JPH11194336A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】プリズムシート等の光学補償フィルム類の固定
構造に起因する表示不良を無くして高画質かつ高信頼性
の液晶表示装置をえる。 【解決手段】第１基板と第２基板を所定の間隙で対向さ
せ、表示領域外周をシール材で接着すると共に、上記間
隙に液晶層を封入してなる液晶パネル２と、導光板７の
辺縁に沿って設置した線状ランプを持ち、液晶パネル２
の背面に設置して当該液晶パネルを裏面から照明するバ
ックライトと、このバックライトと液晶パネル２の間に
介挿した光学補償フィルム６とを少なくとも有し、バッ
クライトと光学補償フィルム６の各４辺の端面を覆うフ
ランジで形成される窓を液晶パネル２側に有し、窓と反
対側を開放したモールド部材５で保持し、モールド部材
５のフランジに、液晶パネル５と直角な方向の第１の段
差５ａと、第１の段差より後退した位置に形成した第２
の段差５ｂとを有し、導光板７をモールド部材５の第２
の段差５ｂ内で液晶パネル２方向に押圧固定し、光学補
償フィルム６を第１の段差５ａ内で導光板７に対して自
由に保持した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特に、表示画像を生成する液晶パネルを裏面から照
明するバックライトと当該液晶パネルの間に設置するプ
リズム板や光拡散板等の光補償フィルムの取付け構造に
起因する特性変化を回避した保持構造を持つ液晶表示装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ノート型コンピユータやコンピユータモ
ニター用の高精細かつカラー表示が可能な液晶表示装置
では、液晶パネルを背面から照明する光源（所謂、バッ
クライト）を備えている。

【０００３】この種の液晶表示装置は、基本的には少な
くとも一方が透明なガラス等からなる二枚の基板の間に
液晶層を挟持した所謂液晶パネルを構成し、上記液晶パ
ネルの基板に形成した画素形成用の各種電極に選択的に
電圧を印加して所定画素の点灯と消灯を行う形式（単純
マトリクス）、上記各種電極と画素選択用のアクティブ
素子を形成してこのアクティブ素子を選択することによ
り所定画素の点灯と消灯を行う形式（アクティブマトリ
クス）とに大きく分類される。

【０００４】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装
置は、一方の基板に形成した電極と他方の基板に形成し
た電極との間に液晶層の配向方向を変えるための電界を
印加する、所謂縦電界方式を採用していた。

【０００５】近年、液晶層に印加する電界の方向を基板
面とほぼ平行な方向とする、所謂横電界方式（ＩＰＳ方
式とも言う）の液晶表示装置が実現された。この横電界
方式の液晶表示装置としては、二枚の基板の一方に櫛歯
電極を用いて非常に広い視野角を得るようにしたものが
知られている（特公昭６３−２１９０７号公報、米国特
許第４３４５２４９号明細書）。

【０００６】一方、液晶表示装置のうち、単純マトリク
ス型液晶表示素子は、二枚の基板の一方にコモン電極
を、他方の基板にセグメント電極を有し、液晶層を構成
する液晶分子のねじれ角αを１８０度より大に、かつ複
屈折効果を利用することにより時分割駆動特性を改善し
て時分割数を増大させることがアプライド フィジクス
レター４５，No.10,1021 1984(Applied Physics Lette
r,T.J.Scheffer,J.Nehring:"A new,highly multiplexab
le liquidcrystal display") に論じられ、スーパーツ
イステッド複屈折効果型(SBE) 液晶表示装置が提案され
ている。

【０００７】高時分割駆動が可能なねじれ構造を有する
液晶表示素子は、バイアス電圧とデューティー比で決定
される非選択電圧と選択電圧との間で液晶層の状態変化
を生じさせて点灯を行う。しかし、ねじれ角が１８０度
以上とすると液晶の複屈折効果によって着色が生じる。

【０００８】この着色する現象を回避するために、液晶
層と逆の方向に液晶層をねじった補償素子や位相差板と
呼ばれる複屈折媒体を設けることで位相差補償が行なっ
て白黒表示を可能としたものが知られている（吉野、尾
崎、「液晶とディスプレイ応用と基礎」コロナ社 １９
９４）。また、中間調表示は非選択電圧と選択電圧の間
の電圧を印加して行っている。

【０００９】また、この種の単純マトリクス型液晶表示
装置をカラー化するためには、一対の基板の一方に少な
くとも３色のカラーフィルタを形成し、それぞれのカラ
ーフィルタに対して設けたセグメント電極に選択的に電
圧を印加することにより、所要のカラー画像表示を行う
ことができる。

【００１０】図２９は従来の液晶表示装置の構造例を説
明する要部断面図であり、２は液晶パネル（ＰＮＬ）、
３は駆動回路基板（ＰＣＢ）、４はテープキャリアパッ
ケージ（ＴＣＰ）、５はモールドケース（ＭＣＡ）、６
はプリズムシート（ＰＲＳ）、７は導光板（ＧＬＢ）、
９は下フレーム、１０（１０ａ，１０ｂ）は偏光板（下
偏光板ＰＯＬ２，上偏光板ＰＯＬ１）、１１は固定爪、
１２は爪受け部、１３は駆動ＩＣ（ＣＨＩ）を示す。

【００１１】同図において、２枚の透明ガラス基板の間
に液晶層を挟持した液晶パネル２の周縁に駆動ＩＣ１３
を搭載した駆動回路基板３ｂおよび図示しない他の回路
基板を備え、上下に偏光板ＰＯＬ２とＰＯＬ１が積層さ
れている。

【００１２】また、この液晶パネル２の背面には導光板
７とその辺に沿って設置した線状ランプやランプ反射器
（図示せず）とからなるバックライト（ＢＬ）が配置さ
れている。なお、この導光板７は断面がくさび形で、そ
の厚手の辺側に一本の線状ランプＬＰが設置されたタイ
プ、平板状の導光板の平行する２辺に線状ランプＬＰと
ランプ反射器ＬＳを設置したタイプ等がある。

【００１３】この導光板７と液晶パターン２の間には当
該導光板から出射される光の方向を制御するためのプリ
ズムシート６が配置されている。このプリズムシート６
は一般に２枚を用い、導光板７を保持するモールドケー
ス５の段差５ａで当該導光板７とモールドケース５とで
周辺部（４辺）を挟み込み、サンドイッチ構造で押圧固
定している。この段差５ａの導光板７の面と直交する方
向に深さは４辺とも同一である。

【００１４】なお、プリズムシートに限らず、拡散シー
ト等の光学補償フィルム類の固定も同様の固定構造で保
持している。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の技
術では、プリズムシート等の光学補償フィルム類は、そ
の４辺を固定しているため、組立て後のエージング処理
で熱を加えたとき、光学補償フィルム類に偏った力がか
かって歪みが発生し、これが表示不良の原因となって、
画質劣化と信頼性の低下を招いていた。このような歪み
は画面が大型化した場合に特に顕著となる。

【００１６】本発明の目的は、上記従来技術の問題点を
解消し、プリズムシート等の光学補償フィルム類の固定
構造に起因する表示不良を無くして高画質かつ高信頼性
の液晶表示装置を提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、導光板と液晶
パネルの間に設置するプリズムシート等の光学補償フィ
ルム類の固定構造を改良して上記従来技術の欠点を解消
することにある。

【００１８】すなわち、本発明は、下記の（１）〜
（４）の構成としたことを特徴とする。 （１）第１基板と第２基板を所定の間隙で対向させ、表
示領域外周をシール材で接着すると共に、前記間隙に液
晶層を封入してなる液晶パネルと、導光板の辺縁に沿っ
て設置した線状ランプを持ち、前記液晶パネルの背面に
設置して当該液晶パネルを裏面から照明するバックライ
トと、このバックライトと前記液晶パネルの間に介挿し
た光学補償フィルムとを少なくとも有し、前記バックラ
イトと前記光学補償フィルムの各４辺の端面を覆うフラ
ンジで形成される窓を前記液晶パネル側に有し、前記窓
と反対側を開放したモールド部材で保持した液晶表示装
置の前記モールド部材のフランジに、前記液晶パネルと
直角な方向の第１の段差と、前記第１の段差より後退し
た位置に形成した第２の段差とを形成し、前記導光板を
前記モールド部材の第２の段差内で前記液晶パネル方向
に押圧固定し、前記光学補償フィルムを前記第１の段差
内で前記導光板に対して自由に保持した。

【００１９】（２）（１）における前記第１の段差内に
保持した前記光学補償フィルムの１辺に粘着テープ、ま
たはスペーサを介在させて固定した。

【００２０】（３）第１基板と第２基板を所定の間隙で
対向させ、表示領域外周をシール材で接着すると共に、
前記間隙に液晶層を封入してなる液晶パネルと、導光板
の辺縁に沿って設置した線状ランプを持ち、前記液晶パ
ネルの背面に設置して当該液晶パネルを裏面から照明す
るバックライトと、このバックライトと前記液晶パネル
の間に介挿した光学補償フィルムとを少なくとも有し、
前記バックライトと前記光学補償フィルムの各４辺の端
面を覆うフランジで形成される窓を前記液晶パネル側に
有し、前記窓と反対側を開放したモールド部材で保持し
た液晶表示装置の前記モールド部材のフランジに、前記
液晶パネルと直角な方向の第１の段差と、前記第１の段
差より後退した位置に形成した第２の段差とを形成し、
前記導光板を前記モールド部材の第２の段差内で前記液
晶パネル方向に押圧固定し、前記光学補償フィルムを前
記第１の段差内の１辺で前記導光板との押圧で固定し、
他の辺を自由に保持した。

【００２１】（４）（２）または（３）における前記光
学補償フィルムを固定する１辺が、液晶表示装置の縦置
き状態では上辺となる辺とした。

【００２２】上記の各構成としたことで、プリズムシー
ト等の光学補償フィルムは導光板とモールドケースとか
らフリーに保持されるため、組立て後のエージング処理
で熱を加えたときに偏った力がかからず、表示不良を招
くことがない。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につ
き、図示した実施例を参照して詳細に説明する。

【００２４】図１は本発明による液晶表示装置の第１実
施例を模式的に示した説明図で、（ａ）は全体断面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ部分を拡大して示す要部断面図であ
り、図２８と同一符号は同一部分に対応する。なお、図
中の矢印「→ＵＰ」は液晶表示装置の縦置き状態での上
辺方向を示す。

【００２５】この実施例では、導光板７を保持するモー
ルドケース５に導光板７を保持する第１の段差５ａと、
この第１の段差５ａよりも液晶パネル２方向に落ち込ん
だ第２の段差５ｂを形成してある。

【００２６】そして、上記第２の段差５ｂは、その４辺
において同一深さ（液晶パネル方向の深さ）とされ、こ
の液晶パネル方向の深さ（導光板の面と直交する方向の
深さ）は光学補償フィルムとしてのプリズムシート６の
厚みより大であり、図中Ａ、Ｂに示したように、導光板
７が上記プリズムシート６を図の下方から押圧できない
ように形成されている。一方、導光板７は第１の段差５
ａに下フレーム９の押し付けで固定される。

【００２７】すなわち、この実施例では、導光板７を下
フレーム９の押し付けで固定しても、光学補償フィルム
としてのプリズムシート６は導光板７で押し付けられる
ことがなく、その４辺は第２の段差５ｂ内でフリーに保
持される。

【００２８】したがって、組立て後のエージング処理で
熱を加えたときに、このプリズムシート等の光学補償フ
ィルムに偏った力がかかって歪みを起こすことがなく、
表示不良を招くことがない。

【００２９】また、この実施例の構造において、矢印
「→ＵＰ」で示した上辺に位置する第２の段差５ｂで粘
着テープ、両面粘着テープ、シリコンゴムその他のスペ
ーサを用いてプリズムシート等の光学補償フィルムを固
定してもよい。言うまでもなく、このような固定を施し
てもプリズムシート等の光学補償フィルムを導光板７が
押圧しないように上記第２の段差５ｂの深さを設定す
る。このとき、第２の段差の上記上辺のみの深さを若干
大として上記粘着テープ等の収容スペースを確保する構
造とすることもできる。

【００３０】図２は本発明による液晶表示装置の第２実
施例を模式的に示した説明図で、（ａ）は全体断面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ部分を拡大して示す要部断面図であ
り、図２８と同一符号は同一部分に対応する。なお、図
中の矢印「→ＵＰ」は図１と同様に液晶表示装置の縦置
き状態での上辺方向を示す。

【００３１】この実施例では、導光板７を保持するモー
ルドケース５に導光板７を保持する第１の段差５ａと、
この第１の段差５ａよりも液晶パネル２方向に落ち込ん
だ第２の段差５ｂを形成すると共に、液晶表示装置の縦
置き状態での上辺の第２の段差を浅くし、プリズムシー
ト等の光学補償フィルム６の上辺のみを導光板７で押圧
固定したものである。

【００３２】そして、上記第２の段差５ｂは、残りの３
辺において同一深さ（液晶パネル方向の深さ）とされ、
この液晶パネル方向の深さ（導光板の面と直交する方向
の深さ）は光学補償フィルムとしてのプリズムシート６
の厚みより大であり、図中Ｂに示したように、導光板７
が上記プリズムシート６を図の下方から押圧できないよ
うに形成されている。導光板７は第１の段部５ａに下フ
レーム９の押し付けで固定される。

【００３３】すなわち、この実施例では、導光板７を下
フレーム９の押し付けで固定しても、光学補償フィルム
としてのプリズムシート６は、その上辺のみを導光板７
で押し付けて固定され、他の３辺は第２の段差５ｂ内で
フリーに保持される。

【００３４】したがって、組立て後のエージング処理で
熱を加えたときに、このプリズムシート等の光学補償フ
ィルムに偏った力がかかって歪みを起こすことがなく、
表示不良を招くことがない。また、光学補償フィルムと
してのプリズムシート６が所定の位置に保持されるとい
う効果も有する。

【００３５】この実施例の構造においても、矢印「→Ｕ
Ｐ」で示した上辺に位置する第２の段差５ｂで粘着テー
プ、両面粘着テープ、シリコンゴムその他のスペーサを
用いてプリズムシート等の光学補償フィルムを固定して
もよい。このとき、第２の段差の上記上辺のみの深さを
若干大として上記粘着テープ等の収容スペースを確保す
る構造とすることもできる。

【００３６】図３は本発明による液晶表示装置の全体構
成を説明する展開斜視図であって、１は上フレーム、２
は液晶パネル、３ａは共通電極／電源基板、３ｂはセグ
メント基板、４ａは共通電極／電源基板と液晶パネルを
連結するテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）、４ｂは
セグメント基板と液晶パネルを連結するＴＣＰ、５はモ
ールドフレーム（中間フレームとも言う）、６は光学補
償フィルム類であるプリズムシート、７は導光板、８は
線状ランプ、８ａはゴムブッシュ、８ｂはケーブルコネ
クタ、９は下フレーム、１０は偏光板、１４は固定爪、
１５は爪受け部である。

【００３７】液晶パネル２とプリズムシート６、および
導光板７は、モールドフレーム５で積層されて上フレー
ム１と下フレーム９の間に保持される。このとき、導光
板７はモールドフレーム５と下フレーム９とで周辺が固
定される。一方、プリズムシート６は前記第１実施例ま
たは第２実施例で説明した構造で保持される。

【００３８】そして、上フレーム１の周縁に形成する固
定爪１４を下フレーム９の爪受け部１５の（背面）上に
折り曲げてカシメ固定する。

【００３９】図４は本発明による液晶表示装置の裏面の
構成を示す斜視図であって、図３と同様に、１は上フレ
ーム、５はモールドケース、８ｂはバックライトを構成
する線状ランプへの給電ケーブル、９は下フレーム、１
１は上フレームに形成した固定爪、１２は下フレームの
爪受け部である。

【００４０】固定爪１１は上フレーム１の周縁の複数部
分にプレス加工等で形成され、この固定爪１１を下フレ
ーム９の周面の爪受け部１２の面上に屈曲カシメするこ
とで上フレーム１と下フレーム９とが固定される。

【００４１】なお、この液晶表示装置では、液晶パネル
の上辺に１本の線状ランプを使用し、この線状ランプか
ら遠ざかるに従って薄くなる断面がくさび形の導光板を
用いている。そのため、下フレーム９の底面には線状ラ
ンプ側で浅いｄ₁ で落ち込み、線状ランプ設置側辺の対
向辺側では深いｄ₂ の落ち込みを有する凹部が形成され
ている。この凹部は導光板を背面から押さえる機能を持
つ。

【００４２】以下、本発明を適用したアクティブ・マト
リクス方式のカラー液晶表示装置の詳細について説明す
る。

【００４３】図５は本発明を適用したアクティブ・マト
リクス方式液晶表示装置の一画素とその周辺の構成を説
明する平面図、図６は図５の３−３線に沿って切断した
断面図、図７は図５の４−４線に沿って切断した断面
図、図８は図５に示した画素を複数配置した状態を示す
平面図である。

【００４４】図５に示したように、各画素は隣接する２
本の走査信号線（ゲート信号線または水平信号線）ＧＬ
と、隣接する２本の映像信号線（ドレイン信号線または
垂直信号線）ＤＬとの交差領域内（４本の信号線で囲ま
れた領域内）に配置されている。

【００４５】各画素は薄膜トランジスタＴＦＴ、透明画
素電極ＩＴＯ１および保持容量素子Ｃａｄｄを含む。走
査信号線ＧＬは列方向に延在し、行方向に複数本配置さ
れている。映像信号線ＤＬは行方向に延在し、列方向に
複数本八されている。

【００４６】図６に示したように、液晶ＬＣを基準の下
部透明ガラス基板ＳＵＢ１側には薄膜トランジスタＴＦ
Ｔおよび透明画素電極ＩＴＯ１が形成され、上部透明ガ
ラス基板ＳＵＢ２側にはカラーフィルタＦＩＬ、遮光用
ブラックマトリクスのパターンＢＭが形成されている。
上下の部透明ガラス基板ＳＵＢ２，１は例えば１．１ｍ
ｍ程度の厚さを有し、それらの各両面にはディップ処理
等によって酸化シリコン膜ＳＩＯが形成されている。こ
のため、透明ガラス基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の表面に細
かい傷があっても、この酸化シリコン膜ＳＩＯの被覆で
平坦化され、その上に形成される走査信号線ＧＬ、遮光
膜（ブラックマトリクス）ＢＭ等の膜質を均質に保つこ
とができる。

【００４７】上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の内側（液晶
ＬＣ側）の表面には、遮光膜ＢＭ、カラーフィルタＦＩ
Ｌ、および上部配向膜ＯＲＩ２が順次積層して設けられ
ている。

【００４８】《マトリクス周辺の概要》図９は上下の透
明ガラス基板ＳＵＢ２，ＳＵＢ１を含む液晶パネルＰＮ
ＬのマトリクスＡＲ周辺の要部平面図、図１０は図９に
示したマトリクスＡＲの周辺部を更に誇張して示した平
面図、図１１は図９および図１０の液晶パネルの左上角
部に対応するシール部ＳＬ付近の拡大平面図である。ま
た、図１２は図６の断面を中央にして左側に図１１の線
１９ａ−１９ａに沿った断面図を、右側に映像信号線駆
動回路が接続されるべき外部接続端子ＤＴＭ付近の断面
図、図１３は左側に走査回路が接続されるべき外部接続
端子ＧＴＭ付近の断面図を、右側に外部接続端子が無い
ところのシール部付近の断面図である。

【００４９】この液晶パネルの製造では、小さいサイズ
であればスループット向上のため１枚のガラス基板で複
数個分を同時に加工してから分離し、大きいサイズであ
れば製造設備の共用のため、どの品種でも標準化された
大きさのガラス基板を加工してら各品種に合ったサイズ
に小さくし、いずれの場合も一通りの工程を経てからガ
ラス基板を切断する。

【００５０】図９〜図１１は後者の例を示すもので、図
９と図１０の両図とも、上下のガラス基板ＳＵＢ２，Ｓ
ＵＢ１の切断後を、図１１は切断前を示しており、ＬＮ
はガラス基板の切断線の縁を、ＣＴ１とＣＴ２はそれぞ
れガラス基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の切断すべき位置を示
す。

【００５１】いずれの場合も、完成状態では外部接続端
子群Ｔｇ、Ｔｄ（添字略）が存在する部分（図では上下
辺と左辺）は、それらを露出するように上側ガラス基板
ＳＵＢ２の大きさが下側ガラス基板ＳＵＢ１よりも内側
に制限されている。

【００５２】外部接続端子群Ｔｇ、Ｔｄはそれぞれ後述
する走査回路接続用端子ＧＴＭ、映像信号回路接続用端
子ＤＴＭとそれらの引出配線部を集積回路チップＣＨＩ
が搭載されたテープキャリアパッケージＴＣＰ（図１
４、図１５参照）の単位に複数本まとめて名付けたもの
である。各群のマトリクス部から外部接続端子部に至る
までの引出配線は、両端に近づくにつれて傾斜してい
る。これは、テープキャリアパッケージＴＣＰの配列ピ
ッチ及び各テープキャリアパッケージＴＣＰにおける接
続端子ピッチに液晶パネルＰＮＬの端子ＤＴＭ、ＧＴＭ
を合わせるためである。

【００５３】透明ガラス基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の間に
は、その縁に沿って液晶封入口ＩＮＪを除き、液晶ＬＣ
を封止するようにシールパターンＳＬ（以下、シール材
とも言う）が形成されている。このシールパターンの材
料は、例えばエポキシ樹脂からなる。上部透明ガラス基
板ＳＵＢ２側の共通透明画素電極ＩＴＯ２は、少なくと
も一箇所において、ここでは液晶パネルの四隅で銀ペー
スト材ＡＧＰによって下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側に
形成された引出配線ＩＮＴに接続されている。この引出
配線ＩＮＴは後述するゲート端子ＧＴＭ、ドレン端子Ｄ
ＴＭと同一製造工程で形成される。

【００５４】配向膜ＯＲＩ１，ＯＲＩ２、透明画素電極
ＩＴＯ１、共通透明画素電極ＩＴＯ２、それぞれの層
は、シールパターンＳＬの内側に形成される。偏光板Ｐ
ＯＬ１，ＰＯＬ２はそれぞれ下部透明ガラス基板ＳＵＢ
１、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の外側の表面に形成さ
れている。

【００５５】液晶ＬＣは液晶分子の向きを設定する下部
配向膜ＯＲＩ１と上部配向膜ＯＲＩ２との間でシールパ
ターンＳＬで仕切られた領域に封入されている。下部配
向膜ＯＲＩ１は下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側の保護膜
ＰＳＶ１の上部に形成されている。

【００５６】この液晶表示装置は、下部透明ガラス基板
ＳＵＢ１側、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側で別個に種
々の層を積み重ね、シールパターンＳＬを上部透明ガラ
ス基板ＳＵＢ２側に形成し、下部透明ガラス基板ＳＵＢ
１と上部透明ガラス基板ＳＵＢ２とを重ね合わせ、シー
ル材ＳＬの開口部ＩＮＪ（注入口）から液晶を注入し、
注入口ＩＮＪをエポキシ樹脂などで封止し、上下の透明
ガラス基板を切断することによって組立られる。

【００５７】《薄膜トランジスタＴＦＴ》薄膜トランジ
スタＴＦＴは、ゲート電極ＧＴに正のバイアスを印加す
ると、ソース−ドレイン間のチャネル抵抗が小さくな
り、バイアスを零にするとチャネル抵抗は大きくなるよ
うに動作する。

【００５８】各画素の薄膜トランジスタＴＦＴは、画素
内において２つ（複数）に分割され、薄膜トランジスタ
（分割薄膜トランジスタ）ＴＦＴ１およびＴＦＴ２で構
成されている。薄膜トランジスタＴＦＴ１およびＴＦＴ
２のそれぞれは、実質的に同一サイズ（チャネル長、チ
ャネル幅が同じ）で構成されている。この分割された薄
膜トランジスタＴＦＴ１およびＴＦＴ２のそれぞれは、
ゲート電極ＧＴ、ゲート絶縁膜ＧＩ、ｉ型（真性、ｉｎ
ｔｒｉｎｓｉｃ、導電型決定不純物がドープされていな
い）非晶質シリコン（Ｓｉ）からなるｉ型半導体層Ａ
Ｓ、一対のソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２を有
する。なお、ソース、ドレインは本来その間のバイアス
極性によって決まるもので、この液晶表示装置の回路で
は、その極性は動作中反転するので、ソース、ドレイン
は動作中入れ替わると理解されたい。しかし、以下の説
明では、便宜上、一方をソース、他方をドレインと固定
して表現する。

【００５９】《ゲート電極ＧＴ》ゲート電極ＧＴは図１
７（図６の第２導電膜ｇ２およびｉ型半導体層ＡＳのみ
を描いた平面図）に示すように、走査信号線ＧＬから垂
直方向（図５および図１６において上方向）に突出する
形状で構成されている（Ｔ字形状に分岐されている）。

【００６０】ゲート電極ＧＴは薄膜トランジスタＴＦＴ
１，ＴＦＴ２のそれぞれの能動領域を越えるように突出
している。薄膜トランジスタＴＦＴ１，ＴＦＴ２のそれ
ぞれのゲート電極ＧＴは連続して形成されている。ここ
では、ゲート電極ＧＴは、単層の第２導電膜ｇ２で形成
されている。第２導電膜ｇ２は、例えばスパッタで形成
されたアルミニウム（Ａｌ）膜を用い、１０００〜５５
００Å程度の膜厚で形成する。また、ゲート電極ＧＴの
上にはアルミニウムの陽極酸化膜ＡＯＦが設けられてい
る。

【００６１】このゲート電極ＧＴは、図５、図６および
図１６に示したように、ｉ型半導体層ＡＳを完全に覆う
ように（下方から見て）それより大きめに形成される。
したがって、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１の下方に蛍光
管等のバックライトＢＬを取り付けた場合、この不透明
なアルミニウム膜からなるゲート電極ＧＴが影となって
ｉ型半導体層ＡＳにはバックライトからの光が当たら
ず、光照射による導電現象すなわち薄膜トランジスタＴ
ＦＴのオフ特性劣化は起き難くなる。なお、ゲート電極
ＧＴの本来の大きさは、ソース電極ＳＤ１とドレイン電
極ＳＤ２との間に跨がるのに最低限必要な（ゲート電極
ＧＴとソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２との位置
合わせ余裕分も含めて）幅を持ち、チャネル幅Ｗを決め
るその奥行き長さはソース電極ＳＤ１とドレイン電極Ｓ
Ｄ２との間の距離（チャネル長）Ｌとの比、すなわち相
互コンダクタンスｇｍを決定するファクタＷ／Ｌをいく
つにするかによって決められる。この液晶表示装置にお
けるゲート電極ＧＴの大きさは、もちろん、上述した本
来の大きさよりも大きくされる。

【００６２】《走査信号線ＧＬ》走査信号線ＧＬは第２
導電膜ｇ２で構成されている。この走査信号線ＧＬの第
２導電膜ｇ２はゲート電極ＧＴの第２導電膜ｇ２と同一
製造工程で形成され、かつ一体に形成されている。ま
た、走査信号線ＧＬ上にもアルミニウムＡｌの陽極酸化
膜ＡＯＦが設けられている。

【００６３】《絶縁膜ＧＩ》絶縁膜ＧＩは薄膜トランジ
スタＴＦＴ１，ＴＦＴ２のそれぞれのゲート絶縁膜とし
て使用される。絶縁膜ＧＩはゲート電極ＧＴおよび走査
信号線ＧＬの上層に形成されている。絶縁膜ＧＩは、例
えばプラズマＣＶＤで形成された窒化シリコン膜を用
い、１２００〜２７００Åの膜厚（この液晶表示装置で
は、２０００Å程度の膜厚）で形成する。ゲート絶縁膜
ＧＩは図１１に示したように、マトリクス部ＡＲの全体
を囲むように形成され、周辺部は外部接続端子ＤＴＭ，
ＧＴＭを露出するように除去されている。

【００６４】《ｉ型半導体層ＡＳ》ｉ型半導体層ＡＳ
は、図１６に示したように、複数に分割された薄膜トラ
ンジスタＴＦＴ１，ＴＦＴ２のそれぞれのチャネル形成
領域として使用される。ｉ型半導体層ＡＳは非晶質シリ
コン膜または多結晶シリコン膜で形成し、２００〜２２
０Åの膜厚（この液晶表示装置では、２００Å程度の膜
厚）で形成する。

【００６５】このｉ型半導体層ＡＳは、供給ガスの成分
を変えてＳｉ₂ Ｎ₄ からなるゲート絶縁膜として使用さ
れる絶縁膜ＧＩの形成に連続して、同じプラズマＣＶＤ
装置で、しかもそのプラズマＣＶＤ装置から外部に露出
することなく形成される。

【００６６】また、オーミックコンタクト用のリン
（Ｐ）を２．５％ドープしたＮ（＋）型半導体層ｄ０
（図６）も同様に連続して２００〜５００Åの膜厚（こ
の液晶表示装置では、３００Å程度の膜厚）で形成す
る。しかる後、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１はＣＶＤ装
置から外部に取り出され、写真処理技術によりＮ（＋）
型半導体層ｄ０およびｉ型半導体層ＡＳは図５、図６お
よび図１６に示したように独立した島状にパターニング
される。

【００６７】ｉ型半導体層ＡＳは、図５および図１６に
示したように、走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬとの交
差部（クロスオーバ部）の両者間にも設けられている。
この交差部のｉ型半導体層ＡＳは交差部における走査信
号線ＧＬと映像信号線ＤＬとの短絡を低減する。

【００６８】《透明画素電極ＩＴＯ１》透明画素電極Ｉ
ＴＯ１は液晶パネルの画素電極の一方を構成する。透明
画素電極ＩＴＯ１は薄膜トランジスタＴＦＴ２のソース
電極ＳＤ１および薄膜トランジスタＴＦＴ２のソース電
極ＳＤ１の両方に接続されている。このため、薄膜トラ
ンジスタＴＦＴ１，ＴＦＴ２のうちの１つに欠陥が発生
しても、その欠陥が副作用をもたらす場合はレーザ光等
によって適切な箇所を切断し、そうでない場合は他方の
薄膜トランジスタが正常に動作しているので放置すれば
よい。なお、２つの薄膜トランジスタＴＦＴ１，ＴＦＴ
２に同時に欠陥が発生することは稀であり、このような
冗長方式により点欠陥や線欠陥の発生確率を極めて小さ
くすることができる。

【００６９】透明画素電極ＩＴＯ１は第１導電膜ｄ１に
よって構成されている。この第１導電膜ｄ１はスパッタ
リングで形成された透明導電膜（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ
−Ｏｘｉｄｅ ＩＴＯ：ネサ膜）からなり、１０００〜
２０００Åの膜厚（（この液晶表示装置では、１４００
Å程度の膜厚）で形成される。

【００７０】《ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ
２》複数に分割された薄膜トランジスタＴＦＴ１，ＴＦ
Ｔ２のそれぞれのソース電極ＳＤ１とドレイン電極ＳＤ
２とは、図５、図６および図１７（図５の第１〜第３導
電膜ｄ１〜ｄ３のみを描いた平面図）に示したように、
ｉ型半導体層ＡＳ上にそれぞれ離隔して設けられてい
る。

【００７１】ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２の
それぞれは、Ｎ（＋）型半導体層ｄ０に接触する下層側
から、第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３を順次重ね合わ
せて構成されている。ソース電極ＳＤ１の第２導電膜ｄ
２および第３導電膜ｄ３は、ドレイン電極ＳＤ２の第２
導電膜ｄ２および第３導電膜ｄ３と同一製造工程でけい
せいされる。

【００７２】第２導電膜ｄ２はスパッタで形成したクロ
ム（Ｃｒ）膜を用い、５００〜１０００Åの膜厚（この
液晶表示装置では、６００Å程度の膜厚）で形成され
る。Ｃｒ膜は後述する第３導電膜ｄ３のアルミニウムＡ
ｌがＮ（＋）型半導体層ｄ０に拡散することを防止する
所謂バリア層を構成する。第２導電膜ｄ２として、Ｃｒ
膜の他に、高融点金属（Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ等）の
膜、高融点金属シリサイド（ＭｏＳｉ₂ 、ＴｉＳｉ₂ 、
ＴａＳｉ₂ 、ＷＳｉ₂ 等）の膜を用いることもできる。

【００７３】第３導電膜ｄ３はアルミニウムＡｌのスパ
ッタリングで３０００〜５０００Åの膜厚（この液晶表
示装置では、４０００Å程度の膜厚）で形成される。ア
ルミニウムＡｌ膜はクロムＣｒ膜に比べてストレスが小
さく、厚い膜厚に形成することが可能で、ソース電極Ｓ
Ｄ１、ドレイン電極ＳＤ２および映像信号線ＤＬの抵抗
値を低減するように構成されている。第３導電膜ｄ３と
して順アルミニウムの他に、シリコンや銅（Ｃｕ）を添
加物として含有させたアルミニウム膜を用いることもで
きる。

【００７４】第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３を同じマ
スクパターンでパターニングした後、同じマスクを用い
て、あるいは第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３をマスク
として、Ｎ（＋）型半導体層ｄ０が除去される。つま
り、ｉ型半導体層ＡＳ上に残っていたＮ（＋）型半導体
層ｄ０は第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３以外の部分が
セルファラインで除去される。このとき、Ｎ（＋）型半
導体層ｄ０はその厚さ分は全て除去されるようにエッチ
ングされるので、ｉ型半導体層ＡＳも若干その表面部分
がエッチングされるが、そのエッチング程度はエッチン
グの処理時間で制御すればよい。

【００７５】ソース電極ＳＤ１は透明画素電極ＩＴＯ１
に接続されている。ソース電極ＳＤ１は、ｉ型半導体層
ＡＳの段差（第２導電膜ｄ２の膜厚、陽極酸化膜ＡＯＦ
の膜厚、ｉ型半導体層ＡＳの膜厚およびＮ（＋）型半導
体層ｄ０の膜厚を加算した膜厚に相当する段差）に沿っ
て構成されている。具体的には、ソース電極ＳＤ１はｉ
型半導体層ＡＳの段差に沿って形成された第２導電膜ｄ
２と、この第２導電膜ｄ２の上部に形成した第３導電膜
ｄ３とで構成されている。ソース電極ＳＤ１の第３導電
膜ｄ３は第２導電膜ｄ２のＣｒ膜がストレスの増大から
厚くできず、ｉ型半導体層ＡＳの段差を乗り越えられな
いので、このｉ型半導体層ＡＳを乗り越えるために構成
されている。つまり、第３導電膜ｄ３は厚くするとこと
でステップカバレッジを向上している。第３導電膜ｄ３
は厚く形成できるので、ソース電極ＳＤ１の抵抗値（ド
レイン電極ＳＤ２や映像信号線ＤＬについても同様）の
低減に大きく寄与している。

【００７６】《保護膜ＰＳＶ１》薄膜トランジスタＴＦ
Ｔおよび透明画素電極ＩＴＯ１上には保護膜ＰＳＶ１が
設けられている。保護膜ＰＳＶ１は主に薄膜トランジス
タＴＦＴを湿気から保護するために形成されており、透
明性が高く、しかも耐湿性の良いものを使用する。保護
膜ＰＳＶ１は、例えばプラズマＣＶＤ装置で形成した酸
化シリコン膜や窒化シリコン膜で形成されており、１μ
ｍ程度の膜厚で形成される。

【００７７】保護膜ＰＳＶ１は、図１１に示したよう
に、マトリクス部ＡＲの全体を囲むように形成され、周
辺部は外部接続端子ＤＴＭ，ＧＴＭを露出するように除
去され、また上側透明ガラス基板ＳＵＢ２の共通電極Ｃ
ＯＭを下側透明ガラス基板ＳＵＢ１の外部接続端子接続
用引出配線ＩＮＴに銀ペーストＡＧＰで接続する部分も
除去されている。保護膜ＰＳＶ１とゲート絶縁膜ＧＩの
厚さ関係に関しては、前者は保護効果を考えて厚くさ
れ、後者はトランジスタの相互コンダクタンスｇｍを考
慮して薄くされる。従って、図１１に示したように、保
護効果の高い保護膜ＰＳＶ１は周辺部もできるだけ広い
範囲にわたって保護するようゲート絶縁膜ＧＩより大き
く形成されている。

【００７８】《遮光膜ＢＭ》上部透明ガラス基板ＳＵＢ
２側には、外部光（図６では上方からの光）がチャネル
形成領域として使用されるｉ型半導体層ＡＳに入射しな
いように遮光膜ＢＭが設けられている。遮光膜ＢＭは図
１８にハッチングで示したようなパターンとされてい
る。なお、図１８は図５におけるＩＴＯ膜からなる第１
導電膜ｄ１、カラーフィルタＦＩＬおよび遮光膜ＢＭの
みを描いた平面図である。

【００７９】遮光膜ＢＭは光に対する遮光性が高い膜、
例えばアルミニウム膜やクロム膜等で形成される。この
液晶表示装置では、クロム膜がスパッタリングで１３０
０Å程度の膜厚に形成される。

【００８０】したがって、薄膜トランジスタＴＦＴ１，
ＴＦＴ２のｉ型半導体層ＡＳは上下にある遮光膜ＢＭお
よび大きめのゲート電極ＧＴによってサンドイッチにさ
れ、その部分は外部の自然光やバックライト光が当たら
なくなる。遮光膜ＢＭは図１８にハッチングで示したよ
うに、画素の周囲に形成され、つまり遮光膜ＢＭは格子
状に形成され（所謂、ブラックマトリクス）、この格子
で一画素の有効表示領域が仕切られている。この遮光膜
ＢＭにより、各画素の輪郭がハッキリとし、コントラス
トが向上する。つまり、遮光膜ＢＭはｉ型半導体層ＡＳ
に対する遮光とブラックマトリクスとの２つの機能をも
つ。

【００８１】また、透明画素電極ＩＴＯ１のラビング方
向の根本側のエッジ部に対向する部分（図５の右下部
分）が遮光膜ＢＭによって遮光されているから、上記部
分にドメインが発生したとしても、ドメインが見えない
ので、表示特性が劣化することはない。

【００８２】なお、バックライトを上部透明ガラス基板
ＳＵＢ２側に取り付け、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１を
観察側（外部露出側）とすることもできる。

【００８３】遮光膜ＢＭは周辺部にも図１１に示したよ
うに額縁状のパターンに形成され、そのパターンはドッ
ト状に複数の開口を設けた図１８に示したマトリクス部
のパターンと連続して形成されている。周辺部の遮光膜
ＢＭは図１０〜図１３に示したように、シール部ＳＬの
外側に延長され、パソコン等の実装機器に起因する反射
光等の漏れ光がマトリクス部に入り込むのを防いでい
る。他方、この遮光膜ＢＭは上側透明ガラス基板ＳＵＢ
２の縁よりも約０．３〜１．０ｍｍ程内側に留められ、
上側透明ガラス基板ＳＵＢ２の切断領域を避けて形成さ
れている。

【００８４】《カラーフィルタＦＩＬ》カラーフィルタ
ＦＩＬはアクリル樹脂等の樹脂材料で形成される染色基
材に染料を着色して構成されている。カラーフィルタＦ
ＩＬは画素に対向する位置にストライプ状に形成され
（図１９）、染め分けられている（図１９は図８の第１
導電膜ｄ１、遮光膜ＢＭおよびカラーフィルタＦＩＬの
みを描いたもので、Ｒ，Ｇ，Ｂの各カラーフィルタＦＩ
Ｌはそれぞれ４５°、１３５°クロスのハッチングを施
してある。カラーフィルタＦＩＬは図１８、図１９に示
したように、透明画素電極ＩＴＯ１の全てを覆うように
大きめに形成され、遮光膜ＢＭはカラーフィルタＦＩＬ
および透明画素電極ＩＴＯ１のエッジ部分と重なるよう
透明画素電極ＩＴＯ１の周縁より内側に形成されてい
る。

【００８５】カラーフィルタＦＩＬは次のように形成す
ることもできる。先ず、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の
表面に染色基材を形成し、フォトリソグラフィ技術で赤
色フィルタ形成領域以外の染色基材を除去する。この
後、染色基材を赤色染料で染め、固着処理を施し、赤色
フィルタＲを形成する。次に、同様な工程を施すことに
よって、緑色フィルタＧ、青色フィルタＢを順次形成す
る。

【００８６】《保護膜ＰＳＶ２》保護膜ＰＳＶ２はカラ
ーフィルタＦＩＬを異なる色に染め分けた染料が液晶Ｌ
Ｃに漏れることを防止するために設けられている。保護
膜ＰＳＶ２は、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の
透明樹脂材料で形成されている。

【００８７】《共通透明画素電極ＩＴＯ２》共通透明画
素電極ＩＴＯ２は、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側に画
素毎に設けられた透明画素電極ＩＴＯ１に対向し、液晶
ＬＣの光学的な状態は各画素電極ＩＴＯ１と共通透明画
素電極ＩＴＯ２との間の電位差（電界）に応答して変化
する。この共通透明画素電極ＩＴＯ２にはコモン電圧Ｖ
ｃｏｍが印加されるように構成されている。このでは、
コモン電圧Ｖｃｏｍは映像信号線ＤＬに印加されるロー
レベルの駆動電圧Ｖｄｍｉｎとハイレベルの駆動電圧Ｖ
ｄｍａｘとの中間電位に設定されるが、映像信号駆動回
路で使用される集積回路の電源電圧を約半分に低減した
い場合は、交流電圧を印加すればよい。なお、共通透明
画素電極ＩＴＯ２の平面形状は図１０、図１１を参照さ
れたい。

【００８８】《ゲート端子部》図２０は液晶パターンの
表示マトリクス部の走査信号線ＧＬから外部接続端子Ｇ
ＴＭまでの接続構造の説明図であり、（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。な
お、この図は図１１の下方付近に対応し、斜め配線の部
分は便宜上一直線状で表した。

【００８９】ＡＯは写真処理用のマスクパターン、言い
換えれば選択的陽極酸化のホトレジストパターンであ
る。従って、このホトレジストは陽極酸化後に除去さ
れ、図に示したパターンＡＯは完成品としては残らない
が、ゲート配線ＧＬには（Ｂ）の断面図に示したように
酸化膜ＡＯＦが選択的に形成されるので、その軌跡が残
る。（Ａ）の平面図において、ホトレジストの境界線Ａ
Ｏを基準にして左側はレジストで覆って陽極酸化をしな
い領域、右側はレジストから露出されて陽極酸化される
領域である。陽極酸化されたアルミニウムＡｌ層ｇ２は
表面にその酸化物ＡＡｌ₂ Ｏ₃ 膜ＡＯＦが形成され、下
方の導電部は体積が減少する。勿論、陽極酸化はその導
電部が残るように適切な時間、電圧などを設定して行わ
れる。マスクパターンＡＯは走査信号線ＧＬに単一の直
線では交差せず、クランク状に折れ曲がって交差させて
いる。

【００９０】図中、アルミニウムＡｌ層ｇ２は、分かり
易くするためにハッチングを施してあるが、陽極酸化さ
れない領域は櫛状にパターニングされている。これは、
アルミニウムＡｌ層の幅が広いと、表面にホイスカが発
生するので、一本一本の幅は狭くし、それらを複数本並
列に束ねた構成とすることにより、ホイスカの発生を防
ぎつつ、断線の確率や導電率の犠牲を最低限に抑える狙
いである。従って、ここでは櫛の根本に相当する部分も
マスクＡＯに沿ってずらしている。

【００９１】ゲート端子ＧＴＭは酸化珪素ＳＩＯ層と接
着性が良く、アルミニウムＡｌよりも耐電蝕性の高いク
ロームＣｒ層ｇ１と、更にその表面を保護し画素電極Ｉ
ＴＯ１と同レベル（同層、同時形成）の透明導電層ｄ１
とで構成されている。なお、ゲート絶縁膜ＧＩ上および
その側面部に形成された導電層ｄ２およびｄ３は、導電
層ｄ２およびｄ３のエッチング時のピンホール等が原因
で導電層ｇ２やｇ１が一緒にエッチングされないように
その領域をホトレジストで覆っていた結果として残って
いるものである。又、ゲート絶縁膜ＧＩを乗り越えて右
方向に延長されたＩＴＯ層ｄ１は同様な対策を更に万全
とさせたものである。

【００９２】図２０の（Ａ）の平面図において、ゲート
絶縁膜ＧＩはその境界線よりも右側に、保護膜ＰＳＶ１
もその境界線よりも右側に形成されており、左側に位置
する端子部ＧＴＭはそれらから露出し外部回路との電気
的接触ができるようになっている。同図では、ゲート線
ＧＬとゲート端子の一つの対のみが示されているが、実
際はこのような対が図１２に示したように上下に複数本
並べられて端子群Ｔｇ（図１０、図１１）が構成され、
ゲート端子の左側は、製造過程では基板の切断領域ＣＴ
１を越えて延長され、配線ＳＨｇによって短絡される。
製造過程におけるこのような短絡線ＳＨｇは陽極化成時
（陽極酸化処理時）の給電と、配向膜ＯＲＩ１のラビン
グ時等に発生する静電破壊を防止する効果を持つ。

【００９３】《ドレイン端子ＤＴＭ》図２１は映像信号
線ＤＬからその外部接続端子ＤＴＭまでの接続の説明図
であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線
に沿った断面図を示す。なお、図２１は図１１の右上付
近に対応し、図面の向きは便宜上変えてあるが右端方向
が下側透明ガラス基板ＳＵＢ１の上端部（又は下端部）
に該当する。

【００９４】ＴＳＴｄは検査端子であり、ここには外部
回路は接続されないが、プローブ針等を接触できるよう
に配線部より幅が広げられている。同様に、ドレイン端
子ＤＴＭも外部回路との接続ができるように配線部より
幅が広げられている。検査端子ＴＳＴｄと外部接続端子
ＤＴＭは上下方向に千鳥状に複数交互に配列され、検査
端子ＴＳＴｄは図に示したとおり下側透明ガラス基板Ｓ
ＵＢ１の端部に到達することなく終端しているが、ドレ
イン端子ＤＴＭは図１１に示したように端子群Ｔｄ（添
字省略）を構成し、下側透明ガラス基板ＳＵＢ１の切断
線ＣＴ１を越えて更に延長され、製造過程中は静電気破
壊防止のためその全てが互いに配線ＳＨｄによって短絡
される。検査端子ＴＳＴｄが存在する映像信号線ＤＬの
マトリクスを挟んで反対側にドレイン接続端子が接続さ
れ、逆にドレイン端子ＤＴＭが存在する映像信号線ＤＬ
のマトリクスを挟んで反対側には検査端子が接続され
る。

【００９５】ドレイン端子ＤＴＭは前述したゲート端子
ＧＴＭと同様な理由でクロムＣｒ層ｇ１およびＩＴＯ層
ｄ１の２層で形成されており、ゲート絶縁膜ＧＩを除去
した部分で映像信号線ＤＬと接続されている。ゲート絶
縁膜ＧＩの端部上に形成された半導体層ＡＳはゲート絶
縁膜ＧＩの縁をテーパ状に映像信号エッチングするため
のものである。ドレイン端子ＤＴＭ上では外部回路との
接続を行うため保護膜ＰＳＶ１は勿論、取り除かれてい
る。ＡＯは前述した陽極酸化マスクであり、その境界線
から左側がマスクで覆われるが、この図で覆われない部
分には層ｇ２が存在しないので、このパターンは直接関
係しない。

【００９６】マトリクス部からドレイン端子ＤＴＭ部ま
での引出配線は図１２の（Ｃ）部にも示したように、ド
レイン端子ＤＴＭ部と同じレベルの層ｄ１，ｇ１のすぐ
上に映像信号線ＤＬと同じレベルの層ｄ２，ｄ３がシー
ルパターンＳＬの途中まで積層された構造になっている
が、これは断線の確率を最小限に抑え、電蝕し易いアル
ミニウムＡｌ層ｄ３を保護膜ＰＳＶ１やシールパターン
ＳＬで出来るだけ保護する狙いである。

【００９７】《保持容量素子Ｃａｄｄの構造》透明画素
電極ＩＴＯ１は、薄膜トランジスタＴＦＴと接続される
端部ト反対側の端部において、隣の走査信号線ＧＬと重
なるように形成されている。この重ね合わせは、図５、
図９からも明らかなように、透明画素電極ＩＴＯ１を一
方の電極ＰＬ２とし、隣りの走査信号線ＧＬを他方の電
極ＰＬ１とする保持容量素子（静電容量素子）Ｃａｄｄ
を構成する。この保持容量素子Ｃａｄｄの誘電体膜は薄
膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜として使用される
絶縁膜ＧＩおよび陽極酸化膜ＡＯＦで構成されている。

【００９８】保持容量素子Ｃａｄｄは、図１６からも明
らかなように、走査信号線ＧＬの第２導電膜ｇ２の幅を
広げた部分に形成されている。なお、映像信号線ＤＬと
交差する部分の第２導電膜ｇ２が映像信号線ＤＬとその
短絡の確率を小さくするために細くされている。

【００９９】保持容量素子Ｃａｄｄの電極ＰＬ１の段差
部において、透明画素電極ＩＴＯ１が断線しても、その
段差に跨がるように形成された第２導電膜ｄ２および第
３導電膜ｄ３で構成された島領域によってその不良は補
償される。

【０１００】《表示装置全体等価回路》図２２は表示マ
トリクス部の等価回路とその周辺回路の結線図である。
この図は回路図であるが、実際の幾何学的配置に対応し
て描かれている。ＡＲは複数の画素を二次元状に配列し
たマトリクスアレイである。

【０１０１】図中、Ｘは映像信号線ＤＬを意味し、添字
Ｇ，ＢおよびＲはそれぞれ緑、装置および赤画素に対応
して付加されている。Ｙは走査信号線ＧＬを意味し、添
字１，２，３，・・・，ｅｎｄは走査タイミングの順序
に従って付加されている。

【０１０２】映像信号線Ｘ（添字省略）は上側の映像信
号駆動回路Ｈｅに接続されている。すなわち、映像信号
線Ｘは、走査信号線Ｙと同様に、映像信号パネルＰＮＬ
の片側のみに端子が引き出されている。

【０１０３】走査信号線Ｙ（添字省略）は垂直走査回路
Ｖに接続されている。

【０１０４】ＳＵＰは１つの電圧源から複数に分圧して
安定化された電圧源を得るための電源回路やホスト（上
位演算処理装置）からのＣＲＴ（陰極線管）用の情報を
ＴＦＴ液晶表示装置用の情報に交換する回路を含む回路
である。

【０１０５】《保持容量素子Ｃａｄｄの等価回路とその
動作》図２３は図５に示した画素の等価回路図である。
図２３において、Ｃｇｓは薄膜トランジスタＴＦＴのゲ
ート電極ＧＴとソース電極ＳＤ１との間に形成される寄
生容量である。寄生容量素子Ｃｇｓの誘電体膜は絶縁膜
ＧＩおよび陽極酸化膜ＡＯＦである。Ｃｐｉｘは透明画
素電極ＩＴＯ１（ＰＩＸ）と共通透明画素電極ＩＴＯ２
（ＣＯＭ）との間に形成される液晶容量である。液晶容
量Ｃｐｉｘの誘電体膜は液晶ＬＣ、保護膜ＰＳＶ１およ
び配向膜ＯＲＩ１，ＯＲＩ２である。Ｖ１ｃは中点電位
である。

【０１０６】保持容量素子Ｃａｄｄの容量（保持容量Ｃ
ａｄｄ）は、薄膜トランジスタＴＦＴがスイッチングす
るとき、中点電位（画素電極電位）Ｖ１ｃに対するゲー
ト電位変化ΔＶｇの影響を低減するように働く。この様
子を式で表すと、次式のようになる。

【０１０７】ΔＶ１ｃ＝｛Ｃｇｓ／（Ｃｇｓ＋Ｃａｄｄ
＋Ｃｐｉｘ）｝×ΔＶｇ ここで、ΔＶ１ｃはΔＶｇによる中点電位の変化分を表
す。この変化分ΔＶ１ｃは液晶ＬＣに加わる直流成分の
原因となるが、保持容量Ｃａｄｄを大きくすればする
程、その値を小さくすることができる。また、保持容量
素子Ｃａｄｄは放電時間を長くする作用もあり、薄膜ト
ランジスタＴＦＴがオフした後の映像情報を長く蓄積す
る。液晶ＬＣに印加される直流成分の低減は、液晶ＬＣ
の寿命を向上し、液晶表示画面の切替え時に前の画像が
残る、所謂焼付きを低減することができる。

【０１０８】前述したように、ゲート電極ＧＴはｉ型半
導体層ＡＳを完全に覆うよう大きくされている分、ソー
ス電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２とのオーバーラップ
面積が増え、従って寄生容量Ｃｇｓが大きくなり、中点
電位Ｖ１ｃはゲート（走査）信号Ｖｇの影響を受け易く
なるという逆効果が生じる。しかし、保持容量素子Ｃａ
ｄｄを設けることにより、このデメリットも解消でき
る。

【０１０９】保持容量素子Ｃａｄｄの保持容量Ｃａｄｄ
は画素の書込み特性から、液晶容量Ｃｐｉｘに対して４
〜８倍（４・Ｃｐｉｘ＜Ｃａｄｄ＜８・Ｃｐｉｘ）、寄
生容量Ｃｇｓに対して８〜３２倍（８・Ｃｇｓ＜Ｃａｄ
ｄ＜３２・Ｃｇｓ）程度の値に設定する。

【０１１０】《保持容量素子Ｃａｄｄ電極線の結線方
法》保持容量電極線としてのみ使用される初段の走査信
号線ＧＬ（Ｙ₀ ）は、図２２に示したように、共通透明
画素電極ＩＴＯ２（Ｖｃｏｍ）と同じ電位にする。図１
１に示した例では、初段の走査信号線は端子ＧＴＯ、引
出線ＩＮＴ、端子ＤＴ０および外部配線を通じて共通電
極ＣＯＭに短絡される。或いは、初段の保持容量電極線
Ｙ₀ は最終段の走査信号線Ｙｅｎｄに接続、Ｖｃｏｍ以
外の直流電位点（交流接地点）に接続するか、または垂
直走査回路Ｖから１つ余分に走査パルスＹ₀ を受けるよ
うに接続してもよい。

【０１１１】《外部回路との接続構造》図１４に示した
ように、テープキャリアパッケージＴＣＰは、走査信号
駆動回路Ｖ、映像信号駆動回路Ｈｅ，Ｈｏを構成する集
積回路チップＣＨＩをフレキシブル配線基板（通称ＴＡ
Ｂ；Ｔａｐｅ，Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）
であり、図１５はこれを映像信号パネルＰＮＬの、ここ
では映像信号回路用端子ＤＴＭに接続した状態を示した
ものである。

【０１１２】ＴＢは集積回路ＣＨＩの入力端子・配線部
であり、ＴＭは集積回路ＣＨＩの出力端子・配線部で、
それぞれの内側の先端部（通称インナーリード）には集
積回路ＣＨＩのボンディングパッドＰＡＤが所謂フェー
スダウンボンディング法により接続されている。端子Ｔ
Ｂ、ＴＭの外側の先端部（通称アウターリード）はそれ
ぞれ半導体集積回路チップＣＨＩの入力及び出力に対応
し、半田付け等によりＣＲＴ／ＴＦＴ変換回路・電源回
路ＳＵＰに異方性導電膜ＡＣＦによって液晶パネルＰＮ
Ｌ側の接続端子ＤＴＭを露出した保護膜ＰＳＶ１を覆う
ように液晶パネルに接続されている。従って、外部接続
端子ＤＴＭ（ＧＴＭ）は保護膜ＰＳＶ１かテープキャリ
アパッケージＴＣＰの少なくとも一方で覆われるので、
電蝕に対して強くなる。

【０１１３】ＢＦ１はポリイミド等からなるベースフィ
ルムであり、ＳＲＳは半田付けの際、半田が余計なとこ
ろへ付かないようマスクするためのソルダレジスト膜で
ある。シールパターンＳＬの外側の上下ガラス基板の間
隙は洗浄後にエポキシ樹脂ＥＰＸ等により保護され、テ
ープキャリアパッケージＴＣＰと上側透明ガラス基板Ｓ
ＵＢ２の間には更にシリコーン樹脂ＳＩＬが充填されて
保護が多重化されている。

【０１１４】《製造方法》次に、上記した液晶表示装置
の下側透明ガラス基板ＳＵＢ１側の製造方法について図
２４〜図２６を参照して説明する。なお、各図におい
て、中央の文字は工程名の略称であり、左側は図６に示
した画素部分、右側は図２０に示したゲート端子付近の
断面形状で見た加工の流れを示す。また、工程Ｄを除
き、工程Ａ〜工程Ｉは各写真処理に対応して区分けした
もので、各工程のいずれの断面図も写真処理後の加工が
終わり、フォトレジストを除去した段階を示している。
なお、写真処理とは、フォトレジストの塗布からマスク
を使用した選択露光を経てそれを現像するまでの一連の
作業を示すものとし、繰り返しの説明は避ける。以下、
区分けした工程に従って説明する。

【０１１５】工程Ａ（図２４） ７０５９ガラス（商品名）からなる下側透明ガラス基板
ＳＵＢ１の両面に酸化シリコン膜ＳＩＯをディップ処理
により設けた後、５００°Ｃ、６０分間のベークを行
う。下側透明ガラス基板ＳＵＢ１の上に膜厚が１１００
ÅのクロムＣｒからなる第１導電膜ｇ１をスパッタリン
グにより設け、写真処理後、エッチング液として硝酸第
２セリウムアンモニウム溶液で第１導電膜ｇ１を選択的
にエッチングし、ゲート端子ＧＴＭ、ドレイン端子ＤＴ
Ｍ、ゲート端子ＧＴＭを接続する陽極酸化バスラインＳ
Ｈｇ、ドレイン端子ＤＴＭを短絡するバスラインＳＨ
ｄ、陽極酸化バスラインＳＨｇに接続された陽極酸化パ
ッド（図示せず）を形成する。 工程Ｂ（図２４） 膜厚が２８００ÅのＡｌ−Ｐｄ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓ
ｉ−Ｔａ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等からなる第２導電膜ｇ２
をスパッタリングにより設ける。写真処理後、リン酸と
硝酸および氷酢酸の混酸液で第２導電膜ｇ２をエッチン
グする。

【０１１６】工程Ｃ（図２４） 写真処理後（前述した陽極酸化マスクＡＯ形成後）、３
％酒石酸をアンモニアによりＰＨ６．２５±０．０５に
調整した溶液をエチレングリコール液で１：９に希釈し
た液からなる陽極酸化液中に下側透明ガラス基板ＳＵＢ
１を浸漬し、化成電流密度が０．５ｍＡ／ｃｍ² になる
ように調整（定電流化成）する。次に、所定のＡｌ₂ Ｏ
₃ 膜厚が得られるのに必要な化成電圧１２５Ｖに達する
まで陽極酸化を行う。その後、この状態で数１０分保持
するのが望ましい（定電圧化成）。これは、均一なＡｌ
₂ Ｏ₃ 膜を得る上で大事なことである。それによって、
導電膜ｇ２は陽極酸化され、走査信号線ＧＬ、ゲート電
極ＧＴおよび電極ＰＬ１上に膜厚が１８００Åの陽極酸
化膜ＡＯＦが形成される。

【０１１７】工程Ｄ（図２５） プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が２０００Åの窒化Ｓｉ膜を設
け、プラズマＣＶＤ装置にシランガス、水素ガスを導入
して、膜厚が２０００Åのｉ型非晶質Ｓｉ膜を設けたの
ち、プラズマＣＶＤ装置に水素ガス、ホスフィンガスを
導入して、膜厚が３００ÅのＮ（＋）型非晶質Ｓｉ膜を
形成する。

【０１１８】工程Ｅ（図２５） 写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ₆ 、ＣＣ
ｌ₄ を使用してＮ（＋）型非晶質Ｓｉ膜、ｉ型非晶質Ｓ
ｉ膜を選択的にエッチングすることにより、ｉ型半導体
層ＡＳの島を形成する。

【０１１９】工程Ｆ（図２５） 写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ₆ を使用
して窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチングする。

【０１２０】工程Ｇ（図２６） 膜厚が１４００ÅのＩＴＯ膜からなる第１導電膜ｄ１を
スパッタリングにより設ける。写真処理後、エッチング
液として塩酸と硝酸との混酸液で第１導電膜ｄ１を選択
的にエッチングすることにより、ゲート端子ＧＴＭ、ド
レイン端子ＤＴＭの最上層および透明画素電極ＩＴＯ１
を形成する。

【０１２１】工程Ｈ（図２６） 膜厚が６００ÅのクロムＣｒからなる第２導電膜ｄ２を
スパッタリングにより設け、さらに膜厚が４０００Åの
Ａｌ−Ｐｄ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓ
ｉ−Ｃｕ等からなる第３導電膜ｄ３をスパッタリングに
より設ける。写真処理後、第３導電膜ｄ３を工程Ｂと同
様な液でエッチングし、第２導電膜ｄ２を工程Ａと同様
な液でエッチングし、映像信号線ＤＬ、ソース電極ＳＤ
１、ドレイン電極ＳＤ２を形成する。次に、ドライエッ
チング装置にＣＣｌ₄ 、ＳＦ₆ を導入して、Ｎ（＋）型
非晶質Ｓｉ膜をエッチングすることにより、ソースとド
レイン間のＮ（＋）型半導体層ｄ０を選択的に除去す
る。

【０１２２】工程Ｉ（図２６） プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が１μｍの窒化Ｓｉ膜を設け
る。写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ₆ を
使用した写真蝕刻技術（フォトリソグラフィ技術）で窒
化Ｓｉ膜を選択的にエッチングすることによって、保護
膜ＰＳＶ１を形成する。

【０１２３】このようにして製造した下側透明ガラス基
板ＳＵＢ１の内側最表面に配向膜を形成し、別途の製造
工程で制作した上側透明ガラス基板ＳＵＢ２とを貼り合
わせ、貼り合わせギャップに液晶ＬＣを挟持し、シール
材で封止すると共に、両面に偏向板（ＰＯＬ１，２）を
貼付して液晶パネルＰＮＬを得る。

【０１２４】この液晶パネルＰＮＬを、図３で説明した
ように、バックライト、その他の光学フィルム等と共に
積層し、各種の駆動回路基板を組み込んで液晶表示装置
（液晶表示モジュール）に一体化する。

【０１２５】そして、上記偏向板（ＰＯＬ１，２）の偏
向軸と配向膜の配向方向を前記図１で説明した関係に設
定することにより、バックライトの光源からの熱に起因
する表示ムラが回避され、高品質の画像表示が可能とな
る。

【０１２６】図２７は液晶パネルと駆動回路基板とを接
続した状態を示す平面図である。ＣＨＩは液晶パネルＰ
ＮＬを駆動する集積回路（ＩＣ）チップ（下側の５個は
垂直走査回路側のＩＣ、左側の１０個は映像信号駆動回
路側のＩＣである。

【０１２７】ＴＣＰは図１４、図１５に示したように、
駆動回路のＩＣチップＣＨＩがテープオートメーティッ
ドボンディング（ＴＡＢ）法により実装されたテープキ
ャリアパッケージ（ＴＣＰ）、ＰＣＢ１は上記ＴＣＰや
コンデンサ等が実装された駆動回路基板で、映像信号駆
動回路用と走査信号駆動回路用の２つに分割されてい
る。

【０１２８】ＦＧＰはフレームグランドパッドであり、
シールドケースＳＨＤに切り込んで設けられたバネ状の
破片が半田付けされる。ＦＣは下側の駆動回路基板ＰＣ
Ｂ１と左側の駆動回路基板ＰＣＢ１を電気的に接続する
フラットケーブルである。

【０１２９】フラットケーブルＦＣとしては、図に示し
たように、複数のリード線（りん青銅の素材にＳｎ鍍金
を施したもの）をストライプ状のポリエチレン層とポリ
ビニルアルコール層とでサンドイッチして支持したもの
を使用する。

【０１３０】《ＴＣＰの接続構造》前記図１４は走査信
号駆動回路Ｖや映像信号駆動回路Ｈを構成する集積回路
チップＣＨＩがフレキシブル配線基板に搭載されたテー
プキャリアパッケージの断面図であり、図１５はそれを
液晶パネルの、ここでは走査信号回路用端子ＧＴＭに接
続した状態を示す要部断面図である。

【０１３１】ＴＴＢは集積回路チップＣＨＩの入力端子
・配線部であり、ＴＴＭは集積回路チップＣＨＩの出力
端子・配線部であって、例えばＣｕからなり、それぞれ
の内側の先端部（インナーリード）には集積回路チップ
ＣＨＩのボンディングパッドＰＡＤが所謂フェースダウ
ンボンディング法により接続されることは前記した通り
である。

【０１３２】また、端子ＴＴＢ、ＴＴＭの外側の先端部
（アウターリード）は、それぞれ半導体集積回路チップ
ＣＨＩの入力および出力に対応し、半田付け等によりＣ
ＲＴ／ＴＦＴ変換回路・電源回路ＳＵＰに異方性導電膜
ＡＣＦによって液晶パネルＰＮＬに接続されることも前
記したとおりである。

【０１３３】パッケージＴＣＰは、その先端部が液晶パ
ネルＰＮＬ側の接続端子ＧＴＭを露出した保護膜ＰＳＶ
１を覆うように液晶パネルＰＮＬに接続されている。従
って、外側接続端子ＧＴＭ（ＤＴＭ）は保護膜ＰＳＶ１
はパッケージＴＣＰの少なくとも一方で覆われるので電
蝕に対して強くなる。

【０１３４】前記したように、ＢＦ１はポリイミド等の
樹脂からなるベースフィルムであり、ＳＲＳは半田付け
の際に半田が余計なところに付着しないようにマスクす
るためのソルダレジスト膜である。シールパターンＳＬ
の外側の上下の透明ガラス基板の隙間は、洗浄後にエポ
キシ樹脂ＥＰＸ等で保護され、パッケージＴＣＰと上側
透明ガラス基板ＳＵＢ２の間には更にシリコン樹脂ＳＩ
Ｌが充填されて保護が多重化されている。

【０１３５】《駆動回路基板ＰＣＢ２》駆動回路基板Ｐ
ＣＢ２には、ＩＣ、コンデンサ、抵抗等の電子部品が搭
載されている。前記したように、この駆動回路基板ＰＣ
Ｂ２には１つの電圧源から分圧して安定化した複数の電
圧源を得るための電源回路や、ホストからのＣＲＴ用の
情報を液晶表示装置用の情報に変換する回路を含む回路
ＳＵＰが搭載されている。なお、ＣＪは外部と接続され
る図示しないコネクタのためのコネクタ接続部である。

【０１３６】駆動回路基板ＰＣＢ１と駆動回路基板ＰＣ
Ｂ２とはフラットケーブルＦＣ等のジョイナーＪＮによ
り電気的に接続される。

【０１３７】図２８は本発明による液晶表示装置を実装
した電子機器の一例であるノートパソコンの外観図であ
る。

【０１３８】このノートパソコンは、キーボード部と表
示部とをヒンジで接続してなり、キーボード部にはＣＰ
Ｕ等からなるホストコンピュータが搭載され、表示部に
は前記した本発明にかかる液晶表示装置が液晶表示モジ
ュール（ＭＤＬ）として実装されている。

【０１３９】この液晶表示モジュールを構成する液晶パ
ネルＰＮＬの周辺には駆動回路基板ＰＣＢ１，ＰＣＢ
２，ＰＣＢ３、バックライト用のインバータ電源ＩＶ等
が搭載されている。なお、ＣＴはホスト側と接続するコ
ネクタ、ＴＣＯＮはホスト側から入力する表示信号に基
づいて液晶パネルＰＮＬに画像を表示するための信号処
理、タイミング信号等を生成する制御回路である。

【０１４０】本発明による液晶表示装置は、図２８に示
したようなノート型等の可搬型パソコンに限らず、ディ
スクトップ型モニター等の据え置き型パソコン、その他
の機器の表示デバイスにも使用できることは言うまでも
ない。

【０１４１】なお、本発明は上記した縦電界方式のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置に限って適用されるも
のではなく、横電界方式のアクティブマトリクス型液晶
表示装置、あるいは単純マトリクス方式の液晶表示装置
にも同様に適用できる。

【０１４２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
プリズムシート等の光学補償フィルム類の固定構造に起
因する表示不良を無くして高画質かつ高信頼性の液晶表
示装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶表示装置の第１実施例を模式
的に示す説明図である。

【図２】本発明による液晶表示装置の第２実施例を模式
的に示す説明図である。

【図３】本発明による液晶表示装置の全体構成を説明す
る展開斜視図である。

【図４】本発明による液晶表示装置の裏面の構成を示す
斜視図である。

【図５】本発明による縦電界方式のアクティブ・マトリ
クス方式カラー液晶表示装置を構成する一画素とブラッ
クマトリクスＢＭの遮光領域およびその周辺を示す平面
図である。

【図６】図５の３−３切断線における一画素とその周辺
を示す断面図である。

【図７】図５の４ー４切断線における付加容量素子Ｃａ
ｄｄの断面図である。

【図８】図５の画素を複数配置した液晶表示部の要部平
面図である。

【図９】表示パネルのマトリクス周辺部の構成を説明す
るための平面図である。

【図１０】図９の周辺部をやや誇張し更に具体的に説明
するための平面図である。

【図１１】上下の透明ガラス基板の電気的接続部を含む
液晶パネルの角部の拡大平面図である。

【図１２】マトリクスの画素部を中央に、両側に液晶パ
ネルの角付近と映像信号端子付近を示す断面図である。

【図１３】左側に走査信号端子を、右側に外部接続端子
の無い液晶パネル縁部分を示す断面図である。

【図１４】駆動回路を構成する集積回路チップがフレキ
シブル配線基板に搭載されたテープキャリアパッケージ
の構造を示す断面図である。

【図１５】テープキャリアパッケージを液晶パネルの映
像信号回路用端子に接続した状態を示す要部断面図であ
る。

【図１６】図５に示した画素の導電層ｇ２とｉ型半導体
層ＡＳのみを描いた平面図である。

【図１７】図５に示した画素の導電層ｄ１、ｄ２、ｄ３
のみを描いた平面図である。

【図１８】図５に示した画素の画素電極層、遮光膜およ
びカラーフィルタ層のみを描いた平面図である。

【図１９】図８に示した画素配列の画素電極層、遮光膜
およびカラーフィルタ層のみを描いた要部平面図であ
る。

【図２０】ゲート端子とゲート配線の接続部近辺の説明
図である。

【図２１】ドレイン端子と映像信号線との接続部付近の
説明図である。

【図２２】アクティブ・マトリクス方式のカラー液晶表
示装置の液晶表示部を示す等価回路図である。

【図２３】図５に示した画素の等価回路図である。

【図２４】下側透明ガラス基板側の製造工程の説明図で
ある。

【図２５】下側透明ガラス基板側の製造工程の図２４に
続く説明図である。

【図２６】下側透明ガラス基板側の製造工程の図２５に
続く説明図である。

【図２７】液晶パネルと駆動回路基板とを接続した状態
を示す平面図である。

【図２８】本発明の液晶表示装置を実装した電子機器の
一例を説明するノートパソコンの外観図である。

【図２９】従来の液晶表示装置の構造例を説明する要部
断面図である。

【符号の説明】

１ 上フレーム ２ 液晶パネル（ＰＮＬ） ３ 駆動回路基板（ＰＣＢ） ４ テープキャリアパッド（ＴＣＰ） ５ モールドケース ６ 光学補償フィルム類（プリズムシート、拡散板等） ７ 導光板（ＧＬＢ） ９ 下フレーム １０ 偏光板（１０ａ：上偏光板、１０ｂ：下偏光
板）。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１基板と第２基板を所定の間隙で対向さ
   せ、表示領域外周をシール材で接着すると共に、前記間
   隙に液晶層を封入してなる液晶パネルと、導光板の辺縁
   に沿って設置した線状ランプを持ち、前記液晶パネルの
   背面に設置して当該液晶パネルを裏面から照明するバッ
   クライトと、このバックライトと前記液晶パネルの間に
   介挿した光学補償フィルムとを少なくとも有し、前記バ
   ックライトと前記光学補償フィルムの各４辺の端面を覆
   うフランジで形成される窓を前記液晶パネル側に有し、
   前記窓と反対側を開放したモールド部材で保持した液晶
   表示装置において、 前記モールド部材のフランジに、前記液晶パネルと直角
   な方向の第１の段差と、前記第１の段差より後退した位
   置に形成した第２の段差とを有し、 前記導光板を前記モールド部材の第２の段差内で前記液
   晶パネル方向に押圧固定し、前記光学補償フィルムを前
   記第１の段差内で前記導光板に対して自由に保持したこ
   とを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】前記第１の段差内に保持した前記光学補償
   フィルムの１辺に粘着テープ、またはスペーサを介在さ
   せて固定したことを特徴とする請求項１に記載の液晶表
   示装置。
3. 【請求項３】第１基板と第２基板を所定の間隙で対向さ
   せ、表示領域外周をシール材で接着すると共に、前記間
   隙に液晶層を封入してなる液晶パネルと、導光板の辺縁
   に沿って設置した線状ランプを持ち、前記液晶パネルの
   背面に設置して当該液晶パネルを裏面から照明するバッ
   クライトと、このバックライトと前記液晶パネルの間に
   介挿した光学補償フィルムとを少なくとも有し、前記バ
   ックライトと前記光学補償フィルムの各４辺の端面を覆
   うフランジで形成される窓を前記液晶パネル側に有し、
   前記窓と反対側を開放したモールド部材で保持した液晶
   表示装置において、 前記モールド部材のフランジに、前記液晶パネルと直角
   な方向の第１の段差と、前記第１の段差より後退した位
   置に形成した第２の段差とを有し、 前記導光板を前記モールド部材の第２の段差内で前記液
   晶パネル方向に押圧固定し、前記光学補償フィルムを前
   記第１の段差内の１辺で前記導光板との押圧で固定し、
   他の辺を自由に保持したことを特徴とする液晶表示装
   置。
4. 【請求項４】前記光学補償フィルムを固定する１辺が、
   液晶表示装置の縦置き状態では上辺となる辺であること
   を特徴とする請求項２または３に記載の液晶表示装置。