像を行って所定
パターンの第２フォトレジスト膜を形成し、該第２フォ
トレジスト膜を用いて、前記金属層のみをエッチングし
てパターニングする第２エッチング工程とを有すること
を特徴とする表示装置用基板の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１０において、 前記表示用電極における前記金属層は、前記第２エッチ
ング工程によって前記透明導電層の端部上のみに残され
るようにエッチングされることを特徴とする表示装置用
基板の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１０において、 前記表示用電極における前記金属層は、前記第２エッチ
ング工程によって前記透明導電層上に開口部を有するよ
うにエッチングされることを特徴とする表示装置用基板
の製造方法。 - 【請求項１３】 一対の表示装置用基板間に液晶を挟持
して成る液晶装置であって、 一方の表示装置用基板は、複数の画素電極と、該画素電
極の個々に付属して形成された複数の２端子型スイッチ
ング素子とを有し、 他方の表示装置用基板は、前記複数の画素電極に対向し
てストライプ状に配列される複数の表示用電極と、該表
示用電極につながる配線とを有し、 前記複数の表示用電極は透明な導電層を含み、 前記配線は、前記表示用電極と同一層の透明な導電層か
ら成る透明導電層と、前記透明導電層より低抵抗の金属
から成る金属層との積層構造を有することを特徴とする
液晶装置。 - 【請求項１４】 一対の表示装置用基板間に液晶を挟持
して成る液晶装置であって、 一方の表示装置用基板は、複数の画素電極と、該画素電
極の個々に付属して形成された複数の３端子型スイッチ
ング素子とを有し、 他方の表示装置用基板は、前記複数の画素電極に対向し
てストライプ状に配列される複数の表示用電極と、該表
示用電極につながる配線とを有し、 前記複数の表示用電極は透明な導電層を含み、 前記配線は、前記表示用電極と同一層の透明な導電層か
ら成る透明導電層と、前記透明導電層より低抵抗の金属
から成る金属層との積層構造を有することを特徴とする
液晶装置。
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