TW538293B

TW538293B - Display device substrate, method for manufacturing the display device substrate, liquid-crystal display device, and electronic equipment

Info

Publication number: TW538293B
Application number: TW090103630A
Authority: TW
Inventors: Shoji Hinata
Original assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2000-02-18
Filing date: 2001-02-16
Publication date: 2003-06-21
Also published as: KR20010087191A; JP3617458B2; US6924867B2; US6922225B2; US20010022644A1; KR100416173B1; CN1204447C; US6850307B2; CN1309320A; US20030206263A1; US20030202151A1; JP2001305995A

Description

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（1 ) 【發明領域】本發明係關於顯示裝置所使用的顯示裝置用基板、該顯示裝置用基板的製造方法、使用該顯示裝置用基板的液晶裝置及使用該液晶裝置的電子機器。【發明背景】【習知技藝之說明】一般，單純矩陣（Matnx)型的液晶裝置係使各個基板上的顯示用電極互相形成格子狀來對向，以配置複數個並行的顯示用電極、導電連接於各個顯示用電極，用以施加電壓的配線形成於基板上而成的兩片面板基板而形成。此外，附屬於各個像素，形成薄膜二極體（Tlnn FUm Diode :TFD)之構造的主動矩陣（Active matrix)型液晶裝置係藉由使一對基板的元件基板以及對向基板互相對向來配置而形成。這種情形，在上述元件基板上形成TFD 、與此 TFD連接的配線以及當作顯示用電極的像素電極。而且，在上述對向基板上形成複數個並行的顯示用電極、導電連接於各個顯示用電極，用以施加電壓的配線。這些元件基板以及對向基板係使元件基板上的像素電極與對向基板上的顯示用電極重疊來對向配置。在上述習知的液晶裝置中，伴隨著顯示的高精細化或極力縮小顯示區域以外的區域之所謂的窄額緣化，接連顯示用電極的配線特別是具有微細化的傾向。最近，像這樣伴隨著配線的微細化之配線的電阻增加，使來自驅動電路本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538293 A7 B7 五、發明說明（2 ) 所施加的電壓之配線中的電壓下降變成無法無視。而且，在單純矩陣型的液晶裝置中，使用STN(超扭轉向歹丨J， Super Twisted Nematic)型液晶很多，惟這種液晶裝置中的顯示因微妙的驅動電壓的變化特別容易受到影響。而且，配線係導電連接於顯示用電極連續地形成’通常由顯示用電極所使用的透明導電膜例如ITO(銦錫氧化物’ Indium Tin Oxide)膜所構成，與顯示用電極同時形成。其結果顯示用電極與配線通常變成約略相等的膜厚之透明導電膜。可是，雖然配線如上述由於微細化使線寬變細起來’ 惟因減小該配線的路徑中的電阻，故可考慮增加透明導電膜的膜厚。但是，增加配線的膜厚對於膜形成所需的時間會增加。而且，若增加配線的膜厚，則因同時形成的顯示用電極的膜厚也變厚，故顯示用電極的光穿透率也降低。本發明乃鑒於上述問題點所做的創作，其目的爲達成: 在顯示裝置用基板中，降低配線中的電阻、增加顯示用電極的光穿透率、此外縮短顯示用電極以及配線的形成所需的時間之中的至少一個。【發明槪要】 (1)、與本發明有關的顯示裝置用基板，其特徵包含：複數個顯示用電極；以及複數條配線，用以施加電壓給該複數個顯示用電極，其中本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） -5 -------r-----裝----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) tr--------- 538293 A7 B7 五、發明說明（3 ) 該配線具有由與該顯示用電極同一層的透明的導電層所構成的透明導電層’與由比該透明導電層的電阻還低的金屬所構成的金屬層之疊層構造。上述構成的顯示裝置用基板因配線係以透明導電層與金屬層之疊層構造，故與僅以透明導電層來形成配線的情形比較，可降低配線的電阻。因此’使用本顯示裝置用基板的液晶裝置因配線中的電壓下降’使顯示品質降低的可能性低。而且，因無須爲了減小配線的電阻而增加透明導電層的膜厚，故無增加常與配線的透明導電層同時形成的顯示用電極之透明導電層中的膜厚到必要以上。因此’與僅藉由增加透明導電層的厚度來減小配線的電阻之情形比較’ 可提高顯示用電極之光穿透率。再者，與僅藉由增加透明導電層的厚度來減小配線的電阻之情形比較，因可減少顯示用電極以及配線所使用的透明導電層的厚度，故可縮短顯示裝置用基板的形成所需的時間。 (2)、在上述（1)項所述之構成的顯示裝置用基板中’該顯示用電極具有由透明的導電層所構成的透明導電層’與由比該透明導電層的電阻還低的金屬所構成的金屬層之疊層構造。如此，若將顯示用電極當作透明導電層與金屬層之疊層構造，則與僅以透明導電層來形成的情形比較，可降低顯示用電極的電阻。而且，因無須爲了降低顯示用電極的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·ί丨丨！丨訂-------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -6 - 538293 A7 B7 五、發明說明（4 ) 電阻而增加透明導電層的膜厚，故可提高顯示用電極之光穿透率。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (3) 、在上述（2)項所述之構成的顯示裝置用基板中’最好該顯示用電極中的該金屬層其寬度比該透明導電層的寬度窄。據此，顯示的亮度幾乎不會降低，可降低顯示用電極的電阻。 (4) 、在上述（1)項或上述（2)項所述之構成的顯示用基板中，該顯示用電極可具有該透明導電層與該金屬層之疊層構造，這種情形在該疊層構造的部分中，該金屬層可部分地具有開口。若將本構成的顯示裝置用基板當作構成液晶裝置的一對基板之中背面側的基板來使用的話，光會通過顯示用電極的開口部，另一方面，因在顯示用電極的金屬層的部分光會反射，故可形成半穿透反射型的液晶裝置。而且，在金屬層的開口部中，也因存在以透明導電層所形成的顯示用電極，故在對應開口部的區域中無施加於液晶的電場散亂。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (5) 、在上述（1)項到上述（4)項中任一項所述之構成的顯示裝置用基板中，該配線係從該顯示用電極的端部沿著該基板的周緣被拉引。配線因一般在基板的周緣部的額緣區域被拉引，配線距離長，故如本發明若藉由導電層與金屬層之疊層構造來形成配線的話，關於降低配線電阻效果特別大。 (6) 、其次，與本發明有關的一種液晶裝置，係在一對本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538293 A7 _ B7 五、發明說明（5 ) 基板間挾持液晶而成，其中在上述（1)項到上述（5)項中任一項所述之構成的顯示裝置用基板，其特徵爲使用於該一對基板的至少一方而成。如果依照此構成的液晶裝置，因配線具有導電層與金屬層之疊層構造，故與僅以透明導電層來形成配線的情形比較，可降低配線的電阻。因此，因配線中的電壓下降，使顯示品質降低之可能性低。而且，無須爲了減小配線的電阻而增加透明導電層的膜厚，故無增加常同時形成的顯示用電極之透明導電層中的膜厚到必要以上。因此，與僅藉由增加透明導電層的厚度來減小配線的電阻之情形比較，顯示用電極之光穿透率局。再者，與僅藉由增加透明導電層的厚度來減小配線的電阻之情形比較，因可減少顯示用電極以及配線所使用的透明導電層的厚度，故可縮短透明導電層的形成所需的時間。 (7)、其次，與本發明有關的液晶裝置，其特徵包含：上述（4)項所述之構成的顯示裝置用基板；穿透型顯示功能，在與該顯示裝置用基板對向的對向基板之間挾持液晶層而成，該金屬層的開口部當作光穿透部來使用；以及反射型顯示功能，該金屬層的部分當作光反射部來使用。此構成的液晶裝置因配線爲透明導電層與金屬層之疊層構造，故與僅以透明導電層來形成配線的情形比較，可本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _ 8 _ 丨丨·—·-------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 538293 A7 B7 五、發明說明（6) 降低配線的電阻。因此，因配線中的電壓下降，使顯示Ρσπ 質降低之可能性低。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 而且，因無須爲了減小配線的電阻而增加透明導電層的膜厚，故無增加常同時形成的顯示用電極之透明導電層中的膜厚到必要以上。因此，與僅藉由增加透明導電層的厚度來減小配線的電阻之情形比較，顯示用電極之光穿透率高。再者，與僅藉由增加透明導電層的厚度來減小配線的電阻之情形比較，因可減少顯示用電極以及配線所使用的透明導電層的厚度，故可縮短透明導電層的形成所需的時間。 (8) 、其次，與本發明有關的電子機器，其特徵爲具有上述（6)項或上述（7)項所述之構成的液晶裝置當作顯示手段。如果依照此構成的電子機器，關於顯示裝置可得到具有前述功效，具備顯示品質高的顯示手段之電子機器。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (9) 、其次，與本發明有關的顯示裝置用基板的製造方法，係上述（1)項到上述（5)項中任一項所述之顯示裝置用基板的製造方法，其特徵包含：在該基板上形成該透明導電層之透明導電層形成工程在該透明導電層上疊層金屬層之金屬層疊層工程；以及同時蝕刻該透明導電層以及該金屬層之鈾刻工程。如果依照此構成的製造方法，疊層透明導電層與金屬 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538293 A7 -- B7 五、發明說明（7 ) 層’藉由蝕刻一次這些層形成圖案（Patterning)可形成配線〇 (1 〇)、其次，與本發明有關的顯示裝置用基板的製造方法’係上述（1)項到上述（5)項中任一項所述之顯示裝置用基板的製造方法，其特徵包含：在該基板上形成該透明導電層之透明導電層形成工程在該透明導電層上疊層金屬層之金屬層疊層工程；利用第一光阻膜，同時蝕刻該透明導電層以及該金屬層，形成圖案之第一蝕刻工程；以及進行該第一光阻膜的曝光以及顯影，形成規定圖案的第一光阻膜，利用該第二光阻膜，僅餓刻該金屬層，形成圖案之第二蝕刻工程。如果依照此構成的製造方法，使用藉由曝光以及顯影第一蝕刻工程所使用的預定圖案（Pattern)之第一光阻（Ph〇t〇 r e s i s t)膜所形成的第二光阻膜，藉由第二触刻工程，殘留蝕刻一部分變成顯示用電極的部分之金屬層後，透過除去光阻膜，可形成具備疊層透明導電層與金屬層的部分與僅有透明導電層的部分之顯示用電極以及配線的圖案。如果依照這種工程，僅每次實施光阻膜的塗佈以及除去，可形成部分疊層金屬層與透明導電層的圖案。此在透明導電層以及金屬層分別形成圖案時，與光阻膜的塗佈以及光阻膜的除去分別需要兩次比較的話，可大幅地削減工程數量。而且，疊層透明導電層與金屬層，藉由蝕刻一次本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10- '!---一-------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 538293 A7 _____ B7 五、發明說明（8 ) 這些層形成圖案可形成配線。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (11) 、在上述（10)項所述之顯示裝置用基板的製造方法中，該顯不用電極中的該金屬層係藉由該第二餓刻工程，使其僅殘留在該透明導電層的端部上而蝕刻。如果依照此構成的製造方法，幾乎不會降低顯示的亮度，可大幅地削減工程數量來形成降低電阻的顯示用電極之圖案。 (12) 、在上述（10)項所述之顯示裝置用基板的製造方法中，該顯示用電極中的該金屬層係藉由該第二蝕刻工程，使其在該透明導電層上具有開口部而蝕刻。如果依照此構成的製造方法，可用少的工程數量來製造具有上述（4)項所述之功效的顯示裝置用基板。 (13) 、其次，與本發明有關的液晶裝置，係在一對顯示裝置用基板間挾持液晶而成，其特徵爲：一方的顯示裝置用基板具有：複數個像素電極、附屬於該像素電極的每一個所形成的複數個兩端子型開關元件經濟部智慧財產局員工消費合作社印製另一方的顯示裝置用基板具有：與該複數個像素電極對向，排列成線條狀之複數個顯示用電極、連接於該顯示用電極的配線；以及該複數個顯示用電極包含透明的導電層，其中該配線具有由與該顯示用電極同一層的透明的導電層所構成的透明導電層，與由比該透明導電層的電阻還低的金屬所構成的金屬層之疊層構造。此處，上述兩端子側開關元件可使用例如TFD(薄膜二極體，Thin Film Diode)。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _ 11 _ 538293 Α7 -- Β7 五、發明說明（9 ) (14)、其次’與本發明有關的液晶裝置，係在一對顯示裝置用基板間挾持液晶而成，其特徵爲：一方的顯示裝置用基板具有：複數個像素電極、附屬於該像素電極的每一個所形成的複數個三端子型開關元件 f 另一方的顯示裝置用基板具有：與該複數個像素電極對向，排列成線條狀之複數個顯示用電極、連接於該顯示用電極的配線；以及該複數個顯示用電極包含透明的導電層，其中該配線具有由與該顯示用電極同一層的透明的導電層所構成的透明導電層，與由比該透明導電層的電阻還低的金屬所構成的金屬層之疊層構造。此處，上述三端子側開關元件可使用例如TFT(薄膜電晶體，Thin Film Transistor) ο 【圖式之簡單說明】圖1係以分解狀態顯示與本發明有關的液晶裝置之一實施形態的斜視圖。圖2係以分解狀態顯示圖1所示的液晶裝置之剖面構造的剖面圖。圖3係顯示構成圖1所示的液晶裝置之一側的面板基板的俯視圖。圖4係顯示構成圖1所不的液晶裝置之另一側的面板基板的俯視圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Ii I I I---訂---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12-

538293 五、發明說明（1〇) 圖5係擴大顯示圖4所示的面板基板中的一條顯示用電極與配線之俯視圖。圖6(A)係依照圖5的F-F線顯示配線的剖面構造之剖面圖，（B)係依照圖5的G-G線顯示顯示用電極的剖面構造之剖面圖。圖7(A)〜（E)係舉例說明面板基板的一部份所顯示的面板基板之製造工程之剖面圖。圖8係顯示與本發明有關的電子機器之實施形態的圖 ’（A)係顯示攜帶電話機’（b)係顯示手錶，（c)係顯示攜帶資訊機器。圖9係擴大顯示圖4所示的面板基板中的一條顯示用電極與配線的改變例之俯視圖。圖1 〇係依照圖9的G-G線顯示顯示用電極的剖面構造之剖面圖。圖11係顯示電子機器的電控制系之一例的方塊圖。圖1 2係以分解狀態顯示與本發明有關的液晶裝置之其他實施形態的主要部分之斜視圖。圖1 3係顯示圖1 2的液晶裝置之主要部分的剖面構造之剖面圖。圖1 4係顯示圖1 2的液晶裝置所使用的一個TFD之斜視圖。圖1 5係顯示圖1 2的液晶裝置的外觀形狀之斜視圖。圖1 6係顯示構成圖1 2的液晶裝置之顯示裝置用基板的一側之俯視圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------tr---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -13- 538293 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_____ 五、發明說明（11 ) 圖1 7係顯示與本發明有關的液晶裝置之再其他實施形態的電路構造之電路圖。圖1 8係顯示圖1 7所示的液晶裝置之主要部分的剖面構造之剖面圖。圖1 9係顯示圖1 7所示的液晶裝置的外觀形狀之俯視圖〇圖20係顯示實現圖17所示的液晶裝置的驅動方法之 1 Η共振驅動法之驅動波形圖。圖2 1係顯示實現TFT方式的主動矩陣型液晶裝置的一般驅動方法之場反轉驅動法之驅動波形圖。圖22係顯示用以確認起始値電壓的偏移量與動作時間的關係所進行的測定的結果圖。【符號說明】 1:液晶裝置 2a、2b:基板（顯示裝置用基板） 3:密封材質 6 a、6 b :基板 10:液晶裝置 14:液晶面板 20、 30、80:面板基板（顯不裝置用基板） 21、 31:基板 22、 32、82:顯示用電極 2 4、3 4、3 6 :配線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) -14 - --·----.-------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538293 A7 B7 五、發明說明（12) 6 3 :顯示用電極 70:透明導電層 72:金屬層 74:第一光阻膜 76:第二光阻膜 82:顯示用電極 84:狹縫 88:攜帶電話機（電子機器） 92:手錶（電子機器） 96:攜帶資訊機器（電子機器） L:液晶【較佳實施形態之詳細說明】以下，參照圖面更具體地說明本發明之較佳實施形態〇 (第一實施形態），圖1爲模式地顯示當作與本發明有關的顯示裝置之液晶裝置10的分解斜視圖。此外，圖2爲模式地顯示圖1所示的液晶裝置1 0的剖面構造之剖面圖。如這些圖所示的，液晶裝置10具有當作顯示面板的液晶面板14、具備配置於液晶面板14的背面側之導光板44的背照光單元（Back light unit)40。而且，液晶裝置10具有保護液晶面板14與背照光單元40，保持在預定的位置關係之框構件（未圖示）° (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1T--------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -15- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538293 A7 _ B7 五、發明說明（13) 在圖2中，液晶面板1 4係藉由第一面板基板20與第二面板基板30互相對向配置而形成，這些面板基板係透過分布於其間的間隔物（Spacer)(未圖示）等互相分離預定間隔而對向。第一面板基板20在由玻璃、合成樹脂等所謂的透明材料所構成的基板21的單面上，當作形成線條（Stnpe)狀的顯示用電極22而成的顯示面側之顯示裝置用基板而作用。此外，第二面板基板30在由玻璃、合成樹脂等所謂的透明材料所構成的基板3 1的單面上，當作形成線條狀的顯示用電極32而成的顯示裝置用基板而作用。第一面板基板 20的顯示用電極22與第二面板基板30的顯示用電極32係互相呈格子狀而對向，構成所謂的單純矩陣方形的液晶面板。在這些一對第一面板基板20以及30的周緣，由圖2的箭頭A的方向看，密封材質1 9約略配置成矩形狀，兩個面板基板20以及30係藉由此密封材質19黏貼在一起。在密封材質1 9的內部混入粒子狀的上下導通材質26，第二面板基板30上的配線36經由此導通材質26，導電連接接連於第一面板基板20上的顯示用電極22之配線24。據此，可施加由端子39輸入的電壓到顯示用電極22。被密封材質1 9包圍的第一面板基板20以及第二面板基板30之間的間隙，透過設置於密封材質1 9的一部分之液晶注入口（未圖示），塡充液晶例如STN型液晶1 8。此液晶注入口在液晶注入的處理後被密封材質（未圖示）密封。在第一面板基板20的外側配置第一偏光板1 6，在第二 ϋ n ·ϋ ϋ ϋ ·ϋ ϋ ϋ I ϋ · H ϋ ϋ I ϋ ·1 ϋ^ot · am§g aammm ·1 I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -16- 538293 A7 一 B7 五、發明說明（14) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 面板基板30的外側配置第二偏光板1 7。而且，在第一偏光板1 6與第一面板基板20之間配置相位差板1 2。此相位差板1 2配置於第二偏光板1 7與第二面板基板30之間，或配置於第一面板基板20以及第二面板基板30的兩方都可以。此外，液晶面板1 4在第二面板基板30比第一面板基板 20還突出的突出區域38，具備複數個端子39。各端子39 連接圖1所示的配線基板64例如可撓性基板所對應的端子。在配線基板64安裝分別驅動液晶面板14的顯示用電極22 ' 3 2(參照圖2)的驅動用1C (未圖示），連接於此驅動用1C 的輸出端子之配線基板64的端子與形成於第二面板基板30 的端子39連接，驅動電壓施加於各顯示用電極22、32。在此液晶面板1 4中，供給形成於第一面板基板20的複數個顯示用電極22、第二面板基板30的顯示用電極32的每一個之訊號的差電壓施加於液晶1 8 ，液晶分子的配向被控制，顯示被設爲開狀態或關狀態。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製此外，在第一面板基板20或第二面板基板30設置驅動用1C的安裝區域，COG(玻璃連接式晶片，Chip On Glass) 安裝驅動用1C於第一面板基板20或第二面板基板30，透過可撓性基板以供給訊號或電壓給基板上的驅動用1C也無妨。此外，在圖2中係將一對面板基板20、30的間隔寬闊地分離來描繪，惟此乃爲了明確化圖示，實際上，一對面板基板20、30係隔著數// m到十幾// m的窄間距（Gap)而對向。而且，第一偏光板1 6以及相位差板1 2自第一面板基本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _ 17 _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538293 A7 ___ B7 五、發明說明（15) 板20分離來描繪，第二偏光板17自第二面板基板30分離來描繪，惟實際上，相位差板1 2爲大約接近第一面板基板 20的狀態，第二偏光板1 7爲大約接近第二面板基板30的狀態。再者，第一偏光板1 6變成大約接近相位差板1 2的狀態。再者，線條狀的顯示用電極22、32雖然僅描繪數條而已，但是實際上對應矩陣顯示的分解能，分別以多數個線條狀電極來設置。在圖1中，背照光單元40具有當作光源的螢光管50、導光板44、光擴散板之透鏡薄片（Lens sheet)42、背照光固定框56以及反射器（Reflector)60。螢光管50經由連接部51 連接反相器（Invene〇(未圖示）的輸出端子，藉由此反相器施加預定電壓給螢光管50。導光板44例如由透明的合成樹脂所構成，其端面45在大致接近的狀態下配置當作光源的螢光管50。來自螢光管 50的光由端面45進入導光板44傳撥到其內部，由液晶面板 1 4之對面的光射出面射出，照明該液晶面板1 4的顯示區域的全域。導光板44除了液晶面板14的基板突出區域3 8外，具有大致對應液晶面板14的平面形狀之平面形狀。導光板44在螢光管50側中，形成厚度爲厚的楔子狀的剖面形狀，導光板44藉由具備這種形狀，使自導光板44朝液晶面板14放射的光之光量在螢光管50附近與離螢光管50 的位置被均勻化。透鏡薄片42配置於導光板44的前面側，藉由擴散自導光板4 4射出的光，以照射均勻的光於液晶面板1 4的顯示區本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -18 - ΜΜ I I MM I MM MB MB _ Ml·· MW I I I n I ·ϋ I ϋ ·ϋ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538293 A7 B7 五、發明說明（16) 域之全域。而反射器60除了導光板44側外覆蓋螢光管50 的周圍，來自螢光管50的光朝導光板44反射。此外，在圖 1中螢光管50係往反射器60外伸出而圖示，惟實際螢光管 50係被收納在反射器60的內部來組裝。背照光單元40的螢光管50藉由未圖示的反相器來供給功率。具體而言，此反相器例如以輸入的5V之直流電壓爲 250V、 100kHz的交流電壓來輸出，供給螢光管50。此外，取代螢光管50以LED當作光源來使用，俾在導光板44的側面配置LED來構成也無妨。背照光固定框56具備底面部57，自背面側固定背照光單元40。而且，背照光固定框56具有自底面部57豎起配設的複數個定位部58。這些定位部58具有配合導光板44 的對應端面46、47的形狀之形狀，並且對接於導光板44 的端面46、47來形成，據此，定位導光板44於與底面部 57約略平行的面內之預定位置。而且，複數個定位部58在導光板44的端面之中，係形成於分別大致緊貼覆蓋未配置螢光管50的端面46、47之平面狀。而面對這些定位部58以及底面部57的導光板44 的側，因具備充分的光反射率而形成，故可高效率地利用來自螢光管50的光。此外，在背照光固定框56前述的反射器60係成一體而形成。圖3係模式地顯示由前面側看第一面板基板20的狀態之俯視圖，顯示用電極22等以透視的狀態來顯示。而且，圖4係模式地顯示由前面側看第二面板基板30的狀態之俯 —.—.-------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -19- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538293 A7 B7 五、發明說明（17) 視圖。在由顯示面側看圖1所示的液晶面板1 4的狀態下，在圖3所示的第一面板基板20的背面側重疊圖4所示的第二面板基板30，這些基板的位置關係使第二面板基板30的突出區域3 8朝第一面板基板20的外側突出來設定。此外，圖2所示的液晶面板之模式的剖面構造爲依照圖3以及圖4 所示的S-S線之剖面構造。在圖3中，第一面板基板20具有在基板21上以預定圖案形成的顯示用電極22、自各顯示用電極22延伸的配線24 。此顯示用電極22係當作掃描電極或訊號電極之一方而發揮功能。而且，配線24的端部形成當作用以連接上下導通材質26(參照圖2)的端子之銲墊（Pad)25。在圖4中，第二面板基板30具有顯示用電極32、配線 34以及配線36。複數個顯示用電極32在基板31上以預定的圖案來並行形成。此顯示用電極32係當作掃描電極以及訊號電極之另一方而發揮功能。配線34接著各顯示用電極 32，沿著基板3 1的周緣部被拉引，其一端延伸到第二面板基板30的突出區域38變成端子39。突出區域38在俯視中爲自對向的第一面板基板20突出的區域。配線36之一方的端部37係形成當作用以連接於上下導通材質26的連接端子之銲墊，形成於第一面板基板20上的配線24的端部之連接端子之銲墊25與上述銲墊37經由上下導通材質26互相導電連接。此上下導通材質26如圖2所示爲混入密封材質19的導電性粒子。而且，配線36的另一方的端部也延伸到突出區域3 8，形成輸入端子3 9。 ------------------丨訂---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -20- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538293 A7 ----- B7 五、發明說明（18) 各端子39係形成當作配線34、36的一部分，導通於對應的顯示用電極22、32。此外，第一面板基板20的顯示用電極22經由形成於第一面板基板20的配線24、上下導通材質26、形成於第二面板基板30的配線36，連接於對應的輸入端子39。在圖3中，於形成顯示用電極22等的基板21表面覆蓋顯示用電極22等，例如塗佈由聚醯亞胺（p〇lyimide)所構成的配向膜（未圖示），然後，該配向膜被摩擦處理成預定角度。而且，在圖4中，於形成顯示用電極32等的基板3 1表面覆蓋顯示用電極32等，例如塗佈由聚醯亞胺所構成的配向膜（未圖示），然後，該配向膜被摩擦處理成預定角度。圖5係擴大第二面板基板30中的一條顯示用電極32與接連該顯示用電極32的配線，模式地以俯視圖來顯示。而且，圖6(A)係依照圖5的F-F線模式地顯示配線34的剖面構造，圖6(B)係依照圖5的G-G線模式地顯示顯示用電極 32的剖面構造。在圖5中，對顯示用電極32以及配線34施以斜線的區域72係顯示該表面由鋁等的所謂低電阻金屬所構成的金屬層。在顯示用電極32中未施以斜線的區域70係顯示其表面由IT0等的所謂透明導電膜所構成的透明導電層。由圖6(A)以及圖6(B)也能明瞭，配線34以及顯示用電極32係藉由由IT〇所構成的透明導電層70與比此透明導電層70的電阻還低的金屬層之疊層所形成。此外，在顯示用電極32中雖然透明導電層70形成於顯示用電極32的全幅 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) «ϋ i_i ai·· I ϋ imt 1 一 δ， «ϋ ϋ I 11 aa-Bi n ϋ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -21 - 538293 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（19) ，惟金屬層72在透明導電層70的寬度方向之一方的緣部上，係以遠比透明導電層70的寬度還窄的寬度來形成。另一方面，在配線34中透明導電層70以及金屬層72 的任一層也都在配線34的全幅，互相以大約相同的寬度來形成。據此，一般可充分地減小形成遠比顯示用電極32還細的寬度之配線3 4的電阻。此外，雖未圖示但是形成於第二面板基板30的其他配線36也與圖6(A)所示的配線34同樣的構造，即可做成透明導電層70與金屬層72以大致相同的寬度來疊層的構造。此外，形成於與圖4所示的第二面板基板3 0對向的圖 3所示的第一面板基板20之配線24以及顯示用電極22，也與圖5以及圖6所示的配線34以及顯示用電極32同樣，可當作由IT◦等所構成的透明導電層70與由鋁等所構成的金屬層72之疊層構造。如以上，在本實施形態的第一面板基板20與第二面板基板30，即顯示裝置用基板中，圖3中的配線24以及圖4 中的配線34以及配線36因具有透明導電層70與金屬層72 之疊層構造，故與僅以透明導電層70來形成這些配線24、 34、36的情形相比，可降低這些配線24、34、36的電阻。因此，使用與本實施形態有關的面板基板20、30之液晶裝置10，因配線24、34、36中的電壓下降而使顯示品質降低的可能性低。再者，因無須爲了減小顯示用電極22、32的電阻而增加透明導電層70的膜厚，故可提高顯示用電極22、32的 -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -22- 538293 A7 B7 五、發明說明（20) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 光穿透率。此外，在顯示用電極22、32中，雖然透明導電層70形成於顯示用電極22等的全幅，但因金屬層72以遠比透明導電層70的寬度還窄的寬度來形成，故幾乎不會因金屬層72的存在而降低顯示的亮度，可降低顯示用電極22 、3 2的電阻。此外，關於圖3的第一面板基板20，因配線24的長度短，故配線24以及顯示用電極22僅由ITO所構成的透明導電層70來形成也可以。而且，關於圖4的配線36，因其長度短，故僅由ITO所構成的透明導電層70來形成也可以。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製可是在圖3中，構成顯示用電極22的透明導電層70常與構成配線24的透明導電層70同時形成。而且，在圖4中，構成顯示用電極32的透明導電層70常與構成配線34以及配線36的透明導電層70同時形成。本實施形態因配線24 、34、36爲透明導電層70與金屬層72的兩層構造，故無須爲了減小配線24、34、36的電阻而增加透明導電層70 的膜厚，因此，無增加與配線24的透明導電層70同時形成的顯示用電極22之透明導電層70，或與配線34以及配線 36的透明導電層70同時形成的顯示用電極32到必要以上的厚度。因此，與僅藉由增加透明導電層70的厚度來降低配線24、34、36的電阻的情形相比，可提高圖3的顯示用電極22以及圖4的顯示用電極32之光穿透率。再者，本實施形態的液晶裝置用基板，與僅藉由增加透明導電層70的厚度來降低圖3的配線24以及圖4的配線 34、36的電阻的情形相比，可減少圖3的顯示用電極22以本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _ 23 · 538293 A7 B7 五、發明說明（21) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 及配線24所使用的透明導電層70的厚度，再者，可減少圖 4的顯示用電極32以及配線34、36的透明導電層70的厚度。因此，可縮短面板基板20、30的形成所需的時間。以下，舉實施形態來說明圖3所示的第一面板基板20 以及圖4所示的第二面板基板30的製造方法。在第一面板基板20以及第二面板基板30中，疊層透明導電層與金屬層而成的顯示用電極以及配線係包含：透明導電層形成工程、金屬層疊層工程、第一光阻膜形成工程、第一鈾刻工程、第二光阻膜形成工程、第二蝕刻工程之所謂的各種工程而製造。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製此外，在說明對第二面板基板30的製造工程之模式的剖面圖之圖7(A)〜圖7(E)中，圖7(A)係顯示透明導電層形成工程以及金屬層疊層工程，圖7(B)係顯示第一光阻膜形成工程，圖7(C)係顯示第一蝕刻工程，圖7(D)係顯示第二光阻膜形成工程，圖7(E)係顯示第二蝕刻工程。而且，圖 7 (A)〜圖7 (E)左側係顯不顯不用電極3 2的製造工程，右側係顯示配線34的製造工程。而且，雖然僅顯示用電極32以及配線34的每一條之製造工程，惟實際上係多數同時形成。首先，在圖7 (A)所不的透明導電層形成工程中，在例如由玻璃等的透明材料所構成的透明基板3 1上，藉由濺鍍 (Sputtering)等形成例如由ITO所構成的透明導電層7〇。其次，相同地在圖7(A)所示的金屬層疊層工程中，於透明導電層70上疊層例如由鋁所構成的金屬層72。此外，在圖7 (B)所示的第一光阻膜形成工程中，塗佈本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) ^4 -' -- 538293 A7 B7 五、發明說明（22) 光阻膜、曝光然後顯影，形成對應顯示用電極32以及配線 34圖案的預定圖案之第一光阻膜74。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次，在圖7(C)所示的第一蝕刻工程中，使用第一光阻膜74同時蝕刻透明導電層70以及金屬層72，形成這些層的圖案爲顯示用電極32以及配線用電極34的俯視中的形狀。此外，在圖7(D)所示的第二光阻膜形成工程中，於顯示用電極32的形成區域，對殘留於金屬層72上的第一光阻膜74再度進行曝光以及顯影，形成去除形成透明導電層70 的區域之光阻膜的預定圖案之第二光阻膜76。此外在第二光阻膜76中，於形成配線34的區域中殘留光阻膜。其次，在圖7(E)所示的第二鈾刻工程中，使用第二光阻膜76僅蝕刻對應顯示用電極32的區域中的金屬層72之一部分來形成圖案。此飩刻係以和第一蝕刻工程不同的蝕刻速率（Etching rate)來進行，幾乎不蝕刻透明導電層7〇，而是鈾刻金屬層7 2的一部分。最後透過以例如灰化（A s h i n g)來除去第二光阻膜7 6 ’ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製形成圖6(A)以及圖6(B)所示的配線34以及顯示用電極32。如以上的說明，如果依照與本實施形態有關的面板基板的製造方法，使用藉由對圖7(C)所示的第一蝕刻工程所使用的預定圖案之第一光阻膜74再度進行曝光以及顯影所形成的第二光阻膜76，利用圖7(D)所示的第二鈾刻工程’ 殘留一部分而蝕刻變成顯示用電極32的部分之金屬層72後，藉由除去第二光阻膜76，可形成具備透明導電層70與寬 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 538293 A7 B7 五、發明說明（23) 度細的金屬層72之顯示用電極32。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如果依照這種工程，光阻膜的塗佈以及除去僅以每一次實施，可形成具備寬度細的金屬層72之顯示用電極32。此對於分別形成透明導電層70以及金屬層72的情形，與光阻膜的塗佈以及光阻膜的除去分別需要兩次比較的話，可大幅削減工程數量。而且，如果依照與本實施形態有關的面板基板的製造方法，疊層透明導電層70以及金屬層72，藉由蝕刻這些層一次來形成圖案，可形成配線34。此外在上述中，雖然舉第二面板基板30的顯示用電極 32以及配線34的例子來說明與本發明有關的面板基板的製造方法，惟關於配線36也可用與配線34同一的工程來形成由透明導電層與金屬層的疊層構造所構成的配線。而且，關於圖3所示的第一面板基板20的顯示用電極32以及配線 24 ，也能用與顯示用電極以及配線的圖案形狀不同的第二面板基板30相同的製造方法來形成。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製而且，在本實施形態中如圖6(B)所示，雖然構成顯示用電極32的透明導電層70上的金屬層72僅透過透明導電層70的端部來配置，惟在顯示用電極的光穿透率中若無問題的話，金屬層72的配置位置不是透明導電層70的端部也可以，例如中央部附近也無妨。 (第二實施形態）前述第一實施形態舉例說明使用面板基板即顯示裝置 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 538293 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 i、發明說明（24) 用基板，形成穿透型的液晶裝置。相對於此，本實施形態取代第一實施形態中的一方的面板基板，例如第二面板基板30，顯示用電極的金屬層使用具備狹縫（Slit)的構造之面板基板係與第一實施形態不同。除此之外，與第一實施形態同樣地構成，該些相同點的說明省略。此外，在圖示中與第一實施形態相同的要素附加與第一實施形態相同的符號。圖9係顯示本實施形態所使用的第二面板基板8 0的模式俯視圖，對應第一實施形態中的圖5。而且，圖10係顯示依照圖9的G-G線之剖面構造，對應第一實施形態中的圖6 (B)。在本實施形態中，取代第一實施形態中的第二面板基板30，藉由使用第二面板基板80形成半穿透反射型的液晶裝置。在此第二面板基板80中，顯示用電極82其全區域係做成透明導電層70以及金P層72的兩層構造，當作開口部的複數個狹縫84係分布配設於金屬層72。而金屬層72的材料使用筒反射材料例如銘、銅、銀或金。如此，即使在金屬層7 2配設狹縫8 4，顯示用電極8 2在狹縫8 4的區域中也因具備透明導電層70，故與狹縫84的大小無關，在狹縫84 的區域中也能對液晶施加適切的電場。以這種半穿透反射型的液晶裝置，在穿透型顯示時，經由金屬層72所開口的狹縫，來自第二面板基板80的背面側之照明光穿透第二面板基板80，因光射入液晶層1 8，故可進行穿透型的顯示。另一側在反射型顯示時，自與第二本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -27- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538293 A7 _ B7 五、發明說明（25) 面板基板80對向的第一面板基板20側穿透液晶層1 8的光 ’因可在金屬層72的表面反射，故可進行反射型的顯示。在本實施形態中，即使是穿透型顯示或反射型顯示，若狹縫84小的話，對液晶層1 8也能透過金屬層72施加電壓。而且，對於增大開口部之狹縫84 ，在狹縫的區域中藉由透明導電層70而不是金屬層72，驅動與該狹縫72對向的液晶層1 8。使用與本實施形態有關的面板基板80之液晶裝置1 0，因配線34以及顯示用電極82中的電壓下降而使顯示品質降低的可能性低。而且，配線34以及顯示用電極82因爲是透明導電層70與金屬層72的兩層構造，故無須爲了減小配線 34的電阻而增加透明導電層70的膜厚，無增加常與配線34 的透明導電層70同時形成的顯示用電極82的透明導電層70 中的膜厚到必要以上的厚度。因此，可提高顯示用電極82 的光穿透率。再者，因可減少透明導電層70的厚度，故可縮短面板基板8 0的形成之所需的時間。此外，即使在本實施形態中顯示用電極82的製造方法也和使用圖7來說明的製造方法相同包含：透明導電層形成工程、金屬層疊層工程、第一光阻膜形成工程、第一蝕刻工程、第二光阻膜形成工程以及第二蝕刻工程之所謂的各種工程而構成。因此，藉由第一光阻74同時蝕刻透明導電層70以及金屬層72後，再度曝光以及顯影第一光阻74 ，形成第二光阻76的圖案，蝕刻金屬層72的狹縫84的部本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -28- --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 538293 A7 B7 五、發明說明（26) 分。 (第三實施形態）上述各實施形態雖然舉例說明適用本發明於單純矩陣型液晶裝置，惟本發明也能適用於使用TFD等所謂的兩端子型開關元件之主動矩陣型液晶裝置。這種主動矩陣型的液晶面板例如藉由夾著TN(扭轉向歹!J， Twisted Nematic)型等的液晶層對向的一對基板之元件基板以及對向基板來構成。此處，元件基板例如由排列成線條狀的複數條配線、沿著這些配線，配設於每一像素的TFD、經由TFD而連接於配線的透明導電層所構成的像素電極所形成。而且，與元件基板對向的對向基板係寬度廣的顯示用電極形成線條狀，俾與元件基板側的像素電極之排列交叉。上述元件基板與上述對向基板其元件基板上的像素電極與對向基板上的顯示用電極，係夾著液晶互相對向來黏貼在一起。據此，形成液晶裝置。此液晶裝置其元件基板上的配線以及對向基板上的顯示用電極的一方係當作掃描電極而發揮功能，另一方則當作訊號電極而發揮功能。即使在這種TFD方式的主動矩陣型液晶裝置中，依照本發明，藉由透明導電層以及金屬層所構成的疊層構造，來形成在構成對向基板之顯示用基板上所形成的配線，可獲得與已述的實施形態同樣的功效。以下，使用圖示說明關於此TFD方式的主動矩陣型液本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -29- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538293 A7 ____ B7 -—-—---—------- 五、發明說明（27) 晶裝置。圖1 2係擴大顯示使用與本發明有關的顯示裝置用基板之TFD方式的主動矩陣型液晶裝置的主要部分，特別是數個像素部分。此液晶裝置的全體構造可設定成如圖1 5所示。此液晶裝置1其主動元件爲使用兩端子型的主動元件之 TFD(Thin Film Diode)之主動矩陣方式的液晶裝置，爲可選擇地進行使用自然光等所謂的外部光之反射顯示，與使用照明裝置的穿透顯示之方式的半穿透反射型液晶裝置，並且爲直接安裝液晶驅動用1C於基板上的方式之C〇G(玻璃連接式晶片，Chip On Glass)方式的液晶裝置。液晶裝置1在圖1 5中係藉由密封材質3將第一面板基板2a與第二面板基板2b黏貼在一起。然後，將液晶封入被第一面板基板2a、第二面板基板2b以及密封材質3包圍的間隙即基板間隔（Cell gap)內。此外’在一方的面板基板2a 之中，朝他方的面板基板2b的外側突出的基板突出部38的表面，直接安裝液晶驅動用IC4a以及4b。第二面板基板2b 爲形成TFD的基板，即元件基板，第一面板基板2a爲與元件基板對向的基板，即對向基板。在被第二面板基板2b的密封材質3包圍的內部區域，複數個像素電極關於行方向XX以及列方向γγ ’係以點矩陣（Dot matrix)狀的排列來形成。而且，在被第一面板基板 2 a的密封材質3包圍的內部區域’形成線條狀的電極’此線條狀的電極係與第二面板基板2b側的複數個像素電極對向來配置。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） .30- 」丨丨I.——：-------------訂·1 ^請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 538293 A7 B7 五、發明說明（28) <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉由第一面板基板2a上的線條狀電極與第二面板基板 2b上的一個像素電極，夾著液晶的部分形成一個像素，此像素的複數個在被密封材質3包圍的內部區域內，藉由排列成點矩陣狀來形成顯示區域V。液晶驅動用IC4a以及4b 藉由選擇地對複數個像素內的對向電極間施加掃描訊號以及資料訊號，使每一個像素控制液晶的配向。藉由此液晶的配向控制使通過該液晶的光被調變，在顯示區域V內顯示文字、數字等所謂的像。圖1 2爲在液晶裝置1中，擴大顯示構成顯示區域V的複數個像素之中的數個剖面構造。而且，圖1 3係顯示一個像素部分的剖面構造。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在圖12中，第一面板基板2a具有：由玻璃、塑膠等所形成的基板6a ;形成於該基板6a的內側表面之光反射膜61 ;形成於該光反射膜61上的濾色片（Color filte〇62 ;形成於該濾色片6 2上的透明線條狀的顯示用電極6 3。在該顯示用電極63上如圖13所示，形成配向膜71 a。對此配向膜 71a實施當作配向處理的摩擦（Rubbing)處理。顯示用電極63 由例如ITO等所謂的透明導電材料所形成。與第一面板基板2a對向的第二面板基板2b具有：由玻璃、塑膠等所形成的基板6b ;形成於該基板6b的內側表面之當作開關元件而發揮功能之當作主動元件的TFD(Ttnn Film Diode>67 ;與TFD67連接的像素電極69。在TFD67以及像素電極69上如圖13所示，形成配向膜71b。對此配向膜7 1 b實施當作配向處理的摩擦處理。像素電極69由例如 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 538293 A7 B7 五、發明說明（29) IT〇等所謂的透明導電材料所形成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 屬於第一面板基板2a的濾色片62在與第二面板基板 2b側的像素電極69對向的位置，具有R(紅）、G(綠）、B(青 )或C(氰基）、Μ(紫紅）、Y(黃）等所謂的各色任一個色圖像素62a，在不與像素電極69對向的位置，具有黑罩幕（Black mask)62b 〇在圖13中，第一面板基板2a與第二面板基板2b之間的間隔即基板間隔，係藉由分散於任一方的基板表面的球狀間隔物54來維持尺寸，液晶L被封入該基板間隔內。 TFD67如圖13以及圖14所示，係由第一金屬層65、形成於該第一金屬層65的表面之絕緣層66、形成於該絕緣層66上的第二金屬層68所構成。如此，TFD67係由第一金屬層/絕緣層/第二金屬層所構成的疊層構造，所謂的MIM( 金屬絕緣金屬，Metal Insulator Metal)構造所構成。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製第一金屬層65例如由鉅單體、鉅合金等所形成。第一金屬層65使用鉬合金時，主成分的鉅添加例如在鎢（W)、鉻（Cr)、鉬（Mo)、銶（Re)、釔（Y)、鑭（La)、鏑（Dy)等所謂的周期律表中，屬於第六〜第八族的元素。第一金屬層65與線（Lme)配線79的第一層79a —體形成。此線配線79係夾著像素電極69於間隙形成線條狀，當作用以供給掃描訊號給像素電極69的掃描線，或用以供給資料訊號給像素電極69的資料線而作用。絕緣層66例如藉由以陽極氧化法來氧化第一金屬層65 的表面所形成的氧化鉅（Ta2〇3)來構成。此外，在陽極氧化 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 538293 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（30) 第一金屬層65時，線配線79的第一層79a的表面也同時被氧化，同樣地形成由氧化鉅所構成的第二層79b ° 第二金屬層68例如由Cr等所謂的導電材質所形成。像素電極69其一部分係與第二金屬層68的前端重疊而形成於基板6b的表面。此外，在基板6b的表面於形成第一金屬層 65以及線配線的第一層79a前，有藉由氧化鉬等形成底層的。此乃因藉由第二金屬層68的沉積後的熱處理’不使第一金屬層65自底層剝離，或者不使雜質擴散到第一金屬層 65 ° 在圖1 2中，於基板6 a的外側表面藉由黏著等來安裝相位差板52a，然後在該相位差板52a上，藉由黏著等來安裝偏光板53a。此外，於基板6b的外側表面藉由黏著等來安裝相位差板52b，然後在該相位差板52b上，藉由黏著等來安裝偏光板53b。若使用例如STN(Super Twisted Nematic)液晶等的話，通過該液晶的光發生波長分散，顯示像有發生著色。相位差板52a以及52b係爲了除去這種著色而使用的光學的非等向體（Optically anisotropic)，可透過藉由一軸延伸處理例如聚乙儲醇（Polyvinyl alcohol)、聚酯（Polyester)、聚醚 _ 胺（Polyetheramide)、聚乙燒（Polyethylene)等所謂的樹脂而形成的薄膜來構成。偏光板53a以及53b對自然光的入射，係具有射出某一方向的直線偏光之功能的薄膜狀光學要素，例如可藉由以 TAC(三醋酸纖維素）的保護層夾住偏光層來形成。偏光板 5 3a以及53b通常係令互相的穿透偏光軸不同來配置。 -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -33- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538293 A7 _B7 五、發明說明（31) 光反射膜6 1例如藉由鋁等所謂的光反射性金屬來形成，在對應屬於第二面板基板2b的各像素電極69的位置，即對應各像素的位置，形成光穿透用的開口 49。圖12的顯示用電極63在圖15中延伸於列方向YY，如圖1 6所示的配線24以及銲墊25，朝基板突出部3 8突出，安裝於該基板突出部38的液晶驅動用IC4b的輸出端子導電連接銲墊25。配線24例如如圖6(A)所示，具有由透明導電層70以及疊層於此透明導電層70的金屬層72所構成的兩層構造。而且，依照需要顯示用電極63也如圖6(B)所示，具有由寬度廣的透明導電層70以及疊層於此透明導電層70 的寬度窄的金屬層72所構成的兩層構造。本實施形態的液晶裝置1因如以上而構成，故當此液晶裝置1進行反射型顯示時，在圖1 2中由觀察者側，即由第二面板基板2b側進入液晶裝置1內部的外部光通過液晶 L到達光反射膜6 1，被該光反射膜6 1反射再度供給到液晶 L。液晶L藉由施加於像素電極69與線條狀的顯示用電極 63之間的電壓，即掃描訊號以及資料訊號，使每一像素其配向被控制，據此，供給到液晶L的反射光被每一像素調變，據此在觀察者側顯示文字、數字等所謂的像。另一方，當液晶裝置1進行穿透型顯示時，配置於第一面板基板2a外側的照明裝置，所謂的背照光59發光，此發光在通過偏光板53a、相位差板52a、基板6a、光反射膜 61的開口 49、濾色片62、顯示用電極63以及配向膜71a 後，被供給到液晶L。之後，與反射型顯示的情形同樣地本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -34- ------：—--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 538293 A7 B7 五、發明說明（32) 進行顯示。如以上的說明，本實施形態因連接於形成於對向基板 2a的顯示用電極63之配線24係以透明導電層70以及金屬層72的疊層構造，故與僅以透明導電層70形成配線24的情形相比，可降低配線24的電阻。因此，液晶裝置1因配線24中的電壓下降而使顯示品質降低的可能性低。而且，因無須爲了減小配線24的電阻而增加透明導電層70的膜厚，故無增加常與配線24的透明導電層70同時形成的顯示用電極63的透明導電層70中的膜厚到必要以上的厚度。因此，與僅以增加透明導電層70的厚度，以減小配線24的電阻的情形相比，可提高顯示用電極63的光穿透率。再者，與僅以增加透明導電層70的厚度，以減小配線 24的電阻的情形相比，因減少顯示用電極63以及配線24所使用導電層70的厚度，故可縮短對向基板2a即顯示裝置用基板的形成所需的時間。 (第四實施形態）本發明也能適用於具有附屬三端子型開關元件之薄膜電晶體（TFT: Thin Film Transistor)於各個像素的主動矩陣型液晶裝置。此液晶裝置例如藉由形成TFT的元件基板與對向於該元件基板之對向基板，夾著TN(扭轉向列，Twisted Nematic)型等的液晶層而互相配置來形成。在上述元件基板上形成例如由：相互交叉配置的掃描線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------丨丨訂—11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -35- 538293 Α7 Β7 五、發明說明（33) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以及資料線、掃描線連接閘極’資料線連接源極的TFT、連接於TFT的汲極之透明導電層所構成的像素電極。而且，在對向基板上寬度廣的顯示用電極，即共通電極形成線條狀俾與水平方向的像素電極之排列重疊。此液晶裝置係每一像素行，即每一水平掃描期間且每一垂直掃描期間切換施加於顯示用電極的共通電壓的位準 (Level)，交流驅動像素電極與顯不用電極之間的液晶。此驅動方法稱爲1 Η共振驅動。在這種TFT方式的主動矩陣型液晶裝置中，依照本發明，藉由由透明導電層以及金屬層所構成的疊層構造，來形成構成對向基板之顯示用基板上所形成的配線，可獲得與已述的實施形態同樣的功效。以下，使用圖示來說明此TFT方式的主動矩陣型液晶裝置。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖1 7係顯示與本實施形態有關的液晶裝置的電路構成。在此圖中於主動矩陣區域（Active matrix area)110 ，像素 TFT 108配置成N行x Μ列，形成連接於這些像素TFT的閘電極之N條掃描線與連接於這些源極區域的M( = m X η)條訊號線。這些 Μ條訊號線連接類比開關（Analogue s w i t c h) T F T (2 0 -1 1 〜2 0 - n m)。類比開關TFT係以接鄰的m個爲一區塊（Block)分割成η 區塊，類比開關丁？丁（20-11，20-12〜20-1111)爲第一區塊、（20- 2 1，20-22〜20-2m)爲第二區塊......、（20-n 1，20-n2〜20-nm)爲第 η區塊。而且，包含於同一區塊互相接鄰的類比開關 -36- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 538293 A7 B7 五、發明說明（34) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) TFT(20-11，20-12〜20-lm)之閘電極係藉由第一配線22-1共通連接。此外，同樣地各區塊（20-2 1,20-22〜20-2m)……（20-nl，20-n2〜20-nm)的類比開關TFT之閘電極係分別藉由第一配線22-2……22-n共通連接。而且，包含於不同區塊不互相接鄰的類比開關TFT(20-11，20-21〜20-nl)之源極區域係藉由第二配線24-1共通連接。此外，同樣地類比開關TFT(20- 1 2,20-22〜20-n2)……（20- 1 m，2 0 - 2 m〜2 0 - n m)之源極區域係分別藉由第二配線2 4 - 2 ......24-m共通連接。如此，類比開關TFT每m個分割成η區塊，藉由加入第一配線的控制訊號來控制類比開關TFT的開/關，可使訊號線的端子數量降爲Ι/n。即當無類比開關TFT時，存在Μ 條的訊號線的端子數量可降爲m( = M/n)條。而且，資料驅動器（Data dnve〇連接於m條第二配線24-1〜24-m，可減少資料驅動器的個數、端子數量，可達成裝置的小型化以及低成本化。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本實施形態的液晶裝置最好令透過第二配線24-1〜24-m 供給到類比開關TFT20-1 1〜20-nm的源極區域之輸入訊號的振幅小於5 V。如此一來，可降低類比開關TFT的起始電壓 (Threshold voltage)的偏移（Shift)量，據此，可達成可靠度的確保、顯示品質的提高。圖22係顯示關於類比開關TFT的起始電壓的偏移量與動作時間之關係的測定結果。以選擇訊號Vg = 20V負荷電容 C爲了與標準的液晶面板之負荷電容相同，取C = 10pF左右 -37- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 538293 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（35) ，而且，動作頻率f爲320 kHz。本實施形態的液晶裝置配設分割成η區塊的類比開關 TFT ，爲了減少成降低資料驅動器的個數或端子數量之例如1 /η，像素電極的充放電所允許的時間比通常還短。因此，上述動作頻率f也提高。加入相當於供給到類比開關TFT 的輸入訊號之10V振幅（即Vd=10V)的矩形波訊號時的起始電壓的偏移特性以”G”來表示，加入5V振幅（即Vd = 5V)的矩形波訊號時以”H”來表示。對於Vd=10V，以200小時左右，起始電壓偏移IV。另一方面，對於加入類比開關TFT的源極區域之輸入訊號的振幅爲5V時即Vd = 5V，到10000小時左右爲止起始電壓的偏移量可保持在1 V以下。起始電壓的偏移量若比1 V還大的話，資料對像素電極的寫入量不足，即像素電極的電位無法達到所希望的電位，因此，發生對比率（Contrast ratio)降低等的問題。特別是例如類比開關T F T的起始電壓爲1 V左右時，若起始電壓朝負（Minus)側偏移IV左右的話，類比開關TFT變成衰減模式 (Depression mode)，即使類比開關TFT爲關（Off)狀態電流也會遺漏（Leak)，此與顯示特性的劣化有關。爲了假定液晶裝置的可靠度爲充分，至少需要保持起始電壓的偏移量爲1V以下到1 〇〇〇小時左右，最好是1 v以下到數千小時左右。當Vd=l〇V時，如圖22所示，200小時左右偏移量比IV還大，因1〇〇〇小時大約偏移2V，故關於可靠度的確保非常有問題。本實施形態的液晶裝置藉由令 -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公ί!) -38- 538293 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（36) 類比開關TFT的輸入訊號的振幅爲5V以下，可緩和在源極區域的端部之電場集中。據此，可保持起始電壓的偏移量爲IV以下到loooo小時左右，可保持充分的裕度（Margin)同時可確保可靠度。再者，藉由令輸入訊號的振幅爲5V以下，可減少類比開關TFT的擊穿電壓的差，也能降低施加給液晶的DC電壓。此外，圖22爲了適當地進行與Vd=10V的比較，即使 Vd = 5V也以Vg = 20V來進行測定。但是，Vd = 5V即輸入訊號的振幅爲5V時，即使Vg=15V也同樣地可確保與Vd=10V、 Vg = 20V時同樣的寫入性能。而且，此情況起始電壓的偏移量比圖22的” H”所表示者更減少，可靠度提高。此外，爲了更提高可靠度最好是Vd = 3V以下。此外，當作參考倂記以 Vd = 5V、動作頻率32kHz時的測定結果於圖22的”I”。其次，本實施形態的液晶裝置，像素TFT與類比開關 TFT最好以多晶矽或單晶矽來形成，並且在玻璃基板上一體形成。類比開關TFT被施加輸入訊號，若於預定期間內不完成對像素電極的充放電，則因顯示特性劣化，故必須降低類比開關TFT的開（On)電阻。特別是對於將類比開關 TFT分割成η區塊減少資料驅動器的個數，對開電阻的降低化之要求更嚴格。但是，非晶矽TFT即非晶矽（Amorphous silicon)TFT其移動度非常低，即使可使用於像素TFT ，但使用於類比開關TFT由於上述開電阻的問題爲不能實用。本實施形態係以與非晶質的物質比較，移動度非常高的多晶矽或單晶矽來形成像素TFT與類比開關TFT。據此本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -39- -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 538293 A7 ___ B7 五、發明說明（37) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ’實用上可在玻璃基板上一體形成像素TFT與類比開關TFT 。藉由在玻璃基板上一體形成像素TFT與類比開關TFT ，可小型化液晶裝置的外形尺寸，可達成裝置的低成本化。其次’使用圖18說明一體形成像素TFT與類比開關 TFT時的製造方法以及裝置（Device)構造。首先，在該玻璃基板130上沉積用以防止來自玻璃基板130的雜質擴散之底層介電層132後，沉積多晶矽薄膜134。雖然提高此多晶矽薄膜134的結晶性，惟需增加場效（Field-effect)移動度。因此’使用雷射回火（Laser anneal)或固相成長法等再結晶化多晶矽薄膜，或結晶化非晶矽薄膜，使用多晶矽化的物質。在形成此多晶矽薄膜1 34成島狀的圖案後，沉積閘極氧化層1 3 6。其次，例如以金屬來形成閘電極1 3 8 ，然後全面摻雜磷離子等的雜質。其次，形成金屬間介電層（Si 〇2) 140 ，以例如鋁（A1)藉由以金屬薄膜142來形成訊號線等，藉由ITO 等所謂的透明導電膜形成像素電極144 ，若形成保護經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (Passivation)膜146的話，則完成一體形成像素TFT與類比開關TFT的基板。對此基板實施配向處理，令同樣實施配向處理的對向基板1 3 5隔著數// m的間隔而對向，若在該間隔內封入液晶L的話，則完成液晶裝置。在對向基板1 3 5的液晶L側表面，例如如圖3所示形成顯不用電極22 ’然後’由該顯不用電極22延伸的配線24 之銲墊2 5連接來自外部電路的端子。而且，配線2 4如圖 6(A)所示，係由透明導電層70與低電阻金屬層72所構成的 -40- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538293 A7 ______ B7 五、發明說明（38) 兩層構造所形成。此外，依照需要顯示用電極22如圖6(B) 所示，也能由寬度廣的透明導電層70與寬度窄的低電阻金屬層72所構成的兩層構造來形成。圖1 7所示的液晶裝置1 0 1可形成例如圖1 9所示的外觀形狀。在圖1 9中虛線所示的部分爲顯示畫面即主動矩陣區域160。液晶材料係被挾持在濾色片基板162與TFT基板 164之間。在區域166配置類比開關TFT及其配線。資料驅動器170係使用TAB(捲帶式自動接合，Tape Automated bonding)捲帶168來安裝。而且，資料驅動器172 以及掃描驅動器174也同樣地使用TAB捲帶168來安裝。在電路基板176上配設用以供給訊號給資料驅動器170 、172以及掃描驅動器174的配線、電容器等。而且，依照情況也能配設用以控制資料驅動器、掃描驅動器的控制電路。圖1 9所示的實施形態係在主動矩陣區域1 60的上側以及下側各配置半數的類比開關TFT。因此，圖17所示的Μ 條訊號線由上側及下側的兩側配線成所謂的梳齒狀。而且，資料驅動器以及掃描驅動器係被安裝於濾色片基板1 62 與TFT基板164之黏貼構造之液晶面板的同一邊。藉由此構成，本實施形態的液晶裝置可讓外形尺寸L3非常地小，因此，可適合於行動電話、手提電子終端機等所謂的攜帶機器的使用。如以上所說明的，在本實施形態的液晶裝置101中，爲了使類比開關TFT的起始電壓的偏移量達到適當的量，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -41 - -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538293 A7 B7 五、發明說明（39) 最好令供給類比開關TFT的源極區域之輸入訊號的振幅在 5V以下。但是，這種情況若使用通常的驅動方法的話，會發生如以下的問題。圖2 1係顯示進行場反轉驅動的通常的驅動波形。液晶因需要交流驅動，故需要以預定電位Vc爲中心，於每一預定期間極性反轉加入訊號線的訊號Vs。因此，如圖2 1所示 Vs的振幅非常廣。而且，通常的TN液晶因需要施加± 5V 左右的電壓，故Vs的振幅也需要10V左右。此外，給予對向電極的電位Vcom爲了補償像素TFT爲關（Off)狀態時所產生的擊穿電壓，係比Vs的中心電位Vc僅低△ V的電位。此處，△ V的平均値=Vc-Vcom的關係成立。圖2 1所示的驅動波形需將Vs的振幅加寬1 0V左右。因此，類比開關TFT的輸入訊號的振幅也需加寬，輸入訊號的振幅無法達到5V以下。因此，本實施形態如圖20所示，進行每一水平掃描期間使相對於給予對向電極之電位的前述輸入訊號之極性反轉（以下稱此驅動方法爲1H共振驅動）〇在圖21 ，Vs的極性以Vc爲中心，使其每一場反轉，而因1H共振驅動Vcom的極性係每一水平掃描期間反轉，故無須進行Vs的極性反轉。因此，可減小Vs的振幅。據此 ‘，可保持顯示品質同時可使類比開關TFT的輸入訊號在5V 以下。再者，可使資料驅動器低動作電壓化，可用5V耐驗的製造程序（Process)來形成。可達成資料驅動器的小型化、低功率消耗（Power consumption)、低成本化。 — — — — — — —------------訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 暑· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -42- 538293 A7 B7 五、發明說明（40) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如此，如果依照1H共振驅動可使類比開關TFT的可靠度提高與資料驅動器的低動作電壓等兩立。此外，圖20爲了防止擊穿電壓所造成的不良影響，令△ V的平均値=Vs的平均値-Vcom的平均値之關係成立。如以上的說明，本實施形態在圖1 8的對向基板1 35形成圖3所示的線條狀的顯示用電極2 2。而且，與該顯示用電極22連接的配線24如圖6(A)所示，爲透明導電層70與金屬層72的疊層構造。因此，與僅以透明導電層70來形成配線24的情形比較，可降低配線24的電阻。故因配線24 中的電壓下降，使液晶裝置的顯示品質降低的可能性低。而且，因無須爲了減小配線24的電阻而增加透明導電層70的膜厚，故無增加常與配線24的透明導電層70同時形成的顯示用電極63之透明導電層70中的膜厚到必要以上。因此，與僅藉由增加透明導電層70的厚度來減小配線24 的電阻之情形比較，可提高顯示用電極63的光穿透率。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製再者，與僅以增加透明導電層70的厚度，以減小配線 24的電阻的情形相比，因減少顯示用電極63以及配線24所使用的導電層70的厚度，故可縮短對向基板2a即顯示裝置用基板的形成所需的時間。 (第五實施形態）圖8(A)、（B)以及（C)係顯示將圖1所示的液晶裝置1〇、圖1 5所示的液晶裝置1或圖1 7所示的液晶裝置1 0 1等當作顯示裝置使用的電子機器之實施形態。圖8(A)係顯示行 -43- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538293 A7 ____ B7 五、發明說明（41) 動電話88 ’在其前面的上方具有液晶裝置1〇等。圖8(B)係顯示手錶92，在其本體的前面中央具有以液晶裝置ι〇等當作顯示部。圖8(C)係顯示手提資訊機器96 ，具備由液晶裝置10等所構成的顯示部與輸入部98。以上的各電子機器除了液晶裝置1 〇等外，例如如圖Η 所示，包含顯示資訊輸出源86、顯示資訊處理電路87、時脈（Clock)產生電路89等所謂的各種電路，或由供給功率給這些電路的電源電路9 1等所構成的顯示訊號生成部93而構成。顯示部例如圖8(C)所示的手提資訊機器96 ，藉由根據來自輸入部98輸入的資訊等，供給由顯示訊號生成部93所生成的顯示訊號來形成顯示影像。此外，結合與本實施形態有關的液晶裝置1 〇等之電子機器不限於行動電話、手錶、手提資訊機器，可考慮筆記型電腦、電子記事簿、分頁器（Pager)、計算機、P〇S終端、IC卡、迷你光碟播放機（M i n i d i s c p 1 a y e r)等所謂的各種電子機器。 (其他實施形態）以上雖然舉出較佳實施形態來說明本發明，惟本發明並未限定於其實施形態，在申請專利範圍所揭示的發明的範圍內，可進行種種的改變。例如，在前述的各實施形態中顯示透明導電層以IT0 來形成，金屬層爲形成鋁的例子。但是’形成透明導電層的材料若具備光穿透率十分高的導電性的話即可，例如爲 -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） •44- 538293 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（42) 氧化錫或銀也可以。而且，透明導電層爲具有進行光穿透與光反射的兩方之半穿透功能的半穿透膜也無妨。而且，形成金屬層的材料若具備充分的導電性的話即可，例如爲鉻、銅、銀或金等也可以。而且，在前述的各實施形態的液晶面板中，在一對基板的一方的內面形成濾色片，可當作彩色顯示裝置。濾色片最好形成於顯示用電極的下層。此外，在前述的各實施形態中，液晶面板係顯示STN 型的液晶面板。但是，液晶面板並未限定於此，可使用TN 型、副主（Guest-host)型、相轉變（Phase transition)型、雙穩定 TN(Bi-stable Twisted Nematic)型、鐵電（Ferroelectric)型等種種型式的液晶面板。而且，顯示用電極並未限定於線條狀，圖示（Icon)等所謂的符號（Character)形狀也可以。而且，在圖1所示的實施形態中舉例說明穿透型的液晶裝置。但是，即使是反射型的顯示裝置也能適用本發明。在這種液晶裝置中，不使用背照光，於背面側配置反射板或形成顯示用電極的一方當作反射電極。此外，本發明並非限定於前述的各實施形態，在本發明的要旨內或在申請專利範圍的均等範圍內可進行各種的變形實施。【發明的效果】如以上的說明如果依照本發明，因配線係以透明導電層與金屬層的疊層構造，故與僅以透明導電層來形成配線 -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -45- 538293 A7 B7 五、發明說明（43) 的情形比較，可降低配線的電阻。因此’使用本發明的顯示裝置用基板的液晶裝置’因配線中的電壓下降使顯示品質降低的可能性低。而且，因無須爲了減小配線的電阻而增加透明導電層的膜厚，故無增加常與配線的透明導電層同時形成的顯示用電極之透明導電層中的膜厚到必要以上。因此’與僅藉由增加透明導電層的厚度來減小配線的電阻之情形比較’ 可提高顯示用電極之光穿透率。再者，與僅以增加透明導電層的厚度，來減小配線的電阻的情形相比，因減少顯示用電極以及配線所使用的透明導電層的厚度，故可縮短顯示裝置用基板的形成所需的時間。 ——————— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -46- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製々、申請專利範圍第90103630號專利申請案中文申請專利範圍修正本 :民國91年8月8日修正 1、一種顯示裝置用基板，在基板上具備顯示用電極以及用以對該顯示用電極施加電壓的配線，其特徵爲：該配線具備包含具有.光穿透性以及導電性的導電層，與電阻比該導電層低的金屬層的疊層構造，該金屬層包含由鉻、鋁、銅、銀以及金選擇而成的金屬。 2、如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置用基板，其中該顯示用電極具備包含該導電層與該金屬層的疊層構造。 3、如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置用基板，其中該顯示用電極的金屬層其寬度比該顯示用電極的導電層的寬度窄。 4、如申請專利範圍第2項或第3項所述之顯示裝置用基板，其中該顯示用電極的金屬層具有開口部。 5、如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之顯示裝置用基板，其中該配線是從該顯示用電極的端部沿著該基板的周緣被拉引。 6、一種液晶裝置，是在一對基板間挾持液晶而成，其特徵爲：申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之顯示裝置用基板是使用於該一對基板的至少一方而成。 7、一種液晶裝置，其特徵包含：本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

538293 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製六、申請專利範圍申請專利範圍第4項所述之顯示裝置用基板；穿透型顯示功能.，在與該顯示裝置用基板對向的對向基板之間挾持液晶層而成，以該開口部當作光穿透部使用 :以及反射型顯示功能，該顯示用電極的金屬層之中，以該開口部以外的部分當作光反射部使用。 8、一種電子機器，其特徵爲具有以申請專利範圍第 6項所述之液晶裝置當作顯示手段。 9、一種顯‘示裝置用基板的製造方法，在基板上形成顯示用電極以及用以對該顯示用電極施加電壓的配線，其特徵包含：在該基板上形成具有光穿透性以及導電性的導電層之製程；在該導電層上形成電阻比該導電層低的金屬層之製程 ;以及形成該導電層以及該金屬層的圖案，形成該顯示用電極以及該配線的製程，其中該金屬層包含由鉻、鋁、銅、銀以及金選擇而成的金屬。 1 0、一種顯示裝置用基板的.製造方法：在基板上形成顯示用電極以及用以對該顯示用電極施加電壓的配線，其特徵包含：在該基板上形成具有光穿透性以及導電性的導電層之製程；本#氏張尺度適用中國國家標準（€奶）六4規格（210父297公着） 7T1 ：~" (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 538293 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍在該導電層上形成電阻比該導電層低的金屬層之製程 9 在該金屬層上，形成對應該顯示用電極以及該配線的圖案的第一光阻膜的製程；利用該第一光阻膜，形成該導電層以及該金屬層的圖案，形成該顯示用電極以及該配線的製程；以及利用藉由該第一光阻膜的曝光以及顯影而形成的第二光阻膜，蝕刻對應該顯示用電極的該金屬層的製程，該金屬層包含由鉻、鋁、銅、銀以及金選擇而成的金屬。 1 1、如申請專利範圍第1 0項所述之顯示裝置用基板的製造方法，其中該圖案形成是藉由蝕刻而進行，在該顯示用電極中，使該金屬層殘留於該導電層的端部而被鈾刻。 1 2、如申請專利範圍第1 〇項所述之顯示裝置用基板的製造方法，其中該圖案形成是藉由鈾刻而進行，在該顯示用電極中，使該金屬層在該導電層上具有.開口部而被蝕刻。 1 3、一種液晶裝置，在一對顯示裝置用基板間挾持液晶而成，其特徵爲： . 一方的該顯示裝置用基板具有：複數個像素電極、電性連接於該複數個像素電極的每一個的複數個兩端子型開關元件； ’ 另一方的該顯示裝置用基板具有：與該複數個像素 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -3 - 538293 A8 B8 C8 D8々、申請專利範圍電極對向配置的複數個顯示用電極、用以對該複數個顯示用電極的每一個施加電壓的配線，其中該配線具備包含具有光穿透性以及導電性的導電層，與電阻比該導電層低的金屬層的疊層構造，該金屬層包含由鉻、鋁、銅、銀以及金選擇而成的金屬。 1 4、一種液晶裝置，在一對顯示裝置用基板間挾持液晶而成，其特徵爲：一方的該顯示裝置用基板具有：複數個像素電極、電性連接於該複數個像素電極的每一個的複數個三端子型開關元件；另一方的該顯示裝置用基板具有：與該複數個像素電極對向配置的複數個顯示用電極、用以對該複數個顯示用電極的每一個施加電壓的配線，其中該配線具備包含具有光穿透性以及導電性的導電層，與電阻比該導電層低的金屬層的疊層構造，該金屬層包含由鉻、鋁、銅、銀以及金選擇而成的金屬。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T

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