JP2000035594A - ２端子型非線形素子の製造方法、２端子型非線形素子、液晶表示パネル、および、電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の切り出しと導通ラインの分断とを同時
に行う場合に、切り出しによる静電気の影響を受けない
ようにする。 【解決手段】 陽極酸化のため、基板切断前にあって、
走査線端子２１２ａを含む走査線２１２のすべては導通
ライン２１２ｂを介して、制御端子２７０ａを含む外部
端子２７０のすべては、導通ライン２７０ｂを介して、
それぞれ短絡パターン２０２０に接続されている。ここ
で、走査線２１２は、第１金属膜／酸化膜／第２金属膜
であり、外部端子２７０は、第１金属膜／酸化膜／第２
金属膜／透明導電膜であるが、導通ライン２１２ｂ、２
７０ｂの最上層は酸化膜とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、基板切断
時において静電気による影響をうけにくい２端子型非線
形素子の製造方法、２端子型非線形素子、液晶表示パネ
ル、および、この液晶表示パネルを備える電子機器に関
する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、アクティブ・マトリクス方式の
液晶表示パネルは、マトリクス状に配列した画素電極の
各々に非線形（スイッチング）素子が設けられた素子基
板と、カラーフィルタなどが形成された対向基板と、こ
れら両基板との間に充填された液晶とから構成されると
ともに、各非線形素子を駆動して、画素毎に液晶の配向
状態を制御することによって、所定の表示を行うもので
ある。

【０００３】ここで、非線形素子としては、主に、薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ：Thin FilmTransistor）などの
３端子型非線形素子と、薄膜ダイオード（ＴＦＤ：Thin
Film Diode）などの２端子型非線形素子とに大別され
るが、後者の２端子型非線形素子の方が、配線の交差部
分がないために配線間の短絡不良が原理的に発生しない
点、さらに、成膜工程およびフォトリソグラフィ工程を
短縮できる点において有利である。

【０００４】ところで、２端子型非線形素子は、一般に
は、第１金属膜（導電体）／絶縁体／第２金属膜のサン
ドイッチ構造によって正負双方向のダイオードスイッチ
ング特性を有し、絶縁体は、通常、第１金属膜を陽極酸
化することによって、その表面に形成される。このた
め、素子基板に形成される第１金属膜は、素子形成時に
あっては、短絡パターン（共通ライン）にすべて接続さ
れている必要がある一方、素子形成後にあっては、短絡
パターンから分断する必要がある。このような分断は、
工程簡略・短縮のため、大判の基板から液晶表示パネル
として所定の形状に切り出す工程と兼用して行われる。
すなわち、第１金属膜を短絡パターンに接続するための
導通ラインを、切り出しにかかる切断線と交差するよう
に形成しておくことにより、基板の切り出しと導通ライ
ンの分断とが同時に行われるようになっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板の
切り出しにおいて発生する静電気が、導通ラインを伝搬
して２端子型非線形素子を破壊することが度々発生し
て、製品歩留まりを低下させる、という問題があった。
この問題は、特に、配線抵抗を低下させるため、２端子
型非線形素子の第２金属膜を導通ラインの表面に形成し
た場合に発生する。

【０００６】本発明は、上述した問題に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、基板の切り出し
と導通ラインの分断とを同時に行う場合であっても、切
り出しによる静電気の影響を受けにくい２端子型非線形
素子の製造方法、２端子型非線形素子、液晶表示パネ
ル、および、この液晶表示パネルを備える電子機器を提
供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明にあっては、第１導電体／絶縁体／第２導電
体からなる２端子型非線形素子の製造方法であって、前
記第１導電体を基板上に形成する工程と、前記第１導電
体の表面に前記絶縁体を形成する工程と、前記第２導電
体を、前記第１導電体の導通ラインと前記基板の切断線
とが交差する領域には形成せずに、前記２端子型非線形
素子が形成されるべき領域には少なくとも前記絶縁体の
表面に形成する工程とを具備することを特徴としてい
る。

【０００８】この構成によれば、第１導電体の導通ライ
ンが基板の切断線と交差する領域においては、第２導電
体が形成されないため、第１導電体の表面に形成された
絶縁体が剥き出しの状態となる。このため、導通ライン
は、外部からみると高抵抗となって、基板の切断時にお
いて静電気を伝搬しにくくなるので、２端子型非線形素
子が静電気の影響を受けにくくすることが可能となる。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。

【００１０】＜液晶表示パネルの構成＞まず、本実施形
態にかかる液晶表示パネルの構成について説明する。こ
こで、図１は、この液晶表示パネルの概略構成を示す斜
視図である。

【００１１】この図における液晶表示パネル１００は、
画素電極をスイッチングする２端子型非線形素子として
ＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス方式のもので
ある。この液晶表示パネル１００は、図に示されるよう
に、素子基板２００と対向基板３００とを、互いに各端
子部分を外部に残した状態で貼り合わせた構造となって
いる。

【００１２】次に、各基板の端子部分について説明す
る。図２は、素子基板２００の端子部分における要部を
拡大した平面図である。なお、この図は、図１の上面
（パターン面）から見た場合に相当している。この図に
示されるように、素子基板２００には、複数の走査線２
１２が平行に設けられ、それらの先端部が、対向基板３
００の端部近傍にて間隔を狭めて櫛状に形成されて、走
査線端子２１２ａを構成している。そして、これと対向
するように、外部端子２７０から延長された制御端子２
７０ａが形成されている。ここで、外部端子２７０に
は、波線２６１に示される領域において、外部から制御
信号を供給するためのＦＰＣ（Flexible Printed Circu
it）２６０が接続される。また、走査線端子２１２ａお
よび制御端子２７０ａには、波線２５１で示される領域
において、ベアチップ２５０がＣＯＧ（Chip On Glas
s）等の技術により実装されて、外部端子２７０を介し
て供給された制御信号に基づいて、各走査線２１２へ駆
動信号を供給するようになっている。

【００１３】一方、対向基板３００においては、素子基
板２００と対向する面に、複数のデータ線（信号線）３
１２が、走査線２１２とは直交する方向に設けられ、か
つ、後述する画素電極と交差するように配列し、また、
カラーフィルタが、必要に応じて、データ線３１２と画
素電極とが互い交差する領域に対応して設けられてい
る。そして、対向基板３００の端子部分においては、素
子基板２００と同様に、各データ線３１２へ駆動信号を
供給するベアチップ３５０が実装されるとともに、外部
から制御信号を供給するためのＦＰＣ３６０が接続され
る。

【００１４】＜ＴＦＤ素子＞次に、素子基板２００にお
いて、各画素を駆動するＴＦＤ素子について説明する。
図３（ａ）は、ＴＦＤ素子を適用した１画素分のレイア
ウトを示す平面図であり、図３（ｂ）は、そのＴＦＤ素
子の構造を図３（ａ）におけるＡ−Ａ線に沿って示す断
面図である。

【００１５】図に示されるＴＦＤ素子２２０は、第１の
ＴＦＤ素子２２０ａおよび第２のＴＦＤ素子２２０ｂか
らなり、基板２００と、この表面に形成された絶縁膜２
０１と、第１金属膜２２２と、この表面に陽極酸化によ
って形成された絶縁体たる酸化膜２２４と、この表面に
形成されて相互に離間した第２金属膜２２６ａ、２２６
ｂとから構成されている。また、第２金属膜２２６ａ
は、そのまま走査線２１２となる一方、第２金属膜２２
６ｂは、画素電極２３４に接続されている。なお、走査
線２１２の断面は、第１金属膜２２２、酸化膜２２４、
第２金属膜２２６ａとなっているが、走査線端子２１２
ａは、最上層の第２金属膜２２６ａのみに接続されてい
るため、走査線２１２部分がＴＦＤ素子として機能する
ことはない。

【００１６】さて、第１のＴＦＤ素子２２０ａは、走査
線２１２からみると順番に、第２金属膜２２６ａ／酸化
膜２２４／第１金属膜２２２となって、金属／絶縁体／
金属のサンドイッチ構造を採るため、正負双方向のダイ
オードスイッチング特性を有することになる。一方、第
２のＴＦＤ素子２２０ｂは、走査線２１２から順番にみ
ると、第１金属膜２２２／酸化膜２２４／第２金属膜２
２６ｂとなって、第１のＴＦＤ素子２２０ａとは、反対
のダイオードスイッチング特性を有することになる。こ
こで、両者は、２つのダイオードを互いに逆向きに直列
接続した形となっているため、１つのＴＦＤ素子を用い
る場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負の双
方向にわたって対称化されることになる。

【００１７】なお、素子基板２００自体は、絶縁性およ
び透明性を有するものであり、例えば、ガラスやプラス
チックなどから構成される。ここで、絶縁膜２０１が設
けられる理由は、第２金属膜の堆積後における熱処理に
より、第１金属膜２２２が下地から剥離しないようにす
るため、および、第１金属膜２２２に不純物が拡散しな
いようにするためである。したがって、これらが問題に
ならない場合には、絶縁膜２０１は省略可能である。ま
た、画素電極２３４は、透過型の液晶表示パネルに利用
する場合にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導
電膜から形成され、反射型の液晶表示パネルに適用する
場合にはアルミニウムや銀などの反射率の大きな金属膜
から形成される。

【００１８】さて、このような走査線２１２、ＴＦＤ素
子２２０および画素電極２３４は、素子基板２００にお
いて、図４に示されるように配置される。すなわち、複
数の画素電極２３４がマトリクス状に配置して、各画素
電極２３４に、それぞれＴＦＤ素子２２０の一端が接続
される一方、ＴＦＤ素子２２０の他端は走査線２１２に
接続されている。ここで、同列に配置している画素電極
２３４は、それに対応するＴＦＤ素子２２０を介して、
列方向の走査線２１２を１本共用している。

【００１９】このように構成された素子基板２００は、
対向基板３００に対して基板周辺に沿って塗布されるシ
ール剤と、適切に散布されたスペーサとによって、一定
のギャップ（間隙）を保っている。そして、この閉空間
に、例えば、ＴＮ（TwistedNematic）型の液晶が封入さ
れて、液晶層が形成されている。

【００２０】したがって、走査線２１２とデータ線３１
２とは、それらの各交点において、液晶層とＴＦＤ素子
２２０との直列接続を介して電気的に結合した状態とな
っている。このため、走査線２１２とデータ線３１２と
の電位差をＴＦＤ素子２２０のしきい値以上にすると、
当該素子がオンとなって導通状態になるため、当該素子
に接続された液晶層に所定の電荷が蓄積される。そし
て、電荷蓄積後、当該素子をオフ状態にしても、液晶層
の抵抗が十分に高ければ、当該液晶層における電荷の蓄
積が維持される。このようにＴＦＤ素子２２０を駆動し
て、蓄積させる電荷の量を制御すると、画素毎に液晶の
配向状態が変化して、所定の表示を行わせることが可能
となる。

【００２１】この際、各液晶層毎に電荷を蓄積させるの
は、一部の期間で良いため、各走査線を時分割に選択す
ることにより、走査線２１２およびデータ線３１２を複
数の画素について共通化したマルチプレックス駆動が可
能となる。

【００２２】＜液晶表示パネルの製造プロセス＞次に、
上述した液晶表示パネル１００の製造プロセスについて
説明する。なお、本実施形態における液晶表示パネル１
００は、生産効率を向上させるため、大判基板から複数
個切断される、いわゆる多面取りによって製造される。

【００２３】＜素子基板の製造プロセス＞まず、素子基
板２００の製造プロセスについて、ＴＦＤ素子２２０を
中心に説明する。まず、図５（１）に示されるように、
基板２００上面に絶縁膜２０１が形成される。この絶縁
膜２０１は、例えば、酸化タンタルからなり、スパッタ
リング法で堆積したタンタル膜を熱酸化する方法や、酸
化タンタルからなるターゲットを用いたスパッタリング
あるいはコスパッタリング法などにより形成される。こ
の絶縁膜２０１は、上述したように、第１金属膜２２２
の密着性を向上させ、さらに基板２００からの不純物の
拡散を防止することを主目的として設けられるので、そ
の膜厚は、例えば、50〜200nm程度で十分である。

【００２４】次いで、同図（２）に示されるように、絶
縁膜２０１上面に第１金属膜２２２が成膜される。この
第１金属膜２２２の組成は、例えば、タンタル単体ある
いはタンタル合金からなる。タンタル合金とする場合、
主成分のタンタルに、例えば、タングステン、クロム、
モリブデン、レニウム、イットリウム、ランタン、ディ
スプロリウムなどの周期律表において第６〜第８族に属
する元素を添加しても良い。なお、添加する元素として
は、タングステンが好ましく、その含有割合は、例え
ば、0.1〜6重量％が望ましい。

【００２５】また、第１金属膜２２２は、スパッタリン
グ法や電子ビーム蒸着法などで形成可能であり、タンタ
ル合金からなる第１金属膜２２２を形成する場合には、
混合ターゲットを用いたスパッタリング法や、コスパッ
タリング法、電子ビーム蒸着法などが用いられる。な
お、第１金属膜２２２の膜厚は、ＴＦＤ素子２２０の用
途によって好適な値が選択され、通常、100〜500nm程度
である。

【００２６】そして、同図（３）に示されるように、第
１金属膜２２２が、一般に用いられているフォトリソグ
ラフィおよびエッチング技術によってパターニングされ
る。

【００２７】続いて、同図（４）に示されるように、酸
化膜２２４が第１金属膜２２２の表面に形成される。詳
細には、第１金属膜２２２の表面が、陽極酸化法によっ
て酸化することで形成される。このとき、走査線２１２
の基礎となる部分の表面も同時に酸化されて酸化膜２２
４が形成される。酸化膜２２４の膜厚は、その用途によ
って好ましい値が選択され、例えば、10〜35nm程度であ
り、１つの画素について１個のＴＦＤ素子を用いる場合
と比べると半分である。陽極酸化に用いられる化成液
は、特に、限定されないが、例えば、0.01〜0.1重量％
のクエン酸水溶液を用いることができる。

【００２８】この工程にかかる陽極酸化のため、大型基
板においてパターニングされた第１金属膜２２２は電気
的にすべて接続されている必要がある。このため、素子
基板２００にあって、走査線２１２および外部端子２７
０のそれぞれ基礎となる第１金属膜２２２のすべては、
図７に示されるように、その四方を囲む短絡パターン２
０２０に接続されている。すなわち、走査線端子２１２
ａを含む走査線２１２となるべき部分のすべては導通ラ
イン２１２ｂを介して、制御端子２７０ａを含む外部端
子２７０となるべき部分のすべては、導通ライン２７０
ｂを介して、それぞれ短絡パターン２０２０に接続され
ている。ここで、導通ライン２１２ｂには、後述するよ
うに、液晶表示パネル１００として最終的に切り出され
る際の切断線と交差するような長さが最低限確保され
ている。同様に、導通ライン２７０ｂには、素子基板２
００の切断線と交差するような長さが最低限確保され
ている。

【００２９】また、この短絡パターン２０２０は、大判
基板全体でみれば、図８に示されるように、すべてのパ
ネルにおいて電流密度が均等になるように配列して、大
判基板２０００の４辺の縁部分２０１０に接続されてい
る。なお、この図においてパターン面は、表（上）面に
形成されている。また、符号２１００で示される領域
が、図７において拡大した１個のパネルに相当する領域
である。

【００３０】次いで、図５（５）に示されるように、第
２金属膜２２６が成膜される。この第２金属膜２２６
は、例えば、クロムや、アルミニウム、チタン、モリブ
デンなどであり、スパッタリング法などによって堆積さ
せることによって形成される。また、第２金属膜２２６
の膜厚は、例えば、50〜300nm程度である。

【００３１】続いて、第２金属膜２２６が、一般に用い
られているフォトリソグラフィおよびエッチング技術に
よってパターニングされる。これにより素子部分にあっ
ては、図６（６）に示されるように、第１、第２のＴＦ
Ｄ素子における第２金属膜２２６ａ、２２６ｂが離間し
て形成されるとともに、走査線２１２における最上層も
第２金属膜２２６によって被覆されることになる。

【００３２】一方、制御端子２７０ａを含む外部端子２
７０、および、走査線端子２１２ａを含む走査線２１２
についても、その表面を被覆するように第２金属膜２２
６がパターニングされる。さらに、大判基板２０００の
縁部分２０１０についてもその表面を被覆するように第
２金属膜２２６がパターニングされる。ただし、導通ラ
イン２１２ｂ、２７０ｂ、および、短絡パターン２０２
０にあっては、第２金属膜２２６が除去されて、下層か
ら順番に第１金属膜２２２／酸化膜２２４となる。すな
わち、酸化膜２２４が剥き出しの状態にされる。

【００３３】次に、図６（７）に示されるように、画素
電極２３４とともに、走査線端子２１２ａ、外部端子２
７０、制御端子２７０ａとなる導電膜が成膜される。こ
の導電膜は、透過型の液晶表示パネルではＩＴＯが好適
であり、反射型の液晶表示パネルではアルミニウムなど
が好適であって、いずれもスパッタリング法などによっ
て膜厚30〜200nmで堆積させることで成膜される。

【００３４】続いて、この導電膜が、一般に用いられて
いるフォトリソグラフィおよびエッチング技術によって
パターニングされる。これにより素子部分にあっては、
図６（８）に示されるように、画素電極２３４が形成さ
れる。一方、ベアチップ２５０が実装される走査線端子
２１２ａ、制御端子２７０ａと、ＦＰＣ２６０が接続さ
れる外部端子２７０には、画素電極２３４と同じ導電膜
が、第２金属膜２２６の上層として形成される。すなわ
ち、走査線端子２１２ａ、制御端子２７０ａおよび外部
端子２７０は、下層から順番に第１金属膜２２２／酸化
膜２２４／第２金属膜２２６／画素電極２３４と同じ導
電膜、となる。

【００３５】そして、図６（９）に示されるように、走
査線２１２から枝分かれした酸化膜２２４のうちの破線
部分２２９が、その基礎となっている第１金属膜２２２
とともに、一般に用いられているフォトリソグラフィお
よびエッチング技術により除去される。これにより、第
１、第２のＴＦＤ素子で共用される第１金属膜２２２
が、走査線２１２の最下層たる第１金属膜２２２から電
気的に分離されることになる。

【００３６】このようなプロセスにより、基板２００に
は、第１のＴＦＤ素子２２０ａと第２のＴＦＤ素子２２
０ｂとからなるＴＦＤ素子２２０が、画素電極２３４と
ともに、マトリックス状に形成される。

【００３７】なお、このようなＴＦＤ素子の製造プロセ
スについては、上記工程の順番に限られない。例えば、
図５（４）における工程よって第１金属膜２２２の表面
に酸化膜２２４を形成した直後に、図６（９）における
工程によって、走査線２１２から分離して、この後、図
５（５）の工程、および、図６の（６）〜（８）の工程
を実行することによっても可能である。

【００３８】＜対向基板の製造プロセス＞次に、対向基
板３００の製造プロセスについて説明する。対向基板３
００には、ＴＦＤ素子のような非線形素子が形成されな
いため、素子基板２００と比較すると、その製造プロセ
スは極めて簡略化されている。すなわち、基板の一方の
面に、第１に、ＩＴＯのような透明導電膜を成膜した
後、第２に、これをパターニングして、データ線３１２
を形成する。この際、ベアチップ３５０を実装するため
にデータ線端子、制御端子と、ＦＰＣ３６０を接続する
ための外部端子も、透明導電膜をパターニングして形成
される。

【００３９】なお、カラー表示を行う場合には、第１
に、画素電極２３４と対向する領域において、Ｒ（レッ
ド）、Ｇ（グリーン）、Ｂ（ブルー）の原色いずれかの
カラーフィルタが所定の配列で形成されるとともに、そ
れ以外の表示領域においてはＢｋ（ブラック）のブラッ
クマトリクスが形成され、第２に、平滑化層が、カラー
フィルタおよびブラックマトリクスの保護を兼ねてコー
ティングされ、この後、透明導電膜が成膜・パターニン
グされる。

【００４０】このような対向基板３００の大判基板の例
を、図９に示す。この図に示される大判基板３０００に
あっては、符号３１００で示される領域が１個のパネル
に相当する領域であり、ここに、データ線端子を含むデ
ータ線３１２と、制御端子を含む外部端子３７０とが形
成される。なお、図９は、図８とは異なり、パターン面
が裏面（下側）に形成されている状態を示している。こ
れは、両者を貼り合わせた際の位置関係が明確にするた
めの措置である。

【００４１】＜貼合・液晶注入・切断等＞さて、このよ
うに形成された素子基板の大判基板２０００、および、
対向基板の大判基板３０００には、それぞれ配向膜が形
成された後、ラビング、スペーサ散布等の処理を経て、
図１０に示されるように、互いを位置合わせした状態で
貼り合わせられる。この後、大型基板２０００、３００
０において同列に位置する液晶表示パネルに対して液晶
を注入すべく、１次スクライブが行われる。詳細には、
対向基板の大判基板３０００のみが切断線で切断され
た後、素子基板の大判基板２０００のみが切断線で切
断される。ここで、切断線、で一端を揃えない理由
は、これによって生じる段差によって、液晶の注入とと
もに、光硬化性樹脂等の液晶封止剤の滴下を容易とする
ためである。

【００４２】続いて、図１１に示されるように、切断線
、での切断によって開口した注入口１１０を介し
て、液晶が、大型基板２０００、３０００において同列
に位置する液晶表示パネルの各々に注入される。この
後、注入口１１０に封止剤が滴下され、紫外線が照射さ
れて液晶の封止が完了される。

【００４３】そして、液晶表示パネル１００を大型基板
から切り出すべく、２次スクライブが行われる。詳細に
は、対向基板の大判基板３０００のみが切断線、、
の順番で切断された後、素子基板の大判基板２０００
のみが切断線、、の順番で切断されて、複数の液
晶表示パネル１００が大判基板２０００、３０００から
多面取りされることとなる。

【００４４】ここで、切断線の切断により、分断され
る導通ライン２１２ｂは、酸化膜２２２の剥き出し状態
であるため、第２金属膜２２６で被覆された場合よりも
電気的にみれば高抵抗である。このため、切断線の切
断時において発生する静電気は、導通ライン２１２ｂを
介して走査線２１２に伝搬しにくくなるので、ＴＦＤ素
子２２０の破壊が防止されることになる。

【００４５】また、制御端子２７０ａおよび走査線端子
２１２ａは互いに離間してはいるものの、導通ライン２
７０ｂが低抵抗であれば、切断線の切断時の発生する
静電気の電圧によっては、これらの間を電荷が飛び越え
て、ＴＦＤ素子２２０が破壊されるおそれもある。ただ
し、本実施形態における導通ライン２７０ｂは、導通ラ
イン２１２ｂと同様に、酸化膜２２２の剥き出し状態で
あって高抵抗であるので、切断線の切断時において発
生する静電気が、導通ライン２７０ｂを介し、制御端子
２７０ａおよび走査線端子２１２ａの間を飛び越えて走
査線２１２に伝搬することはないので、同様に、ＴＦＤ
素子２２０の破壊が防止されることになる。

【００４６】また、素子基板の大判基板２０００におけ
る縁部分２０１０には、第２金属膜２２６が残されてい
るので、ここを接地しておくことにより、大判基板２０
００の状態において静電気を帯びることが防止される。

【００４７】なお、実施形態にかかる液晶表示パネル１
００にあっては、ＴＦＤ素子２２０を、互いに逆向きに
直列接続された第１のＴＦＤ素子２２０ａおよび第２の
ＴＦＤ素子２２０ｂから構成したが、ひとつのＴＦＤ素
子により構成して、導通ライン２７０ｂのみを高抵抗と
しても良い。

【００４８】さらに、実施形態にかかる液晶表示パネル
１００にあっては、第２金属膜２２６および画素電極２
３４を異なる金属膜により構成したが、第２金属膜およ
び画素電極を、ＩＴＯ膜等の同一透明導電膜から構成し
ても良い。このような構成によれば、第２金属膜２２６
および画素電極２３４を同一の工程により形成できる利
点がある。

【００４９】また、実施形態にかかる液晶表示パネル１
００にあっては、ＴＦＤ素子２２０が走査線２１２の側
に接続されていたが、これとは逆に、ＴＦＤ素子２２０
をデータ線の側に接続する構成でも同じことである。

【００５０】＜電子機器＞次に、上述した液晶表示パネ
ル１００を電子機器に用いた例のいくつかについて説明
する。

【００５１】＜その１：ビデオプロジェクタ＞まず、こ
の液晶表示パネルをライトバルブとして用いたビデオプ
ロジェクタについて説明する。図１２は、ビデオプロジ
ェクタの構成例を示す平面図である。

【００５２】この図に示すように、ビデオプロジェクタ
１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からな
るランプユニット１１０２が設けられている。このラン
プユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガ
イド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６およ
び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢ
の３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブと
しての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１
０Ｇに入射される。

【００５３】液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび
１１１０Ｇの構成は、上述した通りであり、図示しない
ビデオ信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信
号でそれぞれ駆動される。さて、これらの液晶パネルに
よって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１
２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズ
ム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折
する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像
が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スク
リーン等にカラー画像が投写されることとなる。

【００５４】なお、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ
および１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８
によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射する
ので、対向基板にカラーフィルタを設ける必要はない。

【００５５】＜その２：モバイル型コンピュータ＞次
に、この液晶表示パネルを、モバイル型のコンピュータ
に適用した例について説明する。図１３は、このコンピ
ュータの構成を示す正面図である。図において、コンピ
ュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部
１２０４と、液晶ディスプレイ１２０６とから構成され
ている。この液晶ディスプレイ１２０６は、先に述べた
液晶表示パネル１００にバックライトを付加することに
より構成される。

【００５６】＜その３：ページャ＞次に、液晶表示パネ
ルをページャに適用した例について説明する。図１４
は、このページャの構造を示す分解斜視図である。この
図に示すように、ページャ１３００は、金属フレーム１
３０２において、液晶表示パネル１００を、バックライ
ト１３０６ａを含むライトガイド１３０６、回路基板１
３０８、第１、第２のシールド板１３１０、１３１２と
ともに収容する構成となっている。そして、この構成に
おいては、液晶表示パネル１００と回路基板１３０８と
の導通が、素子基板２００に対してはフィルムテープ１
３１４によって、対向基板３００に対してはフィルムテ
ープ１３１８によって、それぞれ図られている。すなわ
ち、この構成で、ベアチップが基板に実装されない形と
なる。

【００５７】なお、図１２〜図１４を参照して説明した
電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ
型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲ
ーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワ
ークステーション、携帯電話、テレビ電話、POS端末、
タッチパネルを備えた装置等などが電子機器の例として
挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能
なのは言うまでもない。

【００５８】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、第
１導電体の導通ラインが基板の切断線と交差する領域に
おいては、第２導電体が形成されないため、第１導電体
の表面に形成された絶縁体が剥き出しの状態となる。こ
のため、導通ラインは、外部からみると高抵抗となっ
て、基板の切断時において静電気を伝搬しにくくなるの
で、２端子型非線形素子が静電気の影響を受けることを
防止することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態にかかる液晶表示パネルの
構成を示す斜視図である。

【図２】 同液晶表示パネルの端子部分の構成を示す平
面図である。

【図３】 （ａ）は、同液晶表示パネルの素子基板にお
ける１画素分の構成を示す平面図であり、（ｂ）は、そ
のＡ−Ａ線の断面図である。

【図４】 同液晶表示パネルにおける素子基板の構成を
示す部分破断斜視図である。

【図５】 （１）〜（５）は、それぞれ同液晶表示パネ
ルにおけるＴＦＤ素子の製造プロセスを示す図である。

【図６】 （６）〜（９）は、それぞれ同液晶表示パネ
ルにおけるＴＦＤ素子の製造プロセスを示す図である。

【図７】 大判基板における素子基板１個分のレイアウ
トを示す平面図である。

【図８】 素子基板の大判基板におけるレイアウトを示
す平面図である。

【図９】 対向基板の大判基板におけるレイアウトを示
す平面図である。

【図１０】 素子基板の大判基板と、対向基板の大判基
板とを貼り合わせた状態のレイアウトを示す平面図であ
る。

【図１１】 １次スクライブ後の大判基板のレイアウト
を示す平面図である。

【図１２】 同液晶表示パネルを適用した電子機器の一
例たる液晶プロジェクタの構成を示す断面図である。

【図１３】 同液晶表示パネルを適用した電子機器の一
例たるパーソナルコンピュータの構成を示す正面図であ
る。

【図１４】 同液晶表示パネルを適用した電子機器の一
例たるページャの構成を示す分解斜視図である。

【符号の説明】

１００……液晶表示パネル ２００……素子基板 ２１２……走査線 ２１２ａ……走査線端子 ２１２ｂ……導通ライン ２２０……ＴＦＤ素子 ２２２……第１金属膜 ２２４……酸化膜 ２２６……第２金属膜 ２３４……画素電極 ２５０……ベアチップ ２６０……ＦＰＣ ２７０……外部端子 ２７０ａ……制御端子 ２７０ｂ……導通ライン ３００……対向基板 ３１２……データ線 ３５０……ベアチップ ３６０……ＦＰＣ ２０００……（素子基板の）大判基板 ２０１０……縁部分 ２０２０……短絡パターン ３０００……（対向基板の）大判基板 〜……切断線

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１導電体／絶縁体／第２導電体からな
   る２端子型非線形素子の製造方法であって、 前記第１導電体を基板上に形成する工程と、 前記第１導電体の表面に前記絶縁体を形成する工程と、 前記第２導電体を、前記第１導電体の導通ラインと前記
   基板の切断線とが交差する領域には形成せずに、前記２
   端子型非線形素子が形成されるべき領域には少なくとも
   前記絶縁体の表面に形成する工程とを備えることを特徴
   とする２端子型非線形素子の製造方法。
2. 【請求項２】 第１導電体／絶縁体／第２導電体からな
   る２端子型非線形素子であって、 基板上に形成された前記第１導電体と、 前記第１導電体の表面に形成された前記絶縁体と、 前記第１導電体の導通ラインと前記基板の切断線とが交
   差する領域には形成されずに、前記２端子型非線形素子
   が形成されるべき領域には少なくとも前記絶縁体の表面
   に形成された第２導電体とを具備することを特徴とする
   ２端子型非線形素子。
3. 【請求項３】 前記絶縁体は、前記第１導電体の陽極酸
   化によって形成されたものであり、 前記導通ラインは、前記第１導電体を前記陽極酸化のた
   めの短絡パターンに接続するためのものであることを特
   徴とする請求項２記載の２端子型非線形素子。
4. 【請求項４】 前記第２導電体は、前記基板の縁部分に
   は形成される一方、前記短絡パターンには形成されない
   ことを特徴とする請求項３記載の２端子型非線形素子。
5. 【請求項５】 請求項２、３または４記載の２端子型非
   線形素子を有する素子基板と、対向基板とが適当な間隔
   をおいて配置されるとともに、前記素子基板と前記対向
   基板との間隙内に液晶が封入されていることを特徴とす
   る液晶表示パネル。
6. 【請求項６】 請求項５記載の液晶表示パネルを備えた
   ことを特徴とする電子機器。